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JPH0848656A - Compound for organic el element and organic el element - Google Patents

Compound for organic el element and organic el element

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Publication number
JPH0848656A
JPH0848656A JP7043564A JP4356495A JPH0848656A JP H0848656 A JPH0848656 A JP H0848656A JP 7043564 A JP7043564 A JP 7043564A JP 4356495 A JP4356495 A JP 4356495A JP H0848656 A JPH0848656 A JP H0848656A
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JP
Japan
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group
compound
organic
same
integer
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JP7043564A
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Japanese (ja)
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JP3828595B2 (en
Inventor
Kenji Nakatani
賢司 中谷
Tetsuji Inoue
鉄司 井上
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a compound which can be used as an organic EL element, particularly as a hole infusion transporting layer, because it shows prolonged emission life and high brilliance of high durability and reliability. CONSTITUTION:This compound is represented by the formula (R1-R4 are each an aryl, an alkyl, an alkoxy, amino, halogen; r1-r4 are each 0-5; R5-R6 are each an alkyl, alkoxy, amino, halogen; r5, r6 are each 0-4), for example, N,N,N',N'- tetra(3-biphenylyl)benzidine. This compound is obtained by heating a di(biphenyl) amine compound and a diiodo-biphenyl, or N,N'-diphenylbenzine and a iodobiphenyl in combination, respectively, in the presence of copper. This compound has a high melting point, high glass transition point and the thin film formed by metallization or the like is clear and forms a stabilized amorphous smooth thin film even over the room temperature, thus it can be formed into a thin film by itself in no need of a resin binder.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、テトラアリールジアミ
ン誘導体である有機EL素子用化合物および有機EL
(電界発光)素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a compound for an organic EL device, which is a tetraaryldiamine derivative, and an organic EL.
(Electroluminescence) element

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、光を照射することによって導電性
や電荷生成等を生じる、すなわち光・電子機能を有する
低分子量有機化合物は、それ自体では薄膜形成能をもた
ない場合が多く、薄膜を形成するためには、バインダー
樹脂に分散させて、従って希釈した状態で、基板上に塗
布し薄膜化することが必要であった。また、真空蒸着等
の方法によりそれ自体で薄膜形成能を有する場合でも、
薄膜安定性が不十分で、相転移などの物理的変化を起こ
しやすかった。
2. Description of the Related Art Conventionally, a low molecular weight organic compound which causes conductivity, charge generation, or the like by irradiation with light, that is, a low-molecular weight organic compound having an optical / electronic function is not often capable of forming a thin film by itself. In order to form a film, it was necessary to disperse it in a binder resin, and thus to coat it in a diluted state to form a thin film. In addition, even when it has the ability to form a thin film by a method such as vacuum deposition,
The stability of the thin film was insufficient and it was easy to cause physical changes such as phase transition.

【0003】一方、特定のテトラアリールジアミン系化
合物については、電子写真感光体の感光層を形成する材
料として特開平2−277071号公報に開示されてい
るが、有機EL素子用化合物としての用途は何ら示唆さ
れていない。
On the other hand, a specific tetraaryldiamine compound is disclosed in JP-A-2-277071 as a material for forming a photosensitive layer of an electrophotographic photoreceptor, but it is not used as a compound for an organic EL device. No suggestion is made.

【0004】また一方、有機EL素子は、蛍光性有機化
合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、
前記薄膜に電子および正孔(ホール)を注入して再結合
させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、こ
のエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を
利用して発光させる素子である。
On the other hand, the organic EL element has a structure in which a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between a cathode and an anode,
Excitons (exciton) are generated by injecting electrons and holes (holes) into the thin film and recombining with each other, and light is emitted by utilizing light emission (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated. It is an element.

【0005】この有機EL素子の特徴は、10V 以下の
低電圧で100〜100000cd/m2 程度の高輝度の面
発光が可能であり、また蛍光性物質の種類を選択するこ
とにより青色から赤色までの発光が可能なことである。
The characteristic of this organic EL element is that it is capable of high-luminance surface emission of about 100 to 100,000 cd / m 2 at a low voltage of 10 V or less, and from blue to red by selecting the type of fluorescent substance. It is possible to emit light.

【0006】しかしながら、有機EL素子の問題点は、
発光寿命が短く、耐久性、信頼性が低いことであり、こ
の原因としては、
However, the problem with the organic EL element is that
It has a short emission life, low durability, and low reliability.

【0007】 有機化合物の物理的な変化 (結晶粒界の出現や成長などは界面の不均一化を引き起
こし、素子の電荷注入能の劣化、短絡、絶縁破壊の原因
となる。特に分子量500以下の低分子化合物を用いる
と、結晶粒界の出現や成長が起こり、膜性が著しく低下
する。また、ITO等の界面が荒れていても、顕著な結
晶粒界の出現や成長が起こり、発光効率の低下や電流の
リークを起こし、発光しなくなる。また、部分的非発光
部位であるダークスポットの原因にもなる。)
Physical changes of organic compounds (Appearance and growth of crystal grain boundaries cause non-uniformity of the interface, which causes deterioration of the charge injection capability of the device, short circuit, and dielectric breakdown. When a low molecular weight compound is used, the appearance and growth of crystal grain boundaries occur and the film properties are significantly reduced.Also, even if the interface such as ITO is rough, the appearance and growth of crystal grain boundaries occur, and the luminous efficiency is improved. It causes a decrease in light emission, current leakage, and no light emission.It also causes a dark spot, which is a partially non-light emitting site.)

【0008】 陰極の酸化・剥離 (電子の注入を容易にするために陰極には、仕事関数の
小さな金属としてMg、Li、Na、Alなどを用いて
いるが、これらの金属は大気中の水分や酸素と反応した
り、有機層との剥離が起こり、電荷注入ができなくな
る。特にスピンコートなどのウェット方法で成膜した場
合、成膜時の残留溶媒や分解物が電極の酸化反応を促進
するため、電極の剥離が起こり、ダークスポットが発生
しやすい。)
Oxidation and peeling of the cathode (Mg, Li, Na, Al, etc. are used as the metal having a small work function for the cathode in order to facilitate the injection of electrons. These metals are water in the atmosphere. When the film is formed by a wet method such as spin coating, the residual solvent and decomposition products during film formation accelerate the oxidation reaction of the electrode. Therefore, peeling of the electrode occurs and dark spots are likely to occur.)

【0009】 発光効率が低く、発熱量が多いこと (有機化合物中に電流を流すので、高い電界強度下に有
機化合物を置かねばならず、発熱からは逃れられない。
その熱のため、有機化合物の溶融、結晶化、熱分解など
により素子の劣化や破壊が起こる。)
Low luminous efficiency and high calorific value (Because a current is passed through the organic compound, the organic compound must be placed under a high electric field strength and cannot escape from heat generation.
The heat causes deterioration or destruction of the element due to melting, crystallization, thermal decomposition, etc. of the organic compound. )

【0010】 有機化合物層の光化学的変化・電気化
学的変化 などが挙げられる。
Examples include photochemical changes and electrochemical changes of the organic compound layer.

【0011】これらの課題を解決する手段として、正孔
(ホール)注入輸送帯が正孔注入性ポルフィリン化合物
と正孔輸送性芳香族三級アミンから構成された有機EL
素子が、特開昭63−295695号公報(対応米国特
許第4720432号明細書)に開示されている。具体
的には、上記特開昭63−295695号公報の実施例
1、10および11において、インジウム・錫酸化物被
覆ガラスの透明アノード、正孔注入用銅フタロシアニン
(PC−10)(35nm、あるいは37.5nm)、ホー
ル輸送用1,1’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフ
ェニル)シクロヘキサン(ATA−1)(35nm、ある
いは37.5nm)、発光用および電子注入輸送用アルミ
ニウムトリスオキシン(CO−1)(60nm)、および
Mg−Agカソード(200nm)で形成された有機EL
素子が開示されている。そしてこの素子を一定電流密度
で500時間駆動させた場合、5mA/cm2では、初期出力
が0.08mW/cm2から0.05mW/cm2(低下率37.5
%)に、また20mA/cm2では、0.45mW/cm2から0.
066mW/cm2(低下率86.7%)に、また40mA/cm2
では、1.15mW/cm2から<0.1mW/cm2(低下率>9
1.3%)に低下している。さらに他の正孔輸送性芳香
族三級アミンとして実施例12および13で、N,N,
N’,N’−テトラ−p−トリル−4,4’−ジアミノ
ビフェニル(ATA−7)、およびN,N,N’,N’
−テトラフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル(A
TA−8)(37.5nm)が開示されているが、前者は
同電流密度に対する初期出力が小さく、また出力低下も
62.5%あり、後者は60%低下している。
As means for solving these problems, an organic EL having a hole injecting and transporting zone composed of a hole injecting porphyrin compound and a hole transporting aromatic tertiary amine
A device is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-295695 (corresponding US Pat. No. 4,720,432). Specifically, in Examples 1, 10 and 11 of JP-A-63-295695, a transparent anode of indium tin oxide coated glass, copper phthalocyanine for hole injection (PC-10) (35 nm, or 37.5 nm), 1,1′-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane (ATA-1) (35 nm or 37.5 nm) for hole transport, aluminum trisoxine for light emission and electron injection transport Organic EL formed by (CO-1) (60 nm) and Mg-Ag cathode (200 nm)
A device is disclosed. When this device was driven at a constant current density for 500 hours, the initial output was 0.08 mW / cm 2 to 0.05 mW / cm 2 (reduction rate 37.5) at 5 mA / cm 2.
%), And at 20 mA / cm 2 , 0.45 mW / cm 2 to 0.
066mW / cm 2 (reduction rate 86.7%), 40mA / cm 2
Then, from 1.15 mW / cm 2 to <0.1 mW / cm 2 (reduction rate> 9
1.3%). As another hole-transporting aromatic tertiary amine in Examples 12 and 13, N, N,
N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl (ATA-7), and N, N, N', N '
-Tetraphenyl-4,4'-diaminobiphenyl (A
Although TA-8) (37.5 nm) is disclosed, the former has a small initial output with respect to the same current density, the output decrease is 62.5%, and the latter is 60% decrease.

【0012】さらに、トリアリールアミン(ATA−
1)とテトラアリールアミン(ATA−7)の組み合わ
せが実施例14および15に開示されているが、これも
同電流密度に対する初期出力が小さく、出力低下も大き
い。これらの結果からわかるように、発光素子の寿命と
してはまだまだ実用レベルには達しておらず、特に実用
レベルに対応する高出力(高輝度)発光を得ようとして
高電流密度で駆動した場合、初期動作付近での出力低下
は急激である。
Further, triarylamine (ATA-
The combination of 1) and tetraarylamine (ATA-7) is disclosed in Examples 14 and 15, but this also has a small initial output for the same current density and a large output drop. As can be seen from these results, the life of the light emitting element has not yet reached the practical level, and especially when driven at high current density in order to obtain high output (high brightness) emission corresponding to the practical level, The output drop near the operation is abrupt.

【0013】この急激な出力低下を改良する目的で、米
国特許第5061569号明細書、あるいは特開平5−
234681号公報に、特に選択された正孔輸送性芳香
族三級アミンが開示されている。具体的には、少なくと
も2つの第三アミン成分を含み、かつ第三アミンの窒素
原子に結合した芳香族成分が少なくとも2つの縮合芳香
族環を含む化合物である。しかし、これらの特定の正孔
輸送性芳香族三級アミンを用いても、長時間に渡って安
定した発光を得ることは非常に難しく、実用レベルの発
光素子の寿命としてはまだまだ不十分である。
For the purpose of improving this sudden output drop, US Pat.
No. 234681 discloses a particularly selected hole-transporting aromatic tertiary amine. Specifically, it is a compound containing at least two tertiary amine components, and the aromatic component bonded to the nitrogen atom of the tertiary amine contains at least two fused aromatic rings. However, it is very difficult to obtain stable light emission over a long period of time even if these specific hole-transporting aromatic tertiary amines are used, and the life of a light-emitting device at a practical level is still insufficient. .

【0014】これは、上記明細書、あるいは上記公報に
具体的に開示されている正孔輸送性芳香族三級アミン
が、その熱特性が低いために、素子のジュール熱に起因
する発熱により、アモルファス状態における薄膜安定性
が不十分になり、それを有機EL素子に用いた場合に
は、発光効率が低く、また発光寿命が短く、耐久性や信
頼性が低下すると考えられる。
This is because the hole-transporting aromatic tertiary amine specifically disclosed in the above-mentioned specification or the above-mentioned publication has a low thermal property, so that heat generated due to Joule heat of the device causes It is considered that the stability of the thin film in the amorphous state becomes insufficient, and when it is used for an organic EL element, the light emitting efficiency is low, the light emitting life is short, and the durability and reliability are reduced.

【0015】また透明電極は、表面抵抗の小さいこと
(10〜30Ω/□)以下が必要であるためITOガラ
スなどが用いられている。しかし走査型トンネル顕微鏡
(STM)や原子間力顕微鏡(AFM)の観察による
と、スパッタ成膜基板で20nm、EB蒸着基板で40nm
程度の凹凸があり、さらにITOパターニング時のダメ
ージによる表面荒れがあり、有機薄膜の結晶化が促進さ
れやすい環境にある。
The transparent electrode is made of ITO glass or the like because it must have a small surface resistance (10 to 30 Ω / □) or less. However, according to the observation with a scanning tunneling microscope (STM) or atomic force microscope (AFM), it is 20 nm for the sputter-deposition substrate and 40 nm for the EB vapor deposition substrate.
There is unevenness to some extent, and the surface is roughened due to damage during ITO patterning, and the environment is such that crystallization of the organic thin film is easily promoted.

【0016】このことを改善するため、ITO表面に金
属含有フタロシアニンや無金属フタロシアニンを設けた
り(上記米国特許第4720432号明細書、あるいは
上記特開昭63−295695号公報)、ポリアリレン
ビニレンをスピンコートするなどの方策が採られてき
た。しかし、金属含有フタロシアニンや無金属フタロシ
アニンは微結晶であり必ずしも効果が現れず、ポリアリ
レンビニレンはコンバージョン時の酸でITOがダメー
ジを受けたり、残留溶媒などにより電極の酸化が促進し
たり、スピンコートで成膜した不均一な膜であるため、
素子の信頼性が向上はしなかった。
In order to improve this, a metal-containing phthalocyanine or a metal-free phthalocyanine is provided on the surface of ITO (US Pat. No. 4,720,432 or JP-A-63-295695), and polyarylene vinylene is used. Measures such as spin coating have been adopted. However, the metal-containing phthalocyanine and the metal-free phthalocyanine are microcrystals and do not necessarily exhibit the effect.In the case of polyarylene vinylene, the ITO is damaged by the acid at the time of conversion, the oxidation of the electrode is promoted by the residual solvent, and the spin Since it is a non-uniform film formed by coating,
The reliability of the device did not improve.

【0017】一方、最近、素子性能の向上を目的とし
て、機能の異なる化合物を2種以上混合した混合層を設
けたEL素子が種々提案されている。例えば、特開平2
−250292号公報には、輝度および耐久性の向上を
目的として、正孔輸送能および発光機能を有する有機化
合物と電子輸送能を有する有機化合物との積層構造の薄
膜あるいは混合体薄膜を発光層に用いる旨が、また特開
平2−291696号公報には、正孔輸送機能を有する
有機化合物と電子輸送能を有する蛍光有機化合物との混
合体薄膜を発光層に用いる旨が提案されている。さら
に、特開平3−114197号公報には、発光効率・発
光輝度の向上を目的として、電荷注入層と発光層との間
に電荷注入材料と有機蛍光体とを混合した混合層を設け
る旨が提案されている。また、特開平3−190088
号公報には、発光層への正孔(ホール)および電子の注
入を容易にすることを目的として、正孔輸送層および/
または電子輸送層と有機発光層との間に、対面する両層
の構成材料を含む混合層を設けることが提案されてい
る。さらに、特開平4−334894号公報には、複数
の有機化合物層を構成する場合、異なる機能を有する化
合物を共存させた層、例えば正孔輸送性発光材料を含む
層と正孔輸送性発光材料と電子輸送性材料とが共存する
層等を設け、発光輝度を高くし、種々の発光色相を呈す
ることを可能にするとともに耐久性を向上させることが
提案されている。また、特開平5−182762号公報
には、発光層と電荷注入層の間に発光物質と電荷注入物
質からなる混合層を形成し、駆動電圧を低下させる旨が
提案されている。さらに、特開平3−289090号公
報には、発光層を正孔伝導性の有機化合物と希土類金属
の有機錯体が混合された薄膜よりなるものとし、発光ス
ペクトル幅が狭く単色性に優れ、しかも変換効率の良化
を図ることが提案されている。また、特開平4−178
487号公報および特開平5−78655公報には、有
機発光体薄膜層の成分が有機電荷材料と有機発光材料の
混合物からなる薄膜層を設け、濃度消光を防止して発光
材料の選択幅を広げ、高輝度なフルカラー素子とする旨
が提案されている。また、特開平4−357694号公
報には、層間に各層を形成する各々の成分で濃度勾配を
設けた傾斜構造層を形成し、駆動電圧の低下と耐久性の
向上を図ることが提案されている。
On the other hand, recently, various EL devices having a mixed layer in which two or more compounds having different functions are mixed have been proposed for the purpose of improving the device performance. For example, Japanese Patent Laid-Open No.
-250292 discloses a thin film or a mixture thin film having a laminated structure of an organic compound having a hole transporting ability and a light emitting function and an organic compound having an electron transporting ability as a light emitting layer for the purpose of improving brightness and durability. JP-A-2-291696 proposes to use a mixture thin film of an organic compound having a hole-transporting function and a fluorescent organic compound having an electron-transporting function as a light-emitting layer. Further, JP-A-3-114197 discloses that a mixed layer in which a charge injection material and an organic phosphor are mixed is provided between the charge injection layer and the light emitting layer for the purpose of improving the light emission efficiency and the light emission brightness. Proposed. Also, Japanese Patent Laid-Open No. 3-190088
In the publication, for the purpose of facilitating the injection of holes and electrons into the light emitting layer, a hole transport layer and //
Alternatively, it has been proposed to provide a mixed layer containing the constituent materials of both facing layers between the electron transport layer and the organic light emitting layer. Further, in JP-A-4-334894, when a plurality of organic compound layers are formed, a layer in which compounds having different functions coexist, for example, a layer containing a hole transporting light emitting material and a hole transporting light emitting material It has been proposed to provide a layer in which the electron-transporting material and the electron-transporting material coexist to increase the luminance of emitted light, exhibit various emission hues, and improve durability. Further, JP-A-5-182762 proposes to form a mixed layer of a light emitting substance and a charge injection substance between the light emitting layer and the charge injection layer to reduce the driving voltage. Further, in JP-A-3-289090, the light-emitting layer is made of a thin film in which a hole-conductive organic compound and an organic complex of a rare earth metal are mixed, and has a narrow emission spectrum width and excellent monochromaticity. It has been proposed to improve efficiency. In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 4-178
No. 487 and JP-A-5-78655, a thin film layer in which the component of the organic light emitting thin film layer is a mixture of an organic charge material and an organic light emitting material is provided to prevent concentration quenching and widen the selection range of the light emitting material. It has been proposed that a high-luminance full-color element be used. Further, JP-A-4-357694 proposes to form a graded structure layer in which a concentration gradient is provided by each component forming each layer between layers to reduce the driving voltage and improve the durability. There is.

【0018】さらに、有機化合物層にルブレンを用いた
ものが提案されている。ルブレンを有機化合物層にドー
プしたものとしては、有機化合物層としてヒドラジン誘
導体の混合膜からなる正孔輸送層とトリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウムの発光層とを有する有機EL素子
において、正孔輸送層にルブレンをドープしたもの、あ
るいは正孔輸送層の有機界面側半分と発光層全体にルブ
レンをドープしたものが提案されている。そして、正孔
輸送層にドープしたものでは、トリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウムとルブレンの両方から発光が起こるこ
とが、また正孔輸送層の半分と発光層にドープしたもの
では、発光効率が向上すること、さらには保存時におけ
るダークスポットの増加を抑制できることが報告されて
いる[金井、矢島、佐藤、第39回応用物理学関係連合
講演会講演予稿集、28p−Q−8(1992):佐
藤、金井、有機エレクトロニクス材料研究会(JOE
M)ワークショップ92予稿集、31(1992)]。
また、トリフェニルジアミン誘導体(TPD)の正孔輸
送層にルブレンをドープしたものが提案されており、輝
度半減期が向上することが報告されている[藤井、佐
野、藤田、浜田、柴田、第54回応用物理学学術講演会
講演予稿集、29p−ZC−7(1993)]。
Further, a structure using rubrene for the organic compound layer has been proposed. As the organic compound layer doped with rubrene, an organic EL device having a hole transport layer formed of a mixed film of a hydrazine derivative and a light emitting layer of tris (8-quinolinolato) aluminum as the organic compound layer is a hole transport layer. It has been proposed that rubrene is doped with rubrene, or that half of the hole transport layer on the organic interface side and the entire light emitting layer are doped with rubrene. When the hole transport layer is doped, light emission occurs from both tris (8-quinolinolato) aluminum and rubrene, and when the hole transport layer and the light emitting layer are doped, emission efficiency is improved. In addition, it has been reported that the increase of dark spots during storage can be suppressed [Kanai, Yajima, Sato, Proceedings of the 39th Joint Lecture on Applied Physics, 28p-Q-8 (1992): Sato, Kanai, Organic Electronics Material Study Group (JOE
M) Workshop 92 Proceedings, 31 (1992)].
Further, it has been proposed that a hole transport layer of a triphenyldiamine derivative (TPD) is doped with rubrene, and it is reported that the luminance half-life is improved [Fujii, Sano, Fujita, Hamada, Shibata, No. Proceedings of 54th Applied Physics Conference, 29p-ZC-7 (1993)].

【0019】また、特開平2−207488号公報に
は、p型の無機半導体薄膜層とルブレンを主体とする層
からなる有機化合物薄膜層を設けたものが提案されてお
り、十分な発光輝度と発光輝度の安定性が得られること
が記載されている。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-207488 proposes one provided with an organic compound thin film layer composed of a p-type inorganic semiconductor thin film layer and a layer mainly composed of rubrene, and has sufficient emission brightness. It is described that stability of emission brightness can be obtained.

【0020】しかし、これらのいずれのEL素子におい
ても、発光寿命の向上という点で満足できるものではな
い。
However, none of these EL devices is satisfactory in terms of improving the light emission life.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第一
に、高い融点やガラス転移温度を有して熱特性に優れ、
アモルファス状態における薄膜安定性が長期間に渡って
十分に得られ、従って、バインダー樹脂を用いることな
く、それ自体で薄膜化することができ、物理的変化や光
化学的変化・電気化学的変化の少ない光・電子機能を有
する特定のテトラアリールジアミン誘導体である有機E
L素子用化合物を提供することである。
The object of the present invention is, firstly, that it has a high melting point and a glass transition temperature and is excellent in thermal characteristics.
The stability of the thin film in the amorphous state can be sufficiently obtained over a long period of time, and therefore, it can be made into a thin film by itself without using a binder resin, and there is little physical change, photochemical change, or electrochemical change. Organic E which is a specific tetraaryldiamine derivative having photo / electronic functions
It is to provide a compound for an L element.

【0022】第二に、この有機EL素子用化合物を用い
ることにより、発光寿命が長く、耐久性・信頼性の高い
高輝度な有機EL素子を実現することである。特に、素
子の駆動時の電圧上昇や電流のリーク、部分的な非発光
部の出現・成長、さらには初期の輝度低下を抑えた高信
頼性の高輝度発光素子を実現することである。
Secondly, by using this compound for organic EL device, it is possible to realize an organic EL device having a long emission life, high durability, and high brightness. In particular, it is to realize a highly reliable high-brightness light-emitting element in which a voltage rise and a current leak at the time of driving the element, a partial non-light emitting portion appearing and growing, and an initial luminance drop are suppressed.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(41)の本発明により達成される。 (1)下記化16で表されるテトラアリールジアミン誘
導体である有機EL素子用化合物。
Such an object is achieved by the present invention described in (1) to (41) below. (1) A compound for an organic EL device, which is a tetraaryldiamine derivative represented by the following chemical formula 16.

【0024】[0024]

【化16】 Embedded image

【0025】[化16において、R1 、R2 、R3 およ
びR4 は、それぞれアリール基、アルキル基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子
を表し、R1 、R2 、R3 およびR4 のうちの少なくと
も1個はアリール基である。r1、r2、r3およびr
4は、それぞれ0または1〜5の整数であり、r1、r
2、r3およびr4の和は1以上の整数であり、少なく
とも1個のアリール基がR1 〜R4 として存在する。R
5 およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも
異なるものであってもよい。r5およびr6は、それぞ
れ0または1〜4の整数である。] (2)前記R1 〜R4 のうちの2〜4個がアリール基で
あり、これらのアリール基のうちの少なくとも2個がN
の結合位置に対してパラ位またはメタ位に結合している
上記(1)の有機EL素子用化合物。 (3)前記R1 〜R4 のうちの少なくとも1個のアリー
ル基がフェニル基である上記(2)の有機EL素子用化
合物。 (4)下記化17で表される上記(1)〜(3)のいず
れかの有機EL素子用化合物。
[In the chemical formula 16, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each represent an aryl group, an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and R 1 , R 2 , R 4 At least one of 3 and R 4 is an aryl group. r1, r2, r3 and r
4 is 0 or an integer of 1 to 5, respectively, r1, r
The sum of 2, r3 and r4 is an integer of 1 or more, and at least one aryl group is present as R 1 to R 4 . R
5 and R 6 are each an alkyl group, an alkoxy group,
It represents an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. (2) 2 to 4 of R 1 to R 4 are aryl groups, and at least 2 of these aryl groups are N.
The compound for an organic EL device according to (1), which is bound to a para position or a meta position with respect to the bonding position of. (3) The compound for organic EL device according to (2), wherein at least one aryl group of R 1 to R 4 is a phenyl group. (4) The compound for organic EL device according to any one of the above (1) to (3), represented by the following chemical formula 17.

【0026】[0026]

【化17】 [Chemical 17]

【0027】[化17において、A1 、A2 、A3 およ
びA4 は、それぞれNの結合位置に対してパラ位または
メタ位に結合するフェニル基であり、これらは同一でも
異なるものであってもよい。R7 、R8 、R9 およびR
10は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を
表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r
7、r8、r9およびr10はそれぞれ0または1〜4
の整数である。R5 およびR6 は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r5
およびr6は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。] (5)前記R1 〜R4 のうちの少なくとも1個のアリー
ル基がナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ペリレ
ニル基またはコロネニル基である上記(2)の有機EL
素子用化合物。 (6)下記化18で表される上記(1)、(2)または
(5)の有機EL素子用化合物。
[In the chemical formula 17, A 1 , A 2 , A 3 and A 4 are each a phenyl group bonded to the para position or the meta position with respect to the bonding position of N, and these may be the same or different. May be. R 7 , R 8 , R 9 and R
Each of 10 represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r
7, r8, r9 and r10 are each 0 or 1 to 4
Is an integer. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5
And r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. (5) The organic EL of (2) above, wherein at least one aryl group of R 1 to R 4 is a naphthyl group, anthryl group, pyrenyl group, perylenyl group or coronenyl group.
Compounds for devices. (6) The compound for organic EL device of the above (1), (2) or (5) represented by the following chemical formula 18.

【0028】[0028]

【化18】 Embedded image

【0029】[化18において、ArはNの結合位置に
対してパラ位またはメタ位に結合するアリール基を表
す。Z1 、Z2 およびZ3 は、それぞれアルキル基、ア
ルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基
またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるも
のであってもよい。ただし、Z1 、Z2 およびZ3 のう
ちの少なくとも1個はNの結合位置に対してパラ位また
はメタ位に結合するアリール基を表すが、Ar、Z1
2 およびZ3 が同時にNの結合位置に対してパラ位ま
たはメタ位に結合するフェニル基となることはない。s
1、s2およびs3は、それぞれ0または1〜5の整数
であり、s1、s2およびs3の和は1以上の整数であ
る。R0 は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、
アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表
す。r0は、それぞれ0または1〜4の整数である。R
5 およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、
アリール基またはハロゲン原子を表し、これらは同一で
も異なるものであってもよい。r5およびr6は、それ
ぞれ0または1〜4の整数である。] (7)下記化19で表される上記(1)〜(4)のいず
れかの有機EL素子用化合物。
[In chemical formula 18, Ar represents an aryl group bonded to the para position or the meta position with respect to the bonding position of N. Z 1 , Z 2 and Z 3 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. However, at least one of Z 1 , Z 2 and Z 3 represents an aryl group bonded to the para position or the meta position with respect to the bonding position of N, and Ar, Z 1 ,
Z 2 and Z 3 do not become a phenyl group bonded to the para position or meta position with respect to the N bonding position at the same time. s
1, s2 and s3 are each 0 or an integer of 1 to 5, and the sum of s1, s2 and s3 is an integer of 1 or more. R 0 is an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group,
It represents an aryloxy group, an amino group or a halogen atom. r0 is 0 or an integer of 1 to 4, respectively. R
5 and R 6 are each an alkyl group, an alkoxy group,
It represents an aryl group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. (7) The compound for organic EL device according to any one of the above (1) to (4), which is represented by the following Chemical Formula 19.

【0030】[0030]

【化19】 [Chemical 19]

【0031】[化19において、R7 、R8 、R9 およ
びR10は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子
を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
r7、r8、r9およびr10は、それぞれ0または1
〜4の整数である。R11、R12、R13およびR14は、そ
れぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r11、r1
2、r13およびr14は、それぞれ0または1〜5の
整数である。R5およびR6 は、それぞれアルキル基、
アルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、こ
れらは同一でも異なるものであってもよい。r5および
r6は、それぞれ0または1〜4の整数である。] (8)前記r5、r6、r7、r8、r9、r10、r
11、r12、r13およびr14がそれぞれ0である
上記(7)の有機EL素子用化合物。 (9)下記化20で表される上記(1)〜(4)のいず
れかの有機EL素子用化合物。
[In Chemical Formula 19, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. It may be.
r7, r8, r9 and r10 are each 0 or 1
Is an integer of ~ 4. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r11, r1
2, r13 and r14 are each 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 are each an alkyl group,
It represents an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ] (8) The above r5, r6, r7, r8, r9, r10, r
The compound for organic EL device of the above (7), wherein 11, r12, r13 and r14 are each 0. (9) The compound for organic EL device according to any one of the above (1) to (4), which is represented by the following Chemical Formula 20.

【0032】[0032]

【化20】 Embedded image

【0033】[化20において、R7 、R8 、R9 およ
びR10は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子
を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
r7、r8、r9およびr10は、それぞれ0または1
〜4の整数である。R11、R12、R13およびR14は、そ
れぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r11、r1
2、r13およびr14はそれぞれ0または1〜5の整
数である。R5 およびR6 は、それぞれアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r5およびr
6は、それぞれ0または1〜4の整数である。] (10)前記r5、r6、r7、r8、r9、r10、
r11、r12、r13およびr14がそれぞれ0であ
る上記(9)の有機EL素子用化合物。 (11)下記化21で表される上記(1)〜(4)のい
ずれかの有機EL素子用化合物。
[In Chemical Formula 20, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. It may be.
r7, r8, r9 and r10 are each 0 or 1
Is an integer of ~ 4. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r11, r1
2, r13 and r14 are each 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r
6 is 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ] (10) The r5, r6, r7, r8, r9, r10,
The compound for organic EL devices of the above (9), wherein each of r11, r12, r13 and r14 is 0. (11) The compound for organic EL device according to any one of the above (1) to (4), which is represented by the following Chemical Formula 21.

【0034】[0034]

【化21】 [Chemical 21]

【0035】[化21において、R7 、R8 、R9 およ
びR10は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子
を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
r7、r8、r9およびr10は、それぞれ0または1
〜4の整数である。R11、R12、R13およびR14は、そ
れぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r11、r1
2、r13およびr14はそれぞれ0または1〜5の整
数である。R5 およびR6 は、それぞれアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r5およびr
6は、それぞれ0または1〜4の整数である。] (12)前記r5、r6、r7、r8、r9、r10、
r11、r12、r13およびr14がそれぞれ0であ
る上記(11)の有機EL素子用化合物。 (13)下記化22で表される上記(1)〜(4)のい
ずれかの有機EL素子用化合物。
[In the formula 21, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. It may be.
r7, r8, r9 and r10 are each 0 or 1
Is an integer of ~ 4. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r11, r1
2, r13 and r14 are each 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r
6 is 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ] (12) The r5, r6, r7, r8, r9, r10,
The compound for organic EL devices of the above (11), wherein r11, r12, r13 and r14 are each 0. (13) The compound for organic EL device according to any one of the above (1) to (4), represented by the following chemical formula 22.

【0036】[0036]

【化22】 [Chemical formula 22]

【0037】[化22において、R7 、R8 、R9 およ
びR10は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子
を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
r7、r8、r9およびr10は、それぞれ0または1
〜4の整数である。R11、R12、R13およびR14は、そ
れぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r11、r1
2、r13およびr14はそれぞれ0または1〜5の整
数である。R5 およびR6 は、それぞれアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r5およびr
6は、それぞれ0または1〜4の整数である。] (14)前記r5、r6、r7、r8、r9、r10、
r11、r12、r13およびr14がそれぞれ0であ
る上記(13)の有機EL素子用化合物。 (15)下記化23で表される上記(1)〜(4)のい
ずれかの有機EL素子用化合物。
[In the formula 22, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. It may be.
r7, r8, r9 and r10 are each 0 or 1
Is an integer of ~ 4. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r11, r1
2, r13 and r14 are each 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r
6 is 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ] (14) The above r5, r6, r7, r8, r9, r10,
The compound for organic EL devices of the above (13), wherein each of r11, r12, r13 and r14 is 0. (15) The compound for organic EL device according to any one of the above (1) to (4), represented by the following chemical formula 23.

【0038】[0038]

【化23】 [Chemical formula 23]

【0039】[化23において、R7 、R8 、R9 およ
びR10は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子
を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
r7、r8、r9およびr10は、それぞれ0または1
〜4の整数である。R11、R12、R13およびR14は、そ
れぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r11、r1
2、r13およびr14はそれぞれ0または1〜5の整
数である。R5 およびR6 は、それぞれアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r5およびr
6は、それぞれ0または1〜4の整数である。] (16)前記r5、r6、r7、r8、r9、r10、
r11、r12、r13およびr14がそれぞれ0であ
る上記(15)の有機EL素子用化合物。 (17)下記化24で表される上記(1)〜(4)のい
ずれかの有機EL素子用化合物。
[In the chemical formula 23, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. It may be.
r7, r8, r9 and r10 are each 0 or 1
Is an integer of ~ 4. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r11, r1
2, r13 and r14 are each 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r
6 is 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ] (16) The above r5, r6, r7, r8, r9, r10,
The compound for organic EL device of the above (15), wherein each of r11, r12, r13 and r14 is 0. (17) The compound for organic EL device according to any one of the above (1) to (4), which is represented by the following chemical formula 24.

【0040】[0040]

【化24】 [Chemical formula 24]

【0041】[化24において、R7 、R8 、R9 およ
びR10は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子
を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
r7、r8、r9およびr10は、それぞれ0または1
〜4の整数である。R11、R12、R13およびR14は、そ
れぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r11、r1
2、r13およびr14はそれぞれ0または1〜5の整
数である。R5 およびR6 は、それぞれアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これ
らは同一でも異なるものであってもよい。r5およびr
6は、それぞれ0または1〜4の整数である。] (18)前記r5、r6、r7、r8、r9、r10、
r11、r12、r13およびr14がそれぞれ0であ
る上記(17)の有機EL素子用化合物。 (19)下記化25で表される上記(1)、(2)、
(5)または(6)の有機EL素子用化合物。
[In the formula 24, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. It may be.
r7, r8, r9 and r10 are each 0 or 1
Is an integer of ~ 4. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r11, r1
2, r13 and r14 are each 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r
6 is 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ] (18) The r5, r6, r7, r8, r9, r10,
The compound for organic EL device of the above (17), wherein r11, r12, r13 and r14 are each 0. (19) The above (1), (2), which is represented by the following chemical formula 25:
The compound for organic EL devices according to (5) or (6).

【0042】[0042]

【化25】 [Chemical 25]

【0043】[化25において、Ar1 およびAr2
は、それぞれアリール基を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。R15およびR16は、それぞれア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよい。r15およびr16
は、それぞれ0または1〜4の整数である。R17および
18は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r17およびr
18は、それぞれ0または1〜5の整数である。R5
よびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミ
ノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ0
または1〜4の整数である。] (20)前記r5、r6、r15、r16、r17およ
びr18が、それぞれ0である上記(19)の有機EL素
子用化合物。 (21)下記化26で表される上記(1)、(2)、
(5)または(6)の有機EL素子用化合物。
[In Chemical Formula 25, Ar 1 and Ar 2
Represent aryl groups, which may be the same or different. R 15 and R 16 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r15 and r16
Are each 0 or an integer of 1 to 4. R 17 and R 18 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r17 and r
18 is 0 or an integer of 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are each 0
Alternatively, it is an integer of 1 to 4. (20) The compound for organic EL devices according to the above (19), wherein each of r5, r6, r15, r16, r17 and r18 is 0. (21) The above (1), (2) represented by the following Chemical Formula 26,
The compound for organic EL devices according to (5) or (6).

【0044】[0044]

【化26】 [Chemical formula 26]

【0045】[化26において、Ar1 およびAr3
は、それぞれアリール基を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。R15およびR20は、それぞれア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよい。r15およびr20
は、それぞれ0または1〜4の整数である。R15および
20は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r18およびr
19は、それぞれ0または1〜5の整数である。R5
よびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミ
ノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ0
または1〜4の整数である。] (22)前記r5、r6、r15、r18、r19およ
びr20が、それぞれ0である上記(21)の有機EL素
子用化合物。 (23)下記化27で表される上記(1)、(2)、
(5)または(6)の有機EL素子用化合物。
[In chemical formula 26, Ar 1 and Ar 3
Represent aryl groups, which may be the same or different. R 15 and R 20 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r15 and r20
Are each 0 or an integer of 1 to 4. R 15 and R 20 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r18 and r
19 is 0 or an integer of 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are each 0
Alternatively, it is an integer of 1 to 4. (22) The compound for organic EL devices according to the above (21), wherein each of r5, r6, r15, r18, r19 and r20 is 0. (23) The above (1), (2), which is represented by the following Chemical Formula 27,
The compound for organic EL devices according to (5) or (6).

【0046】[0046]

【化27】 [Chemical 27]

【0047】[化27において、Ar1 、Ar2 および
Ar3 は、それぞれアリール基を表し、これらは同一で
も異なるものであってもよい。R15、R16およびR
20は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を
表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r
15、r16およびr20は、それぞれ0または1〜4
の整数である。R18は、アルキル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表す。
r18は、0または1〜5の整数である。R5 およびR
6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基ま
たはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。r5およびr6は、それぞれ0または
1〜4の整数である。] (24)前記r5、r6、r15、r16、r18およ
びr20が、それぞれ0である上記(23)の有機EL素
子用化合物。 (25)下記化28で表される上記(1)、(2)、
(5)または(6)の有機EL素子用化合物。
[In the formula 27, Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 each represent an aryl group, and they may be the same or different. R 15 , R 16 and R
20 represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r
15, r16 and r20 are each 0 or 1 to 4
Is an integer. R 18 represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom.
r18 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R
6 represents an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. (24) The compound for an organic EL device according to the above (23), wherein each of r5, r6, r15, r16, r18 and r20 is 0. (25) The above (1), (2), which are represented by the following Chemical Formula 28,
The compound for organic EL devices according to (5) or (6).

【0048】[0048]

【化28】 [Chemical 28]

【0049】[化28において、Ar4 およびAr5
は、それぞれアリール基を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。R15およびR16は、それぞれア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよい。r15およびr16
は、それぞれ0または1〜4の整数である。R17および
18は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r17およびr
18は、それぞれ0または1〜5の整数である。R5
よびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミ
ノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ0
または1〜4の整数である。] (26)前記r5、r6、r15、r16、r17およ
びr18が、それぞれ0である上記(25)の有機EL素
子用化合物。 (27)下記化29で表される上記(1)、(2)、
(5)または(6)の有機EL素子用化合物。
[In Chemical Formula 28, Ar 4 and Ar 5
Represent aryl groups, which may be the same or different. R 15 and R 16 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r15 and r16
Are each 0 or an integer of 1 to 4. R 17 and R 18 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r17 and r
18 is 0 or an integer of 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are each 0
Alternatively, it is an integer of 1 to 4. (26) The compound for organic EL device according to the above (25), wherein each of r5, r6, r15, r16, r17 and r18 is 0. (27) The above (1), (2),
The compound for organic EL devices according to (5) or (6).

【0050】[0050]

【化29】 [Chemical 29]

【0051】[化29において、Ar4 およびAr6
は、それぞれアリール基を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。R15およびR20は、それぞれア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよい。r15およびr20
は、それぞれ0または1〜4の整数である。R18および
19は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r18およびr
19は、それぞれ0または1〜5の整数である。R5
よびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミ
ノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異な
るものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ0
または1〜4の整数である。] (28)前記r5、r6、r15、r18、r19およ
びr20が、それぞれ0である上記(27)の有機EL素
子用化合物。 (29)下記化30で表される上記(1)、(2)、
(5)または(6)の有機EL素子用化合物。
[In Chemical formula 29, Ar 4 and Ar 6
Represent aryl groups, which may be the same or different. R 15 and R 20 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r15 and r20
Are each 0 or an integer of 1 to 4. R 18 and R 19 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r18 and r
19 is 0 or an integer of 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are each 0
Alternatively, it is an integer of 1 to 4. (28) The compound for organic EL devices according to the above (27), wherein each of r5, r6, r15, r18, r19 and r20 is 0. (29) The above (1), (2) represented by the following Chemical Formula 30,
The compound for organic EL devices according to (5) or (6).

【0052】[0052]

【化30】 Embedded image

【0053】[化30において、Ar4 、Ar5 および
Ar6 は、それぞれアリール基を表し、これらは同一で
も異なるものであってもよい。R15、R16およびR
20は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を
表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r
15、r16およびr20は、それぞれ0または1〜4
の整数である。R18は、アルキル基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表す。
r18は、0または1〜5の整数である。R5 およびR
6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基ま
たはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。r5およびr6は、それぞれ0または
1〜4の整数である。] (30)前記r5、r6、r15、r16、r18およ
びr20が、それぞれ0である上記(29)の有機EL素
子用化合物。 (31)上記(1)〜(30)のいずれかの有機EL素子
用化合物の少なくとも1種以上を含有する層を少なくと
も1層有する有機EL素子。 (32)前記有機EL素子用化合物の少なくとも1種以
上と電子注入輸送機能を有する化合物の少なくとも1種
以上の混合物とを含有する層を少なくとも1層有する上
記(31)の有機EL素子。 (33)前記電子輸送機能を有する化合物が、トリス
(8−キノリノラト)アルミニウムである上記(32)の
有機EL素子。 (34)前記混合物を含有する層が発光層である上記
(32)または(33)の有機EL素子。 (35)前記有機EL素子用化合物の少なくとも1種以
上を含有する層の少なくとも1層に蛍光性物質をドープ
する上記(31)〜(34)のいずれかの有機EL素子。 (36)前記蛍光性物質がルブレンである上記(35)の
有機EL素子。 (37)前記有機EL素子用化合物の少なくとも1種以
上を含有する層が正孔注入輸送層であり、この正孔注入
輸送層と発光層とを有する上記(31)〜(36)のいずれ
かの有機EL素子。 (38)前記正孔注入輸送層が組成の異なる2層以上で
構成される上記(37)の有機EL素子。 (39)前記正孔注入輸送層の少なくとも1層がポリチ
オフェンを含有する上記(38)の有機EL素子。 (40)電子注入輸送層を有する上記(37)〜(39)の
いずれかの有機EL素子。 (41)前記有機EL素子用化合物の少なくとも1種以
上を含有する層が正孔注入輸送機能を有する層であり、
この層に接して発光機能を有する層または電子注入輸送
機能を有する層が設けられており、前記正孔注入輸送機
能を有する層と前記発光機能を有する層または電子注入
輸送機能を有する層とのイオン化ポテンシャルIpの差
が0.25eV以上である上記(31)、(35)または(3
6)の有機EL素子。
[In Chemical Formula 30, Ar 4 , Ar 5 and Ar 6 each represent an aryl group, and these may be the same or different. R 15 , R 16 and R
20 represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r
15, r16 and r20 are each 0 or 1 to 4
Is an integer. R 18 represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom.
r18 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R
6 represents an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. (30) The compound for organic EL devices according to the above (29), wherein each of r5, r6, r15, r16, r18 and r20 is 0. (31) An organic EL device having at least one layer containing at least one kind of the compound for organic EL device according to any one of (1) to (30). (32) The organic EL device according to (31), which has at least one layer containing at least one compound of the organic EL device compound and a mixture of at least one compound having an electron injecting and transporting function. (33) The organic EL device according to the above (32), wherein the compound having an electron transporting function is tris (8-quinolinolato) aluminum. (34) The organic EL device according to the above (32) or (33), wherein the layer containing the mixture is a light emitting layer. (35) The organic EL device according to any one of (31) to (34), wherein at least one layer containing at least one kind of the compound for organic EL device is doped with a fluorescent substance. (36) The organic EL device according to the above (35), wherein the fluorescent substance is rubrene. (37) Any of the above (31) to (36), wherein the layer containing at least one kind of the compound for organic EL device is a hole injecting and transporting layer, and having the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer. Organic EL device. (38) The organic EL device according to (37), wherein the hole injecting and transporting layer is composed of two or more layers having different compositions. (39) The organic EL device according to the above (38), wherein at least one layer of the hole injecting and transporting layer contains polythiophene. (40) The organic EL device according to any one of (37) to (39), which has an electron injecting and transporting layer. (41) The layer containing at least one kind of the compound for organic EL device is a layer having a hole injecting and transporting function,
A layer having a light emitting function or a layer having an electron injecting and transporting function is provided in contact with this layer, and a layer having the hole injecting and transporting function and a layer having the light emitting function or a layer having an electron injecting and transporting function are provided. The difference in ionization potential Ip is 0.25 eV or more (31), (35) or (3)
6) Organic EL device.

【0054】[0054]

【作用】本発明の有機EL素子用化合物である化16で
表されるテトラアリールジアミン誘導体は、融点やガラ
ス転移温度が高く、その蒸着等により成膜される薄膜
は、透明で室温以上でも安定なアモルファス状態を形成
し、長期間に渡って平滑で良好な膜質を示す。
The tetraaryldiamine derivative represented by Chemical formula 16, which is the compound for organic EL device of the present invention, has a high melting point and glass transition temperature, and the thin film formed by vapor deposition thereof is transparent and stable even at room temperature or higher. It forms an amorphous state and shows a smooth and good film quality for a long period of time.

【0055】従ってバインダー樹脂を用いることなく、
それ自体で薄膜化することができる。
Therefore, without using a binder resin,
It can be thinned by itself.

【0056】この効果は、以下のことに起因していると
考えられる。
This effect is considered to be due to the following.

【0057】 分子量を増して高融点にしたこと。 立体障害のあるフェニル基のようなバルキーな置換
基を導入して分子間の重なりを最適化していること。 分子の取り得るコンフォーメーション数が多く、分
子の再配列が妨げられていること。
Increasing the molecular weight to a high melting point. Optimize the intermolecular overlap by introducing bulky substituents such as the sterically hindered phenyl group. The number of conformations that the molecule can have is large, which hinders the rearrangement of the molecule.

【0058】また、分子中にN−フェニル基等の正孔注
入輸送単位を多く含み、R1 〜R4にフェニル基を導入
してビフェニル基にすることでπ共役系が広がり、キャ
リア移動に有利になり、正孔注入輸送能にも非常に優れ
る。
Further, the molecule contains a large number of hole injecting and transporting units such as N-phenyl group, and by introducing a phenyl group into R 1 to R 4 to form a biphenyl group, the π-conjugated system is widened and carrier transfer is facilitated. It is advantageous, and the hole injecting and transporting ability is also very excellent.

【0059】従って、本発明の有機EL素子は、化16
で表されるテトラアリールジアミン誘導体を有機EL素
子用化合物として有機化合物層に、特に好ましくは、正
孔注入輸送層に用いるため、ムラのない均一な面発光が
可能であり、高輝度が長時間に渡って安定して得られ
る。波長によっても異なるが100〜100000cd/m
2 程度、あるいはそれ以上の高輝度が安定して得られ
る。なお、本発明の有機EL素子の発光極大波長は、3
50〜700nm程度である。
Therefore, the organic EL device of the present invention is
Since a tetraaryldiamine derivative represented by is used as an organic EL device compound in an organic compound layer, particularly preferably in a hole injecting and transporting layer, uniform surface emission without unevenness is possible, and high brightness is obtained for a long time. It can be stably obtained over a long period of time. 100 to 100,000 cd / m, depending on wavelength
A high brightness of about 2 or more can be stably obtained. The maximum emission wavelength of the organic EL element of the present invention is 3
It is about 50 to 700 nm.

【0060】また、耐熱性・耐久性が高く、素子電流密
度が1A/cm2 程度以上でも安定した駆動が可能である。
Further, the heat resistance and durability are high, and stable driving is possible even when the device current density is about 1 A / cm 2 or more.

【0061】さらには、本発明の有機EL素子用化合物
を有機化合物層に用いることによりエネルギーレベルが
最適になり、界面においてキャリアが効果的にブロッキ
ングされるため、安定したキャリアの再結合および発光
が起こる。特に本発明の有機EL素子用化合物を正孔注
入輸送層に用いることにより、この正孔注入輸送層と接
する発光機能を有する層(発光層が電子注入輸送層を兼
ねる発光・電子注入輸送層を含む。)、あるいは正孔注
入輸送層が発光層を兼ねる正孔注入輸送機能を有する層
であるときにこの層と接する電子注入輸送層とのイオン
化ポテンシャルIpの差が最適化されて、界面における
キャリアブロッキング効果が高まり、極性的に劣勢ある
いは不安定なキャリアの注入はより起こりにくくなるの
で、各層の有機化合物がダメージを受けにくくなり、キ
ャリア再結合領域や発光領域で、キャリアや励起子の失
活ポイントを生じにくくなる。その結果、安定した発光
が得られ、寿命が大幅に向上する。
Furthermore, by using the compound for organic EL device of the present invention in the organic compound layer, the energy level is optimized, and the carriers are effectively blocked at the interface, so that stable carrier recombination and light emission can be achieved. Occur. In particular, by using the compound for organic EL device of the present invention in the hole injecting and transporting layer, a layer having a light emitting function in contact with the hole injecting and transporting layer (the light emitting layer serving also as the electron injecting and transporting layer is formed. , Or when the hole injecting and transporting layer is also a layer having a hole injecting and transporting function also serving as a light emitting layer, the difference in ionization potential Ip between this layer and the electron injecting and transporting layer in contact with this layer is optimized, and Since the carrier blocking effect is enhanced and the injection of carriers that are inferior or unstable in polarity is less likely to occur, the organic compound in each layer is less likely to be damaged, and carriers and excitons are lost in the carrier recombination region and the light emitting region. It is less likely to generate live points. As a result, stable light emission is obtained and the life is greatly improved.

【0062】また、本発明の有機EL素子用化合物と電
子注入輸送機能を有する化合物とを混合した有機化合物
層を特に発光層として設けることにより、混合層にはキ
ャリアのホッピング伝導パスができることになるので、
混合層に注入された各キャリアは極性的により優勢な物
質中を移動する。すなわち正孔は正孔注入輸送性物質中
を、また電子は電子注入輸送性物質中を移動することに
なり、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるため
有機化合物がダメージを受けにくくなり、EL素子の寿
命が大幅に向上する。
By providing an organic compound layer in which the compound for organic EL device of the present invention is mixed with a compound having an electron injecting and transporting function, particularly as a light emitting layer, a hopping conduction path of carriers can be formed in the mixed layer. So
Each carrier injected into the mixed layer migrates in the more polar material. That is, holes move in the hole injecting / transporting substance and electrons move in the electron injecting / transporting substance, and carrier injection of the opposite polarity is less likely to occur, so that the organic compound is less likely to be damaged, and EL The life of the device is significantly improved.

【0063】また、本発明の有機EL素子用化合物を含
有する有機化合物層に蛍光性物質をドープする構成で
は、本発明の有機EL素子用化合物を正孔注入輸送層に
用いることにより、この正孔注入輸送層と接する発光機
能を有する層(発光層が電子注入輸送層を兼ねる発光・
電子注入輸送層を含む。)あるいは正孔注入輸送層が発
光層を兼ねる正孔注入輸送機能を有する層であるときに
この層と接する電子注入輸送層とのイオン化ポテンシャ
ルIpの差が最適化されて、界面におけるキャリアブロ
ッキング効果が高まり、極性的に劣勢あるいは不安定な
キャリアの注入は起こりにくくなるので、各層の有機化
合物がダメージを受けにくくなり、キャリア再結合領域
や発光領域で、キャリアや励起子の失活ポイントを生じ
にくくなる。また、特に蛍光性物質としてルブレンをド
ープする場合、ルブレンはバイボーラーな輸送性を有し
ており、ルブレンでもキャリア再結合が起こるので、そ
の分さらに有機化合物が受けるダメージは少なくなる。
また、さらにルブレンがキャリア再結合領域近傍に存在
するため、励起子からルブレンへのエネルギー移動が起
こり、非放射的失活が少なくなり、その結果、安定した
発光が得られ、寿命が大幅に向上する。
Further, in the constitution in which the organic compound layer containing the compound for organic EL device of the present invention is doped with a fluorescent substance, by using the compound for organic EL device of the present invention in the hole injecting / transporting layer A layer having a light emitting function in contact with the hole injecting and transporting layer (the light emitting layer also serves as an electron injecting and transporting layer.
It includes an electron injecting and transporting layer. ) Or when the hole injecting and transporting layer is a layer having a hole injecting and transporting function also serving as a light emitting layer, the difference in ionization potential Ip between the layer and the electron injecting and transporting layer in contact with this layer is optimized, and the carrier blocking effect at the interface is obtained. Since the injection of carriers that are inferior or unstable in polarity is less likely to occur, the organic compound in each layer is less likely to be damaged, and deactivation points of carriers and excitons are generated in the carrier recombination region and the light emitting region. It gets harder. Further, particularly when rubrene is doped as a fluorescent substance, rubrene has a bibola transport property, and carrier recombination occurs in rubrene, so that the damage to the organic compound is further reduced accordingly.
In addition, since rubrene is present near the carrier recombination region, energy transfer from excitons to rubrene occurs, and non-radiative deactivation is reduced.As a result, stable light emission is obtained and life is greatly improved. To do.

【0064】[0064]

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
Specific Structure The specific structure of the present invention will be described in detail below.

【0065】本発明の有機EL素子用化合物(「本発明
の化合物」ともいう。)は、化16で表されるテトラア
リールジアミン誘導体(「化16の化合物」ともい
う。)である。
The compound for organic EL device of the present invention (also referred to as "the compound of the present invention") is a tetraaryldiamine derivative represented by Chemical formula 16 (also referred to as "Compound of Chemical formula 16").

【0066】化16について説明すると、化16におい
て、R1 〜R4 は、それぞれアリール基、アルキル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロ
ゲン原子を表し、R1 〜R4 のうちの少なくとも1個は
アリール基である。r1〜r4は、それぞれ0または1
〜5の整数であり、r1〜r4は同時に0になることは
ない。従って、r1+r2+r3+r4は1以上の整数
であり、少なくとも1つのアリール基が存在する条件を
満たす数である。R5 およびR6 は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r5
およびr6は、それぞれ0または1〜4の整数である。
The chemical formula 16 will be explained. In the chemical formula 16, R 1 to R 4 are each an aryl group, an alkyl group,
It represents an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and at least one of R 1 to R 4 is an aryl group. r1 to r4 are 0 or 1 respectively
It is an integer of 5 and r1 to r4 cannot be 0 at the same time. Therefore, r1 + r2 + r3 + r4 is an integer of 1 or more, and is a number satisfying the condition that at least one aryl group exists. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5
And r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively.

【0067】R1 〜R4 で表されるアリール基として
は、単環もしくは多環のものであってよく、縮合環や環
集合も含まれる。総炭素数は6〜20のものが好まし
く、置換基を有していてもよい。この場合の置換基とし
ては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
The aryl group represented by R 1 to R 4 may be monocyclic or polycyclic, and includes condensed rings and ring assemblies. The total carbon number is preferably 6 to 20 and may have a substituent. Examples of the substituent in this case include an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group and a halogen atom.

【0068】R1 〜R4 で表されるアリール基の具体例
としては、フェニル基、(o−,m−,p−)トリル
基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基、ナフチ
ル基、アントリル基、ビフェニリル基、フェニルアント
リル基、トリルアントリル基等が挙げられ、特にフェニ
ル基が好ましく、アリール基、特にフェニル基の結合位
置は3位(Nの結合位置に対してメタ位)または4位
(Nの結合位置に対してパラ位)であることが好まし
い。
Specific examples of the aryl group represented by R 1 to R 4 include phenyl group, (o-, m-, p-) tolyl group, pyrenyl group, perylenyl group, coronenyl group, naphthyl group and anthryl group. , A biphenylyl group, a phenylanthryl group, a tolylanthryl group, and the like. Particularly, a phenyl group is preferable, and an aryl group, particularly a phenyl group, has a 3-position (meta position with respect to the N-bond position) or 4-position. It is preferably (para position to the bonding position of N).

【0069】R1 〜R4 で表されるアルキル基として
は、直鎖状でも分岐を有するものであってもよく、炭素
数1〜10のものが好ましく、置換基を有していてもよ
い。この場合の置換基としてはアリール基と同様のもの
が挙げられる。
The alkyl group represented by R 1 to R 4 may be linear or branched, preferably has 1 to 10 carbon atoms, and may have a substituent. . Examples of the substituent in this case include those similar to the aryl group.

【0070】R1 〜R4 で表されるアルキル基として
は、メチル基、エチル基、(n−,i−)プロピル基、
(n−,i−,s−,t−)ブチル基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group represented by R 1 to R 4 include a methyl group, an ethyl group, a (n-, i-) propyl group,
(N-, i-, s-, t-) butyl group etc. are mentioned.

【0071】R1 〜R4 で表されるアルコキシ基として
は、アルキル部分の炭素数1〜6のものが好ましく、具
体的にはメトキシ基、エトキシ基、t−ブトキシ基等が
挙げられる。アルコキシ基はさらに置換されていてもよ
い。
The alkoxy group represented by R 1 to R 4 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group and a t-butoxy group. The alkoxy group may be further substituted.

【0072】R1 〜R4 で表されるアリールオキシ基と
しては、フェノキシ基、4−メチルフェノキシ基、4−
(t−ブチル)フェノキシ基等が挙げられる。
The aryloxy group represented by R 1 to R 4 includes a phenoxy group, a 4-methylphenoxy group and a 4-methylphenoxy group.
(T-butyl) phenoxy group and the like.

【0073】R1 〜R4 で表されるアミノ基としては、
無置換でも置換基を有するものであってもよいが、置換
基を有するものが好ましく、具体的にはジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリル
アミノ基、ジビフェニリルアミノ基、N−フェニル−N
−トリルアミノ基、N−フェニル−N−ナフチルアミノ
基、N−フェニル−N−ビフェニリルアミノ基、N−フ
ェニル−N−アントリルアミノ基、N−フェニル−N−
ピレニルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ジアントリル
アミノ基、ジピレニルアミノ基等が挙げられる。
As the amino group represented by R 1 to R 4 ,
Although it may be unsubstituted or may have a substituent, those having a substituent are preferable, and specifically, dimethylamino group, diethylamino group, diphenylamino group, ditolylamino group, dibiphenylylamino group, N-phenyl. -N
-Tolylamino group, N-phenyl-N-naphthylamino group, N-phenyl-N-biphenylylamino group, N-phenyl-N-anthrylamino group, N-phenyl-N-
Examples thereof include a pyrenylamino group, a dinaphthylamino group, a dianthrylamino group, and a dipyrenylamino group.

【0074】R1 〜R4 で表されるハロゲン原子として
は、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
Examples of the halogen atom represented by R 1 to R 4 include chlorine atom and bromine atom.

【0075】R1 〜R4 のうちの少なくとも1個はアリ
ール基であるが、特にR1 〜R4 として1分子中にアリ
ール基が2〜4個存在することが好ましく、r1〜r4
のなかの2〜4個が1以上の整数であることが好まし
い。特に、アリール基は分子中に総計で2〜4個存在
し、より好ましくはr1〜r4のなかの2〜4個が1で
あり、さらにはr1〜r4が1であり、含まれるR1
4 のすべてがアリール基であることが好ましい。すな
わち、分子中のR1 〜R4 が置換していてもよい4個の
ベンゼン環には総計で2〜4個のアリール基が存在し、
2〜4個のアリール基の結合するベンゼン環は4個のベ
ンゼン環のなかで同一でも異なるものであってもよい
が、特に2〜4個のアリール基がそれぞれ異なるベンゼ
ン環に結合することが好ましい。そして、さらに少なく
とも2個がNの結合位置に対してパラ位またはメタ位に
結合していることがより好ましい。また、この際アリー
ル基としては少なくとも1個がフェニル基であることが
好ましく、すなわちアリール基とベンゼン環が一緒にな
ってN原子に対し4−または3−ビフェニリル基を形成
することが好ましい。特に2〜4個が4−または3−ビ
フェニリル基であることが好ましい。4−または3−ビ
フェニリル基は一方のみでも両者が混在していてもよ
い。また、フェニル基以外のアリール基としては、特に
(1−,2−)ナフチル基、(1−,2−,9−)アン
トリル基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基な
どが好ましく、フェニル基以外のアリール基も特にNの
結合位置に対しパラ位またはメタ位に結合することが好
ましい。これらのアリール基もフェニル基と混在してい
てもよい。
At least one of R 1 to R 4 is an aryl group, and it is particularly preferable that 2 to 4 aryl groups are present in one molecule as R 1 to R 4 , and r 1 to r 4
It is preferable that 2 to 4 of them are integers of 1 or more. In particular, 2 to 4 aryl groups are present in the molecule in total, more preferably 2 to 4 of r1 to r4 are 1, and r1 to r4 are 1, and R 1 to R 1 to
It is preferred that all of R 4 are aryl groups. That is, there are a total of 2 to 4 aryl groups on the 4 benzene rings that may be substituted by R 1 to R 4 in the molecule,
The benzene rings to which 2 to 4 aryl groups are bonded may be the same or different among the 4 benzene rings, but in particular, 2 to 4 aryl groups may be bonded to different benzene rings. preferable. Further, it is more preferable that at least two of them are bonded to the para position or the meta position with respect to the bonding position of N. In this case, it is preferable that at least one of the aryl groups is a phenyl group, that is, it is preferable that the aryl group and the benzene ring together form a 4- or 3-biphenylyl group with respect to the N atom. It is particularly preferred that 2 to 4 are 4- or 3-biphenylyl groups. The 4- or 3-biphenylyl group may be only one or may be a mixture of both. Further, as the aryl group other than the phenyl group, a (1-, 2-) naphthyl group, a (1-, 2-, 9-) anthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a coronenyl group and the like are particularly preferable, and other than the phenyl group. It is preferable that the aryl group of is also bonded to the para position or the meta position with respect to the bonding position of N. These aryl groups may also be mixed with the phenyl group.

【0076】化16において、R5 、R6 で表されるア
ルキル基、アルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子とし
てはR1 〜R4 のところで挙げたものと同様のものが挙
げられる。
In the chemical formula 16, the alkyl group, alkoxy group, amino group and halogen atom represented by R 5 and R 6 are the same as those mentioned in R 1 to R 4 .

【0077】r5、r6は、ともに0であることが好ま
しく、2つのアリールアミノ基を連結するビフェニレン
基は無置換のものが好ましい。
Both r5 and r6 are preferably 0, and the biphenylene group connecting the two arylamino groups is preferably unsubstituted.

【0078】なお、r1〜r4が2以上の整数のとき、
各R1 〜R4 同士は各々同一でも異なるものであっても
よい。また、r5、r6が2以上の整数のとき、R5
士、R6 同士は同一でも異なるものであってもよい。
When r1 to r4 are integers of 2 or more,
Each R 1 to R 4 may be the same or different. Further, when r5 and r6 are integers of 2 or more, R 5 s and R 6 s may be the same or different.

【0079】化16の化合物のなかでも、化17または
化18で表される化合物が好ましい。まず化17につい
て説明すると、化17において、A1 〜A4 は、それぞ
れNの結合位置に対してパラ位(4位)またはメタ位
(3位)に結合するフェニル基を表し、これらは同一で
も異なるものであってもよい。これらのフェニル基はさ
らに置換基を有していてもよく、この場合の置換基とし
てはR1 〜R4 で表されるアリール基のところで挙げた
置換基と同様のものを挙げることができる。R7〜R10
はそれぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ア
リールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、
これらは同一でも異なるものであってもよい。これらの
具体例としては化16のR1 〜R4 のところで挙げたも
のと同様のものを挙げることができる。
Among the compounds of Chemical formula 16, the compounds represented by Chemical formulas 17 and 18 are preferable. First, the chemical formula 17 will be described. In the chemical formula 17, A 1 to A 4 each represent a phenyl group bonded to the para position (4 position) or the meta position (3 position) with respect to the bonding position of N, and these are the same. However, it may be different. These phenyl groups may further have a substituent, and examples of the substituent in this case include the same substituents as those mentioned for the aryl group represented by R 1 to R 4 . R 7 to R 10
Each represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom,
These may be the same or different. Specific examples thereof include the same as those listed for R 1 to R 4 in Chemical formula 16.

【0080】r7〜r10はそれぞれ0または1〜4の
整数であり、r7〜r10は0であることが好ましい。
R7 to r10 are each 0 or an integer of 1 to 4, and r7 to r10 are preferably 0.

【0081】また、化17において、R5 、R6 、r5
およびr6は化16のものと同義であり、r5=r6=
0であることが好ましい。
Further, in Chemical formula 17, R 5 , R 6 , and r5
And r6 are synonymous with those of Chemical formula 16, and r5 = r6 =
It is preferably 0.

【0082】なお、化17において、r7〜r10が各
々2以上の整数であるとき、各R7〜R10同士は同一で
も異なるものであってもよい。
In Chemical formula 17, when r7 to r10 are each an integer of 2 or more, R 7 to R 10 may be the same or different.

【0083】次に、化18について説明すると、化18
において、ArはNの結合位置のパラ位またはメタ位に
結合するアリール基を表す。アリール基としては、化1
6のR1 〜R4 で表されるアリール基のところで例示し
たものと同様のものを挙げることができ、特にフェニル
基が好ましい。この場合、アリール基はさらに置換され
ていてもよく、このような置換基としてはR1 〜R4
ところで例示したものを挙げることができる。置換基と
してはアミノ基が好ましい。ただし、アミノ基は、場合
によっては環化して複素環基となっていてもよい。具体
的にはR1 〜R 4 で表されるアミノ基のなかから選択す
ることができる。Z1 、Z2 およびZ3は、それぞれア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよい。これらの具体例として
は化16のR1 〜R4 のところで挙げたものと同様のも
のを挙げることができる。ただし、Z1 、Z2 およびZ
3 のうちの少なくとも1個はNの結合位置のパラ位また
はメタ位に結合するアリール基を表すが、Ar、Z1
3 のすべてが同時にNの結合位置に対してパラ位また
はメタ位に結合するフェニル基となることはなく、4個
のベンゼン環の2〜3個がパラ位またはメタ位にそれぞ
れ1個のアリール基を有することが好ましい。従って、
1 〜Z2 のうちの1個または2個がこのようなアリー
ル基であることが好ましい。アリール基としては、(1
−,2−)ナフチル基、(1−,2−,9−)アントリ
ル基、ピレニル基、ペリレニル基、コロネニル基等も好
ましいが、フェニル基が最も好ましい。
Next, the chemical formula 18 will be explained.
In, Ar is at the para-position or meta-position of the N-bonding position.
It represents an aryl group to be bonded. As the aryl group,
6 R1 ~ RFour The aryl group represented by
The same as those mentioned above, especially phenyl
Groups are preferred. In this case, the aryl group is further substituted
R may be present as such a substituent.1 ~ RFour of
By the way, the exemplified ones can be given. With substituents
Also, an amino group is preferable. However, if the amino group is
In some cases, it may be cyclized to form a heterocyclic group. Concrete
Specifically R1 ~ R Four Selected from the amino groups represented by
Can be Z1 , Z2 And Z3Are each
Alkyl group, alkoxy group, aryl group, aryloxy
Group, amino group or halogen atom, which are the same
However, it may be different. As specific examples of these
Is R of1 ~ RFour The same as the ones listed in
Can be mentioned. However, Z1 , Z2 And Z
3 At least one of these is the para position of the N binding position or
Represents an aryl group bonded to the meta position, and Ar, Z1 ~
Z3 Are all para positions relative to the N bonding position
Is not a phenyl group bonded to the meta position, and 4
2 to 3 of the benzene rings of each are in para or meta position
It is preferable to have one aryl group. Therefore,
Z1 ~ Z2 1 or 2 of these are such allies
It is preferably a phenyl group. The aryl group includes (1
-, 2-) naphthyl group, (1-, 2-, 9-) antry
Group, pyrenyl group, perylenyl group, coronenyl group, etc. are also preferable.
However, a phenyl group is most preferable.

【0084】また、Z1 〜Z3 で表される上記アリール
基は置換基を有していてもよく、置換基としてはR1
4 のところで例示したものを挙げることができる。特
に、置換基としてはアミノ基が好ましい。具体的には、
1 〜R4 で表されるアミノ基から選択することができ
る。s1〜s3は、それぞれ0または1〜5の整数であ
るが、これらは同時に0になることはなく、その和は1
以上の整数である。s1〜s3は、それぞれ0または1
であることが好ましく、さらにはs1〜s3の1個また
は2個が1であり、残りが0であるような組合せが好ま
しく、この場合s1〜s3が1であるときに含まれるZ
1 〜Z3 は、Nの結合位置に対してパラ位またはメタ位
に結合するアリール基、特にフェニル基であることが好
ましい。
The aryl group represented by Z 1 to Z 3 may have a substituent, and the substituent may be R 1 to
The examples of R 4 can be mentioned. Particularly, an amino group is preferable as the substituent. In particular,
It can be selected from the amino groups represented by R 1 to R 4 . s1 to s3 are each 0 or an integer of 1 to 5, but they are never 0 at the same time, and the sum thereof is 1
It is an integer above the above. s1 to s3 are 0 or 1 respectively
And a combination in which one or two of s1 to s3 is 1 and the rest is 0 is preferable, and in this case, Z contained when s1 to s3 is 1
1 to Z 3 are preferably an aryl group bonded to the para position or the meta position with respect to the bonding position of N, particularly a phenyl group.

【0085】なお、化18において、s1〜s3が2以
上の整数のとき、各Z1 〜Z3 同士は各々同一でも異な
るものであってもよい。また、化18のR0 およびr0
は化17のR7 およびr7と各々同義であり、化18の
5 、R6 、r5およびr6は化17のものと各々同義
であり、好ましいものも同様である。
In Chemical formula 18, when s1 to s3 are integers of 2 or more, Z 1 to Z 3 may be the same or different. In addition, R 0 and r 0
Are each synonymous with R 7 and r7 of Chemical formula 17, and R 5 , R 6 , r5 and r6 of Chemical formula 18 are respectively synonymous with those of Chemical formula 17, and the preferred ones are also the same.

【0086】化17の化合物のなかでも、化19〜化2
4で表される化合物が好ましい。化19〜化24の各々
において、R11〜R14は、それぞれアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基また
はハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもので
あってもよい。これらの具体例としてはR1 〜R4 のと
ころで挙げたものと同様のものを挙げることができる。
Among the compounds of Chemical formula 17, Chemical formula 19 to Chemical formula 2
The compound represented by 4 is preferable. In each of Chemical formulas 19 to 24, R 11 to R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Specific examples thereof include the same as those listed for R 1 to R 4 .

【0087】r11〜r14はそれぞれ0または1〜5
の整数であり、r11〜r14は、化19〜化24のい
ずれにおいても0であることが好ましい。
R11 to r14 are 0 or 1 to 5, respectively.
And it is preferable that r11 to r14 are 0 in any of Chemical formulas 19 to 24.

【0088】なお、r11〜r14が各々2以上の整数
であるとき、各R11〜R14同士は同一でも異なるもので
あってもよい。
When r11 to r14 are each an integer of 2 or more, R 11 to R 14 may be the same or different.

【0089】化19〜化24の各々において、R5 〜R
10およびr5〜r10は、それぞれ化17のものと同義
であり、好ましいものも同様である。
In each of Chemical formulas 19 to 24, R 5 to R
10 and r5 to r10 have the same meanings as in Chemical formula 17, respectively, and the preferred ones are also the same.

【0090】一方、化18の化合物のなかでも化25〜
化30で表される化合物が好ましい。化25〜化30の
各々に示されるAr1 〜Ar6 はそれぞれアリール基を
表し、化25のAr1 とAr2 、化26のAr1 とAr
3 、化27のAr1 とAr2とAr3 、化28のAr4
とAr5 、化29のAr4 とAr6 、化30のAr4
Ar5 とAr6 とは、それぞれ同一でも異なるものであ
ってもよい。アリール基の具体例としては化16のR1
〜R4 のところのものと同様のものを挙げることがで
き、フェニル基が特に好ましい。
On the other hand, among the compounds of Chemical formula 18,
The compound represented by Chemical formula 30 is preferable. Of each Ar 1 to Ar 6 shown in each of 25 of 30 represents an aryl group, of Ar 1 and Ar 2 of 25, the reduction 26 Ar 1 and Ar
3 , Ar 1 and Ar 2 and Ar 3 of Chemical formula 27, Ar 4 of Chemical formula 28
And Ar 5 ; Ar 4 and Ar 6 of Chemical formula 29; and Ar 4 and Ar 5 and Ar 6 of Chemical formula 30 may be the same or different. Specific examples of the aryl group include R 1 of Chemical formula 16
The same as those described above for R 4 to R 4 can be mentioned, and a phenyl group is particularly preferable.

【0091】化25〜化30のR15、化25、化27、
化28、化30のR16、化26、化27、化29、化3
0のR20は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原
子を表し、化25、化28のR15とR16、化26、化2
9のR15とR20、化27、化30のR15とR16とR20
はそれぞれ同一でも異なるものであってもよい。これら
の具体例としては化16のR1 〜R4 のところで挙げた
ものと同様のものを挙げることができる。
R 15 of Chemical formulas 25 to 30, Chemical formulas 25 and 27,
R 16 of Chemical formula 28, Chemical formula 30, Chemical formula 26, Chemical formula 27, Chemical formula 29, Chemical formula 3
R 20 of 0 represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, respectively, and R 15 and R 16 of Chemical formula 25, Chemical formula 26, Chemical formula 26, Chemical formula 2
R 15 and R 20 in Chemical formula 9 and Chemical formula 27, and R 15 and R 16 and R 20 in Chemical formula 30 may be the same or different. Specific examples thereof include the same as those listed for R 1 to R 4 in Chemical formula 16.

【0092】化25〜化30のr15、化25、化2
7、化28、化30のr16、化26、化27、化2
9、化30のr20は、0または1〜4の整数である
が、r15、r16、r20は0であることが好まし
い。
R15 of Chemical formulas 25 to 30, Chemical formula 25, and Chemical formula 2
R16 of Chemical formula 7, Chemical formula 28, Chemical formula 30, Chemical formula 26, Chemical formula 27, Chemical formula 2
In formula 9 and formula 30, r20 is 0 or an integer of 1 to 4, and r15, r16 and r20 are preferably 0.

【0093】化25、化28のR17、化25〜化30の
18、化26、化29のR19は、それぞれアルキル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロ
ゲン原子を表し、化25、化28のR17とR18、化2
6、化29のR18とR19とはそれぞれ同一でも異なるも
のであってもよい。これらの具体例としては化16のR
1 〜R4 のところで挙げたものと同様のものを挙げるこ
とができる。
[0093] of 25, R 19 of R 17, of 25 of 30 of R 18, reduction 26, of 29 of 28 each represent an alkyl group,
Represents an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, wherein R 17 and R 18 in Chemical formula 25 and Chemical formula 2
R 18 and R 19 in Chemical Formula 6 and Chemical Formula 29 may be the same or different. Specific examples of these include R of Chemical formula 16
The same as those mentioned in 1 to R 4 can be mentioned.

【0094】化25、化28のr17、化25〜化30
のr18、化26、化29のr19は、0または1〜5
の整数であるが、r17、r18、r19は0であるこ
とが好ましい。
R17 of Chemical formulas 25 and 28, Chemical formulas 25 to 30
R18 in Chemical formula 26, and r19 in Chemical formula 29 are 0 or 1 to 5
However, r17, r18 and r19 are preferably 0.

【0095】なお、化25〜化30において、r15、
r16、r20が2以上の整数であるとき、R15同士、
16同士、R20同士は各々同一でも異なるものであって
もよく、r17、r18、r19が2以上の整数である
とき、R17同士、R18同士、R19同士は各々同一でも異
なるものであってもよい。
In the formulas 25 to 30, r15,
r16, if r20 is an integer of 2 or more, R 15 to each other,
R 16 s and R 20 s may be the same or different, and when r 17 , r 18 and r 19 are integers of 2 or more, R 17 s , R 18 s and R 19 s are the same or different. May be

【0096】化25〜化30の各々において、R5 、R
6 、r5およびr6は化16のものと同義であり、r5
=r6=0であることが好ましい。
In each of Chemical formulas 25 to 30, R 5 , R 5
6 , r5 and r6 have the same meanings as those of chemical formula 16,
It is preferable that = r6 = 0.

【0097】以下に、化16の化合物の具体例を示す
が、本発明はこれに限定されるものではない。なお、化
31、化37、化42、化47、化53、化58、化6
4、化70、化78、化84、化90、化95は一般式
であり、化32〜36、化38〜41、化43〜46、
化48〜52、化54〜57、化59〜63、化65〜
69、化71〜77、化79〜83、化85〜89、化
91〜94、化96〜100にR1 等の組合せで具体例
を示している。この表示において、Ar1 〜Ar 6 を除
いて、すべてHのときはHで示しており、置換基が存在
するときは置換基のみを示すものとし、他のものはHで
あることを意味している。
Specific examples of the compound of Chemical formula 16 are shown below.
However, the present invention is not limited to this. In addition,
31, Chemical 37, Chemical 42, Chemical 47, Chemical 53, Chemical 58, Chemical 6
4, chemical formula 70, chemical formula 78, chemical formula 84, chemical formula 90, and chemical formula 95 are general formulas.
Chemical formulas 32 to 36, Chemical formulas 38 to 41, Chemical formulas 43 to 46,
Chemical formula 48 to 52, chemical formula 54 to 57, chemical formula 59 to 63, chemical formula 65
69, chemical formulas 71 to 77, chemical formulas 79 to 83, chemical formulas 85 to 89, chemical formulas
91 to 94, R to 96 to 1001 Specific examples of combinations such as
Is shown. In this display, Ar1 ~ Ar 6 Excluding
And when all are H, they are shown as H, and there is a substituent
When the substituent is present, only the substituent is shown, and the other is H.
It means that there is.

【0098】[0098]

【化31】 [Chemical 31]

【0099】[0099]

【化32】 [Chemical 32]

【0100】[0100]

【化33】 [Chemical 33]

【0101】[0101]

【化34】 Embedded image

【0102】[0102]

【化35】 Embedded image

【0103】[0103]

【化36】 Embedded image

【0104】[0104]

【化37】 Embedded image

【0105】[0105]

【化38】 [Chemical 38]

【0106】[0106]

【化39】 [Chemical Formula 39]

【0107】[0107]

【化40】 [Chemical 40]

【0108】[0108]

【化41】 Embedded image

【0109】[0109]

【化42】 Embedded image

【0110】[0110]

【化43】 [Chemical 43]

【0111】[0111]

【化44】 [Chemical 44]

【0112】[0112]

【化45】 Embedded image

【0113】[0113]

【化46】 Embedded image

【0114】[0114]

【化47】 [Chemical 47]

【0115】[0115]

【化48】 Embedded image

【0116】[0116]

【化49】 [Chemical 49]

【0117】[0117]

【化50】 Embedded image

【0118】[0118]

【化51】 [Chemical 51]

【0119】[0119]

【化52】 Embedded image

【0120】[0120]

【化53】 Embedded image

【0121】[0121]

【化54】 [Chemical 54]

【0122】[0122]

【化55】 [Chemical 55]

【0123】[0123]

【化56】 [Chemical 56]

【0124】[0124]

【化57】 [Chemical 57]

【0125】[0125]

【化58】 Embedded image

【0126】[0126]

【化59】 Embedded image

【0127】[0127]

【化60】 Embedded image

【0128】[0128]

【化61】 [Chemical formula 61]

【0129】[0129]

【化62】 Embedded image

【0130】[0130]

【化63】 [Chemical formula 63]

【0131】[0131]

【化64】 [Chemical 64]

【0132】[0132]

【化65】 Embedded image

【0133】[0133]

【化66】 [Chemical formula 66]

【0134】[0134]

【化67】 Embedded image

【0135】[0135]

【化68】 [Chemical 68]

【0136】[0136]

【化69】 [Chemical 69]

【0137】[0137]

【化70】 Embedded image

【0138】[0138]

【化71】 Embedded image

【0139】[0139]

【化72】 Embedded image

【0140】[0140]

【化73】 Embedded image

【0141】[0141]

【化74】 [Chemical 74]

【0142】[0142]

【化75】 [Chemical 75]

【0143】[0143]

【化76】 [Chemical 76]

【0144】[0144]

【化77】 Embedded image

【0145】[0145]

【化78】 Embedded image

【0146】[0146]

【化79】 Embedded image

【0147】[0147]

【化80】 Embedded image

【0148】[0148]

【化81】 [Chemical 81]

【0149】[0149]

【化82】 [Chemical formula 82]

【0150】[0150]

【化83】 [Chemical 83]

【0151】[0151]

【化84】 [Chemical 84]

【0152】[0152]

【化85】 Embedded image

【0153】[0153]

【化86】 [Chemical 86]

【0154】[0154]

【化87】 [Chemical 87]

【0155】[0155]

【化88】 Embedded image

【0156】[0156]

【化89】 [Chemical 89]

【0157】[0157]

【化90】 [Chemical 90]

【0158】[0158]

【化91】 Embedded image

【0159】[0159]

【化92】 Embedded image

【0160】[0160]

【化93】 Embedded image

【0161】[0161]

【化94】 Embedded image

【0162】[0162]

【化95】 Embedded image

【0163】[0163]

【化96】 [Chemical 96]

【0164】[0164]

【化97】 Embedded image

【0165】[0165]

【化98】 Embedded image

【0166】[0166]

【化99】 Embedded image

【0167】[0167]

【化100】 [Chemical 100]

【0168】[0168]

【化101】 [Chemical 101]

【0169】[0169]

【化102】 Embedded image

【0170】本発明の化合物は、Jean Piccard, Herr.
Chim. Acta., 7, 789(1924) 、JeanPiccard, J. Am. Ch
em. Soc., 48, 2878(1926) 等に記載の方法に従って、
あるいは準じて合成することができる。具体的には、目
的とする化合物に応じ、ジ(ビフェニル)アミン化合物
とジヨードビフェニル化合物、あるいはN,N’−ジフ
ェニルベンジン化合物とヨードビフェニル化合物、など
の組合せで、銅の存在下で加熱すること(ウルマン反
応)によって得られる。
The compounds of the present invention are commercially available from Jean Piccard, Herr.
Chim. Acta., 7 , 789 (1924), JeanPiccard, J. Am. Ch
According to the method described in em. Soc., 48 , 2878 (1926) etc.
Alternatively, it can be synthesized in a similar manner. Specifically, a combination of a di (biphenyl) amine compound and a diiodobiphenyl compound or a combination of N, N′-diphenylbenzidine compound and an iodobiphenyl compound is heated in the presence of copper, depending on the target compound. (Ullmann reaction).

【0171】本発明の化合物は、質量分析、赤外吸収ス
ペクトル(IR)、 1H核磁気共鳴スペクトル(NM
R)等によって同定することができる。
The compounds of the present invention were analyzed by mass spectrometry, infrared absorption spectrum (IR), 1 H nuclear magnetic resonance spectrum (NM).
R) and the like.

【0172】これらの本発明の化合物は、640〜20
00程度の分子量をもち、190〜300℃の高融点を
有し、80〜200℃の高ガラス転移温度を示し、通常
の真空蒸着等により透明で室温以上でも安定なアモルフ
ァス状態を形成し、平滑で良好な膜として得られ、しか
もそれが長期間に渡って維持される。なお、本発明の化
合物のなかには融点を示さず、高温においてもアモルフ
ァス状態を呈するものもある。従ってバインダー樹脂を
用いることなく、それ自体で薄膜化することができる。
These compounds of the present invention are 640 to 20
It has a molecular weight of about 00, has a high melting point of 190 to 300 ° C., exhibits a high glass transition temperature of 80 to 200 ° C., forms a transparent amorphous state stable even at room temperature or higher by ordinary vacuum deposition, etc., and is smooth. A good film is obtained, and it is maintained for a long period of time. It should be noted that some of the compounds of the present invention do not show a melting point and exhibit an amorphous state even at high temperatures. Therefore, a thin film can be formed by itself without using a binder resin.

【0173】本発明の化合物は1種のみを用いても2種
以上を併用してもよい。
The compounds of the present invention may be used alone or in combination of two or more.

【0174】本発明の有機EL素子は、少なくとも1層
の有機化合物層を有し、少なくとも1層の有機化合物層
が本発明の有機EL素子用化合物を含有する。本発明の
有機EL素子の構成例を図1に示す。同図に示される有
機EL素子1は、基板2上に、陽極3、正孔注入輸送層
4、発光層5、電子注入輸送層6、陰極7を順次有す
る。
The organic EL device of the present invention has at least one organic compound layer, and at least one organic compound layer contains the compound for organic EL device of the present invention. An example of the structure of the organic EL element of the present invention is shown in FIG. The organic EL device 1 shown in the figure has an anode 3, a hole injecting and transporting layer 4, a light emitting layer 5, an electron injecting and transporting layer 6, and a cathode 7 in this order on a substrate 2.

【0175】発光層は、正孔(ホール)および電子の注
入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により
励起子を生成させる機能を有する。発光層には比較的電
子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。
正孔注入輸送層は、陽極からの正孔の注入を容易にする
機能、正孔を輸送する機能および電子を妨げる機能を有
し、電子注入輸送層は、陰極からの電子の注入を容易に
する機能、電子を輸送する機能および正孔を妨げる機能
を有するものであり、これらの層は、発光層へ注入され
る正孔や電子を増大・閉じ込めさせ、再結合領域を最適
化させ、発光効率を改善する。正孔注入輸送層および電
子注入輸送層は、発光層に用いる化合物の正孔注入、正
孔輸送、電子注入、電子輸送の各機能の高さを考慮し、
必要に応じて設けられる。例えば、発光層に用いる化合
物の正孔注入輸送機能または電子注入輸送機能が高い場
合には、正孔注入輸送層または電子注入輸送層を設けず
に、発光層が正孔注入輸送層または電子注入輸送層を兼
ねる構成とすることができる。また、場合によっては正
孔注入輸送層および電子注入輸送層のいずれも設けなく
てよい。また、正孔注入輸送層および電子注入輸送層
は、それぞれにおいて、注入機能を持つ層と輸送機能を
持つ層とに別個に設けてもよい。
The light emitting layer has a function of injecting holes and electrons, a function of transporting them, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. It is preferable to use a relatively electronically neutral compound in the light emitting layer.
The hole injecting and transporting layer has a function of facilitating injection of holes from the anode, a function of transporting holes and a function of hindering electrons, and the electron injecting and transporting layer facilitates injection of electrons from the cathode. These layers have a function of transporting electrons, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes, and these layers increase and confine holes and electrons injected into the light emitting layer, optimize the recombination region, and emit light. Improve efficiency. The hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer consider the height of each of the hole injecting, hole transporting, electron injecting, and electron transporting functions of the compound used for the light emitting layer,
It is provided as needed. For example, when the compound used for the light emitting layer has a high hole injecting / transporting function or an electron injecting / transporting function, the light emitting layer is not provided with the hole injecting / transporting layer or the electron injecting / transporting layer, and the light emitting layer is the hole injecting / transporting layer or the electron injecting / transporting layer. It can be configured to also serve as a transport layer. In some cases, neither the hole injecting / transporting layer nor the electron injecting / transporting layer may be provided. In addition, the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer may be separately provided in the layer having the injection function and the layer having the transport function.

【0176】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよ
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法に
よっても異なるが、通常、5〜1000nm程度、特に1
0〜200nmとすることが好ましい。
The thickness of the light emitting layer, the thickness of the hole injecting and transporting layer and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited and may vary depending on the forming method, but are usually about 5 to 1000 nm, particularly 1 nm.
It is preferably 0 to 200 nm.

【0177】正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは1/10〜10倍程度とすれば
よい。電子もしくは正孔の、各々の注入層と輸送層を分
ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は20nm以上と
するのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの
上限は、通常、注入層で100nm程度、輸送層で100
0nm程度である。このような膜厚については注入輸送層
を2層設けるときも同じである。
The thickness of the hole injecting and transporting layer and the thickness of the electron injecting and transporting layer may be the same as the thickness of the light emitting layer or about 1/10 to 10 times, although it depends on the design of the recombination / light emitting region. . When the electron injection layer and the electron injection layer are separated from the transport layer, it is preferable that the injection layer has a thickness of 1 nm or more and the transport layer has a thickness of 20 nm or more. At this time, the upper limit of the thickness of the injection layer and the transport layer is usually about 100 nm in the injection layer and 100 in the transport layer.
It is about 0 nm. Such a film thickness is the same when two injecting and transporting layers are provided.

【0178】また、組み合わせる発光層や電子注入輸送
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
(イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる)を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設計することが可能であり、発
光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光
スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能にで
きる。
Also, recombination can be achieved by controlling the film thickness while considering the carrier mobility and carrier density (determined by the ionization potential and electron affinity) of the light emitting layer, electron injecting and transporting layer and hole injecting and transporting layer to be combined. It is possible to freely design the area and the light emitting area, and it is possible to design the light emitting color, control the light emitting luminance and the light emitting spectrum by the interference effect of both electrodes, and control the spatial distribution of light emission.

【0179】本発明の化合物は、発光層、正孔注入輸送
層のいずれにも適用可能であるが、正孔注入輸送性が良
好であるので、正孔注入輸送層に用いることが好まし
い。
The compound of the present invention can be applied to both a light emitting layer and a hole injecting / transporting layer, but since it has a good hole injecting / transporting property, it is preferably used in the hole injecting / transporting layer.

【0180】本発明の化合物を正孔注入輸送層に用いる
場合について説明する。正孔注入輸送層は、本発明の化
合物を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散さ
せてコーティングして形成すればよい。特に蒸着を行え
ば良好なアモルファス膜が得られる。
The case where the compound of the present invention is used in the hole injecting and transporting layer will be described. The hole injecting and transporting layer may be formed by vapor-depositing the compound of the present invention or by dispersing it in a resin binder and coating it. Particularly, good vapor deposition can be obtained by vapor deposition.

【0181】また、通常の有機EL素子に用いられてい
る各種有機化合物、例えば、特開昭63−295695
号公報、特開平2−191694号公報、特開平3−7
92号公報等に記載されている各種有機化合物を正孔注
入輸送層に併用することができる。例えば、本発明の化
合物以外の他の芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、
カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾー
ル誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、
ポリチオフェン等を本発明の化合物と積層したり、混合
したりしてもよい。
Various organic compounds used in ordinary organic EL devices, for example, JP-A-63-295695.
Japanese Patent Laid-Open No. Hei 2-191694, Japanese Patent Laid-Open No. 3-7
Various organic compounds described in Japanese Patent Publication No. 92, etc. can be used in combination with the hole injecting and transporting layer. For example, an aromatic tertiary amine other than the compound of the present invention, a hydrazone derivative,
Carbazole derivative, triazole derivative, imidazole derivative, oxadiazole derivative having amino group,
Polythiophene and the like may be laminated or mixed with the compound of the present invention.

【0182】正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層
とに分けて設層する場合は、正孔注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陽極(ITO等)側からイオン化ポテン
シャルの小さい化合物の層の順に積層することが好まし
い。また陽極表面には薄膜性の良好な化合物を用いるこ
とが好ましい。このような積層順については、正孔注入
輸送層を2層以上設けるときも同様である。このような
積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リ
ークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことが
できる。また、素子化する場合、蒸着を用いているので
1〜10nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフリー
とすることができるため、正孔注入層にイオン化ポテン
シャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用
いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を
防ぐことができる。
When the hole injecting and transporting layer is separately formed into the hole injecting layer and the hole transporting layer, preferable combinations can be selected and used from the compounds for the hole injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack layers of a compound having a small ionization potential in order from the anode (ITO or the like) side. Further, it is preferable to use a compound having a good thin film property on the surface of the anode. This stacking order is the same when two or more hole injecting and transporting layers are provided. By adopting such a stacking order, the driving voltage is lowered, and it is possible to prevent the occurrence of current leakage and the generation / growth of dark spots. In addition, since vapor deposition is used to form a device, a thin film of about 1 to 10 nm can be made uniform and pinhole-free, so that the hole injection layer has a small ionization potential and absorption in the visible region. Even if such a compound is used, it is possible to prevent a decrease in efficiency due to a change in the color tone of the emission color or reabsorption.

【0183】本発明の化合物を主成分とする正孔注入輸
送層に併用する有機化合物としては、ポリチオフェンが
好ましく、薄膜性の良好な正孔注入層もしくは第一正孔
注入輸送層としてポリチオフェンを陽極上に蒸着した後
に、本発明の化合物を正孔輸送層もしくは第二正孔注入
輸送層として積層することはイオン化ポテンシャルの点
からさらに好ましい。
Polythiophene is preferable as the organic compound used in the hole injecting / transporting layer containing the compound of the present invention as a main component, and polythiophene is used as the positive hole injecting / transporting layer having a good thin film property. From the viewpoint of ionization potential, it is more preferable to stack the compound of the present invention as a hole transport layer or a second hole injection transport layer after vapor deposition on the above.

【0184】本発明に用いることが好ましいポリチオフ
ェンとしては、化103で示される構造単位を有する重
合体(以下、「重合体A」ともいう。)、化103で示
される構造単位と化104で示される構造単位とを有す
る共重合体(以下、「共重合体B」ともいう。)および
化105で示される重合体(以下、「重合体C」)から
選択されるものが挙げられる。
The polythiophene preferably used in the present invention is a polymer having a structural unit represented by Chemical formula 103 (hereinafter, also referred to as "polymer A"), a structural unit represented by Chemical formula 103 and a chemical unit represented by Chemical formula 104. And a polymer having a structural unit (hereinafter, also referred to as “copolymer B”) and a polymer represented by Chemical Formula 105 (hereinafter, “polymer C”).

【0185】[0185]

【化103】 Embedded image

【0186】[0186]

【化104】 [Chemical 104]

【0187】[0187]

【化105】 Embedded image

【0188】まず、重合体Aについて説明する。重合体
Aは化103の構造単位を有し、例えば化106で示さ
れるものである。
First, the polymer A will be described. The polymer A has a structural unit represented by Chemical Formula 103 and is represented by, for example, Chemical Formula 106.

【0189】[0189]

【化106】 [Chemical formula 106]

【0190】化103、化106について記すと、R31
およびR32はそれぞれ水素原子、芳香族炭化水素基また
は脂肪族炭化水素基を表し、これらは同一でも異なるも
のであってもよい。
As for chemical formulas 103 and 106, R 31
And R 32 each represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group, which may be the same or different.

【0191】R31およびR32で表される芳香族炭化水素
基としては、無置換であっても置換基を有するものであ
ってよく、炭素数6〜15のものが好ましい。置換基を
有するときの置換基としてはアルキル基、アルコキシ
基、アミノ基、シアノ基等が挙げられる。芳香族炭化水
素基の具体例としては、フェニル基、トリル基、メトキ
シフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げら
れる。
The aromatic hydrocarbon group represented by R 31 and R 32 may be unsubstituted or may have a substituent, and preferably has 6 to 15 carbon atoms. When it has a substituent, examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, an amino group and a cyano group. Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, a biphenyl group and a naphthyl group.

【0192】R31およびR32で表される脂肪族炭化水素
基としては、アルキル基、シクロアルキル基等が挙げら
れ、これらのものは無置換でも、置換基を有するもので
あってもよい。なかでも、炭素数1〜6のものが好まし
く、具体的には、メチル基、エチル基、i−プロピル
基、t−ブチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group represented by R 31 and R 32 include an alkyl group and a cycloalkyl group, which may be unsubstituted or may have a substituent. Of these, those having 1 to 6 carbon atoms are preferable, and specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an i-propyl group, and a t-butyl group.

【0193】R31、R32としては、水素原子、芳香族炭
化水素基が好ましく、特には水素原子が好ましい。
As R 31 and R 32 , a hydrogen atom and an aromatic hydrocarbon group are preferable, and a hydrogen atom is particularly preferable.

【0194】層中における重合体Aの平均重合度(化1
06のm)は4〜100、好ましくは5〜40、さらに
好ましくは5〜20である。この場合、化103で示さ
れる繰り返し単位が全く同一の重合体(ホモポリマー)
であっても、化103においてR31とR32の組合せが異
なる構造単位から構成される共重合体(コポリマー)で
あってもよい。共重合体としては、ランダム共重合体、
交互共重合体、ブロック共重合体等のいずれであっても
よい。
Average Polymerization Degree of Polymer A in Layer (Chemical Formula 1
M) of 06 is 4 to 100, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 20. In this case, a polymer (homopolymer) in which the repeating unit shown in Chemical formula 103 is completely the same
Alternatively, the compound may be a copolymer in which the combination of R 31 and R 32 in Chemical formula 103 is different. As the copolymer, a random copolymer,
It may be an alternating copolymer, a block copolymer, or the like.

【0195】また、層中における重合体Aの重量平均分
子量は300〜10000程度である。
The weight average molecular weight of the polymer A in the layer is about 300 to 10,000.

【0196】重合体Aの末端基(化106のX1 および
2 )は、水素原子、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン
原子である。この末端基は、一般に、重合体Aの合成の
際の出発原料に依存して導入される。さらには重合反応
の最終段階で他の置換基を導入することもできる。
The terminal groups (X 1 and X 2 in Chemical Formula 106) of the polymer A are hydrogen atoms, halogen atoms such as chlorine, bromine and iodine. This end group is generally introduced depending on the starting material in the synthesis of polymer A. Furthermore, other substituents can be introduced at the final stage of the polymerization reaction.

【0197】なお、重合体Aは化103の構造単位のみ
で構成されることが好ましいが、10モル%以下であれ
ば他のモノマー成分を含有していてもよい。
The polymer A is preferably composed only of the structural unit represented by Chemical formula 103, but may contain other monomer components as long as it is 10 mol% or less.

【0198】重合体Aの具体例を化107に示す。化1
07には化103ないし化106のR31、R32の組合せ
で示している。
A specific example of the polymer A is shown in Chemical formula 107. Chemical 1
In No. 07, a combination of R 31 and R 32 in Chemical formula 103 to Chemical formula 106 is shown.

【0199】[0199]

【化107】 [Chemical formula 107]

【0200】次に、共重合体Bについて説明する。共重
合体Bは化103の構造単位と化104の構造単位とを
有し、例えば化108で示されるものである。
Next, the copolymer B will be described. The copolymer B has a structural unit of chemical formula 103 and a structural unit of chemical formula 104, and is, for example, one shown in chemical formula 108.

【0201】[0201]

【化108】 [Chemical 108]

【0202】化103については重合体Aのものと同様
である。従って、化108中のR31、R32は化103の
ものと同様である。
The chemical formula 103 is the same as that of the polymer A. Therefore, R 31 and R 32 in Chemical formula 108 are the same as those in Chemical formula 103.

【0203】また化104について記すと、R33および
34は、それぞれ水素原子、芳香族炭化水素基または脂
肪族炭化水素基を表し、これらは同一でも異なるもので
あってもよい。
With regard to the chemical formula 104, R 33 and R 34 each represent a hydrogen atom, an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group, which may be the same or different.

【0204】R33、R34で表される芳香族炭化水素基、
脂肪族炭化水素基の具体例は、化103のR31、R32
ところで挙げたものと同様のものを挙げることができ
る。また、R33、R34の好ましいものもR31、R32と同
様である。さらに、R33とR34とは互いに結合して環を
形成し、チオフェン環に縮合してもよい。この場合の縮
合環としては、ベンゼン環等が挙げられる。このR33
34については、化108においても同様である。
An aromatic hydrocarbon group represented by R 33 and R 34 ,
Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group are the same as those listed for R 31 and R 32 in Chemical formula 103. Further, the preferable ones of R 33 and R 34 are the same as those of R 31 and R 32 . Further, R 33 and R 34 may be bonded to each other to form a ring and condensed with a thiophene ring. Examples of the condensed ring in this case include a benzene ring. This R 33 ,
For R 34 is the same in the reduction 108.

【0205】層中における共重合体Bの平均重合度(化
108におけるv+w)は、重合体Aと同様に、4〜1
00、好ましくは5〜40、さらに好ましくは5〜20
である。また、化103の構造単位と化104の構造単
位との比率は、化103の構造単位/化104の構造単
位が、モル比で10/1〜1/10程度である。
The average degree of polymerization of copolymer B in the layer (v + w in Chemical Formula 108) is 4 to 1 as in the case of polymer A.
00, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 20
Is. Further, the ratio of the structural unit of Chemical formula 103 to the structural unit of Chemical formula 104 is about 10/1 to 1/10 in molar ratio of the structural unit of Chemical formula 103 / the structural unit of Chemical formula 104.

【0206】層中における共重合体Bの重量平均分子量
は300〜10000程度である。
The weight average molecular weight of the copolymer B in the layer is about 300 to 10,000.

【0207】また、共重合体Bの末端基(化108にお
けるX1 およびX2 )は重合体Aと同様のものであり、
一般に、共重合体Bの合成の際の出発原料ないしその比
率に依存する。
The terminal groups of the copolymer B (X 1 and X 2 in Chemical Formula 108) are the same as those of the polymer A,
In general, it depends on the starting materials used in the synthesis of copolymer B and the ratio thereof.

【0208】なお、共重合体Bは、重合体Aと同様に、
化103の構造単位と化104の構造単位とで構成され
ることが好ましいが、10モル%以下であれば他のモノ
マー成分を含有していてもよい。また、共重合体Bは、
ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体等
のいずれであってもよく、化108の構造式はこのよう
な構造を包含するものである。さらに、化103、化1
04の構造単位同士は、それぞれ同一であっても異なる
ものであってもよい。
The copolymer B is the same as the polymer A,
It is preferably composed of the structural unit of Chemical formula 103 and the structural unit of Chemical formula 104, but other monomer components may be contained as long as they are 10 mol% or less. Further, the copolymer B is
It may be a random copolymer, an alternating copolymer, a block copolymer, or the like, and the structural formula of Chemical formula 108 includes such a structure. Furthermore,
The structural units 04 may be the same or different.

【0209】共重合体Bの具体例を化109に示す。化
109には化103のR31、R32の組合せ、化104の
33、R34の組合せ、すなわち化108のR31、R32
33、R34の組合せで示している。
A specific example of the copolymer B is shown in Chemical formula 109. In chemical formula 109, a combination of R 31 and R 32 in chemical formula 103, a combination of R 33 and R 34 in chemical formula 104, that is, R 31 and R 32 in chemical formula 108,
The combination of R 33 and R 34 is shown.

【0210】[0210]

【化109】 [Chemical 109]

【0211】さらに、化105の重合体Cについて説明
する。化105について記すと、R33およびR34は化1
04のものと同義であり、好ましいものも同様である。
Further, the polymer C of Chemical formula 105 will be described. As for the chemical formula 105, R 33 and R 34 are the chemical formula 1.
It has the same meaning as that of No. 04, and the preferred ones are also similar.

【0212】X1 およびX2 は、それぞれ同一でも異な
るものであってもよく、重合体A、共重合体Bの末端基
と同様に、水素原子または塩素、臭素、ヨウ素等のハロ
ゲン原子である。X1 およびX2 は重合体Cの合成の際
の出発原料に依存する。
X 1 and X 2, which may be the same or different, each is a hydrogen atom or a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine, like the terminal groups of the polymer A and the copolymer B. . X 1 and X 2 depend on the starting materials in the synthesis of polymer C.

【0213】nは平均重合度を表し、層中では重合体
A、共重合体Bと同様に4〜100、好ましくは5〜4
0、さらに好ましくは5〜20である。この場合、R33
とR34の組合せが同一の重合体(ホモポリマー)であっ
ても、R33とR34の組合せが異なる共重合体(コポリマ
ー)であってもよい。共重合体としては、ランダム共重
合体、交互共重合体、ブロック共重合体等のいずれであ
ってもよい。
N represents the average degree of polymerization, and is 4 to 100, preferably 5 to 4 as in the case of the polymer A and the copolymer B in the layer.
It is 0, more preferably 5 to 20. In this case, R 33
The combination of R 34 and R 34 may be the same polymer (homopolymer), or the combination of R 33 and R 34 may be different copolymers. The copolymer may be a random copolymer, an alternating copolymer, a block copolymer, or the like.

【0214】また、層中における重合体Cの重量平均分
子量は300〜10000程度である。
The weight average molecular weight of the polymer C in the layer is about 300 to 10,000.

【0215】なお、重合体Cは化105に示すような構
造であることが好ましいが、重合体A、共重合体Bと同
様に、10モル%以下であれば他のモノマー成分を含有
していてもよい。
The polymer C preferably has the structure shown in Chemical formula 105, but like the polymers A and B, if it is 10 mol% or less, it contains other monomer components. May be.

【0216】重合体Cの具体例を化110、化111に
示す。化110は化105と同じであり、化111には
化110のR33、R34の組合せで示している。
Specific examples of the polymer C are shown in Chemical formulas 110 and 111. The chemical formula 110 is the same as the chemical formula 105, and the chemical formula 111 shows the combination of R 33 and R 34 of the chemical formula 110.

【0217】[0219]

【化110】 [Chemical 110]

【0218】[0218]

【化111】 [Chemical 111]

【0219】本発明では、ポリチオフェンとして、上記
重合体のうち重合体Cを用いることが特に好ましい。
In the present invention, as the polythiophene, it is particularly preferable to use the polymer C among the above polymers.

【0220】ポリチオフェンは1種のみを用いても2種
以上を併用してもよい。
The polythiophene may be used alone or in combination of two or more.

【0221】本発明に用いるポリチオフェンの融点は3
00℃以上、または融点を持たないものであり、真空蒸
着によりアモルファス状態あるいは微結晶状態の良質な
膜が得られる。
The melting point of polythiophene used in the present invention is 3
It has a temperature of not lower than 00 ° C. or has no melting point, and a high-quality film in an amorphous state or a microcrystalline state can be obtained by vacuum vapor deposition.

【0222】上記のように、本発明の化合物を正孔注入
輸送層に用いる場合、発光層中には発光機能を有する化
合物である蛍光性物質が含まれる。この蛍光性物質とし
ては、例えば、特開昭63−264692号公報に開示
されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレ
ン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくと
も1種が挙げられる。その他トリス(8−キノリノラ
ト)アルミニウム等の金属錯体色素、テトラフェニルブ
タジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−
フタロペリノン誘導体等が挙げられる。これらの有機蛍
光体を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散さ
せてコーティングすることにより、発光層を所定の厚さ
に形成する。
As described above, when the compound of the present invention is used in the hole injecting and transporting layer, the light emitting layer contains a fluorescent substance which is a compound having a light emitting function. Examples of the fluorescent substance include at least one selected from compounds such as those disclosed in JP-A-63-264692, such as quinacridone, rubrene, and styryl dyes. Other metal complex dyes such as tris (8-quinolinolato) aluminum, tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, 12-
Examples include phthaloperinone derivatives. These organic phosphors are vapor-deposited or dispersed in a resin binder for coating to form a light-emitting layer with a predetermined thickness.

【0223】電子注入輸送層には、トリス(8−キノリ
ノラト)アルミニウム等の有機金属錯体、オキサジアゾ
ール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミ
ジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジ
フェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等
を用いることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ね
たものであってもよく、このような場合はトリス(8−
キノリノラト)アルミニウム等を使用することも好まし
い。電子注入輸送層の形成も正孔注入輸送層や発光層と
同様に蒸着等によればよい。
The electron injecting and transporting layer includes an organometallic complex such as tris (8-quinolinolato) aluminum, an oxadiazole derivative, a perylene derivative, a pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a quinoline derivative, a quinoxaline derivative, a diphenylquinone derivative, and a nitro-substituted fluorene. A derivative or the like can be used. The electron injecting and transporting layer may also serve as the light emitting layer. In such a case, tris (8-
It is also preferable to use quinolinolato) aluminum or the like. The electron injecting and transporting layer may be formed by vapor deposition or the like as in the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer.

【0224】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて設層する場合は、電子注入輸送層用の化合物
のなかから好ましい組合せを選択して用いることができ
る。このとき、陰極側から電子親和力の値の大きい化合
物の層の順に積層することが好ましい。このような積層
順については電子注入輸送層を2層以上設けるときも同
様である。
When the electron injecting and transporting layer is separately formed into the electron injecting layer and the electron transporting layer, preferable combinations can be selected and used from the compounds for the electron injecting and transporting layer. At this time, it is preferable to stack the compound layers having a large electron affinity value in this order from the cathode side. The stacking order is the same when two or more electron injecting and transporting layers are provided.

【0225】また、有機化合物層には、一重項酸素クエ
ンチャーが含有されていてもよい。
Further, the organic compound layer may contain a singlet oxygen quencher.

【0226】このようなクエンチャーとしては、ルブレ
ンやニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフラン、三級
アミン等が挙げられる。中でもルブレンは特に好まし
い。このようなクエンチャーの含有量は、本発明の化合
物と併用する場合、本発明の化合物の10モル%以下と
することが好ましい。
Examples of such a quencher include rubrene, nickel complex, diphenylisobenzofuran and tertiary amine. Of these, rubrene is particularly preferable. When used in combination with the compound of the present invention, the content of such a quencher is preferably 10 mol% or less of the compound of the present invention.

【0227】本発明では、ルブレンを有機化合物層にド
ープすることが好ましい。
In the present invention, it is preferable to dope the organic compound layer with rubrene.

【0228】ドープは有機化合物層全域に行ってよく、
好ましくは、正孔注入輸送層全域とするのがよい。特に
キャリア再結合領域、発光領域およびその近傍、例えば
正孔注入輸送層の有機化合物層との接触界面にルブレン
が存在することが好ましいと考えられるので必ずしも正
孔注入輸送層全域とする必要はなく、正孔注入輸送層
の、これに接する発光層(電子注入輸送層を兼ねる場合
も含む。)、もしくは電子注入輸送層(正孔注入輸送層
が発光層を兼ねる場合)側の半分の領域としてもよい
が、通常は正孔注入輸送層全域とする。また、場合によ
っては、正孔注入輸送層全域または正孔注入輸送層の、
これに接する発光層もしくは電子注入輸送層側の半分の
領域と、発光層もしくは電子注入輸送層の正孔注入輸送
層側半分の領域とすることもできる。特に、正孔注入輸
送層において、本発明の化合物とルブレンとの併用は好
ましい。
Doping may be performed on the entire organic compound layer,
Preferably, the entire area of the hole injecting and transporting layer is used. In particular, it is considered that it is preferable that rubrene exists at the carrier recombination region, the light emitting region and its vicinity, for example, at the contact interface with the organic compound layer of the hole injecting and transporting layer. As a half region of the hole injecting and transporting layer which is in contact with the light emitting layer (including the case of also serving as the electron injecting and transporting layer) or the electron injecting and transporting layer (when the hole injecting and transporting layer also serves as the light emitting layer) However, it is usually the entire area of the hole injecting and transporting layer. In some cases, the entire hole injecting and transporting layer or the hole injecting and transporting layer,
It is also possible to form a half region on the side of the light emitting layer or the electron injecting and transporting layer which is in contact with this, and a half region of the light emitting layer or the electron injecting and transporting layer on the side of the hole injecting and transporting layer. In particular, in the hole injecting and transporting layer, the combined use of the compound of the present invention and rubrene is preferable.

【0229】ルブレンのドーピング濃度は、ルブレンが
濃度消光を起こすことから高濃度の使用は好ましくな
く、ドープ層全体に対し0.1〜50wt% とすることが
好ましく、さらには0.1〜30wt% 、特には0.1〜
20wt% とすることが好ましい。
The doping concentration of rubrene is not preferably high because rubrene causes concentration quenching, and is preferably 0.1 to 50 wt%, more preferably 0.1 to 30 wt% with respect to the entire doped layer. , Especially 0.1
20 wt% is preferable.

【0230】本発明では、ルブレンのほか、他の蛍光性
物質をドープしてもよい。
In the present invention, in addition to rubrene, another fluorescent substance may be doped.

【0231】また、本発明では、本発明の化合物を含有
する層と他の機能を有する化合物を含有する層との間に
両方の化合物の混合物を含有する混合層を特に発光層と
して設けることが好ましい。さらには、発光強度を高め
るために、その混合層に発光機能を有する化合物(蛍光
性物質)をドープしてもよい。
In the present invention, a mixed layer containing a mixture of both compounds is provided between the layer containing the compound of the present invention and the layer containing the compound having another function, particularly as a light emitting layer. preferable. Further, in order to increase the emission intensity, the mixed layer may be doped with a compound having a light emitting function (fluorescent substance).

【0232】特に、本発明の化合物が正孔注入輸送機能
を有する化合物であることから、電子注入輸送機能を有
する化合物(発光機能を併せもつ化合物も含む。)との
混合物を含有する層を発光層として設けることが好まし
い。この混合に供する電子注入輸送機能を有する化合物
は、前記の電子注入輸送用の化合物の中から選択して用
いることができる。具体的には、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム等を用いることが好ましい。
In particular, since the compound of the present invention is a compound having a hole injecting and transporting function, a layer containing a mixture with a compound having an electron injecting and transporting function (including a compound having a light emitting function) emits light. It is preferably provided as a layer. The compound having an electron injecting and transporting function to be used for this mixing can be selected from the above compounds for electron injecting and transporting and used. Specifically, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like.

【0233】さらに、混合層において、正孔および電子
注入輸送機能を有する化合物は各々1種のみを用いても
2種以上併用してもよく、正孔注入輸送機能を有する化
合物としては、本発明の化合物の他に前記の正孔注入輸
送用の化合物から選択して用いることができる。
Further, in the mixed layer, the compounds having a hole and electron injecting and transporting function may be used alone or in combination of two or more, and as the compound having a hole injecting and transporting function, the present invention may be used. In addition to the above compound, it can be selected and used from the above compounds for hole injecting and transporting.

【0234】なかでも、特に、ポリチオフェンを用いた
正孔注入輸送層上に本発明の化合物を用いた正孔注入輸
送層を積層し、この正孔注入輸送層と電子注入輸送層と
の間に両者の混合層を発光層として介在させることが好
ましい。
In particular, a hole injecting and transporting layer using the compound of the present invention is laminated on the hole injecting and transporting layer using polythiophene, and the hole injecting and transporting layer and the electron injecting and transporting layer are interposed between the layers. It is preferable to interpose a mixed layer of both as a light emitting layer.

【0235】この場合の混合比は、キャリア移動度によ
るが、本発明の化合物が混合層全体に対し30〜70wt
% 、さらには40〜60wt% 、特には50wt% 程度(従
って、通常本発明の化合物/電子注入輸送機能を有する
化合物の重量比が、30/70〜70/30、さらには
40/60〜60/40、特には50/50程度)とな
るようにすることが好ましい。
The mixing ratio in this case depends on the carrier mobility, but the compound of the present invention is 30 to 70 wt% with respect to the entire mixed layer.
%, Further 40 to 60 wt%, especially about 50 wt% (therefore, the weight ratio of the compound of the present invention / the compound having an electron injecting and transporting function is usually 30/70 to 70/30, further 40/60 to 60). / 40, and especially about 50/50).

【0236】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には1〜85nmとすることが好ましく、
さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好
ましい。
Further, the thickness of the mixed layer is preferably less than the thickness of the organic compound layer from the thickness corresponding to one molecular layer, specifically 1 to 85 nm,
Further, it is preferably 5 to 60 nm, and particularly preferably 5 to 50 nm.

【0237】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。
As a method for forming the mixed layer, co-evaporation in which evaporation is performed from different evaporation sources is preferable, but when vapor pressures (evaporation temperatures) are similar or very close, they are mixed in advance in the same evaporation board. It can also be vapor-deposited. Although it is preferable that the compounds are uniformly mixed in the mixed layer, the compounds may exist in an island shape in some cases.

【0238】なお、混合層は、発光層以外の有機化合物
層にも用いることができる。ただし、素子中に存在する
有機化合物層の一部とすることが好ましく、有機化合物
層をすべて混合層とすると高輝度な均一発光が得られに
くくなることもある。
The mixed layer can also be used for an organic compound layer other than the light emitting layer. However, it is preferable to form a part of the organic compound layer existing in the device, and if all the organic compound layers are mixed layers, it may be difficult to obtain high-luminance uniform light emission.

【0239】本発明の化合物は好ましくは正孔注入輸送
層に用いられるが、この正孔注入輸送層に接して設けら
れる発光層(電子注入輸送層を兼ねる場合も含む。)と
のイオン化ポテンシャルIpの差が0.25eV以上であ
ることが好ましく、特に0.25〜0.40eVであるこ
とが好ましい。
The compound of the present invention is preferably used in the hole injecting and transporting layer, and the ionization potential Ip with the light emitting layer (which also serves as the electron injecting and transporting layer) provided in contact with the hole injecting and transporting layer. Is preferably 0.25 eV or more, and particularly preferably 0.25 to 0.40 eV.

【0240】上記のイオン化ポテンシャルIpの差は、
本発明の化合物を含む層が正孔注入輸送機能を有する層
であって、かつ発光層としても機能する層であるとき、
この層に接する層は電子注入輸送層であるので、この層
との差とする。
The difference in the above-mentioned ionization potential Ip is
When the layer containing the compound of the present invention is a layer having a hole injecting and transporting function and also functions as a light emitting layer,
Since the layer in contact with this layer is an electron injecting and transporting layer, the difference from this layer is set.

【0241】なお、本発明の化合物のイオン化ポテンシ
ャルIpの絶対値は5.0〜5.4eV程度である。
The absolute value of the ionization potential Ip of the compound of the present invention is about 5.0 to 5.4 eV.

【0242】上記のイオン化ポテンシャルIpは、白
橋、磯部、宇田、電子材料、123(1985)の記載
に従う低エネルギー電子分光装置「Model AC−
1」(理研計器製)を用い、10〜200nm厚の単層の
蒸着膜をITO透明電極を有する基板やスライドガラス
などの上に成膜したサンプルを使用して測定した値であ
る。
The above-mentioned ionization potential Ip is determined by the low energy electron spectrometer "Model AC-" according to the description of Shirahashi, Isobe, Uda, Electronic Materials, 123 (1985).
1 ”(manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.) and a value obtained by using a sample in which a 10-200 nm-thick single-layer deposited film is formed on a substrate having an ITO transparent electrode, a slide glass, or the like.

【0243】上記の低エネルギー電子分光装置は、図2
に示す構成のものである。
The above-mentioned low-energy electron spectrometer is shown in FIG.
It has the configuration shown in.

【0244】図2に示すように、分光装置10は、紫外
線ランプ11、モノクロメータ12、検出器13、低エ
ネルギー電子計数装置14、制御装置15、演算表示装
置16およびX−Yステージ17により構成され、X−
Yステージ上にサンプルSを載置して測定を行うもので
ある。
As shown in FIG. 2, the spectroscopic device 10 comprises an ultraviolet lamp 11, a monochromator 12, a detector 13, a low-energy electron counting device 14, a control device 15, a calculation display device 16 and an XY stage 17. And X-
The sample S is placed on the Y stage for measurement.

【0245】紫外線ランプ11には重水素ランプを用
い、このランプから出た光をモノクロメータ12により
200〜360nmの任意の波長に分光し、サンプルS表
面に照射する。200〜360nmの光は、E=hν=h
(c/λ)(E:エネルギー,h:プランク定数,ν:
振動数,λ:波長)の式を用いてエネルギーに換算する
と、各々6.2〜3.4eVとなる。この光を励起エネル
ギーの低い方から高い方に向かってスイープしていく
と、あるエネルギーで光電効果による電子放出が始ま
る。このエネルギーが一般に光電的仕事関数といわれる
値である。このようにして放出された光電子を検出器1
3および低エネルギー電子計数装置14を用いて計数
し、バッグランド補正やデッドタイム中の数え落としの
補正などの演算をした後、図3に示すような励起エネル
ギー・放出電子量特性(基本特性)を演算表示装置16
のディスプレイ上に表示する。
A deuterium lamp is used as the ultraviolet lamp 11, and the light emitted from this lamp is dispersed by the monochromator 12 into an arbitrary wavelength of 200 to 360 nm, and the sample S surface is irradiated with the light. Light of 200 to 360 nm is E = hν = h
(C / λ) (E: energy, h: Planck's constant, ν:
When converted into energy using the formula of frequency, λ: wavelength), each becomes 6.2 to 3.4 eV. When this light is swept from the lower excitation energy to the higher excitation energy, electron emission due to the photoelectric effect starts at a certain energy. This energy is a value generally called a photoelectric work function. The photoelectrons emitted in this way are detected by the detector 1.
3 and the low-energy electron counter 14 to perform counting such as bagland correction and correction of counting down during dead time, and then excitation energy / emission electron amount characteristics (basic characteristics) as shown in FIG. Calculation display device 16
On the display of.

【0246】基本特性に示すように、この光電子放出率
(Count Per Second : CPS)と励起エネルギー(eV)の関係
は、縦軸を光電子放出率のn乗(CPS)n とし、横軸
を励起エネルギーとすると、直線関係で表すことができ
る。ここで、nの値は通常1/2を採用している。
As shown in the basic characteristics, this photoelectron emission rate
Relationship: (C ount P er S econd CPS) and the excitation energy (eV) is the vertical axis n-th power of the light emission rate and (CPS) n, when the horizontal axis and the excitation energy can be expressed in a linear relationship . Here, the value of n is usually 1/2.

【0247】なお制御装置15は、モノクロメータ12
の波長駆動、X−Yステージ17によるサンプル位置の
制御および低エネルギー電子係数装置14の計数制御を
行っている。
The control unit 15 is the monochromator 12
Wavelength control, sample position control by the XY stage 17, and counting control of the low energy electron coefficient device 14.

【0248】従って、本発明では、図3から得られる光
電的仕事関数をイオン化ポテンシャルIpとする。
Therefore, in the present invention, the photoelectric work function obtained from FIG. 3 is used as the ionization potential Ip.

【0249】なお、本発明の化合物を含む層に、さらに
他の化合物が含有されているときであって、本発明の化
合物を主成分(通常50wt% 以上の含有量)とするとき
は、本発明の化合物の単層膜から得られたイオン化ポテ
ンシャルIpの値をこの層のイオン化ポテンシャルIp
とみなすものとする。また、本発明の化合物を含む層と
比較される層に2種以上の化合物が含有されるときも、
主成分(通常50wt%以上の含有量)となる化合物の単
層膜から得られたイオン化ポテンシャルIpの値をこの
層のイオン化ポテンシャルIpとみなすものとする。
When the layer containing the compound of the present invention further contains another compound and the compound of the present invention is the main component (usually 50 wt% or more), The value of the ionization potential Ip obtained from the monolayer film of the compound of the invention is calculated as the ionization potential Ip of this layer.
Shall be considered. Also, when two or more compounds are contained in a layer to be compared with a layer containing the compound of the present invention,
The value of the ionization potential Ip obtained from the monolayer film of the compound as the main component (usually the content of 50 wt% or more) shall be regarded as the ionization potential Ip of this layer.

【0250】イオン化ポテンシャルIpの絶対値は、本
発明の化合物の単層膜の方が、比較対照される化合物の
単層膜より小さいものとなる。
The absolute value of the ionization potential Ip is smaller in the monolayer film of the compound of the present invention than in the monolayer film of the compound to be compared and controlled.

【0251】なお、混合層を介在させた構成では、この
ようなイオン化ポテンシャルの概念は適用しないものと
する。
It should be noted that such a concept of the ionization potential is not applied to the structure in which the mixed layer is interposed.

【0252】陰極には、仕事関数の小さい材料、例え
ば、Li、Na、Mg、Al、Ag、Inあるいはこれ
らの1種以上を含む合金を用いることが好ましい。ま
た、陰極は結晶粒が細かいことが好ましく、特に、アモ
ルファス状態であることが好ましい。陰極の厚さは10
〜1000nm程度とすることが好ましい。
For the cathode, it is preferable to use a material having a low work function, for example, Li, Na, Mg, Al, Ag, In or an alloy containing at least one of these. Further, the cathode preferably has fine crystal grains, and particularly preferably is in an amorphous state. The thickness of the cathode is 10
It is preferably about 1000 nm.

【0253】有機EL素子を面発光させるためには、少
なくとも一方の電極が透明ないし半透明である必要があ
り、上記したように陰極の材料には制限があるので、好
ましくは発光光の透過率が80%以上となるように陽極
の材料および厚さを決定することが好ましい。具体的に
は、例えば、ITO、SnO2 、Ni、Au、Pt、P
d、ドーパントをドープしたポリピロールなどを陽極に
用いることが好ましい。また、陽極の厚さは10〜50
0nm程度とすることが好ましい。また、素子の信頼性を
向上させるために駆動電圧が低いことが必要であるが、
好ましいものとして10〜30Ω/□のITOが挙げら
れる。
At least one of the electrodes must be transparent or semi-transparent in order to make the organic EL device emit surface light. Since the cathode material is limited as described above, the transmittance of emitted light is preferable. It is preferable to determine the material and thickness of the anode so that the ratio is 80% or more. Specifically, for example, ITO, SnO 2 , Ni, Au, Pt, P
It is preferable to use d, a polypyrrole doped with a dopant, or the like for the anode. The thickness of the anode is 10-50.
It is preferably about 0 nm. In addition, a low drive voltage is required to improve the reliability of the device,
A preferable example is ITO of 10 to 30 Ω / □.

【0254】基板材料に特に制限はないが、図示例では
基板側から発光光を取り出すため、ガラスや樹脂等の透
明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルタ
ー膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射
膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。
The substrate material is not particularly limited, but in the illustrated example, a transparent or translucent material such as glass or resin is used in order to take out the emitted light from the substrate side. Further, the substrate may be provided with a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent substance, or a dielectric reflection film to control the emission color.

【0255】なお、基板に不透明な材料を用いる場合に
は、図1に示される積層順序を逆にしてもよい。
Note that when an opaque material is used for the substrate, the stacking order shown in FIG. 1 may be reversed.

【0256】次に、本発明の有機EL素子の製造方法を
説明する。
Next, a method for manufacturing the organic EL device of the present invention will be described.

【0257】陰極および陽極は、蒸着法やスパッタ法等
の気相成長法により形成することが好ましい。
The cathode and anode are preferably formed by vapor phase growth method such as vapor deposition method and sputtering method.

【0258】正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸
送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空
蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場
合、アモルファス状態または結晶粒径が0.1μm 以下
(通常、下限値は0.001μm 程度である。)の均質
な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1μm を超えている
と、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなけ
ればならなくなり、電荷の注入効率も著しく低下する。
For forming the hole injecting / transporting layer, the light emitting layer and the electron injecting / transporting layer, it is preferable to use the vacuum deposition method because a uniform thin film can be formed. When the vacuum deposition method is used, a homogeneous thin film having an amorphous state or a crystal grain size of 0.1 μm or less (usually, the lower limit is about 0.001 μm) can be obtained. If the crystal grain size exceeds 0.1 μm, non-uniform light emission occurs, the drive voltage of the device must be increased, and the charge injection efficiency is significantly reduced.

【0259】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1
-3Pa以下の真空度とし、蒸着速度は0.1〜1nm/se
c 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続して
各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成
すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるた
め、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低くす
ることができる。
The conditions of vacuum vapor deposition are not particularly limited, but 1
The degree of vacuum is 0 -3 Pa or less, and the deposition rate is 0.1 to 1 nm / se.
It is preferably about c. Moreover, it is preferable to form each layer continuously in a vacuum. If they are continuously formed in a vacuum, it is possible to prevent impurities from adsorbing to the interface of each layer, so that high characteristics can be obtained. In addition, the drive voltage of the element can be lowered.

【0260】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましいが、予め混合してから蒸着してもよい。
またこの他、溶液塗布法(スピンコート、ディップ、キ
ャスト等)ラングミュア・ブロジェット(LB)法など
を用いることもできる。溶液塗布法では、ポリマー等の
マトリクス物質中に本発明の化合物を分散させる構成と
してもよい。
When a vacuum vapor deposition method is used to form each of these layers, when a plurality of compounds are contained in one layer, it is preferable that the boats containing the compounds are individually temperature-controlled for co-evaporation, but they are mixed in advance. You may vapor-deposit after that.
In addition to this, a solution coating method (spin coating, dip, cast, etc.) Langmuir-Blodgett (LB) method or the like can also be used. In the solution coating method, the compound of the present invention may be dispersed in a matrix substance such as a polymer.

【0261】本発明の有機EL素子は、通常、直流駆動
型のEL素子として用いられるが、交流駆動またはパル
ス駆動することもできる。印加電圧は、通常、2〜20
V 程度とされる。
The organic EL device of the present invention is usually used as a DC drive type EL device, but it can also be AC drive or pulse drive. The applied voltage is usually 2 to 20.
It is about V.

【0262】なお、本発明の化合物は、ドナー性を有す
る有機半導体材料として有機EL素子以外の光電変換素
子、例えば、光電池や光センサへの応用が可能である。
さらには、アモルファス状態と結晶間の転移を利用した
サーモクロミック材料としても有用である。
The compound of the present invention can be applied as an organic semiconductor material having a donor property to photoelectric conversion elements other than organic EL elements, for example, photocells and photosensors.
Furthermore, it is also useful as a thermochromic material that utilizes the transition between an amorphous state and crystals.

【0263】[0263]

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を比較例ととも
に示し、本発明をさらに詳細に説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing specific examples of the present invention together with comparative examples.

【0264】<実施例1> N,N,N’,N’−テトラ(3−ビフェニリル)ベン
ジジン(化合物No. I−1)の合成 2000mlの常圧水添装置にm−ニトロビフェニル25
0g の(1.26mol)、5%Pd−C12.5g 、エ
タノール1250mlを仕込み、室温にて理論量の水素ガ
スを吸収させた。濾過して触媒を除去し、濾液を溶媒留
去して、212g のm−アミノビフェニルを得た(収率
99.9%)。さらに、m−ニトロビフェニルを254
g (1.28mol )とした以外は同スケールにてもう1
バッチ反応させて、215g のm−アミノビフェニルを
得た(収率99.7%)。
Example 1 Synthesis of N, N, N ′, N′-tetra (3-biphenylyl) benzidine (Compound No. I-1) m-nitrobiphenyl 25 was added to a 2000 ml atmospheric pressure hydrogenation device.
0 g (1.26 mol), 5% Pd-C 12.5 g and ethanol 1250 ml were charged, and the theoretical amount of hydrogen gas was absorbed at room temperature. The catalyst was removed by filtration, and the filtrate was evaporated to give 212 g of m-aminobiphenyl (yield 99.9%). In addition, 254 m-nitrobiphenyl
Another 1 on the same scale except g (1.28 mol)
Batch reaction was performed to obtain 215 g of m-aminobiphenyl (yield 99.7%).

【0265】10000mlの反応容器に、濃塩酸775
ml、水775ml、氷775g を仕込み、m−アミノビフ
ェニル125g (0.740mol )を加えて懸濁させ
た。これに0℃以下で亜硝酸ナトリウム56.3g
(0.816mol )の750ml水溶液を30分間滴下
し、その後50分間同温にて攪拌した。得られたジアゾ
ニウム塩水溶液に、0℃以下でヨウ化カリウム185g
(1.12mol )の1250ml水溶液を1時間滴下し
た。滴下後1時間同温で攪拌し、室温に戻して2時間攪
拌した。
Concentrated hydrochloric acid 775 was added to a 10,000 ml reaction vessel.
ml, water 775 ml, and ice 775 g were charged, and 125 g (0.740 mol) of m-aminobiphenyl was added and suspended. 50.3g of sodium nitrite below 0 ℃
A (750 ml) aqueous solution of (0.816 mol) was added dropwise for 30 minutes, and then stirred at the same temperature for 50 minutes. 185 g of potassium iodide was added to the obtained diazonium salt aqueous solution at 0 ° C or lower.
A 1250 ml (1.12 mol) aqueous solution was added dropwise for 1 hour. After dropping, the mixture was stirred for 1 hour at the same temperature, returned to room temperature and stirred for 2 hours.

【0266】反応溶液を酢酸エチル抽出し、有機層を水
洗、乾燥(硫酸マグネシウム)、溶媒留去し、粗結晶を
得た。同スケールにてさらに1バッチ反応させ、得られ
た粗結晶を合わせてn−ヘキサンにてシリカゲルカラム
精製し、297g のm−ヨードビフェニルを得た(2バ
ッチ合わせての収率71.7%)。
The reaction solution was extracted with ethyl acetate, the organic layer was washed with water, dried (magnesium sulfate) and the solvent was distilled off to obtain crude crystals. The mixture was further reacted on the same scale for one batch, and the obtained crude crystals were combined and purified by a silica gel column with n-hexane to obtain 297 g of m-iodobiphenyl (71.7% yield for the two batches combined). .

【0267】2000mlの反応容器にm−アミノビフェ
ニル140g (0.828mol )、m−ヨードビフェニ
ル232g (0.829mol )、炭酸カリウム63.1
g (0.457mol )、銅粉13.9g 、ニトロベンゼ
ン800mlを仕込み、Ar気流下で32時間加熱還流さ
せた。反応終了後、濾過して不溶物を除き、濾液を溶媒
留去した。得られた残渣をn−ヘキサン/トルエン=4
/1にてシリカゲルカラム精製し、44.5g のジ(3
−ビフェニル)アミン(高純度品)を得た(収率16.
7%)。
In a 2000 ml reaction vessel, 140 g (0.828 mol) of m-aminobiphenyl, 232 g (0.829 mol) of m-iodobiphenyl, and 63.1 of potassium carbonate.
g (0.457 mol), 13.9 g of copper powder and 800 ml of nitrobenzene were charged, and the mixture was heated under reflux for 32 hours under Ar flow. After completion of the reaction, insoluble matter was removed by filtration, and the filtrate was evaporated. The obtained residue is n-hexane / toluene = 4
Silica gel column purification with 1/1, and 44.5 g of di (3
-Biphenyl) amine (high purity product) was obtained (yield 16.
7%).

【0268】500mlの反応容器にジ(3−ビフェニ
ル)アミン44.5g (0.139mol )、4,4’−
ジヨードビフェニル27.6g (0.0680mol )、
炭酸カリウム34.3g (0.249mol )、銅粉2.
3g 、ニトロベンゼン180mlを仕込み、Ar気流下で
24時間加熱還流させた。反応終了後、濾過して不溶物
を除き、濾液を溶媒留去した。得られた残渣をn−ヘキ
サン/トルエン=3/1にてシリカゲルカラム精製し、
30g の一次精製N,N,N’,N’−テトラ(3−ビ
フェニリル)ベンジジンを得た(収率55.7%)。こ
れをトルエンにて再結晶精製し、純度99.58%品
6.0g と純度99.23%品5.0g を得た(収率2
0.4%)。さらに、昇華精製を行い、純度99.99
%品8.0gを得た。
In a 500 ml reaction vessel, di (3-biphenyl) amine 44.5 g (0.139 mol), 4,4'-
27.6 g (0.0680 mol) of diiodobiphenyl,
Potassium carbonate 34.3 g (0.249 mol), copper powder 2.
3 g and 180 ml of nitrobenzene were charged, and the mixture was heated under reflux for 24 hours under Ar stream. After completion of the reaction, insoluble matter was removed by filtration, and the filtrate was evaporated. The obtained residue is purified by a silica gel column with n-hexane / toluene = 3/1,
30 g of primary purified N, N, N ', N'-tetra (3-biphenylyl) benzidine was obtained (yield 55.7%). This was recrystallized and purified with toluene to obtain 6.0 g of a 99.58% pure product and 5.0 g of a 99.23% pure product (yield 2
0.4%). Furthermore, sublimation purification is performed to obtain a purity of 99.99.
% 8.0 g was obtained.

【0269】質量分析:m/e 792(M+ ) 赤外吸収スペクトル(IR):図4 NMRスペクトル:図5 示差走査熱量測定(DSC):融点 207.4℃,ガ
ラス転移温度 95.8℃
Mass spectrum: m / e 792 (M + ) Infrared absorption spectrum (IR): FIG. 4 NMR spectrum: FIG. 5 Differential scanning calorimetry (DSC): Melting point 207.4 ° C., glass transition temperature 95.8 ° C.

【0270】<実施例2> N,N,N’,N’−テトラ(4−ビフェニリル)ベン
ジジン(化合物No. II−1)の合成 4−アミノビフェニル72.5g の(0.429mol
)、4−ヨードビフェニル120g (0.429mol
)、炭酸カリウム32.6g (0.236mol )、銅
6.8g (0.107mol )、ニトロベンゼン430ml
を仕込み、210℃で一晩反応させた。反応後放冷し、
減圧濾過にて銅塩類を除き、クロロホルムで洗浄後、濾
液の溶媒を減圧留去した。残渣にメタノールを500ml
加え冷却し、析出結晶を濾取した。得られた結晶49g
をジメチルホルムアミド(DMF)250mlに加熱溶解
し、水冷すると副生成物のトリビフェニルアミンが析出
してくるため、濾取して除き、濾液を水1000mlに投
入して析出した結晶を濾取、水洗、メタノール洗浄し
た。
Example 2 Synthesis of N, N, N ′, N′-tetra (4-biphenylyl) benzidine (Compound No. II-1) 4-aminobiphenyl 72.5 g (0.429 mol)
), 4-iodobiphenyl 120 g (0.429 mol
), Potassium carbonate 32.6 g (0.236 mol), copper 6.8 g (0.107 mol), nitrobenzene 430 ml
Was charged and reacted overnight at 210 ° C. Allow to cool after reaction,
After removing copper salts by filtration under reduced pressure and washing with chloroform, the solvent of the filtrate was distilled off under reduced pressure. 500 ml of methanol to the residue
After cooling, the precipitated crystals were collected by filtration. 49 g of crystals obtained
Was dissolved in 250 ml of dimethylformamide (DMF) by heating and cooled with water, by-product tribiphenylamine was precipitated, so it was filtered off. The filtrate was poured into 1000 ml of water and the precipitated crystals were collected by filtration and washed with water. , Washed with methanol.

【0271】得られた水分を含んだ結晶35g をトルエ
ン750mlで再結晶して、黄緑色リン片状晶のジ(4−
ビフェニル)アミンを得た。母液は濃縮して二次晶を採
取した。収量は19g であった(収率13.8%)。
35 g of the obtained water-containing crystals was recrystallized from 750 ml of toluene to give yellowish green scaly crystals of di (4-).
Biphenyl) amine was obtained. The mother liquor was concentrated to collect secondary crystals. The yield was 19 g (yield 13.8%).

【0272】ジ(4−ビフェニル)アミン15g (0.
0467mol )、4,4’−ジヨードビフェニル9.5
g (0.0234mol )、炭酸カリウム9.7g (0.
0702mol )、銅0.74g (0.0117mol )、
ニトロベンゼン76mlを仕込み、220℃で2昼夜反応
させた。反応後DMFを750ml加え、熱時濾過して銅
塩類を除き、濾液を冷却し、析出結晶を濾取した。得ら
れた水を含んだ結晶25g を100倍量のトルエンで3
回再結晶を繰り返して、目的物である淡黄色晶のN,
N,N’,N’−テトラ(4−ビフェニリル)ベンジジ
ンを得た(収量9g 、収率48.6%)。さらに、昇華
精製を行い、純度99.99%品を得た。
15 g of di (4-biphenyl) amine (0.
0467 mol), 4,4'-diiodobiphenyl 9.5
g (0.0234 mol), potassium carbonate 9.7 g (0.
0702 mol), 0.74 g of copper (0.0117 mol),
76 ml of nitrobenzene was charged and reacted at 220 ° C. for 2 days and nights. After the reaction, 750 ml of DMF was added, and the mixture was filtered while hot to remove copper salts, the filtrate was cooled, and the precipitated crystals were collected by filtration. 25 g of the obtained water-containing crystal was mixed with 100 times amount of toluene.
By repeating recrystallization twice, N, which is a target product of light yellow crystals,
N, N ', N'-tetra (4-biphenylyl) benzidine was obtained (yield 9 g, yield 48.6%). Further, sublimation purification was performed to obtain a product with a purity of 99.99%.

【0273】質量分析:m/e 792(M+ ) 赤外吸収スペクトル(IR):図6 NMRスペクトル:図7 示差走査熱量測定(DSC):融点 267.7℃,ガ
ラス転移温度 131.8℃
Mass spectrum: m / e 792 (M + ) Infrared absorption spectrum (IR): FIG. 6 NMR spectrum: FIG. 7 Differential scanning calorimetry (DSC): Melting point 267.7 ° C., glass transition temperature 131.8 ° C.

【0274】<実施例3> N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−ビフェニリ
ル)ベンジジン(化合物No. VII −1)の合成 10000mlの反応容器に、濃塩酸155ml、水155
g 、氷155g を仕込み、m−アミノビフェニル25g
(0.148mol )を加えて懸濁させた。これに0℃以
下で亜硝酸ナトリウム11.3g (0.164mol )の
150ml水溶液を30分間滴下し、その後50分間同温
にて攪拌した。得られたジアゾニウム塩水溶液に、0℃
以下でヨウ化カリウム37g (0.223mol )の25
0ml水溶液を1時間滴下した。滴下後1時間同温で攪拌
し、室温に戻して2時間攪拌した。反応溶液を酢酸エチ
ル抽出し、有機層を水洗、乾燥(硫酸マグネシウム)、
溶媒留去し、粗結晶を得た。
<Example 3> Synthesis of N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-biphenylyl) benzidine (Compound No. VII-1) In a 10000 ml reaction vessel, concentrated hydrochloric acid (155 ml) and water (155 ml) were added.
g, ice 155g, m-aminobiphenyl 25g
(0.148 mol) was added and suspended. A 150 ml aqueous solution of 11.3 g (0.164 mol) of sodium nitrite was added dropwise thereto at 0 ° C. or lower for 30 minutes, and then stirred at the same temperature for 50 minutes. To the resulting diazonium salt aqueous solution, 0 ° C
25 g of potassium iodide 37 g (0.223 mol)
A 0 ml aqueous solution was added dropwise for 1 hour. After dropping, the mixture was stirred for 1 hour at the same temperature, returned to room temperature and stirred for 2 hours. The reaction solution was extracted with ethyl acetate, the organic layer was washed with water, dried (magnesium sulfate),
The solvent was distilled off to obtain crude crystals.

【0275】これをn−ヘキサンにてシリカゲルカラム
精製し、28g のm−ヨードビフェニルを得た。
This was purified by a silica gel column with n-hexane to obtain 28 g of m-iodobiphenyl.

【0276】300mlの反応容器にN,N’−ジフェニ
ルベンジジン10g (0.0298mol )、m−ヨード
ビフェニル25g (0.0893mol )、炭酸カリウム
12.3g (0.0891mol )、銅粉2.6g 、ニト
ロベンゼン150mlを仕込み、Ar気流下で24時間加
熱還流させた。反応終了後、濾過して不溶物を除き、濾
液を溶媒留去した。得られた残渣をn−ヘキサン/酢酸
エチル=5/1にてシリカゲルカラム精製し、15g の
一次精製N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−ビ
フェニリル)ベンジジンを得た(収率78.8%)。こ
れをトルエンにて再結晶精製し、10.6g の純度9
9.9%品を得た(収率55.6%)。さらに昇華精製
を行い、純度99.99%品を得た。
In a 300 ml reaction vessel, 10 g (0.0298 mol) of N, N'-diphenylbenzidine, 25 g (0.0893 mol) of m-iodobiphenyl, 12.3 g (0.0891 mol) of potassium carbonate, 2.6 g of copper powder, 150 ml of nitrobenzene was charged and heated under reflux for 24 hours under Ar flow. After completion of the reaction, insoluble matter was removed by filtration, and the filtrate was evaporated. The obtained residue was purified by a silica gel column with n-hexane / ethyl acetate = 5/1 to obtain 15 g of primary purified N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-biphenylyl) benzidine. Rate 78.8%). This was recrystallized and purified with toluene, and 10.6 g of purity 9
A 9.9% product was obtained (yield 55.6%). Further, sublimation purification was performed to obtain a product with a purity of 99.99%.

【0277】質量分析:m/e 640(M+ ) 赤外吸収スペクトル(IR):図8 NMRスペクトル:図9 示差走査熱量測定(DSC):融点 189.8℃,ガ
ラス転移温度 83.6℃
Mass spectrum: m / e 640 (M + ) Infrared absorption spectrum (IR): FIG. 8 NMR spectrum: FIG. 9 Differential scanning calorimetry (DSC): melting point 189.8 ° C., glass transition temperature 83.6 ° C.

【0278】<実施例4> N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス[−4’−(N
−フェニル−N−3−メチルフェニルアミノ)ビフェニ
ル−4−イル]ベンジジン(化合物No. X−10)の合
成 500mlの反応容器にN,N’−ジフェニルベンジジン
33.6g (0.10mol )、m−ヨードトルエン2
5.0g (0.11mol )、炭酸カリウム27.6g
(0.2mol )、銅粉2.6g 、ニトロベンゼン200
mlを仕込み、Ar気流下で24時間加熱還流させた。反
応終了後、濾過して不溶物を除き、濾液を溶媒留去し
た。得られた残渣をn−ヘキサン/トルエン=1/2に
てシリカゲルカラム精製を2回行い、28.10g の
N,N’−ジフェニル−N[−4−(N−フェニル−N
−3−メチルフェニルアミノ)ビフェニル−4−イル]
ベンジジンを得た(収率42%)。
<Example 4> N, N'-diphenyl-N, N'-bis [-4 '-(N
Synthesis of -phenyl-N-3-methylphenylamino) biphenyl-4-yl] benzidine (Compound No. X-10) 33.6 g (0.10 mol), m of N, N'-diphenylbenzidine in a 500 ml reaction vessel. -Iodotoluene 2
5.0 g (0.11 mol), potassium carbonate 27.6 g
(0.2 mol), copper powder 2.6 g, nitrobenzene 200
ml was charged and the mixture was heated under reflux for 24 hours under Ar flow. After completion of the reaction, insoluble matter was removed by filtration, and the filtrate was evaporated. The obtained residue was subjected to silica gel column purification twice with n-hexane / toluene = 1/2 to give 28.10 g of N, N'-diphenyl-N [-4- (N-phenyl-N.
-3-Methylphenylamino) biphenyl-4-yl]
Benzidine was obtained (yield 42%).

【0279】500mlの反応容器に4,4’−ジヨード
ビフェニル8.1g (0.02mol)、N,N’−ジフ
ェニル−N[−4−(N−フェニル−N−3−メチルフ
ェニルアミノ)ビフェニル−4−イル]ベンジジン2
8.1g(0.02mol )、炭酸カリウム11.04g
(0.08mol )、銅粉1.0g 、ニトロベンゼン10
0mlを仕込み、Ar気流下で24時間加熱還流させた。
反応終了後、濾過して不溶物を除き、濾液を溶媒留去し
た。得られた残渣をn−ヘキサン/トルエン=2/1に
てシリカゲルカラム精製を2回行い、11.62g の高
純度のN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス[−4’
−(N−フェニル−N−3−メチルフェニルアミノ)ビ
フェニル−4−イル]ベンジジンを得た(収率58
%)。これをヘキサンとトルエンとの混合溶媒にて再結
晶精製し、7.3gの純度99.9%の淡黄色の透明の
アモルファス状態の固体を得た。
8.1 g (0.02 mol) of 4,4'-diiodobiphenyl and N, N'-diphenyl-N [-4- (N-phenyl-N-3-methylphenylamino) were placed in a 500 ml reaction vessel. Biphenyl-4-yl] benzidine 2
8.1 g (0.02 mol), potassium carbonate 11.04 g
(0.08mol), copper powder 1.0g, nitrobenzene 10
0 ml was charged, and the mixture was heated under reflux for 24 hours under Ar stream.
After completion of the reaction, insoluble matter was removed by filtration, and the filtrate was evaporated. The obtained residue was subjected to silica gel column purification twice with n-hexane / toluene = 2/1, and 11.62 g of high-purity N, N'-diphenyl-N, N'-bis [-4 '
-(N-phenyl-N-3-methylphenylamino) biphenyl-4-yl] benzidine was obtained (yield 58
%). This was recrystallized and purified with a mixed solvent of hexane and toluene to obtain 7.3 g of a light yellow transparent amorphous solid having a purity of 99.9%.

【0280】質量分析:m/e 1002(M+ ) 赤外吸収スペクトル(IR):図10 NMRスペクトル:図11 示差走査熱量測定(DSC):融点は観測されなかった
(初期の状態からアモルファスであった)。 ガラス転移温度 132℃
Mass spectrometry: m / e 1002 (M + ) Infrared absorption spectrum (IR): FIG. 10 NMR spectrum: FIG. 11 Differential scanning calorimetry (DSC): No melting point was observed (from the initial state, it was amorphous). there were). Glass transition temperature 132 ℃

【0281】<実施例5> N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス[−4’−
(N,N−ジ−3−ビフェニリルアミノ)ビフェニル−
4−イル]ベンジジン(化合物No. X−3)の合成 300mlの反応容器にジ(3−ビフェニリル)アミン1
6.1g (0.050mol )、4,4’−ジヨードビフ
ェニル20.3g (0.050mol )、炭酸カリウム1
3.8g (0.10mol )、銅粉1.0g 、ニトロベン
ゼン100mlを仕込み、Ar気流下で24時間加熱還流
させた。反応終了後、濾過して不溶物を除き、濾液を溶
媒留去した。得られた残渣をn−ヘキサン/トルエン=
5/1にてシリカゲルカラム精製し、12.0gの4’
−[N,N’−ジ(3−ビフェニリルアミノ)]−4−
ヨード−1,1’−ビフェニルを得た(収率40%)。
<Example 5> N, N'-diphenyl-N, N'-bis [-4'-
(N, N-di-3-biphenylylamino) biphenyl-
Synthesis of 4-yl] benzidine (Compound No. X-3) Di (3-biphenylyl) amine 1 in a 300 ml reaction vessel.
6.1 g (0.050 mol), 4,4'-diiodobiphenyl 20.3 g (0.050 mol), potassium carbonate 1
3.8 g (0.10 mol), 1.0 g of copper powder and 100 ml of nitrobenzene were charged, and the mixture was heated under reflux for 24 hours under Ar flow. After completion of the reaction, insoluble matter was removed by filtration, and the filtrate was evaporated. The obtained residue is n-hexane / toluene =
Silica gel column purification at 5/1, 12.0 g of 4 '
-[N, N'-di (3-biphenylylamino)]-4-
Iodo-1,1′-biphenyl was obtained (yield 40%).

【0282】300mlの反応容器に4’−[N,N’−
ジ(3−ビフェニリル)アミノ]−4−ヨード−1,
1’−ビフェニル12.0g (0.020mol )、N,
N’−ジフェニルベンジジン3.03g(0.009mo
l )、炭酸カリウム5.52g(0.04mol )、銅粉
0.5g 、ニトロベンゼン100mlを仕込み、Ar気流
下で24時間加熱還流させた。反応終了後、濾過して不
溶物を除き、濾液を溶媒留去した。得られた残渣をトル
エン/n−ヘキサン=2/1にてシリカゲルカラム精製
を2回行い、6.90g のN,N’−ジフェニル−N,
N’−ビス[−4’−(N,N−ジ−3−ビフェニリル
アミノ)ビフェニル−4−イル]ベンジジンを得た(収
率60%)。これをトルエンにて再結晶精製し、5.2
gの純度99.9%の淡黄色の透明のアモルファス状態
の固体を得た。この化合物についても、実施例4と同様
に、質量分析、IR、NMRによって同定した。
In a 300 ml reaction vessel, 4 '-[N, N'-
Di (3-biphenylyl) amino] -4-iodo-1,
12.0 g (0.020 mol) of 1'-biphenyl, N,
3.03 g of N'-diphenylbenzidine (0.009mo
l), 5.52 g (0.04 mol) of potassium carbonate, 0.5 g of copper powder and 100 ml of nitrobenzene were charged, and the mixture was heated under reflux for 24 hours under an Ar stream. After completion of the reaction, insoluble matter was removed by filtration, and the filtrate was evaporated. The obtained residue was subjected to silica gel column purification twice with toluene / n-hexane = 2/1, and 6.90 g of N, N′-diphenyl-N,
N'-bis [-4 '-(N, N-di-3-biphenylylamino) biphenyl-4-yl] benzidine was obtained (yield 60%). This was recrystallized and purified with toluene and then 5.2.
A pale yellow transparent amorphous solid having a purity of 99.9% was obtained. This compound was also identified by mass spectrometry, IR, and NMR as in Example 4.

【0283】なお、化31〜化102に示される他の化
合物も上記の方法に準じて合成し、質量分析、IR、N
MRによって同定した。
The other compounds represented by Chemical formulas 31 to 102 were also synthesized according to the above method, and mass spectrometry, IR, N
It was identified by MR.

【0284】<実施例6>厚さ200nmのITO透明電
極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥してUV/O3 洗浄
した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10
-4Pa以下まで減圧した。
Example 6 A glass substrate having a 200 nm thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate is pulled out from boiling ethanol, dried, and washed with UV / O 3 , and then fixed on a substrate holder of a vapor deposition device and 1 × 10 5.
The pressure was reduced to -4 Pa or less.

【0285】次いで、実施例1の化合物を蒸着速度0.
2nm/secで55nmの厚さに蒸着し、透明なアモルファス
状態の薄膜を得た。これを大気中より過酷な条件である
30℃−100%RHおよび60℃−90%RHの恒温
槽に10カ月間以上放置しても結晶化は起こらず、安定
なアモルファス状態を維持しており、高い薄膜形成能お
よび放置安定性を示した。また、同様にして作製した膜
について、低エネルギー電子分光装置AC−1(理研計
器製)でイオン化ポテンシャルIpを測定したところ、
5.35eVであった。
Then, the compound of Example 1 was evaporated at a deposition rate of 0.
It was vapor-deposited at a thickness of 55 nm at 2 nm / sec to obtain a transparent amorphous thin film. Even if it is left in a thermostat of 30 ° C-100% RH and 60 ° C-90% RH, which is more severe than in the atmosphere, for 10 months or longer, crystallization does not occur and a stable amorphous state is maintained. , Showed high thin film forming ability and storage stability. Further, when the ionization potential Ip of the film produced in the same manner was measured with a low energy electron spectrometer AC-1 (manufactured by Riken Keiki),
It was 5.35 eV.

【0286】<実施例7>実施例2および実施例3の化
合物についても、実施例6と同様に実験したところ実施
例6と同様、10カ月間以上放置しても結晶化は起こら
なかった。また蒸着膜のIpは、それぞれ5.36eVお
よび5.38eVであった。
<Example 7> The compounds of Examples 2 and 3 were also tested in the same manner as in Example 6, but as in Example 6, no crystallization occurred even if they were allowed to stand for 10 months or more. The Ip of the deposited film was 5.36 eV and 5.38 eV, respectively.

【0287】<実施例8>実施例4および実施例5の化
合物について実施例6と同様に実験したところ実施例6
と同様、10カ月間以上放置しても結晶化は起こらなか
った。また蒸着膜のIpは、それぞれ5.32eVおよ
び5.28eVであった。
<Example 8> The compounds of Examples 4 and 5 were tested in the same manner as in Example 6. Example 6
Similarly to the above, crystallization did not occur even if left for 10 months or more. The Ip of the deposited film was 5.32 eV and 5.28 eV, respectively.

【0288】<比較例1>実施例1の化合物の代わり
に、化合物N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3
−メチルフェニル)−4,4’−ジアミノ−1,1’−
ビフェニル(融点:171.2℃、ガラス転移温度:6
1.3℃)、あるいは、化合物1,1’−ビス(4−
ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン(融
点:187.8℃、ガラス転移温度:79.9℃)を用
いた以外は、実施例6と同様な方法にて薄膜を作製し、
30℃−100%RHの恒温槽に放置した。実施例6〜
8よりも、温度的に緩やかな環境条件に放置したにもか
かわらず、化合物は3日目に、化合物は30日目に
は結晶化が始まった。
<Comparative Example 1> Instead of the compound of Example 1, the compound N, N'-diphenyl-N, N'-di (3
-Methylphenyl) -4,4'-diamino-1,1'-
Biphenyl (melting point: 171.2 ° C, glass transition temperature: 6
1.3 ° C.) or the compound 1,1′-bis (4-
A thin film was prepared in the same manner as in Example 6, except that di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane (melting point: 187.8 ° C., glass transition temperature: 79.9 ° C.) was used.
It was left to stand in a constant temperature bath of 30 ° C-100% RH. Example 6-
Crystallization started on the 3rd day of the compound and on the 30th day of the compound, even though the compound was left in an environmental condition milder in temperature than that of 8.

【0289】また、実施例6と同様に化合物と化合物
についてIpを測定したところ化合物、ともに
5.40eVであった。
When the compound and the compound were measured for Ip in the same manner as in Example 6, both were found to be 5.40 eV.

【0290】<実施例9>厚さ200nmのITO透明電
極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥してUV/O3 洗浄
した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10
-4Pa以下まで減圧した。
Example 9 A glass substrate having a 200 nm thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate is pulled out from boiling ethanol, dried, and washed with UV / O 3 , and then fixed on a substrate holder of a vapor deposition device and 1 × 10 5.
The pressure was reduced to -4 Pa or less.

【0291】まず、実施例1の化合物を蒸着速度0.2
nm/secで75nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とし
た。
First, the compound of Example 1 was deposited at a deposition rate of 0.2.
It was vapor-deposited to a thickness of 75 nm at nm / sec to form a hole injecting and transporting layer.

【0292】次いで、減圧状態を保ったまま、トリス
(8−キノリノラト)アルミニウムを蒸着速度0.2nm
/secで50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層
とした。
Next, while maintaining the reduced pressure, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm.
It was vapor-deposited to a thickness of 50 nm at a rate of / sec to form an electron injecting / transporting / light emitting layer.

【0293】さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg
(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで200nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機EL素子を得た。
[0293] Further, while maintaining the reduced pressure state, MgAg
(Weight ratio 10: 1) 200nm at deposition rate 0.2nm / sec
Was evaporated to a cathode to obtain an organic EL device.

【0294】このEL素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下10mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には、6.5V 、400cd/m2 の黄緑色(発光極大波
長λmax =500nm)の発光が確認された。輝度の半減
時間は600時間で、その間の駆動電圧の上昇は4.0
V であった、また、発光層としたトリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウムの蒸着膜のIpは5.64eVであ
り、正孔注入輸送層とした実施例1の化合物との差は、
0.29eVであった。
A direct current voltage was applied to this EL device, and it was continuously driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 in a dry atmosphere. In the initial stage, emission of yellow-green (maximum emission wavelength λ max = 500 nm) of 6.5 V and 400 cd / m 2 was confirmed. The luminance half-life is 600 hours, during which the drive voltage rises by 4.0.
Vp, and the vapor deposition film of tris (8-quinolinolato) aluminum used as the light emitting layer had an Ip of 5.64 eV, which was different from the compound of Example 1 used as the hole injecting and transporting layer.
It was 0.29 eV.

【0295】<実施例10、11>実施例9において、
実施例1の化合物の代わりに実施例2の化合物または実
施例3の化合物を用いて同様にEL素子を得、同様に特
性を調べた。
<Examples 10 and 11> In Example 9,
An EL device was similarly obtained using the compound of Example 2 or the compound of Example 3 instead of the compound of Example 1, and the characteristics were similarly examined.

【0296】<比較例2、3>実施例9において、実施
例1の化合物の代わりに比較例1の化合物またはを
用いて同様にEL素子を得、同様に特性を調べた。
<Comparative Examples 2 and 3> In Example 9, the compound of Comparative Example 1 was used instead of the compound of Example 1 to obtain an EL device in the same manner, and the characteristics were similarly examined.

【0297】実施例9〜11、比較例2〜3について特
性をまとめて表1に示す。
The characteristics of Examples 9 to 11 and Comparative Examples 2 to 3 are summarized in Table 1.

【0298】[0298]

【表1】 [Table 1]

【0299】<実施例12、13>実施例9において、
実施例1の化合物の代わりに実施例4または実施例5の
化合物を用いて同様にEL素子を得、同様に特性を調べ
たところ、いずれにおいても実施例9と同等以上の良好
な結果を示した。なお、トリス(8−キノリノラト)ア
ルミニウムとのIpの差は、実施例4の化合物で0.3
2eV、実施例5の化合物で0.36eVであった。
<Examples 12 and 13> In Example 9,
An EL device was obtained in the same manner by using the compound of Example 4 or 5 instead of the compound of Example 1, and the characteristics were examined in the same manner. In all cases, good results equivalent to or higher than those of Example 9 were shown. It was The difference in Ip from tris (8-quinolinolato) aluminum was 0.3 in the compound of Example 4.
2 eV, 0.36 eV for the compound of Example 5.

【0300】<実施例14>厚さ200nmのITO透明
電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥してUV/O3 洗浄
した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10
-4Pa以下まで減圧した。
Example 14 A glass substrate having a 200 nm thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate is pulled out from boiling ethanol, dried, and washed with UV / O 3 , and then fixed on a substrate holder of a vapor deposition device and 1 × 10 5.
The pressure was reduced to -4 Pa or less.

【0301】まず、ポリ(チオフェン−2,5−ジイ
ル)を蒸着速度0.1nm/secで20nmの厚さに蒸着し、
第一正孔注入輸送層とした。
First, poly (thiophene-2,5-diyl) was vapor deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm / sec to a thickness of 20 nm.
The first hole injecting and transporting layer was used.

【0302】次いで、減圧状態を保ったまま、実施例1
の化合物を蒸着速度0.2nm/secで55nmの厚さに蒸着
し、第二正孔注入輸送層とした。
[0302] Next, with the reduced pressure being maintained, Example 1
Was vapor-deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 55 nm to form a second hole injecting and transporting layer.

【0303】さらに、減圧状態を保ったまま、トリス
(8−キノリノラト)アルミニウムを蒸着速度0.2nm
/secで50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層
とした。
Further, while keeping the reduced pressure, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm.
It was vapor-deposited to a thickness of 50 nm at a rate of / sec to form an electron injecting / transporting / light emitting layer.

【0304】さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg
(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで200nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機EL素子を得た。
[0304] Furthermore, while maintaining the reduced pressure, MgAg
(Weight ratio 10: 1) 200nm at deposition rate 0.2nm / sec
Was evaporated to a cathode to obtain an organic EL device.

【0305】このEL素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下10mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には、6.0V 、350cd/m2 の黄緑色(発光極大波
長λmax =500nm)の発光が確認された。輝度の半減
時間は1600時間で、その間の駆動電圧の上昇は2.
3V であった、また、ダークスポットの出現および成長
は全くなかった。
A direct current voltage was applied to this EL device, and it was continuously driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 in a dry atmosphere. In the initial stage, light emission of yellow-green (maximum emission wavelength λ max = 500 nm) of 6.0 V and 350 cd / m 2 was confirmed. The half-life time of luminance is 1600 hours, and the driving voltage rises during that period is 2.
It was 3V and there was no appearance or growth of dark spots.

【0306】さらにその後も電流リークは起こらず、安
定な発光を示した。
Further, after that, current leakage did not occur and stable light emission was shown.

【0307】これらの結果は、ディスプレイとして応用
するための必要条件を十分に満たしているが、寿命試験
を加速する意味から、さらに高電流密度(40mA/cm2
で連続駆動させた。初期には1400cd/m2 の高輝度を
示し、その半減時間は400時間で、その間の駆動電圧
の上昇は5.0V であった。
These results sufficiently satisfy the necessary conditions for application as a display, but have a higher current density (40 mA / cm 2 ) in order to accelerate the life test.
It was driven continuously. At the initial stage, it showed a high brightness of 1400 cd / m 2 , its half-life was 400 hours, and the driving voltage during that time was 5.0 V.

【0308】<実施例15、16>実施例14におい
て、実施例1の化合物の代わりに、実施例2の化合物ま
たは実施例3の化合物を用いて同様にEL素子を得、電
流密度10mA/cm2の条件で同様に特性を調べた。
<Examples 15 and 16> In Example 14, an EL device was similarly obtained by using the compound of Example 2 or the compound of Example 3 instead of the compound of Example 1, and the current density was 10 mA / cm 2. The characteristics were similarly examined under the condition of 2 .

【0309】実施例14〜16について電流密度10mA
/cm2の条件での特性をまとめて表2に示す。
For Examples 14 to 16 current density 10 mA
The characteristics under the condition of / cm 2 are summarized in Table 2.

【0310】[0310]

【表2】 [Table 2]

【0311】<実施例17、18>実施例14におい
て、実施例1の化合物の代わりに、実施例4の化合物ま
たは実施例5の化合物を用いて同様にEL素子を得、電
流密度10mA/cm2の条件で同様に特性を調べたところ、
いずれにおいても実施例14と同等以上の良好な結果を
示した。
<Examples 17 and 18> EL devices were obtained in the same manner as in Example 14 except that the compound of Example 4 or the compound of Example 5 was used instead of the compound of Example 1, and the current density was 10 mA / cm 2. When the characteristics were similarly examined under the condition of 2 ,
In all cases, good results equivalent to or higher than those of Example 14 were shown.

【0312】<実施例19>厚さ200nmのITO透明
電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥してUV/O3 洗浄
した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定して、1×10
-4Pa以下まで減圧した。
Example 19 A glass substrate having a 200 nm thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned with a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate is pulled out from boiling ethanol, dried, and washed with UV / O 3 , and then fixed on a substrate holder of a vapor deposition device and 1 × 10 5.
The pressure was reduced to -4 Pa or less.

【0313】まず、実施例1の化合物とルブレンをそれ
ぞれ0.2nm/sec、0.02nm/secの蒸着速度でトータ
ル75nmの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
First, the compound of Example 1 and rubrene were vapor-deposited to a total thickness of 75 nm at vapor deposition rates of 0.2 nm / sec and 0.02 nm / sec, respectively, to form a hole injecting and transporting layer.

【0314】次いで、減圧状態を保ったまま、トリス
(8−キノリノラト)アルミニウムを蒸着速度0.2nm
/secで50nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層
とした。
Then, while maintaining the reduced pressure, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.2 nm.
It was vapor-deposited to a thickness of 50 nm at a rate of / sec to form an electron injecting / transporting / light emitting layer.

【0315】さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg
(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで200nm
の厚さに蒸着して陰極とし、有機EL素子を得た。
Further, with the reduced pressure maintained, MgAg
(Weight ratio 10: 1) 200nm at deposition rate 0.2nm / sec
Was evaporated to a cathode to obtain an organic EL device.

【0316】このEL素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下10mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には、6.2V 、550cd/m2 の黄色(発光極大波長
λmax =550nm)の発光が確認された。輝度の半減時
間は1500時間で、その間の駆動電圧の上昇は2.8
V であった。
A direct current voltage was applied to this EL device, and it was continuously driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 in a dry atmosphere. In the early stage, a yellow emission (maximum emission wavelength λmax = 550 nm) of 6.2 V and 550 cd / m 2 was confirmed. The half-life time of luminance is 1500 hours, and the driving voltage rises during that time is 2.8.
It was V.

【0317】<実施例20、21>実施例19におい
て、実施例1の化合物の代わりに、実施例2の化合物ま
たは実施例3の化合物を用いて同様にEL素子を得、同
様に特性を調べた。
<Examples 20 and 21> In Example 19, instead of the compound of Example 1, the compound of Example 2 or the compound of Example 3 was used to obtain EL devices in the same manner, and the characteristics were similarly examined. It was

【0318】実施例19〜21について特性をまとめて
表3に示す。
Table 3 summarizes the characteristics of Examples 19 to 21.

【0319】[0319]

【表3】 [Table 3]

【0320】<実施例22、23>実施例19におい
て、実施例1の化合物の代わりに、実施例4の化合物ま
たは実施例5の化合物を用いて同様にEL素子を得、同
様に特性を調べたところ、実施例19と同等以上の良好
な結果を示した。
<Examples 22 and 23> In Example 19, instead of the compound of Example 1, the compound of Example 4 or the compound of Example 5 was used to obtain EL devices in the same manner, and the characteristics were similarly examined. As a result, a good result equal to or higher than that of Example 19 was shown.

【0321】<実施例24>厚さ200nmのITO透明
電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥してUV/O3 洗浄
した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、真空
槽を1×10-4Pa以下まで減圧した。
Example 24 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned with a neutral detergent, acetone, and ethanol. The substrate was taken out from boiling ethanol, dried, washed with UV / O 3 , and then fixed on a substrate holder of a vacuum vapor deposition apparatus, and the vacuum chamber was depressurized to 1 × 10 −4 Pa or less.

【0322】まず、ポリ(チオフェン−2,5−ジイ
ル)を蒸着速度約0.1nm/secで約20nmの厚さに蒸着
し、第一正孔注入輸送層とした。
First, poly (thiophene-2,5-diyl) was deposited at a deposition rate of about 0.1 nm / sec. To a thickness of about 20 nm to form a first hole injecting and transporting layer.

【0323】次いで真空槽を大気下に戻し、再び真空槽
を1×10-4Pa以下まで減圧した後、実施例1の化合物
とルブレンをそれぞれ蒸着速度0.1〜0.2nm/sec、
0.01〜0.02nm/secでトータル約55nmの厚さに
共蒸着し、第二正孔注入輸送層とした。
Then, the vacuum chamber was returned to the atmosphere, and the vacuum chamber was depressurized again to 1 × 10 −4 Pa or less. Then, the compound of Example 1 and rubrene were deposited at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec, respectively.
It was co-deposited at a total thickness of about 55 nm at 0.01 to 0.02 nm / sec to form a second hole injecting and transporting layer.

【0324】さらに、減圧状態を保ったまま、トリス
(8−キノリノラト)アルミニウムを蒸着速度0.1〜
0.2nm/secで約50nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送
・発光層とした。
Further, while maintaining the reduced pressure, tris (8-quinolinolato) aluminum was deposited at a deposition rate of 0.1 to
It was vapor-deposited at a thickness of about 50 nm at 0.2 nm / sec to form an electron injecting / transporting / light emitting layer.

【0325】さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg
(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで約200
nmの厚さに蒸着して陰極とし、EL素子を得た。
Further, while maintaining the reduced pressure state, MgAg
(Weight ratio 10: 1) about 200 at a deposition rate of 0.2 nm / sec
An EL device was obtained by vapor deposition to a thickness of nm to form a cathode.

【0326】このEL素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下10mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には、6.2V 、420cd/m2 の黄色(発光極大波長
λmax =550nm)の発光が確認された。輝度の半減時
間は2000時間で、その間の駆動電圧の上昇は4.9
V であった。
A direct current voltage was applied to this EL device, and it was continuously driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 in a dry atmosphere. In the early stage, a yellow emission (maximum emission wavelength λ max = 550 nm) of 6.2 V and 420 cd / m 2 was confirmed. The half-life time of luminance is 2000 hours, during which the driving voltage rises 4.9.
It was V.

【0327】これらの結果は、ディスプレイとして応用
するための必要条件を十分に満たしているが、寿命試験
を加速する意味から、さらに高電流密度(40mA/cm2
で連続駆動させた。初期には1490cd/m2 の高輝度を
示し、その半減時間は500時間で、その間の駆動電圧
の上昇は3.5V であった。
These results sufficiently satisfy the necessary conditions for application as a display, but in order to accelerate the life test, a higher current density (40 mA / cm 2 ) was obtained.
It was driven continuously. At the initial stage, it showed a high luminance of 1490 cd / m 2 , its half-life was 500 hours, and the driving voltage during that period was 3.5 V.

【0328】<実施例25>実施例24において、第二
正孔注入輸送層に用いた実施例1の化合物の代わりに実
施例4の化合物を用いるほかは同様にしてEL素子を得
た。このEL素子について実施例24と同様に特性を調
べたところ、実施例24と同等以上の良好な結果を示し
た。
Example 25 An EL device was obtained in the same manner as in Example 24 except that the compound of Example 4 was used instead of the compound of Example 1 used for the second hole injecting and transporting layer. When the characteristics of this EL device were examined in the same manner as in Example 24, good results equivalent to or higher than those in Example 24 were shown.

【0329】<実施例26>厚さ200nmのITO透明
電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、その基板を煮沸
エタノール中から引き上げて乾燥し、UV/O3 洗浄し
た後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、真空槽
を1×10-4Pa以下まで減圧した。
Example 26 A glass substrate having a 200 nm-thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned with a neutral detergent, acetone, and ethanol, and the substrate was taken out from boiling ethanol and dried. After cleaning with UV / O 3, the substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum vapor deposition apparatus and the vacuum chamber was depressurized to 1 × 10 −4 Pa or less.

【0330】まず、実施例1の化合物を蒸着速度0.1
〜0.2nm/secで約55nm/secの厚さに蒸着し、正孔注
入輸送層とした。
First, the compound of Example 1 was deposited at a deposition rate of 0.1.
A hole injecting and transporting layer was obtained by vapor deposition at a thickness of about 0.2 nm / sec to a thickness of about 55 nm / sec.

【0331】さらに、減圧状態を保ったまま、前記正孔
注入輸送材料と電子注入輸送材料としてトリス(8−キ
ノリノラト)アルミニウムをほぼ同じ蒸着速度(0.1
〜0.2nm/sec)で共蒸着して、混合層を発光層として
約40nmの厚さに形成した。
Further, while maintaining the reduced pressure, tris (8-quinolinolato) aluminum as the hole injecting and transporting material and the electron injecting and transporting material are deposited at almost the same deposition rate (0.1
Co-evaporated at a rate of about 0.2 nm / sec) to form the mixed layer as a light emitting layer with a thickness of about 40 nm.

【0332】さらに、減圧状態を保ったまま、前記電子
注入輸送材料を蒸着速度0.1〜0.2nm/secで約30
nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
Further, the electron injecting and transporting material is deposited at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec for about 30 while maintaining the reduced pressure.
It was vapor-deposited to a thickness of nm to form an electron injecting and transporting layer.

【0333】さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg
(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで約200
nmの厚さに蒸着して陰極とし、EL素子を得た。
Further, while maintaining the reduced pressure state, MgAg
(Weight ratio 10: 1) about 200 at a deposition rate of 0.2 nm / sec
An EL device was obtained by vapor deposition to a thickness of nm to form a cathode.

【0334】このEL素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下10mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には、6.7V 、470cd/m2 の黄緑色(発光極大波
長λmax =500nm)の発光が確認された。輝度の半減
時間は2000時間で、その間の駆動電圧の上昇は3.
0V であった。
A direct current voltage was applied to this EL device, and it was continuously driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 in a dry atmosphere. In the initial stage, 6.7 V, 470 cd / m 2 yellow-green light emission (maximum emission wavelength λ max = 500 nm) was confirmed. The half-life time of luminance is 2000 hours, and the driving voltage rises during that period is 3.
It was 0V.

【0335】<実施例27>実施例26において、正孔
注入輸送層および混合層(発光層)に用いた実施例1の
化合物の代わりに実施例4の化合物を用いるほかは同様
にしてEL素子を得た。このEL素子について実施例2
6と同様に特性を調べたところ、実施例26と同等以上
の良好な結果を示した。
<Example 27> An EL device was prepared in the same manner as in Example 26 except that the compound of Example 4 was used instead of the compound of Example 1 used for the hole injecting / transporting layer and the mixed layer (light emitting layer). Got Example 2 of this EL device
When the characteristics were examined in the same manner as in Example 6, good results equal to or higher than those in Example 26 were shown.

【0336】<実施例28>厚さ200nmのITO透明
電極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を煮
沸エタノール中から引き上げて乾燥してUV/O3 洗浄
した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、真空
槽を1×10-4Pa以下まで減圧した。
Example 28 A glass substrate having a 200 nm thick ITO transparent electrode (anode) was ultrasonically cleaned using a neutral detergent, acetone and ethanol. The substrate was taken out from boiling ethanol, dried, washed with UV / O 3 , and then fixed on a substrate holder of a vacuum vapor deposition apparatus, and the vacuum chamber was depressurized to 1 × 10 −4 Pa or less.

【0337】まず、ポリ(チオフェン−2,5−ジイ
ル)を蒸着速度約0.1nm/secで20nmの厚さに蒸着
し、第一正孔注入輸送層とした。
First, poly (thiophene-2,5-diyl) was deposited at a deposition rate of about 0.1 nm / sec to a thickness of 20 nm to form a first hole injecting and transporting layer.

【0338】次いで真空槽を大気下に戻し、再び真空槽
を1×10-4Pa以下まで減圧した後、実施例1の化合物
を蒸着速度0.1〜0.2nm/secで約35nmの厚さに蒸
着し、第二正孔注入輸送層とした。
Then, the vacuum chamber was returned to the atmosphere, the pressure inside the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa or less, and the compound of Example 1 was deposited at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec to a thickness of about 35 nm. Then, a second hole injecting and transporting layer was formed by vapor deposition.

【0339】さらに、減圧状態を保ったまま、前記第二
正孔注入輸送材料と電子注入輸送材料としてトリス(8
−キノリノラト)アルミニウムをほぼ同じ蒸着速度
(0.1〜0.2nm/sec)で共蒸着して、混合層を発光
層として約40nmの厚さに形成した。
Furthermore, with the reduced pressure maintained, tris (8) is used as the second hole injecting and transporting material and the electron injecting and transporting material.
-Quinolinolato) aluminum was co-deposited at almost the same deposition rate (0.1 to 0.2 nm / sec) to form the mixed layer as a light emitting layer to a thickness of about 40 nm.

【0340】さらに、減圧状態を保ったまま、前記電子
注入輸送材料を蒸着速度0.1〜0.2nm/secで約30
nmの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
Further, the electron injecting and transporting material is deposited at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec for about 30 while maintaining the reduced pressure.
It was vapor-deposited to a thickness of nm to form an electron injecting and transporting layer.

【0341】さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg
(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/secで約200
nmの厚さに蒸着して陰極とし、EL素子を得た。
Further, while maintaining the reduced pressure state, MgAg
(Weight ratio 10: 1) about 200 at a deposition rate of 0.2 nm / sec
An EL device was obtained by vapor deposition to a thickness of nm to form a cathode.

【0342】このEL素子に直流電圧を印加し、乾燥雰
囲気下10mA/cm2の一定電流密度で連続駆動させた。初
期には、6.1V 、350cd/m2 の黄緑色(発光極大波
長λmax =500nm)の発光が確認された。輝度の半減
時間は3000時間で、その間の駆動電圧の上昇は5.
0V であった。
A direct current voltage was applied to this EL device, and it was continuously driven at a constant current density of 10 mA / cm 2 in a dry atmosphere. In the initial stage, emission of yellow-green (maximum emission wavelength λ max = 500 nm) of 6.1 V and 350 cd / m 2 was confirmed. The half-life of luminance is 3000 hours, and the driving voltage rises during that time is 5.
It was 0V.

【0343】<実施例29>実施例28において、混合
層の膜厚を10nmとするほかは同様にEL素子を得、同
様に特性を評価した。この結果、初期には6.2V 、3
60cd/m2 の黄緑色(発光極大波長λmax =500nm)
の発光が確認された。輝度の半減時間は2100時間
で、その間の駆動電圧の上昇は3.3V であった。
Example 29 An EL device was obtained in the same manner as in Example 28 except that the thickness of the mixed layer was 10 nm, and the characteristics were evaluated in the same manner. As a result, the initial voltage was 6.2V, 3
60 cd / m 2 yellow-green (maximum emission wavelength λmax = 500 nm)
Was confirmed to be emitted. The half-life time of luminance was 2,100 hours, and the driving voltage during that time was 3.3V.

【0344】<実施例30>実施例28において、第二
正孔注入輸送層および混合層(発光層)に用いた実施例
1の化合物の代わりに実施例4の化合物を用いるほかは
同様にしてEL素子を得た。このEL素子について実施
例28と同様に特性を調べたところ、実施例28と同等
以上の良好な結果を示した。
<Example 30> The same operation as in Example 28 was carried out except that the compound of Example 4 was used instead of the compound of Example 1 used for the second hole injecting and transporting layer and the mixed layer (light emitting layer). An EL device was obtained. When the characteristics of this EL device were examined in the same manner as in Example 28, good results equivalent to or higher than those in Example 28 were shown.

【0345】なお、上記実施例9〜30において、上記
の本発明の化合物のほか、例示した本発明の化合物の1
種以上を同様に用いて同様に種々のEL素子を得、同様
に特性を評価したところ、素子の構成に応じ同様の結果
を示した。
In addition to the compounds of the present invention described above in Examples 9 to 30, one of the exemplified compounds of the present invention was used.
Various EL devices were similarly obtained by using the same kinds or more, and the characteristics were evaluated in the same manner. As a result, similar results were shown depending on the constitution of the device.

【0346】[0346]

【発明の効果】本発明の化合物は、融点やガラス転移温
度が高く、その蒸着等により成膜される薄膜は、透明で
室温以上でも安定なアモルファス状態を形成し、平滑で
良好な膜質を示す。従ってバインダー樹脂を用いること
なく、それ自体で薄膜化することができる。
The compound of the present invention has a high melting point and glass transition temperature, and a thin film formed by vapor deposition or the like is transparent and forms a stable amorphous state even at room temperature or higher, showing a smooth and good film quality. . Therefore, a thin film can be formed by itself without using a binder resin.

【0347】また本発明の有機EL素子は、上記化合物
を含む有機EL素子用化合物を有機化合物層、特に好ま
しくは正孔注入輸送層に用いるため、ムラのない均一な
面発光が可能であり、高輝度が長時間に渡って安定して
得られ、耐久性・信頼性に優れる。
In the organic EL device of the present invention, since the compound for organic EL device containing the above compound is used in the organic compound layer, particularly preferably in the hole injecting and transporting layer, uniform and even surface emission is possible, High brightness can be stably obtained for a long time, and it has excellent durability and reliability.

【0348】特に、正孔注入輸送層を2層として、1層
に本発明の化合物を用い、他の1層にポリチオフェンを
用いた本発明の有機EL素子では、駆動電圧やその上昇
を低く抑えることができ、長時間に渡ってダークスポッ
トの発生がなく、かつ安定した発光を保つことができ
る。
In particular, in the organic EL device of the present invention in which the compound of the present invention is used in one layer and the polythiophene is used in the other one layer with two hole injecting and transporting layers, the driving voltage and its rise are suppressed to a low level. Therefore, a dark spot is not generated for a long time, and stable light emission can be maintained.

【0349】さらには、本発明の有機EL素子はIpの
差が最適化された素子構造を取っているため、初期の輝
度低下が抑制され、発光寿命が延びる。
Furthermore, since the organic EL element of the present invention has an element structure in which the difference in Ip is optimized, the initial luminance reduction is suppressed and the light emission life is extended.

【0350】また、ルブレンをドープしたものでは初期
の輝度が高くなるとともに発光寿命が延びる。
[0350] Further, in the case where rubrene is doped, the initial luminance is increased and the light emission life is extended.

【0351】さらに、本発明の化合物と電子注入輸送機
能を有する化合物との混合層を発光層としたものでも発
光寿命が延びる。
Further, even when a mixed layer of the compound of the present invention and a compound having an electron injecting and transporting function is used as a light emitting layer, the light emission life is extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の有機EL素子の構成例を示す側面図で
ある。
FIG. 1 is a side view showing a configuration example of an organic EL element of the present invention.

【図2】低エネルギー電子分光装置の構成を示すブロッ
ク図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a low energy electron spectrometer.

【図3】励起エネルギーと電子イールドとの関係を示す
グラフである。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between excitation energy and electron yield.

【図4】実施例1の本発明の化合物の赤外吸収スペクト
ルを示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an infrared absorption spectrum of the compound of the present invention in Example 1.

【図5】実施例1の本発明の化合物のNMRスペクトル
を示す図である。
5 is a diagram showing an NMR spectrum of the compound of the present invention in Example 1. FIG.

【図6】実施例2の本発明の化合物の赤外吸収スペクト
ルを示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an infrared absorption spectrum of the compound of the present invention in Example 2.

【図7】実施例2の本発明の化合物のNMRスペクトル
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an NMR spectrum of the compound of the present invention in Example 2.

【図8】実施例3の本発明の化合物の赤外吸収スペクト
ルを示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an infrared absorption spectrum of the compound of the present invention in Example 3.

【図9】実施例3の本発明の化合物のNMRスペクトル
を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an NMR spectrum of the compound of the present invention in Example 3.

【図10】実施例4の本発明の化合物の赤外吸収スペク
トルを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an infrared absorption spectrum of the compound of the present invention in Example 4.

【図11】実施例4の本発明の化合物のNMRスペクト
ルを示す図である。
11 is a diagram showing an NMR spectrum of the compound of the present invention in Example 4. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 EL素子 2 基板 3 陽極 4 正孔注入輸送層 5 発光層 6 電子注入輸送層 7 陰極 10 低エネルギー電子分光装置 11 紫外線ランプ 12 モノクロメータ 13 検出器 14 低エネルギー電子計数装置 15 制御装置 16 演算表示装置 17 X−Yステージ 1 EL Element 2 Substrate 3 Anode 4 Hole Injecting and Transporting Layer 5 Light Emitting Layer 6 Electron Injecting and Transporting Layer 7 Cathode 10 Low Energy Electron Spectrometer 11 Ultraviolet Lamp 12 Monochromator 13 Detector 14 Low Energy Electron Counting Device 15 Control Device 16 Calculation Display Device 17 XY stage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C09K 11/06 Z 9280−4H H01L 51/00 H05B 33/14 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication C09K 11/06 Z 9280-4H H01L 51/00 H05B 33/14

Claims (41)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記化1で表されるテトラアリールジア
ミン誘導体である有機EL素子用化合物。 【化1】 [化1において、R1 、R2 、R3 およびR4 は、それ
ぞれアリール基、アルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、R1
2 、R3 およびR4 のうちの少なくとも1個はアリー
ル基である。r1、r2、r3およびr4は、それぞれ
0または1〜5の整数であり、r1、r2、r3および
r4の和は1以上の整数であり、少なくとも1個のアリ
ール基がR1 〜R4 として存在する。R5 およびR6
は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基また
はハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもので
あってもよい。r5およびr6は、それぞれ0または1
〜4の整数である。]
1. A compound for an organic EL device, which is a tetraaryldiamine derivative represented by the following chemical formula 1. Embedded image [In Chemical Formula 1, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each represent an aryl group, an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and R 1 ,
At least one of R 2 , R 3 and R 4 is an aryl group. r1, r2, r3 and r4 are each 0 or an integer of 1 to 5, the sum of r1, r2, r3 and r4 is an integer of 1 or more, and at least one aryl group is represented by R 1 to R 4. Exists. R 5 and R 6
Each represents an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or 1 respectively
Is an integer of ~ 4. ]
【請求項2】 前記R1 〜R4 のうちの2〜4個がアリ
ール基であり、これらのアリール基のうちの少なくとも
2個がNの結合位置に対してパラ位またはメタ位に結合
している請求項1の有機EL素子用化合物。
2. 2 to 4 of R 1 to R 4 are aryl groups, and at least 2 of these aryl groups are bound to the para position or meta position with respect to the bonding position of N. The compound for organic EL device according to claim 1.
【請求項3】 前記R1 〜R4 のうちの少なくとも1個
のアリール基がフェニル基である請求項2の有機EL素
子用化合物。
3. The compound for an organic EL device according to claim 2, wherein at least one aryl group of R 1 to R 4 is a phenyl group.
【請求項4】 下記化2で表される 請求項1〜3のい
ずれかの有機EL素子用化合物。 【化2】 [化2において、A1 、A2 、A3 およびA4 は、それ
ぞれNの結合位置に対してパラ位またはメタ位に結合す
るフェニル基であり、これらは同一でも異なるものであ
ってもよい。R7 、R8 、R9 およびR10は、それぞれ
アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキ
シ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同
一でも異なるものであってもよい。r7、r8、r9お
よびr10はそれぞれ0または1〜4の整数である。R
5 およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも
異なるものであってもよい。r5およびr6は、それぞ
れ0または1〜4の整数である。]
4. The compound for organic EL device according to claim 1, which is represented by the following chemical formula 2. Embedded image [In Chemical Formula 2, A 1 , A 2 , A 3 and A 4 are phenyl groups bonded to the para position or meta position with respect to the bonding position of N, and these may be the same or different. . R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r7, r8, r9 and r10 are each 0 or an integer of 1 to 4. R
5 and R 6 are each an alkyl group, an alkoxy group,
It represents an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項5】 前記R1 〜R4 のうちの少なくとも1個
のアリール基がナフチル基、アントリル基、ピレニル
基、ペリレニル基またはコロネニル基である請求項2の
有機EL素子用化合物。
5. The compound for an organic EL device according to claim 2, wherein at least one aryl group of R 1 to R 4 is a naphthyl group, anthryl group, pyrenyl group, perylenyl group or coronenyl group.
【請求項6】 下記化3で表される請求項1、2または
5の有機EL素子用化合物。 【化3】 [化3において、ArはNの結合位置に対してパラ位ま
たはメタ位に結合するアリール基を表す。Z1 、Z2
よびZ3 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、アミノ基またはハロゲン原
子を表し、これらは同一でも異なるものであってもよ
い。ただし、Z1 、Z2 およびZ3 のうちの少なくとも
1個はNの結合位置に対してパラ位またはメタ位に結合
するアリール基を表すが、Ar、Z1 、Z2 およびZ3
が同時にNの結合位置に対してパラ位またはメタ位に結
合するフェニル基となることはない。s1、s2および
s3は、それぞれ0または1〜5の整数であり、s1、
s2およびs3の和は1以上の整数である。R0 は、ア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表す。r0は、それ
ぞれ0または1〜4の整数である。R5 およびR6 は、
それぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基または
ハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるものであ
ってもよい。r5およびr6は、それぞれ0または1〜
4の整数である。]
6. The compound for organic EL device according to claim 1, 2 or 5 represented by the following chemical formula 3. [Chemical 3] [In Chemical Formula 3, Ar represents an aryl group bonded to the para position or the meta position with respect to the bonding position of N. Z 1 , Z 2 and Z 3 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. However, Z 1, at least one of the Z 2 and Z 3 represents an aryl group attached to the para-position or meta position with respect to the binding position of the N, Ar, Z 1, Z 2 and Z 3
Does not simultaneously form a phenyl group that is bonded to the para position or meta position with respect to the N bonding position. s1, s2 and s3 are each 0 or an integer of 1 to 5, s1,
The sum of s2 and s3 is an integer of 1 or more. R 0 represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom. r0 is 0 or an integer of 1 to 4, respectively. R 5 and R 6 are
Each represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are each 0 or 1
It is an integer of 4. ]
【請求項7】 下記化4で表される請求項1〜4のいず
れかの有機EL素子用化合物。 【化4】 [化4において、R7 、R8 、R9 およびR10は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r7、r8、r
9およびr10は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。R11、R12、R13およびR14は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r11、r12、r13およ
びr14は、それぞれ0または1〜5の整数である。R
5 およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、
アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも
異なるものであってもよい。r5およびr6は、それぞ
れ0または1〜4の整数である。]
7. The compound for an organic EL device according to claim 1, which is represented by the following chemical formula 4. [Chemical 4] [In Chemical Formula 4, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. Good. r7, r8, r
9 and r10 are 0 or an integer of 1-4, respectively. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Each of r11, r12, r13 and r14 is 0 or an integer of 1 to 5. R
5 and R 6 are each an alkyl group, an alkoxy group,
It represents an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項8】 前記r5、r6、r7、r8、r9、r
10、r11、r12、r13およびr14がそれぞれ
0である請求項7の有機EL素子用化合物。
8. The r5, r6, r7, r8, r9, r
The compound for organic EL device according to claim 7, wherein 10, r11, r12, r13 and r14 are each 0.
【請求項9】 下記化5で表される請求項1〜4のいず
れかの有機EL素子用化合物。 【化5】 [化5において、R7 、R8 、R9 およびR10は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r7、r8、r
9およびr10は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。R11、R12、R13およびR14は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r11、r12、r13およ
びr14はそれぞれ0または1〜5の整数である。R5
およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ
0または1〜4の整数である。]
9. The compound for an organic EL device according to claim 1, which is represented by the following chemical formula 5. Embedded image [In Chemical Formula 5, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. Good. r7, r8, r
9 and r10 are 0 or an integer of 1-4, respectively. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Each of r11, r12, r13 and r14 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5
And R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項10】 前記r5、r6、r7、r8、r9、
r10、r11、r12、r13およびr14がそれぞ
れ0である請求項9の有機EL素子用化合物。
10. The r5, r6, r7, r8, r9,
The compound for organic EL device according to claim 9, wherein r10, r11, r12, r13 and r14 are each 0.
【請求項11】 下記化6で表される請求項1〜4のい
ずれかの有機EL素子用化合物。 【化6】 [化6において、R7 、R8 、R9 およびR10は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r7、r8、r
9およびr10は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。R11、R12、R13およびR14は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r11、r12、r13およ
びr14はそれぞれ0または1〜5の整数である。R5
およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ
0または1〜4の整数である。]
11. The compound for organic EL device according to claim 1, which is represented by the following chemical formula 6. [Chemical 6] [In Chemical Formula 6, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Good. r7, r8, r
9 and r10 are 0 or an integer of 1-4, respectively. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Each of r11, r12, r13 and r14 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5
And R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項12】 前記r5、r6、r7、r8、r9、
r10、r11、r12、r13およびr14がそれぞ
れ0である請求項11の有機EL素子用化合物。
12. The r5, r6, r7, r8, r9,
The compound for organic EL device according to claim 11, wherein r10, r11, r12, r13 and r14 are each 0.
【請求項13】 下記化7で表される請求項1〜4のい
ずれかの有機EL素子用化合物。 【化7】 [化7において、R7 、R8 、R9 およびR10は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r7、r8、r
9およびr10は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。R11、R12、R13およびR14は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r11、r12、r13およ
びr14はそれぞれ0または1〜5の整数である。R5
およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ
0または1〜4の整数である。]
13. The compound for organic EL device according to claim 1, which is represented by the following chemical formula 7. [Chemical 7] [In Chemical Formula 7, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Good. r7, r8, r
9 and r10 are 0 or an integer of 1-4, respectively. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Each of r11, r12, r13 and r14 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5
And R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項14】 前記r5、r6、r7、r8、r9、
r10、r11、r12、r13およびr14がそれぞ
れ0である請求項13の有機EL素子用化合物。
14. The r5, r6, r7, r8, r9,
14. The compound for organic EL device according to claim 13, wherein r10, r11, r12, r13 and r14 are each 0.
【請求項15】 下記化8で表される請求項1〜4のい
ずれかの有機EL素子用化合物。 【化8】 [化8において、R7 、R8 、R9 およびR10は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r7、r8、r
9およびr10は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。R11、R12、R13およびR14は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r11、r12、r13およ
びr14はそれぞれ0または1〜5の整数である。R5
およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ
0または1〜4の整数である。]
15. The compound for organic EL device according to claim 1, which is represented by the following chemical formula 8. Embedded image [In the chemical formula 8, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. Good. r7, r8, r
9 and r10 are 0 or an integer of 1-4, respectively. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Each of r11, r12, r13 and r14 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5
And R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項16】 前記r5、r6、r7、r8、r9、
r10、r11、r12、r13およびr14がそれぞ
れ0である請求項15の有機EL素子用化合物。
16. The r5, r6, r7, r8, r9,
16. The compound for organic EL device according to claim 15, wherein r10, r11, r12, r13 and r14 are each 0.
【請求項17】 下記化9で表される請求項1〜4のい
ずれかの有機EL素子用化合物。 【化9】 [化9において、R7 、R8 、R9 およびR10は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリール
オキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これら
は同一でも異なるものであってもよい。r7、r8、r
9およびr10は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。R11、R12、R13およびR14は、それぞれアルキル
基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r11、r12、r13およ
びr14はそれぞれ0または1〜5の整数である。R5
およびR6 は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異
なるものであってもよい。r5およびr6は、それぞれ
0または1〜4の整数である。]
17. The compound for organic EL device according to claim 1, which is represented by the following chemical formula 9. [Chemical 9] [In Chemical Formula 9, R 7 , R 8 , R 9 and R 10 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Good. r7, r8, r
9 and r10 are 0 or an integer of 1-4, respectively. R 11 , R 12 , R 13 and R 14 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. Each of r11, r12, r13 and r14 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5
And R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項18】 前記r5、r6、r7、r8、r9、
r10、r11、r12、r13およびr14がそれぞ
れ0である請求項17の有機EL素子用化合物。
18. The r5, r6, r7, r8, r9,
18. The compound for organic EL device according to claim 17, wherein r10, r11, r12, r13 and r14 are each 0.
【請求項19】 下記化10で表される請求項1、2、
5または6の有機EL素子用化合物。 【化10】 [化10において、Ar1 およびAr2 は、それぞれア
リール基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。R15およびR16は、それぞれアルキル基、アル
コキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基ま
たはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。r15およびr16は、それぞれ0ま
たは1〜4の整数である。R17およびR18は、それぞれ
アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ
基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なる
ものであってもよい。r17およびr18は、それぞれ
0または1〜5の整数である。R5 およびR6 は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲ
ン原子を表し、これらは同一でも異なるものであっても
よい。r5およびr6は、それぞれ0または1〜4の整
数である。]
19. The method according to claim 1, wherein
The compound for organic EL devices of 5 or 6. [Chemical 10] [In Chemical Formula 10, Ar 1 and Ar 2 each represent an aryl group, and these may be the same or different. R 15 and R 16 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r15 and r16 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. R 17 and R 18 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r17 and r18 are 0 or an integer of 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項20】 前記r5、r6、r15、r16、r
17およびr18が、それぞれ0である請求項19の有
機EL素子用化合物。
20. The r5, r6, r15, r16, r
The compound for an organic EL device according to claim 19, wherein 17 and r18 are each 0.
【請求項21】 下記化11で表される請求項1、2、
5または6の有機EL素子用化合物。 【化11】 [化11において、Ar1 およびAr3 は、それぞれア
リール基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。R15およびR20は、それぞれアルキル基、アル
コキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基ま
たはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。r15およびr20は、それぞれ0ま
たは1〜4の整数である。R15およびR20は、それぞれ
アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ
基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なる
ものであってもよい。r18およびr19は、それぞれ
0または1〜5の整数である。R5 およびR6 は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲ
ン原子を表し、これらは同一でも異なるものであっても
よい。r5およびr6は、それぞれ0または1〜4の整
数である。]
21. A method according to claim 1, 2 or 3,
The compound for organic EL devices of 5 or 6. [Chemical 11] [In Chemical Formula 11, Ar 1 and Ar 3 each represent an aryl group, and these may be the same or different. R 15 and R 20 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r15 and r20 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. R 15 and R 20 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r18 and r19 are 0 or an integer of 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項22】 前記r5、r6、r15、r18、r
19およびr20が、それぞれ0である請求項21の有
機EL素子用化合物。
22. The r5, r6, r15, r18, r
22. The compound for an organic EL device according to claim 21, wherein 19 and r20 are each 0.
【請求項23】 下記化12で表される請求項1、2、
5または6の有機EL素子用化合物。 【化12】 [化12において、Ar1 、Ar2 およびAr3 は、そ
れぞれアリール基を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。R15、R16およびR20は、それぞれア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよい。r15、r16および
r20は、それぞれ0または1〜4の整数である。R18
は、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表す。r18は、0または
1〜5の整数である。R5 およびR6 は、それぞれアル
キル基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を
表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r
5およびr6は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。]
23. A method according to claim 1, wherein
The compound for organic EL devices of 5 or 6. [Chemical 12] [In Chemical Formula 12, Ar 1 , Ar 2 and Ar 3 each represent an aryl group, and these may be the same or different. R 15 , R 16 and R 20 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r15, r16 and r20 are each 0 or an integer of 1 to 4. R 18
Represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom. r18 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r
5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項24】 前記r5、r6、r15、r16、r
18およびr20が、それぞれ0である請求項23の有
機EL素子用化合物。
24. The r5, r6, r15, r16, r
The compound for an organic EL device according to claim 23, wherein 18 and r20 are each 0.
【請求項25】 下記化13で表される請求項1、2、
5または6の有機EL素子用化合物。 【化13】 [化13において、Ar4 およびAr5 は、それぞれア
リール基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。R15およびR16は、それぞれアルキル基、アル
コキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基ま
たはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。r15およびr16は、それぞれ0ま
たは1〜4の整数である。R17およびR18は、それぞれ
アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ
基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なる
ものであってもよい。r17およびr18は、それぞれ
0または1〜5の整数である。R5 およびR6 は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲ
ン原子を表し、これらは同一でも異なるものであっても
よい。r5およびr6は、それぞれ0または1〜4の整
数である。]
25. The method according to claim 1, represented by the following chemical formula 13,
The compound for organic EL devices of 5 or 6. [Chemical 13] [In Chemical Formula 13, Ar 4 and Ar 5 each represent an aryl group, and these may be the same or different. R 15 and R 16 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r15 and r16 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. R 17 and R 18 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r17 and r18 are 0 or an integer of 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項26】 前記r5、r6、r15、r16、r
17およびr18が、それぞれ0である請求項25の有
機EL素子用化合物。
26. The r5, r6, r15, r16, r
The compound for an organic EL device according to claim 25, wherein 17 and r18 are each 0.
【請求項27】 下記化14で表される請求項1、2、
5または6の有機EL素子用化合物。 【化14】 [化14において、Ar4 およびAr6 は、それぞれア
リール基を表し、これらは同一でも異なるものであって
もよい。R15およびR20は、それぞれアルキル基、アル
コキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アミノ基ま
たはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。r15およびr20は、それぞれ0ま
たは1〜4の整数である。R18およびR19は、それぞれ
アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ
基またはハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なる
ものであってもよい。r18およびr19は、それぞれ
0または1〜5の整数である。R5 およびR6 は、それ
ぞれアルキル基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲ
ン原子を表し、これらは同一でも異なるものであっても
よい。r5およびr6は、それぞれ0または1〜4の整
数である。]
27. A method according to claim 1, wherein
The compound for organic EL devices of 5 or 6. Embedded image [In Chemical Formula 14, Ar 4 and Ar 6 each represent an aryl group, and these may be the same or different. R 15 and R 20 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, and these may be the same or different. r15 and r20 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. R 18 and R 19 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r18 and r19 are 0 or an integer of 1 to 5, respectively. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項28】 前記r5、r6、r15、r18、r
19およびr20が、それぞれ0である請求項27の有
機EL素子用化合物。
28. The r5, r6, r15, r18, r
The compound for an organic EL device according to claim 27, wherein 19 and r20 are each 0.
【請求項29】 下記化15で表される請求項1、2、
5または6の有機EL素子用化合物。 【化15】 [化15において、Ar4 、Ar5 およびAr6 は、そ
れぞれアリール基を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。R15、R16およびR20は、それぞれア
ルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ
基、アミノ基またはハロゲン原子を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよい。r15、r16および
r20は、それぞれ0または1〜4の整数である。R18
は、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ア
ミノ基またはハロゲン原子を表す。r18は、0または
1〜5の整数である。R5 およびR6 は、それぞれアル
キル基、アルコキシ基、アミノ基またはハロゲン原子を
表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。r
5およびr6は、それぞれ0または1〜4の整数であ
る。]
29. The method according to claim 1, 2 or 3,
The compound for organic EL devices of 5 or 6. [Chemical 15] [In Chemical Formula 15, Ar 4 , Ar 5 and Ar 6 each represent an aryl group, and these may be the same or different. R 15 , R 16 and R 20 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r15, r16 and r20 are each 0 or an integer of 1 to 4. R 18
Represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group or a halogen atom. r18 is 0 or an integer of 1 to 5. R 5 and R 6 each represent an alkyl group, an alkoxy group, an amino group or a halogen atom, which may be the same or different. r
5 and r6 are 0 or an integer of 1 to 4, respectively. ]
【請求項30】 前記r5、r6、r15、r16、r
18およびr20が、それぞれ0である請求項29の有
機EL素子用化合物。
30. The r5, r6, r15, r16, r
30. The compound for an organic EL device according to claim 29, wherein 18 and r20 are each 0.
【請求項31】 請求項1〜30のいずれかの有機EL
素子用化合物の少なくとも1種以上を含有する層を少な
くとも1層有する有機EL素子。
31. The organic EL according to claim 1.
An organic EL device having at least one layer containing at least one kind of device compound.
【請求項32】 前記有機EL素子用化合物の少なくと
も1種以上と電子注入輸送機能を有する化合物の少なく
とも1種以上の混合物とを含有する層を少なくとも1層
有する請求項31の有機EL素子。
32. The organic EL device according to claim 31, further comprising at least one layer containing at least one compound of the organic EL device compound and a mixture of at least one compound having an electron injecting and transporting function.
【請求項33】 前記電子輸送機能を有する化合物が、
トリス(8−キノリノラト)アルミニウムである請求項
32の有機EL素子。
33. The compound having an electron transporting function,
33. The organic EL device according to claim 32, which is tris (8-quinolinolato) aluminum.
【請求項34】 前記混合物を含有する層が発光層であ
る請求項32または33の有機EL素子。
34. The organic EL device according to claim 32, wherein the layer containing the mixture is a light emitting layer.
【請求項35】 前記有機EL素子用化合物の少なくと
も1種以上を含有する層の少なくとも1層に蛍光性物質
をドープする請求項31〜34のいずれかの有機EL素
子。
35. The organic EL device according to claim 31, wherein at least one layer containing at least one kind of the compound for organic EL device is doped with a fluorescent substance.
【請求項36】 前記蛍光性物質がルブレンである請求
項35の有機EL素子。
36. The organic EL device according to claim 35, wherein the fluorescent substance is rubrene.
【請求項37】 前記有機EL素子用化合物の少なくと
も1種以上を含有する層が正孔注入輸送層であり、この
正孔注入輸送層と発光層とを有する請求項31〜36の
いずれかの有機EL素子。
37. The hole injecting and transporting layer is a layer containing at least one kind of the compound for organic EL device, and the hole injecting and transporting layer and the light emitting layer are included. Organic EL device.
【請求項38】 前記正孔注入輸送層が組成の異なる2
層以上で構成される請求項37の有機EL素子。
38. The hole injecting and transporting layer is different in composition from 2
38. The organic EL device according to claim 37, which is composed of more than one layer.
【請求項39】 前記正孔注入輸送層の少なくとも1層
がポリチオフェンを含有する請求項38の有機EL素
子。
39. The organic EL device according to claim 38, wherein at least one layer of the hole injecting and transporting layer contains polythiophene.
【請求項40】 電子注入輸送層を有する請求項37〜
39のいずれかの有機EL素子。
40. The method according to claim 37, further comprising an electron injecting and transporting layer.
39. The organic EL device according to any one of 39.
【請求項41】 前記有機EL素子用化合物の少なくと
も1種以上を含有する層が正孔注入輸送機能を有する層
であり、この層に接して発光機能を有する層または電子
注入輸送機能を有する層が設けられており、前記正孔注
入輸送機能を有する層と前記発光機能を有する層または
電子注入輸送機能を有する層とのイオン化ポテンシャル
Ipの差が0.25eV以上である請求項31、35また
は36の有機EL素子。
41. A layer containing at least one kind of the compound for organic EL device is a layer having a hole injecting and transporting function, and a layer having a light emitting function or a layer having an electron injecting and transporting function in contact with this layer. And the difference in ionization potential Ip between the layer having the hole injecting and transporting function and the layer having the light emitting function or the layer having the electron injecting and transporting function is 0.25 eV or more. 36 organic EL devices.
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