JPH088624B2 - 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ - Google Patents
完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリInfo
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- JPH088624B2 JPH088624B2 JP63058310A JP5831088A JPH088624B2 JP H088624 B2 JPH088624 B2 JP H088624B2 JP 63058310 A JP63058310 A JP 63058310A JP 5831088 A JP5831088 A JP 5831088A JP H088624 B2 JPH088624 B2 JP H088624B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、完全密着読取センサ及びこれを用いたアセ
ンブリに係り、特にファクシミリの読取部等に用いられ
る集光レンズ不要の装置に適する完全密着型読取センサ
の構造及びこれを用いたセンサアセンブリに関する。
ンブリに係り、特にファクシミリの読取部等に用いられ
る集光レンズ不要の装置に適する完全密着型読取センサ
の構造及びこれを用いたセンサアセンブリに関する。
従来の完全密着型読取センサの構成は、日経エレクト
ロニクス,434（1987年）第207項から第221項に記載のよ
うにセンサ基板上に導電性処理したガラスを装着した構
造となつていた。
ロニクス,434（1987年）第207項から第221項に記載のよ
うにセンサ基板上に導電性処理したガラスを装着した構
造となつていた。
上記従来技術は厚さ50μｍ程度の薄いガラスをセンサ
基板上に装着したため、薄いガラスの取扱い時に破損し
やすく、組立て作成に多大の労力を要していた。
基板上に装着したため、薄いガラスの取扱い時に破損し
やすく、組立て作成に多大の労力を要していた。
本発明の目的は作成が容易で、読取り性能の安定した
完全密着型読取センサとセンサアセンブリを提供するこ
とである。
完全密着型読取センサとセンサアセンブリを提供するこ
とである。
上記目的はガラスに代えて透明導電性フイルムを採用
することにより達せられる。このフイルムの使用は可塑
性があり傷付き易いことが当初懸念されたものの現実に
はさしたる支障がなくかつ効果絶大であることが本発明
者等の試行によつて明らかになつた。
することにより達せられる。このフイルムの使用は可塑
性があり傷付き易いことが当初懸念されたものの現実に
はさしたる支障がなくかつ効果絶大であることが本発明
者等の試行によつて明らかになつた。
具体的には以下のようにして上記の目的を達成するこ
とができる。
とができる。
複数のセンサ素子と、センサ素子群を搭載しかつ少な
くとも搭載部位近傍が透光する構造のセンサ素子搭載用
基板と、基板上面にセンサ素子群を覆うように積層して
なる導電性透明フィルムとを備え、かつフィルムの片面
は少なくともセンサ面に面する側でかつセンサ近傍位置
に表面微細凹凸加工を施してあるようにする。
くとも搭載部位近傍が透光する構造のセンサ素子搭載用
基板と、基板上面にセンサ素子群を覆うように積層して
なる導電性透明フィルムとを備え、かつフィルムの片面
は少なくともセンサ面に面する側でかつセンサ近傍位置
に表面微細凹凸加工を施してあるようにする。
或いは、複数のセンサ素子と、センサ素子群を搭載し
かつ少なくとも搭載部位近傍が透光する構造のセンサ素
子搭載用基板と、基板上面にセンサ素子群を覆うように
積層してなる導電性透明フィルムとを備え、かつフィル
ムの片面は少なくともセンサ面に面する側でかつセンサ
近傍位置が入射光の散乱面となっているようにする。
かつ少なくとも搭載部位近傍が透光する構造のセンサ素
子搭載用基板と、基板上面にセンサ素子群を覆うように
積層してなる導電性透明フィルムとを備え、かつフィル
ムの片面は少なくともセンサ面に面する側でかつセンサ
近傍位置が入射光の散乱面となっているようにする。
そして好ましくは、導電性透明フィルムは、導電性を
付与した透明フィルムと表面を散乱面としたフィルムを
積層してなるものとする。
付与した透明フィルムと表面を散乱面としたフィルムを
積層してなるものとする。
また本発明に係る完全密着型読取センサを用いて読取
アセンブリは、前記の読取センサの透光部裏面に入射光
路を確保すると共に、導電性フィルムの外側かつセンサ
素子群に紙面を介してプラテンローラが当接するように
構成してなるものであり、光路確保のためにセンサ素子
搭載用基板を取り付けるベース内に光源を具備すること
が好ましい。
アセンブリは、前記の読取センサの透光部裏面に入射光
路を確保すると共に、導電性フィルムの外側かつセンサ
素子群に紙面を介してプラテンローラが当接するように
構成してなるものであり、光路確保のためにセンサ素子
搭載用基板を取り付けるベース内に光源を具備すること
が好ましい。
表面微細凹凸加工は、梨地つや消し加工が最適であ
る。即ち導電性フイルムの片面を梨地状につや消し加工
し、梨地面をセンサ上面側に装着することによつて達成
される構成や透明フイルムの片面を梨地状につや消し加
工し、梨地面をセンサ上面側に装着し、さらに、前記梨
地加工したフイルムの上に導電性透明フイルムを装着す
ることが好ましい。
る。即ち導電性フイルムの片面を梨地状につや消し加工
し、梨地面をセンサ上面側に装着することによつて達成
される構成や透明フイルムの片面を梨地状につや消し加
工し、梨地面をセンサ上面側に装着し、さらに、前記梨
地加工したフイルムの上に導電性透明フイルムを装着す
ることが好ましい。
導電性フイルムはセンサ基板上面に直接、間接いずれ
で装着（接着）してもよい。
で装着（接着）してもよい。
ここで梨地面とは、表面に微細な凹凸があり、これに
よつて反射光及び透過光の光路が変化し乱散される面を
言う。好ましくは表面粗さが平均の高さで0.2μｍから1
0μｍ程度あり、散乱光を含めた光の透過率が70％以上
の面をいう。
よつて反射光及び透過光の光路が変化し乱散される面を
言う。好ましくは表面粗さが平均の高さで0.2μｍから1
0μｍ程度あり、散乱光を含めた光の透過率が70％以上
の面をいう。
尚、梨地加工に限らず、センサ基板の上に導電性フイ
ルムを設けて該フイルム表面の光の集中反射凹面鏡的反
射を防止する機構にすれば当初の目的を達せられる。
ルムを設けて該フイルム表面の光の集中反射凹面鏡的反
射を防止する機構にすれば当初の目的を達せられる。
センサ搭載用基板は絶縁材で成ることが望ましい。素
子搭載部位近傍とは素子取付部分とその周囲を示し、
“周囲”は例えば導電性フイルムとセンサ搭載基板とが
プラテンローラの押圧によつてもセンサ素子の厚みによ
つて必然的に生じてしまうような空間を形成する領域に
相当する。
子搭載部位近傍とは素子取付部分とその周囲を示し、
“周囲”は例えば導電性フイルムとセンサ搭載基板とが
プラテンローラの押圧によつてもセンサ素子の厚みによ
つて必然的に生じてしまうような空間を形成する領域に
相当する。
透光・透明の意義は、使用光源によつて影響される。
使用光はセンサ素子が感知する波長域の光であつて、ａ
−Si（非晶質シリコン）製センサ素子の場合は可視光全
般となる。
使用光はセンサ素子が感知する波長域の光であつて、ａ
−Si（非晶質シリコン）製センサ素子の場合は可視光全
般となる。
尚、光源を納めたベース自体がセンサ搭載支持板を兼
ねても差支えない。
ねても差支えない。
センサ基板上に導電性透明フイルムを装着することに
より、読取性能の安定した作成が容易な完全密着センサ
を得ることができる。導電性透明フイルムは荷重が加わ
ると簡単に弾性変形するため破損しにくい。また、導電
性透明フイルムは電波および静電気誘導に対してシール
ドとなるので、完全密着型読取センサの出力信号のノイ
ズを防止する効果がある。また、原稿面とセンサ素子と
の間のスペーサとなるため、照明の透光スペーサとして
また耐摩耗性保護フイルムとしても働く。これらの効果
のため、本請求項に係る完全密着型読取センサは組立性
が良く、従来と同程度の読取性能を安定に得ることがで
きる。
より、読取性能の安定した作成が容易な完全密着センサ
を得ることができる。導電性透明フイルムは荷重が加わ
ると簡単に弾性変形するため破損しにくい。また、導電
性透明フイルムは電波および静電気誘導に対してシール
ドとなるので、完全密着型読取センサの出力信号のノイ
ズを防止する効果がある。また、原稿面とセンサ素子と
の間のスペーサとなるため、照明の透光スペーサとして
また耐摩耗性保護フイルムとしても働く。これらの効果
のため、本請求項に係る完全密着型読取センサは組立性
が良く、従来と同程度の読取性能を安定に得ることがで
きる。
導電フイルムに高分子フイルムを用いれば鏡面部分を
少なくして散乱効果を向上させ、これが読取センサの機
能の一助となる。
少なくして散乱効果を向上させ、これが読取センサの機
能の一助となる。
導電フイルムの片面を梨地状につや消し加工し、梨地
面をセンサ上面側に装着すると、裏面からの照明光は梨
地面で散乱され、透過および反射する。原稿を押し付け
ることによつて、梨地加工した導電フイルムは変形し、
反射の方向が変化するが、梨地加工のない平滑面では照
明光の鏡面反射がセンサ素子に入射して原稿からの光に
加わるため白出力が異常に大きくなる欠点があるが、一
方梨地面では反射光も散乱されるのでこのような反射光
を防止できる。このため上記の作用に加えて、フイルム
表面反射による異常白出力をなくして、安定な読取り性
能が確保できることになる。
面をセンサ上面側に装着すると、裏面からの照明光は梨
地面で散乱され、透過および反射する。原稿を押し付け
ることによつて、梨地加工した導電フイルムは変形し、
反射の方向が変化するが、梨地加工のない平滑面では照
明光の鏡面反射がセンサ素子に入射して原稿からの光に
加わるため白出力が異常に大きくなる欠点があるが、一
方梨地面では反射光も散乱されるのでこのような反射光
を防止できる。このため上記の作用に加えて、フイルム
表面反射による異常白出力をなくして、安定な読取り性
能が確保できることになる。
第４の請求項に係る発明の作用は第2,3の請求項によ
る作用と同じであるが、導電フイルムと梨地加工したフ
イルムを別にして、それぞれの作用を分離したものであ
る。即ち、片面を梨地加工したフイルムを、梨地面をセ
ンサー上面側となるようにセンサに装着することによつ
て反射光を散乱させ、センサ基板裏側からの照明光が鏡
面反射してセンサ素子に入射することによつて起る出力
異常を防止する。更にセンサ基板に導電性透明フイルム
を接着すると原稿を読取センサに押付けた時のフイルム
の変形が抑えられるので、フイルムのセンサ基板側表面
での照明の反射がセンサ素子に入射するのを抑制し、出
力異常が出にくくなる。また、センサ基板と導電性透明
フイルムを接着すると、センサ基板と導電性透明フイル
ムとの間に屈折率の低い空気層がなくなるので、導電性
フイルムのセンサ基板側表面における反射率が低下し
て、同じく出力異常を出にくくする作用をする。
る作用と同じであるが、導電フイルムと梨地加工したフ
イルムを別にして、それぞれの作用を分離したものであ
る。即ち、片面を梨地加工したフイルムを、梨地面をセ
ンサー上面側となるようにセンサに装着することによつ
て反射光を散乱させ、センサ基板裏側からの照明光が鏡
面反射してセンサ素子に入射することによつて起る出力
異常を防止する。更にセンサ基板に導電性透明フイルム
を接着すると原稿を読取センサに押付けた時のフイルム
の変形が抑えられるので、フイルムのセンサ基板側表面
での照明の反射がセンサ素子に入射するのを抑制し、出
力異常が出にくくなる。また、センサ基板と導電性透明
フイルムを接着すると、センサ基板と導電性透明フイル
ムとの間に屈折率の低い空気層がなくなるので、導電性
フイルムのセンサ基板側表面における反射率が低下し
て、同じく出力異常を出にくくする作用をする。
第３請求項に係る発明の作用は導電性透明フイルムを
センサ基板の上に装着することによつて第１の請求項に
係る発明の作用と同じ効果がある。また、導電性透明フ
イルムの表面での反射を防止することによつて、センサ
素子に原稿からの反射光以外の反射光が入射するのを防
止することができるので安定なセンサ出力を得られる。
センサ基板の上に装着することによつて第１の請求項に
係る発明の作用と同じ効果がある。また、導電性透明フ
イルムの表面での反射を防止することによつて、センサ
素子に原稿からの反射光以外の反射光が入射するのを防
止することができるので安定なセンサ出力を得られる。
以下、本発明の実施例を説明する。第１図は第１の請
求項に係る発明の完全密着型読取センサを装置に組込ん
だ場合の一実施例を示す。第２図，第３図にはその要部
を示す。
求項に係る発明の完全密着型読取センサを装置に組込ん
だ場合の一実施例を示す。第２図，第３図にはその要部
を示す。
第１図において１はセンサ基板、1aはセンサ素子、２
は取付ベース、３はICカバー、４はセンサ駆動IC、５は
光源、６は導電性透明フイルム、７は原稿、８はプラテ
ンローラを示す。使用する光源５はLED（発光ダイオー
ド）である。11は光源５からの照明光であり、12はコネ
クタを示す。
は取付ベース、３はICカバー、４はセンサ駆動IC、５は
光源、６は導電性透明フイルム、７は原稿、８はプラテ
ンローラを示す。使用する光源５はLED（発光ダイオー
ド）である。11は光源５からの照明光であり、12はコネ
クタを示す。
即ち光源５は取付ベース２内に納められ、この取付ベ
ース上にセンサ基板１が配設されている。センサ基板１
の一部は透光性を有し、その透光部は光源５の出射光の
光路上にある。その光路上にセンサ素子1aも搭載されて
おり、この素子1aを導電性フイルム６が覆つている。フ
イルム６はICカバー３上に至り、ICカバー３内にはセン
サ駆動IC4が配設されている。本例ではB4サイズの紙面
対応で１ライン上にセンサ素子を2048ケ搭載しており、
１μs/1素子,5ms/1ラインの速度で動作させるようにし
てある。IC4と素子1aとの配線関係を第３図に例示す
る。
ース上にセンサ基板１が配設されている。センサ基板１
の一部は透光性を有し、その透光部は光源５の出射光の
光路上にある。その光路上にセンサ素子1aも搭載されて
おり、この素子1aを導電性フイルム６が覆つている。フ
イルム６はICカバー３上に至り、ICカバー３内にはセン
サ駆動IC4が配設されている。本例ではB4サイズの紙面
対応で１ライン上にセンサ素子を2048ケ搭載しており、
１μs/1素子,5ms/1ラインの速度で動作させるようにし
てある。IC4と素子1aとの配線関係を第３図に例示す
る。
本項の実施例の完全密着型読取センサの動作は次のよ
うである。すなわち、センサ基板１の裏面から光源５に
より照明すると、照明光はセンサ基板１、導電性透明フ
イルム６を透過し原稿７を照明する。照明光11は原稿７
の白黒の程度に応じた強さで反射され、光電変換を行う
センサ素子1aに入射する。これによつてセンサ素子に光
量に比例した光電流が流れ、この信号を検出することに
よつて原稿７を読取る。このセンサ素子1aは通常ライン
状に多数並べてあり、センサ駆動IC4で順次素子を切換
えて１ラインの読取を行う。１ラインの読取が終ると、
プラテンローラ８を回転させて原稿を送り次のラインを
読取る。この時、原稿７と導電性透明フイルムは摩擦す
るため、静電気が発生する。導電性透明フイルムがない
場合には静電気や、周囲の電波によつて、センサ素子1a
や回路配線にノイズが誘導されて出力信号が不安定とな
るが、この導電性透明フイルムがあると誘動をシールド
するため安定な出力が得られる効果がある。
うである。すなわち、センサ基板１の裏面から光源５に
より照明すると、照明光はセンサ基板１、導電性透明フ
イルム６を透過し原稿７を照明する。照明光11は原稿７
の白黒の程度に応じた強さで反射され、光電変換を行う
センサ素子1aに入射する。これによつてセンサ素子に光
量に比例した光電流が流れ、この信号を検出することに
よつて原稿７を読取る。このセンサ素子1aは通常ライン
状に多数並べてあり、センサ駆動IC4で順次素子を切換
えて１ラインの読取を行う。１ラインの読取が終ると、
プラテンローラ８を回転させて原稿を送り次のラインを
読取る。この時、原稿７と導電性透明フイルムは摩擦す
るため、静電気が発生する。導電性透明フイルムがない
場合には静電気や、周囲の電波によつて、センサ素子1a
や回路配線にノイズが誘導されて出力信号が不安定とな
るが、この導電性透明フイルムがあると誘動をシールド
するため安定な出力が得られる効果がある。
導電性透明フイルムは、外力により容易に変形するの
で、破損することがなく、組立が容易となる効果がり、
信頼性が高い。
で、破損することがなく、組立が容易となる効果がり、
信頼性が高い。
この導電性透明フイルムには光を透過するポリエステ
ル，ナイロン，アクリル等を用いることができ、導電性
はITO（インジウム スズ酸化物）、ズス酸化物等の透
明導電性の材料や、金属薄膜をコーテイングして得るの
が容易である。面積抵抗は100KΩ／□よりも小さいのが
好ましい。以下に述べる導電性透明フイルムも同様のフ
イルムを用い得る。
ル，ナイロン，アクリル等を用いることができ、導電性
はITO（インジウム スズ酸化物）、ズス酸化物等の透
明導電性の材料や、金属薄膜をコーテイングして得るの
が容易である。面積抵抗は100KΩ／□よりも小さいのが
好ましい。以下に述べる導電性透明フイルムも同様のフ
イルムを用い得る。
第３図においてはIC4の内容を示してあり、41はシフ
トレジスタであつて、データが１になつたところでオン
して出力信号を取り出し、こうしてセンサ駆動IC4によ
り順次センサ素子1aを切換えて１ライン上の読取りを行
うようにしてある。
トレジスタであつて、データが１になつたところでオン
して出力信号を取り出し、こうしてセンサ駆動IC4によ
り順次センサ素子1aを切換えて１ライン上の読取りを行
うようにしてある。
他の実施例を第４図に示す。構成は第２図で示した実
施例とほぼ同じであるが、ただ、導電性透明フイルム６
の片面を梨地状につや消し加工した梨地面10を持つた梨
地加工導電性透明フイルム6aに代えたものである。本実
施例によれば、前記第１実施例の効果に加えて、フイル
ム表面の反射光による異常出力を防止し、安定な出力信
号を得られる効果がある。すなわち、センサ基板側の導
電性透明フイルム表面が平滑であると、原稿をセンサに
密着させるために押付けた時にフイルムが変形しこの表
面で照明光が反射してセンサ素子に入射し易くなること
がある。そうなると、センサ素子は原稿表面からの反射
光以外の光が入射するため、出力信号が異常となる。こ
の面を本実施例のように梨地面とすることによつて、梨
地面で反射した照明光は散乱されるので安定な出力信号
が得られる効果がある。また、本実施例では梨地加工導
電性透明フイルム6aは表面がよごれた場合に容易に交換
できるので保守性が良い効果がある。
施例とほぼ同じであるが、ただ、導電性透明フイルム６
の片面を梨地状につや消し加工した梨地面10を持つた梨
地加工導電性透明フイルム6aに代えたものである。本実
施例によれば、前記第１実施例の効果に加えて、フイル
ム表面の反射光による異常出力を防止し、安定な出力信
号を得られる効果がある。すなわち、センサ基板側の導
電性透明フイルム表面が平滑であると、原稿をセンサに
密着させるために押付けた時にフイルムが変形しこの表
面で照明光が反射してセンサ素子に入射し易くなること
がある。そうなると、センサ素子は原稿表面からの反射
光以外の光が入射するため、出力信号が異常となる。こ
の面を本実施例のように梨地面とすることによつて、梨
地面で反射した照明光は散乱されるので安定な出力信号
が得られる効果がある。また、本実施例では梨地加工導
電性透明フイルム6aは表面がよごれた場合に容易に交換
できるので保守性が良い効果がある。
更に他の実施例を第５図に示す。
構成は、前記梨地加工導電性透明フイルム6aを、導電
性透明フイルム６と梨地加工フイルム6bとに置き換えた
以外は第４図で示した実施例と同一である。
性透明フイルム６と梨地加工フイルム6bとに置き換えた
以外は第４図で示した実施例と同一である。
この構成では、導電性透明フイルム６は第１実施例の
効果と同じ効果を持ち、また梨地フイルム6bは梨地面10
の効果を得ることができる。本実施例では、フイルムを
２枚に分けているため汎用のフイルムを使用することが
できるため、安価に製造できる効果がある。
効果と同じ効果を持ち、また梨地フイルム6bは梨地面10
の効果を得ることができる。本実施例では、フイルムを
２枚に分けているため汎用のフイルムを使用することが
できるため、安価に製造できる効果がある。
更に他の一実施例を第６図により説明する。
構成は第２図における導電性透明フイルム６を接着剤
層９によりセンサ基板１に接着したものである。
層９によりセンサ基板１に接着したものである。
本実施例によれば、第１実施例の効果に加えて、導電
性透明フイルム６のセンサ基板側表面での光の反射によ
る出力異常を防止する効果がある。即ち、接着層９によ
り導電性透明フイルムの変形が抑えられ、また、導電性
透明フイルム６と接着層９の屈折率差は通常小さくでき
るため、この界面での反射率は小さくなる。この両者の
効果のため、照射光がセンサ素子1aに入射して出力異常
を発生するのを防止する効果がある。
性透明フイルム６のセンサ基板側表面での光の反射によ
る出力異常を防止する効果がある。即ち、接着層９によ
り導電性透明フイルムの変形が抑えられ、また、導電性
透明フイルム６と接着層９の屈折率差は通常小さくでき
るため、この界面での反射率は小さくなる。この両者の
効果のため、照射光がセンサ素子1aに入射して出力異常
を発生するのを防止する効果がある。
更に実施例として導電性透明フイルム表面での照明光
の反射がセンサ素子に入射するのを防止する点を検討し
てみる。第２図のようにセンサ基板１上に導電性透明フ
イルム６を装着したものであるが、さらに、導電性透明
フイルム６のセンサ基板１側に面した面の光の反射がセ
ンサ素子1aに入射するのを防止する手段を設けたもので
ある。これにより、センサ素子1aには原稿７からの反射
光が主として入射するので安定な読取ができる効果があ
る。また導電性透明フイルムを用いているため、第１実
施例と同じ効果がある。
の反射がセンサ素子に入射するのを防止する点を検討し
てみる。第２図のようにセンサ基板１上に導電性透明フ
イルム６を装着したものであるが、さらに、導電性透明
フイルム６のセンサ基板１側に面した面の光の反射がセ
ンサ素子1aに入射するのを防止する手段を設けたもので
ある。これにより、センサ素子1aには原稿７からの反射
光が主として入射するので安定な読取ができる効果があ
る。また導電性透明フイルムを用いているため、第１実
施例と同じ効果がある。
第６図の実施例においては接着層９を介在されている
が、これを用いずに直接、導電性透明フイルム６を基板
１に付着させても良い。尚、接着剤を用いる場合は光路
の妨げとならぬよう少なくとも所定箇所については透明
接着剤を使用すべきである。
が、これを用いずに直接、導電性透明フイルム６を基板
１に付着させても良い。尚、接着剤を用いる場合は光路
の妨げとならぬよう少なくとも所定箇所については透明
接着剤を使用すべきである。
第７図に凹面鏡効果を示す。光線11はフイルム６裏面
の凹面鏡効果で集中して素子1aに反射光となつて入つて
しまう。しかしながら、このフイルム６裏面を梨地状に
すれば光線は散乱されるから素子1aへの入射光（反射
光）量は減少することになる。
の凹面鏡効果で集中して素子1aに反射光となつて入つて
しまう。しかしながら、このフイルム６裏面を梨地状に
すれば光線は散乱されるから素子1aへの入射光（反射
光）量は減少することになる。
本発明によれば、容易に弾性変形する透明導電性フイ
ルムを用いるので、作成が容易であり、読取性能の安定
した完全密着型読取センサを提供することができる効果
がある。
ルムを用いるので、作成が容易であり、読取性能の安定
した完全密着型読取センサを提供することができる効果
がある。
第１図は本発明の一実施例に係る読取センサアセンブリ
の断面図、第２図は第１図の実施例に用いる読取センサ
の断面図、第３図は第１図の実施例に用いるセンサ素子
1a及びIC4の回路略図、第４図，第５図，第６図は夫々
本発明の他の実施例に係る読取センサの断面図、第７図
は本発明に対する比較例として示した読取センサの断面
図である。 １……センサ基板、1a……センサ素子、２……取付ベー
ス、３……ICカバー、４……センサ駆動用IC、５……光
源、６……導電性透明フイルム、6a……梨地加工導電性
透明フイルム、6b……梨地加工フイルム、７……原稿、
８……プラテンローラ、９……接着層、10……梨地面、
11……照明光。
の断面図、第２図は第１図の実施例に用いる読取センサ
の断面図、第３図は第１図の実施例に用いるセンサ素子
1a及びIC4の回路略図、第４図，第５図，第６図は夫々
本発明の他の実施例に係る読取センサの断面図、第７図
は本発明に対する比較例として示した読取センサの断面
図である。 １……センサ基板、1a……センサ素子、２……取付ベー
ス、３……ICカバー、４……センサ駆動用IC、５……光
源、６……導電性透明フイルム、6a……梨地加工導電性
透明フイルム、6b……梨地加工フイルム、７……原稿、
８……プラテンローラ、９……接着層、10……梨地面、
11……照明光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 道弘 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−36961（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】複数のセンサ素子と、該センサ素子群を搭
載しかつ少なくとも該搭載部位近傍が透光する構造のセ
ンサ素子搭載用基板と、該基板上面に前記センサ素子群
を覆うように積層してなる導電性透明フィルムとを備
え、かつ該フィルムの片面は少なくとも前記センサ面に
面する側でかつセンサ近傍位置に表面微細凹凸加工を施
してあることを特徴とする完全密着型読取センサ。 - 【請求項２】複数のセンサ素子と、該センサ素子群を搭
載しかつ少なくとも該搭載部位近傍が透光する構造のセ
ンサ素子搭載用基板と、該基板上面に前記センサ素子群
を覆うように積層してなる導電性透明フィルムとを備
え、かつ該フィルムの片面は少なくとも前記センサ面に
面する側でかつセンサ近傍位置が入射光の散乱面となっ
ていることを特徴とする完全密着型読取センサ。 - 【請求項３】前記導電性透明フィルムは、導電性を付与
した透明フィルムと表面を散乱面としたフィルムを積層
してなることを特徴とする請求項１或いは２に記載の完
全密着型読取センサ。 - 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の完全密
着型読取センサにおける前記透光部裏面に入射光路を確
保すると共に、前記導電性フィルムの外側かつ前記セン
サ素子群に紙面を介してプラテンローラが当接するよう
に構成してなることを特徴とする読取センサアセンブ
リ。 - 【請求項５】光路確保のためにセンサ素子搭載用基板を
取り付けるベース内に光源を具備してなることを特徴と
する請求項４に記載の読取センサアセンブリ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058310A JPH088624B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
| US07/321,881 US4940888A (en) | 1988-03-14 | 1989-03-10 | Direct-contact-type image sensor and image sensor assembly |
| US07/517,810 US4977313A (en) | 1988-03-14 | 1990-05-02 | Facsimile equipment with direct-contact-type image sensor |
| US07/559,144 US5162644A (en) | 1988-03-14 | 1990-07-30 | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058310A JPH088624B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232871A JPH01232871A (ja) | 1989-09-18 |
| JPH088624B2 true JPH088624B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=13080669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63058310A Expired - Lifetime JPH088624B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4940888A (ja) |
| JP (1) | JPH088624B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH02305064A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Nippon Steel Corp | 完全密着型イメージセンサ |
| JP3093244B2 (ja) * | 1989-07-24 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 照明系の改良された光電変換装置及び該装置を搭載した情報処理装置 |
| US5149955A (en) * | 1989-07-26 | 1992-09-22 | Nippon Steel Corporation | Full contact image sensor device with light blocking means |
| US5196691A (en) * | 1989-11-21 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device having original conveyance guide and an image processing apparatus incorporating the device |
| US5517329A (en) * | 1990-06-29 | 1996-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact-type image sensor having an adhesive elastic layer therein |
| JP2924927B2 (ja) * | 1991-01-17 | 1999-07-26 | ローム 株式会社 | イメージセンサ |
| EP0504998A3 (en) * | 1991-03-22 | 1993-01-13 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Device for the optical scanning of a document |
| JPH04316478A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-06 | Nec Corp | 生物試料観察装置、システムおよび方法 |
| JPH0583470A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-02 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ |
| JPH0591248A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ |
| EP0554825B1 (en) * | 1992-02-04 | 1998-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direct contact type image sensor and its production method |
| US5861654A (en) * | 1995-11-28 | 1999-01-19 | Eastman Kodak Company | Image sensor assembly |
| DE69632228T2 (de) * | 1995-07-13 | 2005-04-14 | Eastman Kodak Co. | Bildsensor mit einem Trägergehäuse |
| US6552828B1 (en) * | 1999-07-01 | 2003-04-22 | Cyberscan Technology, Inc. | Precision deep input guide clip for document scanners and document scanner incorporating same |
| JP4037197B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2008-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 半導体撮像装置実装構造体の製造方法 |
| JP4091948B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2008-05-28 | 松下電器産業株式会社 | 集光装置およびそれを用いた密着型固体撮像装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4354104A (en) * | 1980-05-06 | 1982-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup device |
| JPS5980964A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
| US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
| US4556790A (en) * | 1982-11-30 | 1985-12-03 | At&T Bell Laboratories | Photodetector having a contoured, substantially periodic surface |
| JPS6088482A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 光電変換装置 |
| US4691244A (en) * | 1984-05-04 | 1987-09-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Contact-type document scanner including static shield |
| DE3522314A1 (de) * | 1984-06-21 | 1986-01-02 | Kyocera Corp., Kyoto | Leseeinrichtung und herstellungsverfahren dafuer |
| JPS6141268A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 密着形イメ−ジセンサ |
| JPS6184862A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| JPS61161757A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS6236961A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPH0815211B2 (ja) * | 1986-09-25 | 1996-02-14 | 株式会社日立製作所 | 光配線式半導体集積回路 |
| JPS6394125A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-25 | Yamatake Honeywell Co Ltd | カラ−センサ |
| JPS63133667A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Ricoh Co Ltd | 密着形光電変換装置 |
| JPS6415970A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Canon Kk | Image reading equipment |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP63058310A patent/JPH088624B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-10 US US07/321,881 patent/US4940888A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-05-02 US US07/517,810 patent/US4977313A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4940888A (en) | 1990-07-10 |
| US4977313A (en) | 1990-12-11 |
| JPH01232871A (ja) | 1989-09-18 |
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