JPS6236961A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents
密着型イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6236961A JPS6236961A JP60176615A JP17661585A JPS6236961A JP S6236961 A JPS6236961 A JP S6236961A JP 60176615 A JP60176615 A JP 60176615A JP 17661585 A JP17661585 A JP 17661585A JP S6236961 A JPS6236961 A JP S6236961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transparent
- conductive layer
- light
- photoelectric transducer
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ファクシミリやノ・ンドスキャナー等の読み
取りに用いられる原稿幅と１＝１に対応する大きさを有
し、原稿に密着して読み取る密着型イメージセンサに関
するものである。
取りに用いられる原稿幅と１＝１に対応する大きさを有
し、原稿に密着して読み取る密着型イメージセンサに関
するものである。
従来の技術
従来の密着型イメージセンサでは、例えば特開２ ・・
−＝。
−＝。
昭５８−４０８５６号公報に示されているように、第２
図のよう外構造になっていた。
図のよう外構造になっていた。
つまり第２図の副走査方向の断面図に示されている様に
、透光性絶縁基板１上に照明窓３を有する遮光層２を形
成し、光電変換素子６と遮光層２との絶縁性を保つため
に透光性絶縁層４を形成する。その上部に主走査方向に
並んだ島状の光電変換素子５を例えばＣｄＳ 、 Ｃｄ
Ｓｅあるいはその固溶体等で形成し、前記光電変換素子
６を一定単位数ごとに１とめた共通電極６と各光電変換
素子５に対応した個別電極７から々る対向電極を形成す
る。
、透光性絶縁基板１上に照明窓３を有する遮光層２を形
成し、光電変換素子６と遮光層２との絶縁性を保つため
に透光性絶縁層４を形成する。その上部に主走査方向に
並んだ島状の光電変換素子５を例えばＣｄＳ 、 Ｃｄ
Ｓｅあるいはその固溶体等で形成し、前記光電変換素子
６を一定単位数ごとに１とめた共通電極６と各光電変換
素子５に対応した個別電極７から々る対向電極を形成す
る。
その上に例えばマイクロシートガラス等の薄膜ガラスを
透明保護層８として接着したり、また特開昭５８−１２
７４６３号公報に示されている様々透明保護層上部例え
ばＡｌ、、０３． ＳｉＣ、５ｔ３Ｎ４等の高硬度の薄
膜を形成してからなる密着型イメージセンサで、照明窓
３から入射した光がローラー１２で送られてくる原稿１
０面で反射し、その反射光１１の強弱を光電変換素子６
で電気信号に変換するようになっている。
透明保護層８として接着したり、また特開昭５８−１２
７４６３号公報に示されている様々透明保護層上部例え
ばＡｌ、、０３． ＳｉＣ、５ｔ３Ｎ４等の高硬度の薄
膜を形成してからなる密着型イメージセンサで、照明窓
３から入射した光がローラー１２で送られてくる原稿１
０面で反射し、その反射光１１の強弱を光電変換素子６
で電気信号に変換するようになっている。
３、、−７
発明が解決しようとする問題点
しかしこの様な構造の密着型イメージセンサでは、薄膜
ガラス等の透明保護層や、さらにその」一部に高硬度の
透明絶縁薄膜を形成する事により、高い絶縁性のために
原稿と保護層との摩擦による静電気の発生によって、原
稿等から生じるゴミ等を吸着してし丑い、保護層を傷つ
けるために、信号のＳ／Ｎが低下したり、また高硬度の
保護層等では反対に原稿面自体を傷つけてし捷い、信頼
性等に問題があり、さらに数１０００ボルト以上の高電
圧になる静電気の放電による信号処理回路の誤動作や光
電変換素子等の破壊が問題となっていた。
ガラス等の透明保護層や、さらにその」一部に高硬度の
透明絶縁薄膜を形成する事により、高い絶縁性のために
原稿と保護層との摩擦による静電気の発生によって、原
稿等から生じるゴミ等を吸着してし丑い、保護層を傷つ
けるために、信号のＳ／Ｎが低下したり、また高硬度の
保護層等では反対に原稿面自体を傷つけてし捷い、信頼
性等に問題があり、さらに数１０００ボルト以上の高電
圧になる静電気の放電による信号処理回路の誤動作や光
電変換素子等の破壊が問題となっていた。
本発明は、−１−配点を考えて、簡単な構造でしかも容
易に静電気等を防止できる密着型イメージセンサを提供
する事を目的としている。
易に静電気等を防止できる密着型イメージセンサを提供
する事を目的としている。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決するだめに、透明保護層の上
に透光性導電層を形成する０ 作用 本発明は上記構造により、原稿との接触により発生する
静電気の蓄積を、透明保護層」−の透光性導電層を接地
することで防ぐことにより、ゴミ等の吸着による悪影響
をのぞくことができるものである。
に透光性導電層を形成する０ 作用 本発明は上記構造により、原稿との接触により発生する
静電気の蓄積を、透明保護層」−の透光性導電層を接地
することで防ぐことにより、ゴミ等の吸着による悪影響
をのぞくことができるものである。
実施例
第１図は、本発明の密着型イメージセンサの副走査方向
の断面図である。
の断面図である。
第１図において、コーニング７０５９等の透光性絶縁基
板１上に、Ｓｔ 、 Ｔａ 、 Ｃｒ 、Ｔｉ等で照明
窓３を有する遮光層２を形成し１、さらに光電変換素子
５と遮光層２との絶縁性を保つために、５１０２１Ｓｉ
５Ｎ４等の透光性絶縁層４を５０００人程度形成する。
板１上に、Ｓｔ 、 Ｔａ 、 Ｃｒ 、Ｔｉ等で照明
窓３を有する遮光層２を形成し１、さらに光電変換素子
５と遮光層２との絶縁性を保つために、５１０２１Ｓｉ
５Ｎ４等の透光性絶縁層４を５０００人程度形成する。
その土にＯｄＳ 、 ０ｄＳｅおよびその固溶体等で
主走査方向に照明窓３近傍に島状に光電変換素子５を形
成する。そして光電変換素子５を一定単位数ごとにまと
めた共通電極６と各光電変換素子５に対応した個別電極
７からなる対向電極を例えばＮｉＣｒ−Ａｕ等で形成し
、その上部にマイクロシートガラス等の薄膜ガラスの透
明保護層８５べ一一ン゛ を接着等で形成した後、透明保護層８上に、例えば、Ｉ
ｎ２Ｏ３，５ｎ０２ 、１．Ｔ、Ｏ等のある程度の硬度
を有する透光性導電層９を１００〜６０００人程度形成
する形成して、照明窓３から入射する光でローラー１２
により送りこ捷れる原稿１０を照射し、その情報に対応
する反射光１１の強弱信号を光電変換素子５上で電気信
号に変換するものである。
主走査方向に照明窓３近傍に島状に光電変換素子５を形
成する。そして光電変換素子５を一定単位数ごとにまと
めた共通電極６と各光電変換素子５に対応した個別電極
７からなる対向電極を例えばＮｉＣｒ−Ａｕ等で形成し
、その上部にマイクロシートガラス等の薄膜ガラスの透
明保護層８５べ一一ン゛ を接着等で形成した後、透明保護層８上に、例えば、Ｉ
ｎ２Ｏ３，５ｎ０２ 、１．Ｔ、Ｏ等のある程度の硬度
を有する透光性導電層９を１００〜６０００人程度形成
する形成して、照明窓３から入射する光でローラー１２
により送りこ捷れる原稿１０を照射し、その情報に対応
する反射光１１の強弱信号を光電変換素子５上で電気信
号に変換するものである。
そして、透明保護層８上に形成した透光性導電層９を設
ける事により、原稿１０と透光性導電層９との接触によ
って発生する静電気を透光性導電層９を接地することで
防止できるので、静電気によるゴミの吸着が無く、Ｓ／
Ｎ 比が向上するとともに、さらに高圧の静電気による
信号処理回路の誤動作や素子の破壊等が未然に防止でき
密着型イメージセンサの信頼性が非常に向上する。そし
て透光性導電層を適当々硬度の材料で構成することによ
り原稿自体を傷つけることが々くなるものである。
ける事により、原稿１０と透光性導電層９との接触によ
って発生する静電気を透光性導電層９を接地することで
防止できるので、静電気によるゴミの吸着が無く、Ｓ／
Ｎ 比が向上するとともに、さらに高圧の静電気による
信号処理回路の誤動作や素子の破壊等が未然に防止でき
密着型イメージセンサの信頼性が非常に向上する。そし
て透光性導電層を適当々硬度の材料で構成することによ
り原稿自体を傷つけることが々くなるものである。
発明の効果
６ヘー。
以」二連べてきたように、本発明によれば、透明保護層
上部に透光性導電層を形成するという非常に簡単な構造
で、きわめて信頼性が高く、安定した特性を得ることが
でき、実用上において、多くの利点を持ち、有用である
。
上部に透光性導電層を形成するという非常に簡単な構造
で、きわめて信頼性が高く、安定した特性を得ることが
でき、実用上において、多くの利点を持ち、有用である
。
第１図は、本発明の実施例における密着型イメージセン
サの副走査方向の断面図、第２図は、従来の密着型イメ
ージセンサの副走査方向の断面図である。 ２・・・・・・遮光層、３・・・・・・照明窓、５・・
・・・・光電変換素子、８・・・・・・透明保護層、９
・・・・・・透光性導電層、１ｏ・・・・・・原稿、１
１・・・・・・反射光０代理人の氏名 弁理士 中 尾
敏 男 ほか１名？−−−遮光層 ３−−一照馴充〜 Ｉｆ−−一反射光 第２図
サの副走査方向の断面図、第２図は、従来の密着型イメ
ージセンサの副走査方向の断面図である。 ２・・・・・・遮光層、３・・・・・・照明窓、５・・
・・・・光電変換素子、８・・・・・・透明保護層、９
・・・・・・透光性導電層、１ｏ・・・・・・原稿、１
１・・・・・・反射光０代理人の氏名 弁理士 中 尾
敏 男 ほか１名？−−−遮光層 ３−−一照馴充〜 Ｉｆ−−一反射光 第２図
Claims (1)
- 絶縁性基板上に、照明窓を有する遮光層と、透光性絶縁
層と、主走査方向に並んだ島状の光電変換素子と、前記
光電変換素子を一定単位数ごとにまとめた共通電極と前
記各光電変換素子に対応した個別電極からなる対向電極
と、透明保護層と、この透明保護層上部の原稿と接する
面に透光性導電層とを備えた事を特徴とする密着型イメ
ージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176615A JPS6236961A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 密着型イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176615A JPS6236961A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 密着型イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236961A true JPS6236961A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16016663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60176615A Pending JPS6236961A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 密着型イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236961A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6418754U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 | ||
| JPS6471173A (en) * | 1987-06-12 | 1989-03-16 | Canon Kk | Image reader |
| JPH01232871A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Hitachi Ltd | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
| JPH0879444A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Nec Corp | 密着型イメージセンサ |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60176615A patent/JPS6236961A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471173A (en) * | 1987-06-12 | 1989-03-16 | Canon Kk | Image reader |
| JPS6418754U (ja) * | 1987-07-22 | 1989-01-30 | ||
| JPH01232871A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Hitachi Ltd | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
| JPH0879444A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-03-22 | Nec Corp | 密着型イメージセンサ |
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