JPH09244055A

JPH09244055A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH09244055A
Application number: JP5735196A
Authority: JP
Inventors: Masato Shimura; 正人志村; Shigeru Matsuyama; 茂松山; Shigeki Kataoka; 茂樹片岡; Masayasu Eto; 正容江渡; Takuo Kaito; 拓生海東; Satoshi Mihashi; 里志三橋; Tamihito Nakagome; 民仁中込
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-03-14
Filing date: 1996-03-14
Publication date: 1997-09-19

Abstract

(57)【要約】【課題】上側基板側の電極を下側透明基板側へ引き出
す際の導通不の発生を防止する。【解決手段】薄膜トランジスタを構成する半導体層と
して多結晶シリコンを用いているものであって、他方の
透明基板側に形成された共通電極を、少なくとも表面が
導電性を有する球体を介して、前記一方の透明基板側の
導体層に引き出すように構成されている液晶表示装置に
おいて、前記導体層は前記画素電極と同一の材料からな
り、かつその表面に凹凸を有するように形成されている
とともに、外部から電圧を印加する低抵抗の外部端子に
接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、いわゆる多結晶シリコンＴＦＴ型と称される
液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】いわゆるＴＦＴ型の液晶表示装置は、液
晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の
透明基板（下側透明基板）の液晶側の面の単位画素領域
に、ゲート信号線からの走査信号の供給によってオンす
る薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジス
タを介してドレイン信号線からの画素信号が供給される
画素電極（透明電極）とが備えられている。

【０００３】この場合、前記単位画素領域は互いに交差
するゲート信号線とゲート信号線とで囲まれる領域で形
成されるようになっている。

【０００４】そして、多結晶シリコンＴＦＴ型と称され
る液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタを構成する半
導体層として多結晶シリコンを用いているものをいう
が、そればかりか、同一の透明基板の表示部内（実質的
に表示部となる領域の周辺）に同じ多結晶シリコンのＭ
ＩＳ型トランジスタからなる駆動回路を組み込んでいる
のが通常となっている。

【０００５】この場合、この液晶表示装置の製造におい
ては、その工数を低減させるために、表示部内の薄膜ト
ランジスタと駆動回路を構成するＭＩＳ型トランジスタ
はそれぞれ並行して形成されるようになっている。

【０００６】また、このように構成される透明基板と対
向する他の透明基板（上側透明基板）の液晶側の面には
各単位画素に共通な共通電極（透明電極）が形成されて
いるが、この共通電極を前記ゲート信号線およびドレイ
ン信号線が形成されている側の透明基板側へ引き出すた
めの接続体が各透明基板の間に配置される構成となって
いる。

【０００７】そして、この接続体は、たとえば金ビーズ
を混入させた樹脂剤から構成され、該金ビーズが上側透
明基板側の共通電極と下側透明基板側の導体層との間に
挟持されることにより、該共通電極を下側透明基板側へ
引き出せるようになっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示装置は、上述のように共通電極
を下側透明基板側へ引き出すための該下側透明基板に形
成された導体層をＡｌあるいはそれを主体とする合金で
形成していたために、該前記接続体による接続に不良が
生じることが指摘されるに至った。

【０００９】すなわち、このＡｌあるいはそれを主体と
する合金は、低抵抗であり、しかも加工が簡単であるこ
とから、ドレイン信号線としての材料として用いられ、
前記導体層にもこのＡｌあるいはそれを主体とする合金
を用いていたものである。

【００１０】しかし、この導体層は、腐食あるいは汚染
がなされ易く、金ビーズとの導通が完全になされないこ
とが往々にしてあることが判明した。

【００１１】このようになった場合、上側透明基板が帯
電した際に、表示においてフリッカ発生、あるいはコン
トラストの低下をもたらす原因となってしまう。

【００１２】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、上側基板側の電極を下側
透明基板側へ引き出す際の導通不の発生を防止できる液
晶表示装置を提供することにある。

【００１３】本発明の他の目的は、製造工数の増大をも
たすことなく上記目的を達成できる液晶表示装置を提供
することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１５】すなわち、液晶を介して互いに対向配置さ
れる透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面の単位
画素領域に、ゲート信号線からの走査信号の供給によっ
てオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜ト
ランジスタを介してドレイン信号線からの画素信号が供
給される画素電極とが備えられ、前記薄膜トランジスタ
を構成する半導体層として多結晶シリコンを用いている
ものであって、他方の透明基板側に形成された共通電極
を、少なくとも表面が導電性を有する球体を介して、前
記一方の透明基板側の導体層に引き出すように構成され
ている液晶表示装置において、前記導体層は前記画素電
極と同一の材料からなり、かつその表面に凹凸を有する
ように形成されているとともに、外部から電圧を印加す
る低抵抗の外部端子に接続されていることを特徴とする
ものである。

【００１６】このように構成された液晶表示装置は、少
なくとも表面が導電性を有する球体と接触する導体層
は、耐腐食性の優れた画素電極（透明な酸化導電物）と
同一の材料で形成されているため、該球体との接続にお
いて腐食による導電不良が発生することがなくなる。

【００１７】そして、該導体層はその表面に凹凸を有し
ているため、たとえ汚染がなされもその凸部において汚
染がなされる確率が低くなることから、この汚染によっ
ても該球体との接続に導電不良が発生し難くくなる構成
となっている。

【００１８】また、透明な酸化導電物は、通常、抵抗が
高いことで知られているが、その面積を比較的ちいさく
し、それに接続される外部電極としは他の材料からなる
低抵抗の材料を選択すれば問題はなくなる。

【００１９】なお、外部電極としては、表示部の形成に
用いられる材料、すなわちＡｌあるいはそれを主体する
合金と同一の材料が選択される場合がある。この場合、
透明な酸化導電物である前記導体層との間に多結晶シリ
コン層を介在させることによって良好な導通を図ること
ができることから問題はなくなる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の各実施例を説明する。

【００２１】実施例１．まず、図２は、液晶を介して互
いに対向配置される透明基板のうちの一方の透明基板
（以下、下側透明基板と称す）の液晶側の面に形成され
ている構成を示す平面図である。

【００２２】同図において、下側透明基板１があり、こ
の下側透明基板１には、その領域の大部分を占めて表示
部２が形成されている。そして、その表示部２の一つの
辺側（図中左側）に垂直走査回路３が、また、他の一つ
の辺側（図中下側）に映像駆動回路４が形成されてい
る。

【００２３】表示部２には、図中ｘ方向に延在されかつ
ｙ方向に並設される複数のゲート信号線６と、これら各
ケート信号線６と絶縁されｙ方向に延在されかつｘ方向
に並設される複数のドレイン信号線７とが形成され、こ
れらの各信号線６、７によって囲まれる矩形の領域（た
とえば図中点線Ａで囲まれる領域）においてそれぞれ単
位画素が構成されるようになっている。この領域におけ
る単位画素の詳細な構成については、後に詳述する。

【００２４】そして、各ゲート信号線６にはそれぞれ垂
直走査回路３から順次走査信号が供給されるようになっ
ているとともに、そのタイミングにあわせて、各ドレイ
ン信号線７にはそれぞれ映像駆動回路４から一度に画素
信号が供給されるようになっている。

【００２５】これら垂直走査回路３および映像駆動回路
４は、いずれも複数のコンプリメンタリ型ＭＩＳトラン
ジスタによって形成され、表示部２の後述する各画素領
域に形成される薄膜トランジスタが多結晶シリコン（以
下ポリシリコンと称す）で形成されている関係から、同
じポリシリコンで形成されたものとなっている。

【００２６】そして、これら各回路３、４および前記表
示部２は、液晶を介して図示しない他方の透明基板（以
下、上側透明基板と称す）によって覆われる領域とな
り、該下側透明基板から露出する下側透明基板の表面に
は、前記各回路３、４に配線層を介して接続される複数
の電極端子９が並設されて形成されている。

【００２７】ここで、上側透明基板が配置される領域に
おける該透明基板の周囲に相当する部分には、下側透明
基板との間に配置される液晶を封入させるためのシール
剤が塗布により形成され、さらに、該透明基板の４隅に
相当する部分には、上下接続体が配置されるようになっ
ている。

【００２８】すなわち、図２の点線で囲まれた領域III
(ａ)の詳細を図３（ａ）、点線で囲まれた領域III
（ｂ）の詳細を図３（ｂ）にそれぞれ示すように、シー
ル剤が塗布によって形成される領域Ｑ（シール剤塗布領
域Ｑ）には、その幅方向に沿って延在するストライブ状
のものがその延在方向に沿って形成されたパターンを備
え、このシール剤塗布形成領域Ｑの端部に上下接続体１
０が設けられている。

【００２９】この上下接続体１０は、上側透明基板の液
晶側の面において各単位画素に共通な共通電極を下側透
明基板１側の前記電極端子９の一つにひきだすための導
電体であり、その具体的構成は後に詳述する。

【００３０】なお、これら各上下接続体１０どうしは、
シール剤塗布形成領域Ｑの表示部２と反対側に設けられ
た配線層１２を介して互いに電気的に接続されたものと
なっている。

【００３１】図４（ａ）は、前記単位画素の構成の一実
施例を示した平面図であり、同図のVII(ｂ)−VII(ｂ)線
における断面図を図４（ｂ）に示している。

【００３２】各図において、まず、透明基板１の表面に
おいて、画素領域（後述のゲート信号線６とドレイン信
号線７とで囲まれる領域）内の上部に、第１ポリシリコ
ン層１４が形成されている。この第１ポリシリコン層１
４はその両端のそれぞれが隣接するドレイン信号線７の
それぞれの形成領域にまで及んで延在されたものとなっ
ている。

【００３３】第１ポリシリコン層１４は、薄膜トランジ
スタＴＦＴの半導体層と、この半導体層のドレイン領域
とドレイン信号線との接続を図る配線層と、該半導体層
のソース領域と接続される蓄積容量Ｃｓｔｇの一方の電
極を構成するようになっている。

【００３４】そして、不純物が全域にドープされて導電
性をもたせた第２ポリシリコン層１６によってゲート信
号線６が形成されている。このゲート信号線６は、その
一部が延在され前記第１ポリシリコン層１４を跨って形
成されることによって薄膜トランジスタＴＦＴのゲート
電極６Ａをも構成するようになっている。

【００３５】この場合、薄膜トランジスタＴＦＴは、そ
のゲート電極６Ａ下の第１ポリシリコン層１４との間に
ゲート絶縁膜が介在されているが、このゲート絶縁膜
は、該第１ポリシリコン層１４の形成後にその表面を熱
処理することによって形成されるシリコン酸化膜によっ
て構成されている。そして、ゲート電極６Ａが形成され
た領域以外の領域における第１ポリシリコン層１４に
は、該ゲート電極６Ａをマスクとして不純物がドープさ
れることによって（したがって、この際にゲート信号線
６をも導電性を有するようになる）、前記ドレイン領
域、ソース領域、配線および蓄積容量の一方の電極が形
成されるようになっている。

【００３６】さらに、このように加工された透明基板１
の表面には、たとえばＰＳＧ膜からなる絶縁膜１８が形
成され、この絶縁膜１８には、ドレイン信号線７の形成
領域の一部にまで延在された前記第１ポリシリコン層１
４の一端を露呈させるためのコンタクト孔１８Ａと、後
述する画素電極２２の形成領域の一部に走行する前記第
１ポリシリコン層１４の一部を露呈させるためのコンタ
クト孔１８Ｂとが形成されている。

【００３７】この絶縁膜１８の表面にはドレンイ信号線
７が形成され、これにより、このドレイン信号線７は前
記コンタクト孔１８Ａを介して薄膜トランジスタＴＦＴ
のドレイン領域に接続される。

【００３８】そして、ドレイン信号線７のうち図中左側
のドレイン信号線７は前記第１ポリシリコン層１４の他
端側の延在部に重畳されて形成され、その重畳部は蓄積
容量Ｃｓｔｇの他方の電極を兼ねるように構成されてい
る。この場合、蓄積容量Ｃｓｔｇの誘電体膜は前記絶縁
膜１８となる。

【００３９】ここで、このドレイン信号線７は、その材
料としてシリンコンが含有されたアルミニュウムが用い
られている。

【００４０】さらに、このように加工された透明基板の
表面には、たとえばＳｉＮ膜からなる保護膜２０が形成
され、この保護膜２０には、この後に詳述する画素電極
２２の形成領域および前記第１ポリシリコン層１４を露
呈させた前記コンタクト孔１８Ｂを露呈させるための開
口部２０Ａが形成されている。

【００４１】そして、この保護膜２０の開口部２０Ａの
領域には、該保護膜２０の周辺にまで及んで形成された
画素電極がたとえばＩｎとＳｎの酸化物からなる透明導
電膜によって形成されている。

【００４２】このように各単位画素領域の薄膜トランジ
スタＴＦＴが上述したような構成を採用する関係から、
前記垂直走査回路３および映像駆動回路４を構成するコ
ンプリメンタリ型ＭＩＳトランジスタは該薄膜トランジ
スタＴＦＴとほぼ同様の構成をとることは前述したとお
りであるが、製造においてもほぼ同様の工程を採るよう
になっている。

【００４３】このため、下側透明基板１の表面側から順
次積層される各材料層は、該下側透明基板１の周辺にお
いてもほぼ同様となる。したがって、次に説明するシー
ル剤塗布領域Ｑの構成、および接続体の構成の各材料の
積層構造は上述した積層構造にほぼ拘束されることはい
うまでもない。

【００４４】図１は、図３（ａ）のI−I線における断面
図である。

【００４５】同図において、下側透明基板１の表面にお
いて、上下接続体１０およびこの上下接続体１０と他の
上下接続体１０を接続させる配線部１２の形成領域にポ
リシリコン層１６が形成されている。このポリシリコン
層１６は、表示部２内の第２ポリシリコン層（ゲート信
号線６を形成するための）１６を形成する際に同時に形
成されるようになっており、したがって、導電性を有す
るようになっている。

【００４６】そして、このポリシリコン層１６をも覆っ
てＰＳＧ膜からなる絶縁膜１８が形成され、この絶縁膜
１８は、前記上下接続体１０の形成領域においてはその
下層のポリシリコン層１６の一部を露呈させるための開
口部１８Ｃが形成され、また前記配線部１２の形成領域
においては、その延在方向に沿って間欠的に開口部１８
Ｄが形成されている。この絶縁膜１８は、表示部２内の
絶縁膜１８の形成と同時に形成されるようになってい
る。

【００４７】さらに、絶縁膜１８上には、前記ポリシリ
コン層１６の延在方向に沿い、かつ該ポリシリコン層１
６と重畳させてＡｌ（１％Ｓｉ）層１７が形成されてお
り、この結果、配線部１２は、ポリシリコン層１６とＡ
ｌ（１％Ｓｉ）層１７とが絶縁膜１８の各開口部１８Ｄ
を通して間欠的に接続された並設構造として構成される
ようになっている。このＡｌ（１％Ｓｉ）層１７は、表
示部２内のＡｌ（１％Ｓｉ）層（ドレイン信号線７の形
成のための）と同時に形成されるようになっている。

【００４８】そして、このように加工された表面には、
表示部２において形成される保護膜２０をそのまま延在
して形成される該保護膜２０が形成され、この保護膜２
０は、前記上下接続体１０の形成領域に相当する個所に
開口部２０Ｂが形成されている。

【００４９】保護膜２０の該開口部２０Ｂには、この開
口部２０Ｂの周辺までも覆ってＩｎとＳｎとの酸化物か
らなる透明導電膜２２Ａが形成され、この結果、該透明
導電膜２２Ａは絶縁膜１８に予め形成しておいた開口部
１８Ｃを通してポリシリコン層（すなわち前記配線部１
２）１６と接続される電極端子としての機能を有するよ
うになっている。

【００５０】さらに、この透明導電膜２２Ａには、上側
透明基板との間において介在される上下接続体１０が配
置されるようになっている。この上下接続体１０として
は、たとえばエポキシ系の接着剤１０Ｂにいわゆる金ビ
ーズ１０Ａが混入されたものとなっている。ここで、金
ビーズ１０Ａは、ジビニルベンゼンの真球（直径、８．
０μｍ）の表面に金メッキがなされたものとなってい
る。

【００５１】なお、この金ビーズ１０Ａとしては、必ず
しもこのような構成に限定されることはなく、表面に銀
ペーストを塗布したもの、あるいはＣｒ、Ｎｉ等の金属
粒子であってもよいことはいうまでもない。

【００５２】前記上側透明基板１００の液晶側の面に
は、Ａｌ（１％Ｓｉ）層１０１、絶縁膜１０２、共通電
極１０３が順次形成された構成となっており、該共通電
極１０３は、前記金ビーズ１０Ａを介して透明導電膜２
２Ａにまで引き出される構成となっている。

【００５３】なお、図示はしていないが、前記透明導電
膜２２Ａは、外部端子９にまで延在されて形成されるよ
うになっている。ここで、外部端子９がたとえばＡｌ
（１％Ｓｉ）層で形成されている場合において、それら
の導通がとり難いことが知られていることから、たとえ
ばポリシリコン層を介在させることによって該問題点を
解消することができる。

【００５４】このように構成することによって、金ビー
ズ１０Ａと接触する透明導電層２２Ａは、耐腐食性の優
れた材料で形成されているため、該球体との接続におい
て腐食による導電不良が発生することがなくなる。

【００５５】そして、該透明導電層２２Ａはその表面に
凹凸を有しているため、たとえ汚染がなされもその凸部
において汚染がなされる確率が低くなることから、この
汚染によっても該金ビーズ１０Ａとの接続に導電不良が
発生し難くくなる構成となっている。

【００５６】また、透明導電層２２Ａは、通常、抵抗が
高いことで知られているが、その面積を比較的小さく
し、それに接続される外部電極９としては他の材料から
なる低抵抗の材料を選択すれば問題はなくなる。

【００５７】なお、外部電極２２Ａとしては、表示部２
の形成に用いられる材料、すなわちＡｌ（１％Ｓｉ）が
選択される場合があり、この場合においても、前記透明
導電層２２Ａとの間に多結晶シリコン層を介在させるこ
とによって良好な導通を図ることができることから問題
はなくなる。

【００５８】図５は、図３のV−V線における断面図であ
る。

【００５９】同図において、シール剤塗布領域Ｑにおけ
る透明基板１の表面に、まず、ポリシリコン層１６が形
成されている。このポリシリコン層１６は、該シール剤
塗布領域Ｑの幅方向に延在したストライブ状のものが、
該シール剤塗布領域Ｑの延在方向に複数並設されたパタ
ーンで形成されている。

【００６０】そして、このポリシリコン層１６は、表示
部２内の第２ポリシリコン層（ゲート信号線６を形成す
るための）１６を形成する際に同時に形成されるように
なっている。したがって、このポリシリコン層１６は導
電性を有したものとなっている。

【００６１】さらに、これら各ポリシリコン層１６をも
含んで透明基板１の表面には、絶縁膜１８が形成され、
この絶縁膜１８は該ポリシリコン層１６の周辺部を除く
中央部を露呈させた開口部１８Ｅが形成されたものとな
っている。この絶縁膜１８は、表示部２内の絶縁膜１８
の形成と同時に形成されるようになっている。

【００６２】また、絶縁膜８の開口部１８Ｅから露呈さ
れたポリシリコン層１６の上面には、Ａｌ（１％Ｓｉ）
層１７が形成され、このＡｌ（１％Ｓｉ）層１７の周辺
部は該絶縁膜１８の開口部１８Ｅの周辺に重畳され、該
ポリシリコン層１６とほぼ同じパターンで形成されてい
る。この場合においても、Ａｌ（１％Ｓｉ）層１７は、
表示部２内のＡｌ（１％Ｓｉ）層（ドレイン信号線７の
形成のための）１７と同時に形成されるようになってい
る。

【００６３】そして、このように加工されたシール剤塗
布領域Ｑには、表示部２において形成される保護膜２０
をそのまま延在して形成される該保護膜２０が形成され
ている。

【００６４】上側透明基板１００との間に介在されるシ
ール塗布剤３０にはガラスファイバ３１が混入され、図
に示すように、ここのガラスファイバ３１の径によって
該上側透明基板１００と下側透明基板１とのギャップ
が、ひいては液晶の層厚が規定されることになる。この
場合、前記上下接続体１０における金ビーズ１０Ａは、
前記ガラスファイバ３１の径にあわせて若干つぶされる
ことになる。

【００６５】このように、下側透明基板１のシール剤塗
布形成領域において、その延在方向に沿って上述のよう
に凹凸を形成したのは、この凹凸によって、各透明基板
に歪みが加えられるようになり、この歪みは各透明基板
の外力によるギャップ変動を起こり難くする作用をもた
らすようにできるからである。

【００６６】実施例２．図６は、本発明の液晶表示装置
の他の実施例を示す構成図であり、図１と対応してい
る。

【００６７】図１と異なる構成は、金ビーズ１０Ａと接
触する下側透明基板１側の導電層はポリシリコン層１６
としたもので、透明導電層２２Ａを介在させていない構
成としたものである。

【００６８】この場合においても、ポリシリコン層１６
は耐腐食性の優れた材料であることから、実施例１と同
様な効果を奏するようになる。

【００６９】実施例３．図７は、本発明の液晶表示装置
の他の実施例を示す構成図であり、図１と対応してい
る。

【００７０】図１と異なる構成は、まず、前記金ビーズ
の代替として、Ｃｒあるいはそれを主体とする合金から
なり、かつその表面に複数の突起部が形成されたものと
なっている。

【００７１】また、このようなＣｒ等からなる導電体に
接触する下側透明基板１側の導電層はＡｌあるいはそれ
を主体とする合金からなっている。

【００７２】このようにした場合、たとえ、Ａｌあるい
はそれを主体とする合金からなる前記導電層が腐食され
ても、前記導電体の表面に形成された突起部が該腐食面
を突き破るようにして配置されるため、それらの導通性
を充分確保することができる構成となる。

【００７３】このことから、この実施例の構成に限定さ
れることはなく、前記導電体をＡｌあるいはそれを主体
とする合金の材料として、かつ前記導電層をＣｒあるい
はそれを主体とする合金の材料としてもよいことはいう
までもない。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、上側基板側の電極
を下側透明基板側へ引き出す際の導通不の発生を防止で
きるようになる。

【００７５】また、製造工数の増大をもたすことなく上
記効果を得ることができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の要部の一実施例を
示す断面図である。

【図２】本発明による液晶表示装置のいわゆる下側基板
の液晶側の面の構成を示す平面図である。

【図３】図２における部分的な領域の詳細を示す平面図
である。

【図４】本発明による液晶表示装置に組み込まれる薄膜
トランジスタの一実施例を示す平面図と断面図である。

【図５】図３のV−V線における断面図てある。

【図６】本発明による液晶表示装置の要部の他の実施例
を示す断面図である。

【図７】本発明による液晶表示装置の要部の他の実施例
を示す断面図である。

【符号の説明】

１６……ポリシリコン層、２２……画素電極、２２Ａ…
…導体層、１０……上下接続体、１０Ａ……金ビーズ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者江渡正容千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者海東拓生千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者三橋里志千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者中込民仁千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうち一方の透明基板の液晶側の面の単位画素領域
に、ゲート信号線からの走査信号の供給によってオンす
る薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジス
タを介してドレイン信号線からの画素信号が供給される
画素電極とが備えられ、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層として多結晶
シリコンを用いているものであって、他方の透明基板側に形成された共通電極を、少なくとも
表面が導電性を有する球体を介して、前記一方の透明基
板側の導体層に引き出すように構成されている液晶表示
装置において、前記導体層は前記画素電極と同一の材料からなり、かつ
その表面に凹凸を有するように形成されているととも
に、外部から電圧を印加する低抵抗の外部端子に接続さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうち一方の透明基板の液晶側の面の単位画素領域
に、ゲート信号線からの走査信号の供給によってオンす
る薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジス
タを介してドレイン信号線からの画素信号が供給される
画素電極とが備えられ、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層として多結晶
シリコンを用いているものであって、他方の透明基板側に形成された共通電極を、少なくとも
表面が導電性を有する球体を介して、前記一方の透明基
板側の導体層に引き出すように構成されている液晶表示
装置において、前記導体層は多結晶シリコンで形成されているととも
に、外部から電圧を印加する低抵抗の外部端子に接続さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうち一方の透明基板の液晶側の面の単位画素領域
に、ゲート信号線からの走査信号の供給によってオンす
る薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジス
タを介してドレイン信号線からの画素信号が供給される
画素電極とが備えられ、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層として多結晶
シリコンを用いているものであって、他方の透明基板側に形成された共通電極を、導電体を介
して、前記一方の透明基板側の導体層に引き出すように
構成されている液晶表示装置において、前記導電体はその表面に突起部を複数有する形状となっ
ているとともに、この導電体および前記導電層の各材料として、その一方
がＡｌあるいはそれを主体とする合金で、他方がＣｒあ
るいはそれを主体する合金で形成されていることを特徴
とする液晶表示装置。
【請求項４】他方の透明基板側に形成された共通電極
を一方の透明基板側の導体層に引き出すための球体は、
ポリマービーズの表面に銀ペースト、あるいはＡｕをコ
ーティングしたもの、またはＮｉ、あるいはＣｒの金属
粒子からなっていることを特徴とする請求項１、２記載
のうちいずれか記載の液晶表示装置。
【請求項５】画素電極と同一の材料からなる前記導電
層は、ＩｎとＳｎとの酸化物から構成されていることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】外部から電圧を印加する低抵抗の前記外
部端子は、Ａｌまたはそれを主体する合金から形成さ
れ、かつ前記導電層との間に導通を良好にさせる介在層
が設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。
【請求項７】介在層は多結晶シリコンからなることを
特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項８】介在層はアモルファスシリコンからなる
ことを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項９】介在層はＣｒからなることを特徴とする
請求項６記載の液晶表示装置。