JP2002074751A

JP2002074751A - 光学記録媒体および光学記録媒体の再生方法

Info

Publication number: JP2002074751A
Application number: JP2000261397A
Authority: JP
Inventors: Teruyuki Ota; 輝之太田; Kazutomo Miyata; 一智宮田; Makoto Watanabe; 渡辺　　誠
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-08-30
Filing date: 2000-08-30
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に記録再生層と非線形材料層とが設け
られた光学記録媒体において、光学的に実効的な光スポ
ット径の小径化を図り、記録密度の高密度化を可能にす
るとともに、情報信号のクロストークを防止する。【解決手段】光磁気ディスク１を、ディスク基板２上
に、ＡｌＴｉからなる反射層４、Ｓｂからなる非線形材
料層６、ＴｂＦｅＣｏからなる記録再生層７、およびＳ
ｉＮからなる第２の誘電体層８を少なくとも積層させて
構成する。これらの各層を、非線形材料層６における結
晶状態を維持する所定のしきい値温度未満の領域（室温
近傍領域１１）において、レーザ光Ｌ₁の反射を抑制す
る条件が成立し、所定のしきい値温度以上の領域（高温
領域１２）において、レーザ光Ｌ ₁の反射光が得られる
ようにする。この条件を有効フレネル係数法による計算
シュミレーションにより設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光学記録媒体お
よび光学記録媒体の再生方法に関し、特に、透過率が温
度により非線形的に変化する非線形材料からなる層を有
する光学記録媒体に適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、基板上に信号記録層や誘電体
層などが積層された積層膜が設けられ、信号記録層に光
を照射することにより情報信号の書き込みや読み出し
（記録／再生）が行われる光学記録媒体が普及してい
る。

【０００３】これらの光学記録媒体のうちの光磁気ディ
スクは、信号記録層として非晶質の希土類遷移金属合金
などからなる光磁気記録膜が用いられ、この信号記録層
にレーザ光を照射しながら外部磁化を印加することによ
り、情報の記録が行われる。また、記録された情報の再
生は、信号記録層にレーザ光を照射し、その反射光の偏
光面の回転を検出することにより行われる。

【０００４】これらの光学記録媒体において、できるだ
け多くの情報を記録可能にするために、記録密度の高密
度化が盛んに進められている。これまでの光学記録媒体
の高密度化は、媒体に集光される光スポット径を小さく
することにより行われてきた。光スポット径は、使用さ
れる光源の波長（λ）と対物レンズの開口数（Numerica
l Aperture、ＮＡ）とにより制限され、ほぼλ／（２Ｎ
Ａ）に比例する。したがって、高記録密度化を達成する
ためには、レーザ光の短波長化、そして対物レンズの高
ＮＡ化が要求される。

【０００５】まず、レーザ光の短波長化に関しては、第
１世代光ディスクにおいて、レーザ光の波長λが８３０
ｎｍであったものが、現在、普及し始めているＤＶＤ
（Digital Versatile Disc）においては、６５０ｎｍま
で短波長化されている。また、ＮＡに関しても、第１世
代光ディスクにおいて、対物レンズのＮＡが０．４５程
度であったものが、ＤＶＤにおいては０．６０程度にま
で高くなり、高ＮＡ化が進んでいる。

【０００６】さらに、光源となる半導体レーザの開発も
進められており、最近では、波長４００ｎｍの青色帯の
レーザ光を照射可能な半導体レーザも開発されてきてい
る。また、ＮＡを０．８５とした光ディスクシステムの
実用化に向けての開発も盛んに行われている。

【０００７】一方、光磁気記録膜間の相互作用や非線形
材料を利用することによって、実効的なスポット径を小
さくする技術も提案されている。

【０００８】この実効的なスポット径の小径化技術のう
ち、磁気的超解像は、多層化された光磁気記録層間の交
換結合または静磁結合の温度依存性を利用し、光スポッ
ト内の高温部分または低温部分、もしくはそれらの両方
の部分を磁気的にマスクすることによって、実効的な光
スポット径を小さくし、再生を行う技術であり、現在、
製品化に至っている。

【０００９】非線形材料を利用した例としては、高温に
おいて急激に透過率が増加するアンチモン（Ｓｂ）膜を
利用した例が挙げられる。Ｓｂ膜はレーザ光が照射され
ることによって高温になると、結晶−アモルファス（非
晶質）相転位を起こす。そして、Ｓｂ膜のアモルファス
状態における消衰係数は、結晶状態における消衰係数と
大きく異なる。すなわち、Ｓｂ膜においては、結晶状態
における消衰係数に比して、アモルファス状態での消衰
係数は非常に小さくなる。そのため、高温のアモルファ
ス状態において、透過率は増加する。また、レーザ光の
照射を止めると、Ｓｂ膜は結晶状態に戻るため、透過率
は減少する。

【００１０】このＳｂ膜の光学特性の非線形性を利用し
て、光スポット内の高温部分にＳｂ膜の開口を設定し、
その開口からの情報を再生するという試みが行われてい
る。さらに、Ｓｂ膜の微小開口からしみだした光と情報
が記録されている信号記録層とをカップリングさせるこ
とによって、新しい近接場光記録再生方式の提案もなさ
れている。

【００１１】このように、高密度化のために実効的な光
スポット径を小さくすることにより、線密度方向のみな
らず、トラック方向の密度の高密度化をも図ることも可
能である。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、トラッ
ク方向の密度は、クロストーク防止の観点から、おのず
と制限されてしまうという問題があり、トラック方向の
密度の増加を図ることは、非常に困難であった。

【００１３】したがって、この発明の目的は、基板上
に、少なくとも記録再生層と透過率が非線形的に変化す
る非線形材料からなる層とからなる積層膜が設けられ、
レーザ光を照射することにより、情報信号を再生可能に
構成された光学記録媒体において、光学的に実効的な光
スポット径の小径化を図ることができ、高密度化を可能
とし、さらに情報信号のクロストークを防止することが
できる光学記録媒体および光学記録媒体の再生方法を提
供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要を説明する。

【００１５】すなわち、本発明者の知見によれば、非線
形材料からなる層を有する光学記録媒体においてクロス
トークを低減するには、所望の反射光を得る領域以外の
領域における反射光を可能な限り低減することが必要で
ある。そこで、本発明者は、レーザ光の反射を所望の領
域からのみ得て、必要のない領域からのレーザ光の反射
を防止する方法について鋭意検討を重ねた。この鋭意検
討の結果、本発明者は、光学記録媒体を構成する多層薄
膜に着目し、多層薄膜における光波解析について検討を
行うのが好ましいことを想起し、さらに検討を重ねた。
そして、この検討の結果、本発明者は、有効フレネル(F
resnel)係数法により、多層薄膜における反射率、透過
率の計算が可能となり、光学記録媒体を構成する各層の
複素屈折率（屈折率、消衰係数）および膜厚が分かれ
ば、多層膜における反射率および透過率を求めることが
できることを知見し、これにより、レーザ光の所望しな
い領域からの反射を抑制する条件を設定することができ
ることを想起した。

【００１６】ここで、有効フレネル係数法による多層薄
膜の反射率および透過率の計算方法について説明する。
なお、多層薄膜としては、３層薄膜を例として説明す
る。

【００１７】すなわち、図１４Ａに示すように、例えば
大気を媒質０とし、媒質１、媒質２、媒質３とからなる
３層薄膜において、入射光が垂直に入射する場合、媒質
３の２つの境界における多重干渉の結果求められる振幅
反射率および振幅透過率は、次式により求めることがで
きる。

【００１８】

【数１】なお、媒質３と媒質０とのフレネル係数をｒ₃，ｔ₃、媒
質２と媒質３とのフレネル係数をｒ₂，ｔ₂とし、ｎ_j(ｊ
＝０，１，２，３)をそれぞれの媒質の屈折率、ｋ_j（ｊ
＝０，１，２，３）をそれぞれの媒質の消衰係数、ｄ_j
をそれぞれの媒質の膜厚、ｉを虚数単位とする。また、

【数２】をそれぞれ媒質３と媒質０との複素屈折率とし、例え
ば、図１４Ｂに示すような媒質３と媒質０とのフレネル
係数ｒ₃，ｔ₃は、上述の媒質３および媒質０の複素屈折
率を用いて、次式のようにして求めることができる。

【００１９】

【数３】

【００２０】次に、媒質２の媒質３との境界における有
効フレネル係数を、上式の(1a),(1b)とする。そして、
図１４Ｃに示すように、これらの有効フレネル係数およ
び、媒質１と媒質２とのフレネル係数ｒ₁，ｔ₁により、
媒質２の２つの境界における多重干渉の結果求められる
振幅反射率および振幅透過率が、次式により求められ
る。

【００２１】

【数４】

【００２２】以上の計算を媒質１まで繰り返し行うこと
により、多層膜の反射率および透過率を求めることがで
きる。したがって、多層膜において、それぞれの層に固
有の複素屈折率（屈折率、消衰係数）、およびそれぞれ
の層の膜厚を用いて、多層膜の反射率および透過率を求
めることができる。

【００２３】以上のことから、本発明者は、所望の領域
以外の領域からの反射を抑制するためには、レーザ光の
照射によって加熱され透過率が急激に増加した領域のみ
からレーザ光の反射光を得ることができ、透過率が変化
しない領域からの反射を抑制するように、光学記録媒体
を構成する各層の条件を設定することが好ましいことを
想起した。さらに、そのような無反射条件は、有効フレ
ネル係数法により計算可能であることを想起した。

【００２４】上記目的を達成するために、この発明の第
１の発明は、基板上に、少なくとも記録再生層と透過率
が非線形的に変化する非線形材料層とが積層されて設け
られ、レーザ光を照射することにより加熱された領域に
おいて情報信号を再生可能に構成された光学記録媒体に
おいて、非線形材料層における所定のしきい値温度未満
の領域に、レーザ光の無反射条件が成立し、非線形材料
層における所定のしきい値温度以上の領域に、レーザ光
を反射可能に構成されていることを特徴とするものであ
る。

【００２５】この第１の発明において、典型的には、レ
ーザ光に対してしきい値温度以上の領域から得られる反
射光により、光学記録媒体のトラッキングまたはフォー
カシングを行うことができるように構成されている。

【００２６】この発明の第２の発明は、基板上に、少な
くとも記録再生層と透過率が非線形的に変化する非線形
材料層とが積層され、レーザ光の照射により情報信号を
再生するようにした光学記録媒体の再生方法において、
非線形材料層が透過率の変化するしきい値温度未満のと
きに、光学記録媒体に照射されたレーザ光を反射しない
条件が成立し、レーザ光の照射領域における非線形材料
層がしきい値温度以上のときに、光学記録媒体にレーザ
光を照射して、レーザ光の反射が得られるように構成さ
れ、光学記録媒体におけるしきい値温度以上の領域から
得られるレーザ光の反射光により、情報信号の再生を行
うようにしたことを特徴とするものである。

【００２７】この第２の発明において、典型的には、レ
ーザ光に対してしきい値温度以上の領域から得られる反
射光を用いて、光学記録媒体のトラッキングまたはフォ
ーカシングを行うようにしている。

【００２８】この発明において、典型的には、非線形材
料からなる層のしきい値温度は、１００℃以上２５０℃
以下の温度であり、好適には、しきい値温度は、１５０
℃以上２２０℃以下の温度である。

【００２９】この発明において、典型的には、記録再生
層は、光磁気記録可能な材料から構成されており、具体
的には、ＴｂＦｅＣｏ合金からなる単層、ＴｂＦｅＣｏ
合金層とＧｄＦｅＣｏ合金層とからなる積層膜、複数の
ＴｂＦｅＣｏ合金層と、ＧｄＦｅＣｏ合金層とを積層さ
せた積層膜などを用いることが可能である。

【００３０】この発明において、典型的には、光学記録
媒体は、レーザ光の反射光（反射信号）が、光学的エン
ハンスメント条件を満たすように構成されている。

【００３１】この発明において、典型的には、光学記録
媒体は、レーザ光に対する反射率を調整可能に構成され
た反射率調整層が設けられている。換言すると、この発
明による光学記録媒体においては、レーザ光に対する透
過率を調整するための透過率調整層が設けられている。

【００３２】上述のように構成されたこの発明による光
学記録媒体および光学記録媒体の再生方法によれば、光
学記録媒体を構成する各層を、非線形材料層が結晶状態
と非晶質状態との相変化を生じるしきい値温度未満の領
域からレーザ光の反射が得られない条件を満たすように
構成していることにより、非線形材料層のうちしきい値
温度以上の領域からの反射光のみを得ることができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。

【００３４】まず、この発明の第１の実施形態による光
磁気ディスクについて説明する。図１に、この第１の実
施形態による光磁気ディスク１を示し、図２に、その再
生方法を示す。なお、この第１の実施形態による光磁気
ディスク１は、例えば浮上型光学ヘッドのような記録層
に近い位置にある光学ヘッドにより、基板上の積層膜が
設けられている側から光が入射されて、情報信号の記録
／再生が行われる形式の光磁気ディスクである。

【００３５】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる光磁気ディスク１は、ディスク基板２上に、下地層
３、反射層４、第１の誘電体層５、例えばアンチモン
（Ｓｂ）からなる非線形材料層６、記録再生層７、保護
層としての第２の誘電体層８が順次積層されて構成され
ている。

【００３６】ディスク基板２は、例えば射出成形法によ
り樹脂材料をディスク状に成形したものからなる。この
樹脂材料としては、例えばシクロオレフィンポリマー
（例えば、日本ゼオン株式会社製のゼオネックス（登録
商標））やポリカーボネートなどの合成樹脂材料が用い
られ、この第１の実施形態においては、例えばシクロオ
レフィンポリマーからなるものが用いられる。なお、デ
ィスク基板２として、例えばアルミニウム（Ａｌ）など
の金属からなる基板や、ガラス基板を用いることも可能
である。

【００３７】また、ディスク基板２上に設けられた下地
層３は、例えば膜厚が１０ｎｍ程度の窒化シリコン（Ｓ
ｉＮ）からなる。この下地層３は、この下地層３を設け
ない場合に比して、反射層４とディスク基板２との間の
密着性を向上させるためのものである。また、下地層３
は、ディスク基板２に含有された水分（Ｈ₂Ｏ）が記録
再生層７などに拡散するのを防止するためのものであ
る。このように水分の拡散を防止することにより、記録
再生層７における腐蝕の発生を低減することができる。

【００３８】また、下地層３上に設けられた反射層４
は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン化アルミニウ
ム（ＡｌＴｉ）、マグネシウム化アルミニウム（ＡｌＭ
ｇ）、珪化アルミニウム（ＡｌＳｉ）、銀パラジウム銅
（ＡｇＰｄＣｕ）合金、銀パラジウムチタン（ＡｇＰｄ
Ｔｉ）合金などからなり、この第１の実施形態において
は、例えばＡｌＴｉからなる。また、この反射層４の膜
厚は、２０〜５０ｎｍから選ばれ、この第１の実施形態
においては例えば４０ｎｍに選ばれる。反射層４は、光
磁気ディスク１の光学的な効率の向上を図るために照射
された光を反射するためのものであるとともに、記録再
生層７に照射された光による熱を拡散することにより、
記録再生層７における記録マークの大きさをコントロー
ルするためのものである。これによって、記録再生特性
が良好な状態に維持される。

【００３９】また、反射層４上に設けられた第１の誘電
体層５は、例えば膜厚が１０ｎｍのＳｉＮからなる。こ
の第１の誘電体層５は、記録再生層７における光磁気効
果を光学的にエンハンスするためのものである。

【００４０】また、第１の誘電体層５上に設けられた非
線形材料層６は、例えばＳｂ、テルル化アンチモン（Ｓ
ｂＴｅ）や酸化銀（Ａｇ₂Ｏ）などからなり、この第１
の実施形態においては、例えばＳｂからなる。また、こ
の非線形材料層６の膜厚は、１０〜５０ｎｍから選ば
れ、この第１の実施形態においては、例えば１０ｎｍに
選ばれる。

【００４１】また、非線形材料層６上に設けられた記録
再生層７は、希土類金属のテルビウム（Ｔｂ）と、遷移
金属の鉄（Ｆｅ）およびコバルト（Ｃｏ）とからなる希
土類合金から構成される。この記録再生層７は光磁気効
果を生じ、情報信号を記録するためのものである。ま
た、この記録再生層７の膜厚は、例えば１０〜１２０ｎ
ｍから選ばれ、この第１の実施形態においては例えば１
０ｎｍに選ばれる。なお、記録再生層７は、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金からなる単層膜以外にも、ＴｂＦｅＣｏ合金層と
ＧｄＦｅＣｏ合金層とからなる積層膜、複数のＴｂＦｅ
Ｃｏ合金層と、ＧｄＦｅＣｏ合金層とを積層させた積層
膜などを用いることが可能である。

【００４２】また、記録再生層７上に設けられた第２の
誘電体層８は、例えばＳｉＮなどの誘電体から構成され
る。この第２の誘電体層８は、光磁気ディスク１の光学
的な効率を向上させるためのものである。また、第２の
誘電体層８の膜厚は、光磁気ディスク１の非線形材料層
６が結晶状態のときに、少なくともレーザ光に対して無
反射条件が成立するように設定される。なお、第２の誘
電体層８の膜厚の設定に関する詳細は後述する。

【００４３】次に、以上のようにして構成された光磁気
ディスク１の製造方法について説明する。

【００４４】この第１の実施形態による光磁気ディスク
１の製造方法においては、まず、成膜用の例えばゼオネ
ックス（登録商標）からなるディスク基板２を、Ｓｉタ
ーゲットが設置された真空チャンバー内に搬入し、その
所定位置に載置する。次に、例えばアルゴン（Ａｒ）ガ
スとＮ₂ガスとの混合ガスを用いた反応性スパッタリン
グ法により、ディスク基板２上にＳｉＮを成膜する。こ
れにより、ディスク基板２上に、ＳｉＮからなる下地層
３が形成される。ここで、この反応性スパッタリング法
におけるガス圧は、例えば０．２〜０．８Ｐａである。

【００４５】次に、下地層３が形成されたディスク基板
２を、例えばＡｌＴｉターゲットが設置された真空チャ
ンバー内に搬入し、その所定位置に載置する。次に、例
えばＡｒガスを用いたスパッタリング法により、下地層
３上にＡｌＴｉを成膜する。これにより、下地層３上に
ＡｌＴｉからなる反射層４が形成される。ここで、この
スパッタリング法におけるガス圧は、例えば０．２〜
０．８Ｐａである。

【００４６】次に、下地層３および反射層４が順次形成
されたディスク基板２を、Ｓｉターゲットが設置されて
いる真空チャンバー内に搬送し、その所定位置に載置す
る。その後、例えばＡｒガスとＮ₂ガスとの混合ガスを
用いた反応性スパッタリング法により、反射層４上にＳ
ｉＮを成膜する。これによって、ＳｉＮからなる第１の
誘電体層５が形成される。ここで、この反応性スパッタ
リング法において用いられる混合ガスのガス圧は、例え
ば０．１〜０．７Ｐａの範囲から選ばれ、この第１の実
施形態においては、例えば０．５Ｐａに選ばれる。

【００４７】次に、下地層３、反射層４および第１の誘
電体層５が形成されたディスク基板２を、Ｓｂターゲッ
トが設置されている真空チャンバー内に搬送し、その所
定位置に載置する。その後、真空チャンバー内に例えば
Ａｒガスなどの不活性ガスを導入しつつ、例えばスパッ
タリング法により、第１の誘電体層５上にＳｂを成膜す
る。これにより、第１の誘電体層５上にＳｂからなる非
線形材料層６が形成される。ここで、このスパッタリン
グ法において用いられるＡｒガスのガス圧は、例えば
０．１〜０．７Ｐａから選ばれる。

【００４８】次に、下地層３、反射層４、第１の誘電体
層５および非線形材料層６が形成されたディスク基板２
を、ＴｂＦｅＣｏターゲットが設置された真空チャンバ
ー内に搬送する。次に、この真空チャンバーの内部の圧
力を例えば５×１０^-5Ｐａ程度にまで真空引きする。そ
の後、真空チャンバー内に例えばＡｒガスなどの不活性
ガスを導入しつつ、例えばスパッタリング法により、非
線形材料層６上にＴｂＦｅＣｏを成膜する。これによ
り、非線形材料層６上にＴｂＦｅＣｏ合金からなる記録
再生層７が形成される。ここで、このスパッタリング法
において用いられるＡｒガスのガス圧は、例えば０．１
〜０．８Ｐａから選ばれる。

【００４９】次に、下地層３、反射層４、第１の誘電体
層５、非線形材料層６および記録再生層７が形成された
ディスク基板２を、Ｓｉターゲットが設置された真空チ
ャンバー内に搬送する。その後、例えばＡｒガスとＮ₂
ガスとの混合ガスを用いた反応性スパッタリング法によ
り、記録再生層７上にＳｉＮを成膜する。これにより、
ＳｉＮからなる第２の誘電体層８が形成される。ここ
で、この反応性スパッタリング法において用いられる混
合ガスのガス圧は、例えば０．１〜０．７Ｐａの範囲か
ら選ばれる。

【００５０】その後、スパッタリングチャンバーから、
全ての膜が形成されたディスク基板２を搬出する。以上
により、目的とするこの第１の実施形態による光磁気デ
ィスク１が製造される。

【００５１】次に、この光磁気ディスク１における各層
の膜厚の設定方法について説明する。

【００５２】すなわち、本発明者は、以上のように構成
された光磁気ディスク１の構成において、反射率の計算
シュミレーションを行った。この計算シュミレーション
においては、第２の誘電体層８の膜厚をパラメータと
し、Ｓｂからなる非線形材料層６が結晶状態の場合につ
いての反射率の計算を行った。図２に、この第１の実施
形態による光磁気ディスク１における反射率の、第２の
誘電体層膜厚依存性の計算結果を示す。また、図３に、
この第１の実施形態による光磁気ディスク１の非線形材
料層６が結晶状態の場合の反射率と、非晶質状態の場合
の反射率との差の、第２の誘電体層膜厚依存性の計算結
果を示す。ここで、非線形材料層６が結晶状態とは、非
線形材料層６が室温近傍の部分にあることに対応し、非
線形材料層６が非晶質状態とは、非線形材料層６がレー
ザ光の照射により加熱されている状態に対応する。

【００５３】図２から、第２の誘電体層８が７０ｎｍ程
度のときに、反射率が極小になり、無反射条件を満たす
ことが分かる。すなわち、反射層４、第１の誘電体層
５、結晶状態の非線形材料層６および記録再生層７を上
述の膜厚に設定し、さらに、第２の誘電体層８の膜厚を
７０ｎｍ程度に設定することにより、室温近傍におい
て、再生に用いられるレーザ光の波長の光を反射しない
ようにすることができる。これにより、非線形材料層６
が非晶質状態になった部分からのみ反射光を得ることが
できるようになることが分かる。また、図３から、第２
の誘電体層８の膜厚が７０ｎｍ程度の場合において、反
射率差が−６％程度になることが分かり、十分に大きな
反射率差を確保することが可能になることが分かる。

【００５４】すなわち、図２および図３から、第２の誘
電体層８の膜厚が７０ｎｍ程度のとき、室温近傍の温度
において、非線形材料層６は結晶状態にあり、さらに光
磁気ディスク１の室温近傍にある領域からのレーザ光Ｌ
₁（例えば波長６５０ｎｍ程度の赤色レーザ光）の反射
が抑制されて無反射条件が成立することが分かる。ま
た、レーザ光Ｌ₁の照射により加熱されて、非晶質状態
となった高温領域においては、レーザ光Ｌ₁の反射を十
分に得ることができることが分かる。

【００５５】上述したような無反射条件の計算シュミレ
ーションは、第２の誘電体層８以外にも、反射層４、第
１の誘電体層５、非線形材料層６、または記録再生層７
の膜厚をパラメータとして計算することも可能である。
そして、この計算シュミレーションは、具体的には、フ
レネル係数法により計算することが望ましい。

【００５６】次に、上述のようにして製造された光磁気
ディスクの再生方法について説明する。図４に、この第
１の実施形態による光磁気ディスクの再生方法を示す。
なお、図４においては、光磁気ディスク１の主要部のみ
を示す。

【００５７】図４に示すように、この第１の実施形態に
よる光磁気ディスク１の再生方法においては、まず、第
２の誘電体層８側に対向するように設けられた光学ヘッ
ドから、図４中矢印方向に回転している光磁気ディスク
１に、ディスク基板２の第２の誘電体層８側から記録再
生層７および非線形材料層６に向けて、レーザ光Ｌ₁が
照射される。このレーザ光Ｌ₁の照射により非線形材料
層６が加熱され、その部分の温度が上昇する。そして、
レーザ光Ｌ₁が回転している光磁気ディスク１に光学ヘ
ッドを通して集光され、温度分布領域が生じる。この温
度分布領域においては、非線形材料層６が結晶状態を維
持している室温近傍領域１１と、非線形材料層６が非晶
質状態（アモルファス状態）に変化している高温領域１
２とが存在する。また、レーザ光Ｌ₁によって照射され
た領域において、非線形材料層６は、この層が有するし
きい値温度以上の温度に加熱され、その照射された領域
における透過率が、非線形的に変化し、具体的には、急
激に増加する。このとき、非線形材料層６においては、
温度の上昇により透過率が急激に増加した透過率変化領
域６ａと、通常の室温近傍の温度領域で、透過率が変化
しない透過率非変化領域６ｂとが生じる。なお、非線形
材料層６が結晶状態と非結晶状態との相変化を生じる、
いわゆる非線形効果の生じるしきい値温度は、記録／再
生の際に使用する半導体レーザのパワーにより制約さ
れ、典型的には１００〜２５０℃、好適には１５０〜２
２０℃の範囲内のものが用いられる。このしきい値温度
が高すぎると、記録再生層７に保持されている記録情報
が劣化してしまい、低すぎると、透過率の変化する領域
の拡大が発生するため、隣接トラックからの反射、いわ
ゆるクロストークが生じてしまう。

【００５８】室温近傍領域１１は、レーザ光Ｌ₁が照射
されているが、レーザ光Ｌ₁の照射分布の裾であるか、
レーザ光Ｌ₁が照射されて間もない領域であり、その温
度がほとんど上昇していない領域を示す。そして、非線
形材料層６については、結晶状態を維持した透過率非変
化領域６ｂとなる。他方、高温領域１２は、レーザ光Ｌ
₁が十分に照射された領域であり、その温度が非線形材
料層６のしきい値温度以上に加熱された領域を示す。そ
して、非線形材料層６については、結晶状態から非晶質
状態に変化することにより透過率が急激に増加した、透
過率変化領域６ａとなる。

【００５９】このように、レーザ光Ｌ₁を照射すること
により、記録再生層７および非線形材料層６が加熱され
る。このとき、室温近傍領域１１においては無反射条件
が成立している。

【００６０】他方、レーザ光Ｌ₁により加熱された領域
（高温領域１２）においては、上述したように、非線形
材料層６の透過率が急激に増加するとともに、高温領域
１２における反射信号からの情報を再生可能になるよう
に各層の光学特性を設定しているため、レーザ光Ｌ₁の
反射を得ることができ、そこからの再生信号を得ること
ができる。また、光磁気ディスク１を構成する各層が、
高温領域１２におけるレーザ光Ｌ₁の反射光、すなわち
反射信号が光学的エンハンスメント条件を満たすように
構成されているため、光学的エンハンスメントをも向上
される。

【００６１】ここで、上述したように、室温近傍領域１
１においては、第２の誘電体層８、記録再生層７、第１
の誘電体層５、および反射層４の光学特性を調整するこ
とによって無反射条件になるとともに、高温領域１２に
おいて反射が得られるように、望ましくは、光学的エン
ハンスメント条件が得られるように設定されている。し
たがって、室温近傍領域１１からのレーザ光Ｌ₁による
反射信号はなく、高温領域１２におけるレーザ光Ｌ₁の
反射信号のみが得られ、再生が行われる。

【００６２】また、この第１の実施形態による光磁気デ
ィスク１のフォーカシングおよびトラッキングにおいて
は、高温領域１２において得られる反射光に基づいた反
射信号を用いて行われる。

【００６３】また、この第１の実施形態における光磁気
ディスク１への情報信号の書き込み（記録）は、従来に
おけると同様に、まず、ディスク基板２に対して第２の
誘電体層８側に設置された光学ヘッドからレーザ光Ｌ₁
を照射する。これにより、記録再生層７の温度が上昇す
る。この温度は、記録再生層７のキュリー温度より高い
ために、この段階で磁場を印加することにより、情報信
号が記録される。

【００６４】以上説明したように、この第１の実施形態
によれば、ディスク基板２上に設けられた、反射層４、
第１の誘電体層５、非線形材料層６、記録再生層７およ
び第２の誘電体層８からなる積層膜を、非線形材料層６
が結晶状態を維持可能な温度において、照射されたレー
ザ光が無反射となるような条件にしていることにより、
非線形材料層６におけるレーザ光Ｌ₁の照射部分が非晶
質状態に変化するしきい値温度以上になる高温領域１２
からのみ反射信号を得るとともに、この高温領域１２以
外の室温近傍領域１１からの反射を抑制することができ
るので、高温領域１２によって規定される実効的なスポ
ット径の小径化を図ることができ、再生分解能を向上さ
せることができる。また、室温近傍領域１１からの反射
光が得られないため、隣接トラックからのクロストーク
をキャンセルすることができるので、そのクロストーク
の抑制を図ることができる。

【００６５】次に、この発明の第２の実施形態による光
磁気ディスクについて説明する。図５に、この第２の実
施形態による光磁気ディスク２１を示す。

【００６６】この第２の実施形態による光磁気ディスク
２１においては、ディスク基板２上に下地層３、反射層
４、第１の誘電体層５、非線形材料層６、記録再生層
７、第２の誘電体層８、ＡｇＰｄＣｕ合金からなる反射
率調整層２２、および水素化カーボンからなる保護層２
３が順次積層されて設けられいる。ここで、これらの層
の膜厚は、室温近傍の温度において、この光磁気ディス
ク２１の再生時に用いられるレーザ光Ｌ₁の波長域の光
が反射しない条件が選ばれる。一例を挙げると、反射層
４の膜厚は４０ｎｍ、第１の誘電体層５の膜厚は１０ｎ
ｍ、非線形材料層６の膜厚は３０ｎｍ、記録再生層７の
膜厚は２０ｎｍ、第２の誘電体層８の膜厚は１００ｎ
ｍ、反射率調整層２２の膜厚は１０ｎｍ、および保護層
２３の膜厚は１０ｎｍである。なお、これらの膜厚はあ
くまでも一例であり、その他の膜厚の組み合わせも可能
である。

【００６７】次に、この第２の実施形態による光磁気デ
ィスクの製造方法においては、まず、第１の実施形態に
おけると同様にして、ディスク基板２上に下地層３から
第２の誘電体層８まで順次形成する。

【００６８】次に、第１の実施形態におけると異なり、
第２の誘電体層８まで形成されたディスク基板２を、例
えばＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットが設置された真空チャ
ンバー内に搬送し、その所定位置に載置する。その後、
例えばＡｒガスを用いたスパッタリング法により、第２
の誘電体層８上にＡｇＰｄＣｕ合金を成膜する。これに
より、ＡｇＰｄＣｕ合金からなる反射率調整層２２が形
成される。ここで、このスパッタリング法において用い
られるＡｒガスのガス圧は、例えば０．２〜０．８Ｐａ
の範囲から選ばれる。

【００６９】次に、下地層３から反射率調整層２２まで
が形成されたディスク基板２を、例えばカーボンターゲ
ットが設置された真空チャンバー内に搬送し、その所定
位置に載置する。その後、例えばＡｒガスにＨ₂ガスを
添加した混合ガスを用いて、例えばスパッタリング法に
より、反射率調整層２２上に水素化カーボンを成膜す
る。これにより水素化カーボンからなる保護層２３が形
成される。ここで、このスパッタリング法において用い
られる混合ガスのガス圧は、例えば０．２〜０．８Ｐａ
から選ばれる。

【００７０】その後、スパッタリングチャンバーから、
全ての膜が形成されたディスク基板２を搬出する。以上
により、目的とするこの第２の実施形態による光磁気デ
ィスク２１が製造される。

【００７１】次に、この光磁気ディスク２１における各
層の膜厚の設定方法について説明する。

【００７２】すなわち、本発明者は、以上のように構成
された光磁気ディスク２１の構成において、反射率の計
算シュミレーションを行う。この計算シュミレーション
においては、第２の誘電体層８の膜厚をパラメータと
し、Ｓｂからなる非線形材料層６が結晶状態の場合につ
いての反射率の計算を行った。図６に、この第２の実施
形態による光磁気ディスク２１における反射率の、第２
の誘電体層膜厚依存性の計算結果を示す。また、図７
に、この第２の実施形態による光磁気ディスク２１の非
線形材料層６が結晶状態の場合の反射率と、非晶質状態
（アモルファス状態）の場合の反射率との差の、第２の
誘電体層膜厚依存性の計算結果を示す。

【００７３】図６から、第２の誘電体層８が１００ｎｍ
程度のときに、反射率が極小になり、無反射条件を満た
すことが分かる。すなわち、反射層４、第１の誘電体層
５、結晶状態の非線形材料層６、記録再生層７、反射率
調整層２２および保護層２３を上述の膜厚に設定し、さ
らに、第２の誘電体層８の膜厚を１００ｎｍに設定する
ことにより、室温近傍において、再生に用いられるレー
ザ光の波長の光を反射しないようにすることができ、非
線形材料層６が非晶質状態になった部分からのみ反射光
を得ることができるようになることが分かる。また、図
７から、第２の誘電体層８の膜厚が１００ｎｍ程度の場
合において、反射率差が極小値に近くなり、十分な反射
率差を得ることができることが分かる。

【００７４】すなわち、図６および図７から、第２の誘
電体層８の膜厚が１００ｎｍ程度のとき、非線形材料層
６が結晶状態を維持可能なしきい値温度以下の温度、す
なわち室温近傍の温度において、光学記録媒体にレーザ
光を照射した場合に無反射条件が成立しているので、レ
ーザ光により非線形材料層６の加熱され、高温になった
高温領域１２のみからレーザ光の反射光を得ることがで
きることが分かる。

【００７５】また、ディスク基板２上におけるこれらの
膜のうち、下地層３、反射層４、第１の誘電体層５、非
線形材料層６、記録再生層７および第２の誘電体層８に
ついては、第１の実施形態におけると同様である。

【００７６】また、第２の誘電体層８上に設けられた反
射率調整層２２は、光磁気ディスク２１に照射されるレ
ーザ光の反射率を調整するためのものである。この第１
の実施形態においては、反射率調整層２２は、例えば膜
厚が１０ｎｍの銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）合金か
らなる。また、反射率調整層２２上に設けられた保護層
２３は、この光磁気ディスク２１を構成する下地層３、
反射層４、第１の誘電体層５、非線形材料層６、記録再
生層７、第２の誘電体層８および反射率調整層２２を保
護するためのものであるとともに、記録や再生の際に用
いられる光学ヘッドに対する摺動性を十分に確保するた
めのものである。そのため、この第２の実施形態による
光磁気ディスク２１においては、保護層２３は、例えば
その膜厚が１０ｎｍの水素化カーボンからなる。

【００７７】そして、この第２の実施形態によるこれら
の反射率調整層２２および保護層２３が積層された光磁
気ディスク２１においても、レーザ光Ｌ₁が照射された
ことにより加熱された高温領域１２においてレーザ光Ｌ
₁の反射光が得られ、それ以外の部分の室温近傍領域１
１においてはレーザ光Ｌ₁の反射光を得ることがないよ
うに、光学特性が設定されている。

【００７８】この第２の実施形態による光磁気ディスク
における再生方法および記録方法に関しては、第１の実
施形態におけると同様であるので、説明を省略する。

【００７９】以上説明したように、この第２の実施形態
によれば、ディスク基板２上の各層を、室温近傍の温度
において無反射条件が成立するように構成していること
により、レーザ光Ｌ₁の照射により加熱された領域から
の反射光のみを得ることができ、その他の室温近傍の温
度の領域からの反射光を抑制することができるため、第
１の実施形態におけると同様の効果を得ることができ
る。

【００８０】次に、この発明の第３の実施形態による光
磁気ディスクについて説明する。なお、この第３の実施
形態による光磁気ディスクは、ディスク基板が設けられ
た側からレーザ光Ｌ₁を照射することにより、情報信号
の記録／再生を行うように構成された光磁気ディスクで
ある。図８に、この第３の実施形態による光磁気ディス
クを示す。

【００８１】図８に示すように、この第３の実施形態に
よる光磁気ディスク３１においては、ディスク基板３２
上に、第１の誘電体層３３、記録再生層３４、Ｓｂから
なる非線形材料層３５、第２の誘電体層３６および反射
層３７が順次積層されて設けられている。

【００８２】ディスク基板３２は、第１の誘電体層３
３、記録再生層３４、非線形材料層３５、第２の誘電体
層３６および反射層３７は、第１の実施形態におけると
同様の構成を有する。また、これらの膜の膜厚の一例を
挙げると、それぞれ記録再生層３４の膜厚が１０ｎｍ、
非線形材料層３５の膜厚が５ｎｍ、第２の誘電体層３６
の膜厚が１００ｎｍ、反射層３７の膜厚が４０ｎｍであ
る。

【００８３】また、この第３の実施形態による光磁気デ
ィスク３１の製造方法、記録方法および再生方法におい
ては、第１の実施形態におけると同様であるので、説明
を省略する。

【００８４】また、この第３の実施形態による光磁気デ
ィスク３１を構成する各層において、室温近傍で無反射
条件が成立するようにした設定方法について説明する。

【００８５】すなわち、本発明者は、以上のように構成
された光磁気ディスク３１の構成において、反射率の計
算シュミレーションを行った。この計算シュミレーショ
ンにおいては、第１の誘電体層３３の膜厚をパラメータ
とし、Ｓｂからなる非線形材料層３５が結晶状態の場合
について反射率の計算を行った。図９に、この第３の実
施形態による光磁気ディスク３１における反射率の、第
１の誘電体層膜厚依存性の計算結果を示す。また、図１
０に、この第３の実施形態による光磁気ディスク３１の
非線形材料層３５が結晶状態の場合の反射率と、非晶質
状態の場合の反射率との差の、第１の誘電体層膜厚依存
性の計算結果を示す。

【００８６】図９から、第１の誘電体層３３が２４０ｎ
ｍ程度のときに、反射率が極小になり、非線形材料層３
５が結晶状態であるとともに、室温近傍の温度の場合
に、少なくともレーザ光Ｌ₁の波長の光を反射しない条
件を満たすことが分かる。すなわち、記録再生層３４、
非線形材料層３５、第２の誘電体層３６および反射層３
７を上述の膜厚に設定し、さらに、第１の誘電体層３３
の膜厚を２４０ｎｍに設定することにより、室温近傍に
おいて、再生に用いられるレーザ光の波長の光を反射し
ないようにすることができ、非線形材料層６が非晶質状
態になった部分からのみ反射光を得ることができるよう
になることが分かる。また、図１０から、第１の誘電体
層３３の膜厚が２４０ｎｍ程度の場合において、反射率
差が−６％〜−５％程度になることが分かり、十分に大
きな反射率差を確保することが可能になることが分か
る。

【００８７】以上説明したように、この第３の実施形態
による光磁気ディスク３１においては、光磁気ディスク
３１を構成する第１の誘電体層３３、記録再生層３４、
非線形材料層３５、第２の誘電体層３６および反射層３
７のそれぞれの膜厚を、室温近傍において少なくとも再
生に用いられるレーザ光を反射しない条件にすることに
より、非線形材料層３５が加熱されて非晶質状態になっ
た部分以外の部分（非線形材料層３５が結晶状態の部
分）からのレーザ光の反射を得られないようにすること
ができるので、隣接トラックからのクロストークを防止
することができるとともに、実効的な光スポット径の縮
小化を図ることができる。

【００８８】次に、この発明の第４の実施形態による光
磁気ディスクについて説明する。図１１に、この第２の
実施形態による光磁気ディスク４１を示す。

【００８９】この第４の実施形態による光磁気ディスク
４１においては、例えばゼオネックス（登録商標）から
なるディスク基板４２上に、例えばＳｉＮからなる下地
層４３、例えばＡｌＴｉからなる反射層４４、例えばＳ
ｉＮからなる第１の誘電体層４５、例えばＳｂＴｅから
なる非線形材料層４６、例えばＴｂＦｅＣｏからなる記
録再生層４７、および例えばＳｉＮからなる第２の誘電
体層４８が順次積層されて設けられている。ここで、こ
れらの層の膜厚は、室温近傍の温度において、この光磁
気ディスク４１の再生時に用いられるレーザ光Ｌ₂（例
えば波長が４００ｎｍ程度の青色レーザ光）の波長域の
光が反射しない条件が選ばれ、一例を挙げると、反射層
４の膜厚は４０ｎｍ、第１の誘電体層５の膜厚は６０ｎ
ｍ、非線形材料層６の膜厚は１０ｎｍ、記録再生層７の
膜厚は１０ｎｍである。また、レーザ光Ｌ₂の波長域の
光が反射しない条件、すなわち光学条件には影響を及ぼ
さないが、光磁気ディスク４１における腐食を防止し、
ディスク基板４２との密着性を向上させるための下地層
４３の膜厚は、例えば１０ｎｍである。なお、上述した
これらの膜厚はあくまでも一例であり、室温近傍におい
てレーザ光Ｌ₂の反射が得られない条件に基づいて、そ
の他の膜厚の組み合わせを選択することも可能である。

【００９０】次に、この光磁気ディスク２１における各
層の膜厚の設定方法について説明する。

【００９１】すなわち、本発明者は、以上のように構成
された光磁気ディスク４１の構成において、反射率の計
算シュミレーションを行った。この計算シュミレーショ
ンにおいては、第２の誘電体層４８の膜厚をパラメータ
とし、ＳｂＴｅからなる非線形材料層４６が結晶状態の
場合についての反射率の計算を行った。図１２に、この
第４の実施形態による光磁気ディスク４１における反射
率の、第２の誘電体層膜厚依存性の計算結果を示す。ま
た、図１３に、この第４の実施形態による光磁気ディス
ク４１の非線形材料層４６が結晶状態の場合の反射率
と、非晶質状態の場合の反射率との差の、第２の誘電体
層膜厚依存性の計算結果を示す。ここで、非線形材料層
４６が結晶状態とは、非線形材料層４６が室温近傍の部
分にあることに対応し、非線形材料層４６が非晶質状態
とは、非線形材料層４６がレーザ光の照射により加熱さ
れている状態に対応する。

【００９２】図１２から、第２の誘電体層８が１４０ｎ
ｍ程度のときに、反射率が極小になるとともに、無反射
条件を満たすようになることが分かる。すなわち、反射
層４４、第１の誘電体層４５、結晶状態の非線形材料層
４６、記録再生層４７を上述した膜厚に設定し、さら
に、第２の誘電体層４８の膜厚を１４０ｎｍ程度に設定
することにより、室温近傍において、再生に用いられる
レーザ光Ｌ₂の波長の光を反射しないようにすることが
でき、これによって、非線形材料層４６が非晶質状態に
なった部分のみから反射光を得ることが可能になること
が分かる。また、図１３から、第２の誘電体層４８の膜
厚が１４０ｎｍ程度の場合において、反射率差が−１０
％〜−６％程度になり、十分な反射率差が確保されてい
ることが分かる。

【００９３】すなわち、図１２および図１３から、第２
の誘電体層４８の膜厚が１４０ｎｍ程度のとき、室温近
傍の温度において非線形材料層４６が結晶状態になり、
このときにレーザ光Ｌ₂を反射しない無反射条件が成立
しているので、レーザ光Ｌ₂の照射領域のうち、室温近
傍領域１１からの反射を抑制し、高温領域１２のみから
反射光を得ることができることが可能になることが分か
る。

【００９４】また、以上のように構成されたこの第４の
実施形態による光磁気ディスク４１の製造方法、光磁気
ディスク４１における再生方法および記録方法に関して
は、第１の実施形態におけると同様であるので、説明を
省略する。

【００９５】以上説明したように、この第４の実施形態
によれば、ディスク基板４２上の各層を、室温近傍の温
度において無反射条件が成立するように構成しているこ
とにより、レーザ光Ｌ₂の照射により加熱された領域か
らの反射光のみを得ることができ、その他の室温近傍の
温度の領域からの反射光を抑制することができるため、
第１の実施形態におけると同様の効果を得ることができ
る。

【００９６】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。

【００９７】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値、材料はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと
異なる数値、材料を用いてもよい。

【００９８】また、上述の第１の実施形態においては、
記録再生層７の材料として、ＴｂＦｅＣｏを用いたが、
ＴｂＦｅＣｏ以外の材料を用いることも可能であり、例
えばＴｂＦｅＣｏに、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎ
ｉ）などの添加物を加えたものや、ジスプロシウム鉄コ
バルト（ＤｙＦｅＣｏ）、ガドリウム鉄コバルト（Ｇｄ
ＦｅＣｏ）など、またはこれらの合金膜を用いることも
可能であり、あるいは、記録再生層７を、これらの合金
膜を積層させた多層構造とすることも可能である。ま
た、上述の第１の実施形態においては、記録再生層７
を、合金ターゲットを用いたスパッタリング法により形
成しているが、記録再生層７を、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏなどの各ターゲットを用いて、同時
スパッタリング法により形成することも可能である。

【００９９】また、上述の第１の実施形態においては、
第２の誘電体層８の材料として、ＳｉＮを用いている
が、そのほかの材料を用いることも可能であり、具体的
には、例えば硫化亜鉛（ＺｎＳ）と酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ₂）との混合物（ＺｎＳ・ＳｉＯ₂）や、ＳｉＯ₂など
を用いることも可能である。

【０１００】また、上述の第１の実施形態においては、
ディスク基板２からの水分が反射層４や非線形材料層６
に到達することを抑制し、ディスクの腐食を低減させる
ために、ディスク基板２と反射層４との間に設けられた
下地層３の材料として、ＳｉＮを用いているが、下地層
３の材料としてＳｉＮ以外にも、ＳｉＯ₂を用いること
も可能である。

【０１０１】また、上述の第１の実施形態による光磁気
ディスク１において、浮上型光学ヘッドと光磁気ディス
ク１との衝突や接触の際の光磁気ディスク１の損傷や摩
耗に対する耐性の向上を図るために、第２の誘電体層８
上に、例えば膜厚が１０ｎｍ程度の、カーボン（Ｃ）や
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を設けるように
してもよい。

【０１０２】また、上述の第１の実施形態による光磁気
ディスクにおいて、非線形材料層６と記録再生層７との
間に、ＳｉＮ、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂、またはＳｉＯ₂からな
る誘電体層を設けるようにしてもよい。

【０１０３】また、上述の第１の実施形態による光磁気
ディスク１において、第２の誘電体層８上に、例えば、
金（Ａｕ）、ＡｌＴｉ、ＡｌＭｇ、ＡｌＳｉ、ＡｇＰｄ
Ｃｕ、ＡｇＰｄＴｉなどからなる反射率を調整するため
の反射率調整層を設けるようにすることも可能である。

【０１０４】また、上述の第１から第４の実施形態によ
る光磁気ディスクを構成する各層の成膜において用いら
れるスパッタリング装置は、直流電源または高周波電源
のいずれの電源を用いることも可能である。

【０１０５】また、上述の第１の実施形態においては、
ＳｉＮの成膜を、ＡｒガスとＮ₂ガスとの混合ガスを用
いＳｉターゲットを用いた反応性スパッタリング法によ
り行うようにしているが、ＳｉＮターゲットを用いたス
パッタリング法により行うことも可能である。

【０１０６】また、上述の第１の実施形態による光磁気
ディスク１においては、光磁気ディスク１の最表層がＳ
ｉＮから構成されていたが、光磁気ディスク１の最表層
に、潤滑性を有する潤滑層を設けることも可能である。
この場合、潤滑層は、例えばダイヤモンド状炭素（Diam
ond Like Carbon、ＤＬＣ）や水素化カーボンから構成
するのが好ましい。また、この潤滑層は、単層の潤滑層
でも、複数の潤滑性を有する層を積層させた積層膜でも
よい。そして、潤滑層を、複数の潤滑性を有する層を積
層させて構成する場合、好ましくは、光磁気ディスク１
の最表層から少なくとも２層における硬度（例えばビッ
カース硬度）が、ディスク基板２に向けて大きくなるよ
うに構成する。これにより、ヘッドが接触する最表層に
生じる変形を、そのディスク基板２に近い側の層が抑制
し、光磁気ディスク１の最表層の変形を最小限に抑える
ことができ、ヘッドと最表層との接触面積を低減するこ
とができる。

【０１０７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光学記録媒体を構成する各層を、レーザ光の照射に
よる加熱によって透過率が非線形的に変化する層を、し
きい値温度未満においては、無反射条件にしていること
により、レーザ光を照射した領域におけるレーザ光の照
射領域のしきい値温度以上の領域のみから反射信号を得
ることができるので、実効的に光スポット径が小さくな
り、再生分解能を向上させることができ、さらに、室温
近傍の領域からの反射光が得られないため、隣接トラッ
クからのクロストークのみならず、トラックに沿った隣
接した領域からのクロストークをも防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態による光磁気ディス
クを示す断面図である。

【図２】この発明の第１の実施形態による光磁気ディス
クにおいて非線形材料層が結晶状態の場合における反射
率の、第２の誘電体層の膜厚依存性を示すグラフであ
る。

【図３】この発明の第１の実施形態による光磁気ディス
クにおいて非線形材料層が結晶状態の場合の反射率と非
晶質状態の場合の反射率との差の、第２の誘電体層の膜
厚依存性を示すグラフである。

【図４】この発明の第１の実施形態による光磁気ディス
クの再生方法を説明するための略線図である。

【図５】この発明の第２の実施形態による光磁気ディス
クを示す断面図である。

【図６】この発明の第２の実施形態による光磁気ディス
クにおいて非線形材料層が結晶状態の場合における反射
率の、第２の誘電体層の膜厚依存性を示すグラフであ
る。

【図７】この発明の第２の実施形態による光磁気ディス
クにおいて非線形材料層が結晶状態の場合の反射率と非
晶質状態の場合の反射率との差の、第２の誘電体層の膜
厚依存性を示すグラフである。

【図８】この発明の第３の実施形態による光磁気ディス
クを示す断面図である。

【図９】この発明の第３の実施形態による光磁気ディス
クにおいて非線形材料層が結晶状態の場合における反射
率の、第１の誘電体層の膜厚依存性を示すグラフであ
る。

【図１０】この発明の第３の実施形態による光磁気ディ
スクにおいて非線形材料層が結晶状態の場合の反射率と
非晶質状態の場合の反射率との差の、第１の誘電体層の
膜厚依存性を示すグラフである。

【図１１】この発明の第４の実施形態による光磁気ディ
スクを示す断面図である。

【図１２】この発明の第４の実施形態による光磁気ディ
スクにおいて非線形材料層が結晶状態の場合における反
射率の、第２の誘電体層の膜厚依存性を示すグラフであ
る。

【図１３】この発明の第４の実施形態による光磁気ディ
スクにおいて非線形材料層が結晶状態の場合の反射率と
非晶質状態の場合の反射率との差の、第２の誘電体層の
膜厚依存性を示すグラフである。

【図１４】有効フレネル係数法を説明するための略線図
である。

【符号の説明】

１，２１，３１，４１・・・光磁気ディスク、２，３
２，４２・・・ディスク基板、３，４３・・・下地層、
４，３７，４４・・・反射層、５，３３，４５・・・第
１の誘電体層、６，３５，４６・・・非線形材料層、６
ａ・・・透過率変化領域、６ｂ・・・透過率非変化領
域、７，３４，４７・・・記録再生層、８，３６，４８
・・・第２の誘電体層、９・・・非線形材料層、１１・
・・室温近傍領域、１２・・・高温領域、１３・・・室
温近傍領域、２２・・・反射率調整層、２３・・・保護
層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 11/105 ５０１Ｇ１１Ｂ 11/105 ５０１Ａ５２６５２６Ｆ５３１５３１Ｎ５５６５５６Ａ５８６５８６Ｌ (72)発明者渡辺誠東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 5D029 MA17 NA07 NA08 NA13 5D075 CC11 CE01 EE03 FG10 5D090 AA01 BB05 BB10 CC04 EE12 FF11 5D118 AA13 BA01 BB06 BB07 CC12 CD02 CD03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、少なくとも記録再生層と透過
率が非線形的に変化する非線形材料層とが積層されて設
けられ、レーザ光を照射することにより加熱された領域において
情報信号を再生可能に構成された光学記録媒体におい
て、上記非線形材料層における所定のしきい値温度未満の領
域に、上記レーザ光の無反射条件が成立し、上記非線形材料層における上記所定のしきい値温度以上
の領域に、上記レーザ光を反射可能に構成されているこ
とを特徴とする光学記録媒体。
【請求項２】上記非線形材料層のしきい値温度以上の
領域が非晶質状態となり、上記非線形材料層のしきい値
温度以下の領域が結晶状態となることを特徴とする請求
項１記載の光学記録媒体。
【請求項３】上記しきい値温度が、１００℃以上２５
０℃以下であることを特徴とする請求項１記載の光学記
録媒体。
【請求項４】上記しきい値温度が、１５０℃以上２２
０℃以下であることを特徴とする請求項１記載の光学記
録媒体。
【請求項５】上記記録再生層が、光磁気記録可能な材
料から構成されていることを特徴とする請求項１記載の
光学記録媒体。
【請求項６】上記レーザ光の反射光が、光学的エンハ
ンスメント条件を満たすことを特徴とする請求項１記載
の光学記録媒体。
【請求項７】上記レーザ光に対して上記しきい値温度
以上の領域から得られる反射光により、上記光学記録媒
体のトラッキングまたはフォーカシングを行うことを特
徴とする請求項１記載の光学記録媒体。
【請求項８】上記レーザ光に対する反射率を調整可能
に構成された反射率調整層が設けられていることを特徴
とする請求項１記載の光学記録媒体。
【請求項９】基板上に、少なくとも記録再生層と透過
率が非線形的に変化する非線形材料層とが積層され、レ
ーザ光の照射により情報信号を再生するようにした光学
記録媒体の再生方法において、上記非線形材料層が上記透過率の変化するしきい値温度
未満のときに、上記光学記録媒体に照射された上記レー
ザ光を反射しない条件が成立し、上記レーザ光の照射領域における上記非線形材料層が上
記しきい値温度以上のときに、上記光学記録媒体に上記
レーザ光を照射して、上記レーザ光の反射が得られるよ
うに構成され、上記光学記録媒体における上記しきい値温度以上の領域
から得られる上記レーザ光の反射光により、情報信号の
再生を行うようにしたことを特徴とする光学記録媒体の
再生方法。
【請求項１０】上記しきい値温度が、１００℃以上２
５０℃以下であることを特徴とする請求項９記載の光学
記録媒体の再生方法。
【請求項１１】上記しきい値温度が、１５０℃以上２
２０℃以下であることを特徴とする請求項９記載の光学
記録媒体の再生方法。
【請求項１２】上記記録再生層が、光磁気記録可能な
材料から構成されていることを特徴とする請求項９記載
の光学記録媒体の再生方法。
【請求項１３】上記レーザ光の反射光が、光学的エン
ハンスメント条件を満たすことを特徴とする請求項９記
載の光学記録媒体の再生方法。
【請求項１４】上記レーザ光に対して上記しきい値温
度以上の領域から得られる反射光を用いて、上記光学記
録媒体のトラッキングまたはフォーカシングを行うよう
にしていることを特徴とする請求項９記載の光学記録媒
体の再生方法。
【請求項１５】上記光学記録媒体に、上記レーザ光に
対する反射率を調整可能に構成された反射率調整層が設
けられていることを特徴とする請求項９記載の光学記録
媒体の再生方法。