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JPH09129550A - 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法

Info

Publication number
JPH09129550A
JPH09129550A JP8239842A JP23984296A JPH09129550A JP H09129550 A JPH09129550 A JP H09129550A JP 8239842 A JP8239842 A JP 8239842A JP 23984296 A JP23984296 A JP 23984296A JP H09129550 A JPH09129550 A JP H09129550A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
mask
scanning
exposure apparatus
slit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8239842A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kurosawa
博史 黒沢
Keiji Yoshimura
圭司 吉村
Takayasu Hasegawa
敬恭 長谷川
Kunitaka Ozawa
邦貴 小澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP8239842A priority Critical patent/JPH09129550A/ja
Priority to US08/705,089 priority patent/US6204911B1/en
Publication of JPH09129550A publication Critical patent/JPH09129550A/ja
Priority to US09/794,340 priority patent/US6424405B2/en
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パルス光で照明したレチクル面上のパターン
をウエハ面上に走査しながら高精度に露光転写した露光
装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を得ること。 【解決手段】 光源からのパルス光でマスク上のパター
ン領域のうち、それよりも狭い領域を照明するとともに
該マスクを走査するマスク走査手段と該ウエハを走査す
るウエハ走査手段とを用いて該マスクとウエハとを同期
して走査することにより該照明領域の一部を重ね合わせ
るように照明しながら該マスク上のパターンを該ウエハ
上に順次露光転写する露光装置において露光むらの許容
率に基づいて変えられる該マスクとウエハの走査速度を
決める走査速度決定手段を有していること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及びそれを
用いたデバイスの製造方法に関し、特にＩＣ，ＬＳＩ等
の半導体デバイス，液晶デバイス，ＣＣＤ等の撮像デバ
イス，磁気ヘッド等のデバイスを製造する工程のうち、
リソグラフィー工程に好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣパターンの微細化が要求される昨今
において、リソグラフィー工程における露光むらには厳
しい精度が要求される。例えば、２５６ＭＢのダイナミ
ックＲＡＭでは０．２５μｍの線幅加工精度が要求され
るが、この場合許容され得る露光光の照度むらは１％前
後と見積もられている。
【０００３】又露光光の波長は解像度を上げる為に従来
まで使われていた水銀ランプが供給するｉ線よりも波長
の短い光を供給する光源が用いられるようになってき
た。エキシマレーザーはその代表的な一例である。しか
しエキシマレーザーは発光が非連続的であり、上限値で
約2.5msec の発光間隔に対して実際に発光している時間
は数十nsecというパルス的なものである。さらに各パル
ス発光毎の発光強度が外部から与える制御量に対してば
らつきが大きいという問題を持っている。
【０００４】例えばエキシマレーザーを光源として用い
た走査型の露光装置の場合、１ショットの露光に必要な
パルス光の数は５０パルス前後であるので、１パルス毎
の強度ばらつきにより発光強度が１パルス分ずれれば、
量子化誤差となって複数パルス光による積算露光量の確
定的な誤差になってしまう。
【０００５】このように、エキシマレーザのような発光
毎に発光強度の変動を伴うパルス光源を光源として用い
る露光装置は従来の例えば水銀ランプを光源として用い
た露光装置にくらべて感光基板上における積算露光量を
均一化することが難しい。
【０００６】ところで半導体デバイスの製造において
は、１枚の半導体基板（ウエハ）に対して１０〜２０回
の露光プロセスが繰り返して行われる。それぞれの露光
プロセスは、そのプロセスで焼き付けられるパターンの
線幅精度、位置合わせ精度が異なっている為、高精度が
要求されるクリティカルレイヤーと、クリティカルレイ
ヤーほど高精度が要求されないラフレイヤーとでは異な
る露光装置を用いる方法が考えられている。この際、ラ
フレイヤーの露光プロセスに用いられる露光装置は、精
度を要求されない代わりに高スループットを実現できる
露光装置を用いていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の露光装置では、
任意の単位走査露光領域における積算露光量は走査露光
の過程で最後に露光するパルス光の強度誤差が修正でき
ない値として残留して露光むらとなる。このとき１パル
スあたりの発光強度を下げ、その分、パルス光源の発光
周期を上げれば最後に露光するパルス光による誤差が積
算露光量に対して相対的に小さくなる為、露光むらは低
減される。
【０００８】しかし、パルス光源の発光レートには上限
があり、現状では４００Ｈｚ前後が上限である。そこ
で、従来のやり方で積算露光量を高精度で均一化するに
は、パルス光源の発光強度と走査速度を落として、単位
走査露光領域における平均受光パルス数を増やす対策を
取らざるを得なかった。これは必然的にスループットの
減少を招くものであった。
【０００９】本発明は、露光むらの許容率に基づいて走
査露光に関するパラメータを変化させることにより、ス
ループット，露光精度等の露光装置に求められる性能を
パターンの微細度に応じて最適なものにすることのでき
る露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を提供
することを目的とする。
【００１０】この他本発明は、パルスレーザを光源とす
る走査型の露光装置の積算露光量むらの許容値を満足で
きる値に維持したまま、極めて高いスループットを実現
するパラメータで走査露光動作を行うことができる露光
装置及びそれを用いたデバイスの製造方法の提供を目的
とする。
【００１１】
【課題を解決する為の手段】本発明の露光装置は、パル
ス光を供給する光源と、パターンが形成されたマスクを
走査するマスク走査手段と、パターンが投影されるウエ
ハを走査するウエハ走査手段とを有し、マスク及びウエ
ハを同期して走査することにより、パターンよりも狭い
パルス光によって形成される照明領域の一部を重ね合わ
せながらマスクを照明し、ウエハにパターンを露光転写
する露光装置であって、マスク及びウエハの走査速度を
決める走査速度決定手段，パルス光の発光周期を決める
発光周期決定手段，マスクを照明する範囲を決める照明
範囲制限手段，照明範囲制限手段の光軸方向の位置を決
める位置決定手段のうちの少なくとも１つを有し、走査
速度，発光周期，照明範囲，照明範囲制限手段の光軸方
向の位置といった走査露光に関するパラメータを、露光
むらの許容率に基づいて変えることを特徴としている。
【００１２】露光むらの許容率は、マスクに形成された
パターンの最小線幅に基づいて決められることが好まし
く、パターンの最小線幅が広いほど許容率は大きくな
る。
【００１３】露光むらの許容率に余裕のある場合、本発
明の露光装置は、露光むらを許容値近傍に維持しつつ、
光源の発光周期を長くすることによって光源の長寿命化
を図っている。
【００１４】本発明の露光装置を用いて半導体デバイ
ス，液晶デバイス，撮像デバイス，磁気ヘッド等のデバ
イスを正確に製造している。
【００１５】具体的な本発明の露光装置は、 (1-1) 光源からのパルス光でマスク上のパターン領域の
うち、それよりも狭い領域を照明するとともに該マスク
を走査するマスク走査手段と該ウエハを走査するウエハ
走査手段とを用いて該マスクとウエハとを同期して走査
することにより該照明領域の一部を重ね合わせるように
照明しながら該マスク上のパターンを該ウエハ上に順次
露光転写する露光装置において露光むらの許容率に基づ
いて変えられる該マスクとウエハの走査速度を決める走
査速度決定手段を有していることを特徴としている。
【００１６】(1-2) 光源からのパルス光でマスク上のパ
ターン領域のうち、それよりも狭い領域を照明するとと
もに該マスクを走査するマスク走査手段と該ウエハを走
査するウエハ走査手段とを用いて該マスクとウエハとを
同期して走査することにより該照明領域の一部を重ね合
わせるように照明しながら該マスク上のパターンを該ウ
エハ上に順次露光転写する露光装置において露光むらの
許容率に基づいて変えられる該パルス光の発光周期を決
める発光周期決定手段を有していることを特徴としてい
る。
【００１７】(1-3) 光源からのパルス光でマスク上の
パターン領域のうち、それよりも狭い領域を照明すると
ともに該マスクを走査するマスク走査手段と該ウエハを
走査するウエハ走査手段とを用いて該マスクとウエハと
を同期して走査することにより該照明領域の一部を重ね
合わせるように照明しながら該マスク上のパターンを該
ウエハ上に順次露光転写する露光装置において露光むら
の許容率に基づいて変えられる該パルス光による該マス
ク上のパターン領域を照明する照明範囲を決める照明範
囲決定手段を有していることを特徴としている。
【００１８】(1-4) 光源からのパルス光でマスク上のパ
ターン領域のうち、それよりも狭い領域を照明するとと
もに該マスクを走査するマスク走査手段と該ウエハを走
査するウエハ走査手段とを用いて該マスクとウエハとを
同期して走査することにより該照明領域の一部を重ね合
わせるように照明しながら該マスク上のパターンを該ウ
エハ上に順次露光転写する露光装置において該パルス光
による該マスク上のパターン領域を照明する照明範囲を
制限する照明範囲制限手段、露光むらの許容率に基づい
て変えられる該照明範囲制限手段の光軸方向の位置を決
める位置決定手段、とを有していることを特徴としてい
る。
【００１９】(1-5) パルスレーザをパルス発光させ、該
パルスレーザからの光束を照明光学系を介して該照明光
学系の光軸に対して垂直方向に移動する第１の物体に照
射し、該第１の物体からの光束を投影レンズを介して該
第１の物体と連動して移動する第２の物体上の感光面に
照射して露光することを複数回繰り返して該第１の物体
の像を該感光面上に形成する露光装置において、該露光
装置に入力する該感光面の受ける積算露光量むらの許容
率を用いて走査速度の決定手段により該第２の物体の移
動速度を決定することを特徴としている。
【００２０】(1-6) パルスレーザをパルス発光させ、該
パルスレーザからの光束をスリット幅可変の露光スリッ
トを有する照明光学系を介して該照明光学系の光軸に対
して垂直方向に移動する第１の物体に該露光スリットの
像を形成して照射し、該第１の物体からの光束を投影レ
ンズを介して該第１の物体と連動して移動する第２の物
体上の感光面に照射して露光することを複数回繰り返し
て該第１の物体の像を該感光面上に形成する露光装置に
おいて、該露光装置に入力する該感光面の受ける積算露
光量むらの許容率を用いて露光スリットの決定手段によ
り該露光スリットの幅又は／及び該露光スリットの該照
明光学系の光軸上の位置を決定することを特徴としてい
る。
【００２１】特に、 (1-6-1) 前記露光装置に、積算露光量むらの許容率△Ｓ
／Ｓ、前記露光スリットの前記第２の物体（基板）上へ
の投影倍率βS-W 、該露光スリットの長さｈ、レーザ
発光強度ばらつき率の最大値δm 、発光周期Ｔ、前記
投影レンズの前記感光面上の有効画面の直径Φ0 、該
第２の物体の移動速度ｖ、を与えて、前記露光スリット
の決定手段が、該第２の物体上の該露光スリットの像の
半影領域の幅をｒ、該露光スリットの幅をｗとする次
式：
【００２２】
【数３】 の演算を行って該露光スリットの幅ｗを決定すること。
【００２３】(1-6-2) 前記露光装置に、積算露光量むら
の許容率△Ｓ／Ｓ、前記露光スリットの前記第２の物体
上への投影倍率βS-W 、該露光スリットの長さｈ、レ
ーザ発光強度ばらつき率の最大値δm 、発光周期Ｔ、
前記投影レンズの前記感光面上の有効画面の直径Φ
0 、該第２の物体上の該露光スリットの像の半影領域
の幅をｒ、を与えて、前記露光スリットの決定手段が、
該第２の物体の移動速度をｖ、該露光スリットの幅をｗ
とする次式：
【００２４】
【数４】 の演算を行って該第２の物体の移動速度ｖ及び該露光ス
リットの幅ｗを決定すること等を特徴としている。
【００２５】本発明のデバイスの製造方法は、(1-1)〜
(1-6)の何れか１項記載の露光装置を用いて得たウエハ
を現像処理工程を介するステップを利用していることを
特徴としている。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の露光装置の実施形
態１の要部概略図である。本実施形態は光源から射出す
るパルス光を照明光学系を介してレチクル（第１物体）
に照射し、レチクル上に形成している回路パターンを投
影レンズによって感光体を塗布した基板（第２物体，ウ
エハ）上に縮小投影して焼き付ける露光装置を示してお
り、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デバイス，ＣＣＤ等の撮像
デバイス，磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に用い
ている。
【００２７】図中、１は光源であり、エキシマレーザ等
のパルスレーザで構成しており、パルス光を放射する。
２はビーム整形光学系であり、光源１からの光束を所定
の形状に整形してオプティカルインテグレータ３の光入
射面へ入射させる。オプティカルインテグレータ３は複
数の微小なレンズより成る蠅の眼レンズ等で構成してお
り、その光射出面の近傍に複数の２次光源を形成する。
４はコンデンサーレンズであり、オプティカルインテグ
レータ３の光射出面近傍の２次光源からの光束で開口形
状が可変の可動スリット（照明範囲制限手段）６をケー
ラー照明している。
【００２８】可動スリット６を照明した光束は結像レン
ズ７，ミラー８を介してレチクル９を照明する。可動ス
リット６は、レチクル９と光学的に共役な位置から若干
ずらした位置に光軸方向移動自在に置かれており、可動
スリット６の開口の形状によりレチクル９のパターンが
形成されている照明領域の形と寸法を制限している。１
８はボイスコイルモーター（位置変更手段）であり、可
動スリット６を光軸方向に移動制御する。又、１２は露
光量検出器Ａであり、ハーフミラー５によって分割され
たパルス状の照明光の一部の光量を検出し、露光量演算
器１０２へ信号を出力する。
【００２９】尚、ビーム整形光学系２，オプティカルイ
ンテグレータ３，コンデンサーレンズ４，可動スリット
６，結像レンズ７，ミラー８等は照明光学系の一要素を
構成している。又、照明光学系の中には不図示の減光手
段があり、光源１からの光束の光量を多段階に調整でき
る構成となっている。
【００３０】レチクル９はその上に回路パターンを有し
ていて、レチクルステージ（マスク走査手段）１３に保
持されている。１０は投影レンズであり、レチクル９の
回路パターンを半導体基板１１上に縮小投影する。半導
体基板１１は所謂ウエハであり、その表面には感光体で
あるレジストを塗布しており、３次元に変位するウエハ
ステージ（ウエハ走査手段）１４に載置している。ここ
で、可動スリット６が形成する露光スリットと半導体基
板１１上に形成される露光スリット６ａの像の関係（倍
率）をβS-W とする。
【００３１】ウエハステージ１４上には露光量検出器Ｂ
１５を設置しており、これにより投影レンズ１０を介し
て露光光の露光量をモニターしている。
【００３２】１０１はステージ駆動制御系であり、レチ
クルステージ１３とウエハステージ１４を投影レンズ１
０による投影倍率（本実施形態においては１／４倍）と
同じ比率の速度で正確に一定速度で互いに逆方向へ移動
（走査）させるように制御する。露光量演算器１０２は
露光量検出器Ａ１２や露光量検出器Ｂ１５によって光電
変換された電気信号を論理値に変換して主制御系１０４
に出力する。尚、露光量検出器Ａ１２は露光中でも強度
計測ができるので、照射される露光光の積算値を見積も
る為に用いられる。露光量検出器Ｂ１５は露光工程の最
初において投影レンズ１０を透過して基板１１を照射す
る光の強度を検出し、これと露光量検出器Ａ１２が検出
する光の強度の相関を求める。実際の露光に際しては、
露光量検出器Ａ１２が検出する値を求めた相関を利用し
て補正し、基板１１上の露光量を求めている。従って、
露光量検出器Ｂ１５は基板１１への露光中には露光光強
度の測定は行わない。
【００３３】１０３はレーザ制御系（発光周期決定手
段）であり、所望の露光量に応じてトリガー信号１６、
充電電圧信号１７を出力して光源１の出力エネルギー及
び発光間隔を制御している。尚、レーザ制御系１０３が
トリガー信号１６、充電電圧信号１７を生成する際には
露光量演算器１０２からの照度モニター信号１０８やス
テージ駆動制御系１０１からのステージの現在位置信号
１０７、主制御系１０４からの履歴情報等をパラメータ
として用いている。
【００３４】又、所望の露光量及び露光量むらの許容値
はマンマシンインターフェース若しくはメディアインタ
ーフェースである入力装置１０５より主制御系１０４へ
入力する。又、露光量検出器Ａ１２、露光量検出器Ｂ１
５から得られた結果や積算露光量の見積り値等は表示部
１０６に表示している。
【００３５】主制御系１０４は入力装置１０５から与え
られたデータと露光装置固有のパラメータ及び露光量検
出器Ａ１２，Ｂ１５等の計測手段が計測したデータから
走査露光に必要なパラメータ群を算出しレーザ制御系１
０３やステージ制御系１０１に伝達する。
【００３６】本実施形態では以上のような構成要件によ
って露光むらの許容率（積算露光むらの許容値／積算露
光量の目標値）に基づいてレチクルとウエハ（基板）の
走査速度又はパルス発光の発光周期、又は走査方向の照
明幅又は露光スリットの光軸方向の位置のうち少なくと
も１つを変化させていることを特徴としている。
【００３７】次に本実施形態の各要素の特徴について説
明する。
【００３８】図２は可動スリット６を照明光学系の光軸
方向から見た要部概略図である。図中、７０１は２つの
可動アパーチャブレードであり、アパーチャ駆動装置７
０２によってｘS 方向（走査方向）に夫々逆方向に移動
され、それらの間に露光スリット６ａを形成する。露光
スリット６ａの寸法は２つの可動アパーチャブレード７
０１間の幅ｗとｘS 方向と垂直方向の長さｈ（固定）で
決定している。露光スリット６ａの幅ｗを変えると、こ
のスリットを透過する露光光の基板１１上の強度プロフ
ァイルは図３に示すように変化する。
【００３９】図３は本実施形態の露光スリット６ａの幅
ｗを変えたときの基板１１上の強度プロファイルの変化
の説明図である。同図は２つのアパーチャブレード７０
１の間の幅ｗをｗ1 からｗ2 に変えたときの基板１１上
の強度プロファイルの変化を示している。図の横軸は基
板１１上における基板１１の走査方向であるｘW 座標で
あり、縦軸は基板１１上の露光光の強度である。幅ｗを
ｗ1 からｗ2 に変えたときは基板１１上では台形の強度
プロファイルの半影部分である傾いた側辺の中点間の距
離ｄ1 がｄ1 ＝ｗ1 ・βS-W (profile 1) から距離ｄ2
＝ｗ2 ・βS-W(profile 2) に変化する。つまり、台形
の上底、下底に相当する部分だけが伸縮し、半影部分で
ある傾いた側辺の傾きは変化しない。そこで、幅ｗを大
きくすれば１パルス光における露光面積が大きくなり、
高スループットに繋がるが、基板１１上の露光スリット
の像の範囲（ｗ・βS-W ×ｈ・βS-W ）の対角線長は基
板１１上の投影レンズ１０の有効画面の直径Φ0 をこえ
ることはできないので露光スリット６ａの幅ｗには上限
ｗmax ＝ｄmax /βS-W が存在する。
【００４０】図４は本実施形態の可動スリット６を光軸
方向に移動した場合の半影領域の幅の変化の説明図であ
る。同図は可動スリット６がボイスコイルモータ１８に
より照明光学系の光軸に沿って移動したときの強度プロ
ファイルの変化を示している。露光スリット６ａの幅ｗ
をそのままで可動スリット６を移動すると、基板１１上
での強度プロファイルはプロファイル１からプロファイ
ル３へと変化する。このときは台形の側辺の傾きが変化
し、投影面上での半影の幅ｒがｒ1 からｒ2 に変化す
る。従って半影部の幅ｒを変えたいときは可動スリット
６を移動させている。
【００４１】図５は本実施形態のフローチャートであ
る。このフローチャートは与えられた環境変数からスリ
ットの幅ｗ、可動スリット６の光軸方向の位置、ウエハ
ステージ１４の走査速度ｖを決定して露光するまでをし
めしている。説明に先立って使用する記号を記してお
く。 βS-W ：露光スリット６ａの基板１１上への投影倍率 ｗ ：露光スリット６ａの幅（走査方向の幅） ｈ ：露光スリット６ａの走査方向に対して垂直方向の
長さ ｄ ：基板１１上における露光スリット６ａの像の幅。
ｄ＝ｗ・βS-W ｅ ：基板１１上における露光スリット６ａの像の走査
方向に対して垂直方向の長さ。ｅ＝ｈ・βS-W ｖ ：ウエハステージ１４の走査スピード δ ：発光強度のばらつき率 δm ：発光強度ばらつき率の最大値 ｒ ：基板１１上の半影領域の幅 ｒc ：強度補正点 ｉc ：強度補正点ｒc における光強度 ｉ0 ：基板１１上における光源１の基準発光強度 Ｎ ：積算露光量の目標値を達成する為に必要な発光数 Ｓ ：積算露光量の目標値 △Ｓ：積算露光量むらの許容値 △Ｓ／Ｓ：積算露光量むらの許容率 Ｔ ：発光周期（発光間隔） Φ0 ：投影レンズの有効画面の直径（ウエハ側） フローチャートについて説明する。
【００４２】step801 ：光源をパルス発光させた際の発
光強度のばらつき率δを測定する。その為に光源１を計
測発光させる。光源１に一定レベルの充電電圧信号、一
定間隔のトリガー信号を与えて、そのときの発光強度を
露光量検出器Ａ１２若しくは露光量検出器Ｂ１５で計測
する。発光強度のばらつき率δは、このようにして得ら
れた計測値からの統計的な代表値、例えば２σを用い
る。
【００４３】step802 ：積算露光量Ｓ及び積算露光量む
らの許容率（△Ｓ／Ｓ）を入力装置１０５から入力す
る。尚、レチクル９上の回路パターンの線幅が微細にな
れば一般に積算露光量むらの許容率△Ｓ／Ｓは厳しくし
なければならない。そこでこの許容率△Ｓ／Ｓ値は回路
線幅を考慮して決定する。
【００４４】step803 ：主制御系１０４はこれらの値を
用いてウエハステージ１４の走査スピードｖ、露光スリ
ット６ａの幅ｗ、可動スリット６の位置を決定する。そ
の方法については後述する。そしてスループットを予測
する。
【００４５】step804 ：得られた走査スピードｖ、露光
スリット６ａの幅ｗ、可動スリット６の位置や計算され
たスループットを表示装置１０６に表示し、オペレータ
ーはこの条件で焼き付け作業を実行するか否かを判断す
る。表示された条件で良ければstep806 に進み、表示条
件を変えたい場合にはstep805 へ進む。
【００４６】step805 ：積算露光量むらの許容率△Ｓ／
Ｓを再入力する。スループットについては積算露光量む
らの許容値△Ｓを重視し過ぎると、光源１の基準発光強
度ｉ0 をフィルター等で光学的に落として発光数Ｎを増
やすことになり、スループットが悪くなる。そこで多少
露光むらが発生してもスループットを上げたい場合は積
算露光量むらの許容率△Ｓ／Ｓを大きくして入力装置１
０５から再入力する。
【００４７】step806 ：可動スリット６を主制御系１０
４内の位置決定手段で決定した計算位置に設定し、露光
スリット６ａの幅を計算値ｗに設定する。即ち、主制御
系１０４は露光スリット６ａを求められた寸法に設定
し、又、ボイスコイルモーター１８を駆動して可動スリ
ット６を光軸上の所定の位置に設定する。
【００４８】step807 ：走査露光プロセスを開始する。
【００４９】以上がフローチャートの説明である。
【００５０】以上説明したのstepのうち、step803 の部
分について説明する。図６はウエハ１１上の露光光の強
度プロファイルのモデル図である。横軸はウエハ上の走
査方向（ｘW 方向）の距離、縦軸は露光光の強度Ｉであ
る。原点は等脚台形の底辺のウエハ移動方向側の端であ
る。強度の最高値はｉ0 である。尚、この図の点線で示
した図形は次回発光の露光光のプロファイルである。
【００５１】等脚台形の脚部である半影部分のスパンは
左右で等しく、その長さをｒとする。台形の両脚の中点
を結んだｘW 方向の距離ｄは露光スリット６ａの幅ｗに
対応し、 ｄ＝ｗ・βS-W (1) の関係となっている。原点から強度補正点ｒc までの距
離は次回の露光光が発光するまでの間にウエハ１１が移
動する距離（ｒc ＝ｖ・Ｔ）であり、実線で表されるプ
ロファイルの発光において最後に露光される露光領域の
最も未露光領域側の点である。この点における露光光の
強度をｉc とする。
【００５２】各パルス発光における強度補正計算は強度
補正点ｒc において目的とする積算露光量の目標値Ｓを
達成できるような強度ｉc になるように設定される。こ
のモデルにおいて任意の座標における強度I(xW) は次式
で表現できる。
【００５３】
【数５】 図７は図６に示す強度プロファイルを持つ露光光により
露光するウエハの積算露光量の見積り説明図である。図
はウエハステージ１４を一定速度ｖで移動しながら、一
定の発光間隔Ｔで発光するパルス光で基板１１を露光す
る場合を表している。
【００５４】基板上１１の走査方向であるｘW 軸（ｘW
座標軸は基板に固定している）上の任意の位置における
積算露光量は図中の点線が横切る各台形の強度の総和と
見ることができる。H0,H1,H2,・・・,Hk は発光No. を示し
ている。この図を用いて指定された積算露光量むらの許
容率△Ｓ／Ｓから走査速度ｖ、露光スリット６ａの幅
ｗ、可動スリット６の位置を求める方法を説明する。
【００５５】光源１の基準発光強度ｉ0 と積算露光量の
目標値Ｓから、任意の露光位置において目標値Ｓを達成
する為に必要な発光数Ｎが次式によって定まる。
【００５６】 Ｎ＝Ｓ／ｉ0 (3) 次に基板１１上における露光スリット６ａの像の幅ｄと
走査速度ｖの間には次の関係がある。
【００５７】 Ｎ・Ｔ＝ｄ／ｖ (4) 本実施形態では対象とする露光位置における積算露光量
が目標値Ｓになるように最後に照射するパルスの発光強
度をコントロールする場合、最後の照射パルスの強度ば
らつき率δm が積算露光量むらΔＳを発生させる。
【００５８】次に積算露光量むらΔＳが発生するメカニ
ズムについて図８を用いて説明する。図８の上側は、図
７と同様に縦軸に露光光の強度、横軸に基板走査方向で
あるｘw 座標系をとった図である。ただし図８において
は、表記の都合上、上方に記された強度プロファイルほ
ど以前に発光したものとしている。図８の下側は、縦軸
に積算露光量、横軸にＸw 座標系をとったものである。
即ち図８の下側は積算露光量分布を表していることにな
る。
【００５９】さて、ｘj+1 で示した基板１１上の点にお
いて、露光スリット６ａが通り過ぎる際、当該箇所にお
ける最後の発光（Ｈj ）の強度ばらつき率δm に起因し
て、図８に示すように積算露光量むらΔＳが生ずる。積
算露光量むらΔＳはＨj の強度補正点ｘj+1 における強
度ｉc のばらつきに比例して発生し、ΔＳ＝δm ・ｉc
で表せる。
【００６０】従って積算露光量むらの許容率ΔＳ／Ｓは
以下の関係で表現できる。
【００６１】
【数６】 ｉc の値は台形プロファイルの傾きと１パルス光毎に基
板１１上で露光スリット６ａの像が移動している距離ｒ
c ＝ｖ・Ｔから次のように表現できる。
【００６２】 ｉc ＝（ｉ0 ／ｒ）・ｖ・Ｔ (6) 又、図６に示すプロファイルを持つ露光光の照射範囲は
投影レンズ１０の有効画面の直径Φ0 内でなければなら
ないので、ｄとｒには次の制限関係がある。
【００６３】 Φ0 2≧（ｄ＋ｒ）2 ＋ｅ2 (7) ただし、 ｅ＝ｈ・βS-W (8) 本実施形態では投影レンズ１０の有効画面直径いっぱい
に使用するので式(7)の両辺は等しく、ｈは固定なので ｄ＋ｒ＝Ｗ0 (9) とおけば、式(7) より Ｗ0 ＝（Φ0 2 −ｅ2 ）1/2 (10) となり、Ｗ0 は定数となる。
【００６４】そこで式(2) 〜(10)を総合すると積算露光
量むらの許容率△Ｓ／Ｓと各パラメータの関係は以下の
ようになる。
【００６５】
【数７】 式(11)において、δm は計測によって求める発光強度ば
らつき率δの最大値であり、機器に固有の固定値であ
る。又、光源の発光間隔Ｔは変えられるが、ここではス
ループットを上げる為に最小値に設定する。したがって
積算露光量むらの許容率△Ｓ／Ｓを指定すると残ったパ
ラメータであるウエハの走査速度ｖと半影領域の幅ｒと
の関係が求められ、得られたｒを用いて式(9) 、式(1)
より次式：
【００６６】
【数８】 によって露光スリット６ａの幅ｗが得られる。尚、半影
領域の幅ｒは可動スリット６（露光スリット６ａ）の位
置を主制御系１０４内の位置決定手段で決定し、位置決
定手段による位置情報に基づいてボイスコイルモーター
１８によって可動スリット６を照明光学系の光軸に沿っ
て動かすことによってその値を実現している。
【００６７】step803 ではこの式(11),(12) の関係を用
いて、 （１）半影領域の幅ｒを任意の値に固定して、露光スリ
ット６ａの幅ｗと、入力された積算露光量むらの許容率
△Ｓ／Ｓより走査速度ｖを求める。
【００６８】（２）走査速度ｖを任意の値に固定して、
入力された積算露光量むらの許容率△Ｓ／Ｓより半影領
域の幅ｒを求め、次いで露光スリット６ａの幅ｗを求め
る。のいずれかの方法により走査速度ｖ、露光スリット
６ａの幅ｗ、半影領域の幅ｒを決定している。
【００６９】例えば走査速度決定手段は、前記露光むら
の許容率が大きいときほど走査速度を早めていること
や、前記露光むらの許容率を満たす範囲内で走査速度が
最も早くなるようにしている。
【００７０】又照明範囲決定手段は、露光むらの許容率
が大きいほど走査方向の照明幅を狭くしている。
【００７１】又、位置決定手段は、前記露光むらの許容
率が大きいほど前記照明範囲制限手段のマスクとの光学
的な共役位置からのずれ量が小さくなるようにしてい
る。
【００７２】尚、この処理は主制御系１０４が行う。従
って主制御系１０４は走査速度決定手段の一要素を有し
ている。又、主制御系１０４、ボイスコイルモーター１
８等は露光スリットの照明範囲制限手段の一要素であ
る。
【００７３】ところで、走査露光時におけるウエハステ
ージ１４の現実的な走査速度は１００mm/sec前後である
ことが発明者らの検討によって判明している。１００mm
/secを上回る走査速度を実現しようとした場合、レチク
ルステージ１３とウエハステージ１４の同期追従偏差が
レチクル９と半導体基板１１の所定のアライメント精度
を満たさなくなる為である。更に本実施形態の場合、縮
小倍率が１／４である為レチクルステージ１３は、ウエ
ハステージ１４に対して４倍の比率で高速走査する為、
レチクルステージ１３の加減速時のレチクル９の変形、
レチクル９のレチクルステージ１４への吸着維持等の克
服しなければならない技術的な課題が発生する。
【００７４】一方、露光装置に用いられるＫｒＦエキシ
マレーザのガス寿命は、現状において約１０００万回〜
１５００万回である。上述したような問題点の為走査速
度が上げられない場合、単位面積あたりの積算露光量を
目標値Ｓに維持する為には、ビーム整形光学系２の中に
実装されている不図示のＮＤフィルター等の減光手段や
充電電圧信号１７の操作によって基準発光強度ｉ0 を所
望の値にする方法と、光源の発光周波数（発光周期Ｔ）
の操作によって単位面積あたりの受光パルス数を所望の
回数にする方法が(3),(4)式によって導かれる以下の式
によって推測できる。
【００７５】Ｓ＝（ｉ0 ・ｄ）／（ｖ・Ｔ） (13) つまり、エキシマレーザ等からなる光源１の寿命を延ば
す為に、光源１の発光周期Ｔを大きくすることによっ
て、１ショットの露光に要する光源１の発光数を節減す
る方法をとることもできる。このような方法を行使する
にあたり、式(11)における積算露光量むらの許容値を満
足していることは言うまでもない。
【００７６】即ち、積算露光量むらが許容値ΔＳ内に十
分収まる場合、本発明の露光装置は、積算露光量むらの
値を許容値ΔＳ近傍にまで増大させて、光源１の発光周
波数を下げて１ショットあたりの発光数を減らし、光源
１のガス寿命を引き延ばすような構成にしてもよい。
【００７７】式(11),(12)から分かるように、一般に積
算露光量許容率ΔＳ／Ｓが大きい場合は、走査速度ｖと
発光周期Ｔの積を大きく設定できる為、状況に応じて、
スループット重視、光源寿命重視、あるいはその両方を
並立させたパラメータ設定を適宜選択するような形態と
なる。特に、前述したように走査速度ｖに対して制限が
ある場合には、発光周期Ｔを積算露光量許容率ΔＳ／Ｓ
を満たす範囲で最大限大きくすることが好ましい。
【００７８】逆に積算露光量許容率ΔＳ／Ｓが小さい場
合は、走査速度ｖと発光周期Ｔの積を小さく、あるいは
露光スリット６ａの幅ｗと半影領域の幅ｒの積を大きく
設定した露光精度重視のパラメータ設定となる。
【００７９】本実施形態ではこのときの発光周期を主制
御系１０４内の発光周期決定手段で決定している。
【００８０】このように本実施形態の発光周期決定手段
は前記露光むらの許容率が大きいときほど発光周期を長
くしていることや、前記露光むらの許容率を満たす範囲
内で発光周期が最も長くなるようにしていること、そし
て前記マスクとウエハの走査速度のうち最も早い走査速
度に基づいて発光周期を決めている。
【００８１】本実施形態で説明した走査型露光装置のよ
うに、感光基板上の露光ショットに要求される積算露光
量むらの許容率を与えて、走査速度決定手段及び照明範
囲（露光スリット）決定手段等により極めて高いスルー
プットを実現する為のウエハの走査速度ｖ、露光スリッ
トの幅ｗ、光源の発光周期Ｔ等を決定している。そして
決定された走査露光のパラメータを用いて露光すること
により、光源の性能を極めて効果的に行使した露光プロ
セスを達成している。
【００８２】本発明の露光装置では、回路パターンの最
小線幅に応じて積算露光量むらの許容値△Ｓを設定して
露光パラメータを決定するので、レイヤーの状態に応じ
て露光精度重視、スループット重視等を露光条件を切り
替えることができる。尚、このとき露光むらの許容率は
レチクル上のパターンの最小線幅が広いほど、大きくな
るように決めている。
【００８３】本実施形態では、パターン線幅に応じた積
算露光むらの許容率ΔＳ／Ｓを手動で入力したが、レチ
クル９にバーコード等で情報を記しておき、この情報を
読み取ることにより、自動的に露光パラメータを決定し
ても良い。
【００８４】本発明のこの他の実施形態としては、前回
の発光強度Ｉn が指令目標値ｉ0 からずれた分を次回の
発光強度指令値（充電電圧指令値）に上乗せして、積算
露光量むらの許容率△Ｓ／Ｓから走査速度ｖ、半影領域
の幅ｒを求めるもの（実施形態２），又は、光源の発光
間隔Ｔを変化させて積算露光量をコントロールして積算
露光量むらの許容率△Ｓ／Ｓから走査速度ｖ、半影領域
の幅ｒを求めるもの（実施形態３），等が考えられる。
【００８５】実施形態２について説明する。図９は実施
形態２の制御概念図である。同図において例えば第２発
目のパルス発光H2に際しては、第１発目のパルス発光H
1 の強度Ｉ1 が目標とする発光強度ｉ0 に満たなかった
場合、第２発目のパルス発光H2 にその分を上乗せした
強度指令値Ｅ2 を与えるのである（尚、発光強度指令値
Ｅはレーザ制御系１０３より充電電圧信号１７として与
える）。
【００８６】即ち、 Ｅn ：ｎ番目のパルス発光の発光強度指令値（充電電圧
指令値） Ｉn ：ｎ番目の発光強度のピーク値 とすると両者の間には次式の関係がある。
【００８７】 Ｉn ＝Ａ・Ｅn ＋ｂn (14) ここに、 Ａ：比例定数 ｂn ：ｎ番目のパルス発光の発光強度指令値に対する発
光強度のばらつき である。
【００８８】直前のパルス発光について計測した発光強
度Ｉn が目標強度ｉ0 に満たない分を次回のパルス発光
の強度に上乗せする処理は、以下の式によって表現でき
る。
【００８９】
【数９】 又、式(13)より Ｉn+1 ＝Ａ・Ｅn+1 ＋ｂn+1 (16) であるので以下のような漸化式が得られる： Ｉn+1 ＝ｉ0 ＋ｂn+1 ＋（ｉ0 −Ｉn ） (17) そして初期値をＩ0 ＝ｉ0 とすると、Ｉn の一般項は次
式になる：
【００９０】
【数１０】 そしてｎ番目のパルス発光までの積算露光量は次式で表
される：
【００９１】
【数１１】 このようにして求めたＳ（n・v・T ）の２σ値を式(11)の
△Ｓに代入することで実施形態１と同様の処理ができ
る。
【００９２】尚、上記の走査スピードｖ，発光周期Ｔ，
露光スリット６ａの幅ｗを求めるにあたって、発光強度
のばらつきｂn の値を予め知ることは出来ないので、そ
の代用として同じ条件下の以前の計測において得たデー
タ群を用るか、又はそれらと同等のばらつきを持った乱
数を用いる。
【００９３】次に図１の露光装置を利用した半導体デバ
イスの製造方法の実施形態を説明する。
【００９４】図１０は半導体デバイス（ICやLSI 等の半
導体チップ、液晶パネルやCCD ）の製造フローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスク（レチクル９）を製作する。
【００９５】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハ（半導体基板１１）を製造
する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハとを用いて、リソグラ
フィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作成されたウエハを用いてチップ化する工
程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。
【００９６】ステップ６（検査）ではステップ５で作成
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが
完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００９７】図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハ（半導体基
板１１）の表面を酸化させる。ステップ１２（CVD ）で
はウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電
極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。
ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打
ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハにレ
ジスト（感材）を塗布する。
【００９８】ステップ１６（露光）では上記露光装置に
よってマスク（レチクル９）の回路パターンの像でウエ
ハを露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエ
ハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像し
たレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらステップを繰り返し行うことによ
りウエハ上に回路パターンが形成される。
【００９９】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが
可能になる。
【０１００】
【発明の効果】本発明によれば以上のように露光むらの
許容率に基づいて走査露光に関するパラメータを変化さ
せることにより、スループット，露光精度等の露光装置
に求められる性能をパターンの微細度に応じて最適なも
のにすることのできる露光装置及びそれを用いたデバイ
スの製造方法を達成することができる。
【０１０１】この他本発明によればパルスレーザを光源
とする走査型の露光装置の積算露光量むらの許容値を満
足できる値に維持したまま、極めて高いスループットを
実現するパラメータで走査露光動作を行うことができる
露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の露光装置の実施形態１の構成概略図
【図２】実施形態１の可動スリット６を照明光学系の光
軸の方向から見た要部概略図
【図３】実施形態１の露光スリット６ａの幅ｗを変えた
ときの強度プロファイルの変化の説明図
【図４】実施形態１の可動スリットを光軸方向に移動し
た場合の半影領域の幅の変化の説明図
【図５】実施形態１のフローチャート
【図６】ウエハ上の露光光の強度プロファイルのモデル
図
【図７】図６に示す強度プロファイルを持つ露光光によ
り露光するウエハの積算露光量の見積り説明図
【図８】積算露光量むらΔＳが発生するメカニズムの説
明図
【図９】本発明の実施形態２の制御概念図
【図１０】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャ
ート
【図１１】図９の工程中のウエハプロセスの詳細を示す
図
【符号の説明】
１ パルスレーザの光源 ９ レチクル １０ 投影レンズ １１ 半導体基板 １３ レチクルステージ １４ ウエハステージ １６ トリガー信号 １７ 充電電圧信号 １０１ ステ−ジ駆動制御系 １０２ 露光量演算器 １０３ レーザ制御系 １０４ 主制御系 １０７ ステージ位置 １０８ 照度モニター信号 １０９ 強度指令値 ７０１ 可動アパーチャブレード ７０２ アパーチャ駆動装置
フロントページの続き (72)発明者 小澤 邦貴 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源からのパルス光でマスク上のパター
    ン領域のうち、それよりも狭い領域を照明するとともに
    該マスクを走査するマスク走査手段と該ウエハを走査す
    るウエハ走査手段とを用いて該マスクとウエハとを同期
    して走査することにより該照明領域の一部を重ね合わせ
    るように照明しながら該マスク上のパターンを該ウエハ
    上に順次露光転写する露光装置において露光むらの許容
    率に基づいて変えられる該マスクとウエハの走査速度を
    決める走査速度決定手段を有していることを特徴とする
    露光装置。
  2. 【請求項２】 前記走査速度決定手段は前記露光むらの
    許容率が大きいときほど走査速度を早めていることを特
    徴とする請求項１の露光装置。
  3. 【請求項３】 前記走査速度決定手段は前記露光むらの
    許容率を満たす範囲内で走査速度が最も早くなるように
    していることを特徴とする請求項２の露光装置。
  4. 【請求項４】 前記露光むらの許容率は前記マスク上の
    パターンの最小線幅に基づいて決められていることを特
    徴とする請求項１の露光装置。
  5. 【請求項５】 前記露光むらの許容率は前記マスク上の
    パターンの最小線幅が広いほど大きくなるように決めら
    れていることを特徴とする請求項４の露光装置。
  6. 【請求項６】 光源からのパルス光でマスク上のパター
    ン領域のうち、それよりも狭い領域を照明するとともに
    該マスクを走査するマスク走査手段と該ウエハを走査す
    るウエハ走査手段とを用いて該マスクとウエハとを同期
    して走査することにより該照明領域の一部を重ね合わせ
    るように照明しながら該マスク上のパターンを該ウエハ
    上に順次露光転写する露光装置において露光むらの許容
    率に基づいて変えられる該パルス光の発光周期を決める
    発光周期決定手段を有していることを特徴とする露光装
    置。
  7. 【請求項７】 前記発光周期決定手段は前記露光むらの
    許容率が大きいときほど発光周期を長くしていることを
    特徴とする請求項６の露光装置。
  8. 【請求項８】 前記発光周期決定手段は前記露光むらの
    許容率を満たす範囲内で発光周期が最も長くなるように
    していることを特徴とする請求項７の露光装置。
  9. 【請求項９】 前記発光周期決定手段は前記マスクとウ
    エハの走査速度のうち最も早い走査速度に基づいて発光
    周期を決めていることを特徴とする請求項８の露光装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記走査速度は前記マスクとウエハと
    のアライメント精度により制限されていることを特徴と
    する請求項９の露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記露光むらの許容率は前記マスク上
    のパターンの最小線幅に基づいて決められていることを
    特徴とする請求項６の露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記露光むらの許容率は前記マスク上
    のパターンの最小線幅が広いほど大きくなるように決め
    られていることを特徴とする請求項１１の露光装置。
  13. 【請求項１３】 光源からのパルス光でマスク上のパタ
    ーン領域のうち、それよりも狭い領域を照明するととも
    に該マスクを走査するマスク走査手段と該ウエハを走査
    するウエハ走査手段とを用いて該マスクとウエハとを同
    期して走査することにより該照明領域の一部を重ね合わ
    せるように照明しながら該マスク上のパターンを該ウエ
    ハ上に順次露光転写する露光装置において露光むらの許
    容率に基づいて変えられる該パルス光による該マスク上
    のパターン領域を照明する照明範囲を決める照明範囲決
    定手段を有していることを特徴とする露光装置。
  14. 【請求項１４】 前記照明範囲決定手段は露光むらの許
    容率が大きいほど走査方向の照明幅を狭くしていること
    を特徴とする請求項１３の露光装置。
  15. 【請求項１５】 前記露光むらの許容率は前記マスク上
    のパターンの最小線幅に基づいて決められていることを
    特徴とする請求項１３の露光装置。
  16. 【請求項１６】 前記露光むらの許容率は前記マスク上
    のパターンの最小線幅が広いほど大きくなるように決め
    られていることを特徴とする請求項１５の露光装置。
  17. 【請求項１７】 光源からのパルス光でマスク上のパタ
    ーン領域のうち、それよりも狭い領域を照明するととも
    に該マスクを走査するマスク走査手段と該ウエハを走査
    するウエハ走査手段とを用いて該マスクとウエハとを同
    期して走査することにより該照明領域の一部を重ね合わ
    せるように照明しながら該マスク上のパターンを該ウエ
    ハ上に順次露光転写する露光装置において該パルス光に
    よる該マスク上のパターン領域を照明する照明範囲を制
    限する照明範囲制限手段、露光むらの許容率に基づいて
    変えられる該照明範囲制限手段の光軸方向の位置を決め
    る位置決定手段、とを有していることを特徴とする露光
    装置。
  18. 【請求項１８】 前記位置決定手段は前記露光むらの許
    容率が大きいほど前記照明範囲制限手段のマスクとの光
    学的な共役位置からのずれ量が小さくなるようにしてい
    ることを特徴とする請求項１７の露光装置。
  19. 【請求項１９】 前記露光むらの許容率は前記マスク上
    のパターンの最小線幅に基づいて決められていることを
    特徴とする請求項１７の露光装置。
  20. 【請求項２０】 前記露光むらの許容率は前記マスク上
    のパターンの最小線幅が広いほど大きくなるように決め
    られていることを特徴とする請求項１９の露光装置。
  21. 【請求項２１】 パルスレーザをパルス発光させ、該パ
    ルスレーザからの光束を照明光学系を介して該照明光学
    系の光軸に対して垂直方向に移動する第１の物体に照射
    し、該第１の物体からの光束を投影レンズを介して該第
    １の物体と連動して移動する第２の物体上の感光面に照
    射して露光することを複数回繰り返して該第１の物体の
    像を該感光面上に形成する露光装置において、 該露光装置に入力する該感光面の受ける積算露光量むら
    の許容率を用いて走査速度の決定手段により該第２の物
    体の移動速度を決定することを特徴とする露光装置。
  22. 【請求項２２】 パルスレーザをパルス発光させ、該パ
    ルスレーザからの光束をスリット幅可変の露光スリット
    を有する照明光学系を介して該照明光学系の光軸に対し
    て垂直方向に移動する第１の物体に該露光スリットの像
    を形成して照射し、該第１の物体からの光束を投影レン
    ズを介して該第１の物体と連動して移動する第２の物体
    上の感光面に照射して露光することを複数回繰り返して
    該第１の物体の像を該感光面上に形成する露光装置にお
    いて、 該露光装置に入力する該感光面の受ける積算露光量むら
    の許容率を用いて露光スリットの決定手段により該露光
    スリットの幅又は／及び該露光スリットの該照明光学系
    の光軸上の位置を決定することを特徴とする露光装置。
  23. 【請求項２３】 前記露光装置に、 積算露光量むらの許容率△Ｓ／Ｓ、 前記露光スリットの前記第２の物体（基板）上への投影
    倍率βS-W 、 該露光スリットの長さｈ、 レーザ発光強度ばらつき率の最大値δm 、 発光周期Ｔ、 前記投影レンズの前記感光面上の有効画面の直径Φ0 、 該第２の物体の移動速度ｖ、を与えて、前記露光スリッ
    トの決定手段が、該第２の物体上の該露光スリットの像
    の半影領域の幅をｒ、該露光スリットの幅をｗとする次
    式： 【数１】 の演算を行って該露光スリットの幅ｗを決定することを
    特徴とする請求項２２の露光装置。
  24. 【請求項２４】 前記半影領域の幅ｒを用いて前記露光
    スリットの決定手段により前記露光スリットの前記照明
    光学系の光軸上の位置を決定することを特徴とする請求
    項２３の露光装置。
  25. 【請求項２５】 前記露光装置に、 積算露光量むらの許容率△Ｓ／Ｓ、 前記露光スリットの前記第２の物体上への投影倍率β
    S-W 、 該露光スリットの長さｈ、 レーザ発光強度ばらつき率の最大値δm 、 発光周期Ｔ、 前記投影レンズの前記感光面上の有効画面の直径Φ0 、 該第２の物体上の該露光スリットの像の半影領域の幅を
    ｒ、を与えて、前記露光スリットの決定手段が、該第２
    の物体の移動速度をｖ、該露光スリットの幅をｗとする
    次式： 【数２】 の演算を行って該第２の物体の移動速度ｖ及び該露光ス
    リットの幅ｗを決定することを特徴とする請求項２２の
    露光装置。
  26. 【請求項２６】 前記半影領域の幅ｒを用いて前記露光
    スリットの決定手段により前記露光スリットの前記照明
    光学系の光軸上の位置を決定することを特徴とする請求
    項２５の露光装置。
  27. 【請求項２７】 請求項１乃至２６記載の露光装置を用
    いてデバイスを製造することを特徴とするデバイスの製
    造方法。
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