JPH0945594A - 半導体ウェハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェハ処理工程において、オリエンテーション
フラットでの欠けの発生を低減し、欠けに起因するウェ
ハ割れによる歩留りの低下を抑える。 【解決手段】へき開面２で形成したオリエンテーション
フラット６に、部分的に面取りを施して面取部１を形成
し、欠けに弱いへき開面２と欠けに強い面取部１とを混
在させる。このようにしてオリエンテーションフラット
６部における欠け発生の確率を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はウェハ処理工程中で
の欠けや割れの発生を低減した半導体ウェハに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】従来、化合物半導体レーザダイオード
（以下、ＬＤと略す）は、その共振面として、化合物半
導体ウェハをへき開して作られたへき開面を用いてい
る。その理由は、へき開して作られるへき開面が、共振
面として必要な良好な平坦度を有していることと、直方
体系の結晶の場合、容易に平行な面を作り得るからであ
る。

【０００３】このＬＤは、結晶ウェハ上に発光層を有す
るエピタキシャル層を成長したあと、ホトリソグラフィ
技術で、電極部などのパターンを作り、ウェハをへき開
し、チップとして作製される。

【０００４】このホトリソグラフィ時にまず必要なこと
は、最終的にへき開されてできるチップの向きに、正確
にパターンが作られなければならないことである。そこ
で、ホトリソグラフィ時の向きの基準として、通常、Ｌ
Ｄを作製するウェハの外周の一部に、へき開面を形成し
ている。

【０００５】その例を図４に示す。図４（ａ）は四角形
の形状をしたウェハ３の例である。四つの辺のうち、少
なくとも一辺はへき開面２により形成されており、残り
の三辺は面取りされた面取部１で形成されている。図４
（ｂ）は、円形ウェハ４の例である。オリエンテーショ
ンフラット（以下、ＯＦ）がへき開面２で形成され、円
周部は面取部１で形成されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように半導体
ウェハの外周の一部はへき開面で形成されているが、へ
き開面は、ウェハの表裏面と直角をなす角部を有するた
め、この角部が欠けやすい。この欠けた部分は結晶ウェ
ハのへき開を誘発しやすくなり、素子作製工程でウェハ
割れによる歩留り低下をもたらす。特に、半導体ウェハ
がＳｉより脆いＧａＡｓなどの化合物半導体ウェハのと
きに、この傾向は大きい。

【０００７】また、ウェハが特に正方形の場合、四辺の
うち、三辺が面取部、一辺がへき開面だと、どの辺がへ
き開面の辺かは、ウェハ上部から見たときには容易に見
分けられず、ウェハを横から見て判別しなくてはなら
ず、非常に手間がかかっていた。

【０００８】本発明の目的は、上述した従来技術の問題
点を解消して、ウェハ処理工程中にウェハの欠けの発生
を減らすことが可能な半導体ウェハを提供することにあ
る。また、本発明の目的は、へき開面の判別が容易な半
導体ウェハを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェハ
は、外周に形成したへき開面に部分的に面取りを施した
ものである。面取り数は問わないが、表裏面について行
う。半導体ウェハの材料としては特に制限はないが、Ｓ
ｉに比較して脆いＧａＡｓなどの化合物半導体が好適で
ある。ウェハ形状は四角形、円形などがあり、特に円形
の半導体ウェハにおいては、部分的に面取りを施す箇所
は、へき開面で形成したＯＦとなる。

【００１０】へき開面に部分的に面取りを施して面取部
を形成すると、その面取部はウェハの表裏面と直角をな
す角部がなくなり欠けにくくなるので、ウェハ処理工程
中におけるウェハの欠けの発生確率を減少させることが
できる。なお、へき開面はホトリソグラフィを行うとき
の基準面となるが、基準面としてへき開面の全長が必要
となるわけではなく、面取り後の残ったへき開面で、基
準合せをすればよい。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下に本発明の半導体ウェハをＬ
Ｄ用のｎ型ＧａＡｓウェハに適用した実施の形態を説明
する。図１（ａ）に、単結晶からスライスして、形状加
工した後の円形のｎ型ＧａＡｓウェハ５を示す。このウ
ェハ５の外周部にはホトリソグラフィ技術の基準面とな
るＯＦ６が形成される。ウェハ直径は５０mm、厚さが４
５０μｍである。ＯＦ６の長さは１８mmである。この１
８mmのＯＦ長のうち、円形外周付近の３mm、３mmはへき
開面２で形成し、残りのＯＦ中央の１２mmと、円形外周
は面取りした面取部１で形成してある。このようなへき
開面２と面取部１とが混在したＯＦの製作方法は、一
旦、ＯＦをへき開して形成し、そのへき開面を部分的に
面取りすることにより行う。面取りはウェハの表裏面に
わたって行う。図１（ｂ）に表裏面にわたって部分的に
面取りしたＯＦの拡大図を示す。へき開面２で形成した
ＯＦ６の中央部にへき開面２より深い位置まで切り欠い
た曲面形状の面取りをして面取部１を形成する。図１
（ｂ）のｃ−ｃ線断面図である図１（ｃ）に示す面取部
１の曲率半径ｒはｒ＝３００μｍである。

【００１２】このようにＯＦのへき開面を部分的に面取
りして、欠けに弱いへき開面の割合を減らすようにした
ので、ＬＤ作製工程でＯＦ部の欠けを低減でき、欠けに
誘発されて生じるウェハ割れによる歩留り低下を有効に
防止できる。

【００１３】ここで比較のために、図２に示すＬＤ用Ｇ
ａＡｓウェハを作製した。この比較例のウェハが、図１
の実施例と異なるところは、ＯＦ６が全てへき開面２で
形成されていることである。この図１と図２のウェハを
１００枚ずつ、鏡面を得るための研磨工程に流し、ＯＦ
の欠けの発生状況を比較した。ＯＦに一つでも欠けの生
じた割合は、図１の実施例のものが５％、図２の比較例
のものが１８％であった。へき開面と面取部が混在した
本実施例のものが、へき開面だけからなる従来のものに
比べて、大幅に欠けの発生確率を減らすことができるこ
とがわかる。

【００１４】なお、ＯＦに混在させる面取部は１箇所に
限定されず、複数箇所形成するようにしてもよい。例え
ば、図３に示すのもでは面取部１を２箇所形成してあ
り、へき開面２を３箇所残してある。

【００１５】また、上記実施例では、ウェハ形状が円形
の場合について説明したが、本発明はこれに限定されな
い。例えば四角形の半導体ウェハについても適用でき
る。四角形、特に正方形のウェハに本発明を適用する場
合、三辺については、従来通り辺全部を面取りして面取
部を形成し、基準となる残り一辺をへき開面と面取部と
で形成する。このようにすると、ウェハ上部から見たと
き、基準面は、面取りが施された部分とそうでない部分
とが混在しているので、容易に目で見分けられ、基準面
判別の手間が省ける。

【００１６】

【発明の効果】本発明によれば、ウェハのへき開面に部
分的に面取りを施したので、ウェハ処理工程での欠けや
割れを低減できる。特にウェハが正方形の場合、へき開
面の判別が容易になる。

【００１７】へき開面で形成したＯＦに部分的に面取り
を施した場合には、円形ウェハの欠けや割れを減らすこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体ウェハの実施例を説明するため
の円形のＬＤ用ｎ型ＧａＡｓウェハを示す図であって、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＯＦ部分の拡大図、（ｃ）は
（ｂ）のｃ−ｃ線断面図である。

【図２】比較例のｎ型ＧａＡｓウェハの平面図。

【図３】他の実施例を示す円形のｎ型ＧａＡｓウェハの
平面図。

【図４】従来例のウェハを示す図であって、（ａ）は四
角形ウェハの平面図、（ｂ）は円形ウェハの平面図。

【符号の説明】

１ 面取部 ２ へき開面 ５ ｎ型ＧａＡｓウェハ ６ ＯＦ（オリエンテーションフラット）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】外周に形成したへき開面に部分的に面取り
   を施した半導体ウェハ。
2. 【請求項２】へき開面で形成したオリエンテーションフ
   ラットに部分的に面取りを施した半導体ウェハ。