JPS63193130A - 光量制御装置 - Google Patents
光量制御装置Info
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- JPS63193130A JPS63193130A JP62025263A JP2526387A JPS63193130A JP S63193130 A JPS63193130 A JP S63193130A JP 62025263 A JP62025263 A JP 62025263A JP 2526387 A JP2526387 A JP 2526387A JP S63193130 A JPS63193130 A JP S63193130A
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- Japan
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- light
- diffracted light
- laser
- lens group
- mask
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/11—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on acousto-optical elements, e.g. using variable diffraction by sound or like mechanical waves
- G02F1/113—Circuit or control arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は光学的な手段により照明用光量や露光用光量を
制御する光量制御装置に関し、特に半導体製造装置にお
いてレーザーからの光束を用いてレチクルやウニ八等を
照明し露光する際に好適な光量制御装置に関するもので
ある。
制御する光量制御装置に関し、特に半導体製造装置にお
いてレーザーからの光束を用いてレチクルやウニ八等を
照明し露光する際に好適な光量制御装置に関するもので
ある。
(従来の技術)
最近の半導体技術は電子回路の高集積化、微細化の一途
を辿り、光学的な露光方式も高解像力のレンズの開発等
でますますその領域を拡げつつある。このような半導体
製造における露光装置において、マスク又はレチクルの
回転パターンをウニ八面上に転写、焼付ける場合には、
ウニ八面上に焼付けられる回路パターンの解像線巾は光
源の波長に比例するため、近年ではりソグラフィの光源
として紫外線用ではHgランプを、またディープ紫外線
用では超高圧Xe−Hgを使用している。
を辿り、光学的な露光方式も高解像力のレンズの開発等
でますますその領域を拡げつつある。このような半導体
製造における露光装置において、マスク又はレチクルの
回転パターンをウニ八面上に転写、焼付ける場合には、
ウニ八面上に焼付けられる回路パターンの解像線巾は光
源の波長に比例するため、近年ではりソグラフィの光源
として紫外線用ではHgランプを、またディープ紫外線
用では超高圧Xe−Hgを使用している。
しかし、かかる光ではレジスト感度が弱く、このため長
い露光時間を必要とし、作業性に乏しかった。
い露光時間を必要とし、作業性に乏しかった。
一方、近年エキシマ(excimer)レーザーという
高出力の遠紫外領域を発振波長とする光源が各方面で使
用されている。このエキシマレーザ−は高輝度性、単色
性そして可干渉距離が短いことから半導体製造の際の露
光装置には大変有効である。
高出力の遠紫外領域を発振波長とする光源が各方面で使
用されている。このエキシマレーザ−は高輝度性、単色
性そして可干渉距離が短いことから半導体製造の際の露
光装置には大変有効である。
このエキシマレーザ−の励起方式は放電励起方式である
のでエキシマレーザ−を回路パターンの露光用の照明光
学系の光源として用い、ウェハ面上への露光エネルギー
を所定値に維持する為には放電励起電圧を制御すること
によって行うことが考えられる。しかしながら励起電圧
が大きくなりすぎるとレーザー或いは励起回路が破壊さ
れ、逆に励起電圧が小さくなりすぎるとレーザーが発振
しなくなる等、励起電圧を制御して出力エネルギーを大
きく変えることは一般に大変困難である。
のでエキシマレーザ−を回路パターンの露光用の照明光
学系の光源として用い、ウェハ面上への露光エネルギー
を所定値に維持する為には放電励起電圧を制御すること
によって行うことが考えられる。しかしながら励起電圧
が大きくなりすぎるとレーザー或いは励起回路が破壊さ
れ、逆に励起電圧が小さくなりすぎるとレーザーが発振
しなくなる等、励起電圧を制御して出力エネルギーを大
きく変えることは一般に大変困難である。
又エキシマレーザ−は大出力のパルス発振のため、通常
lパルスから数パルス程度で必要な露光エネルギーが得
られ、さらにパルスの発光時間も10〜20nsec程
度と非常に短いため、超高速シャッターを必要とする等
露光時間を制御することにより、精密に露光エネルギー
を制御することは難しい。
lパルスから数パルス程度で必要な露光エネルギーが得
られ、さらにパルスの発光時間も10〜20nsec程
度と非常に短いため、超高速シャッターを必要とする等
露光時間を制御することにより、精密に露光エネルギー
を制御することは難しい。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は常に安定した状態でしかも長時間にわたり感光
性材料への露光量を適切なる値に制御することのできる
光学的な手段、特に電気的な信号により所定次数の回折
効率が変化する偏向素子、例えば音響光学効果を利用し
たAO素子等を利用した簡易な構成の光量制御装置の提
供を特徴とする特に本発明においてはウェハ面上のフォ
トレジスト等の感光性材料面へ回路パターンを投影露光
する際に好適な光量制御装置の提供を目的とする。
性材料への露光量を適切なる値に制御することのできる
光学的な手段、特に電気的な信号により所定次数の回折
効率が変化する偏向素子、例えば音響光学効果を利用し
たAO素子等を利用した簡易な構成の光量制御装置の提
供を特徴とする特に本発明においてはウェハ面上のフォ
トレジスト等の感光性材料面へ回路パターンを投影露光
する際に好適な光量制御装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段)
光源からの光束を偏向素子に導光し、該偏向素子から射
出する所定次数の光を集光レンズを介した後、該集光レ
ンズから一定量離れた位置に配置した一定開口を有する
空間フィルターに導光し、該空間フィルターの開口を通
過する所定次数の光の光量を前記偏向素子に与える電気
的信号により制御したことである。
出する所定次数の光を集光レンズを介した後、該集光レ
ンズから一定量離れた位置に配置した一定開口を有する
空間フィルターに導光し、該空間フィルターの開口を通
過する所定次数の光の光量を前記偏向素子に与える電気
的信号により制御したことである。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例の要部の光学系の概略図であ
る。同図において1は例えばエキシマレーザ−等の指向
性の良い光束、2は供給電圧の大きさに依存して所定の
回折現象を生ずる音響光学効果を利用したAO素子であ
る。3は第ルンズ群、4は空間フィルターで所定の開口
を有しており第ルンズ群3の焦点面から一定量離れた位
置に配置されている。5は第2レンズ群である。
る。同図において1は例えばエキシマレーザ−等の指向
性の良い光束、2は供給電圧の大きさに依存して所定の
回折現象を生ずる音響光学効果を利用したAO素子であ
る。3は第ルンズ群、4は空間フィルターで所定の開口
を有しており第ルンズ群3の焦点面から一定量離れた位
置に配置されている。5は第2レンズ群である。
第ルンズ群3と第2レンズ群5の焦点距離を各々f、、
f、とじたとき第ルンズ群3と第2レンズ群5との間隔
が(r+”r2)となるように設定している。
f、とじたとき第ルンズ群3と第2レンズ群5との間隔
が(r+”r2)となるように設定している。
本実施例では平行光束1をAO素子2に透過させ、この
ときAO素子のブラッグ反射を利用して0次回折光6と
1次回折光7の2つの光束に分離して射出させている。
ときAO素子のブラッグ反射を利用して0次回折光6と
1次回折光7の2つの光束に分離して射出させている。
0次回折光6と1次回折光7の光量の和はAO素子2に
入射する光束1の光量と等しくなっている。このとき1
次回折光7の光量はAO素子2に供給される電力に比例
し、0次回折光6の光量は逆にAO素子2に供給される
電力に反比例して射出してくる。
入射する光束1の光量と等しくなっている。このとき1
次回折光7の光量はAO素子2に供給される電力に比例
し、0次回折光6の光量は逆にAO素子2に供給される
電力に反比例して射出してくる。
本実施例ではこのときの性質を利用してAO素子2に供
給する電力を制御することにより0次回折光6の空間フ
ィルター4の開口からの射出してくる光量を制御し後述
する照明光学系による被照射面上の照度を制御している
。
給する電力を制御することにより0次回折光6の空間フ
ィルター4の開口からの射出してくる光量を制御し後述
する照明光学系による被照射面上の照度を制御している
。
又本実施例では分離されたO次回折光6と1次回折光7
の2つの回折光は第ルンズ群3を通過した後、第ルンズ
群3の後側焦点面上の相異なる位置に集光する。そして
第ルンズ群3の後側焦点面から外れた位置に配置した一
定開口を有する空間フィルター4により1次回折光7を
遮光し、0次回折光6を通過させた後、第ルンズ群3の
後側焦点位置を前側焦点位置とする第2レンズ群5によ
り平行として射出させている。
の2つの回折光は第ルンズ群3を通過した後、第ルンズ
群3の後側焦点面上の相異なる位置に集光する。そして
第ルンズ群3の後側焦点面から外れた位置に配置した一
定開口を有する空間フィルター4により1次回折光7を
遮光し、0次回折光6を通過させた後、第ルンズ群3の
後側焦点位置を前側焦点位置とする第2レンズ群5によ
り平行として射出させている。
このように本実施例では第ルンズ群3の焦点面から一定
ff1fllれな位置に空間フィルター4を配置し、遮
光する1次回折光が空間フィルター4面上の一点に集光
しエキシマレーザ−等の大出力の光源を用いたとき空間
フィルター4が損傷しないようにしている。
ff1fllれな位置に空間フィルター4を配置し、遮
光する1次回折光が空間フィルター4面上の一点に集光
しエキシマレーザ−等の大出力の光源を用いたとき空間
フィルター4が損傷しないようにしている。
又、通常エキシマレーザ−の波長帯域の光は、AO素子
2に形成される回折格子に対して回折効率が弱い為、照
明光としては本実施例の如く0次回折光6を使用するの
が望ましい。
2に形成される回折格子に対して回折効率が弱い為、照
明光としては本実施例の如く0次回折光6を使用するの
が望ましい。
次に本発明に係る光量制御装置を半導体製造用の投影露
光装置に適用したときの一実施例のブロック図を第2図
に示す。
光装置に適用したときの一実施例のブロック図を第2図
に示す。
同図において10は光源であり、例えばインジェクショ
ンロッキングタイプのエキシマレーザ−より成っている
。11は本発明に係る光量制御装置、12はレチクルや
マスク等の被照射面14を照明する為の照射光学系、1
3は反射鏡で一部が半透過面若しくは透過面となってい
る。
ンロッキングタイプのエキシマレーザ−より成っている
。11は本発明に係る光量制御装置、12はレチクルや
マスク等の被照射面14を照明する為の照射光学系、1
3は反射鏡で一部が半透過面若しくは透過面となってい
る。
15は被照射面14上のレチクルやマスク等の回路パタ
ーンをウニへ面である被投影面16に投影する為の投影
光学系である。17は被照射面14への光量を監視する
為の監視装置、18は監視装置17からの指令信号に基
づき光量制御装置11を駆動させる駆動装置である。
ーンをウニへ面である被投影面16に投影する為の投影
光学系である。17は被照射面14への光量を監視する
為の監視装置、18は監視装置17からの指令信号に基
づき光量制御装置11を駆動させる駆動装置である。
本実施例では光源1からの光量を第1図に示す構成の光
量制御装置11により所定値に制御しつつ照明光学系に
より被照射面14を照明している。このとき照明光束の
一部を反射鏡i3の一部より取り出し、監視装置17に
より被照射面14への光量を監視する。そして被照射面
への光量が所定値から変化したときは指令信号を駆動装
置18に出す。駆動装置18は指令信号に基づいて光量
制御装置11を制御し、これにより常に一定の光量で被
照射面14を照明するようにしている。
量制御装置11により所定値に制御しつつ照明光学系に
より被照射面14を照明している。このとき照明光束の
一部を反射鏡i3の一部より取り出し、監視装置17に
より被照射面14への光量を監視する。そして被照射面
への光量が所定値から変化したときは指令信号を駆動装
置18に出す。駆動装置18は指令信号に基づいて光量
制御装置11を制御し、これにより常に一定の光量で被
照射面14を照明するようにしている。
第1図に示す本実施例では空間フィルター4を第ルンズ
群lの焦点面から一定ff1fiれた位置に配置し、空
間フィルター4の一点に不要の1次回折光が集光しない
ようにして空間フィルター4を保護する場合を示したが
、この他室間フィルターの一点に不要の回折光が集光し
ない構成であればどのような構成であっても良い。
群lの焦点面から一定ff1fiれた位置に配置し、空
間フィルター4の一点に不要の1次回折光が集光しない
ようにして空間フィルター4を保護する場合を示したが
、この他室間フィルターの一点に不要の回折光が集光し
ない構成であればどのような構成であっても良い。
例えば第3図に示すように空間フィルター4を第ルンズ
群3の焦点面近傍に配置し、このとき不要の1次回折光
7が集光する領域41を傾斜させて1次回折光が拡散し
て入射するようにし、空間フィルター4の単位面積当り
の入射エネルギーを低下させるようにしても良い。
群3の焦点面近傍に配置し、このとき不要の1次回折光
7が集光する領域41を傾斜させて1次回折光が拡散し
て入射するようにし、空間フィルター4の単位面積当り
の入射エネルギーを低下させるようにしても良い。
本実施例では以上のような光学系と空間フィルターを用
いることにより小型化を図った光量制御装置を達成して
いる。
いることにより小型化を図った光量制御装置を達成して
いる。
尚以上の各実施例では空間フィルターにより1次回折光
を遮光して0次回折光を透過させた場合について示した
が1次回折光を透過させ0次回折光を遮光させるように
しても良い。
を遮光して0次回折光を透過させた場合について示した
が1次回折光を透過させ0次回折光を遮光させるように
しても良い。
本発明に於ける空間フィルターは、上記実施例の如く特
定開口を有する反射部材や吸収部材で構成しても良く、
又、第2レンズ群5として長焦点レンズを選び、1次回
折光9が第2レンズ群5の入射瞳に入らない様にすれば
、このレンズ群自体が空間フィルターとして作用するこ
とにもなる。
定開口を有する反射部材や吸収部材で構成しても良く、
又、第2レンズ群5として長焦点レンズを選び、1次回
折光9が第2レンズ群5の入射瞳に入らない様にすれば
、このレンズ群自体が空間フィルターとして作用するこ
とにもなる。
(発明の効果)
本発明によれば空間フィルターの開口を通過する所定次
数の回折光量を偏向素子に印加する電気的な信号によっ
て制御した簡易な構成の光量制御装置を達成することが
できる。特に本発明では遠紫外領域で回折効率が小さい
AO素子の0次回折光を使用するようにして効率の良い
光利用を図り、更に空間フィルターの位置を回折光の集
光位置からずらすことにより、大出力レーザーを用いた
ときの空間フィルターの損傷を効果的に防止し、安定し
た光制御の出来る光量制御装置を達成することができる
。
数の回折光量を偏向素子に印加する電気的な信号によっ
て制御した簡易な構成の光量制御装置を達成することが
できる。特に本発明では遠紫外領域で回折効率が小さい
AO素子の0次回折光を使用するようにして効率の良い
光利用を図り、更に空間フィルターの位置を回折光の集
光位置からずらすことにより、大出力レーザーを用いた
ときの空間フィルターの損傷を効果的に防止し、安定し
た光制御の出来る光量制御装置を達成することができる
。
第1図は本発明の一実施例の概略図、第2図は本発明を
半導体製造用の露光装置に通用したときの一実施例の概
略構成図、第3図は本発明の他の一実施例の概略図であ
る。図中1は光束、2はAO素子、3は第ルンズ群、4
は空間フィルター、5は第2次レンズ群、6は0次回折
光、7は1次回折光である。 第1図 第 2 図 第 3 図 ′J′1 ルアタネ+fl 、i−、L−=−・ト(
自発)昭和63年 5月 つ日 昭和62年特許願第 25263号 2、発明の名称 露光装置 3、補IFをする者 is件との関係 特許出願人 住所 東京都大【11区下丸子3−30−2名称 (+
00) キャノン株式会社代表者 賀 来 龍
三 部 4、代理人 居所 〒158東京都凹田谷区奥沢2−17−3ベルハ
イム自由が化301号(?It話718−5614)(
1)明細書の発明の名称の欄 (2)明細書の特許請求の範囲の欄 (3)明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細i!Ffl I L1第3行目の「光量7学
キく(B光装置」と補正する。 (2)別紙のとおり特許請求の範囲の欄を補正する。 (3)(()明細書第2頁第1行目と第4行目の「光量
制御装置」を「露光装置」と補正する。 (ロ)明細書第4頁第3行目から第12行目にかけての
「本発明は・・・・・・目的とする。」を削除し、代わ
りにr本発明は非常に発光時間が短いエキシマレーザか
らのパルスレーザ光の光量を正確に制御することが可能
な露光装置を提供することを目的とする。」を代入する
。 (八)明細書第4頁第14行目から第20行目にかけて
の「光源から・・・・・・ことである。」を削除し、代
わりに「マスクのパターンをウェハ上に転写する為の露
光装置において、エキシマレーザと該エキシマレーザか
らのパルスレーザ光を受けて該パルスレーザ光で前記マ
スクを照明する照明系と該照明系の前記パルスレーザ光
の光路中に配設した音響光学素子とを有し、前記音響光
学素子により前記パルスレーザ光を回折せ(ニ)明細書
第5頁第2行目から第3行目にかけての「第1図は・・
・・・・である。」を[第1図は本発明に使用する光■
制御装置の一例の要部を示す概略図である。」と補正す
る。 (ホ)明細書第7貞第7行IIから第9行目にかけての
「次に・・・に示す。Jを削除し、代わりに「次に、本
発明に係る露光装置の一実施例を示すブロック図を第2
図に示す。本実施例の露光装置は、第1図に示した音響
光学素子を利用した光量制御装置を具備している。」を
代入する。 (へ)明細書第9頁第20行目から第10頁第1O行目
にかけての「本発明に・・・・・・できる。」を削除し
、代わりに「本発明によれば、エキシマレーザからのパ
ルスレーザ光の光路中に音響光学素子を配し、この音響
光学素子によりパルスレーザ光を回折せしめることによ
り、マスクに到達するパルスレーザ光の光量を調整する
為、極めて小型且つ高速に光計制御が行なえる。従って
、マスクパターンをウェハ上に転写する際の露光1辻制
御を、非常に発光時間が短いエキシマレーザを露光用光
源として用いても、正確に行なうことか可能である。」
を特徴する 特許請求の範囲 マスクのパターンをウェハ−トに転写する為の露光装置
において、エキシマレーザと詠エキシマレーザからのパ
ルスレーザ光を受けて該パルスレーザ光で前記マスクを
照明する照明系と該照明系の111f記パルスレーザ光
の光路中に配設したrf響光学素fとを有し、前記音響
光学素子により前記パルスレーザ光を回折せしめ、11
η記マスクに到達するパルスレーザ光の光r11を調整
することを特徴とする露光装置。
半導体製造用の露光装置に通用したときの一実施例の概
略構成図、第3図は本発明の他の一実施例の概略図であ
る。図中1は光束、2はAO素子、3は第ルンズ群、4
は空間フィルター、5は第2次レンズ群、6は0次回折
光、7は1次回折光である。 第1図 第 2 図 第 3 図 ′J′1 ルアタネ+fl 、i−、L−=−・ト(
自発)昭和63年 5月 つ日 昭和62年特許願第 25263号 2、発明の名称 露光装置 3、補IFをする者 is件との関係 特許出願人 住所 東京都大【11区下丸子3−30−2名称 (+
00) キャノン株式会社代表者 賀 来 龍
三 部 4、代理人 居所 〒158東京都凹田谷区奥沢2−17−3ベルハ
イム自由が化301号(?It話718−5614)(
1)明細書の発明の名称の欄 (2)明細書の特許請求の範囲の欄 (3)明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1)明細i!Ffl I L1第3行目の「光量7学
キく(B光装置」と補正する。 (2)別紙のとおり特許請求の範囲の欄を補正する。 (3)(()明細書第2頁第1行目と第4行目の「光量
制御装置」を「露光装置」と補正する。 (ロ)明細書第4頁第3行目から第12行目にかけての
「本発明は・・・・・・目的とする。」を削除し、代わ
りにr本発明は非常に発光時間が短いエキシマレーザか
らのパルスレーザ光の光量を正確に制御することが可能
な露光装置を提供することを目的とする。」を代入する
。 (八)明細書第4頁第14行目から第20行目にかけて
の「光源から・・・・・・ことである。」を削除し、代
わりに「マスクのパターンをウェハ上に転写する為の露
光装置において、エキシマレーザと該エキシマレーザか
らのパルスレーザ光を受けて該パルスレーザ光で前記マ
スクを照明する照明系と該照明系の前記パルスレーザ光
の光路中に配設した音響光学素子とを有し、前記音響光
学素子により前記パルスレーザ光を回折せ(ニ)明細書
第5頁第2行目から第3行目にかけての「第1図は・・
・・・・である。」を[第1図は本発明に使用する光■
制御装置の一例の要部を示す概略図である。」と補正す
る。 (ホ)明細書第7貞第7行IIから第9行目にかけての
「次に・・・に示す。Jを削除し、代わりに「次に、本
発明に係る露光装置の一実施例を示すブロック図を第2
図に示す。本実施例の露光装置は、第1図に示した音響
光学素子を利用した光量制御装置を具備している。」を
代入する。 (へ)明細書第9頁第20行目から第10頁第1O行目
にかけての「本発明に・・・・・・できる。」を削除し
、代わりに「本発明によれば、エキシマレーザからのパ
ルスレーザ光の光路中に音響光学素子を配し、この音響
光学素子によりパルスレーザ光を回折せしめることによ
り、マスクに到達するパルスレーザ光の光量を調整する
為、極めて小型且つ高速に光計制御が行なえる。従って
、マスクパターンをウェハ上に転写する際の露光1辻制
御を、非常に発光時間が短いエキシマレーザを露光用光
源として用いても、正確に行なうことか可能である。」
を特徴する 特許請求の範囲 マスクのパターンをウェハ−トに転写する為の露光装置
において、エキシマレーザと詠エキシマレーザからのパ
ルスレーザ光を受けて該パルスレーザ光で前記マスクを
照明する照明系と該照明系の111f記パルスレーザ光
の光路中に配設したrf響光学素fとを有し、前記音響
光学素子により前記パルスレーザ光を回折せしめ、11
η記マスクに到達するパルスレーザ光の光r11を調整
することを特徴とする露光装置。
Claims (3)
- (1)光源からの光束を偏向素子に導光し、該偏向素子
から射出する所定次数の光を集光レンズを介した後、該
集光レンズから一定量離れた位置に配置した一定開口を
有する空間フィルターに導光し、該空間フィルターの開
口を通過する所定次数の光の光量を前記偏向素子に与え
る電気的信号により制御したことを特徴とする光量制御
装置。 - (2)前記偏向素子がAO素子から成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の光量制御装置。 - (3)前記所定次数の光は0次回折光であることを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の光量制御装置。
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JP62025263A JPS63193130A (ja) | 1987-02-05 | 1987-02-05 | 光量制御装置 |
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