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JPH09260273A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPH09260273A
JPH09260273A JP8094692A JP9469296A JPH09260273A JP H09260273 A JPH09260273 A JP H09260273A JP 8094692 A JP8094692 A JP 8094692A JP 9469296 A JP9469296 A JP 9469296A JP H09260273 A JPH09260273 A JP H09260273A
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JP
Japan
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mask
stage
mark
pattern
measuring
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Application number
JP8094692A
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English (en)
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JP3604801B2 (ja
Inventor
Shigeki Ogawa
茂樹 小川
Shigeyuki Uzawa
繁行 鵜澤
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP09469296A priority Critical patent/JP3604801B2/ja
Publication of JPH09260273A publication Critical patent/JPH09260273A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3604801B2 publication Critical patent/JP3604801B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 高精度露光装置の定期的確認および補正作業
の負荷と時間をできる限り少なくなるように合理化す
る。 【解決手段】 マスク3をマスク基準マークにアライメ
ントするマスクアライメント系2、マスクとウエハを投
影レンズを介してアライメントするTTLオンアクシス
アライメント系2,2′,XYθとZ方向に移動可能な
ウエハステージ12〜14、及びステージ位置計測手段
17を備えていて、マスク側基準パターン3A,3Bと
キャリブレーションマークとをTTLオンアクシスアラ
イメント系2,2′を用いてアライメントすることによ
りマスクの座標と投影レンズの倍率誤差を求めて自動的
に補正して装置の定期的確認と補正作業を合理化する。
尚、マスク側基準パターンとしてはアライメントしたマ
スク上のパターンまたはマスク基準マークが設けられた
部材に新たに設けたパターンを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LSIの製造工程
において、微細回路パターンの作製に用いられる縮小投
影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図1はステップアンドリピート方式の縮
小投影露光装置の構成図である。同図において、ランプ
1は露光照明系を構成しており、このランプ1からの照
明光は、照明光学系およびシャッタ(どちらも図示省
略)を経てマスク3を照明する。
【0003】図1の装置においては、まず初めに、マス
ク基準プレート4に対しマスク3の位置合わせを行う。
マスク3とマスク基準プレート4上のマークは照明ユニ
ット6より、光ファイバー7にて導かれた光でマスク基
準プレート4の下より照明される。ここでは照明ユニッ
ト6を用いた例を挙げているが、マスク基準プレート4
上のマークを照明する光はランプ1よりファイバーにて
導いても良い。照明されたマークの像は、2Cの位置へ
駆動したTTLオンアクシス(on Axis)スコー
プ2の対物ミラー2Cを介して、カメラ2Dで画像デー
タとして取り込まれる。
【0004】取り込まれた画像データは画像処理され、
求まったずれ量よりマスクステージ(図示省略)をX、
Y、θ方向へ駆動することで、マスク3がマスク基準プ
レート4に対し位置合わせされる。
【0005】図1では片側しか図示していないが、投影
レンズ8の光軸を中心に反対側にも同様のマスク基準プ
レート4とTTLオンアクシススコープ2が構成されて
いる。
【0006】マスク基準プレート4に対し位置合わせさ
れたマスク3のパターンは投影レンズ8で所定の倍率
(例えば、1/5)に縮小され、ウエハ11に投影され
る。
【0007】ウエハ11はウエハチャック(図示省略)
にバキューム吸着し固定する。ウエハチャックは、縮小
投影レンズ8の光軸方向にウエハチャックを駆動するZ
ステージ(Z/S)12と、光軸に対し垂直な平面上を
回転し、また、光軸方向に対し、ウエハを傾けるθアン
ドチルトステージ(θ&Tilt/S)13と、光軸と
垂直な平面上を駆動するXYステージ(XY/S)14
の上に載せてある。ウエハ11の投影レンズ8の光軸方
向に対する位置は、光オートフォーカスユニット9で計
測する。具体的には、光オートフォーカスユニット9は
出射光ユニット9Aと、その出射光のウエハ11の表面
からの反射光を受光する受光ユニット9Bとからなり、
受光ユニット9Bでの受光位置でウエハ11のZ位置が
計測できる。ウエハ11は、光オートフォーカスユニッ
ト9とZステージ12によりZ方向に制御され、常に投
影レンズ8のベストピント位置に合わせ込まれる。
【0008】ステップアンドリピートの際のステップ量
と方向は、θアンドチルトステージ13上のバーミラー
16とレーザ干渉計17によりX、Y、θの方向につい
て計測し(Y方向およびθ方向制御のためのバーミラー
およびレーザ干渉計は図示省略)、モータ18により常
時駆動および制御している。
【0009】ウエハ11上のマークに対するアライメン
トはTTLオフアクシス(offAxis)スコープユ
ニット5にて、非露光光によるグローバルアライメント
で行う。グローバルアライメントの計測シーケンスに関
する詳細は、ここでは、省略する。TTLオフアクシス
スコープユニット5の構成については簡単な説明を行っ
ておく。TTLオフアクシススコープユニット5は、2
つの偏光ビームスプリッタ5A、5Bと、非露光光源お
よびカメラユニット5Cと、TTLオフアクシススコー
プユニットスコープ基準マーク5Dとから構成されてい
る。非露光光源およびカメラユニット5Cから出射され
た非露光光は偏光ビームスプリッタ5Bを通過して5A
により、投影レンズ8に入射される。ここで、非露光光
はHeNeレーザ等、露光光とは波長の異なる光を用い
る。
【0010】投影レンズ8に入射された光は、ウエハ1
1もしくはキャリブレーションプレート15上の計測マ
ークを照明する。計測マークを照明した光は反射され、
再度投影レンズ8を経てTTLオフアクシススコープユ
ニット5に戻ってくる。戻って来た光は偏光ビームスプ
リッタ5A、5Bを経て非露光光源およびカメラユニッ
ト5Cに入る、非露光光源およびカメラユニット5Cの
中で補正光学系を経て、カメラに画像として届く。一
方、TTLオフアクシススコープ基準マーク5Dは、照
明ユニット6から光ファイバにて導かれた光にて照明さ
れる。照明された像は、偏光ビームスプリッタ5Bを経
て、非露光光源およびカメラユニット5Cに入り、カメ
ラに画像として届く。このようにして、各々の画像を計
測してTTLオフアクシススコープ基準マーク5Dに対
する、ウエハ11もしくはキャリブレーションプレート
15上の計測マークのずれ量を求める。以上のような一
連の動作によりウエハ11上にマスク3のパターンを逐
次露光していく。
【0011】このような、ステップアンドリピート方式
の縮小投影露光装置において、何工程にも及び露光を行
っていく場合、1回1回のアライメント誤差を少なくし
ていくことが大切である。特にTTLオフアクシスのグ
ローバルアライメントの場合、ベースライン変化により
発生するシフト誤差ばかりでなく、マスク3とXYステ
ージ14の回転に起因するアライメント誤差や、投影レ
ンズ8の倍率に起因するアライメント誤差に関しても厳
しい管理が要求されている。
【0012】このような、回転/倍率のアライメント誤
差の低減のために、ステップアンドリピート方式の縮小
投影露光装置においては、以下のような手順で装置の基
準合わせを行って対応している。
【0013】
【表1】
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の説明
でも明らかなように、アライメント誤差の低減のために
は、回転/倍率を装置の基準に合わせることが不可欠で
ある。しかし、現状では装置の基準合わせを行う場合に
は、焼き付けを行うウエハが必要であり、これは、ある
期間をおいて定期的に確認および補正を行う上では大き
な負荷となる。さらに、焼き付け後に、現像と計測が必
要であることは言うまでもないことであり、トータルで
かなり長時間の間、装置を止めてしまうことになる。
【0015】また、マスク基準プレート4に対して、あ
るトレランスで位置合わせを行ったマスク3で隣接重ね
焼きを行っているため、焼き付けて得られるマスク3と
XYステージ13の回転、投影レンズ8の倍率のずれ量
にはマスク3のアライメント残差が含まれてしまう。
【0016】より精度良く装置の基準合わせを行うため
には、マスク3のアライメント残差を予め保存しておい
て、マスク3とXYステージ14の回転の計算、投影レ
ンズ8の倍率計算時に反映する等の操作を行う必要があ
る。
【0017】本発明で解決しようとしている課題は、精
度を落とすことなく、新たに専用のユニット等を増設す
ることなく、定期的確認および補正行為の負荷と時間を
できる限り少なくすることである。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、マスクの像を感光基板に転写するため
の照明手段および投影光学系と、感光基板上の位置合わ
せマークを前記投影光学系を介して観察し、自身の有す
る基準マークとのずれを計測する第1の計測手段と、感
光基板を搭載して前記投影光学系の光軸に対し平行方向
および垂直方向へ駆動するステージと、そのステージの
平行および垂直方向の駆動位置を計測する第2の計測手
段と、マスク上のパターンと感光基板上のパターンおよ
びマスク上のパターンと前記第1の計測手段のキャリブ
レーションに使用するため前記第1のステージ上に設け
られたキャリブレーションパターンをそれぞれ前記投影
レンズを介して重ね合わせて同時に計測できる第3の計
測手段と、マスク基準マークを備えマスク上のマークと
前記マスク基準マークを重ね合わせて同時に計測できる
第4の計測手段と、マスクをX、Yおよびθ方向へ駆動
するマスク駆動手段とを具備する露光装置において、マ
スク上のマークと前記マスク基準マークとのずれを前記
第4の計測手段により計測させその計測されたずれ量を
元に所定の量だけ該マスクをX、Yおよびθ方向へ駆動
して位置合わせし、前記第2の計測手段により駆動位置
を計測しながら前記ステージを駆動して前記キャリブレ
ーションパターンを前記投影光学系による前記マスク上
の複数のパターンのそれぞれの投影位置に来させ、前記
第3の計測手段によって各投影位置におけるマスク上の
パターンと前記キャリブレーションパターンとの位置ず
れを計測させ、前記各計測値ならびに各マークおよびパ
ターン位置の設計値に基づいて、前記マスク基準プレー
トの座標とステージの座標のずれ、および前記投影レン
ズ倍率のずれを算出し、それらの座標および倍率の合わ
せ込みを行う手段を設けたことを特徴とする。前記マス
ク基準マークは、例えば前記投影光学系の鏡筒上の設け
られたマスク基準プレートに形成される。
【0019】また、本発明においては、マスクを介在さ
せることなく座標および倍率の計測および合わせ込みを
行うことも可能である。その場合は、上記の露光装置に
おいて、前記マスク基準プレート上の前記第3の計測手
段で計測できる複数の位置に第2の基準マークを設け、
かつ前記第2の計測手段により駆動位置を計測しながら
前記ステージを駆動して前記キャリブレーションパター
ンを前記投影光学系による前記第2の基準マークのそれ
ぞれの投影位置に来させ、前記第3の計測手段によって
各投影位置における第2の基準マークと前記キャリブレ
ーションパターンとの位置ずれを計測させ、前記各計測
値ならびに各マークおよびパターン位置の設計値に基づ
いて、前記マスク基準プレートの座標とステージの座標
のずれ、および前記投影レンズ倍率のずれを算出し、そ
れらの座標および倍率の合わせ込みを行う。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態によれば、
マスクを感光基板(ウエハ)に転写するための照明手段
と投影レンズと、その照明光の光量を制御するシャッタ
と、その照明光の範囲を制御するブレードと、感光基板
と装置のキャリブレーションに使用するキャリブレーシ
ョンプレートを搭載して投影レンズの光軸に対し平行方
向および垂直方向へ駆動するX、Y、θおよびZステー
ジと、それらのステージの平行および垂直方向の駆動位
置を計測する手段と、マスクと感光基板上のパターンお
よびマスクとキャリブレーションプレート上のパターン
を投影レンズを介して重ね合わせて同時に計測できる手
段と、マスクを位置合わせするためのマスク基準プレー
トを投影レンズの鏡筒上に持ちそのマスク基準プレート
とマスク上のマークを重ね合わせて同時に計測できる手
段と、その計測により求まったずれ量を元に所定の量だ
けマスクをX、Y、θ方向へ駆動する手段とを有する露
光装置において、マスク基準プレートの座標とX、Y、
θステージの座標のずれ、および投影レンズ倍率のずれ
をマスクを介在させて計測し、合わせ込みを自動で行う
ことを特徴とする。
【0021】また、本発明の実施の他の形態によれば、
上記の露光装置において、マスクを介在させることな
く、マスク基準プレートの座標とX、Yおよびθステー
ジの座標のずれ、および投影レンズ倍率のずれを計測
し、合わせ込みを自動で行うことを特徴とする。
【0022】
【作用】図2に示すように従来マスクとウエハをTTL
オンアクシスでアライメントしたり、マスク3をマスク
基準マーク4にアライメントする時に使用していた、T
TLオンアクシススコープ2、2’を利用する。このT
TLオンアクシススコープ2、2’の対物ミラーを2
A、2A’の位置に移動し、その位置で光ファイバ20
で導いたランプ1からの露光照明光でマスク3のマーク
3A、3Bと投影レンズ8を通してXYステージ14上
のキャリブレーションプレート15上のマーク15Aを
照明する。その反射光を同じTTLオンアクシススコー
プ2、2’のカメラ2D、2D’(図示省略)で画像デ
ータとして取り込み、ずれ量を計測する。
【0023】マーク15Aは、図1に示す従来の露光装
置においては、グローバルアライメント用のTTLオフ
アクシススコープユニット5を位置合わせするために1
個が設けられている。そこで、XYステージ14を移動
してマーク15Aをマーク3Aと3Bの投影位置に順次
し、各TTLオンアクシススコープ2、2’で、その時
の画像を取り込み、ずれ量を求める。マーク3Aと3B
の距離はマスク3の設計値で予め分かっているので、例
えば、以下のようにしてマスク3とXYステージ14の
回転、および投影レンズ8の倍率が求まる。
【0024】
【表2】
【0025】したがって、例えば、回転ずれはθアンド
チルトステージ13を駆動して、投影レンズ倍率は図示
しないマスクステージまたは倍率補正用レンズを駆動し
て補正する。
【0026】
【実施例1】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明
する。マスクを介在させて計測を行う場合の実施例につ
いて述べる。本発明の一実施例に係るシステム構成を示
した図2と、図2の装置における計測フローチャートで
ある図3に従って具体的な計測方法の説明を行う。
【0027】まず初めに、図2を使って本実施例のシス
テムの構成について説明する。マスク3のマークとXY
ステージ14上のキャリブレーションプレート15上の
マークを、投影レンズ8を通して重ね合わせて計測でき
るTTLオンアクシススコープ2、2’を図2のように
マスク3と露光照明ランプ1の間に設ける。このTTL
オンアクシススコープ2、2’はマスク3上を任意の位
置に独立に駆動可能である。
【0028】TTLオンアクシススコープ2、2’が各
々、2C、2C’の位置へ駆動した時には、マスク3と
マスク基準プレート4、4’の各マークが同時に観察で
き、2A、2A’の位置へ駆動した時はマスク3と投影
レンズ8を介してXYステージ14上のマークを同時に
観察することが可能である。
【0029】マスク基準プレート4、4’上のマークを
観察する場合は照明ユニット6から光ファイバ7、7’
で導かれた光でマークを照明する。このとき、ランプ1
からの光(露光光)をTTLオンアクシススコープ2、
2’に導くためのシャッタ19は閉じられている。ま
た、TTLオンアクシススコープ2、2’のフォーカス
合わせに関しては、マスク基準プレート4、4’は製造
時にTTLオンアクシススコープ2、2’に対し合わせ
込みが行われており、マスク3に関しては、マスク3の
ガラス厚のバラツキは存在するがTTLオンアクシスス
コープ2、2’のフォーカス深度が充分にあるため、無
視できる。
【0030】一方、XYステージ14上のキャリブレー
ションプレート15上のマークを観察する場合は、露光
光をTTLオンアクシススコープ2、2’に導くための
シャッタ19が開かれ、偏光ビームスプリッタ21、2
1’(図示省略)で分光された光で、マスク3のマーク
とXYステージ14上のマークが照明される。
【0031】XYステージ14上のマークに関しては投
影レンズ8を介して観察しているため、フォーカス合わ
せが必要となる。フォーカス合わせの方法は、光オート
フォーカスユニット9でキャリブレーションプレート1
5のZ方向の位置を確認しながら、θアンドチルトステ
ージ13をZ方向へ駆動してマークを上下動させ、マー
クの画像のコントラストとフォーカス位置の関係を表す
データを採る。一般に、コントラストとその時のフォー
カス位置のデータはグラフにすると、上または下に凸の
形になる。よって、このグラフからピーク位置または、
ディップ位置を求めることで、画像のベストフォーカス
位置とする。また、気圧、温度および露光状態により、
投影レンズ8のベストフォーカス位置は時々刻々と変化
している。これにより、当然、TTLオンアクシススコ
ープ2、2’の画像フォーカスのベストピント位置も変
化することになる。この変化に対しては、気圧、温度お
よび露光状態を常時モニタしながらフォーカス変化量を
計算し、光オートフォーカスユニット9でZ方向の位置
を計測しながらθアンドチルトステージ13を駆動して
リアルタイムで補正を行っている。
【0032】XYステージ14の上には、XY平面上で
θ方向およびZ方向と任意の傾き方向へ駆動できるθア
ンドチルトステージ13が配置され、その上にさらにバ
ーミラー16とウエハチャック12とキャリブレーショ
ンプレート15が配置されている。
【0033】XYステージ14の位置はバーミラー16
とレーザ干渉計17により、常にモニタされている。さ
らに、XYステージ14の位置計測系および駆動系は、
図2では1軸しか図示していないが、実際には3軸以上
あり、XY方向は元より、XY平面でのθ方向に関する
制御も行っている。Z方向および傾きに関しては、光オ
ートフォーカスユニット9により、その位置が計測され
θアンドチルトステージ13を駆動することで制御され
ている。
【0034】図2では、マスク3上のマークは、投影レ
ンズ8の光軸を中心に対称な3A、3Bの2つのマーク
しか図示していないが、マスク3上の任意の位置に複数
個、置くことが可能である。
【0035】次に、図3を使って図2の装置における具
体的な計測方法について説明を行う。 (ステップ101)初めに、マスク3とマスク基準プレ
ート4、4’のアライメントを行う。方法は、図2の照
明ユニット6から光ファイバ7にて導かれた光でマスク
基準プレート4の下から、マスク基準プレート4上のマ
ークとマスク3のマーク(どちらも図示省略)を照明す
る。照明された各マークをTTLオンアクシススコープ
2、2’のミラーを、2C、2C’の位置へ駆動するこ
とにより、カメラ2D、2D’(図示省略)へ画像とし
て取り込む。取り込んだ画像データをデジタル処理して
マスク基準プレート4、4’とマスク3のずれ量を求め
る。ずれ量は、X、Yシフトとθの3つである。
【0036】(ステップ102)次に、求まったずれ量
がトレランス内に収まっているか/否かを判定する。ト
レランス判定は、X、Yシフトとθの各々について行
い、どれかひとつでも、トレランスをオーバーしていれ
ば、「否」の判定となる。
【0037】(ステップ103)トレランス外であれ
ば、ステップ101で求めたずれ量を元に、マスクステ
ージ(図示省略)を駆動して追い込みを行う。ここで駆
動を行う場合、スループットを重視するのであれば、ト
レランスをオーバーしたずれに対してだけ行えば良い
し、駆動により発生するかも知れない他成分を懸念する
のであれば、トレランス判定の結果に関わりなく、X、
Y、θ全てを駆動すれば良い。追い込みを行った後、再
度、ステップ101へ戻り、計測を行い、ステップ10
2にてトレランス判定を行う。
【0038】(ステップ102)トレランス判定を行っ
ている以上、トレランスが0でない限りトレランス以下
の追い込み残差が、存在してしまうことは明らかであ
る。この残差は保存しておいて、最終的にマスク基準プ
レート4、4’とXYステージ14との回転、および投
影レンズ8の倍率の経時変化の計算をする時に考慮す
る。
【0039】トレランス内に追い込まれていれば、次の
計測動作へ移る。
【0040】(ステップ104A)次に、マスク基準プ
レート4、4’とXYステージ14との回転、および投
影レンズ8の倍率の計測準備のための、TTLオンアク
シススコープ2、2’のミラーを2A、2A’の位置へ
駆動する。この位置はマスク3上のマーク3A、3Bが
観察できる位置である。XYステージ14で、キャリブ
レーションプレート15上のマーク15Aをマスク3上
のマーク3Aの投影位置へ駆動する。観察用の露光光シ
ャッタ19を開いて露光光を光ファイバ20でTTLオ
ンアクシススコープ2へ導く。図示していないが、TT
Lオンアクシススコープ2’にも同様に光ファイバで露
光光を導いている。導かれた露光光は偏光ビームスプリ
ッタ21でマスク3上のマーク3Aとキャリブレーショ
ンプレート15上のマーク15Aを照明する。このよう
にして照明された光は、キャリブレーションプレート1
5上で反射され再度、TTLオンアクシススコープ2に
戻ってくる。再度、偏光ビームスプリッタ21を通った
光は、今度はカメラ2Dへと進む。カメラ2Dでは、こ
のようにして入って来た光を画像として取り込み計測を
行う。
【0041】(ステップ105A)続いて、画像のコン
トラストが最良となるZ方向の位置を求める。すなわ
ち、光オートフォーカスユニットでキャリブレーション
プレート15のZ方向位置を計測、同時に画像を取り込
む。取り込んだ画像をデジタル処理して、キャリブレー
ションプレート15上のマーク15Aのコントラストを
計算する。一定量、θアンドチルトステージ13をZ方
向へ駆動し、その位置を光オートフォーカスユニット9
で計測し、再度、コントラストを計算する。このような
操作を一定回数繰り返し行う。このようにして採ったZ
位置とキャリブレーションプレート15上のマーク15
Aのコントラストの関係データからコントラストが良く
なるZ位置を決定する。
【0042】θアンドチルトステージ13と光オートフ
ォーカスユニット9を使って、上記の方法で決定したZ
位置へキャリブレーションプレート15上のマーク15
Aを追い込む。
【0043】(ステップ106A)マークのコントラス
トが最良となる位置で画像データを取り込み、デジタル
処理してマスク3上のマーク3Aとキャリブレーション
プレート15上のマーク15Aとの相対的ずれ量を求め
る。3Aおよび3Bと15Aの各マークは種々のものが
考えられるが、その内のいくつかを図4(A)(B)に
示す。基本的には、XとYの直交する各方向が独立して
計測できるようなマークである。
【0044】(ステップ104B)今度は、XYステー
ジ14で、キャリブレーションプレート15上のマーク
15Aをマスク3上のマーク3Bの投影位置へ駆動す
る。観察用の露光光シャッタ19を開いて露光光を光フ
ァイバ(図示省略)でTTLオンアクシススコープ2’
へ導く。導かれた露光光は偏光ビームスプリッタ(図示
省略)でマスク3上のマーク3Bとキャリブレーション
プレート15上のマーク15Aを照明する。以後は、ス
テップ104Aと同様にカメラ(図示省略)で画像を取
り込んで計測を行う。
【0045】(ステップ105B)ステップ105Aの
時と同様に画像のコントラストが良くなるZ方向の位置
を求める。方法は、ステップ105Aと同様であるの
で、説明は省略する。ここで、ステップ105Aで求め
たZ位置をそのまま使用しないのは、以下の2つの理由
からである。 XYステージ14が駆動されることにより発生する、
Z方向の変化が存在する。この量は微小であるが、装置
の基準である、マスク基準プレートとX、Y、θステー
ジの合わせ込みの精度を確保するためには、無視できな
い。 光オートフォーカスユニット9のビームの当たる位置
が異なるため、キャリブレーションプレート15の凹凸
の影響および、取り付け誤差による傾きの影響を受けて
しまう。つまり、ステップ105Aで求めたZ位置へ光
オートフォーカスユニット9で計測しながら追い込んで
も、マーク15Aのコントラストが最良になるとは限ら
ない。
【0046】(ステップ106B)マークのコントラス
トが最良となる位置で画像データを取り込み、デジタル
処理してマスク3上のマーク3Bとキャリブレーション
プレート15上のマーク15Aとの相対的ずれ量を求め
る。
【0047】(ステップ107)ステップ106Aおよ
びステップ106Bで求めたX、Yの各ずれ量と、マス
ク3のマスク基準プレート4、4’に対する合わせ込み
残差量と、投影レンズ8の光軸を原点とした時の、マー
ク3A、3Bのマーク座標から、マスク基準プレート
4、4’とXYステージ14の回転と投影レンズ8の倍
率を計算により求める。前回の、同計測値との比較か
ら、経時変化量を求める。
【0048】(ステップ108)ステップ107で求め
た回転、倍率の経時変化の量を元に、装置に補正をかけ
る。補正をかけるための幾通りかの方法を述べておく。
まず、回転に関しては、 θアンドチルトステージ13のθ機構を利用して求ま
った回転量だけθアンドチルトステージ13を回転する
ことにより合わせ込む方法、および XYステージ14の走りを求まった回転量に合わせて
階段補正する方法等がある。
【0049】マスク3をマスク基準プレート4とXYス
テージ14の回転量だけ回転する方法もあるが、この方
法は相対位置合わせであり、基準合わせとはならない。
【0050】一方、レンズ倍率に関しては、 投影レンズ8がウエハ側がテレセントリックでマスク
側が非テレセントリックな場合は、マスク3の位置を光
軸方向(Z方向)に動かすことで、投影像の大きさを求
まった倍率の経時変化分だけ変えることができる。 投影レンズ内に倍率補正用の駆動レンズ等がある場合
には、そのレンズ等を求まった倍率の経時変化分だけ駆
動することで合わせ込みを行う。
【0051】
【実施例2】次に、マスクを介在させずに計測を行う場
合の実施例について説明する。本発明の第2の実施例に
係るシステム構成を図5に示し、実施例1との違いを主
に、説明を行う。
【0052】まず、実施例との大きな違いはマスク基準
プレート4、4’上にマーク4A、4Bを配置したこと
である。これにより、マスクがなくても計測が可能であ
り、もし、マスクがあってもマスクの4A、4Bに相当
する位置にパターンがなく、しかも、透過領域であれば
計測が可能となる。
【0053】続いて具体的な説明を行っていく。TTL
オンアクシススコープ2、2’を各々2A、2A’の位
置へ駆動することで、マスク基準マーク4、4’上のマ
ーク4A、4A’が照明/観察できる。このとき、XY
ステージ14上のキャリブレーションプレート上のマー
ク15Aを、マーク4A、4A’の投影位置へ駆動して
各々のずれ量を計測すれば、マスク基準プレート4、
4’の座標と、XYステージ14の座標の回転と投影レ
ンズ8の倍率が求まる。
【0054】ここで、TTLオンアクシススコープ2、
2’のフォーカスはマスク3が存在する状態でマスク3
上のマークに合うように調整されているため、マスク3
が存在しないと、マスク基準プレート4、4’上のマー
ク4A、4Bはデフォーカスして観察されてしまう。そ
こで、TTLオンアクシススコープ2、2’内にフォー
カス位置調整用のレンズ22を設け、このレンズを光軸
方向に駆動することで、フォーカス合わせを行う。
【0055】また、キャリブレーションプレート15上
のマーク15Aのコントラストが最良となる位置もZ方
向にずれるため、コントラストが最良となる位置の検出
が短時間で済むように、あらかじめ、ずらした位置(計
算値)から計測を開始する。このようにして、フォーカ
ス合わせを行ったあと計測は、実施例1と同様となる。
【0056】また、実施例1で述べたと同様に、マスク
基準プレート4、4’も図示以外に、任意の位置に複数
個、配置することが可能である。
【0057】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、座標軸
合わせおよび投影レンズ倍率の合わせを短時間に精度良
く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来の装置のシステム構成を示す図である。
【図2】 本発明の一実施例に係るシステム構成を示す
図である。
【図3】 図2のシステムにおける計測フローチャート
を示す図である。
【図4】 図2のシステムで使用するマークを例示する
図である。
【図5】 本発明の別の実施例に係るシステム構成を示
す図である。
【符号の説明】
1:ランプ、2:TTLオンアクシススコープ、2’:
TTLオンアクシススコープ、2A、2A’、2C、2
C’:対物ミラー、2D、2D’:カメラ、3:マス
ク、3A、3B:マーク、4、4’:マスク基準プレー
ト、4A、4B:マーク、5:TTLオフアクシススコ
ープユニット、5A、5B:ビームスプリッタ、5C:
カメラユニット、5D:TTLオフアクシススコープユ
ニットスコープ基準マーク、6:照明ユニット、7、
7’:光ファイバ、8:投影レンズ、9:光オートフォ
ーカスユニット、9A:出射光ユニット、9B:受光ユ
ニット、11:ウエハ、12:Zステージ、13:θア
ンドチルトステージ、14:XYステージ、15:キャ
リブレーションプレート、15A:マーク、16:バー
ミラー、17:レーザ干渉計、18:モータ、19:カ
メラ、20:光ファイバ、21、21’:偏光ビームス
プリッタ、22:レンズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 525W

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクの像を感光基板に転写するための
    照明手段および投影光学系と、 感光基板上の位置合わせマークを前記投影光学系を介し
    て観察し、自身の有する基準マークとのずれを計測する
    第1の計測手段と、 感光基板を搭載して前記投影光学系の光軸に対し平行方
    向および垂直方向へ駆動するステージと、 そのステージの平行および垂直方向の駆動位置を計測す
    る第2の計測手段と、 マスク上のパターンと感光基板上のパターンおよびマス
    ク上のパターンと前記第1の計測手段のキャリブレーシ
    ョンに使用するため前記第1のステージ上に設けられた
    キャリブレーションパターンをそれぞれ前記投影レンズ
    を介して重ね合わせて同時に計測できる第3の計測手段
    と、 マスク基準マークを備えマスク上のマークと該マスク基
    準マークを重ね合わせて同時に計測できる第4の計測手
    段と、 マスクをX、Yおよびθ方向へ駆動するマスク駆動手段
    とを具備する露光装置において、 マスク上のマークと前記マスク基準マークとのずれを前
    記第4の計測手段により計測させその計測されたずれ量
    を元に所定の量だけ該マスクをX、Yおよびθ方向へ駆
    動して位置合わせし、前記第2の計測手段により駆動位
    置を計測しながら前記ステージを駆動して前記キャリブ
    レーションパターンを前記投影光学系による前記マスク
    上の複数のパターンのそれぞれの投影位置に来させ、前
    記第3の計測手段により各投影位置におけるマスク上の
    パターンと前記キャリブレーションパターンとの位置ず
    れを計測させ、前記各計測値ならびに各マークおよびパ
    ターン位置の設計値に基づいて、前記マスク基準プレー
    トの座標とステージの座標のずれ、および前記投影レン
    ズ倍率のずれを算出し、それらの座標および倍率の合わ
    せ込みを行う手段を設けたことを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記マスク基準マークが前記投影光学系
    の鏡筒上に設けられたマスク基準プレートに形成された
    ものである請求項1記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 マスクの像を感光基板に転写するための
    照明手段および投影光学系と、 感光基板上の位置合わせマークを前記投影光学系を介し
    て観察し、自身の有する基準マークとのずれを計測する
    第1の計測手段と、 感光基板を搭載して前記投影光学系の光軸に対し平行方
    向および垂直方向へ駆動するステージと、 そのステージの平行および垂直方向の駆動位置を計測す
    る第2の計測手段と、 マスク上のパターンと感光基板上のパターンおよびマス
    ク上のパターンと前記第1の計測手段のキャリブレーシ
    ョンに使用するため前記第1のステージ上に設けられた
    キャリブレーションパターンをそれぞれ前記投影レンズ
    を介して重ね合わせて同時に計測できる第3の計測手段
    とマスクを位置合わせするためのマスク基準マークを形
    成されたマスク基準プレートとを具備する露光装置にお
    いて、 前記マスク基準プレート上の前記第3の計測手段で計測
    できる複数の位置に第2の基準マークを設け、かつ前記
    第2の計測手段により駆動位置を計測しながら前記ステ
    ージを駆動して前記キャリブレーションパターンを前記
    投影光学系による前記第2の基準マークのそれぞれの投
    影位置に来させ、前記第3の計測手段によって各投影位
    置における第2の基準マークと前記キャリブレーション
    パターンとの位置ずれを計測させ、前記各計測値ならび
    に各マークおよびパターン位置の設計値に基づいて、前
    記マスク基準プレートの座標とステージの座標のずれ、
    および前記投影レンズ倍率のずれを算出し、それらの座
    標および倍率の合わせ込みを行う手段を設けたことを特
    徴とする露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002141277A (ja) * 2000-11-06 2002-05-17 Canon Inc 露光装置及び気圧補正方法

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