JPH09204702A

JPH09204702A - 光磁気記録媒体及びその記録又は再生方法

Info

Publication number: JPH09204702A
Application number: JP31314895A
Authority: JP
Inventors: Kenji Tanase; 健司棚瀬; Yoshihisa Suzuki; 誉久鈴木; Atsushi Yamaguchi; 山口　　淳; Satoshi Washimi; 聡鷲見
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1994-12-20
Filing date: 1995-11-30
Publication date: 1997-08-05

Abstract

(57)【要約】【課題】光磁気記録媒体の記録/再生において高密度
化を図るとともに、印加磁界が小さくとも記録でき、磁
界変調方式にも最適に用いることができ、再生時のＣＮ
Ｒの良好な光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】再生層中のＣｏの組成比を１２〜５０ａ
ｔ％にする、下地層形成後、その表面層をエッチング処
理してから再生層を形成する、再生層のスパッタガス圧
力を３ｍＴｏｒｒと低くする、記録層上に金属又は金属
合金から成る放熱層を設ける等により光磁気記録媒体を
作製し、記録時のレーザ光をパルス化するとともに、パ
ルス磁界とパルス化したレーザ光の位相差を０〜６０ｎ
ｓｅｃに設定し、情報の記録を行う。また、再生時に
は、レーザ光のパワーを２.０〜３.０ｍＷに設定する。
更に、透光性ポリカーボネート樹脂を基板として用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、垂直磁化膜である
記録層と室温で面内磁化膜である再生層とから成る交換
結合磁性層を備え、記録層の磁化の方向を磁性層に転写
して読み出すようにすることで高密度記録化を達成した
光磁気記録媒体及びその記録又は再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。しかし、情報量の増大と装置のコンパクト
化に伴い、より一層の高密度記録再生技術が要請されて
いる。

【０００３】高密度記録再生技術は、装置側の技術と媒
体側の技術とから成る。前者の技術としては、レーザー
光の回折限界を超える集光スポットを得る光学的超解像
手法や、レーザ光の短波長化などがある。後者の技術と
しては、媒体の狭ピッチ化や、磁気多層膜による再生分
解能の向上化などの技術がある。ここで、磁気多層膜に
よる再生分解能の向上化技術は、レーザスポットの温度
分布が中心付近にて最高となるガウス分布を成すことを
利用して、記録層の状態を再生層に選択的に転写して、
該再生層の状態を読み出すようにした技術である。

【０００４】また、従来の光学的超解像手法に用いる光
磁気記録媒体においては、通常、垂直磁化膜からなる記
録層が用いられていた。また、光磁気記録媒体用基板と
しては、通常、ガラス基板が用いられていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】再生層をキュリー温度
以上に昇温するためにはレーザパワーを大きくする必要
があり、昇温が不十分な場合には記録信号のＣＮＲが悪
化する。また、昇温が不十分な再生層の磁化の向きを外
部磁界の向きに揃えるためには大きな印加磁界を必要と
し、その場合でも記録信号のＣＮＲの悪化を免れない。
さらに、磁界変調方式の記録では、印加磁界が小さいこ
とが望まれるという事情もある。

【０００６】記録層のキュリー温度が低く再生層のキュ
リー温度との温度差が大きい場合には、記録時の降温過
程で記録層のキュリー温度以下となって再生層の磁化の
向きが記録層に転写され始める際に、既に再生層の磁化
の一部が面内方向を向き始めており、これが、再生層か
ら記録層に転写される信号のノイズとなって記録信号の
ＣＮＲが低下するという問題がある。

【０００７】また、記録層の状態を再生層に転写して読
み出す技術では、レーザスポットによって昇温される再
生層の温度分布が所望の分布を成すことが要求される。
これは、温度分布が所望の分布から外れると、磁化方向
が無秩序であることに起因するノイズや、レーザスポッ
トの非中心部分（周辺の低温であるべき部分）の状態ま
で読み出してしまうことに起因するクロストークノイズ
が増加するためである。

【０００８】また、磁性層を光が透過する透過型の光磁
気記録媒体では、レーザスポットの照射による熱の蓄積
は無視できる。しかし、磁性層からの反射レーザ光を検
出するタイプの光磁気記録媒体では、膜厚が例えば４０
０Å以上であり、蓄積された熱が再生層の温度分布に影
響を与えるようになるため、上記のノイズが増加する。

【０００９】また、従来の光磁気記録媒体への記録は一
定強度のレーザ光を照射した状態で記録を行っていたた
めに、記録層における昇温領域がレーザスポットより大
きくなっていた。この結果、記録スポットが大きくな
り、高密度化が困難であるという問題があった。記録層
の状態を再生層に転写して読み出す技術では、レーザス
ポットによって昇温される再生層の温度分布が所望の分
布を成すことが要求される。これは、温度分布が所望の
分布からはずれると、磁化方向が無秩序であることに起
因するノイズや、レーザスポットの非中心部分（周辺の
低温であるべき部分）の状態まで読み出してしまうこと
に起因するクロストークノイズが増加するためである。

【００１０】また、磁性層を光が透過する透過型の光磁
気記録媒体では、レーザスポットの照射による熱の蓄積
は無視できる。しかし、磁性層からの反射レーザ光を検
出するタイプの光磁気記録媒体では、膜厚が例えば４０
０Å以上であり、蓄積された熱が再生層の温度分布に影
響を与えるようになるため、上記のノイズが増加する。

【００１１】また、基板としてガラスを用いた場合には
以下のような問題がある。１）光磁気記録媒体の重量が重くなる。２）誤って落下させた場合に破損する虞がある。３）高速回転に耐えない。４）表面を研磨する必要があるため高価になる。

【００１２】５）レーザービームのトラッキングに用い
る案内溝を直接形成することが困難である。また、従来型のＣＡＤ方式では、再生層での面内磁化膜
から垂直磁化膜への変換が、数十度から百度付近の広範
囲で行われること、記録層から再生層への磁気的影響に
より再生層での面内磁化の保持が完全でなく、マスク効
果が低下することから転写領域が明確でなく、再生雑音
が大きく、しかも大きなＭＳＲ効果が得られなかった。
また、転写のための明確なしきい値を持たないため転写
温度が材料の作成条件に依存しやすく、均一な特性が得
られなかった。

【００１３】本発明は、磁性層からの反射レーザ光を検
出するタイプの光磁気記録媒体に於いて、熱の蓄積を無
視できる程度にすることにより、上記のノイズを低減す
ることを目的とする。また、本発明は、印加磁界が小さ
くとも記録でき、磁界変調方式にも最適に用いることが
できる光磁気記録媒体の提供を目的とする。また、良好
なＣＮＲで記録できる光磁気記録媒体の提供を目的とす
る。

【００１４】また、本発明は、記録/再生時における均
熱領域を小さくすることにより光磁気記録媒体における
高密度な記録・再生を実現するとともに取り扱いが簡便
な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。また、
本発明は、上記の問題点を解決するもので、再生層では
なく記録層自体に磁気転写機能を持たせることにより転
写温度を明確にして再生雑音が低く、ＭＳＲ効果の大き
い、均一性に優れた光磁気記録媒体を得ようとするもの
である。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、透光性基板
と、透光性基板上に形成された下地層と、下地層上に形
成された室温で面内磁化膜である再生層と、再生層上に
形成され、所定の温度まで昇温されることで再生層へ磁
化方向を転写する記録層とを配して成る光磁気記録媒体
において、カー回転角の温度係数が８.０以上であるこ
とを特徴とする。

【００１６】また、本発明は、記録層は室温で垂直磁化
膜であることを特徴とする。また、本発明は、再生層が
コバルト（Ｃｏ）を含む遷移金属と希土類から成り、再
生層中のＣｏの組成比が１２ａｔ％〜５０ａｔ％の範囲
にあることを特徴とする。また、本発明は、再生層がＧ
ｄとＦｅを含むことを特徴とする。

【００１７】また、本発明は、下地層が干渉層として機
能するＳｉＮを６００Å〜８００Åの範囲に成膜して成
ることを特徴とする。また、本発明は、再生層の膜厚が
８００Å〜１２００Åの範囲にあることを特徴とする。
また、本発明は、記録層が記録層中のＣｏの含有率が１
０ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲であるＴｂＦｅＣｏを成膜
して成ることを特徴とする。

【００１８】また、本発明は、再生層が再生層中のＧｄ
の含有率が３０ａｔ％〜３６ａｔ％の範囲であるＧｄＦ
ｅＣｏを成膜して成ることを特徴とする。また、本発明
は、干渉層の表面を、０.０２Ｗ／ｃｍ²〜０.０８Ｗ／
ｃｍ²の範囲のエッチングパワーでエッチング処理した
後、再生層と記録層を成膜して成ることを特徴とする。

【００１９】また、本発明は、再生層が２〜７ｍＴｏｒ
ｒの範囲のスパッタガス圧で成膜して成ることを特徴と
する。また、本発明は、透光性基板がポリカーボネート
樹脂であることを特徴とする。また、本発明は、記録層
がＴｄＦｅＣｏであり、再生層がＧｄＦｅＣｏＣｒ又は
ＧｄＦｅＣｏＮｉ又はＧｄＦｅＣｏＴｉ又はＧｄＦｅＣ
ｏＡｌ又はＧｄＦｅＣｏＭｎ又はＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ
又はＧｄＦｅＣｏＡｌＴｉであることを特徴とする。

【００２０】また、本発明は、記録層上に放熱層を形成
したことを特徴とする。また、本発明は、放熱層がＡｌ
又はＡｕ又はＰｔ又はＴｉ又はＶ又はＣｒ又はＭｎ又は
Ｆｅ又はＣｏ又はＮｉ又はＣｕ又はＺｎ又はＭｏ又はＡ
ｇ又はＳｎ又はＳｂ又はＷであることを特徴とする。ま
た、本発明は、放熱層の膜厚が２００〜１０００Åであ
ることを特徴とする。

【００２１】また、本発明は、下地層の表面を、０.０
２Ｗ／ｃｍ²〜０.０８Ｗ／ｃｍ²の範囲のエッチングパ
ワーでエッチング処理した後、再生層と記録層を成膜し
て成ることを特徴とする。また、本発明は、放熱層はＲ
Ｆマグネトロンスパッタ法により１００〜１０００Ｗの
ＲＦパワー、１〜１０ｍＴｏｒｒのアルゴン圧力で形成
したことを特徴とする。

【００２２】また、本発明は、透光性ポリカーボネート
基板は複屈折が２０〜２５ｎｍであり、複屈折の周方向
の変動が６〜１０ｎｍであり、グルーブとランドのコー
ナーでの曲率半径が３５〜５０ｎｍであることを特徴と
する。また、本発明は、透光性ポリカーボネート基板の
表面粗さが１００〜５００Åであることを特徴とする。

【００２３】また、本発明は、記録層が反強磁性から強
磁性への一次転換点を５０℃以上に設定する磁性層であ
ることを特徴とする。また、本発明は、記録層が（Ｍｎ
_(100-x)Ｍ_x）₂Ｓｂ（Ｍ＝Ｃｒ，Ｖ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，Ｇｅ，Ａｓ）であることを特徴とする。また、本発
明は、（Ｍｎ_(100-x)Cｒ_x)₂Sｂ、ｘ＝１０〜３０ａｔ％
であることを特徴とする。

【００２４】また、本発明は、記録時の外部印加磁界が
５０〜２００Ｏｅであることを特徴とする。また、本発
明は、記録時のレーザパルスのデューティを２０〜６０
％に、パルス磁界とレーザパルスの位相差を０〜６０ｎ
ｓｅｃに設定したことを特徴とする。

【００２５】また、本発明は、光磁気記録媒体の再生に
おいて、１.１〜１.３ｍ／ｓｅｃの再生線速度において
再生パワーを１.５〜２.２ｍＷに、１.５〜１.７ｍ／ｓ
ｅｃの再生線速度において再生パワーを１.８〜２.７ｍ
Ｗに、１.９〜２.１ｍ／ｓｅｃの再生線速度において再
生パワーを２.０〜３.０ｍＷに、２.９〜３.１ｍ／ｓｅ
ｃの再生線速度において再生パワーを２.４〜３.７ｍＷ
に、４.９〜５.１ｍ／ｓｅｃの再生線速度において再生
パワーを３.２〜４.５ｍＷに、８.９〜９.１ｍ／ｓｅｃ
の再生線速度において再生パワーを４.０〜６.０ｍＷ
に、それぞれ設定したことを特徴とする。

【００２６】また、本発明は、下地層を成膜後、下地層
表面にスパッタエッチング処理を施し、その後に、Ｃｏ
を１２ａｔ％〜５０ａｔ％含む再生層を成膜することを
特徴とする。また、本発明は、下地層を成膜後、下地層
表面に０.０２Ｗ／ｃｍ²〜０.０８Ｗ／ｃｍ²の範囲のエ
ッチングパワーでスパッタエッチング処理を施し、その
後に、Ｃｏを１２ａｔ％〜５０ａｔ％含む再生層を成膜
することを特徴とする。

【００２７】また、本発明は、記録層を、Ｃｏの含有率
が１０ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲であるＴｂＦｅＣｏで
成膜することを特徴とする。また、本発明は、再生層
を、Ｇｄの含有率が３０ａｔ％〜３６ａｔ％の範囲であ
るＧｄＦｅＣｏで成膜することを特徴とする。また、本
発明は、再生層を、２〜７ｍＴｏｒｒの範囲のスパッタ
ガス圧で成膜することを特徴とする。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明は、記録層と該記録層から
磁化が転写される室温で面内磁化膜である再生層からな
る光磁気記録媒体に関するものであり、該光磁気記録媒
体の断面構造は図１７に示す如くである。即ち、透光性
基板１上に干渉層２、再生層３、記録層４、保護層５、
放熱層６、紫外線硬化樹脂７を順次積層した構造であ
る。

【００２９】本発明は、上記構造において、透光性基板
１、干渉層２、再生層３、記録層４、放熱層６及び光磁
気記録媒体の記録又は再生方法に関する技術を開示する
ものである。実施例１図１は実施例１の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図である。図示の光磁気記録媒体では、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）製の基板上に、該基板側から順に、厚さ８０
０ÅのＳｉＮから成る干渉層、厚さ５００ÅのＧｄＦｅ
Ｃｏから成る再生層、厚さ５００ÅのＴｂＦｅＣｏから
成る記録層、厚さ８００ÅのＳｉＮから成る酸化防止層
が形成されており、さらに、不図示の紫外線硬化樹脂層
が厚さ約２０μｍで保護層として塗布形成されている。
なお、図示の各層は従来より公知のスパッタリング法等
によって作成することができる。

【００３０】再生層の組成は「Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝３
１：４７：２２ａｔ％」であり、記録層の組成は「Ｔ
ｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２６：６６：８ａｔ％」である。この
組成の記録層と再生層について残留カー回転角を測定し
た結果を、温度を横軸として図２に示す。図示のよう
に、再生層が垂直磁化膜になる温度は１４０℃であり、
キュリー温度は３００℃である。また、記録層のキュリ
ー温度は２３０℃であり、補償温度は室温である。な
お、再生は、上記１４０℃の転写温度まで昇温して記録
層の磁化の向きを再生層に転写して読み出すことで行わ
れる。

【００３１】記録時には、図３に示すようにレーザパワ
ーが３.５［ｍＷ］以上でＣＮＲが飽和しており、この
時、再生層はキュリー温度以上に昇温されている。この
ため、図４に示すように外部印加磁界も５０［Ｏｅ］と
いう低磁界から記録可能であり、２００［Ｏｅ］以上で
はＣＮＲが飽和している。従来は５００［Ｏｅ］以上の
外部磁界を印加する必要があった（ＯｐｔｉｃａｌＤ
ａｔａｓｔｏｒａｇｅ１９９４，Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＤｉｇｅｓｔＳｅｒｉｅｓＶｏｌｕｍｅ１
０，ｐ１２８−１２９）ことを考慮すると、本光磁気
記録媒体が極めて小さな外部印加磁界で記録できること
がわかる。実施例２実施例２の断面構造は前記実施例１と同じである。実施
例２が前記実施例１と異なる点は、再生層の組成が「Ｇ
ｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝３１：４４：２５ａｔ％」で、記録層
の組成が「Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２６：５９：１２５ａｔ
％」だという点である。

【００３２】上記組成の記録層と再生層の残留カー回転
角の温度特性を図５に示す。図示のように、再生層が垂
直磁化膜になる温度は１４０℃であり、キュリー温度は
３２０℃である。また、記録層のキュリー温度は２９０
℃であり、補償温度は室温である。即ち、記録層と再生
層のキュリー温度差は３０℃と小さい。このため、記録
時の降温過程でキュリー温度を下回ったとき、再生層は
転写温度の磁化の一部が面内方向を向いているというこ
とはない。したがって、再生層から記録層に転写される
磁化の向きも垂直方向となり、ＣＮＲが良好となる。

【００３３】本実施例２の場合は、図６に〔Ｂ〕として
示すように、外部印加磁界が１００［Ｏｅ］という低磁
界から記録可能であり、ＣＮＲは２５０［Ｏｅ］以上で
飽和している。なお、図中〔Ａ〕は、再生層の組成が
「Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝３１：３４：３５ａｔ％」でキュ
リー温度が３６０℃、記録層の組成が「Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃ
ｏ＝２６：６６：８ａｔ％」でキュリー温度が２３０℃
の従来の光磁気記録媒体の特性図である。図示のように
従来は５００［Ｏｅ］以上の外部印加磁界が必要であ
り、これと比較すると、本光磁気記録媒体が極めて小さ
な外部印加磁界で記録できることがわかる。実施例３図７は実施例３の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図である。図示の光磁気記録媒体では、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）製の基板上に、該基板側から順に、厚さ８０
０ÅのＳｉＮから成る高屈折率層、厚さ５００ÅのＧｄ
ＦｅＣｏから成る再生層、厚さ５００ÅのＴｂＦｅＣｏ
から成る記録層、厚さ８００ÅのＳｉＮから成る酸化防
止層、厚さ２００ÅのＡｌから成る放熱層が形成されて
おり、さらに、厚さ約２０μｍの紫外線硬化樹脂から成
る保護層が塗布形成されている。なお、保護層以外の各
層は、従来より公知のスパッタリング法等によって形成
することができる。

【００３４】また、上記に於いて、Ａｌから成る放熱層
の膜厚２００Åを、３００Å、４００Å、８００Åに代
えた光磁気記録媒体も各々製造した。これらの各光磁気
記録媒体は何れも交換結合磁性層（記録層と再生層を意
味し、交換結合力により記録層から再生層へ磁化が転写
されることを意味する）の総膜厚が１０００Åであるた
め、光を十分に透過させないタイプ、即ち、磁性層から
の反射光を検出するタイプである。

【００３５】上記各光磁気記録媒体では、基板側からレ
ーザスポットを入射して再生層を所定の転写温度（実施
例１では１４０℃まで昇温させると、該転写温度を越え
た部位において記録層の磁化の方向が再生層に転写され
る。この現象を利用して記録層の情報が読み出される。
なお、記録層の自発磁化の消滅する温度は２５０℃であ
るため、上記転写温度では記録層の情報は保持されてい
る。

【００３６】また、この例では、再生層の転写温度１４
０℃と自発磁化の消滅する温度４００℃は「Ｇｄ：Ｆｅ
Ｃｏ＝３２：６８ａｔ％」に設定することで実現し、記
録層の自発磁化の消滅する温度２５０℃は「Ｔｄ：Ｆｅ
Ｃｏ＝２５：７５ａｔ％」に設定することで実現してい
る。実施例３の各光磁気記録媒体（放熱層の厚さが、２
００Å、３００Å、４００Å、８００Åの各光磁気記録
媒体）の記録情報を読み出して各々ＣＮＲを測定し、従
来の記録媒体（図７で放熱層の無い記録媒体）と比較し
たところ、何れの場合も従来より良好であった。また、
実施例１の各光磁気記録媒体どうしの比較では、２００
Åより３００Åの方が良好であったが、３００Å、４０
０Å、８００Åでは略同程度であった。これより、Ａｌ
の放熱層の膜としては２００Åでも良いが、３００Å以
上が特に好適である。

【００３７】図８は、実施例３の光磁気記録媒体（放熱
層の膜厚４００Å）と、従来の光磁気記録媒体の再生信
号のＣＮＲの測定結果を、記録ドメイン長を横軸として
示すグラフである。図示のように、記録ドメイン長が
０.８μｍ以上と０.４μｍ以下で特に改善されているこ
とがわかる。これは、再生層の熱が放熱層に流れて温度
分布が良好となり、その結果、磁化方向が無秩序である
ことに起因するノイズや、レーザスポットの非中心部分
（周辺の低温であるべき部分）の状態まで読み出してし
まうことによりノイズが減少したためであると考えられ
る。

【００３８】図７の実施例３の構造において、再生層の
組成比を、Ｇｄ＝３０ａｔ％（この場合の転写温度は約
７０℃）から、Ｇｄ＝３３ａｔ％（この場合の転写温度
は約１６０℃）の範囲で変えた記録媒体を作成し、上記
と同様にＣＮＲを測定したところ同様の結果を得られ
た。さらに、Ａｌに代えて、熱伝導性の良好なＡｇ，Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ｗ，Ｍｇを放熱層として用いた場合にも同様
の結果を得られた。実施例４図９は実施例４の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図である。

【００３９】実施例２の光磁気記録媒体は、ＳｉＮから
成る高屈折率層とＧｄＦｅＣｏから成る再生層との間に
厚さ５００ÅのＮｉＯから成る面内磁化膜磁性層を設け
た点が前記実施例１と異なり、それ以外の構造について
は前記実施例１と同じである。なお、放熱層は、膜厚が
４００ÅのＡｌとした。上記面内磁化膜磁性層は、室温
からネール温度（この例では１００℃）までの範囲で磁
化の向きが面内に存在する層である。また、５００Åの
ＮｉＯであるため、基板側から入射して再生層で反射さ
れたレーザ光が基板まで戻るのに十分な透光性を有す
る。この面内磁化膜磁性層は、再生層の初期状態での磁
化方向を揃えてＣＮＲを改善する目的で設けたものであ
る。即ち、再生層の初期状態の磁化の方向は、記録層が
垂直磁化膜であることによる磁気的結合の影響のため、
完全な面内方向にはならない。ところが、信号再生時に
再生層の磁化が面内方向から垂直方向へ変化する過程に
対して再生層の初期状態が影響するという事情がある。
このため、面内磁化膜磁性層を設けることにより、磁化
方向が無秩序であることに起因するノイズや、低温部分
からの信号まで読み込んでしまうことによるクロストー
クノイズを低減させているのである。また、キュリー温
度或いはネール温度を適当に選択することで、上記効果
を一層高めることができる。なお、面内磁化膜磁性層と
しては、上記ＮｉＯ以外に、ＣｏＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｍｎ
Ｆｅ、ＦｅＣｒ、ＦｅＮｉ、ＰｔＣｏ、ＰｄＣｏを用い
ることができる。

【００４０】本実施例４の光磁気記録媒体について前記
実施例３と同様に再生信号のＣＮＲを測定した結果、良
好なＣＮＲを得られた。また、図９で放熱層の無い構造
の記録媒体を作成して比較したところ、該放熱層の無い
構造の記録媒体よりも実施例４の記録媒体の方が、良好
なＣＮＲを得られた。実施例５図１０は実施例５の光磁気記録媒体の断面構造を示す模
式図である。

【００４１】実施例５の光磁気記録媒体は、前記実施例
２においてＮｉＯの面内磁化膜磁性層が無く、且つ、Ｇ
ｄＦｅＣｏから成る再生層とＴｂＦｅＣｏから成る記録
層との間に厚さ３００ÅのＴｂＦｅＣｏＡｌから成る遮
断磁性層を設けた点が前記実施例２と異なる。それ以外
の構造は前記実施例４と同じであり、放熱層としても前
記実施例４と同様に膜厚が４００ÅのＡｌを用いてい
る。

【００４２】上記遮断磁性層は、自発磁化の消滅する温
度が１９０℃であり、記録の自発磁化の消滅する温度よ
りも低温に設定されている。本実施例では、Ａｌ含有量
を１７ａｔ％にすることで、上記温度１９０℃を実現し
ている。この遮断磁性層は、記録層への情報の記録を再
生層の熱磁気特性に影響されないようにする目的で設け
たものである。即ち、情報の記録時に於いて、記録パワ
ーのレーザスポットの照射で昇温された部位が冷却過程
で２５０℃（記録層の自発磁化が消滅する温度）以下に
なった時、この２５０℃では遮断磁性層の磁化が０であ
るため、記録層の磁化の向きは再生層と独立に外部印加
磁界の方向に向く。さらに降温されて１９０℃（遮断磁
性層の自発磁化の消滅する温度）以下になると、遮断磁
性層の磁化の向きが記録層の磁化の向きに従う。このた
め、１９０℃以下である再生時の転写温度１４０℃強で
は、遮断磁性層は記録層と同じに振る舞う。なお、遮断
磁性層としては、上記ＴｂＦｅＣｏＡｌ以外に、ＴｂＦ
ｅＣｏＮｂ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉを用
いることができる。

【００４３】本第５実施例の光磁気記録媒体について前
記実施例３と同様に再生信号のＣＮＲを測定した結果、
良好なＣＮＲを得られた。また、図１０で放熱層の無い
構造の記録媒体を作成して比較したところ、該放熱層の
無い構造の記録媒体よりも本実施例５の記録媒体の方
が、良好なＣＮＲを得られた。再生層等の組成等につい
て説明する。

【００４４】まず、比較例（従来例）、実施例６〜実施
例１４の組成等を示す。比か憂い（従来例）比較例では、干渉層２が８００Å、再生層３が５００
Å、記録層４が５００Å、保護層５が８００Åの膜厚に
各々成膜されている。また、再生層３の組成は、Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２３：６５.５：１１.５ａｔ％であり、記録層４の組成は、Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２６：６６：８ａｔ％である。実施例６実施例６では、干渉層２が８００Å、再生層３が５００
Å、記録層４が５００Å、保護層５が８００Åの膜厚に
各々成膜されている。

【００４５】また、再生層３の組成は、Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝３１：４６：２３ａｔ％であり、記録層４の組成は、Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２６：６６：８ａｔ％である。

【００４６】即ち、実施例６は、再生層３の組成が、比
較例と異なる。実施例７実施例７は、干渉層２、再生層３、記録層４、保護層５
の各膜厚、再生層３の組成、及び記録層４の組成は、実
施例６と同じである。実施例７が実施例６と異なる点
は、干渉層２を成膜した後、その表面をエッチング処理
し、その後に再生層３を成膜している点である。

【００４７】エッチング条件は、逆スパッタリング圧力
１.２ｍＴｏｒｒ、投入電力１００Ｗ、エッチング時間
２０ｍｉｎである。実施例８は、再生層３、記録層４、
保護層５の各膜厚、再生層３の組成、及び記録層４の組
成は、実施例６と同じである。実施例８は、干渉層２の
膜厚が７００Åである点で、実施例６と異なる。実施例９実施例９は、干渉層２、記録層４、保護層５の各膜厚、
再生層３の組成、及び記録層４の組成は、実施例８と同
じである。

【００４８】実施例９は、再生層３の膜厚が１０００Å
である点で、実施例８と異なる。実施例１０実施例１０は、干渉層２、再生層３、記録層４、保護層
５の各膜厚、及び再生層３の組成は、実施例９と同じで
ある。実施例１０は、記録層の組成が、Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２５：６２：１３ａｔ％である点で、実施例９と異なる。実施例１１実施例１１は、干渉層２、再生層３、記録層４、保護層
５の各膜厚、及び記録層４の組成は、実施例１０と同じ
である。

【００４９】実施例１１は、再生層の組成が、Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝３４：４４：２２ａｔ％である点で、実施例１０と異なる。実施例１２実施例１２は、干渉層２、再生層３、記録層４、保護層
５の各膜厚、再生層３の組成、及び記録層４の組成は、
実施例１１と同じである。

【００５０】実施例１２が実施例１１と異なる点は、干
渉層２を成膜した後、その表面をエッチング処理し、そ
の後に再生層３を成膜している点である。エッチングパ
ワーは、０.０５Ｗ／ｃｍ²である。実施例１３実施例１３は、干渉層２、再生層３、記録層４、保護層
５の各膜厚、再生層３の組成、記録層４の組成、及び、
０.０５Ｗ／ｃｍ²のエッチングパワーで干渉層２の表面
をエッチング処理した後に再生層３を成膜している点
は、実施例１２と同じである。

【００５１】実施例１３が実施例１２と異なる点は、保
護層５の上に、２００Åの厚さでＡｌの放熱層を設けて
いる点である。実施例１４実施例１４は、干渉層２、再生層３、記録層４、保護層
５の各膜厚、再生層３の組成、及び記録層４の組成は、
実施例１１と同じである。

【００５２】実施例１４が実施例１１と異なる点は、実
施例１４の再生層３の成膜時のスパッタガス圧力が３.
５ｍＴｏｒｒであるのに対して、実施例１１の再生層３
の成膜時のスパッタガス圧力が７ｍＴｏｒｒである点で
ある。次に、上述の比較例と、実施例６〜実施例１４の
各光磁気記録媒体について、種々の特性を比較して示
す。実施例６と比較例図１２は、比較例と実施例６のカー回転角の温度特性図
である。

【００５３】実施例６の光磁気記録媒体の再生層が垂直
磁化膜になる温度（転写温度）は１４０℃、キュリー温
度は３５０℃であった。これに対して、比較例のキュリ
ー温度は３００℃であった。基板１側からレーザスポッ
トを入射させて再生層３を転写温度まで昇温させると、
該転写温度（実施例では１４０℃）をこえた部位で、記
録層４の磁化の方向が再生層３に転写される。

【００５４】図１３は、実施例６と比較例の各キュリー
温度付近でのカーループを示す。図示のように、比較例
の２８０℃の温度下での飽和磁界は約５００Ｏｅであ
り、実施例６の３３０℃の温度下での飽和磁界は約１０
０Ｏｅである。キュリー温度より若干低い温度（実施例
６では３３０℃、比較例では２８０℃）での飽和磁界の
大きさは、記録時に必要な外部印加磁界の大きさに関連
する。即ち、飽和磁界が大きくなるほど、記録時に必要
な外部印加磁界も大きくなってくる。

【００５５】図１４は、実施例６と比較例の磁界変調記
録特性図である。図示のように、比較例では、５００Ｏ
ｅ以上の外部磁界を印加しなければ記録を行うことがで
きなかった。これに対して、実施例６では、外部印加磁
界が±２００Ｏｅ程度でＣＮＲを飽和させることができ
た。また、外部印加磁界が±８０Ｏｅ程度と低い場合で
も記録が可能であった。

【００５６】実施例６において、再生層中のＣｏ組成比
を５０ａｔ％より大きくすると、温度を上昇させても垂
直磁化膜にならず、本発明の目的を達成することはでき
なかった。また、実施例６では再生層をＧｄＦｅＣｏで
構成しているが、再生層を他の元素、例えば、ＧｄＦｅ
ＣｏＣｒ，ＧｄＦｅＣｏＮｉ，ＧｄＦｅＣｏＴｉ，Ｇｄ
ＦｅＣｏＡｌ，ＧｄＦｅＣｏＭｎ等の４元系材料で構成
した場合や、ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＧｄＦｅＣｏＡｌ
Ｔｉ等の５元系材料で構成した場合も、実施例６と同様
の効果を得ることができた。実施例６と実施例７図１５は、実施例６と実施例７の干渉層（下地層）２の
各表面を、各々原子間力顕微鏡で観察した像である。実
施例７の場合、干渉層２の表面が実施例６よりも平滑化
されているのが判る。このため、逆スパッタリングのエ
ッチング処理により平滑化された表面上に成膜される再
生層３と記録層４のピンニング力が低下して、磁壁が動
き易くなっている。

【００５７】図１６は、実施例６と実施例７の磁界変調
記録特性図（外部印加磁界に対する際栄信号のＣＮＲ）
である。図示のように、実施例６では、外部印加磁界が
±８０Ｏｅ程度から記録を行うことができるのに対し
て、実施例７では、外部印加磁界が±５０Ｏｅと、更に
低い外部印加磁界で記録が可能となっているのが判る。
これは、下地層２の表面をエッチング処理で平滑化した
後に、再生層を成膜したことによる効果であると考えら
れる。実施例６と実施例８図４０は、実施例６と実施例８の磁界変調記録特性図
（外部印加磁界に対する再生信号のＣＮＲ）である。図
示のように、実施例８では、実施例６と同様に、外部印
加磁界が±８０Ｏｅ程度から記録を行うことができるの
に加えて、記録特性が更に向上しているのが判る。これ
は、干渉層２を実施例６よりも若干薄く形成したことに
よる効果であると考えられる。なお、干渉層２の膜厚が
６００Å〜８００Åの範囲で、良好な特性を示すことが
確認された。実施例８と実施例９図４１は、実施例８と実施例９の再生特性図（再生レー
ザパワーに対する再生信号のＣＮＲ）である。図示のよ
うに、再生時のレーザパワー＝１.５ｍＷ付近を境とし
て、実施例９ではＣＮＲが急峻に変化しており、実施例
８の場合よりも厚い１０００Åに設定したことによる効
果でると考えられる。このように、再生信号のＣＮＲ
が、再生時のレーザパワーの或る値（実施例９では１.
５ｍＷ付近）を境として急峻に変化する効果は、再生層
３の膜厚を８００Å〜１２００Åの範囲に設定した場合
に、十分に得られることが確認された。実施例９と実施例１０図４２は、実施例９と実施例１０の記録特性図（記録レ
ーザパワーに対する再生信号のＣＮＲ）であり、再生信
号のレーザパワーは１.５ｍＷである。図示のように、
記録層４のＣｏの組成を変えた実施例１０では、記録信
号のレーザパワーが３ｍＷ（≫１.５ｍＷ＝再生レーザ
パワー）より低くなると、再生信号のＣＮＲが十分に低
下する。これに対して、実施例９では、記録信号のレー
ザパワーが２ｍＷ（＞１.５ｍＷ＝再生レーザパワー）
より低くなって、初めて、再生信号のＣＮＲが十分に低
下する。つまり、再生用レーザパワーの照射によって既
記録の信号に悪影響が現れてしまう可能性は、実施例１
０の方が実施例９よりも小さい。これは、実施例１０の
方が、実施例９よりも、記録層４のＣｏの組成を大きく
設定したことによる効果であると考えられる。なお、こ
のような効果は、記録層４のＣｏの組成を１０ａｔ％〜
１６ａｔ％の範囲に設定した場合について、十分に得ら
れることが確認された。実施例１０と実施例１１図４３は、実施例１０と実施例１１の再生特性図（再生
レーザパワーに対する再生信号のＣＮＲ）である。図示
のように、再生時のレーザパワー＝１.５ｍＷ付近を境
として、実施例１１ではＣＮＲが急峻に変化しており、
実施例１０よりも良好な特性を示している。これは、再
生層３のＧｄの組成を、実施例１０の場合よりも大きい
３４ａｔ％に設定したことによる効果であると考えられ
る。このように、再生信号のＣＮＲが、再生時のレーザ
パワーの或る値（実施例９では１.５ｍＷ付近）を境と
して急峻に変化する効果は、再生層３のＧｄの組成を３
０ａｔ％〜３６ａｔ％の範囲に設定した場合に、十分に
得られることが確認された。エッチングパワー図４４は、干渉層２の表面にエッチング処理を施す場合
について、エッチングパワーを変えて、表面の平滑さを
比較した特性図である。図示のように、エッチングパワ
ーを、０.０５Ｗ／ｃｍ²にすると、１０ｍｉｎ以上エッ
チング処理を行うことで、所望の平滑さを得ることが確
認された。実施例１１と実施例１２図４５は、実施例１１と実施例１２について、記録ドメ
イン長に対する再生信号のＣＮＲを示す特性図である。
図示のように、実施例１２では、記録ドメイン長が一層
短い場合でも、良好なＣＮＲを得られた。これは、エッ
チング処理により干渉層２の表面が平滑化された結果、
磁壁の移動が容易となって、実施例１１の場合よりも安
定したドメインが形成されたためと考えられる。実施例１３図４６は、実施例１２の光磁気記録媒体について保護層
５の上にＡｌの放熱層を設け、その放熱層の厚さに対す
る再生信号のＣＮＲを測定した特性図である。なお、記
録ドメイン長は、０.５μｍ、１.５μｍとした。図示の
ように、Ａｌの放熱層の厚さを、２００Å〜５００Åの
範囲に設定することで、良好な特性を得られることが判
る。なお、２００Åの放熱層は、実施例１３に相当す
る。実施例１１と実施例１４図４７は、実施例１１と実施例１４の再生特性図（再生
レーザパワーに対する再生信号のＣＮＲ）である。図示
のように、再生時のレーザパワー＝１.５ｍＷ付近を境
として、何れも再生信号のＣＮＲが急峻に変化してお
り、良好な特性が得られていることが判る。このような
良好な特性は、再生層３の成膜時のスパッタガス圧力を
２ｍＴｏｒｒ〜７ｍＴｏｒｒの範囲に設定した場合に、
十分に得られることが確認された。

【００５８】このように、先述の実施例６の効果は、干
渉層２の表面状態を０.０２Ｗ／ｃｍ²〜０.０８Ｗ／ｃ
ｍ²の範囲のエッチングパワーのエッチング処理により
平滑化したり、干渉層２の膜厚を６００Å〜８００Åの
範囲で変えたり、再生層の膜厚を８００Å〜１２００Å
の範囲で変えたり、記録層の組成においてＣｏの含有率
を１０ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲で変えたり、再生層の
組成においてＧｄの含有率を３０ａｔ％〜３６ａｔ％の
範囲で変えたり、保護層５の上にＡｌの放熱層を２００
Å〜５００Åの範囲で形成したり、再生層成膜時のスパ
ッタガス圧力を２ｍＴｏｒｒ〜７ｍＴｏｒｒの範囲で変
えた場合にも、同様に、若しくは、より優れて、得るこ
とができる。実施例１５本実施例においては、光磁気記録媒体用の基板、記録条
件等について、図及び表を参照しつつ説明する。本発明
に係る光磁気ディスクは磁性層が垂直磁化膜である記録
層と室温で面内磁化膜である再生層から成り、レーザ光
照射時に記録層の磁化が再生層へ転写されることにより
記録情報の再生が可能な光磁気記録媒体（以下、超解像
光磁気記録媒体という）に関するものであり、高密度な
記録・再生が可能な光磁気記録媒体である。図１７は本
実施例における光磁気記録媒体１１の断面構造を示した
図であり、透光性ポリカーボネート基板１上に干渉層２
を形成し、該干渉層２上に再生層３、記録層４、保護層
５、放熱層６、紫外線硬化樹脂７を順次堆積した構造で
ある。

【００５９】まず、光磁気ディスク１１の作製について
述べる。本発明の光磁気ディスクの作製工程を図１８に
示す。透光性ポリカーボネート基板１を射出成形し、該
透光性ポリカーボネート基板１上にＳｉＮを堆積した
後、該ＳｉＮをプラズマによりエッチングする。その後
は上記のように再生層３等を順次堆積する。本実施例に
おいては、従来、超解像光磁気記録媒体用基板として通
常用いられていたガラス基板に替えてポリカーボネート
基板を用いている。そこで、透光性ポリカーボネート基
板の射出成形について述べる。透光性ポリカーボネート
基板の射出成形には図１９に示すように金型温度１ｔ、
型締圧力２ｐ、樹脂射出速度３ｖ、加熱筒温度４ｔ、及
び冷却時間が大きな影響を与えるが、本実施例では、ト
ラックピッチ１.４、１.２、１.０、０.８μｍ、グルー
ブとランドの幅を１：１とし、それぞれ図１１の実施例
１、２、３及び４の条件で成形した。即ち、金型温度：
１１８〜１２５℃、型締圧力：１８０〜２２０ｋｇ／ｃ
ｍ²、樹脂射出速度１５０〜２００（ｍｍ/ｓ）、加熱筒
温度：３１０〜３４０℃、冷却時間：９〜１３秒の条件
で射出成形を行った。成形した基板の転写率をスタンパ
のグルーブ深さに対する透光性ポリカーボネート基板の
グルーブの深さの比で表すと、いずれの条件においても
９０％以上と高い転写率が得られた。各条件で成形した
基板の表面状態を原子間力電子顕微鏡（ＡＦＭ）で測定
し、ＡＦＭデータよりグルーブとランドのコーナーでの
曲率半径等を算出した結果を図２８に示す。その結果、
各トラックピッチにおいて曲率半径は３５〜５０ｎｍで
あり、複屈折の絶対値の最大値は２０〜２５ｎｍであ
り、複屈折の変動は８〜１０ｎｍと良好であった。ま
た、成形したポリカーボネート基板の表面粗さは１０〜
５０ｎｍと良好であった。特に、本実施例で用いている
１.４μｍのトラックピッチにおいては、曲率半径が３
５ｎｍ、複屈折の絶対値の最大値は２２ｎｍであり、且
つ、周方向の変動は８ｎｍと良好であった。尚、複屈折
は波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザを用いてダブルパ
スで測定した。

【００６０】次に、射出成形した前記ポリカーボネート
基板上に干渉層２としてＳｉＮ膜をＲＦスパッタ法によ
り図３４に示す条件で７００Å堆積した。該ＳｉＮ堆積
後、プラズマエッチングによるＳｉＮ膜表面の平坦化の
後、再生層３としてＧｄ_xFｅ _100-(x+y)Cｏ_yを１０００
Å、記録層４としてＴｂ_xFｅ_100-(x+y)Cｏ_yを５００
Å、保護膜５としてＳｉＮ膜を８００Å、放熱層６とし
てＡｌを５００Å、紫外線硬化樹脂７を１０μｍ堆積し
た。

【００６１】干渉層２としてのＳｉＮは図３４に示す条
件のうちＲＦパワー：５００Ｗ、Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒ
ｒの条件がより望ましい。前記再生層３としてのＧｄ_xF
ｅ_100-(x+y)Cｏ_yはＲＦ２元マグネトロンスパッタ法に
より図３１に示す条件で堆積した。図３１のうち、ＲＦ
パワー：Ｇｄ；７０Ｗ、ＦｅＣｏ；２００Ｗ、Ａｒ圧
力：７ｍＴｏｒｒの条件がより望ましい。また、Ｇｄ_xF
ｅ_100-(x+y)Cｏ_yの組成はｘ：２５〜３５、ｙ：０〜４
０の範囲で本発明による光磁気記録媒体に適しており、
望ましくはｘ：３０、ｙ：４０である。

【００６２】前記記録層４としてのＴｂ_xFｅ_100-(x+y)C
ｏ_yはＲＦマグネトロンスパッタ法により図３０に示す
条件で堆積した。図３０に示す条件のうち、ＲＦパワ
ー：５００Ｗ、Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒの条件がより望
ましい。また、Ｔｂ_xFｅ_100-(x _+y)Cｏ_yの組成はｘ：１
５〜３５、ｙ：５〜３０の範囲で本発明による光磁気記
録媒体に適しており、望ましくはｘ：２２.５、ｙ：１
４.５である。前記保護膜５としてのＳｉＮはＲＦマ
グネトロンスパッタ法により図３４に示す条件で堆積し
た。図３４に示す条件のうち、ＲＦパワー：５００Ｗ、
Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒの条件がより望ましい。

【００６３】前記放熱層６としてのＡｌはＲＦマグネト
ロンスパッタ法によりＡｌ−Ｔｉ若しくはＡｌ−Ｍｎ若
しくはＡｌ−Ｎｂ等のＡｌ合金をターゲットとして図２
９に示す条件で堆積した。図２９に示す条件のうちＲＦ
パワー：８００Ｗ、Ａｒ圧力：５ｍＴｏｒｒの条件がよ
り望ましい。このとき、Ａｌの成膜レートは１００Å／
分程度である。また、本実施例における前記放熱層６と
してしてはＡｌに限られるものではなくＡｕ、Ｐｔ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｍｏ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｗであってもよい。また、前
記元素の単体のみならず、任意の組み合わせの合金を用
いても良い。

【００６４】前記保護層６上には紫外線硬化樹脂７を通
常の方法で形成する。次に、上記の如く作成した光磁気
記録媒体の記録/再生について述べる。従来の一定強度
のレーザ光を照射した記録方式に替えて図２０に示すよ
うにレーザ光をパルス化したパルス変調方式を採用し
た。図２１に記録装置のブロック図を示す。記録信号は
同期パルス発生/位相遅延回路２０に入り、まず、記録
信号に同期するデューティ：５０％の信号に変換され、
次に、位相を０〜６０ｎｓ遅らせたパルス信号に変換さ
れる。該パルス信号はパルス幅変更回路１９に入り、デ
ューティ：２０〜６０％のパルス信号に変更された後、
半導体レーザ駆動回路１８に導入される。該半導体レー
ザ駆動回路１８は所定のデューティに変更されたパルス
信号により半導体レーザ１５をＯＮ/ＯＦＦし、パルス
化されたレーザ光がミラー１４、対物レンズ２１を介し
て光磁気記録媒体１１に照射される。また、記録信号は
そのまま磁気ヘッド駆動回路１７へ送られ、該磁気ヘッ
ド駆動回路１７は入力された記録信号に応じて磁気ヘッ
ドを駆動させ、各記録信号が光磁気記録媒体に記録され
る。

【００６５】本実施例においては、レーザ光をパルス化
することにより記録信号に対応する印加磁界とパルス化
されたレーザ光の関係は図２０に示すようにレーザが２
回ＯＮする間に信号が記録されるという関係になる。従
って、図２２に定性的に示すように一定強度のレーザ光
が常時照射された状態で記録する従来の方式（図２２
（ａ））に比べて記録層における均熱領域が狭くなる
（図２２（ｂ））。この効果は、レーザ光をパルス化す
る他には記録層の上に放熱層としてＡｌを堆積すること
によっても得られる（図２２（ｂ））。また、放熱層の
形成とレーザ光のパルス化を行うことにより、上記効果
は更に顕著に現れ、均熱領域が狭くなる（図２２
（ｃ））。

【００６６】本実施例において光磁気記録媒体への記録
は、図３２に示す条件で行った。レーザ波長：６８０ｎ
ｍ、対物レンズの開口数：０.５５、記録線速度：２.０
ｍ/ｓ、記録周波数：２.０ＭＨｚは一定である。記録磁
界、記録パワー、光パルスのデューティについては図３
２の条件のうち、それぞれ±２００Ｏｅ、６ｍＷ、４０
％が望ましい。

【００６７】放熱層の形成とレーザ光のパルス化によ
り、０.５μｍのドメイン長で高密度記録を行った光磁
気記録媒体の再生は図３３に示す条件で行った。レーザ
波長：６８０ｎｍ、対物レンズの開口数：０.５５、再
生線速度：２.０（±０.１）ｍ/ｓｅｃは一定である。
再生パワーは図３３の条件のうち、２.０ｍＷ以上が望
ましい。この２.０ｍＷ以上の再生パワーは図２５に示
す再生パワーと再生時のＣＮＲの関係において、高いＣ
ＮＲが得られる再生パワーとして決定された。即ち、図
２５によれば、再生パワーの上昇とともに再生時のＣＮ
Ｒは向上し、２.０ｍＷ以上では４２〜４４ｄＢのほぼ
一定のＣＮＲが得られることから２.０ｍＷ以上のレー
ザパワーを高ＣＮＲが得られる再生パワーとして決定し
た。また、異なる再生線速度においても、同様にして良
好な再生パワーを決定した結果、１.１〜１.３ｍ／ｓｅ
ｃの再生線速度においては１.５〜２.２ｍＷの再生パワ
ーが、また、１.５〜１.７ｍ／ｓｅｃの再生線速度にお
いては１.８〜２.７ｍＷの再生パワーが、また、２.９
〜３.１ｍ／ｓｅｃの再生線速度においては２.４〜３.
７ｍＷの再生パワーが、また、４.９〜５.１ｍ／ｓｅｃ
の再生線速度においては３.２〜４.５ｍＷの再生パワー
が、また、８.９〜９.１ｍ／ｓｅｃの再生線速度におい
ては４.０〜６.０ｍＷの再生パワーが、それぞれ、適し
ていることがわかった。また、この記録条件は、上記実
施例１〜実施例１４記載の光磁気記録媒体においても適
している。

【００６８】図２３、２４に上記高密度記録の光磁気記
録媒体の再生特性を示す。図２３は、レーザ波長：６８
０ｎｍ、対物レンズの開口数：０.５５、パルス磁界の
パルス幅：５００ｎｓｅｃ、パルス化したレーザ光のパ
ルス回数：４回の場合の記録時における位相差（パルス
磁界とパルス化したレーザ光との位相差）と再生時のＣ
ＮＲ（キャリアとノイズの比）の関係を示す。パラメー
ターとして記録時のレーザパワーを５.０、５.５、６.
０、６.５ｍＷと変化させた。記録時における位相差０
〜３３ｎｓｅｃの範囲において、記録時のレーザパワー
が５.０ｍＷから５.５ｍＷに増加するとＣＮＲが０から
３７〜４０ｄＢと急激に向上し、記録時のレーザパワー
が５.５から６.５ｍＷへ増加するとともにＣＮＲが徐々
に向上する。記録時のレーザパワー：６.５ｍＷにおい
て４３ｄＢ程度のＣＮＲが得られた。

【００６９】また、図２４はレーザ波長：６８０ｎｍ、
対物レンズの開口数：０.５５、パルス磁界のパルス
幅：５００ｎｓｅｃ、パルス化したレーザ光のパルス回
数：２回の場合の記録時における位相差（パルス磁界と
パルス化したレーザ光との位相差）と再生時のＣＮＲの
関係を示す。パラメーターとして記録時のレーザパワー
を４.５、５.０、５.５、６.０ｍＷと変化させた。記録
時における位相差０〜６０ｎｓｅｃの範囲において、記
録時のレーザパワーが４.５ｍＷから５.０ｍＷに増加す
るとＣＮＲが０から３５ｄＢ程度に急激に向上し、記録
時のレーザパワーが５.０から６.０ｍＷへ増加するとと
もにＣＮＲが徐々に向上する。記録時のレーザパワー：
６.０ｍＷにおいて最大４５ｄＢのＣＮＲが得られた。

【００７０】図２３と図２４の比較により、図２４は記
録時のレーザ光のパルス回数を４回から２回に減少する
ことにより、再生時に良好なＣＮＲを示す記録時のレー
ザパワーを５.５ｍＷから５.０ｍＷまで低減できること
を示す。再生における前記放熱層の効果は、図２６に示
すＣＮＲとドメイン長の関係における従来と本発明の比
較から明らかである。即ち、ドメイン長：０.４〜１.５
μｍの範囲において再生時のＣＮＲは本発明において１
〜３ｄＢ程度向上する。ＣＮＲの向上はドメイン長が短
い方がより顕著であることから、ドメイン長が０.４μ
ｍ以下においても同様の結果が得られる。また、前記記
録層上に前記放熱層を設けることは、ドメイン長の短
い、即ち、高密度光磁気記録媒体の再生に効果があるこ
とがわかった。

【００７１】また、前記放熱層６としてのＡｌの膜厚
は、５００Åに限定されるものではなく、２００Å〜１
０００Åの範囲であれば良い。この膜厚の範囲は図３５
に示すＡｌの膜厚と再生分解能との関係から決定した。
即ち、Ａｌの膜厚の増加とともに再生分解能が向上し、
２００Å以上でほぼ一定となることから決定した。実施例１６本実施例においては、光磁気記録媒体の前記記録層４に
ついて、図３６，図３７，図３８，図３９，図４９を参
照しつつ説明する。図３６は本実施例の光磁気ディスク
の断面構造を示す。その作製は、次の工程により行っ
た。まず、ポリカーボネート基板３１上に通常の光磁気
ディスクと同じくＳｉＮ層３２を保護膜と光学エンハン
スを兼ねて８００Åスパッタ成膜した後、Ｇｄ₃₀Fｅ₅₅C
ｏ₁₅33を５００Å、Ｍｎターゲット上にＣｒとＳｂチッ
プを載せた複合ターゲットにより（Ｍｎ₈₀Cｒ₂₀)₂Sｂ３
４を１０００Åスパッタして形成した。次に、その上に
保護層としてＳｉＮ３５を８００Åスパッタ成膜した
後、さらに紫外線硬化樹脂３６を１０μｍスピンコート
して形成した。これらの各層のスパッタ条件を表１に示
す。図４９に示した条件の中で、ＳｉＮ層３２を形成す
るにはアルゴンガス圧力：０.４Ｐａ，投入電力：３０
０Ｗの条件、Ｇｄ₃₀Fｅ₅₅Cｏ₁₅33を形成するにはアルゴ
ンガス圧力：０.６７Ｐａ，投入電力：４００Ｗの条
件、（Ｍｎ₈₀Cｒ₂₀) ₂Sｂ３４を形成するにはアルゴンガ
ス圧力：０.６７Ｐａ，投入電力：３５０Ｗの条件、Ｓ
ｉＮ３５を形成するにはアルゴンガス圧力：０.４Ｐ
ａ，投入電力：３００Ｗの条件がそれぞれ最適である。
また、紫外線硬化樹脂３６は、滴下量：５ｃｃ，スピン
条件（中速：１００ｒｐｍ，２秒、高速：９００ｒｐ
ｍ，３秒）、露光時間：ハロゲン１ｋＷ，５秒の条件の
みでスピンコートした。作製した（Ｍｎ₈₀Cｒ₂₀)₂Sｂ３
４は反強磁性から強磁性への転移を有する磁性膜であ
り、Ｇｄ₃₀Fｅ₅₅Cｏ₁₅33は室温で面内磁化膜である。

【００７２】作製した記録層である（Ｍｎ_100-xCｒ_x)₂S
ｂ３４の磁化の温度依存性をＣｒ濃度をパラメータにし
て調べた結果を図３７に示す。Ｃｒ濃度の増加により
（Ｍｎ _100-xCｒ_x)₂Sｂ３４の反強磁性から強磁性への転
移点は高温側へシフトし、しかも転移後の磁化は急激に
増加することがわかる。また、この磁化の立ち上がりは
従来例よりも急峻であることから、（Ｍｎ_100-xCｒ_x)₂S
ｂが従来のＤｙＦｅＣｏより４０〜２００℃の範囲で明
確な転写温度を有し、ＭＳＲ技術を用いた光磁気記録媒
体の材料として適している。

【００７３】（Ｍｎ₈₀Cｒ₂₀)₂Sｂ３４のキューリ温度を
調べた結果、Ｃｒ濃度によらず一定で２３０℃付近であ
ったので、情報の記録は媒体を２３０℃以上に加熱し、
波長７８０ｎｍのビームを用い、トラックピッチ１.６
μｍ，記録線速度５ｍ／ｓｅｃで行った。再生は、（Ｍ
ｎ₈₀Cｒ₂₀)₂Sｂ３４のキューリ温度が２３０℃であるこ
とから１００℃程度にすることが望ましく、本発明では
Ｃｒ濃度を２０ａｔ％とした。図３に示すように。再生
ビーム６６が上記光磁気記録媒体に照射されると、記録
層６２が加熱され、加熱領域６５では反強磁性から強磁
性への転移が起こり、磁化が発現する。記録層６２で磁
化が発現すると、面内磁化膜である再生層６１へは磁化
が転写されず、この領域では面内磁化膜の状態を保持
し、マスクとして機能する。従って、加熱領域６５の情
報のみが再生されることになり、照射されたビーム径よ
り小さい領域での再生、即ちＭＳＲ再生が可能となる。
再生パワー１.５ｍＷ以上で急激に再生信号が現れ、Ｍ
ＳＲ再生が行われていることがわかった。また、再生パ
ワー２.５ｍＷでドメイン０.３μｍのＣＮＲは４０ｄＢ
であった。これにより、１００℃以上で記録層の情報が
再生層に明確に転写され、再生領域以外では（Ｍｎ₈₀C
ｒ₂₀)₂Sｂ３４からＧｄ₃₀Fｅ₅₅Cｏ₁₅33への磁気的影響
がないことから、マスク効果が一層向上し、再生雑音が
低く、ＭＳＲ効果の大きい、均一性に優れたＭＳＲ再生
が可能である。

【００７４】また、本発明では、図３７に示すように
（Ｍｎ_100-xCｒ_x)₂SｂのＣｒ濃度が１０〜３０ａｔ％の
範囲で明確な反強磁性から強磁性への転移を生じるの
で、この範囲のＣｒ濃度を有する（Ｍｎ_100-xCｒ_x)₂Sｂ
を記録層に適用することにより上記と同様のＭＳＲ再生
ができる。さらに、本発明では再生層として室温で面内
磁化膜であるＧｄ₃₀Fｅ₅₅Cｏ₁₅を用いたが、これに限る
ものではなく、記録層の磁化が転写される材料であれば
よく、例えば、再生層の磁化方向を揃える初期化磁界を
用いれば、垂直磁化膜であるＴｂＦｅ，ＧｄＣｏ，Ｔｂ
Ｃｏ，ＴｂＦｅＣｏ等も可能である。この場合には、図
３９に示すように初期化磁界７０を印加して、再生層６
１’の磁化が記録層６２’へ向くように、予め再生層の
磁化方向を揃えてからレーザービーム６６’を照射して
再生を行う。高温領域６５’では、記録層６２’に磁化
が発現するので交換結合力によって、記録層６２’へ向
いていた磁化が記録層６２’に磁化と同じ方向に反転
し、記録層６２’の情報が再生層６１’に転写されるの
で高温領域６５’でのみ情報の再生が可能になる。ま
た、保磁力１ｋＯｅ以下の垂直磁化膜を用いれば転写さ
れる磁区は自己消滅するのでビームの後方にもマスクが
形成されＭＳＲ再生が可能である。

【００７５】一方、記録層も一次転移点を持つものであ
れば、（Ｍｎ₈₀Cｒ₂₀)₂Sｂに限られるものではなく、Ｍ
ｎ２SｂにＶ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ａｓを加えた
磁性体でも良く、最良の結果を示す各材料の組成は（Ｍ
ｎ₉₃V₇)₂Sｂ，（Ｍｎ₇₅Cｏ₂₅)₂Sｂ，（Ｍｎ₉₀Cｕ₁₀)₂S
ｂ，（Ｍｎ₉₀Zｎ₁₀)₂Sｂ, （Ｍｎ₉₀Ｇｅ₁₀)₂Sｂ，（Ｍ
ｎ₈₀Aｓ₂₀)₂Sｂである。

【００７６】上記実施例に開示した光磁気記録媒体にお
けるカー回転角の温度依存性を図４８に示す。図４８の
各曲線はＴ^cに比例している（Ｔ：温度）。図４８よ
り、１）再生層の膜厚を１０００Åにすること２）下地層のエッチングをすること３）再生層のＣｏ組成を２０ａｔ％にすること４）スパッタリングガス圧力を３.５ｍＴｏｒｒにする
ことにより各曲線の立ち上がりが急峻になっており、各曲線
において、カー回転角の温度係数Ｃを求めると、それぞ
れ、８.９９、９.６９、１０.９、１１.０となる。従っ
て、これらの光磁気記録媒体を用いた記録/再生におい
ては、従来より高密度な記録/再生が可能となる。

【００７７】

【発明の効果】本発明によれば、キュリー温度が２３０
〜３５０℃の範囲で比較的低温な発明では、小さなレー
ザパワーでキュリー温度以上に昇温度できるため、外部
印加磁界が小さくとも良好なＣＮＲを得ることができ
る。したがって、磁界変調方式の記録媒体としても最適
に用いることができる。

【００７８】また、本発明によれば、再生層と記録層の
キュリー温度差が小さい発明では、記録時に於いて再生
層から記録層に磁化の向きが転写される際、再生層の磁
化の向きが垂直方向を向いており、磁化の一部が面内方
向を向き始めているということがないため、該面内方向
の磁化がノイズとなることが防止され、その結果、良好
なＣＮＲを得ることができる。

【００７９】また、本発明によれば、熱伝導性の良い放
熱層を設けて交換結合磁性層の熱を逃がしているため、
再生層の温度分布を所望の分布にすることができ、この
ため、磁化方向が無秩序であることに起因するノイズ
や、レーザスポットの非中心部分（周辺の低温であるべ
き部分）の状態まで読み出してしまうことに起因するク
ロストークノイズを低減できるという効果がある。

【００８０】また、本発明によれば、再生層のＣｏの組
成比を１２ａｔ％〜５０ａｔ％の範囲内とすることで、
外部印加磁界が小さくとも良好な記録をすることができ
た。また、再生時のＣＮＲも良好であった。また、外部
印加磁界が小さくとも記録できるため、記録装置の負担
も小さくなった。さらに、この効果、再生層の成膜前に
下地層をエッチング処理することで、より一層改善され
た。

【００８１】また、本発明によれば、光磁気記録媒体の
記録層上に放熱層を設けること又は記録時のレーザ光を
パルス化することにより、記録用レーザ照射時の均熱領
域を狭くすることができ、高密度記録が可能となる。ま
た、本発明によれば、記録層上に放熱層を設けるにより
再生用レーザ照射時の均熱領域を狭くすることができ、
高密度再生が可能となる。

【００８２】また、本発明によれば、ポリカーボネート
樹脂を基板に用いた光磁気記録媒体を作製できる。ま
た、本発明によれば、壊れにくい、取り扱いが簡便な光
磁気記録媒体を作製することができる。また、本発明に
よれば、ＣＮ比が高い再生が可能となる。

【００８３】また、本発明によれば、再生時における磁
化の発現と転写の温度を明確にすることができ、再生雑
音が低く、均一性に優れた光磁気記録媒体を得ることが
できる。また、記録層では常温で磁化が発生していない
ので再生層への磁気的な影響がなく、再生層では面内磁
化が従来より一層保持されるのでマスク効果が向上し、
ＭＳＲ効果を大きくすることができる。従って、高密度
記録の光磁気記録媒体を使用することができる。さら
に、磁化の転写温度が明確なため、作製が容易となり低
コストな媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の光磁気記録媒体の断面構造を示す模式
図。

【図２】第１実施例の光磁気記録媒体の記録層と再生層
の残留カー回転角を温度を横軸として示すグラフ。

【図３】第１実施例の光磁気記録媒体の記録時のレーザ
パワーとノイズの関係を示す特性図。

【図４】第１実施例の光磁気記録媒体の記録時の外部印
加磁界とノイズの関係を示す特性図。

【図５】第２実施例の光磁気記録媒体の記録層と再生層
の残留カー回転角を温度を横軸として示すグラフ。

【図６】第２実施例の光磁気記録媒体〔Ｂ〕と従来の光
磁気記録媒体〔Ａ〕の記録時の外部印加磁界とＣＮＲの
関係を示す特性図。

【図７】第３実施例の光磁気記録媒体の断面構造を示す
模式図。

【図８】第３実施例の光磁気記録媒体の再生信号のＣＮ
Ｒを示すグラフ。

【図９】第４実施例の光磁気記録媒体の断面構造を示す
模式図。

【図１０】第５実施例の光磁気記録媒体の断面構造を示
す模式図。

【図１１】第６、７実施例の光磁気記録媒体の模式的断
面図。

【図１２】第６実施例と従来例のカー回転角の温度依存
性。

【図１３】第６実施例と従来例のキュリー温度付近のカ
ーループ。

【図１４】第６実施例と従来例の磁界変調記録の記録磁
界特性。

【図１５】第７実施例と第６実施例の干渉層の表面を原
子間力顕微鏡で観察した図。

【図１６】第７実施例と第６実施例の磁界変調記録の記
録磁界特性。

【図１７】本発明の光磁気記録媒体の断面構造図であ
る。

【図１８】本発明の光磁気記録媒体の作製工程を示す図
である。

【図１９】本発明の光磁気記録媒体用の透光性ポリカー
ボネート基板の射出成形装置を示す図である。

【図２０】本発明の光磁気記録媒体の記録における印加
磁界とパルスレーザの関係を示した図である。

【図２１】本発明の光磁気記録媒体の記録ブロックであ
る。

【図２２】本発明における放熱層とレーザ光のパルス化
の効果を定性的に示した図である。

【図２３】本発明の光磁気記録媒体の記録時の位相差
（パルス磁界とパルス化したレーザ光の位相差）と再生
時のＣＮ比の関係を示す図である。

【図２４】本発明の光磁気記録媒体の記録時の位相差
（パルス磁界とパルス化したレーザ光の位相差）と再生
時のＣＮ比の関係を示す図である。

【図２５】本発明の光磁気記録媒体の再生時のＣＮ比と
再生パワーの関係を示す図である。

【図２６】本発明の光磁気記録媒体の放熱層の効果を示
す図である。

【図２７】本発明の透光性ポリカーボネート基板の射出
成形条件である。

【図２８】本発明の透光性ポリカーボネート基板の特性
である。

【図２９】本発明のＡｌの成膜条件である。

【図３０】本発明の記録層の形成条件である。

【図３１】本発明の再生層の形成条件である。

【図３２】本発明の光磁気記録媒体の記録条件である。

【図３３】本発明の光磁気記録媒体の再生条件である。

【図３４】本発明のＳｉＮ膜の成膜条件である。

【図３５】本発明のＡｌ膜厚と再生分解能の関係であ
る。

【図３６】実施例１６の光磁気記録媒体の断面図であ
る。

【図３７】実施例１６の記録層の特性である。

【図３８】実施例１６における再生時の模式図である。

【図３９】実施例１６における再生時の模式図である。

【図４０】実施例６と実施例８について、外部印加磁界
に対する再生信号のＣＮＲを示す特性図である。

【図４１】実施例８と実施例９について、再生レーザパ
ワーに対する再生信号のＣＮＲを示す特性図である。

【図４２】実施例９と実施例１０について、記録レーザ
パワーに対する再生信号のＣＮＲを示す特性図である。

【図４３】実施例１０と実施例１１について、再生レー
ザパワーに対する再生信号のＣＮＲを示す特性図であ
る。

【図４４】干渉層２の表面にエッチング処理を施す場合
についてエッチングパワーを変えて表面の平滑さを比較
した特性図である。

【図４５】実施例１１と実施例１２について、記録ドメ
イン長に対する再生信号のＣＮＲを示す特性図である。

【図４６】実施例１２の光磁気記録媒体について保護層
５の上にＡｌの放熱層を設け、その放熱層の厚さに対す
る再生信号のＣＮＲを測定した特性図である。

【図４７】実施例１１と実施例１４について、再生レー
ザパワーに対する再生信号のＣＮＲを示す特性図であ
る。

【図４８】カー回転角の温度特性図である。

【図４９】実施例１６における記録層、再生層及び保護
層の形成条件

【符号の説明】

１・・・ポリカーボネート基板２・・・干渉層３・・・再生層４・・・記録層５・・・保護層６・・・放熱層７・・・紫外線硬化樹脂１ｔ・・・金型温度２ｐ・・・型締圧力３ｖ・・・樹脂射出圧力４ｔ・・・加熱筒温度１１・・・光磁気記録媒体１３・・・光学ヘッド１４・・・ミラー１５・・・半導体レーザ１６・・・磁気ヘッド１７・・・磁気ヘッド駆動回路１８・・・半導体レーザ駆動回路１９・・・パルス幅変更回路２０・・・同期パルス発生/位相遅延回路２１・・・対物レンズ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 11/10 ５１１ 9075−5ＤＧ１１Ｂ 11/10 ５１１Ａ５２１ 9075−5Ｄ５２１Ｃ 9075−5Ｄ５２１Ｆ５８６ 9296−5Ｄ５８６Ｂ 9296−5Ｄ５８６Ｃ (31)優先権主張番号特願平7−224387 (32)優先日平７(1995)８月31日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号特願平7−304345 (32)優先日平７(1995)11月22日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号特願平7−329915 (32)優先日平７(1995)11月24日 (33)優先権主張国日本（ＪＰ） (72)発明者鷲見聡大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板と、該透光性基板上に形成された下地層と、該下地層上に形成された室温で面内磁化膜である再生層
と、該再生層上に形成され、所定の温度まで昇温されること
で前記再生層へ磁化方向を転写する記録層とを配して成
る光磁気記録媒体において、カー回転角の温度係数が８.０以上であることを特徴と
する光磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１において、前記記録層は室温で垂直磁化膜であることを特徴とする
光磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２において、前記再生層がコバルト（Ｃｏ）を含む遷移金属と希土類
から成り、該再生層中のＣｏの組成比が１２ａｔ％〜５
０ａｔ％の範囲にあることを特徴とする光磁気記録媒
体。
【請求項４】請求項３において、前記再生層はＧｄとＦｅを含むことを特徴とする光磁気
記録媒体。
【請求項５】請求項３又は４において、前記下地層は、干渉層として機能するＳｉＮを６００Å
〜８００Åの範囲に成膜して成ることを特徴とする光磁
気記録媒体。
【請求項６】請求項５において、前記再生層の膜厚は８００Å〜１２００Åの範囲にある
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項７】請求項３から６において、前記記録層は、該記録層中のＣｏの含有率が１０ａｔ％
〜１６ａｔ％の範囲であるＴｂＦｅＣｏを成膜して成る
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項８】請求項３から７において、前記再生層は、該再生層中のＧｄの含有率が３０ａｔ％
〜３６ａｔ％の範囲であるＧｄＦｅＣｏを成膜して成る
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項９】請求項５から８において、前記干渉層の表面を、０.０２Ｗ／ｃｍ²〜０.０８Ｗ／
ｃｍ²の範囲のエッチングパワーでエッチング処理した
後、前記再生層と前記記録層を成膜して成ることを特徴
とする光磁気記録媒体。
【請求項１０】請求項８において、前記再生層は、２〜７ｍＴｏｒｒの範囲のスパッタガス
圧で成膜して成ることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１１】請求項１から１０において、前記透光性基板は、ポリカーボネート樹脂であることを
特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１２】請求項１又は２又は１１において、前記記録層は、ＴｄＦｅＣｏであり、前記再生層は、ＧｄＦｅＣｏＣｒ又はＧｄＦｅＣｏＮｉ
又はＧｄＦｅＣｏＴｉ又はＧｄＦｅＣｏＡｌ又はＧｄＦ
ｅＣｏＭｎ又はＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ又はＧｄＦｅＣｏ
ＡｌＴｉであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１３】請求項１から１２において、前記記録層上に放熱層を形成したことを特徴とする光磁
気記録媒体。
【請求項１４】請求項１３において、前記放熱層がＡｌ又はＡｕ又はＰｔ又はＴｉ又はＶ又は
Ｃｒ又はＭｎ又はＦｅ又はＣｏ又はＮｉ又はＣｕ又はＺ
ｎ又はＭｏ又はＡｇ又はＳｎ又はＳｂ又はＷであること
を特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１５】請求項１３又は１４において、前記放熱層の膜厚が２００〜１０００Åであることを特
徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１６】請求項１５において、前記下地層の表面を、０.０２Ｗ／ｃｍ²〜０.０８Ｗ／
ｃｍ²の範囲のエッチングパワーでエッチング処理した
後、前記再生層と前記記録層を成膜して成ることを特徴
とする光磁気記録媒体。
【請求項１７】請求項１３から１５において、前記放熱層はＲＦマグネトロンスパッタ法により１００
〜１０００ＷのＲＦパワー、１〜１０ｍＴｏｒｒのアル
ゴン圧力で形成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１８】請求項１１において、前記透光性ポリカーボネート基板は、複屈折が２０〜２５ｎｍであり、該複屈折の周方向の変動が６〜１０ｎｍであり、グルーブとランドのコーナーでの曲率半径が３５〜５０
ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１９】請求項１１又は１８において、前記透光性ポリカーボネート基板は、表面粗さが１００
〜５００Åであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２０】請求項１において、前記記録層は、反強磁性から強磁性への一次転換点を５
０℃以上に設定する磁性層であることを特徴とする光磁
気記録媒体。
【請求項２１】請求項２０において、前記記録層は、（Ｍｎ_(100-x)Ｍ_x）₂Ｓｂ（Ｍ＝Ｃｒ，
Ｖ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇｅ，Ａｓ）であることを特徴
とする光磁気記録媒体。
【請求項２２】請求項２１において、Ｍ＝Ｃｒ、ｘ＝１０〜３０ａｔ％であることを特徴とす
る光磁気記録媒体。
【請求項２３】請求項１から１９記載の光磁気記録媒
体において、記録時の外部印加磁界が５０〜２００Ｏｅであることを
特徴とする光磁気記録媒体の記録方法。
【請求項２４】請求項１から２３記載の光磁気記録媒
体の記録において、記録時のレーザパルスのデューティを２０〜６０％に、パルス磁界とレーザパルスの位相差を０〜６０ｎｓｅｃ
に設定したことを特徴とする光磁気記録媒体の記録方
法。
【請求項２５】請求項２４記載の記録方法で記録した
光磁気記録媒体の再生において、１.１〜１.３ｍ／ｓｅｃの再生線速度において再生パワ
ーを１.５〜２.２ｍＷに、１.５〜１.７ｍ／ｓｅｃの再生線速度において再生パワ
ーを１.８〜２.７ｍＷに、１.９〜２.１ｍ／ｓｅｃの再生線速度において再生パワ
ーを２.０〜３.０ｍＷに、２.９〜３.１ｍ／ｓｅｃの再生線速度において再生パワ
ーを２.４〜３.７ｍＷに、４.９〜５.１ｍ／ｓｅｃの再生線速度において再生パワ
ーを３.２〜４.５ｍＷに、８.９〜９.１ｍ／ｓｅｃの再生線速度において再生パワ
ーを４.０〜６.０ｍＷに、それぞれ設定したことを特徴
とする光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項２６】請求項３記載の光磁気記録媒体を製造
する方法において、前記下地層を成膜後、該下地層表面にスパッタエッチン
グ処理を施し、その後に、前記Ｃｏを１２ａｔ％〜５０ａｔ％含む再生
層を成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項２７】請求項２６において、前記下地層を成膜後、該下地層表面に０.０２Ｗ／ｃｍ²
〜０.０８Ｗ／ｃｍ²の範囲のエッチングパワーでスパッ
タエッチング処理を施し、その後に、前記Ｃｏを１２ａｔ％〜５０ａｔ％含む再生
層を成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項２８】請求項２７において、前記記録層を、Ｃｏの含有率が１０ａｔ％〜１６ａｔ％
の範囲であるＴｂＦｅＣｏで成膜することを特徴とする
光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２９】請求項２７において、前記再生層を、Ｇｄの含有率が３０ａｔ％〜３６ａｔ％
の範囲であるＧｄＦｅＣｏで成膜することを特徴とする
光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３０】請求項２９において、前記再生層を、２〜７ｍＴｏｒｒの範囲のスパッタガス
圧で成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。