JPH09214045A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH09214045A JPH09214045A JP1357896A JP1357896A JPH09214045A JP H09214045 A JPH09214045 A JP H09214045A JP 1357896 A JP1357896 A JP 1357896A JP 1357896 A JP1357896 A JP 1357896A JP H09214045 A JPH09214045 A JP H09214045A
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3072—Diffusion blocking layer, i.e. a special layer blocking diffusion of dopants
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、Ｆｅ
ドープＩｎＰ埋込層の抵抗率の低下を防止すると共に、
ｐ型ＩｎＰ層の不純物濃度の低下を防止する。 【解決手段】 活性層３を含むメサストライプを埋め込
む様にＦｅドープＩｎＰ埋込層７を設けると共に、Ｆｅ
ドープＩｎＰ埋込層７とメサストライプとの間にＦｅ拡
散防止層６を設ける。
ドープＩｎＰ埋込層の抵抗率の低下を防止すると共に、
ｐ型ＩｎＰ層の不純物濃度の低下を防止する。 【解決手段】 活性層３を含むメサストライプを埋め込
む様にＦｅドープＩｎＰ埋込層７を設けると共に、Ｆｅ
ドープＩｎＰ埋込層７とメサストライプとの間にＦｅ拡
散防止層６を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ及びそ
の製造方法に関するものであり、特に、光通信等に用い
るＦｅドープ高抵抗埋込層を有する半導体レーザ及びそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものであり、特に、光通信等に用い
るＦｅドープ高抵抗埋込層を有する半導体レーザ及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の１μｍ帯のＳＩ−ＢＨ（高抵抗層
−埋込ヘテロ接合）型半導体レーザ、即ち、高抵抗電流
狭窄埋込構造半導体レーザは、ＩｎＰ基板上にＩｎＰと
ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるヘテロ接合構造を堆積し
たのち、ストライプ状にメサエッチングを施し、このメ
サストライプの側部をＦｅドープＩｎＰ埋込層で埋め込
んでいた。
−埋込ヘテロ接合）型半導体レーザ、即ち、高抵抗電流
狭窄埋込構造半導体レーザは、ＩｎＰ基板上にＩｎＰと
ＩｎＧａＡｓＰ系材料からなるヘテロ接合構造を堆積し
たのち、ストライプ状にメサエッチングを施し、このメ
サストライプの側部をＦｅドープＩｎＰ埋込層で埋め込
んでいた。
【０００３】この従来の高抵抗電流狭窄埋込構造半導体
レーザを図６を参照して説明する。 図６（ａ）参照 まず、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、クラッド層を兼ねるｎ
型ＩｎＰバッファ層１２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、
ｐ型ＩｎＰクラッド層１４、及び、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層１５を成長させたのち、全面にＳｉＯ2 膜
を堆積させてパターニングすることによりストライプ状
のＳｉＯ2 マスク（図示せず）を形成する。
レーザを図６を参照して説明する。 図６（ａ）参照 まず、ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、クラッド層を兼ねるｎ
型ＩｎＰバッファ層１２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、
ｐ型ＩｎＰクラッド層１４、及び、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
コンタクト層１５を成長させたのち、全面にＳｉＯ2 膜
を堆積させてパターニングすることによりストライプ状
のＳｉＯ2 マスク（図示せず）を形成する。
【０００４】次いで、このＳｉＯ2 マスクを用いて、ｐ
型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１５乃至ｎ型ＩｎＰ基板
１１をストライプ状にメサエッチングしたのち、このメ
サストライプ側部に高抵抗のＦｅドープＩｎＰ埋込層１
９を成長させて電流狭窄構造を形成し、次いで、ｐ側電
極及びｎ側電極（共に図示せず）を形成したのち、素子
分割することによって高抵抗電流狭窄埋込構造半導体レ
ーザが完成する。
型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１５乃至ｎ型ＩｎＰ基板
１１をストライプ状にメサエッチングしたのち、このメ
サストライプ側部に高抵抗のＦｅドープＩｎＰ埋込層１
９を成長させて電流狭窄構造を形成し、次いで、ｐ側電
極及びｎ側電極（共に図示せず）を形成したのち、素子
分割することによって高抵抗電流狭窄埋込構造半導体レ
ーザが完成する。
【０００５】このような高抵抗の電流狭窄埋込構造の半
導体レーザにおいては、理想的には注入されたキャリア
は高抵抗のＦｅドープＩｎＰ埋込層１９を流れず、活性
層だけを流れることになるので電流狭窄効率に優れ、低
閾値電流で高効率のレーザ発振が可能になり、また、寄
生容量が小く高速変調動作が期待できるので、光通信用
の半導体レーザとして非常に重要な構造になっている。
導体レーザにおいては、理想的には注入されたキャリア
は高抵抗のＦｅドープＩｎＰ埋込層１９を流れず、活性
層だけを流れることになるので電流狭窄効率に優れ、低
閾値電流で高効率のレーザ発振が可能になり、また、寄
生容量が小く高速変調動作が期待できるので、光通信用
の半導体レーザとして非常に重要な構造になっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な高抵
抗の電流狭窄埋込構造の半導体レーザは、実際にはＦｅ
ドープＩｎＰ埋込層１９の再成長過程、及び、電極形成
過程における熱履歴により、Ｆｅの拡散が生じ、メサス
トライプ近傍のＦｅドープＩｎＰ埋込層１９が低抵抗化
し、この低抵抗化領域を介してリーク電流が流れるとい
う問題がある。
抗の電流狭窄埋込構造の半導体レーザは、実際にはＦｅ
ドープＩｎＰ埋込層１９の再成長過程、及び、電極形成
過程における熱履歴により、Ｆｅの拡散が生じ、メサス
トライプ近傍のＦｅドープＩｎＰ埋込層１９が低抵抗化
し、この低抵抗化領域を介してリーク電流が流れるとい
う問題がある。
【０００７】図６（ｂ）参照 ＦｅドープＩｎＰ埋込層１９において、III 族格子点に
存在するＦｅ、即ち、Ｆｅ- s （ｓ：ｓｕｂｓｔｉｔｕ
ｔｉｏｎａｌ）は、近傍に存在する正孔（即ち、ｈ+ ）
と結合して格子間に入り格子間イオン、即ち、Ｆｅ+ i
（ｉ：ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ）となり、その結果空
格子点（即ち、Ｖ- ）が生ずる。 Ｆｅ- s ＋ｈ+ ⇔Ｆｅ+ i ＋Ｖ- 式Ａ
存在するＦｅ、即ち、Ｆｅ- s （ｓ：ｓｕｂｓｔｉｔｕ
ｔｉｏｎａｌ）は、近傍に存在する正孔（即ち、ｈ+ ）
と結合して格子間に入り格子間イオン、即ち、Ｆｅ+ i
（ｉ：ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ）となり、その結果空
格子点（即ち、Ｖ- ）が生ずる。 Ｆｅ- s ＋ｈ+ ⇔Ｆｅ+ i ＋Ｖ- 式Ａ
【０００８】このＦｅ+ i は非常に大きな拡散係数で拡
散するので、メサストライプ側部近傍のＦｅ濃度が減少
して抵抗率の低い低濃度ＦｅドープＩｎＰ層３４が形成
されると共に、格子間を拡散したＦｅ+ i はｐ型ＩｎＰ
クラッド層１４まで達すると、下記式Ｂの反応過程によ
りｐ型ＩｎＰクラッド層１４における不純物イオンであ
るＺｎ- s を格子点より叩き出し、その結果、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層１４側部の不純物濃度が低下して抵抗率が
大きくなる。 Ｆｅ+ i ＋Ｚｎ- s →Ｆｅ- s ＋Ｚｎ+ i 式Ｂ
散するので、メサストライプ側部近傍のＦｅ濃度が減少
して抵抗率の低い低濃度ＦｅドープＩｎＰ層３４が形成
されると共に、格子間を拡散したＦｅ+ i はｐ型ＩｎＰ
クラッド層１４まで達すると、下記式Ｂの反応過程によ
りｐ型ＩｎＰクラッド層１４における不純物イオンであ
るＺｎ- s を格子点より叩き出し、その結果、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層１４側部の不純物濃度が低下して抵抗率が
大きくなる。 Ｆｅ+ i ＋Ｚｎ- s →Ｆｅ- s ＋Ｚｎ+ i 式Ｂ
【０００９】この様に、メサストライプ近傍において
は、ＦｅドープＩｎＰ埋込層１９の抵抗率が下がると共
に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４側面の抵抗率が大きくな
るため、注入された電流は活性層側部から抵抗率の低い
低濃度ＦｅドープＩｎＰ層３４を通り、ｎ型ＩｎＰバッ
ファ層１２に流れるので、この電流がリーク電流となり
電流注入効率が著しく低下する問題がある。
は、ＦｅドープＩｎＰ埋込層１９の抵抗率が下がると共
に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４側面の抵抗率が大きくな
るため、注入された電流は活性層側部から抵抗率の低い
低濃度ＦｅドープＩｎＰ層３４を通り、ｎ型ＩｎＰバッ
ファ層１２に流れるので、この電流がリーク電流となり
電流注入効率が著しく低下する問題がある。
【００１０】また、ｐ型ＩｎＰ基板を用いた高抵抗電流
狭窄埋込構造半導体レーザの場合にも、ＦｅドープＩｎ
Ｐ埋込層とｐ型ＩｎＰバッファ層との間でＦｅの拡散と
それに伴うＺｎの叩き出しが生じ、ＦｅドープＩｎＰ埋
込層の抵抗率の低下とｐ型ＩｎＰバッファ層のキャリア
濃度の低下が起こり、それにより電流リークパスが生じ
る問題がある。
狭窄埋込構造半導体レーザの場合にも、ＦｅドープＩｎ
Ｐ埋込層とｐ型ＩｎＰバッファ層との間でＦｅの拡散と
それに伴うＺｎの叩き出しが生じ、ＦｅドープＩｎＰ埋
込層の抵抗率の低下とｐ型ＩｎＰバッファ層のキャリア
濃度の低下が起こり、それにより電流リークパスが生じ
る問題がある。
【００１１】したがって、本発明は、ＦｅドープＩｎＰ
埋込層の抵抗率の低下を防止すると共に、ｐ型ＩｎＰ層
の不純物濃度の低下を防止することを目的とする。
埋込層の抵抗率の低下を防止すると共に、ｐ型ＩｎＰ層
の不純物濃度の低下を防止することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、半導体レーザにおいて、活性層３を含
むメサストライプを埋め込む様にＦｅドープＩｎＰ埋込
層７を設けると共に、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７とメサ
ストライプとの間にＦｅ拡散防止層６を設けたことを特
徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、半導体レーザにおいて、活性層３を含
むメサストライプを埋め込む様にＦｅドープＩｎＰ埋込
層７を設けると共に、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７とメサ
ストライプとの間にＦｅ拡散防止層６を設けたことを特
徴とする。
【００１３】この様に、Ｆｅ拡散防止層６を設けること
によって、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７からのＦｅの拡散
が抑制されるので、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７の抵抗率
は低減せず、且つ、Ｆｅが拡散して来ないのでｐ型クラ
ッド層或いはｐ型バッファ層を構成するｐ型ＩｎＰ層の
不純物濃度も低下せず、電流リークパスが形成されなく
なり、電流注入効率が向上する。
によって、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７からのＦｅの拡散
が抑制されるので、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７の抵抗率
は低減せず、且つ、Ｆｅが拡散して来ないのでｐ型クラ
ッド層或いはｐ型バッファ層を構成するｐ型ＩｎＰ層の
不純物濃度も低下せず、電流リークパスが形成されなく
なり、電流注入効率が向上する。
【００１４】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、Ｆｅ拡散防止層６が、ｎ型ＩｎＰ層であることを特
徴とする。
て、Ｆｅ拡散防止層６が、ｎ型ＩｎＰ層であることを特
徴とする。
【００１５】このｎ型ＩｎＰ層においては、正孔濃度が
非常に小さいので、熱履歴によって形成されたＦｅ+ i
がｎ型ＩｎＰ層とＦｅドープＩｎＰ埋込層７の界面近傍
に拡散して来ても、上記式Ａの左向きの反応、即ち、 Ｆｅ+ i ＋Ｖ- →Ｆｅ- s ＋ｈ+ で表される反応により、III 族格子点に取り込まれ、そ
れ以上、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７からＦｅ拡散防止層
６に拡散しなくなるので、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７の
抵抗率が保たれ、また、拡散係数の大きなＦｅ+ i がｐ
型ＩｎＰ層に達しないので、ｐ型ＩｎＰ層の不純物濃度
が低下することがない。
非常に小さいので、熱履歴によって形成されたＦｅ+ i
がｎ型ＩｎＰ層とＦｅドープＩｎＰ埋込層７の界面近傍
に拡散して来ても、上記式Ａの左向きの反応、即ち、 Ｆｅ+ i ＋Ｖ- →Ｆｅ- s ＋ｈ+ で表される反応により、III 族格子点に取り込まれ、そ
れ以上、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７からＦｅ拡散防止層
６に拡散しなくなるので、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７の
抵抗率が保たれ、また、拡散係数の大きなＦｅ+ i がｐ
型ＩｎＰ層に達しないので、ｐ型ＩｎＰ層の不純物濃度
が低下することがない。
【００１６】（３）また、本発明は、半導体レーザの製
造方法において、活性層３を含むメサストライプを形成
したのち、このメサストライプの露出面にＦｅ拡散防止
層６を形成し、次いで、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７を形
成することを特徴とする。
造方法において、活性層３を含むメサストライプを形成
したのち、このメサストライプの露出面にＦｅ拡散防止
層６を形成し、次いで、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７を形
成することを特徴とする。
【００１７】この様に、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７を形
成する前に、Ｆｅ拡散防止層６を形成することによっ
て、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７を形成する際の熱履歴に
よってＦｅの拡散が生じても、ｐ型ＩｎＰ層まで達する
ことがなく、電流リークパスが形成されなくなる。
成する前に、Ｆｅ拡散防止層６を形成することによっ
て、ＦｅドープＩｎＰ埋込層７を形成する際の熱履歴に
よってＦｅの拡散が生じても、ｐ型ＩｎＰ層まで達する
ことがなく、電流リークパスが形成されなくなる。
【００１８】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、Ｆｅ拡散防止層６が、５．０×１０14ｃｍ-3以上の
空格子点を含む半導体層であることを特徴とする。
て、Ｆｅ拡散防止層６が、５．０×１０14ｃｍ-3以上の
空格子点を含む半導体層であることを特徴とする。
【００１９】この様に、Ｆｅ拡散防止層６として５．０
×１０14ｃｍ-3以上の空格子点（Ｖ - ）を含む半導体層
を用いることにより、熱履歴により形成されたＦｅ+ i
がＦｅ拡散防止層６に達すると、上記式Ａの左向きの反
応、即ち、 Ｆｅ+ i ＋Ｖ- →Ｆｅ- s ＋ｈ+ で表される反応により、III 族格子点に取り込まれ高抵
抗層を形成するので、リーク電流を防止することができ
る。
×１０14ｃｍ-3以上の空格子点（Ｖ - ）を含む半導体層
を用いることにより、熱履歴により形成されたＦｅ+ i
がＦｅ拡散防止層６に達すると、上記式Ａの左向きの反
応、即ち、 Ｆｅ+ i ＋Ｖ- →Ｆｅ- s ＋ｈ+ で表される反応により、III 族格子点に取り込まれ高抵
抗層を形成するので、リーク電流を防止することができ
る。
【００２０】（５）また、本発明は、上記（４）におい
て、５．０×１０14ｃｍ-3以上の空格子点を含む半導体
層が、ＦｅドープＩｎＰ層であることを特徴とする。
て、５．０×１０14ｃｍ-3以上の空格子点を含む半導体
層が、ＦｅドープＩｎＰ層であることを特徴とする。
【００２１】この様な、空格子点を含む半導体層による
Ｆｅの拡散防止効果は、ＦｅドープＩｎＰ層を用いるこ
とによって、効果的に達成される。
Ｆｅの拡散防止効果は、ＦｅドープＩｎＰ層を用いるこ
とによって、効果的に達成される。
【００２２】（６）また、本発明は、上記（５）におい
て、ＦｅドープＩｎＰ層を成長させる際の成長温度を、
ＦｅドープＩｎＰ埋込層を成長させる際の成長温度より
も高くしたことを特徴とする。
て、ＦｅドープＩｎＰ層を成長させる際の成長温度を、
ＦｅドープＩｎＰ埋込層を成長させる際の成長温度より
も高くしたことを特徴とする。
【００２３】このＦｅドープＩｎＰ層の空格子点濃度は
成長温度依存性があるので、即ち、最適成長温度よりも
高い成長温度において格子欠陥が多くなるので、成長温
度を制御することによって、空格子点濃度を適正な値に
設定することができる。
成長温度依存性があるので、即ち、最適成長温度よりも
高い成長温度において格子欠陥が多くなるので、成長温
度を制御することによって、空格子点濃度を適正な値に
設定することができる。
【００２４】（７）また、本発明は、上記（３）におい
て、Ｆｅ拡散防止層が、ｎ型ＩｎＰ層であることを特徴
とする。
て、Ｆｅ拡散防止層が、ｎ型ＩｎＰ層であることを特徴
とする。
【００２５】この様に、ｎ型ＩｎＰ層を用いることによ
って、特別の温度制御をしなくとも、ＦｅドープＩｎＰ
埋込層７において熱履歴によって発生したＦｅ+ i の拡
散を防止することができる。
って、特別の温度制御をしなくとも、ＦｅドープＩｎＰ
埋込層７において熱履歴によって発生したＦｅ+ i の拡
散を防止することができる。
【００２６】（８）また、本発明は、上記（７）におい
て、ｎ型ＩｎＰ層の電子濃度を、メサストライプの一部
を構成するｐ型ＩｎＰ層の正孔濃度よりも高くすること
を特徴とする。
て、ｎ型ＩｎＰ層の電子濃度を、メサストライプの一部
を構成するｐ型ＩｎＰ層の正孔濃度よりも高くすること
を特徴とする。
【００２７】この様に、ｎ型ＩｎＰ層の電子濃度を、ｐ
型ＩｎＰ層の正孔濃度よりも高くすることによって、ｎ
型ＩｎＰ層が正孔に対するバリアとなり、且つ、正孔が
ｐ型ＩｎＰ層から注入されても、電子により効果的に相
殺することができるので、ｎ型ＩｎＰ層とＦｅドープＩ
ｎＰ埋込層７との界面近傍に拡散してきたＦｅ+ i をII
I 族格子点に取り込むことができる。
型ＩｎＰ層の正孔濃度よりも高くすることによって、ｎ
型ＩｎＰ層が正孔に対するバリアとなり、且つ、正孔が
ｐ型ＩｎＰ層から注入されても、電子により効果的に相
殺することができるので、ｎ型ＩｎＰ層とＦｅドープＩ
ｎＰ埋込層７との界面近傍に拡散してきたＦｅ+ i をII
I 族格子点に取り込むことができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】図２を参照して本発明の第１の実
施の形態のＳＩ−ＢＨ型半導体レーザを説明する。 図２（ａ）参照 まず、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いて、
ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、クラッド層を兼ねる不純物濃
度が７×１０17ｃｍ-3で、厚さが０．８μｍのＳｉドー
プｎ型ＩｎＰバッファ層１２、厚さが０．３μｍで、
１．３μｍ波長組成のアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
１３、不純物濃度が７×１０17ｃｍ-3で、厚さが１．５
μｍのＺｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層１４、及び、不
純物濃度が１×１０19ｃｍ-3で、厚さが０．３μｍで、
１．３μｍ波長組成のアンドープＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層１５を順次成長させる。
施の形態のＳＩ−ＢＨ型半導体レーザを説明する。 図２（ａ）参照 まず、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いて、
ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、クラッド層を兼ねる不純物濃
度が７×１０17ｃｍ-3で、厚さが０．８μｍのＳｉドー
プｎ型ＩｎＰバッファ層１２、厚さが０．３μｍで、
１．３μｍ波長組成のアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
１３、不純物濃度が７×１０17ｃｍ-3で、厚さが１．５
μｍのＺｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層１４、及び、不
純物濃度が１×１０19ｃｍ-3で、厚さが０．３μｍで、
１．３μｍ波長組成のアンドープＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層１５を順次成長させる。
【００２９】図２（ｂ）参照 次いで、全面にＳｉＯ2 膜を堆積させ、パターニングす
ることによってストライプ状のＳｉＯ2 マスク１６を形
成したのち、このＳｉＯ2 マスク１６を用いて、ｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰコンタクト層１５乃至ｎ型ＩｎＰ基板１１
をメサエッチングしてメサストライプ１７を形成する。
ることによってストライプ状のＳｉＯ2 マスク１６を形
成したのち、このＳｉＯ2 マスク１６を用いて、ｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰコンタクト層１５乃至ｎ型ＩｎＰ基板１１
をメサエッチングしてメサストライプ１７を形成する。
【００３０】図２（ｃ）参照 次いで、再度、ＭＯＶＰＥ法を用いて、６４０℃以上、
例えば、６６０℃の成長温度において、正孔濃度が５×
１０16ｃｍ-3で、厚さが０．０５〜１．０μｍ、好適に
は０．２μｍのＦｅドープＩｎＰ層１８を成長させる。
例えば、６６０℃の成長温度において、正孔濃度が５×
１０16ｃｍ-3で、厚さが０．０５〜１．０μｍ、好適に
は０．２μｍのＦｅドープＩｎＰ層１８を成長させる。
【００３１】この場合、最適成長温度以上の成長温度に
おいて格子欠陥が発生しやすくなるので、空格子点濃度
は成長温度に依存することになり、ＦｅドープＩｎＰ層
１８における空格子点濃度は５．０×１０14ｃｍ-3以
上、６６０℃の場合は１．０×１０15ｃｍ-3となる。
おいて格子欠陥が発生しやすくなるので、空格子点濃度
は成長温度に依存することになり、ＦｅドープＩｎＰ層
１８における空格子点濃度は５．０×１０14ｃｍ-3以
上、６６０℃の場合は１．０×１０15ｃｍ-3となる。
【００３２】引き続いて、ＭＯＶＰＥ法を用いて、５５
０〜６４０℃、例えば、６００℃の成長温度において、
正孔濃度が５×１０16ｃｍ-3のＦｅドープＩｎＰ埋込層
１９を成長させ、高抵抗電流狭窄構造を形成する。な
お、このＦｅドープＩｎＰ埋込層１９における空格子点
濃度は１．０×１０ 14ｃｍ-3以下である。
０〜６４０℃、例えば、６００℃の成長温度において、
正孔濃度が５×１０16ｃｍ-3のＦｅドープＩｎＰ埋込層
１９を成長させ、高抵抗電流狭窄構造を形成する。な
お、このＦｅドープＩｎＰ埋込層１９における空格子点
濃度は１．０×１０ 14ｃｍ-3以下である。
【００３３】次いで、図示しないものの、ＳｉＯ2 マス
ク１６を除去したのち、ｐ側電極及びｎ側電極を形成
し、素子分割することによってＳＩ−ＢＨ型半導体レー
ザが完成する。
ク１６を除去したのち、ｐ側電極及びｎ側電極を形成
し、素子分割することによってＳＩ−ＢＨ型半導体レー
ザが完成する。
【００３４】この第１の実施例のＳＩ−ＢＨ型半導体レ
ーザにおいては、ＦｅドープＩｎＰ埋込層１９の形成過
程及び電極の形成過程における熱履歴により、Ｆｅドー
プＩｎＰ埋込層１９において、 Ｆｅ- s ＋ｈ+ →Ｆｅ+ i ＋Ｖ- の反応過程により、拡散係数の大きなＦｅ+ i が発生し
て、メサストライプ１７側に拡散してくるが、空格子
点、即ち、Ｖ- の濃度の高いＦｅドープＩｎＰ層１８に
おいて、 Ｆｅ+ i ＋Ｖ- →Ｆｅ- s ＋ｈ+ の逆反応過程により、Ｆｅ+ i はIII 族格子点に取り込
まれＦｅドープＩｎＰ層１８が抵抗率の大きな高抵抗層
となり、それ以上のＦｅ+ i の拡散を防止するので、Ｆ
ｅドープＩｎＰ埋込層１９の不純物濃度が低下すること
がない。
ーザにおいては、ＦｅドープＩｎＰ埋込層１９の形成過
程及び電極の形成過程における熱履歴により、Ｆｅドー
プＩｎＰ埋込層１９において、 Ｆｅ- s ＋ｈ+ →Ｆｅ+ i ＋Ｖ- の反応過程により、拡散係数の大きなＦｅ+ i が発生し
て、メサストライプ１７側に拡散してくるが、空格子
点、即ち、Ｖ- の濃度の高いＦｅドープＩｎＰ層１８に
おいて、 Ｆｅ+ i ＋Ｖ- →Ｆｅ- s ＋ｈ+ の逆反応過程により、Ｆｅ+ i はIII 族格子点に取り込
まれＦｅドープＩｎＰ層１８が抵抗率の大きな高抵抗層
となり、それ以上のＦｅ+ i の拡散を防止するので、Ｆ
ｅドープＩｎＰ埋込層１９の不純物濃度が低下すること
がない。
【００３５】また、Ｆｅ+ i がＦｅドープＩｎＰ層１８
に止まることによって、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４のＺ
ｎイオンが叩き出されることがないので、ｐ型ＩｎＰク
ラッド層１４の側部のＺｎ濃度も低減せず、したがっ
て、抵抗率が上昇しないので、注入されたキャリアはほ
とんど活性層を通過することになる。
に止まることによって、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４のＺ
ｎイオンが叩き出されることがないので、ｐ型ＩｎＰク
ラッド層１４の側部のＺｎ濃度も低減せず、したがっ
て、抵抗率が上昇しないので、注入されたキャリアはほ
とんど活性層を通過することになる。
【００３６】この様に、第１の実施の形態においては、
注入されたキャリアが有効にレーザ発振に寄与するの
で、低閾値電流の高効率のレーザ発振が可能となる。
注入されたキャリアが有効にレーザ発振に寄与するの
で、低閾値電流の高効率のレーザ発振が可能となる。
【００３７】次に、図３を参照して本発明の第２の実施
の形態のＳＩ−ＢＨ型半導体レーザを説明する。 図３参照 この第２の実施の形態においては、第１の実施の形態に
おけるＦｅ拡散防止層としてのＦｅドープＩｎＰ層１８
をｎ型ＩｎＰ層２０に置き換えたもので、その他の構成
は第１の実施の形態と同じである。
の形態のＳＩ−ＢＨ型半導体レーザを説明する。 図３参照 この第２の実施の形態においては、第１の実施の形態に
おけるＦｅ拡散防止層としてのＦｅドープＩｎＰ層１８
をｎ型ＩｎＰ層２０に置き換えたもので、その他の構成
は第１の実施の形態と同じである。
【００３８】即ち、この第２の実施の形態においては、
メサストライプを形成したのち、再度、ＭＯＶＰＥ法を
用いて、電子濃度がｐ型ＩｎＰクラッド層１４の正孔濃
度より大きくなるように、好適には２×１０18ｃｍ-3の
不純物濃度で、厚さが０．０５〜０．５μｍ、好適には
０．１μｍのＳｉドープｎ型ＩｎＰ層２０を成長させた
ものである。
メサストライプを形成したのち、再度、ＭＯＶＰＥ法を
用いて、電子濃度がｐ型ＩｎＰクラッド層１４の正孔濃
度より大きくなるように、好適には２×１０18ｃｍ-3の
不純物濃度で、厚さが０．０５〜０．５μｍ、好適には
０．１μｍのＳｉドープｎ型ＩｎＰ層２０を成長させた
ものである。
【００３９】この第２の実施例のＳＩ−ＢＨ型半導体レ
ーザにおいても、ＦｅドープＩｎＰ埋込層１９の形成過
程及び電極の形成過程における熱履歴によって、Ｆｅド
ープＩｎＰ埋込層１９において拡散係数の大きなＦｅ+
i が発生して、メサストライプ１７側に拡散してくる
が、正孔濃度が非常に低いｎ型ＩｎＰ層２０において、 Ｆｅ+ i ＋Ｖ- →Ｆｅ- s ＋ｈ+ の逆反応過程により、Ｆｅ+ i はIII 族格子点に取り込
まれ、それ以上のＦｅ+ i の拡散を防止するので、Ｆｅ
ドープＩｎＰ埋込層１９の不純物濃度が低下することが
ない。
ーザにおいても、ＦｅドープＩｎＰ埋込層１９の形成過
程及び電極の形成過程における熱履歴によって、Ｆｅド
ープＩｎＰ埋込層１９において拡散係数の大きなＦｅ+
i が発生して、メサストライプ１７側に拡散してくる
が、正孔濃度が非常に低いｎ型ＩｎＰ層２０において、 Ｆｅ+ i ＋Ｖ- →Ｆｅ- s ＋ｈ+ の逆反応過程により、Ｆｅ+ i はIII 族格子点に取り込
まれ、それ以上のＦｅ+ i の拡散を防止するので、Ｆｅ
ドープＩｎＰ埋込層１９の不純物濃度が低下することが
ない。
【００４０】この場合、正孔がｐ型ＩｎＰクラッド層１
４から注入されても、ｎ型ＩｎＰ層２０の電子濃度は、
ｐ型ＩｎＰクラッド層１４の正孔濃度より大きいので、
注入された正孔を電子により効果的に相殺することがで
き、ｎ型ＩｎＰ層２０に拡散してきたＦｅ+ i をIII 族
格子点に取り込むことができるものである。
４から注入されても、ｎ型ＩｎＰ層２０の電子濃度は、
ｐ型ＩｎＰクラッド層１４の正孔濃度より大きいので、
注入された正孔を電子により効果的に相殺することがで
き、ｎ型ＩｎＰ層２０に拡散してきたＦｅ+ i をIII 族
格子点に取り込むことができるものである。
【００４１】また、Ｆｅ+ i がｎ型ＩｎＰ層２０に止ま
ることによって、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４のＺｎイオ
ンが叩き出されることがないので、ｐ型ＩｎＰクラッド
層１４の側部のＺｎ濃度も低減せず、したがって、抵抗
率が上昇しないので、注入されたキャリアはほとんど活
性層を通過することになる。
ることによって、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４のＺｎイオ
ンが叩き出されることがないので、ｐ型ＩｎＰクラッド
層１４の側部のＺｎ濃度も低減せず、したがって、抵抗
率が上昇しないので、注入されたキャリアはほとんど活
性層を通過することになる。
【００４２】また、このｎ型ＩｎＰ層２０を介してリー
ク電流が流れようとしても、このｎ型ＩｎＰ層２０は
０．１μｍ程度と非常に薄い層であるので直列抵抗が高
くなり、ｎ型ＩｎＰ層２０を通過するリーク電流は無視
し得る程度になる。
ク電流が流れようとしても、このｎ型ＩｎＰ層２０は
０．１μｍ程度と非常に薄い層であるので直列抵抗が高
くなり、ｎ型ＩｎＰ層２０を通過するリーク電流は無視
し得る程度になる。
【００４３】次に、図４を参照して本発明の第３の実施
の形態のＳＩ−ＢＨ型半導体レーザを説明する。 図４参照 この第３の実施の形態は、上記第１の実施の形態におけ
る導電型を全て反転したものである。なお、Ｆｅドープ
ＩｎＰ層２６及びＦｅドープＩｎＰ埋込層２７の構成及
び製造条件に関しては、第１の実施の形態と全く同様で
ある。
の形態のＳＩ−ＢＨ型半導体レーザを説明する。 図４参照 この第３の実施の形態は、上記第１の実施の形態におけ
る導電型を全て反転したものである。なお、Ｆｅドープ
ＩｎＰ層２６及びＦｅドープＩｎＰ埋込層２７の構成及
び製造条件に関しては、第１の実施の形態と全く同様で
ある。
【００４４】この場合には、クラッド層を兼ねるｐ型Ｉ
ｎＰバッファ層２２において、拡散してきたＦｅ+ i に
よってｐ型ＩｎＰバッファ層２２中のＺｎイオンが叩き
出され、上記式Ｂの反応過程、即ち、 Ｆｅ+ i ＋Ｚｎ- s →Ｆｅ- s ＋Ｚｎ+ i の反応過程によって、ｐ型ＩｎＰバッファ層２２中のＺ
ｎ濃度が低下して、電流リークパスが形成される可能性
がある。
ｎＰバッファ層２２において、拡散してきたＦｅ+ i に
よってｐ型ＩｎＰバッファ層２２中のＺｎイオンが叩き
出され、上記式Ｂの反応過程、即ち、 Ｆｅ+ i ＋Ｚｎ- s →Ｆｅ- s ＋Ｚｎ+ i の反応過程によって、ｐ型ＩｎＰバッファ層２２中のＺ
ｎ濃度が低下して、電流リークパスが形成される可能性
がある。
【００４５】しかし、第１の実施の形態において説明し
たように、熱履歴によって発生したＦｅ+ i は、空格子
点密度の大きなＦｅドープＩｎＰ層２６においてIII 族
格子点に取り込まれ、それ以上の拡散は生じないので電
流リークパスが形成されることはない。
たように、熱履歴によって発生したＦｅ+ i は、空格子
点密度の大きなＦｅドープＩｎＰ層２６においてIII 族
格子点に取り込まれ、それ以上の拡散は生じないので電
流リークパスが形成されることはない。
【００４６】なお、第３の実施に形態においては、Ｆｅ
拡散防止層としてＦｅドープＩｎＰ層２６を用いている
が、上記第２の実施の形態と同様にｎ型ＩｎＰ層を用い
ても良いものであり、その場合のｎ型ＩｎＰ層の作用及
びそれに伴う効果も第２の実施の形態と同様である。
拡散防止層としてＦｅドープＩｎＰ層２６を用いている
が、上記第２の実施の形態と同様にｎ型ＩｎＰ層を用い
ても良いものであり、その場合のｎ型ＩｎＰ層の作用及
びそれに伴う効果も第２の実施の形態と同様である。
【００４７】次に、図５を参照して本発明の第４の実施
の形態のＳＩ−ＰＢＨ（高抵抗層−プレーナ埋込ヘテロ
接合）型半導体レーザを説明する。 図５参照 まず、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いて、
ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、クラッド層を兼ねる不純物濃
度が７×１０17ｃｍ-3で、厚さが０．８μｍのＳｉドー
プｎ型ＩｎＰバッファ層１２、厚さが０．３μｍで、
１．３μｍ波長組成のアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
１３、及び、不純物濃度が７×１０17ｃｍ -3で、厚さが
１．５μｍのＺｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層１４を順
次成長させる。
の形態のＳＩ−ＰＢＨ（高抵抗層−プレーナ埋込ヘテロ
接合）型半導体レーザを説明する。 図５参照 まず、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いて、
ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、クラッド層を兼ねる不純物濃
度が７×１０17ｃｍ-3で、厚さが０．８μｍのＳｉドー
プｎ型ＩｎＰバッファ層１２、厚さが０．３μｍで、
１．３μｍ波長組成のアンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層
１３、及び、不純物濃度が７×１０17ｃｍ -3で、厚さが
１．５μｍのＺｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層１４を順
次成長させる。
【００４８】次いで、全面にＳｉＯ2 膜を堆積させ、パ
ターニングすることによってストライプ状のＳｉＯ2 マ
スク（図示せず）を形成したのち、このＳｉＯ2 マスク
を用いて、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４乃至ｎ型ＩｎＰ基
板１１をメサエッチングしてメサストライプを形成す
る。
ターニングすることによってストライプ状のＳｉＯ2 マ
スク（図示せず）を形成したのち、このＳｉＯ2 マスク
を用いて、ｐ型ＩｎＰクラッド層１４乃至ｎ型ＩｎＰ基
板１１をメサエッチングしてメサストライプを形成す
る。
【００４９】次いで、再度、ＭＯＶＰＥ法を用いて、電
子濃度がｐ型ＩｎＰクラッド層１４の正孔濃度より大き
くなるように、好適には２×１０18ｃｍ-3の不純物濃度
で、厚さが０．０５〜０．５μｍ、好適には０．１μｍ
のＳｉドープｎ型ＩｎＰ層２０を成長させたのち、５５
０〜６４０℃、好適には６００℃の成長温度において、
正孔濃度が５×１０16ｃｍ-3のＦｅドープＩｎＰ埋込層
１９を成長させ、次いで、電子濃度が後に成長させるｐ
型ＩｎＰクラッド層３２の正孔濃度より大きくなるよう
に、好適には４．０×１０18ｃｍ-3で、厚さが０．０５
μｍ以上、好適には０．４μｍのＳｉドープｎ型ＩｎＰ
層３１を成長させる。
子濃度がｐ型ＩｎＰクラッド層１４の正孔濃度より大き
くなるように、好適には２×１０18ｃｍ-3の不純物濃度
で、厚さが０．０５〜０．５μｍ、好適には０．１μｍ
のＳｉドープｎ型ＩｎＰ層２０を成長させたのち、５５
０〜６４０℃、好適には６００℃の成長温度において、
正孔濃度が５×１０16ｃｍ-3のＦｅドープＩｎＰ埋込層
１９を成長させ、次いで、電子濃度が後に成長させるｐ
型ＩｎＰクラッド層３２の正孔濃度より大きくなるよう
に、好適には４．０×１０18ｃｍ-3で、厚さが０．０５
μｍ以上、好適には０．４μｍのＳｉドープｎ型ＩｎＰ
層３１を成長させる。
【００５０】次いで、ＳｉＯ2 マスクを除去したのち、
ＭＯＶＰＥ法を用いて、全面に、不純物濃度が１．０×
１０18ｃｍ-3で、メサストライプ上における厚さが１．
０μｍのＺｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層３２、及び、
不純物濃度が１×１０19ｃｍ -3で、厚さが０．３μｍ
で、１．３μｍ波長組成のアンドープＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層３３を順次成長させたのち、ｐ側電極及びｎ
側電極（共に図示せず）を形成し、素子分割することに
よってＳＩ−ＰＢＨ型半導体レーザが完成する。
ＭＯＶＰＥ法を用いて、全面に、不純物濃度が１．０×
１０18ｃｍ-3で、メサストライプ上における厚さが１．
０μｍのＺｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層３２、及び、
不純物濃度が１×１０19ｃｍ -3で、厚さが０．３μｍ
で、１．３μｍ波長組成のアンドープＩｎＧａＡｓＰコ
ンタクト層３３を順次成長させたのち、ｐ側電極及びｎ
側電極（共に図示せず）を形成し、素子分割することに
よってＳＩ−ＰＢＨ型半導体レーザが完成する。
【００５１】この第４の実施の形態における作用及び効
果は、上記第２の実施の形態と実質的に同じであるが、
ｎ型ＩｎＰ層３１が正孔に対する拡散障壁となり、ｐ型
ＩｎＰクラッド層３２からＦｅドープＩｎＰ埋込層１９
に正孔が拡散して、Ｆｅ+ iの発生を促進するのを防止
することができる。
果は、上記第２の実施の形態と実質的に同じであるが、
ｎ型ＩｎＰ層３１が正孔に対する拡散障壁となり、ｐ型
ＩｎＰクラッド層３２からＦｅドープＩｎＰ埋込層１９
に正孔が拡散して、Ｆｅ+ iの発生を促進するのを防止
することができる。
【００５２】また、第４の実施に形態においては、Ｆｅ
拡散防止層としてｎ型ＩｎＰ層２０を用いているが、上
記第１の実施の形態と同様に空格子点濃度が５．０×１
０14ｃｍ-3以上のＦｅドープＩｎＰ層を用いても良いも
のであり、その場合のＦｅドープＩｎＰ層の作用及びそ
れに伴う効果も第１の実施の形態と同様である。
拡散防止層としてｎ型ＩｎＰ層２０を用いているが、上
記第１の実施の形態と同様に空格子点濃度が５．０×１
０14ｃｍ-3以上のＦｅドープＩｎＰ層を用いても良いも
のであり、その場合のＦｅドープＩｎＰ層の作用及びそ
れに伴う効果も第１の実施の形態と同様である。
【００５３】なお、上記の各実施の形態の説明における
バッファ層、活性層、クラッド層、及び、コンタクト層
の不純物濃度、層厚、或いは、組成比は単なる一例であ
り、この様な不純物濃度、層厚、或いは、組成比に限定
されるものではない。
バッファ層、活性層、クラッド層、及び、コンタクト層
の不純物濃度、層厚、或いは、組成比は単なる一例であ
り、この様な不純物濃度、層厚、或いは、組成比に限定
されるものではない。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、メサストライプの側面
にＦｅ拡散防止層を介してＦｅドープＩｎＰ埋込層を設
けたので、熱履歴により発生したＦｅ+ i の拡散に伴う
ＦｅドープＩｎＰ埋込層の抵抗率の低下、及び、ｐ型Ｉ
ｎＰ層におけるＺｎ濃度の低下を防止し、電流注入効率
を大幅に改善することができるので、高効率で高速駆動
可能な半導体レーザの実現に寄与するところが大きい。
にＦｅ拡散防止層を介してＦｅドープＩｎＰ埋込層を設
けたので、熱履歴により発生したＦｅ+ i の拡散に伴う
ＦｅドープＩｎＰ埋込層の抵抗率の低下、及び、ｐ型Ｉ
ｎＰ層におけるＺｎ濃度の低下を防止し、電流注入効率
を大幅に改善することができるので、高効率で高速駆動
可能な半導体レーザの実現に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の説明図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の説明図である。
【図６】従来の高抵抗電流狭窄埋込構造半導体レーザの
説明図である。
説明図である。
【符号の説明】 １ 半導体基板 ２ バッファ層 ３ 活性層 ４ クラッド層 ５ コンタクト層 ６ Ｆｅ拡散防止層 ７ ＦｅドープＩｎＰ埋込層 １１ ｎ型ＩｎＰ基板 １２ ｎ型ＩｎＰバッファ層 １３ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 １４ ｐ型ＩｎＰクラッド層 １５ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １６ ＳｉＯ2 マスク １７ メサストライプ １８ ＦｅドープＩｎＰ層 １９ ＦｅドープＩｎＰ埋込層 ２０ ｎ型ＩｎＰ層 ２１ ｐ型ＩｎＰ基板 ２２ ｐ型ＩｎＰバッファ層 ２３ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ２４ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ２５ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ２６ ＦｅドープＩｎＰ層 ２７ ＦｅドープＩｎＰ埋込層 ３１ ｎ型ＩｎＰ層 ３２ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ３３ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 ３４ 低濃度ＦｅドープＩｎＰ層
Claims (8)
- 【請求項１】 活性層を含むメサストライプを埋め込む
様にＦｅドープＩｎＰ埋込層を設けると共に、前記Ｆｅ
ドープＩｎＰ埋込層と前記メサストライプとの間にＦｅ
拡散防止層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記Ｆｅ拡散防止層が、ｎ型ＩｎＰ層で
あることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 活性層を含むメサストライプを形成した
のち、前記メサストライプの露出面にＦｅ拡散防止層を
形成し、次いで、ＦｅドープＩｎＰ埋込層を形成するこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 上記Ｆｅ拡散防止層が、５．０×１０14
ｃｍ-3以上の空格子点を含む半導体層であることを特徴
とする請求項３記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項５】 上記５．０×１０14ｃｍ-3以上の空格子
点を含む半導体層が、ＦｅドープＩｎＰ層であることを
特徴とする請求項４記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項６】 上記ＦｅドープＩｎＰ層を成長させる際
の成長温度を、上記ＦｅドープＩｎＰ埋込層を成長させ
る際の成長温度よりも高くしたことを特徴とする請求項
５記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項７】 上記Ｆｅ拡散防止層が、ｎ型ＩｎＰ層で
あることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザの製
造方法。 - 【請求項８】 上記ｎ型ＩｎＰ層の電子濃度を、上記メ
サストライプの一部を構成するｐ型ＩｎＰ層の正孔濃度
よりも高くすることを特徴とする請求項７記載の半導体
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1357896A JPH09214045A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1357896A JPH09214045A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214045A true JPH09214045A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11837059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1357896A Withdrawn JPH09214045A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09214045A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271722A1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-02 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Semiconductor laser structure and method of manufacturing same |
| EP1286439A2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | Semiconductor optical device and method of manufacturing the same |
| US6717187B2 (en) | 2001-04-18 | 2004-04-06 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor optical device and the fabrication method |
| JP2005064080A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子及びその製造方法 |
| US6990131B2 (en) | 2001-08-21 | 2006-01-24 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Semiconductor optical device and method of manufacturing the same |
| JP2008288284A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
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| US7860140B2 (en) * | 2008-06-30 | 2010-12-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light-emitting device with double intermediate layers between mesa stripe and iron-doped current blocking layer |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP1357896A patent/JPH09214045A/ja not_active Withdrawn
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| US6815786B2 (en) | 2001-08-21 | 2004-11-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor optical device and method of manufacturing the same |
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