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JPH0869990A - 半導体シリコンウェーハの洗浄方法 - Google Patents

半導体シリコンウェーハの洗浄方法

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JPH0869990A
JPH0869990A JP6205321A JP20532194A JPH0869990A JP H0869990 A JPH0869990 A JP H0869990A JP 6205321 A JP6205321 A JP 6205321A JP 20532194 A JP20532194 A JP 20532194A JP H0869990 A JPH0869990 A JP H0869990A
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wafer
hydrofluoric acid
semiconductor silicon
cleaning
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正己 中野
Isao Uchiyama
勇雄 内山
Hiroyuki Takamatsu
広行 高松
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Shin Etsu Handotai Co Ltd
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    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体シリコンウェーハ表面への微粒子の付
着を効果的かつ充分に抑制、低減することができる半導
体シリコンウェーハの洗浄方法を提供する。 【構成】 フッ酸水溶液を用いて半導体シリコンウェー
ハを洗浄し、ついで該半導体シリコンウェーハを純水を
用いて水洗する半導体シリコンウェーハの洗浄方法にお
いて、上記フッ酸水溶液中に界面活性剤を添加しかつ上
記純粋中にオゾンを含有せしめる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体シリコンウェー
ハ（以下単にウェーハということもある）のフッ酸洗浄
方法の改良に関する。
【０００２】
【関連技術】ウェーハ表面の酸化膜、例えば、熱酸化
膜、ＣＶＤ酸化膜、自然酸化膜等の除去はフッ酸水溶液
を用いて行っているが、フッ酸処理を行なうとウェーハ
表面が疎水性となるためウェーハ表面に微粒子が付着し
やすいという問題がある。ウェーハ表面に微粒子が付着
するとデバイスの歩留りを低下させることから、ウェー
ハ表面への微粒子（パーティクル）の付着を低減するこ
とが必要とされている。
【０００３】フッ酸処理後のウェーハ表面への微粒子の
付着を抑制する手法として、フッ酸洗浄後にオゾン含有
純水で水洗する方法（特開昭６２−１９８１２７号）が
提案されている。しかし、この提案された手法によって
も、フッ酸処理後のウェーハ表面への微粒子の付着を抑
制、低減させることは、いまだ充分とはいえないのが現
状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記の問
題点に鑑み鋭意研究を行なった結果、本発明に到達した
ものである。本発明は、半導体シリコンウェーハ表面へ
の微粒子の付着を効果的かつ充分に抑制、低減すること
ができる半導体シリコンウェーハの洗浄方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体シリコンウェーハの洗浄方法におい
ては、フッ酸水溶液を用いて半導体シリコンウェーハを
洗浄し、ついで該半導体シリコンウェーハを純水を用い
て水洗する半導体シリコンウェーハの洗浄方法におい
て、上記フッ酸水溶液中に界面活性剤を添加しかつ上記
純水中にオゾンを含有せしめるようにしたものである。
【０００６】上記したフッ酸水溶液に対する界面活性剤
の添加量は、０．０１〜５．００％が好ましく、上記し
た界面活性剤のフッ酸水溶液に対する添加量がその下限
値に達しないと、微粒子付着低減効果はなくなり、その
上限値を越えても、微粒子付着効果は向上せず不経済と
なる。界面活性剤の種類は特に限定はなく、非イオン
系、アニオン系及びカチオン系でも同等の効果を得る。
【０００７】また、上記したオゾンの純水に対する濃度
は、０．５ｐｐｍ以上が好ましく、飽和濃度まで使用し
てもよい。上記したオゾンの純水に対する濃度の下限値
に達しないと、微粒子付着低減効果はなくなる。
【０００８】
【作用】ウェーハをフッ酸で処理するとウェーハ表面が
疎水性となるため、ウェーハ表面に微粒子が付着しやす
くなる。従ってウェーハ表面への微粒子の付着を低減す
るためには、ウェーハ表面を親水面に保つことが有効で
ある。本発明ではフッ酸溶液中に界面活性剤を添加する
ことにより、ウェーハ表面に界面活性剤の薄膜を形成
し、ウェーハ表面を親水化し、またフッ酸処理後のウェ
ーハの水洗にオゾンを含有した純水を用いることによ
り、ウェーハ表面の界面活性剤を除去すると同時にウェ
ーハ表面に自然酸化膜を形成し、ウェーハ表面を親水性
に保ち、ウェーハ表面への微粒子の付着防止効果を高め
ることを可能としたものである。
【０００９】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的
に説明する。
【００１０】（実施例１） 実験条件 試料ウェーハ：シリコンウェーハ、ｐ型、結晶方位＜１
００＞、２００ｍｍφ、ＣＶＤ酸化膜３００ｎｍ付き フッ酸（ＨＦ）洗浄：５重量％、２５℃、１０分、界面
活性剤（非イオン性）〔商品名ＮＣＷ−６０１Ａ、和光
純薬（株）製〕０．５重量％添加 オゾン（Ｏ3 ）含有純水洗浄：毎分２リットル供給、２
５℃、３分、オゾン濃度２ｐｐｍ フッ酸洗浄槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ） 水洗槽：３２０×３０×２００（ｍｍ）
【００１１】試料ウェーハを、上記条件で、フッ酸洗浄
し、ついでオゾン含有純水によって水洗した。このフッ
酸洗浄後のウェーハ上のサイズが０．１１μｍ以上のパ
ーティクル数（個／２００ｍｍφ）をレーザーパーティ
クルカウンターＬＳ−６０００〔日立電子エンジニアリ
ング（株）製〕を用いて測定し、その結果を図１に示し
た。この測定パーティクル数は２４．１個／２００ｍｍ
φであった。
【００１２】（比較例１）フッ酸水溶液中に界面活性剤
を添加せず、純水がオゾンを含有しないこと以外は、実
施例１と同様の条件でウェーハを洗浄し、同様にウェー
ハ上のパーティクル数を測定してその結果を図１、図２
及び図３に示した。この場合の測定パーティクル数は１
３６１個／２００ｍｍφであった。
【００１３】（比較例２）フッ酸溶液中に界面活性剤を
添加しないこと以外は、実施例１と同様の条件でウェー
ハを洗浄及び水洗し、同様にウェーハ上のパーティクル
数を測定してその結果を図１、図２及び図３に示した。
この場合の測定パーティクル数は１１７２個／２００ｍ
ｍφであった。
【００１４】（比較例３）純水中にオゾンを添加しない
こと以外は、実施例１と同様の条件でウェーハを洗浄及
び水洗し、同様にウェーハ上のパーティクル数を測定し
てその結果を図１に示した。この場合の測定パーティク
ル数は１１２．４個／２００ｍｍφであった。
【００１５】（実施例２）非イオン系界面活性の代わり
にアニオン系界面活性剤〔商品名ユニダインＤＳ−１０
１、ダイキン工業（株）製〕０．１重量％添加した以外
は、実施例１と同様に試料ウェーハをフッ酸洗浄し、つ
いでオゾン含有純水によって水洗し、パーティクル数を
同様に測定してその結果を図２に示した。この測定パー
ティクル数は２９個／２００ｍｍφであった。
【００１６】（比較例４）純水中にオゾンを添加しない
こと以外は、実施例２と同様の条件でウェーハを洗浄及
び水洗し、同様にウェーハ上のパーティクル数を測定し
てその結果を図２に示した。この場合の測定パーティク
ル数は２１５個／２００ｍｍφであった。
【００１７】（実施例３）非イオン系界面活性の代わり
にカチオン系界面活性剤〔商品名ユニダインＤＳ−２０
２、ダイキン工業（株）製〕０．１重量％添加した以外
は、実施例１と同様に試料ウェーハをフッ酸洗浄し、つ
いでオゾン含有純水によって水洗し、パーティクル数を
同様に測定してその結果を図３に示した。この測定数の
パーティクル数は３３個／２００ｍｍφであった。
【００１８】（比較例５）純水中にオゾンを添加しない
こと以外は、実施例３と同様の条件でウェーハを洗浄及
び水洗し、同様にウェーハ上のパーティクル数を測定し
てその結果を図３に示した。この場合の測定パーティク
ル数は３２６個／２００ｍｍφであった。
【００１９】図１〜図３の結果から明らかなごとく、フ
ッ酸水溶液中に界面活性剤を添加するだけでも、ウェー
ハ表面への微粒子の付着抑制効果はある程度認められる
（比較例３，４及び５）が、微粒子汚染レベルはより少
ないことが好ましく、いまだ不十分である。この比較例
３，４及び５の状態から、さらに純水にオゾンを含有さ
せることにより測定パーティクル数はさらに減少し、パ
ーティクル（汚染）レベルが大幅に低下することが確認
された。
【００２０】フッ酸（ＨＦ）濃度は５重量％の場合を例
示したが、フッ酸洗浄の効果がある限りフッ酸濃度に特
別の限定はない。通常は、０．１重量％〜１０重量％の
範囲で充分であるが、その他のフッ酸濃度を採用するこ
ともできる。また、試料ウェーハとしてはｐ型を用いた
が、これはｎ型においても全く同様の効果があることは
確認している。フッ酸による洗浄時間はウェーハ表面上
の酸化膜厚に応じて１〜１５分程度が好適であり、オゾ
ン濃度範囲は０．５ｐｐｍ以上で、飽和濃度まで使用で
きるが、上限は少なくとも液温２５℃において４０ｐｐ
ｍである。オゾン含有純水による水洗時間は１〜５分程
度が好適である。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明のウェーハの
洗浄方法によれば、ウェーハ表面への微粒子の付着は大
幅に低減され、したがってデバイスの歩留り低下も解消
するという効果が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１及び比較例１〜３における洗浄を行な
った後のウェーハ表面への付着微粒子の測定結果を示す
グラフである。
【図２】実施例２及び比較例１、２、４における洗浄を
行なった後のウェーハ表面への付着微粒子の測定結果を
示すグラフである。
【図３】実施例３及び比較例１、２、５における洗浄を
行なった後のウェーハ表面への付着微粒子の測定結果を
示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ１１Ｄ 7/22 (72)発明者 高松 広行 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フッ酸水溶液を用いて半導体シリコンウ
    ェーハを洗浄し、ついで該半導体シリコンウェーハを純
    水を用いて水洗する半導体シリコンウェーハの洗浄方法
    において、上記フッ酸水溶液中に界面活性剤を添加しか
    つ上記純水中にオゾンを含有せしめることを特徴とする
    半導体シリコンウェーハの洗浄方法。
  2. 【請求項２】 上記界面活性剤の添加量が０．０１〜
    ５．００％であることを特徴とする請求項１記載の半導
    体シリコンウェーハの洗浄方法。
  3. 【請求項３】 上記オゾン濃度が０．５ｐｐｍ以上飽和
    濃度以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の
    半導体シリコンウェーハの洗浄方法。
JP6205321A 1994-08-30 1994-08-30 半導体シリコンウェーハの洗浄方法 Expired - Fee Related JP2914555B2 (ja)

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