JPH0951142A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH0951142A JPH0951142A JP7199573A JP19957395A JPH0951142A JP H0951142 A JPH0951142 A JP H0951142A JP 7199573 A JP7199573 A JP 7199573A JP 19957395 A JP19957395 A JP 19957395A JP H0951142 A JPH0951142 A JP H0951142A
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- Japan
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- substrate
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- modulator
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一極性の電源動作する光変調器を集積した
半導体レーザを得る。 【構成】 １）同一基板上に, 電流注入により光を増幅
する活性層を有するレーザ部と, 電圧印加により吸収係
数が変化する吸収層を有する変調器部とが光の共振器方
向に集積され，該活性層の下層は該基板と同じ導電型で
あり，該活性層の上層は該基板と反対型の導電型であ
り, 該吸収層の下層は該基板と反対型の導電型であり,
該吸収層の上層は該基板と同じ導電型である半導体発光
素子， ２）前記変調器部の導電型が，ｎ型基板を用いた場合に
は上層よりｐ／ｎ／ｐ／ｎであり，ｐ型基板を用いた場
合には上層よりｎ／ｐ／ｎ／ｐであり，素子表面の導電
型がレーザ部, 変調器部とも同一である半導体発光素
子。
半導体レーザを得る。 【構成】 １）同一基板上に, 電流注入により光を増幅
する活性層を有するレーザ部と, 電圧印加により吸収係
数が変化する吸収層を有する変調器部とが光の共振器方
向に集積され，該活性層の下層は該基板と同じ導電型で
あり，該活性層の上層は該基板と反対型の導電型であ
り, 該吸収層の下層は該基板と反対型の導電型であり,
該吸収層の上層は該基板と同じ導電型である半導体発光
素子， ２）前記変調器部の導電型が，ｎ型基板を用いた場合に
は上層よりｐ／ｎ／ｐ／ｎであり，ｐ型基板を用いた場
合には上層よりｎ／ｐ／ｎ／ｐであり，素子表面の導電
型がレーザ部, 変調器部とも同一である半導体発光素
子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体発光素子に係り,
特に, 光変調器を集積した半導体レーザに関する。
特に, 光変調器を集積した半導体レーザに関する。
【０００２】光変調器を集積した半導体レーザは光通信
の光源として用いられており，近年, 光ファイバによる
情報伝送が幹線系から光ＬＡＮや加入者系等に広範囲な
領域に普及するにつれ，光モジュールの簡略化が求めら
れている。
の光源として用いられており，近年, 光ファイバによる
情報伝送が幹線系から光ＬＡＮや加入者系等に広範囲な
領域に普及するにつれ，光モジュールの簡略化が求めら
れている。
【０００３】
【従来の技術】図６は光変調器を集積した半導体レーザ
の従来例を示す。図で， 1はｎ型半導体基板, 3は活性
層, 4はｐ型クラッド層, 7は吸収層,11はレーザ部の
ｐ側電極, 12は変調器部のｐ側電極, 13は基板側のｎ側
電極で共通電極である。
の従来例を示す。図で， 1はｎ型半導体基板, 3は活性
層, 4はｐ型クラッド層, 7は吸収層,11はレーザ部の
ｐ側電極, 12は変調器部のｐ側電極, 13は基板側のｎ側
電極で共通電極である。
【０００４】光の共振器方向に，電流注入により光を増
幅する活性層 3を有するレーザ部と電圧印加により吸収
係数が変化する吸収層 7を有する変調器部が同一基板 1
上にモノリシックに集積された素子である。
幅する活性層 3を有するレーザ部と電圧印加により吸収
係数が変化する吸収層 7を有する変調器部が同一基板 1
上にモノリシックに集積された素子である。
【０００５】この素子では，レーザ部にレーザの発振し
きい値電流以上の直流電流を流して連続発振させ，変調
器部に電圧を印加して吸収層に電界をかけてその吸収係
数を変化させることにより，外部に出射されるレーザ光
の強度を変調して信号を伝送している。
きい値電流以上の直流電流を流して連続発振させ，変調
器部に電圧を印加して吸収層に電界をかけてその吸収係
数を変化させることにより，外部に出射されるレーザ光
の強度を変調して信号を伝送している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来例
の光変調器を集積した半導体レーザでは，表面電極に印
加する電圧の極性が基板に対し正であるのに対し，変調
器部では負であるために極性の異なる２つの電源ライン
が必要となり，駆動回路を複雑化していた。
の光変調器を集積した半導体レーザでは，表面電極に印
加する電圧の極性が基板に対し正であるのに対し，変調
器部では負であるために極性の異なる２つの電源ライン
が必要となり，駆動回路を複雑化していた。
【０００７】本発明は単一極性の電源ラインで動作する
光変調器を集積した半導体レーザを得ることを目的とす
る。
光変調器を集積した半導体レーザを得ることを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）同一基板上に, 電流注入により光を増幅する活性層
を有するレーザ部と, 電圧印加により吸収係数が変化す
る吸収層を有する変調器部とが光の共振器方向に集積さ
れ，該活性層の下層は該基板と同じ導電型であり，該活
性層の上層は該基板と反対型の導電型であり, 該吸収層
の下層は該基板と反対型の導電型であり,該吸収層の上
層は該基板と同じ導電型である半導体発光素子，あるい
は ２）前記変調器部の導電型が，ｎ型基板を用いた場合に
は上層よりｐ／ｎ／ｐ／ｎであり，ｐ型基板を用いた場
合には上層よりｎ／ｐ／ｎ／ｐであり，素子表面の導電
型がレーザ部, 変調器部とも同一である前記１記載の半
導体発光素子により達成される。
を有するレーザ部と, 電圧印加により吸収係数が変化す
る吸収層を有する変調器部とが光の共振器方向に集積さ
れ，該活性層の下層は該基板と同じ導電型であり，該活
性層の上層は該基板と反対型の導電型であり, 該吸収層
の下層は該基板と反対型の導電型であり,該吸収層の上
層は該基板と同じ導電型である半導体発光素子，あるい
は ２）前記変調器部の導電型が，ｎ型基板を用いた場合に
は上層よりｐ／ｎ／ｐ／ｎであり，ｐ型基板を用いた場
合には上層よりｎ／ｐ／ｎ／ｐであり，素子表面の導電
型がレーザ部, 変調器部とも同一である前記１記載の半
導体発光素子により達成される。
【０００９】
【作用】図１は本発明の原理説明図である。図のよう
に，レーザ部の活性層 3の上下のクラッド層 2，４の導
電型と変調器部の吸収層の上下のクラッド層 6，7 の導
電型が反転した構造とすることにより，レーザ部に順方
向となる極性の電圧を変調器部に印加すると，変調器部
では逆方向電圧が印加されることになる。このとき，変
調器部では基板と下側のクラッド層で形成されるｐｎ接
合が，吸収層の上下のクラッド層で形成されるｐｎ接合
と逆向きに直列に接続されることになるが，順方向と逆
方向のｐｎ接合が直列に接続された場合は，電圧は主に
逆方向にバイアスされたｐｎ接合にかかるため，変調す
るために十分な電界を吸収層にかけることができる。
に，レーザ部の活性層 3の上下のクラッド層 2，４の導
電型と変調器部の吸収層の上下のクラッド層 6，7 の導
電型が反転した構造とすることにより，レーザ部に順方
向となる極性の電圧を変調器部に印加すると，変調器部
では逆方向電圧が印加されることになる。このとき，変
調器部では基板と下側のクラッド層で形成されるｐｎ接
合が，吸収層の上下のクラッド層で形成されるｐｎ接合
と逆向きに直列に接続されることになるが，順方向と逆
方向のｐｎ接合が直列に接続された場合は，電圧は主に
逆方向にバイアスされたｐｎ接合にかかるため，変調す
るために十分な電界を吸収層にかけることができる。
【００１０】従って，本発明では基板に対して同一極性
の電圧を表面電極に与えることにより, レーザ部の動作
に必要な順方向の電圧と，変調器部の動作に必要な逆方
向電圧を印加することができる。すなわち，この素子は
単一極性の電源ラインで動作することができる。
の電圧を表面電極に与えることにより, レーザ部の動作
に必要な順方向の電圧と，変調器部の動作に必要な逆方
向電圧を印加することができる。すなわち，この素子は
単一極性の電源ラインで動作することができる。
【００１１】
【実施例】図２は本発明の実施例１の説明図である。図
において，n-InP 基板 1上にレーザ部は回折格子1Aが形
成され，その上に活性層 3, p-InP クラッド層 4, p-In
GaAsP(組成表示の波長λg ＝ 1.3μｍ) コンタクト層 5
が積層されており，変調器部は基板上に, p-InP クラッ
ド層 6, 吸収層 7, n-InP クラッド層 8, n-InGaAsP(λ
g ＝ 1.3μｍ) コンタクト層 9が積層されている。
において，n-InP 基板 1上にレーザ部は回折格子1Aが形
成され，その上に活性層 3, p-InP クラッド層 4, p-In
GaAsP(組成表示の波長λg ＝ 1.3μｍ) コンタクト層 5
が積層されており，変調器部は基板上に, p-InP クラッ
ド層 6, 吸収層 7, n-InP クラッド層 8, n-InGaAsP(λ
g ＝ 1.3μｍ) コンタクト層 9が積層されている。
【００１２】上記の構造をとることにより，レーザ部は
基板に対して正の電圧を印加することにより，n-InP 基
板 1とp-InP クラッド層 4によるｐｎ接合は順方向にな
り，p-InP クラッド層 6, 吸収層 7, n-InP クラッド層
8からなるｐｎ接合は逆方向になるので，印加された電
圧の大部分は吸収層を含むｐｎ接合に印加されて吸収層
に電界をかけることができ, 吸収層の吸収係数を変化さ
せることができる。従って, この素子は正の電源ライン
のみで動作することができる。
基板に対して正の電圧を印加することにより，n-InP 基
板 1とp-InP クラッド層 4によるｐｎ接合は順方向にな
り，p-InP クラッド層 6, 吸収層 7, n-InP クラッド層
8からなるｐｎ接合は逆方向になるので，印加された電
圧の大部分は吸収層を含むｐｎ接合に印加されて吸収層
に電界をかけることができ, 吸収層の吸収係数を変化さ
せることができる。従って, この素子は正の電源ライン
のみで動作することができる。
【００１３】次に, この素子の作製方法の概略を説明す
る。まず，n-InP 基板 1上のレーザ部のみに回折格子1A
を形成し，次いで有機金属気相成長(MOCVD) 法により，
基板上にレーザの活性層 3, 厚さ 2μｍのp-InP クラッ
ド層 4, 厚さ 0.2μｍのp-InGaAsP(λg ＝ 1.3μｍ) コ
ンタクト層 5を成長する。
る。まず，n-InP 基板 1上のレーザ部のみに回折格子1A
を形成し，次いで有機金属気相成長(MOCVD) 法により，
基板上にレーザの活性層 3, 厚さ 2μｍのp-InP クラッ
ド層 4, 厚さ 0.2μｍのp-InGaAsP(λg ＝ 1.3μｍ) コ
ンタクト層 5を成長する。
【００１４】次いで, フォトリソグラフィ法により, レ
ーザ部の表面に酸化シリコン(SiO2)膜を形成し，これを
マスクにして変調器部の成長層を基板に達するまでエッ
チングで除去する。
ーザ部の表面に酸化シリコン(SiO2)膜を形成し，これを
マスクにして変調器部の成長層を基板に達するまでエッ
チングで除去する。
【００１５】次いで, このSiO2マスクを残したまま，再
びMOCVD 法により，エッチングで除去した変調器部のみ
に厚さ 0.3μｍのp-InP クラッド層 6, 吸収層 7, 厚さ
2μｍのn-InP クラッド層 8, 厚さ 0.2μｍのn-InGaAs
P(λg ＝ 1.3μｍ) コンタクト層 9を成長する。
びMOCVD 法により，エッチングで除去した変調器部のみ
に厚さ 0.3μｍのp-InP クラッド層 6, 吸収層 7, 厚さ
2μｍのn-InP クラッド層 8, 厚さ 0.2μｍのn-InGaAs
P(λg ＝ 1.3μｍ) コンタクト層 9を成長する。
【００１６】次いで，横モード制御のために，共振器方
向に幅約 1.2μｍのメサをエッチングで形成した後, メ
サの両側に鉄(Fe)ドープのInP 層をMOCVD 法により成長
して埋め込む。
向に幅約 1.2μｍのメサをエッチングで形成した後, メ
サの両側に鉄(Fe)ドープのInP 層をMOCVD 法により成長
して埋め込む。
【００１７】最後に, レーザ部と変調器部の境界のコン
タクト層を除去し，基板表面に絶縁膜としてSiO2層10を
被着し，この膜に電極形成用の窓を開けて, レーザ部の
表面には下側から順に積層されたTi/Pt/Au電極11を, 変
調器部表面及び基板側には下側より順に積層されたAuGe
/Au 電極12, 13を形成し，素子化する。
タクト層を除去し，基板表面に絶縁膜としてSiO2層10を
被着し，この膜に電極形成用の窓を開けて, レーザ部の
表面には下側から順に積層されたTi/Pt/Au電極11を, 変
調器部表面及び基板側には下側より順に積層されたAuGe
/Au 電極12, 13を形成し，素子化する。
【００１８】レーザ部の活性層や変調器部の吸収層の層
構造は, 特に本発明の効果には関わりないが，例示する
と以下のようである。波長1.55μｍ帯の素子では, レー
ザ部の活性層としては厚さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝
1.1μｍ) ガイド層と厚さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝1.5
5μｍ)発光層で形成し，変調器部の吸収層を厚さ 0.2μ
ｍのInGaAsP(λg ＝1.46μｍ)で形成する。
構造は, 特に本発明の効果には関わりないが，例示する
と以下のようである。波長1.55μｍ帯の素子では, レー
ザ部の活性層としては厚さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝
1.1μｍ) ガイド層と厚さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝1.5
5μｍ)発光層で形成し，変調器部の吸収層を厚さ 0.2μ
ｍのInGaAsP(λg ＝1.46μｍ)で形成する。
【００１９】上記の例はバルクの活性層であるが，量子
井戸を用いた例としては，レーザ部の活性層としては厚
さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) ガイド層と, 厚
さ10nmのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) 障壁層と厚さ 5nmの
0.8 ％圧縮歪みInGaAsP 井戸層からなる10周期の多重量
子井戸(MQW) 層, 厚さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝1.15μ
ｍ) ガイド層とで構成する。変調器部の吸収層として
は, 厚さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) ガイド層
と, 厚さ 5nmのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) 障壁層と厚さ
5nmのIn0.53Ga0.47As井戸層からなる10周期の多重量子
井戸層, 厚さ0.1μｍのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) ガイ
ド層とで構成する。
井戸を用いた例としては，レーザ部の活性層としては厚
さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) ガイド層と, 厚
さ10nmのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) 障壁層と厚さ 5nmの
0.8 ％圧縮歪みInGaAsP 井戸層からなる10周期の多重量
子井戸(MQW) 層, 厚さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝1.15μ
ｍ) ガイド層とで構成する。変調器部の吸収層として
は, 厚さ0.1 μｍのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) ガイド層
と, 厚さ 5nmのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) 障壁層と厚さ
5nmのIn0.53Ga0.47As井戸層からなる10周期の多重量子
井戸層, 厚さ0.1μｍのInGaAsP(λg ＝1.15μｍ) ガイ
ド層とで構成する。
【００２０】上に例示した層構造以外の組成, 層数, 層
厚の活性層, 吸収層を用いても, あるいは波長 1.3μｍ
帯素子用の層構造を用いても本発明の効果は変わらな
い。図３は本発明の実施例２の説明図である。
厚の活性層, 吸収層を用いても, あるいは波長 1.3μｍ
帯素子用の層構造を用いても本発明の効果は変わらな
い。図３は本発明の実施例２の説明図である。
【００２１】実施例１ではレーザ部に回折格子を有する
分布帰還型レーザを説明したが，レーザ部に回折格子が
ない構造もある。この図は回折格子を持たないファプリ
ペローレーザで， 2はn-InP クラッド層である。
分布帰還型レーザを説明したが，レーザ部に回折格子が
ない構造もある。この図は回折格子を持たないファプリ
ペローレーザで， 2はn-InP クラッド層である。
【００２２】これレーザでは，レーザ部に直流電流を流
しておき，変調器部に電圧を印加してこの部分の吸収係
数を変えてレーザ共振器内の内部損失を変えることによ
り，レーザの発振，非発振を切り換える。
しておき，変調器部に電圧を印加してこの部分の吸収係
数を変えてレーザ共振器内の内部損失を変えることによ
り，レーザの発振，非発振を切り換える。
【００２３】以下の実施例では回折格子を設けていない
が，これらと同一構造で回折格子を設けてもよいことは
当然である。図４は本発明の実施例３の説明図である。
が，これらと同一構造で回折格子を設けてもよいことは
当然である。図４は本発明の実施例３の説明図である。
【００２４】この例は，吸収層 7に隣接したn-InP 上部
クラッド層 8の上にp-InP 上部クラッド層 2 a積層した
構造である。この場合変調器部の層構造はｐｎｐｎ構造
となっており，ｐ側電極にレーザ部と同じ正の電圧を印
加すると，逆方向のｐｎ接合内に吸収層 2が設けられて
いるため，印加された電圧は主にここにかかり吸収層の
電界を変化させることができる。
クラッド層 8の上にp-InP 上部クラッド層 2 a積層した
構造である。この場合変調器部の層構造はｐｎｐｎ構造
となっており，ｐ側電極にレーザ部と同じ正の電圧を印
加すると，逆方向のｐｎ接合内に吸収層 2が設けられて
いるため，印加された電圧は主にここにかかり吸収層の
電界を変化させることができる。
【００２５】この構造をとると, 基板表面はレーザ部も
変調器部もともにｐ型となり，電極分離を行うのみで,
同じ材料で電極形成が行えるから素子作製プロセスが簡
略化される。
変調器部もともにｐ型となり，電極分離を行うのみで,
同じ材料で電極形成が行えるから素子作製プロセスが簡
略化される。
【００２６】図５は本発明の実施例４の説明図である。
これまでの実施例では基板の導電型をすべてｎ型とした
が，ｐ型基板 1’上に作製することもできる。この場合
は，クラッド層及びコンタクト層の導電型をこれまでの
実施例と反転させることになる。この図は実施例４をｐ
型基板上に作製した例である。他の実施例に対しても，
同様にｐ型基板上に作製できる。
これまでの実施例では基板の導電型をすべてｎ型とした
が，ｐ型基板 1’上に作製することもできる。この場合
は，クラッド層及びコンタクト層の導電型をこれまでの
実施例と反転させることになる。この図は実施例４をｐ
型基板上に作製した例である。他の実施例に対しても，
同様にｐ型基板上に作製できる。
【００２７】この場合は，レーザ部，変調器部ともに基
板にたいして負の電圧を印加するため，負の電源ライン
のみ必要となる。電源ラインの極性は用いる駆動回路に
よって決まるので，それに応じた基板の導電型を選ぶこ
とにより，いずれの極性の電源ラインにも対応すること
ができる。
板にたいして負の電圧を印加するため，負の電源ライン
のみ必要となる。電源ラインの極性は用いる駆動回路に
よって決まるので，それに応じた基板の導電型を選ぶこ
とにより，いずれの極性の電源ラインにも対応すること
ができる。
【００２８】次に，レーザ部と変調器部の電気的な分離
について説明する。図６に示されている従来の変調器を
集積化したレーザにおいても，上部ｐ型クラッド層はレ
ーザ部及び変調器部に共通で，且つレーザ部には順方向
電圧が，変調器部には逆方向電圧が印加されている。し
かし，活性層幅が１μｍ程度と狭く且つその両側が高抵
抗層であるので，ある程度の距離（数10μｍ) をとると
電極間の抵抗はＭΩ以上となり，電気的分離は十分であ
る。各実施例の構造においても同様である。
について説明する。図６に示されている従来の変調器を
集積化したレーザにおいても，上部ｐ型クラッド層はレ
ーザ部及び変調器部に共通で，且つレーザ部には順方向
電圧が，変調器部には逆方向電圧が印加されている。し
かし，活性層幅が１μｍ程度と狭く且つその両側が高抵
抗層であるので，ある程度の距離（数10μｍ) をとると
電極間の抵抗はＭΩ以上となり，電気的分離は十分であ
る。各実施例の構造においても同様である。
【００２９】印加電圧は使用方法に依存するが，例えば
図２の実施例１ではレーザ部に 2 V, 変調器部に対して
オンのときは 1 V, オフのとき 3 Vである。
図２の実施例１ではレーザ部に 2 V, 変調器部に対して
オンのときは 1 V, オフのとき 3 Vである。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれぱ，単一極性の電源ライン
で動作する光変調器を集積した半導体レーザを得ること
ができる。
で動作する光変調器を集積した半導体レーザを得ること
ができる。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施例１の説明図
【図３】 本発明の実施例２の説明図
【図４】 本発明の実施例３の説明図
【図５】 本発明の実施例４の説明図
【図６】 従来例の説明図
1 n-InP 基板 1’p-InP 基板 1A 回折格子 2 n-InP クラッド層 3 活性層 4 p-InP クラッド層 5 p-InGaAsP(λg ＝ 1.3μｍ) コンタクト層 6 p-InP クラッド層 7 吸収層 8 n-InP クラッド層 9 n-InGaAsP(λg ＝ 1.3μｍ) コンタクト層 10 絶縁膜でSiO2膜 11〜13 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 同一基板上に, 電流注入により光を増幅
する活性層を有するレーザ部と, 電圧印加により吸収係
数が変化する吸収層を有する変調器部とが光の共振器方
向に集積され，該活性層の下層は該基板と同じ導電型で
あり，該活性層の上層は該基板と反対型の導電型であ
り, 該吸収層の下層は該基板と反対型の導電型であり,
該吸収層の上層は該基板と同じ導電型であることを特徴
とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記変調器部の導電型が，ｎ型基板を用
いた場合には上層よりｐ／ｎ／ｐ／ｎであり，ｐ型基板
を用いた場合には上層よりｎ／ｐ／ｎ／ｐであり，素子
表面の導電型がレーザ部, 変調器部とも同一であること
を特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7199573A JPH0951142A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7199573A JPH0951142A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0951142A true JPH0951142A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16410086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7199573A Withdrawn JPH0951142A (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0951142A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003069136A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積デバイス及びその作製方法 |
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| CN111900615A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-11-06 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种半导体激光器结构及叠阵 |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP7199573A patent/JPH0951142A/ja not_active Withdrawn
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