JPH0895063A

JPH0895063A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH0895063A
Application number: JP25607394A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Shimomaki; 伸一下牧; Katsuto Sakamoto; 克仁坂本; Tetsushi Yoshida; 哲志吉田
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1994-09-27
Filing date: 1994-09-27
Publication date: 1996-04-12

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】液晶を乱れの少ない良好な状態に配向させる
ことができる液晶表示素子を提供する。【構成】液晶表示素子は、ＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ
基板１１にマトリクス状に配置されたＴＦＴ１４と、画
素電極１３と、アクティブ素子の上に形成された平坦化
膜１７と、平坦化膜１７の上に形成された配向膜１８
と、対向基板１２と、対向基板１２に形成された対向電
極２０と、対向電極２０上に形成された配向膜２１と、
螺旋構造を有して封入された液晶２３と、とより形成さ
れる。配向膜１８の表面の凸凹による表面の最大傾斜角
φは液晶分子の螺旋構造のコーン角θよりも小さく形成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は液晶表示素子に関し、
特に、配向の乱れの少なく、製造が容易なアクティブマ
トリクス型液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１１は従来のアクティブマトリクス方
式の強誘電性液晶表示素子の一部を示す。図示するよう
に、この液晶表示素子は、ＴＦＴ基板１と、ＴＦＴ基板
１に対向して配置された対向基板２と、ＴＦＴ基板１と
対向基板２との間に封止された強誘電性液晶３と、これ
らを挟んで配置された偏光板４、５と、より構成され
る。

【０００３】ＴＦＴ基板１には、画素電極６とＴＦＴ
（薄膜トランジスタ）７とがマトリクス状に配列されて
形成されている。対向基板２には、画素電極６と対向す
る対向電極８が形成されている。

【０００４】ＴＦＴ基板１と対向基板２にはそれぞれ配
向膜９、１０が形成されており、配向膜９、１０の対向
面にはラビング等の配向処理が施されている。このよう
な構成の強誘電性液晶表示素子は、通常使用されている
ＴＮ液晶表示素子等と比較して、高速応答性を有し、視
野角が広いという特徴を有する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図１１の構成において
は、ＴＦＴ７が厚いため、配向膜９の強誘電性液晶３に
接する面にＴＦＴ７に対応する凸部が形成される。凸部
の近傍の強誘電性液晶の液晶分子はこの凸状の配向膜９
の表面を基準として配向する。このため、凸部の近傍に
おいて強誘電性液晶３の配向状態が乱れてしまう。凸部
付近での配向の乱れは、その周囲の液晶の配向にも波及
する。このため、強誘電性液晶３の配向構造に欠陥がで
き、これが表示むらやコントラスト低下の原因となる。
特に、強誘電性液晶の場合、液晶がスメクティック相の
層構造を有しており、配向の乱れにより、層構造自体に
欠陥が生じ、表示むらやコントラスト低下の原因となる
虞がある。

【０００６】このような問題を解決するため、ＴＦＴ７
及び画素電極６と配向膜９との間に配向膜９と強誘電性
液晶３との界面を平坦化するための膜（平坦化膜）を形
成することも行われている。しかし、平坦化膜自体にＴ
ＦＴ７の形状に応じた凸凹が生ずるため、配向膜９の表
面をほぼ平坦にするためには、非常に厚い平坦化膜が必
要となってしまう。また、画素電極６の上に厚い平坦化
膜が形成されるため、画素電極６と強誘電性液晶３との
間隔が広くなり、平坦化膜での電圧降下により、強誘電
性液晶３に印加される電圧が相対的に小さくなり、駆動
電圧が高くなってしまう。

【０００７】この発明は、上記実状に鑑みてなされたも
ので、強誘電性液晶を乱れの少ない良好な状態に配向さ
せることができる液晶表示素子を提供することを目的と
する。また、この発明は、低電圧で液晶を駆動すること
ができる液晶表示素子を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の液晶表示素子は、第１の基板と、前記第
１の基板にマトリクス状に配置されたアクティブ素子
と、対応する前記アクティブ素子に接続された画素電極
と、前記アクティブ素子及び前記画素電極の上に形成さ
れ、表面に前記アクティブ素子に応じた凸凹が形成され
た平坦化膜と、前記平坦化膜の上に形成され、前記平坦
化膜の表面の凸凹に応じた凸凹が表面に形成された第１
の配向膜と、前記第１の基板に対向して配置された第２
の基板と、前記第２の基板の前記第１の基板に対向する
面に形成され、前記画素電極に対向する対向電極と、前
記対向電極上に形成された第２の配向膜と、前記第１と
第２の配向膜の間に、螺旋構造を有して封入された液晶
と、とより形成され、前記第１の配向膜の表面の凸凹に
よる該表面の最大傾斜角は、前記螺旋構造の螺旋の軸と
液晶分子のダイレクタの成す角度よりも小さく形成され
ている、ことを特徴とする。

【０００９】

【作用】この発明の構成によれば、液晶が螺旋構造を維
持したスメクティック相である液晶表示素子において、
凸凹の大きいアクティブ素子が形成された基板側の配向
膜の最大傾斜角が液晶分子の螺旋軸と液晶分子のダイレ
クタの成す角度（コーンアングル）よりも小さく形成さ
れている。従って、配向膜表面の傾きによる配向の乱れ
を液晶分子１層分の１つの螺旋構造の歪みで吸収するこ
とができる。従って、配向の乱れが広い範囲に波及する
ことがなく、比較的狭い範囲に限定される。従って、配
向の乱れが少ない液晶素子を提供できる。

【００１０】

【実施例】以下、この発明の実施例にかかる液晶表示素
子を図面を参照して説明する。（第１実施例）まず、この発明の第１実施例にかかるカ
ラー液晶表示素子全体の構成を図１、図２、図３を参照
して説明する。図１は第１実施例の液晶表示素子の全体
断面図、図２は画素電極と薄膜トランジスタを形成した
透明基板（ＴＦＴ基板）の平面図、図３はＴＦＴ基板の
拡大断面図である。

【００１１】この液晶表示素子は、アクティブマトリク
ス方式のものであり、図１に示すように、対向して配置
された一対の透明基板（例えば、ガラス基板）１１、１
２と、透明基板１１と１２の間に配置された液晶２３と
より構成される液晶セル２７と液晶２７を挟んで配置さ
れた偏光板２５、２６と、から構成される。

【００１２】図１、図２に示すように、透明基板（ＴＦ
Ｔ基板）１１にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素
電極１３と画素電極１３に接続されたＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）１４とがマトリクス状に配列形成されてい
る。画素電極１３の行間にゲートライン１５が配線さ
れ、画素電極１３の列間にデータライン１６が配線され
ている。各ＴＦＴ１４のゲート電極は対応するゲートラ
イン１５に接続され、ドレイン電極は対応するデータラ
イン１６に接続され、ソース電極は対応する画素電極１
３に接続されている。

【００１３】図３に拡大して示すように、ＴＦＴ１４
は、ＴＦＴ基板１１の上に形成されたゲート電極３３
と、ゲート電極３３の上に形成されたゲート絶縁膜３４
と、ゲート絶縁膜３４上に形成され、例えば、アモルフ
ァス（或いはポリ）シリコン等からなるｉ型（真性）半
導体層３５と、ｉ型半導体層３５のチャネル領域をエッ
チングから保護するためのブロッキング層３６と、ｎ型
高濃度層からなるオーミックコンタクト層３７と、オー
ミックコンタクト層３７を介してｉ型半導体層３５に接
続されたソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとより構成
される。

【００１４】画素電極１３はゲート絶縁膜３４の上に形
成され、対応するＴＦＴ１４のソース電極ＳＥに接続さ
れている。ゲートライン１５はゲート電極３３と一体に
ＴＦＴ基板１１上に形成される。データライン１６はド
レイン電極ＤＥと一体にゲート絶縁膜３４上に形成され
ている。

【００１５】画素電極１３、ＴＦＴ１４、ゲートライン
１５、データライン１６等の上には、シリコン酸化膜
（ＳｉＯ₂）等からなる平坦化膜１７が形成されてい
る。平坦化膜１７は、例えば、ＴＦＴ１４の高さ（３０
０〜９００ｎｍ）の２倍程度の高さを有し、その表面は
ＴＦＴ１４の形状に対応する凸凹が形成されている。平
坦化膜１７の上には、ポリイミド等からなる第１の配向
膜１８が形成され、その表面には、ラビング処理等の配
向処理が施されている。第１の配向膜１８の表面の後述
する液晶２３の液晶分子の螺旋軸（又はＴＦＴ基板１１
の内面）に対する最大傾斜角φは、液晶２３の螺旋軸と
液晶分子の角度（コーン角）θ以下に形成されている。
この条件を満足するように、平坦化膜１７および第１の
配向膜１８の厚さが設定されている。

【００１６】図１に示すように、透明基板（対向基板）
１２の内面には、各画素電極１３と対向する透明な対向
電極２０が形成されている。対向電極２０の上には、第
２の配向膜２１が形成されている。第２の配向膜２１の
表面にも配向処理が施されている。

【００１７】ＴＦＴ基板１１と対向基板１２は、その外
周縁部において枠状のシール材２２を介して接着されて
いる。ＴＦＴ基板１１と対向基板１２の間隔（より正確
には、第１の配向膜１８と第２の配向膜２１の間隔＝液
晶層厚ｄ）は、ギャップ材２４により一定値に保持され
る。

【００１８】ＴＦＴ基板１１、対向基板１２、シール材
２２で囲まれた領域には液晶２３が封入されている。液
晶２３は、カイラルスメクティックＣ相の螺旋ピッチが
セルギャップより小さく、螺旋構造を有した状態で液晶
セル内に封止され、カイラルスメクティックＣ相の螺旋
構造が印加電圧により歪む性質を有するＤＨＦ（Deform
ed Helix Ferroelectric）液晶から構成される。

【００１９】ＤＨＦ（Deformed Helical Ferroelectri
c）液晶の分子は、図４に模式的に示すように、スメク
ティック相の有する層構造の層毎に液晶分子の長軸方向
（ダイレクタ）が一定角度ずつ回転していき、全体とし
て螺旋構造を形成する。この螺旋構造は、固定的なもの
ではなく、外部から印加される電界、磁界、接触面の傾
き等に応じて、適宜歪んだ状態で配向を維持しうる。

【００２０】そこで、上述のように、液晶分子の螺旋軸
に対する第１の配向膜１８の表面の最大傾斜角（傾き
角）φを液晶分子の螺旋軸に対する角度（コーンアング
ル）θ以下とすれば、図５に模式的に示すように、第１
の配向膜１８の表面の傾きによる配向の乱れを液晶分子
が描く１つの螺旋の歪みで抑えることができ、配向の乱
れが広い領域に波及する事態を防止できる。

【００２１】図３に示す構成の場合、第１の配向膜１８
の表面を完全に平坦化する必要がないので、平坦化膜１
７及び第１の配向膜１８の厚さを従来と比較して薄くす
ることができ、液晶表示素子の特性を向上することがで
きる。

【００２２】液晶分子と螺旋軸のなす角（コーンアング
ル）θは、ＤＨＦ液晶の材質等により異なり、一般に、
２７〜４５°である。このため、使用するＤＨＦ液晶の
材質に応じて第１の配向膜１８の表面の最大傾斜角φが
θ以下となるように、平坦化膜１７および第１の配向膜
１８の厚さ等を調整する。

【００２３】次に、上記構成の液晶表示素子の製造方法
を図３を参照して説明する。初めに、ＴＦＴ基板１１側
の製造工程を説明する。まず、ガラス等からなるＴＦＴ
基板１１の全面に厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度のクロ
ム、アルミニウム等の金属膜をスパッタリング等により
形成し、この金属膜をフォトリソグラフィー法等を用い
てパターニングしてゲート電極３３とゲートライン１５
を形成する。

【００２４】ＴＦＴ基板１１の全面に厚さ２００ｎｍ〜
４００ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等からなるゲー
ト絶縁膜３４をＣＶＤ等により形成する。このゲート絶
縁膜３４は全てのＴＦＴ１４に共通に形成される。ゲー
ト絶縁膜３４上にｉ型（真性）半導体層（例えば、真性
アモルファスシリコン層或いは真性ポリシリコン層）３
５をＣＶＤ等により堆積し、これを各ＴＦＴ１４の素子
形状にパターニングする。

【００２５】ＴＦＴ基板１１全面に厚さ１００ｎｍ〜２
００ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を形成し、これを
パターニングして、ｉ型半導体層３５のチャネル領域を
エッチングから保護するためのブロッキング層３６を形
成する。ＴＦＴ基板１１全面にｎ型高濃度シリコン層を
形成し、これをパターニングしてオーミックコンタクト
層３７を形成する。

【００２６】ＩＴＯ等の透明導電膜をスパッタリング等
により形成し、これをパターニングしてオーミックコン
タクト層３７に接続された画素電極１３を形成する。Ｔ
ＦＴ基板１１全面に厚さ３０ｎｍ〜７０ｎｍのクロム層
３８と１５０ｎｍ〜２５０ｎｍのアルミニウム層３９を
順次スパッタリング等により堆積する。クロム層３８と
アルミニウム層３９をパターニングして、画素電極１３
とオーミックコンタクト相３７に接続されたソース電極
ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、ドレイン電極ＤＥと一体に形
成されたドレインライン１６を形成する。

【００２７】次に、スピンコータなどを用いて、Ｓｉ−
（ＯＨ）₄溶液等をＴＦＴ基板１１全面に塗布し、加熱
してＳｉＯ₂からなる平坦化膜１７を形成する。ＣＶ
Ｄ，スパッタリング等と異なり、スピンコート法を用い
てある程度の層厚を確保することにより、表面が比較的
ななだらかな平坦化膜１７を形成できる。平坦化膜１７
の表面は完全に平坦である必要はなく、後で形成される
第１の配向膜１８の表面の最大傾斜角φが液晶分子の螺
旋軸（又はＴＦＴ基板１１の表面）に対する角度（コー
ンアングル）θ以下となる程度に選定する。

【００２８】次に、平坦化膜１７の上に芳香族系ポリア
ミック酸等の溶液をスピンコータ等を用いて塗布し、１
００〜３５０℃で加熱して、ポリイミド系高分子被膜を
形成する。形成されたポリイミド系高分子被膜にラビン
グ等の配向処理を施し、凸凹を有し、表面の最大傾斜角
φがコーンアングルθ以下である第１の配向膜１８を完
成する。

【００２９】一方、対向基板１２については、ＩＴＯ等
の透明導電層を堆積してパターニングして対向電極２０
を形成し、次に、対向電極２０上に第２の配向膜２１を
形成し、これにラビング等の配向処理を施す。

【００３０】その後、両基板１１、１２をシール材２
２、スペーサ２４を介して接合し、基板１１と１２の間
に真空注入法等を用いて液晶２３を注入することにより
液晶セル２７を形成する。

【００３１】（第２実施例）図３に示す構成において
は、画素電極１３の上に平坦化膜１７が形成されてお
り、画素電極１３と液晶２３との間隔が広いため、平坦
化膜１７での電圧降下が大きくなり、駆動電圧が高くな
ってしまう。

【００３２】そこで、例えば図６に示すように、平坦化
膜１７の上に画素電極１３を形成することにより、平坦
化膜１７での電圧降下を除去し、駆動電圧を低くするこ
とができる。画素電極１３は、平坦化膜１７に形成され
たコンタクトホール４１を介してＴＦＴ１４のソース電
極ＳＥに接続され、平坦化膜１７と画素電極１３上に第
１の配向膜１８が形成される。

【００３３】（第３実施例）図３及び図６に示す構成に
おいては、平坦化膜は１層構造であったが、第１の配向
膜１８の表面をより平坦化するために、平坦化膜１７を
多層構造としてもよい。

【００３４】例えば、図７に示すように、ソース電極Ｓ
Ｅとほぼ等しい厚さの第１の平坦化膜１７Ａを形成し、
この上に画素電極１３を形成し、さらに、それらの上に
表面がほぼ平坦な第２の平坦化膜１７Ｂを形成し、第２
の平坦化膜１７Ｂの上に第１の配向膜１８を形成しても
よい。このような構成によれば、第１の平坦化膜１７Ａ
によりＴＦＴ１４間の領域がほぼ埋められているので、
第２の平坦化膜１７Ｂが比較的薄くても、その表面を平
坦化することができる。また、図３の構成に比較して、
画素電極１３と液晶２３の間隔を狭くし、駆動電圧を低
くすることができる。

【００３５】なお、図７に示す構成は、例えば、ソース
電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとデータライン１６とを形
成した後で、それらのパターニングマスクを残存したま
ま第１の平坦化膜１７Ａをスピンコートし、その後、パ
ターニングマスクとその上の第１の平坦化膜１７Ａを除
去し、次に、第２の平坦化膜１７Ｂをスピンコートし、
その後、第１の配向膜１８を形成することにより、形成
可能である。

【００３６】また、図８に示すように、第１の平坦化膜
１７Ａの上に画素電極１３を形成し、さらに、それらの
上に第２の平坦化膜１７Ｂを形成し、その上に第１の配
向膜１８を形成してもよい。

【００３７】（第４実施例）次に、第１の配向膜１８の
表面の最大傾斜角φをコーンアングルθ以下に抑えるの
に適した構造の画素電極１３及びＴＦＴ１４を図９を参
照して説明する。

【００３８】この実施例の画素電極１３とＴＦＴ１４と
の基本構造は、図３に示す第１実施例の構成とほぼ同一
である。しかし、画素電極１３とＴＦＴ１４を形成する
各層の端部にテーパーが形成されている点が図３に示す
構成と異なる。

【００３９】即ち、透明基板１１の上には、ゲート電極
３３とゲートライン１５が形成されているが、これらの
端部はテーパーエッチングによりテーパーが形成されて
いる。ゲート絶縁膜３４上に形成されたｉ半導体層３５
の端部もテーパーエッチングされている。さらに、ソー
ス電極ＳＥとドレイン電極ＤＥ及びデータライン１６の
端部もテーパーエッチングされている。また、画素電極
１３の端部もテーパーエッチングされている。このた
め、この実施例の画素電極１３及びＴＦＴ１４は段差部
を有するが、段差部の傾きは上述の実施例の画素電極１
３及びＴＦＴ１４に比較してなだらかなものとなる。

【００４０】このため、比較的薄い、例えば、６００ｎ
ｍ程度の厚さの平坦化膜１７を形成した場合でも、第１
の配向膜１８の表面の最大傾斜角φを液晶２３のコーン
角θ以下にすることができる。

【００４１】なお、クロム（Ｃｒ）をテーパーエッチン
グする場合には、例えば、硝酸セリウムアンモニウムと
過塩素酸と水との混合溶液をエッチャントとして使用
し、アルミニウム（Ａｌ）をテーパーエッチングする場
合には、例えば、リン酸と比較的高い濃度の硝酸と水と
の混合溶液をエッチャントとして使用し、ＩＴＯをテー
パーエッチングする場合には、例えば、塩酸と水と必要
に応じて硝酸との混合溶液をエッチャントとして使用す
ればよい。

【００４２】また、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）、
アモルファスシリコン、或いはポリシリコン層等をテー
パーエッチングするためには、ＣＦ₄又はＳＦ₆のエッチ
ングガスに酸素を添加し、酸素によりレジストを後退さ
せならがドライエッチングを行えばよい。

【００４３】上記実施例においては、チャネルブロッキ
ング層を有するボトムゲート型のＴＦＴを例にこの発明
を説明したが、他の構成のＴＦＴを採用してもよい。例
えば、図１０の構成では、チャネルエッチ型のＴＦＴ１
４を用いている。チャネルエッチ型のＴＦＴ１４では、
チャネルブロッキング層を形成しない分だけ、ＴＦＴ１
４の高さを低くすることができ、第１の配向膜１８の表
面を平坦化し易くなる。図１０の構成においても、画素
電極１３及びＴＦＴ１４を形成する各層の端部をテーパ
ーエッチングし、第１の配向膜１８の最大傾斜角φを液
晶２３のコーン角θより小さくすることが望ましい。

【００４４】また、第１の配向膜１８をある程度厚く
し、図１０に示すように、平坦化膜１７を用いずに最大
傾斜角φをθ以下に設定してもよい。

【００４５】上記実施例では、液晶２３としてＤＨＦ液
晶を使用する場合を例にこの発明を説明したが、液晶２
３はＤＨＦ液晶に限定されず、螺旋構造維持したまま透
明基板１１と１２の間に配置される任意のカイラルスメ
クテック相の液晶を使用でき、例えば、ＳＢＦ液晶、強
誘電相と反強誘電相を有する反強誘電性液晶等も使用可
能である。

【００４６】上記実施例では、ＴＦＴをアクティブ素子
として用いたが、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）等
をアクティブ素子として使用してもよい。その他、この
発明は上記実施例に限定されず、種々の変形、応用が可
能である。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、配向膜表面の凸凹による配向の乱れの少ない液晶表
示素子を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例にかかる液晶表示素子の
断面図である。

【図２】画素電極と薄膜トランジスタを形成した透明基
板の平面図である。

【図３】この発明の第１実施例にかかるＴＦＴ基板の拡
大断面図である。

【図４】ＤＨＦ液晶の配向状態を模式的に示す図であ
る。

【図５】配向膜に傾きが存在する場合におけるＤＨＦ液
晶の配向状態を模式的に示す図である。

【図６】この発明の第２実施例にかかるＴＦＴ基板の拡
大断面図である。

【図７】この発明の第３実施例の第１の例にかかるＴＦ
Ｔ基板の拡大断面図である。

【図８】この発明の第３実施例の第２の例にかかるＴＦ
Ｔ基板の拡大断面図である。

【図９】この発明の第４実施例にかかるＴＦＴ基板の拡
大断面図であり、この発明に好適なＴＦＴの構造を説明
する図である。

【図１０】図９に示すＴＦＴの変形例を示す図である。

【図１１】従来の液晶表示素子の断面図である。

【符号の説明】

１１・・・ＴＦＴ基板、１２・・・対向基板、１３・・・画素電
極、１４・・・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１５・・・ゲー
トライン、１６・・・データライン、１７・・・平坦化膜、１
８・・・配向膜、２０・・・対向電極、２１・・・配向膜、２２・
・・シール材、２３・・・液晶、２４・・・ギャップ材、２５・・
・偏光板、２６・・・偏光板、２７・・・液晶セル、３３・・・ゲ
ート電極、３４・・・ゲート絶縁膜、３５・・・ｉ型半導体
層、３６・・・ブロッキング層、３７・・・オーミックコンタ
クト層、３８・・・クロム層、３９・・・アルミニウム層、Ｓ
Ｅ・・・ソース電極、ＤＥ・・・ドレイン電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれに電極が形成され、対向して配置
された一対の基板と、前記一対の基板の電極上に形成され、その表面に凸凹を
有して形成された配向膜と、前記配向膜間に封止され、螺旋構造を有して前記配向膜
間に封止されたカイラルスメクティック相の液晶と、を
備え、前記配向膜は、前記螺旋構造の螺旋の軸に対する表面の
最大傾斜角が、前記螺旋の軸と液晶分子のダイレクタの
成す角度よりも小さく成るように形成されている、ことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】第１の基板と、前記第１の基板にマトリクス状に配置されたアクティブ
素子と、対応する前記アクティブ素子に接続された画素電極と、前記アクティブ素子及び前記画素電極の上に形成され、
表面に前記アクティブ素子に応じた凸凹が形成された平
坦化膜と、前記平坦化膜の上に形成され、前記平坦化膜の表面の凸
凹に応じた凸凹が表面に形成された第１の配向膜と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面に形成さ
れ、前記画素電極に対向する対向電極と、前記対向電極上に形成された第２の配向膜と、前記第１と第２の配向膜の間に、螺旋構造を有して封入
された液晶と、とより形成され、前記第１の配向膜の表面の凸凹による該表面の最大傾斜
角は、前記螺旋構造の螺旋の軸と液晶分子のダイレクタ
の成す角度よりも小さく形成されている、ことを特徴とする液晶表示素子。
【請求項３】前記アクティブ素子は、複数の層が積層さ
れて形成され、前記複数の層の少なくとも１つは端部が
テーパーエッチングされていることを特徴とする請求項
２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】前記液晶は、電圧の印加に応じてカイラル
スメクティック相の液晶分子の螺旋構造が歪む強誘電性
を有する液晶材料から構成されていることを特徴とする
請求項１、２又は３に記載の液晶表示素子。