JPH0845188A - 記録媒体並びにその記録装置および再生装置 - Google Patents
記録媒体並びにその記録装置および再生装置Info
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- JPH0845188A JPH0845188A JP6177894A JP17789494A JPH0845188A JP H0845188 A JPH0845188 A JP H0845188A JP 6177894 A JP6177894 A JP 6177894A JP 17789494 A JP17789494 A JP 17789494A JP H0845188 A JPH0845188 A JP H0845188A
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スキューが発生したような場合においても、
正確にデータを再生することができるようにする。 【構成】 光ディスクに周期的に基準信号エリアとデー
タエリアとを設ける。基準信号エリアには、同期信号、
ゲイン基準信号、バイアス基準信号の他、ピットの前方
エッジのサンプリングのずれを補正するための位相基準
信号と、ピットの後方エッジのサンプリングのずれを検
出するための位相基準信号とを記録する。
正確にデータを再生することができるようにする。 【構成】 光ディスクに周期的に基準信号エリアとデー
タエリアとを設ける。基準信号エリアには、同期信号、
ゲイン基準信号、バイアス基準信号の他、ピットの前方
エッジのサンプリングのずれを補正するための位相基準
信号と、ピットの後方エッジのサンプリングのずれを検
出するための位相基準信号とを記録する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば光ディスク、光
磁気ディスク等にデータを記録し、再生する場合に用い
て好適な記録媒体並びにその記録装置および再生装置に
関する。
磁気ディスク等にデータを記録し、再生する場合に用い
て好適な記録媒体並びにその記録装置および再生装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＡＶ（角速度一定）モードで用
いられる光ディスクにおいては、各トラックの所定の位
置に周期的にサーボバイト区間を設け、このサーボバイ
ト区間に、基準クロック生成用のクロックピットと、ト
ラッキング用のウォブルドピットを形成するようにして
いる。そして、クロックピットに対応して基準クロック
（チャンネルクロック）を生成し、この基準クロックの
周期の整数倍の長さのピットにより、情報をデジタル的
に記録するようにしている。
いられる光ディスクにおいては、各トラックの所定の位
置に周期的にサーボバイト区間を設け、このサーボバイ
ト区間に、基準クロック生成用のクロックピットと、ト
ラッキング用のウォブルドピットを形成するようにして
いる。そして、クロックピットに対応して基準クロック
（チャンネルクロック）を生成し、この基準クロックの
周期の整数倍の長さのピットにより、情報をデジタル的
に記録するようにしている。
【０００３】また、例えば、ＣＤ（コンパクトディス
ク）のようなＣＬＶ（線速度一定）モードで用いられる
システムにおいては、クロックピットは存在しないが、
記録されたピットの長さおよびピット間隔が、基準クロ
ック（チャンネルクロック）の周期（０．３μｍ）の整
数倍の長さ（ＣＤの場合、約０．９μｍ乃至３．３μｍ
の９種類の長さ）になるように選ばれており（所謂、セ
ルフクロック方式とされており）、再生ＲＦ信号中に含
まれるクロック成分を抽出し、記録された情報をビット
単位に切り出している。
ク）のようなＣＬＶ（線速度一定）モードで用いられる
システムにおいては、クロックピットは存在しないが、
記録されたピットの長さおよびピット間隔が、基準クロ
ック（チャンネルクロック）の周期（０．３μｍ）の整
数倍の長さ（ＣＤの場合、約０．９μｍ乃至３．３μｍ
の９種類の長さ）になるように選ばれており（所謂、セ
ルフクロック方式とされており）、再生ＲＦ信号中に含
まれるクロック成分を抽出し、記録された情報をビット
単位に切り出している。
【０００４】ところで、同じ光ディスクであるビデオデ
ィスクでは、ＣＤよりもはるかに細かいピットの長さの
差でビデオ信号をＦＭ変調して、記録し、再生してい
る。いま、このことを、ＣＡＶモードで半径５５ｍｍの
所に記録される信号を例に挙げて説明する。ビデオディ
スクでは、ビデオ信号中の最も明るい部分を９．３ＭＨ
ｚ、最も暗い部分を７．６ＭＨｚの信号として記録して
おり、これは半径５５ｍｍのディスク上で、それぞれ
１．０７５μｍと１．３１６μｍに相当する。このよう
に記録されたディスクを再生すると、大変美しい映像が
再生されるのは周知の事実である。
ィスクでは、ＣＤよりもはるかに細かいピットの長さの
差でビデオ信号をＦＭ変調して、記録し、再生してい
る。いま、このことを、ＣＡＶモードで半径５５ｍｍの
所に記録される信号を例に挙げて説明する。ビデオディ
スクでは、ビデオ信号中の最も明るい部分を９．３ＭＨ
ｚ、最も暗い部分を７．６ＭＨｚの信号として記録して
おり、これは半径５５ｍｍのディスク上で、それぞれ
１．０７５μｍと１．３１６μｍに相当する。このよう
に記録されたディスクを再生すると、大変美しい映像が
再生されるのは周知の事実である。
【０００５】この映像で、１２８階調の明るさの変化が
表現できているとすると、これは、ディスク上で、ピッ
トの周期が１２８段階以上に細かく変化され、記録さ
れ、これが再生されていることを意味する。つまり、 （１．３１６μｍ−１．０７５μｍ）÷１２８＝０．０
０２μｍ の細かいピット長およびピット間隔の変化が、ビデオ信
号に反映されているのである。
表現できているとすると、これは、ディスク上で、ピッ
トの周期が１２８段階以上に細かく変化され、記録さ
れ、これが再生されていることを意味する。つまり、 （１．３１６μｍ−１．０７５μｍ）÷１２８＝０．０
０２μｍ の細かいピット長およびピット間隔の変化が、ビデオ信
号に反映されているのである。
【０００６】ピットの長さの変化としては、このように
細かい変化が記録できるのにも拘らず、ＣＤにおいて、
ピット長の変化の最小単位を０．３μｍと、大きくしな
ければならないのは、主にその記録再生方法が最適でな
いことによる。
細かい変化が記録できるのにも拘らず、ＣＤにおいて、
ピット長の変化の最小単位を０．３μｍと、大きくしな
ければならないのは、主にその記録再生方法が最適でな
いことによる。
【０００７】本出願人は、特願平３−１６７５８５号と
して、情報ピットの前方または後方エッジの位置を、記
録情報に対応して所定の基準位置からステップ状にシフ
トして、デジタル情報を記録することを先に提案した。
この記録再生方法によれば、ピット長およびピットエッ
ジの位置の変化を非常に高い精度で検出可能であるの
で、これまで不可能であると思われていた微小な変化で
デジタル情報を記録することが可能となり、その結果、
これまで以上の高密度化を実現することができる。
して、情報ピットの前方または後方エッジの位置を、記
録情報に対応して所定の基準位置からステップ状にシフ
トして、デジタル情報を記録することを先に提案した。
この記録再生方法によれば、ピット長およびピットエッ
ジの位置の変化を非常に高い精度で検出可能であるの
で、これまで不可能であると思われていた微小な変化で
デジタル情報を記録することが可能となり、その結果、
これまで以上の高密度化を実現することができる。
【０００８】また、本出願人は特願平５−２０８７６号
として、以上のようにして記録したデータを２次元的に
復号する方法を提案した。即ち、この方法においては、
光ディスク上に教育ピットが予め形成されている。この
教育ピットの前端のエッジＭと後端のエッジＮの組み合
わせ（Ｍ，Ｎ）としては、（０，０）乃至（７，７）の
６４（＝８×８）個の組み合わせが用意されている。こ
の教育ピットを再生し、その再生レベルに対応して、Ｒ
ＡＭ上に基準点をマッピングする。
として、以上のようにして記録したデータを２次元的に
復号する方法を提案した。即ち、この方法においては、
光ディスク上に教育ピットが予め形成されている。この
教育ピットの前端のエッジＭと後端のエッジＮの組み合
わせ（Ｍ，Ｎ）としては、（０，０）乃至（７，７）の
６４（＝８×８）個の組み合わせが用意されている。こ
の教育ピットを再生し、その再生レベルに対応して、Ｒ
ＡＭ上に基準点をマッピングする。
【０００９】そして、通常のデータピットを再生し、そ
の前端エッジと後端エッジの２つの位置における再生Ｒ
Ｆ信号のレベルをサンプリングし、その２つのレベルに
より特定されるＲＡＭ上の点を求める。そして、その点
に最も近い基準点を求め、その基準点が対応する教育ピ
ットのエッジと同一の組み合わせのエッジを、そのデー
タピットが有するものとしてデータを復号するのであ
る。
の前端エッジと後端エッジの２つの位置における再生Ｒ
Ｆ信号のレベルをサンプリングし、その２つのレベルに
より特定されるＲＡＭ上の点を求める。そして、その点
に最も近い基準点を求め、その基準点が対応する教育ピ
ットのエッジと同一の組み合わせのエッジを、そのデー
タピットが有するものとしてデータを復号するのであ
る。
【００１０】図２９は、このような先に提案した光ディ
スクの基本的フォーマットの一例を示している。
スクの基本的フォーマットの一例を示している。
【００１１】この例では、直径１２０ｍｍの反射型（光
ビームの反射面に、ピットが物理的な凹部または凸部に
よって形成されている）光ディスク９１に、ＣＬＶモー
ド、トラックピッチ１．６μｍで、ピット列が記録され
ている。全ての情報は、一定周期１．６７μｍ毎に配置
されたピットの前端（立上り）と、後端（立下り）のエ
ッジ位置の８段階のシフト量として記録されている。こ
のシフト量の１単位である単位シフト量Δは、０．０５
μｍに設定されている。
ビームの反射面に、ピットが物理的な凹部または凸部に
よって形成されている）光ディスク９１に、ＣＬＶモー
ド、トラックピッチ１．６μｍで、ピット列が記録され
ている。全ての情報は、一定周期１．６７μｍ毎に配置
されたピットの前端（立上り）と、後端（立下り）のエ
ッジ位置の８段階のシフト量として記録されている。こ
のシフト量の１単位である単位シフト量Δは、０．０５
μｍに設定されている。
【００１２】このように配列された各ピットのエッジ位
置の８段階のシフト量で、それぞれ３ビットのデジタル
情報を記録することができるので、ピット列方向の線記
録情報密度は０．２８μｍ／ｂｉｔと、現在のＣＤシス
テムの２倍以上となる。
置の８段階のシフト量で、それぞれ３ビットのデジタル
情報を記録することができるので、ピット列方向の線記
録情報密度は０．２８μｍ／ｂｉｔと、現在のＣＤシス
テムの２倍以上となる。
【００１３】尚、ＣＤシステムにおいては、線速度を上
限の１．２ｍ／ｓとした場合においても、ＥＦＭ（Eigh
t to Fourteen Modulation）変調により、記録すべき８
ビットのデータビットが、１４ビットのインフォメーシ
ョンビットと３ビットのマージンビットの合計１７ビッ
トのチャネルビットに変換されて、ディスク上のピット
に記録されるため、このＥＦＭ変調を勘案すると、線記
録情報密度は、約０．６μｍ／ｂｉｔである。即ち、約
０．９μｍの最短ピットが、３チャネルビットに相当す
るから、 （０．９÷３）×（１７÷８）＝約０．６μｍ／ｂｉｔ となる。
限の１．２ｍ／ｓとした場合においても、ＥＦＭ（Eigh
t to Fourteen Modulation）変調により、記録すべき８
ビットのデータビットが、１４ビットのインフォメーシ
ョンビットと３ビットのマージンビットの合計１７ビッ
トのチャネルビットに変換されて、ディスク上のピット
に記録されるため、このＥＦＭ変調を勘案すると、線記
録情報密度は、約０．６μｍ／ｂｉｔである。即ち、約
０．９μｍの最短ピットが、３チャネルビットに相当す
るから、 （０．９÷３）×（１７÷８）＝約０．６μｍ／ｂｉｔ となる。
【００１４】ここで、図３０に示すように、光ディスク
９１に記録されたピットのエッジ位置は、そのピットの
中心の基準位置から、記録すべきデジタル情報に応じて
ステップ状にシフトしているが、そのシフト期間Ｔｓ
（＝Δ×７）は、光学検出系の伝達特性に応じて決まる
ＲＦ信号（再生信号）の過渡期間（０レベルまたは飽和
レベルとなる定常状態以外の期間）である立上り期間ｔ
ｒまたは立下り期間ｔｆよりも小なる期間に相当する範
囲内に設定されている。
９１に記録されたピットのエッジ位置は、そのピットの
中心の基準位置から、記録すべきデジタル情報に応じて
ステップ状にシフトしているが、そのシフト期間Ｔｓ
（＝Δ×７）は、光学検出系の伝達特性に応じて決まる
ＲＦ信号（再生信号）の過渡期間（０レベルまたは飽和
レベルとなる定常状態以外の期間）である立上り期間ｔ
ｒまたは立下り期間ｔｆよりも小なる期間に相当する範
囲内に設定されている。
【００１５】上記ＲＦ信号は、後述する再生装置のピッ
クアップ９３から出力されるものであり、このピックア
ップ９３の伝達特性によって過渡期間が決まる。一般
に、光学系の伝達特性は、その伝達関数（ＯＴＦ：Opti
cal Transfer Function）の絶対値 であるＭＴＦ（Modu
lation Transfer Function）によって規定され、このＭ
ＴＦは、レンズの開口率ＮＡとレーザの波長λに依存し
て決まる。
クアップ９３から出力されるものであり、このピックア
ップ９３の伝達特性によって過渡期間が決まる。一般
に、光学系の伝達特性は、その伝達関数（ＯＴＦ：Opti
cal Transfer Function）の絶対値 であるＭＴＦ（Modu
lation Transfer Function）によって規定され、このＭ
ＴＦは、レンズの開口率ＮＡとレーザの波長λに依存し
て決まる。
【００１６】上記シフト期間Ｔｓで、単位シフト量Δを
０．０５μｍよりもさらに小なる単位量でシフトさせれ
ば、さらに記録密度を高めることができる。
０．０５μｍよりもさらに小なる単位量でシフトさせれ
ば、さらに記録密度を高めることができる。
【００１７】このように記録されたピットの中心の基準
位置に、位相的に同期したサンプリングクロックＳＰの
例えば立上りエッジのタイミングでＲＦ信号をＡ／Ｄ変
換することによって、ピットのエッジ位置のシフト量０
乃至７に対応する再生レベルＬ０乃至Ｌ７を得ることが
できる。このように、ＲＦ信号の過渡期間ｔｒまたはｔ
ｆにおいて、１回だけサンプリングして、その再生レベ
ルＬ０乃至Ｌ７を検出することができる条件は、 シフト期間Ｔｓ≦過渡期間（立上り期間ｔｒまたは立下
り期間ｔｆ） ということになる。
位置に、位相的に同期したサンプリングクロックＳＰの
例えば立上りエッジのタイミングでＲＦ信号をＡ／Ｄ変
換することによって、ピットのエッジ位置のシフト量０
乃至７に対応する再生レベルＬ０乃至Ｌ７を得ることが
できる。このように、ＲＦ信号の過渡期間ｔｒまたはｔ
ｆにおいて、１回だけサンプリングして、その再生レベ
ルＬ０乃至Ｌ７を検出することができる条件は、 シフト期間Ｔｓ≦過渡期間（立上り期間ｔｒまたは立下
り期間ｔｆ） ということになる。
【００１８】ここで、サンプリングクロックＳＰによる
サンプリングタイミングとしては、シフト期間Ｔｓの中
央に対応するタイミングが望ましく、このタイミングと
することにより、ＲＦ信号の過渡期間の全範囲に渡って
再生レベルを検出することが可能となる。
サンプリングタイミングとしては、シフト期間Ｔｓの中
央に対応するタイミングが望ましく、このタイミングと
することにより、ＲＦ信号の過渡期間の全範囲に渡って
再生レベルを検出することが可能となる。
【００１９】また、この例においては、ディスクを、光
ビームの反射面に物理的な凹部または凸部としてピット
が形成された、いわゆる反射型の光ディスクとしたが、
この原理は、光磁気膜の部分的な磁化の反転によってピ
ット（マーク）を形成する、いわゆるＭＯ（Magneto Op
tical）ディスク（光磁気ディスク）等にも適用するこ
とが可能である。
ビームの反射面に物理的な凹部または凸部としてピット
が形成された、いわゆる反射型の光ディスクとしたが、
この原理は、光磁気膜の部分的な磁化の反転によってピ
ット（マーク）を形成する、いわゆるＭＯ（Magneto Op
tical）ディスク（光磁気ディスク）等にも適用するこ
とが可能である。
【００２０】光ディスク９１上に記録されるデジタル情
報は、３ビット単位に切り出され、記録データ（符号）
ａnとｂnとして、ｎ番目のピットに記録される。図３１
は、この様子を示したもので、ピットの前端エッジが記
録データａnに応じて０乃至７の８個のシフト位置のい
ずれかに設定される。同様にして、後端エッジの位置も
記録データｂnに応じて０乃至７の８個のシフト位置の
いずれかに設定される。各シフト位置のピッチΔは、先
に述べたように０．０５μｍである。その結果、各ピッ
トの長さＬＰは、記録データａn，ｂnがいずれもシフト
位置０のエッジに形成されたとき、最も短い長さＬＰ＝
０．５μｍとなる。
報は、３ビット単位に切り出され、記録データ（符号）
ａnとｂnとして、ｎ番目のピットに記録される。図３１
は、この様子を示したもので、ピットの前端エッジが記
録データａnに応じて０乃至７の８個のシフト位置のい
ずれかに設定される。同様にして、後端エッジの位置も
記録データｂnに応じて０乃至７の８個のシフト位置の
いずれかに設定される。各シフト位置のピッチΔは、先
に述べたように０．０５μｍである。その結果、各ピッ
トの長さＬＰは、記録データａn，ｂnがいずれもシフト
位置０のエッジに形成されたとき、最も短い長さＬＰ＝
０．５μｍとなる。
【００２１】再び図２９に戻り、光ディスク９１におい
ては、記録データに対応して形成された４３個のデータ
ピットからなるデータ領域と他のデータ領域の間に、サ
ーボ用の６個のサーボピットＰ１乃至Ｐ６からなるサー
ボ領域が挿入されている。このサーボ領域に記録された
６個のピットのうち、ピットＰ６は教育ピットとされ、
ピットＰ１乃至Ｐ５は基準ピットとされている。教育ピ
ットＰ６の図中左側の前端エッジは、その位置が０から
７の８段階のシフト位置の何れかの位置Ｍに設定されて
おり、また図中右側の後端エッジも、０から７までの８
段階のシフト位置の何れかの位置Ｎに設定されている。
ては、記録データに対応して形成された４３個のデータ
ピットからなるデータ領域と他のデータ領域の間に、サ
ーボ用の６個のサーボピットＰ１乃至Ｐ６からなるサー
ボ領域が挿入されている。このサーボ領域に記録された
６個のピットのうち、ピットＰ６は教育ピットとされ、
ピットＰ１乃至Ｐ５は基準ピットとされている。教育ピ
ットＰ６の図中左側の前端エッジは、その位置が０から
７の８段階のシフト位置の何れかの位置Ｍに設定されて
おり、また図中右側の後端エッジも、０から７までの８
段階のシフト位置の何れかの位置Ｎに設定されている。
【００２２】教育ピットＰ６の前端エッジの位置Ｍと後
端エッジの位置Ｎは、各サーボ領域において、それぞれ
異なる組み合わせになるように、規則的に組み合わせが
設定されている。即ち、ＭとＮが最初のサーボ領域にお
いては、（０，０）とされ、次のサーボ領域においては
（０，１）とされる。以下同様に、（０，２），（０，
３），・・・，（７，６），（７，７）と規則的に組み
合わせが設定されている。これにより、６４（＝８×
８）個のサーボ領域を再生することで、教育ピットＰ６
の前端エッジと後端エッジの全てのあり得る位置の組み
合わせを検出することができる。
端エッジの位置Ｎは、各サーボ領域において、それぞれ
異なる組み合わせになるように、規則的に組み合わせが
設定されている。即ち、ＭとＮが最初のサーボ領域にお
いては、（０，０）とされ、次のサーボ領域においては
（０，１）とされる。以下同様に、（０，２），（０，
３），・・・，（７，６），（７，７）と規則的に組み
合わせが設定されている。これにより、６４（＝８×
８）個のサーボ領域を再生することで、教育ピットＰ６
の前端エッジと後端エッジの全てのあり得る位置の組み
合わせを検出することができる。
【００２３】基準ピットＰ２乃至Ｐ４は、（０，０）と
（７，７）の基準位置のデータを得るためのピットであ
る。この基準位置データは、理論的には、例えばピット
Ｐ１またはＰ５の両端のエッジに形成することも可能で
ある。しかしながら、そのようにすると、隣接するデー
タ領域からの干渉の割合が記録データによって変化する
ことになるため、この例のように、ダミーの基準ピット
Ｐ１とＰ５（そのデータは常に固定されている）の間の
ピットＰ２乃至Ｐ４に基準位置データを形成するのが好
ましい。
（７，７）の基準位置のデータを得るためのピットであ
る。この基準位置データは、理論的には、例えばピット
Ｐ１またはＰ５の両端のエッジに形成することも可能で
ある。しかしながら、そのようにすると、隣接するデー
タ領域からの干渉の割合が記録データによって変化する
ことになるため、この例のように、ダミーの基準ピット
Ｐ１とＰ５（そのデータは常に固定されている）の間の
ピットＰ２乃至Ｐ４に基準位置データを形成するのが好
ましい。
【００２４】また、クロック生成基準としてのエッジ
も、基準ピットＰ１乃至Ｐ５の間のいずれかのエッジと
すれば、記録データに影響されずに、正確にクロックを
生成することができる。
も、基準ピットＰ１乃至Ｐ５の間のいずれかのエッジと
すれば、記録データに影響されずに、正確にクロックを
生成することができる。
【００２５】図３２は、光ディスク９１の平面的な構造
を簡単に説明するものである。トラックピッチ１．６μ
ｍで記録された信号は、ＣＬＶモードで記録されている
ので、隣合うトラック間ではピット位置の位相は合わ
ず、この図に示されたように、ばらばらの位相でディス
ク上に記録されている。
を簡単に説明するものである。トラックピッチ１．６μ
ｍで記録された信号は、ＣＬＶモードで記録されている
ので、隣合うトラック間ではピット位置の位相は合わ
ず、この図に示されたように、ばらばらの位相でディス
ク上に記録されている。
【００２６】図３３は、光ディスク再生装置の一例の構
成を示すブロック図である。光ディスク９１は、スピン
ドルモータ９２により回転されるようになされている。
この光ディスク９１には、図２９および図３０に示した
原理に基づいてデジタル情報が記録されている。即ち、
ピットの前端と後端のエッジの少なくとも一方の位置を
所定の基準位置からステップ状にシフトすることによ
り、デジタル情報が記録されている。そして、この光デ
ィスク９１には、一定の周期でサーボ領域が形成されて
おり、そこには、基準ピットＰ１乃至Ｐ５と、教育ピッ
トＰ６が形成されている。データ領域には、データピッ
トが形成されているのはもとよりである。
成を示すブロック図である。光ディスク９１は、スピン
ドルモータ９２により回転されるようになされている。
この光ディスク９１には、図２９および図３０に示した
原理に基づいてデジタル情報が記録されている。即ち、
ピットの前端と後端のエッジの少なくとも一方の位置を
所定の基準位置からステップ状にシフトすることによ
り、デジタル情報が記録されている。そして、この光デ
ィスク９１には、一定の周期でサーボ領域が形成されて
おり、そこには、基準ピットＰ１乃至Ｐ５と、教育ピッ
トＰ６が形成されている。データ領域には、データピッ
トが形成されているのはもとよりである。
【００２７】ピックアップ９３は、光ディスク９１に対
してレーザ光を照射し、その反射光から光ディスク９１
に記録されている信号を再生する。ピックアップ９３が
出力するＲＦ信号は、ヘッドアンプ９４により増幅さ
れ、Ａ／Ｄ変換回路９５とＰＬＬ回路９６に供給される
ようになされている。
してレーザ光を照射し、その反射光から光ディスク９１
に記録されている信号を再生する。ピックアップ９３が
出力するＲＦ信号は、ヘッドアンプ９４により増幅さ
れ、Ａ／Ｄ変換回路９５とＰＬＬ回路９６に供給される
ようになされている。
【００２８】ＰＬＬ回路９６は、入力信号から、所定の
ピット（例えば基準ピットＰ２）のエッジをクロック成
分として抽出するものである。通常のＣＤシステムなど
で使用されるＰＬＬ回路は、全てのＲＦ信号を使ってク
ロック再生を行うが、この例の場合は、サーボ領域のＲ
Ｆ信号のみを使ってクロック再生を行う。即ち、サーボ
領域のピットは、記録データで変調されていないので、
そこから記録データの影響を一切受けずに、安定なクロ
ック再生を行うことが可能となる。
ピット（例えば基準ピットＰ２）のエッジをクロック成
分として抽出するものである。通常のＣＤシステムなど
で使用されるＰＬＬ回路は、全てのＲＦ信号を使ってク
ロック再生を行うが、この例の場合は、サーボ領域のＲ
Ｆ信号のみを使ってクロック再生を行う。即ち、サーボ
領域のピットは、記録データで変調されていないので、
そこから記録データの影響を一切受けずに、安定なクロ
ック再生を行うことが可能となる。
【００２９】一方、ヘッドアンプ９４が出力するＲＦ信
号は、Ａ／Ｄ変換回路９５に入力され、ＰＬＬ回路９６
の出力するサンプリングクロックＳＰの立上りのタイミ
ングで、８ビットの２５６段階のレベルを示すデジタル
データ（再生レベル）にＡ／Ｄ変換される。この８ビッ
トのデータがバイアス除去回路９７に供給され、このバ
イアス除去回路９７によりバイアス成分が除去された
後、自動利得制御（ＡＧＣ）回路９８に入力され、その
利得が制御される。ＡＧＣ回路９８の出力は、非線形イ
コライザ９９を介して誤り検出訂正（ＥＣＣ）回路１０
０に入力される。誤り検出訂正回路１００は、入力され
たデータの誤りを検出、訂正した後、例えば図示せぬＤ
／Ａ変換回路を介して、アナログオーディオアンプに出
力する。
号は、Ａ／Ｄ変換回路９５に入力され、ＰＬＬ回路９６
の出力するサンプリングクロックＳＰの立上りのタイミ
ングで、８ビットの２５６段階のレベルを示すデジタル
データ（再生レベル）にＡ／Ｄ変換される。この８ビッ
トのデータがバイアス除去回路９７に供給され、このバ
イアス除去回路９７によりバイアス成分が除去された
後、自動利得制御（ＡＧＣ）回路９８に入力され、その
利得が制御される。ＡＧＣ回路９８の出力は、非線形イ
コライザ９９を介して誤り検出訂正（ＥＣＣ）回路１０
０に入力される。誤り検出訂正回路１００は、入力され
たデータの誤りを検出、訂正した後、例えば図示せぬＤ
／Ａ変換回路を介して、アナログオーディオアンプに出
力する。
【００３０】図３４は、バイアス除去回路９７とＡＧＣ
回路９８の構成例を示している。バイアス除去回路９７
は、Ａ／Ｄ変換回路９５の出力をラッチするラッチ回路
１１１，１１２，１２１，１２３と、ラッチ回路１１１
の出力からラッチ回路１２１の出力を減算する減算回路
１２２、およびラッチ回路１１２の出力からラッチ回路
１２３の出力を減算する減算回路１２４とにより構成さ
れている。
回路９８の構成例を示している。バイアス除去回路９７
は、Ａ／Ｄ変換回路９５の出力をラッチするラッチ回路
１１１，１１２，１２１，１２３と、ラッチ回路１１１
の出力からラッチ回路１２１の出力を減算する減算回路
１２２、およびラッチ回路１１２の出力からラッチ回路
１２３の出力を減算する減算回路１２４とにより構成さ
れている。
【００３１】また、ＡＧＣ回路９８は、減算回路１２２
の出力をラッチするラッチ回路１３１、ラッチ回路１３
１の出力から所定の目標振幅を減算する減算回路１３
２、減算回路１３２の出力に対応して、減算回路１２２
の出力のレベルを制御するゲイン可変アンプ１３３、減
算回路１２４の出力をラッチするラッチ回路１３４、ラ
ッチ回路１３４の出力から所定の目標振幅を減算する減
算回路１３５、減算回路１３５の出力に対応して、減算
回路１２４の出力のレベルを制御するゲイン可変アンプ
１３６とにより構成されている。ゲイン可変アンプ１３
３または１３６の出力がスイッチ１３７により選択さ
れ、出力されるようになされている。
の出力をラッチするラッチ回路１３１、ラッチ回路１３
１の出力から所定の目標振幅を減算する減算回路１３
２、減算回路１３２の出力に対応して、減算回路１２２
の出力のレベルを制御するゲイン可変アンプ１３３、減
算回路１２４の出力をラッチするラッチ回路１３４、ラ
ッチ回路１３４の出力から所定の目標振幅を減算する減
算回路１３５、減算回路１３５の出力に対応して、減算
回路１２４の出力のレベルを制御するゲイン可変アンプ
１３６とにより構成されている。ゲイン可変アンプ１３
３または１３６の出力がスイッチ１３７により選択さ
れ、出力されるようになされている。
【００３２】尚、このゲイン可変アンプ１３３，１３６
は、ＲＯＭにより構成することができる。この場合、こ
のＲＯＭに減算回路１２２と１３２（１２４と１３５）
の出力をアドレスとして入力し、そのアドレスに対応す
るデータを読み出すようにする。
は、ＲＯＭにより構成することができる。この場合、こ
のＲＯＭに減算回路１２２と１３２（１２４と１３５）
の出力をアドレスとして入力し、そのアドレスに対応す
るデータを読み出すようにする。
【００３３】次に、図３４の例の動作について、図３５
のサーボ領域のパターンと、図３６のタイミングチャー
トを参照して説明する。図３５に示すように、基準ピッ
トＰ２の後端と基準ピットＰ４の前端には、基準位置デ
ータ０が記録されている。また、基準ピットＰ３の前端
と後端には、基準位置データ７がそれぞれ記録されてい
る。
のサーボ領域のパターンと、図３６のタイミングチャー
トを参照して説明する。図３５に示すように、基準ピッ
トＰ２の後端と基準ピットＰ４の前端には、基準位置デ
ータ０が記録されている。また、基準ピットＰ３の前端
と後端には、基準位置データ７がそれぞれ記録されてい
る。
【００３４】図３５（図３６（Ａ））に示すデータピッ
トや基準ピット、教育ピットなどを再生して、図３６
（Ｂ）に示すようなＲＦ信号が得られる。このＲＦ信号
がＡ／Ｄ変換回路９５に入力され、図３６（Ｃ）に示す
クロックのタイミングでＡ／Ｄ変換される。即ち、Ａ／
Ｄ変換回路９５は、各ピットの前端と後端のエッジに対
応するレベルをサンプリングすることになる。
トや基準ピット、教育ピットなどを再生して、図３６
（Ｂ）に示すようなＲＦ信号が得られる。このＲＦ信号
がＡ／Ｄ変換回路９５に入力され、図３６（Ｃ）に示す
クロックのタイミングでＡ／Ｄ変換される。即ち、Ａ／
Ｄ変換回路９５は、各ピットの前端と後端のエッジに対
応するレベルをサンプリングすることになる。
【００３５】ラッチ回路１１１は、図３６（Ｄ）に示す
ＡＣＬＫ信号に対応して、Ａ／Ｄ変換回路９５の出力を
ラッチする。このＡＣＬＫ信号は、各ピットの後端のエ
ッジのデータをラッチするタイミングで発生される。従
って、ラッチ回路１１１には、各ピットの後端のエッジ
に対応するデータがラッチされることになる。また、ラ
ッチ回路１２１は、図３６（Ｆ）に示すＲＡＣＬＫ信号
により、Ａ／Ｄ変換回路９５の出力をラッチする。この
ＲＡＣＬＫ信号は、基準ピットＰ２の後端の基準位置デ
ータ０をラッチするタイミングで発生されるため、ラッ
チ回路１２１には、基準ピットＰ２の後端の基準位置デ
ータ０がラッチされる。減算回路１２２は、ラッチ回路
１１１がラッチした各ピットの後端エッジのデータか
ら、ラッチ回路１２１がラッチした後端の基準位置デー
タ０を減算する。
ＡＣＬＫ信号に対応して、Ａ／Ｄ変換回路９５の出力を
ラッチする。このＡＣＬＫ信号は、各ピットの後端のエ
ッジのデータをラッチするタイミングで発生される。従
って、ラッチ回路１１１には、各ピットの後端のエッジ
に対応するデータがラッチされることになる。また、ラ
ッチ回路１２１は、図３６（Ｆ）に示すＲＡＣＬＫ信号
により、Ａ／Ｄ変換回路９５の出力をラッチする。この
ＲＡＣＬＫ信号は、基準ピットＰ２の後端の基準位置デ
ータ０をラッチするタイミングで発生されるため、ラッ
チ回路１２１には、基準ピットＰ２の後端の基準位置デ
ータ０がラッチされる。減算回路１２２は、ラッチ回路
１１１がラッチした各ピットの後端エッジのデータか
ら、ラッチ回路１２１がラッチした後端の基準位置デー
タ０を減算する。
【００３６】同様にして、ラッチ回路１１２には、図３
６（Ｅ）に示すＢＣＬＫ信号のタイミングで、各ピット
の前端のエッジに対応するデータがラッチされ、ラッチ
回路１２３には、図３６（Ｇ）に示すＲＢＣＬＫ信号の
タイミングで、基準ピットＰ４の前端の基準位置データ
０がラッチされる。そして、減算回路１２４は、ラッチ
回路１１２にラッチされた各ピットの前端エッジのデー
タから、ラッチ回路１２３にラッチされた前端エッジの
基準位置データ０を減算する。
６（Ｅ）に示すＢＣＬＫ信号のタイミングで、各ピット
の前端のエッジに対応するデータがラッチされ、ラッチ
回路１２３には、図３６（Ｇ）に示すＲＢＣＬＫ信号の
タイミングで、基準ピットＰ４の前端の基準位置データ
０がラッチされる。そして、減算回路１２４は、ラッチ
回路１１２にラッチされた各ピットの前端エッジのデー
タから、ラッチ回路１２３にラッチされた前端エッジの
基準位置データ０を減算する。
【００３７】このように、各ピットのエッジ位置に対応
するデータから、位置０におけるデータを減算すること
により、再生信号のＤＣ成分（バイアス成分）を除去す
ることができる。これにより、光ディスク９１やピック
アップ９３の光学系のバラツキ等に起因して、各ピット
のエッジのシフト位置に対応する再生レベル（絶対的レ
ベル）が変化したとしても、正しいシフト位置を正確に
判定することが可能となる。
するデータから、位置０におけるデータを減算すること
により、再生信号のＤＣ成分（バイアス成分）を除去す
ることができる。これにより、光ディスク９１やピック
アップ９３の光学系のバラツキ等に起因して、各ピット
のエッジのシフト位置に対応する再生レベル（絶対的レ
ベル）が変化したとしても、正しいシフト位置を正確に
判定することが可能となる。
【００３８】減算回路１２２の出力は、さらにラッチ回
路１３１において、図３６（Ｈ）のＫＡＣＬＫ信号のタ
イミングでラッチされる。即ち、ラッチ回路１３１に
は、基準ピットＰ３の前端のエッジに記録されている基
準位置データ７がラッチされる。このラッチ回路１３１
の出力から、減算回路１３２において予め設定された目
標振幅が減算される。そして、その差がゲイン可変アン
プ１３３に供給される。
路１３１において、図３６（Ｈ）のＫＡＣＬＫ信号のタ
イミングでラッチされる。即ち、ラッチ回路１３１に
は、基準ピットＰ３の前端のエッジに記録されている基
準位置データ７がラッチされる。このラッチ回路１３１
の出力から、減算回路１３２において予め設定された目
標振幅が減算される。そして、その差がゲイン可変アン
プ１３３に供給される。
【００３９】ゲイン可変アンプ１３３は、減算回路１１
２より供給される信号に対応して、減算回路１２２より
供給される信号のゲインを調整する。即ち、これによ
り、ゲイン可変アンプ１３３より出力される信号の、基
準位置データ７のレベルが目標振幅になるように設定さ
れる。
２より供給される信号に対応して、減算回路１２２より
供給される信号のゲインを調整する。即ち、これによ
り、ゲイン可変アンプ１３３より出力される信号の、基
準位置データ７のレベルが目標振幅になるように設定さ
れる。
【００４０】同様にして、ラッチ回路１３４において、
図３６（Ｉ）のＫＢＣＬＫ信号のタイミングで、減算回
路１２４の出力がラッチされる。即ち、このラッチ回路
１３４には、基準ピットＰ３の後端のエッジに記録され
ている基準位置データ７がラッチされる。このラッチ回
路１３４によりラッチされたデータは、減算回路１３５
において目標振幅が減算された後、ゲイン可変アンプ１
３６に供給される。
図３６（Ｉ）のＫＢＣＬＫ信号のタイミングで、減算回
路１２４の出力がラッチされる。即ち、このラッチ回路
１３４には、基準ピットＰ３の後端のエッジに記録され
ている基準位置データ７がラッチされる。このラッチ回
路１３４によりラッチされたデータは、減算回路１３５
において目標振幅が減算された後、ゲイン可変アンプ１
３６に供給される。
【００４１】ゲイン可変アンプ１３６は、減算回路１３
５より供給される信号に対応して、減算回路１２４より
供給される信号のゲインを調整する。即ち、これによ
り、ゲイン可変アンプ１３６より出力される信号の、基
準位置データ７のレベルが予め設定された目標振幅にな
るように調整される。
５より供給される信号に対応して、減算回路１２４より
供給される信号のゲインを調整する。即ち、これによ
り、ゲイン可変アンプ１３６より出力される信号の、基
準位置データ７のレベルが予め設定された目標振幅にな
るように調整される。
【００４２】このように、ＡＧＣ回路９８により利得を
調整することにより、光ディスク９１に局部的に特性の
バラツキがあったような場合においても、データを正確
に読み取ることが可能となる。
調整することにより、光ディスク９１に局部的に特性の
バラツキがあったような場合においても、データを正確
に読み取ることが可能となる。
【００４３】
【発明が解決しようとする課題】以上の如く、先に提案
した光ディスク９１においては、サーボ領域中の所定の
ピットのエッジに対応する信号を同期信号として検出
し、ＰＬＬ回路９６において、この同期信号に同期した
サンプリングクロックを生成し、このサンプリングクロ
ックに対応して、Ａ／Ｄ変換回路９５において再生信号
をサンプリングするようにしている。
した光ディスク９１においては、サーボ領域中の所定の
ピットのエッジに対応する信号を同期信号として検出
し、ＰＬＬ回路９６において、この同期信号に同期した
サンプリングクロックを生成し、このサンプリングクロ
ックに対応して、Ａ／Ｄ変換回路９５において再生信号
をサンプリングするようにしている。
【００４４】その結果、光ディスク９１がピックアップ
９３に対して傾いた状態で取り付けられ、スキューが発
生したような場合において、ＰＬＬ回路９６で生成した
サンプリングクロックに位相ずれが発生する。この位相
ずれは、基本的には、ＰＬＬ回路９６の動作により吸収
されるものであるが、完全にはこれを吸収することがで
きない。ＰＬＬ回路９６のサーボ帯域を狭くして、この
ずれの量を小さくすることは可能であるが、このサーボ
帯域をあまり小さくし過ぎると、外乱などが発生したと
き、ＰＬＬ回路９６のロックがすぐに外れてしまうこと
になる。そこで、ある程度の帯域幅を確保する必要が生
じるが、帯域を広くすれば、位相ずれの微細な調整は困
難になる。
９３に対して傾いた状態で取り付けられ、スキューが発
生したような場合において、ＰＬＬ回路９６で生成した
サンプリングクロックに位相ずれが発生する。この位相
ずれは、基本的には、ＰＬＬ回路９６の動作により吸収
されるものであるが、完全にはこれを吸収することがで
きない。ＰＬＬ回路９６のサーボ帯域を狭くして、この
ずれの量を小さくすることは可能であるが、このサーボ
帯域をあまり小さくし過ぎると、外乱などが発生したと
き、ＰＬＬ回路９６のロックがすぐに外れてしまうこと
になる。そこで、ある程度の帯域幅を確保する必要が生
じるが、帯域を広くすれば、位相ずれの微細な調整は困
難になる。
【００４５】このようなことから、光ディスク９１に記
録するピットの間隔、あるいはピットのエッジのシフト
量を、ある程度大きな値に設定しておく必要が生じ、記
録密度の向上の妨げとなる。
録するピットの間隔、あるいはピットのエッジのシフト
量を、ある程度大きな値に設定しておく必要が生じ、記
録密度の向上の妨げとなる。
【００４６】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、サンプリングクロックの微細な位相ずれを
調整することができるようにし、以て、より高密度の記
録を可能にするものである。
ものであり、サンプリングクロックの微細な位相ずれを
調整することができるようにし、以て、より高密度の記
録を可能にするものである。
【００４７】
【課題を解決するための手段】本発明の記録媒体は、所
定の周期で形成されたピットの前方エッジと後方エッジ
の位置を、記録データに対応して、基準位置からステッ
プ状に所定の位置にシフトさせることにより記録データ
が記録され、サンプリングクロックに同期して再生信号
をサンプリングし、記録データを読み取る記録媒体にお
いて、記録データを記録した第１のエリア（例えば図３
のデータエリア４Ｂ）と、第１のエリアに記録されてい
る記録データを読み取るための基準信号（例えば同期信
号、ゲイン基準信号、バイアス基準信号、位相基準信
号）を記録した第２のエリア（例えば図３の基準信号エ
リア４Ａ）を周期的に形成し、基準信号として、サンプ
リングクロックの位相を微調整する基準となる位相基準
信号を記録したことを特徴とする。
定の周期で形成されたピットの前方エッジと後方エッジ
の位置を、記録データに対応して、基準位置からステッ
プ状に所定の位置にシフトさせることにより記録データ
が記録され、サンプリングクロックに同期して再生信号
をサンプリングし、記録データを読み取る記録媒体にお
いて、記録データを記録した第１のエリア（例えば図３
のデータエリア４Ｂ）と、第１のエリアに記録されてい
る記録データを読み取るための基準信号（例えば同期信
号、ゲイン基準信号、バイアス基準信号、位相基準信
号）を記録した第２のエリア（例えば図３の基準信号エ
リア４Ａ）を周期的に形成し、基準信号として、サンプ
リングクロックの位相を微調整する基準となる位相基準
信号を記録したことを特徴とする。
【００４８】位相相基準信号には、連続する３個の第
１、第２および第３のエッジの位置により構成される第
１のパターンの信号と、連続する他の３個の第４、第５
および第６のエッジの位置により構成される、第１のパ
ターンと相補的な第２のパターンの信号を含めることが
できる。
１、第２および第３のエッジの位置により構成される第
１のパターンの信号と、連続する他の３個の第４、第５
および第６のエッジの位置により構成される、第１のパ
ターンと相補的な第２のパターンの信号を含めることが
できる。
【００４９】第１のパターンを構成する第１のエッジの
位置は、基準位置に近い第１の位置とし、第３のエッジ
の位置は、基準位置から遠い第３の位置とし、第２のエ
ッジの位置は、任意の第２の位置とし、第２のパターン
を構成する第４のエッジの位置は、基準位置から遠い第
３の位置とし、第６のエッジの位置は、基準位置に近い
第１の位置とし、第５のエッジの位置は、第２の位置と
することができる。
位置は、基準位置に近い第１の位置とし、第３のエッジ
の位置は、基準位置から遠い第３の位置とし、第２のエ
ッジの位置は、任意の第２の位置とし、第２のパターン
を構成する第４のエッジの位置は、基準位置から遠い第
３の位置とし、第６のエッジの位置は、基準位置に近い
第１の位置とし、第５のエッジの位置は、第２の位置と
することができる。
【００５０】また、この場合、第１の位置は、基準位置
に最も近い位置とし、第３の位置は、基準位置から最も
遠い位置とすることができる。また、第２の位置は、第
１の位置と第３の位置の一方と同じ位置とすることがで
きる。
に最も近い位置とし、第３の位置は、基準位置から最も
遠い位置とすることができる。また、第２の位置は、第
１の位置と第３の位置の一方と同じ位置とすることがで
きる。
【００５１】基準信号には、基準位置に最も近いエッジ
における再生信号のレベルを調整するためのバイアス基
準信号と、基準位置から最も遠いエッジにおける再生信
号のレベルを調整するためのゲイン基準信号の少なくと
も一方を含み、第１乃至第６のエッジの少なくとも一部
は、バイアス基準信号とゲイン基準信号のためのエッジ
の少なくとも一部を構成させるようにすることができ
る。
における再生信号のレベルを調整するためのバイアス基
準信号と、基準位置から最も遠いエッジにおける再生信
号のレベルを調整するためのゲイン基準信号の少なくと
も一方を含み、第１乃至第６のエッジの少なくとも一部
は、バイアス基準信号とゲイン基準信号のためのエッジ
の少なくとも一部を構成させるようにすることができ
る。
【００５２】位相基準信号には、前方エッジにおける再
生信号をサンプリングする第１のサンプリングクロック
の位相を微調整するための第１の位相基準信号と、後方
エッジにおける再生信号をサンプリングする第２のサン
プリングクロックの位相を微調整するための第２の位相
基準信号とを含めるようにすることができる。
生信号をサンプリングする第１のサンプリングクロック
の位相を微調整するための第１の位相基準信号と、後方
エッジにおける再生信号をサンプリングする第２のサン
プリングクロックの位相を微調整するための第２の位相
基準信号とを含めるようにすることができる。
【００５３】この基準信号には、サンプリングクロック
を生成するための同期信号をさらに含めるようにするこ
とができる。
を生成するための同期信号をさらに含めるようにするこ
とができる。
【００５４】位相基準信号には、前方エッジにおける再
生信号をサンプリングする第１のサンプリングクロック
の位相を微調整するための第１の位相基準信号と、後方
エッジにおける再生信号をサンプリングする第２のサン
プリングクロックの位相を微調整するための第２の位相
基準信号とを含め、エッジのシフト位置を、基準位置に
最も近い位置０から、基準位置から最も遠い位置７まで
の８個の位置のいずれかの位置とし、位置７またはそれ
に近い位置を位置Ａとし、位置０またはそれに近い位置
を位置Ｂとするとき、第１および第２の位相基準信号、
バイアス基準信号並びにゲイン基準信号は、位置Ａ、位
置Ａ、位置Ｂ、位置Ｂ、位置Ｂ、位置Ａ、位置Ａの連続
する７個のエッジにより構成することができる。あるい
は、位置Ｂ、位置Ｂ、位置Ａ、位置Ａ、位置Ａ、位置
Ｂ、位置Ｂの連続する７個のエッジにより構成すること
ができる。
生信号をサンプリングする第１のサンプリングクロック
の位相を微調整するための第１の位相基準信号と、後方
エッジにおける再生信号をサンプリングする第２のサン
プリングクロックの位相を微調整するための第２の位相
基準信号とを含め、エッジのシフト位置を、基準位置に
最も近い位置０から、基準位置から最も遠い位置７まで
の８個の位置のいずれかの位置とし、位置７またはそれ
に近い位置を位置Ａとし、位置０またはそれに近い位置
を位置Ｂとするとき、第１および第２の位相基準信号、
バイアス基準信号並びにゲイン基準信号は、位置Ａ、位
置Ａ、位置Ｂ、位置Ｂ、位置Ｂ、位置Ａ、位置Ａの連続
する７個のエッジにより構成することができる。あるい
は、位置Ｂ、位置Ｂ、位置Ａ、位置Ａ、位置Ａ、位置
Ｂ、位置Ｂの連続する７個のエッジにより構成すること
ができる。
【００５５】本発明の記録装置は、上記した記録媒体に
データを記録する記録装置において、記録データに対応
する信号を発生する第１の発生手段（例えば図１の変換
回路１２）と、基準信号を発生する第２の発生手段（例
えば図１の補正基準信号発生回路１４）と、第１の発生
手段の出力と第２の発生手段の出力の一方を選択する選
択手段（例えば図１のスイッチ１３）と、選択手段によ
り選択された信号に対応するエッジ位置を計算する計算
手段（例えば図１の記録エッジ位置計算回路１５）とを
備えることを特徴とする。
データを記録する記録装置において、記録データに対応
する信号を発生する第１の発生手段（例えば図１の変換
回路１２）と、基準信号を発生する第２の発生手段（例
えば図１の補正基準信号発生回路１４）と、第１の発生
手段の出力と第２の発生手段の出力の一方を選択する選
択手段（例えば図１のスイッチ１３）と、選択手段によ
り選択された信号に対応するエッジ位置を計算する計算
手段（例えば図１の記録エッジ位置計算回路１５）とを
備えることを特徴とする。
【００５６】基準信号が、基準位置に最も近いエッジに
おける再生信号のレベルを調整するためのバイアス基準
信号と、基準位置から最も遠いエッジにおける再生信号
のレベルを調整するためのゲイン基準信号と、サンプリ
ングクロックを生成するための同期信号の少なくとも１
つを含む場合、第２の発生手段は、バイアス基準信号を
発生するバイアス基準信号発生手段（例えば図２のバイ
アス基準信号発生回路２３）と、ゲイン基準信号を発生
するゲイン基準信号発生手段（例えば図２のゲイン基準
信号発生回路２２）と、同期信号を発生する同期信号発
生手段（例えば図２の同期信号発生回路２１）のうちの
少なくとも１つを含むようにすることができる。
おける再生信号のレベルを調整するためのバイアス基準
信号と、基準位置から最も遠いエッジにおける再生信号
のレベルを調整するためのゲイン基準信号と、サンプリ
ングクロックを生成するための同期信号の少なくとも１
つを含む場合、第２の発生手段は、バイアス基準信号を
発生するバイアス基準信号発生手段（例えば図２のバイ
アス基準信号発生回路２３）と、ゲイン基準信号を発生
するゲイン基準信号発生手段（例えば図２のゲイン基準
信号発生回路２２）と、同期信号を発生する同期信号発
生手段（例えば図２の同期信号発生回路２１）のうちの
少なくとも１つを含むようにすることができる。
【００５７】本発明の再生装置は、上記構成の記録媒体
に記録されているデータを再生する再生装置において、
記録媒体（例えば図４の光ディスク４）を再生する再生
手段（例えば図４のピックアップ３２）と、再生手段が
記録媒体から再生した再生信号に基づいて、サンプリン
グクロックを生成するサンプリングクロック生成手段
（例えば図４のＰＬＬ回路４２、タイミングジェネレー
タ４３）と、サンプリングクロックに対応して、記録媒
体からの再生信号をサンプリングするサンプリング手段
（例えば図４のＡ／Ｄ変換回路３５）と、サンプリング
手段によりサンプリングされた位相基準信号に対応し
て、サンプリングクロックの位相を微調整する位相調整
手段（例えば図４の位相調整回路４４）とを備えること
を特徴とする。
に記録されているデータを再生する再生装置において、
記録媒体（例えば図４の光ディスク４）を再生する再生
手段（例えば図４のピックアップ３２）と、再生手段が
記録媒体から再生した再生信号に基づいて、サンプリン
グクロックを生成するサンプリングクロック生成手段
（例えば図４のＰＬＬ回路４２、タイミングジェネレー
タ４３）と、サンプリングクロックに対応して、記録媒
体からの再生信号をサンプリングするサンプリング手段
（例えば図４のＡ／Ｄ変換回路３５）と、サンプリング
手段によりサンプリングされた位相基準信号に対応し
て、サンプリングクロックの位相を微調整する位相調整
手段（例えば図４の位相調整回路４４）とを備えること
を特徴とする。
【００５８】連続する３個の第１、第２および第３のエ
ッジの位置により構成される第１のパターンの信号と、
連続する他の３個の第４、第５および第６のエッジの位
置により構成される、第１のパターンと相補的な第２の
パターンの信号を有する位相基準信号が記録されている
記録媒体を再生する再生装置である場合においては、位
相調整手段には、サンプリングクロック生成手段により
生成されたサンプリングクロックを遅延する遅延手段
（例えば図１１の遅延回路５１，６１）と、サンプリン
グ手段の出力から、位相基準信号を構成する第１のパタ
ーンの信号と第２のパターンの信号を抽出する抽出手段
（例えば図１１のＤ−ＦＦ５３，５４，６２，６３）
と、抽出手段により抽出された信号から、遅延手段の遅
延時間を制御する制御信号を生成する制御信号生成手段
（例えば図１１の減算回路５５，６４）とを設けること
ができる。
ッジの位置により構成される第１のパターンの信号と、
連続する他の３個の第４、第５および第６のエッジの位
置により構成される、第１のパターンと相補的な第２の
パターンの信号を有する位相基準信号が記録されている
記録媒体を再生する再生装置である場合においては、位
相調整手段には、サンプリングクロック生成手段により
生成されたサンプリングクロックを遅延する遅延手段
（例えば図１１の遅延回路５１，６１）と、サンプリン
グ手段の出力から、位相基準信号を構成する第１のパタ
ーンの信号と第２のパターンの信号を抽出する抽出手段
（例えば図１１のＤ−ＦＦ５３，５４，６２，６３）
と、抽出手段により抽出された信号から、遅延手段の遅
延時間を制御する制御信号を生成する制御信号生成手段
（例えば図１１の減算回路５５，６４）とを設けること
ができる。
【００５９】抽出手段には、第２のエッジと第５のエッ
ジに対応するサンプリング手段の出力を保持する保持手
段（例えば図１１のＤ−ＦＦ５３，５４，６２，６３）
を設け、制御信号生成手段には、保持手段により保持さ
れた信号の差を演算する減算手段（例えば図１１の減算
回路５５，６４）を設けることができる。
ジに対応するサンプリング手段の出力を保持する保持手
段（例えば図１１のＤ−ＦＦ５３，５４，６２，６３）
を設け、制御信号生成手段には、保持手段により保持さ
れた信号の差を演算する減算手段（例えば図１１の減算
回路５５，６４）を設けることができる。
【００６０】制御信号生成手段には、減算手段の出力を
その大きさに対応するレベルの制御信号に変換する変換
手段（例えば図１１のＤ／Ａ変換回路５６，６５）をさ
らに設け、遅延手段には、サンプリングクロック生成手
段が生成したサンプリングクロックに同期する三角波を
発生する三角波発生手段（例えば図１２の三角波発生回
路７１）と、三角波発生手段が発生した三角波と、変換
手段が出力した制御信号の大きさを比較する比較手段
（例えば図１２のコンパレータ７２）と、比較手段の出
力に対応して、位相調整後のサンプリングクロックとし
てのパルスを発生するパルス発生手段（例えば図１２の
モノステーブルマルチバイブレータ７３）とを設けるこ
とができる。
その大きさに対応するレベルの制御信号に変換する変換
手段（例えば図１１のＤ／Ａ変換回路５６，６５）をさ
らに設け、遅延手段には、サンプリングクロック生成手
段が生成したサンプリングクロックに同期する三角波を
発生する三角波発生手段（例えば図１２の三角波発生回
路７１）と、三角波発生手段が発生した三角波と、変換
手段が出力した制御信号の大きさを比較する比較手段
（例えば図１２のコンパレータ７２）と、比較手段の出
力に対応して、位相調整後のサンプリングクロックとし
てのパルスを発生するパルス発生手段（例えば図１２の
モノステーブルマルチバイブレータ７３）とを設けるこ
とができる。
【００６１】位相基準信号が、前方エッジにおける再生
信号をサンプリングする第１のサンプリングクロックの
位相を微調整するための第１の位相基準信号と、後方エ
ッジにおける再生信号をサンプリングする第２のサンプ
リングクロックの位相を微調整するための第２の位相基
準信号とを含む場合、保持手段、減算手段、および遅延
手段に、それぞれ第１の位相基準信号用のものと第２の
位相基準信号用のものとを設け、サンプリングクロック
生成手段には、第１のサンプリングクロックを、後方エ
ッジのタイミングにおいて発生させるとともに、第２の
サンプリングクロックを、前方エッジのタイミングにお
いて発生させ、第１の位相基準信号用の遅延手段には、
第１の位相基準信号用の保持手段と減算手段により生成
された制御信号により、後方エッジのタイミングにおい
て発生された第１のサンプリングクロックを遅延して、
前方エッジの再生信号をサンプリングする第１のサンプ
リングクロックとして出力させ、第２の位相基準信号用
の遅延手段には、第２の位相基準信号用の保持手段と減
算手段により生成された制御信号により、前方エッジの
タイミングにおいて発生された第２のサンプリングクロ
ックを遅延して、後方エッジの再生信号をサンプリング
する第２のサンプリングクロックとして出力させるよう
にすることができる。
信号をサンプリングする第１のサンプリングクロックの
位相を微調整するための第１の位相基準信号と、後方エ
ッジにおける再生信号をサンプリングする第２のサンプ
リングクロックの位相を微調整するための第２の位相基
準信号とを含む場合、保持手段、減算手段、および遅延
手段に、それぞれ第１の位相基準信号用のものと第２の
位相基準信号用のものとを設け、サンプリングクロック
生成手段には、第１のサンプリングクロックを、後方エ
ッジのタイミングにおいて発生させるとともに、第２の
サンプリングクロックを、前方エッジのタイミングにお
いて発生させ、第１の位相基準信号用の遅延手段には、
第１の位相基準信号用の保持手段と減算手段により生成
された制御信号により、後方エッジのタイミングにおい
て発生された第１のサンプリングクロックを遅延して、
前方エッジの再生信号をサンプリングする第１のサンプ
リングクロックとして出力させ、第２の位相基準信号用
の遅延手段には、第２の位相基準信号用の保持手段と減
算手段により生成された制御信号により、前方エッジの
タイミングにおいて発生された第２のサンプリングクロ
ックを遅延して、後方エッジの再生信号をサンプリング
する第２のサンプリングクロックとして出力させるよう
にすることができる。
【００６２】
【作用】上記構成の記録媒体においては、基準信号エリ
ア４Ａに、データエリア４Ｂに記録された記録データを
読み取るための基準信号が記録される。そして、この基
準信号には、サンプリングクロックの位相を微調整する
基準となる位相基準信号が記録される。従って、スキュ
ーなどが発生した場合においても、正確に記録データを
再生することが可能な記録媒体を実現することができ
る。また、より高密度の記録が可能な記録媒体を実現す
ることができる。
ア４Ａに、データエリア４Ｂに記録された記録データを
読み取るための基準信号が記録される。そして、この基
準信号には、サンプリングクロックの位相を微調整する
基準となる位相基準信号が記録される。従って、スキュ
ーなどが発生した場合においても、正確に記録データを
再生することが可能な記録媒体を実現することができ
る。また、より高密度の記録が可能な記録媒体を実現す
ることができる。
【００６３】本発明の記録装置においては、変換回路１
２より出力された記録データだけでなく、補正基準信号
発生回路１４より出力された基準信号がスイッチ１３に
より選択され、出力される。従って、スキューなどに拘
らず、正確に読み取りが可能な記録媒体を製造すること
が可能となる。
２より出力された記録データだけでなく、補正基準信号
発生回路１４より出力された基準信号がスイッチ１３に
より選択され、出力される。従って、スキューなどに拘
らず、正確に読み取りが可能な記録媒体を製造すること
が可能となる。
【００６４】本発明の再生装置においては、タイミング
ジェネレータ４３により生成されたサンプリングクロッ
クの位相が、位相調整回路４４により微調整された後、
Ａ／Ｄ変換回路３５に供給される。従って、スキューが
発生したような場合においても、正確に記録データを読
み取ることができる。
ジェネレータ４３により生成されたサンプリングクロッ
クの位相が、位相調整回路４４により微調整された後、
Ａ／Ｄ変換回路３５に供給される。従って、スキューが
発生したような場合においても、正確に記録データを読
み取ることができる。
【００６５】
【実施例】図１は、本発明の記録装置の構成例を表して
いる。情報入力回路１より出力された記録データは、エ
ンコーダ２の誤り検出訂正（ＥＣＣ）回路１１に入力さ
れ、誤り検出訂正用の符号が付加される。そして、この
誤り検出訂正用の符号が付加されたデータが、変換回路
１２に供給され、３ビットを単位とするデータに変換さ
れる。即ち、この実施例においては、上記した図２９乃
至図３２に示したように、基本的には、ピットの前方エ
ッジと後方エッジの位置を、基準位置からステップ状
に、０乃至８の８個の位置のいずれかの位置にシフトす
ることにより、データを記録する。この８個の位置は３
ビットにより表されるため、記録データを３ビットを単
位とするデータに変換するのである。
いる。情報入力回路１より出力された記録データは、エ
ンコーダ２の誤り検出訂正（ＥＣＣ）回路１１に入力さ
れ、誤り検出訂正用の符号が付加される。そして、この
誤り検出訂正用の符号が付加されたデータが、変換回路
１２に供給され、３ビットを単位とするデータに変換さ
れる。即ち、この実施例においては、上記した図２９乃
至図３２に示したように、基本的には、ピットの前方エ
ッジと後方エッジの位置を、基準位置からステップ状
に、０乃至８の８個の位置のいずれかの位置にシフトす
ることにより、データを記録する。この８個の位置は３
ビットにより表されるため、記録データを３ビットを単
位とするデータに変換するのである。
【００６６】変換回路１２より出力されたデータは、ス
イッチ１３を介して記録エッジ位置計算回路１５に供給
される。記録エッジ位置計算回路１５は、入力されたデ
ータに対応するエッジ位置を計算し、そのエッジ位置に
対応する信号を、エッジ変調回路１６に出力する。即
ち、図２９に示したように、０乃至８の８個のシフト位
置のいずれかの位置に対応する信号が、エッジ変調回路
１６に出力される。
イッチ１３を介して記録エッジ位置計算回路１５に供給
される。記録エッジ位置計算回路１５は、入力されたデ
ータに対応するエッジ位置を計算し、そのエッジ位置に
対応する信号を、エッジ変調回路１６に出力する。即
ち、図２９に示したように、０乃至８の８個のシフト位
置のいずれかの位置に対応する信号が、エッジ変調回路
１６に出力される。
【００６７】エッジ変調回路１６は、入力された信号に
対応するエッジを有するピットが形成されるように、マ
スタリング装置３に記録信号を出力する。
対応するエッジを有するピットが形成されるように、マ
スタリング装置３に記録信号を出力する。
【００６８】一方、補正基準信号発生回路１４は、所定
の基準信号を発生し、この基準信号を、スイッチ１３を
介して記録エッジ位置計算回路１５に出力する。
の基準信号を発生し、この基準信号を、スイッチ１３を
介して記録エッジ位置計算回路１５に出力する。
【００６９】図２は、補正基準信号発生回路１４の構成
例を示している。同図に示すように、この実施例におい
ては、補正基準信号発生回路１４は、サンプリングクロ
ックを生成する基準となる同期信号（後述する図５にお
ける（−１，−１）信号）を発生する同期信号発生回路
２１と、サンプリングクロックの位相を微調整するため
の基準となる位相基準信号（図５における（１，３，
６），（６，３，１）の信号）を発生する位相基準信号
発生回路２４を有している。また、この補正基準信号発
生回路１４には、図２９に示した基準位置データ（７，
７）（図５における（７，７）信号）を生成するための
ゲイン基準信号を発生するゲイン基準信号発生回路２２
と、図２９に示した基準位置データ（０，０）（図５に
おける（０，０）信号）を生成するためのバイアス基準
信号を発生するバイアス基準信号発生回路２３を有して
いる。
例を示している。同図に示すように、この実施例におい
ては、補正基準信号発生回路１４は、サンプリングクロ
ックを生成する基準となる同期信号（後述する図５にお
ける（−１，−１）信号）を発生する同期信号発生回路
２１と、サンプリングクロックの位相を微調整するため
の基準となる位相基準信号（図５における（１，３，
６），（６，３，１）の信号）を発生する位相基準信号
発生回路２４を有している。また、この補正基準信号発
生回路１４には、図２９に示した基準位置データ（７，
７）（図５における（７，７）信号）を生成するための
ゲイン基準信号を発生するゲイン基準信号発生回路２２
と、図２９に示した基準位置データ（０，０）（図５に
おける（０，０）信号）を生成するためのバイアス基準
信号を発生するバイアス基準信号発生回路２３を有して
いる。
【００７０】スイッチ２５は、これらの同期信号発生回
路２１、ゲイン基準信号発生回路２２、バイアス基準信
号発生回路２３、および位相基準信号発生回路２４が出
力する信号のいずれか１つを選択し、スイッチ１３に出
力するようになされている。
路２１、ゲイン基準信号発生回路２２、バイアス基準信
号発生回路２３、および位相基準信号発生回路２４が出
力する信号のいずれか１つを選択し、スイッチ１３に出
力するようになされている。
【００７１】図３に示すように、これらの基準信号は、
光ディスク４の基準信号エリア４Ａのタイミングにおい
て周期的に発生するようになされている。換言すれば、
図１のスイッチ１３は、図３のデータエリア４Ｂにデー
タを記録するタイミングにおいては、図１において図中
上側に切り換えられ、図３の基準信号エリア４Ａにデー
タを記録するタイミングにおいては、図１において図中
下側に切り換えられる。
光ディスク４の基準信号エリア４Ａのタイミングにおい
て周期的に発生するようになされている。換言すれば、
図１のスイッチ１３は、図３のデータエリア４Ｂにデー
タを記録するタイミングにおいては、図１において図中
上側に切り換えられ、図３の基準信号エリア４Ａにデー
タを記録するタイミングにおいては、図１において図中
下側に切り換えられる。
【００７２】即ち、この基準信号エリア４Ａは、図２９
におけるサーボ領域に対応しており、データエリア４Ｂ
は、図２９におけるデータ領域に対応している。
におけるサーボ領域に対応しており、データエリア４Ｂ
は、図２９におけるデータ領域に対応している。
【００７３】図１に戻って、エンコーダ２のエッジ変調
回路１６より出力された信号は、マスタリング装置３に
供給される。マスタリング装置３においては、エッジ変
調回路１６の出力に対応してカッティング処理が行われ
る。即ち、所定の原盤が用意され、その原盤に対して、
エッジ変調回路１６より出力される記録信号に対応して
レーザ光が照射され、記録信号に対応する潜在的なピッ
トが形成される。そして、この原盤を現像し、潜在的な
ピットを顕在化させ、さらにその上にメッキを施した
後、このメッキを原盤から剥離してスタンパを作成す
る。
回路１６より出力された信号は、マスタリング装置３に
供給される。マスタリング装置３においては、エッジ変
調回路１６の出力に対応してカッティング処理が行われ
る。即ち、所定の原盤が用意され、その原盤に対して、
エッジ変調回路１６より出力される記録信号に対応して
レーザ光が照射され、記録信号に対応する潜在的なピッ
トが形成される。そして、この原盤を現像し、潜在的な
ピットを顕在化させ、さらにその上にメッキを施した
後、このメッキを原盤から剥離してスタンパを作成す
る。
【００７４】このスタンパに形成されているピットを合
成樹脂に転写する。この転写は、例えば溶融した合成樹
脂をスタンパにインジェクションした後、それを硬化さ
せることにより行うことができる。あるいはまた、ＵＶ
樹脂をスタンパに塗布した後、このＵＶ樹脂にＵＶ光を
照射し、硬化させることにより行うことができる。
成樹脂に転写する。この転写は、例えば溶融した合成樹
脂をスタンパにインジェクションした後、それを硬化さ
せることにより行うことができる。あるいはまた、ＵＶ
樹脂をスタンパに塗布した後、このＵＶ樹脂にＵＶ光を
照射し、硬化させることにより行うことができる。
【００７５】このように、ピットが転写された合成樹脂
は、スタンパから剥離され、その上にアルミ膜が蒸着さ
れる。そして、アルミ膜の上にさらに保護膜が塗布され
て、光ディスク４（その基準信号エリア４Ａには、後述
する図５に示すようなピットが形成されている）が完成
する。
は、スタンパから剥離され、その上にアルミ膜が蒸着さ
れる。そして、アルミ膜の上にさらに保護膜が塗布され
て、光ディスク４（その基準信号エリア４Ａには、後述
する図５に示すようなピットが形成されている）が完成
する。
【００７６】勿論、従来における場合と同様に、光ディ
スクではなく、光磁気ディスクにデータを記録すること
も可能である。この場合においては、マークがピットと
して形成されることになる。
スクではなく、光磁気ディスクにデータを記録すること
も可能である。この場合においては、マークがピットと
して形成されることになる。
【００７７】図４は、このようにして形成された光ディ
スク４の再生装置の構成例を示している。この実施例に
おいては、光ディスク４が、スピンドルモータ３１によ
り所定の速度で回転されるようになされている。ピック
アップ３２は、光ディスク４に対してレーザ光を照射
し、その反射光から、光ディスク４に記録されているデ
ータを読み取るようになされている。そして、読み取っ
た信号に対応するＲＦ信号をヘッドアンプ３３に出力す
る。ヘッドアンプ３３は、入力されたＲＦ信号を増幅
し、サーボ回路３４、Ａ／Ｄ変換回路３５、およびＰＬ
Ｌ回路４２に出力する。
スク４の再生装置の構成例を示している。この実施例に
おいては、光ディスク４が、スピンドルモータ３１によ
り所定の速度で回転されるようになされている。ピック
アップ３２は、光ディスク４に対してレーザ光を照射
し、その反射光から、光ディスク４に記録されているデ
ータを読み取るようになされている。そして、読み取っ
た信号に対応するＲＦ信号をヘッドアンプ３３に出力す
る。ヘッドアンプ３３は、入力されたＲＦ信号を増幅
し、サーボ回路３４、Ａ／Ｄ変換回路３５、およびＰＬ
Ｌ回路４２に出力する。
【００７８】サーボ回路３４は、入力されたＲＦ信号か
ら、フォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号を
生成し、ピックアップ３２に出力する。ピックアップ３
２は、入力されたフォーカスサーボ信号に対応して、フ
ォーカス制御を実行し、また、トラッキングサーボ信号
に対応して、トラッキング制御を実行する。また、サー
ボ回路３４は、スピンドルサーボ信号を生成し、スピン
ドルモータ３１に出力する。スピンドルモータ３１は、
このスピンドルサーボ信号に対応して駆動される。
ら、フォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号を
生成し、ピックアップ３２に出力する。ピックアップ３
２は、入力されたフォーカスサーボ信号に対応して、フ
ォーカス制御を実行し、また、トラッキングサーボ信号
に対応して、トラッキング制御を実行する。また、サー
ボ回路３４は、スピンドルサーボ信号を生成し、スピン
ドルモータ３１に出力する。スピンドルモータ３１は、
このスピンドルサーボ信号に対応して駆動される。
【００７９】一方、ＰＬＬ回路４２は、入力されたＲＦ
信号から、同期信号（後述する図５における（−１，−
１）信号）を検出する。即ち、上述したように、通常の
ピットの位置は、０乃至７の８個の位置のいずれかの位
置とされる。これに対して、−１の位置は、データエリ
ア４Ｂの記録データには存在しないエッジ位置である。
即ち、基準信号エリア４Ａにおいてのみ発生するエッジ
位置である。従って、ＰＬＬ回路４２は、このユニーク
なエッジ位置を同期信号として検出する。そして、この
同期信号に同期したクロックを生成し、このクロックを
タイミングジェネレータ４３に出力する。
信号から、同期信号（後述する図５における（−１，−
１）信号）を検出する。即ち、上述したように、通常の
ピットの位置は、０乃至７の８個の位置のいずれかの位
置とされる。これに対して、−１の位置は、データエリ
ア４Ｂの記録データには存在しないエッジ位置である。
即ち、基準信号エリア４Ａにおいてのみ発生するエッジ
位置である。従って、ＰＬＬ回路４２は、このユニーク
なエッジ位置を同期信号として検出する。そして、この
同期信号に同期したクロックを生成し、このクロックを
タイミングジェネレータ４３に出力する。
【００８０】タイミングジェネレータ４３は、ＰＬＬ回
路４２より供給されたクロックに同期して、図５に示す
ように、Ｒ−ＣＬＫ信号、Ｆ−ＣＬＫ信号、ＳＦＡＣＬ
Ｋ信号、ＳＲＡＣＬＫ信号、ＳＦＢＣＬＫ信号、ＳＲＢ
ＣＬＫ信号を生成し、位相調整回路４４に出力する。
路４２より供給されたクロックに同期して、図５に示す
ように、Ｒ−ＣＬＫ信号、Ｆ−ＣＬＫ信号、ＳＦＡＣＬ
Ｋ信号、ＳＲＡＣＬＫ信号、ＳＦＢＣＬＫ信号、ＳＲＢ
ＣＬＫ信号を生成し、位相調整回路４４に出力する。
【００８１】位相調整回路４４は、これらの信号と、Ａ
／Ｄ変換回路３５より入力される信号から、サンプリン
グクロックＳＭＰＬＣＬＫを生成し、Ａ／Ｄ変換回路３
５に出力する。Ａ／Ｄ変換回路３５は、このサンプリン
グクロックＳＭＰＬＣＬＫに同期して、ヘッドアンプ３
３より入力されたＲＦ信号をサンプリングし、そのサン
プリング値を出力する。
／Ｄ変換回路３５より入力される信号から、サンプリン
グクロックＳＭＰＬＣＬＫを生成し、Ａ／Ｄ変換回路３
５に出力する。Ａ／Ｄ変換回路３５は、このサンプリン
グクロックＳＭＰＬＣＬＫに同期して、ヘッドアンプ３
３より入力されたＲＦ信号をサンプリングし、そのサン
プリング値を出力する。
【００８２】ここで、図６乃至図８を参照して、この実
施例における前方エッジのＲＦ信号をサンプリングする
サンプリングクロックの位相の微調整の原理について説
明する。
施例における前方エッジのＲＦ信号をサンプリングする
サンプリングクロックの位相の微調整の原理について説
明する。
【００８３】いま、図６に示すように、光ディスク４上
の連続する２つのピットＰａ，Ｐｂを考える。先行する
ピットＰａの後方エッジをＦａ、後続するピットＰｂの
前方エッジをＲｂ、後方エッジをＦｂとする。そして、
ピットＰｂの前方エッジＲｂを所定の位置に固定し、エ
ッジＦａとエッジＦｂを、位置０から位置７までの８段
階のいずれかの位置に変化させるものとすると、ヘッド
アンプ３３が出力するＲＦ信号は、図６に示すように変
化する。
の連続する２つのピットＰａ，Ｐｂを考える。先行する
ピットＰａの後方エッジをＦａ、後続するピットＰｂの
前方エッジをＲｂ、後方エッジをＦｂとする。そして、
ピットＰｂの前方エッジＲｂを所定の位置に固定し、エ
ッジＦａとエッジＦｂを、位置０から位置７までの８段
階のいずれかの位置に変化させるものとすると、ヘッド
アンプ３３が出力するＲＦ信号は、図６に示すように変
化する。
【００８４】即ち、エッジＲｂをサンプリングする正し
いタイミングの時刻をＴ２とし、それより時間的に前の
時刻をＴ１、時間的に後の時刻をＴ３とするとき、エッ
ジＦａの位置が位置７に近いほど、時刻Ｔ１における再
生信号のレベルは、大きくなり、位置０に近いほど、小
さくなる。また、時刻Ｔ３におけるレベルは、エッジＦ
ｂが位置０に近いほど、小さくなり、位置７に近いほ
ど、大きくなる。これに対して、時刻Ｔ２におけるサン
プリング値は、エッジＦａとエッジＦｂの位置に拘ら
ず、一定となる。
いタイミングの時刻をＴ２とし、それより時間的に前の
時刻をＴ１、時間的に後の時刻をＴ３とするとき、エッ
ジＦａの位置が位置７に近いほど、時刻Ｔ１における再
生信号のレベルは、大きくなり、位置０に近いほど、小
さくなる。また、時刻Ｔ３におけるレベルは、エッジＦ
ｂが位置０に近いほど、小さくなり、位置７に近いほ
ど、大きくなる。これに対して、時刻Ｔ２におけるサン
プリング値は、エッジＦａとエッジＦｂの位置に拘ら
ず、一定となる。
【００８５】従って、例えば図７（Ａ）に示すように、
エッジＲｂとエッジＦｂを固定とし、エッジＦａを変化
させると、エッジＦａの位置を７に近い値にすると、そ
のとき得られるＲＦ信号は、ＲＦ１となり、エッジＦａ
の位置を０に近い位置とすると、そのとき得られるＲＦ
信号は、ＲＦ２となる。時刻Ｔ１におけるレベルは、Ｒ
Ｆ１の方がＲＦ２より大きくなっている。時刻Ｔ３にお
いては、ＲＦ１とＲＦ２は同じ値となる。
エッジＲｂとエッジＦｂを固定とし、エッジＦａを変化
させると、エッジＦａの位置を７に近い値にすると、そ
のとき得られるＲＦ信号は、ＲＦ１となり、エッジＦａ
の位置を０に近い位置とすると、そのとき得られるＲＦ
信号は、ＲＦ２となる。時刻Ｔ１におけるレベルは、Ｒ
Ｆ１の方がＲＦ２より大きくなっている。時刻Ｔ３にお
いては、ＲＦ１とＲＦ２は同じ値となる。
【００８６】これに対して、図７（Ｂ）に示すように、
エッジＦａとエッジＲｂを固定とし、エッジＦｂを変化
させると、エッジＦｂの位置が０に近いとき、そのとき
得られるＲＦ信号は、ＲＦ３となり、７に近いとき、そ
のとき得られるＲＦ信号は、ＲＦ４となる。時刻Ｔ３に
おけるレベルは、ＲＦ４の方がＲＦ３より大きくなって
いる。時刻Ｔ１においては、ＲＦ３とＲＦ４は同じ値と
なる。
エッジＦａとエッジＲｂを固定とし、エッジＦｂを変化
させると、エッジＦｂの位置が０に近いとき、そのとき
得られるＲＦ信号は、ＲＦ３となり、７に近いとき、そ
のとき得られるＲＦ信号は、ＲＦ４となる。時刻Ｔ３に
おけるレベルは、ＲＦ４の方がＲＦ３より大きくなって
いる。時刻Ｔ１においては、ＲＦ３とＲＦ４は同じ値と
なる。
【００８７】図８は、エッジの位置をそれぞれ具体的に
表している。いま、図８（Ａ）に示すように、エッジＲ
ｂの位置を３、エッジＦａの位置を６、エッジＦｂの位
置を１とするとき、再生信号としてはＲＦ５が得られ
る。
表している。いま、図８（Ａ）に示すように、エッジＲ
ｂの位置を３、エッジＦａの位置を６、エッジＦｂの位
置を１とするとき、再生信号としてはＲＦ５が得られ
る。
【００８８】これに対して、図８（Ｂ）に示すように、
エッジＲｂの位置を３、エッジＦａの位置を１、エッジ
Ｆｂの位置を６とするとき得られる再生信号は、ＲＦ６
となる。
エッジＲｂの位置を３、エッジＦａの位置を１、エッジ
Ｆｂの位置を６とするとき得られる再生信号は、ＲＦ６
となる。
【００８９】即ち、エッジの位置は、図８（Ａ）に示す
場合においては、位置６、位置３、位置１のパターンと
なっているのに対して、図８（Ｂ）に示す場合において
は、位置１、位置３、位置６のパターンとなっている。
即ち、図８（Ｂ）に示すパターンは、図８（Ａ）に示す
パターンと相補的になっている。
場合においては、位置６、位置３、位置１のパターンと
なっているのに対して、図８（Ｂ）に示す場合において
は、位置１、位置３、位置６のパターンとなっている。
即ち、図８（Ｂ）に示すパターンは、図８（Ａ）に示す
パターンと相補的になっている。
【００９０】図８（Ｃ）は、図８（Ａ）と図８（Ｂ）に
おけるＲＦ５とＲＦ６をまとめて表している。位置３の
正しいサンプリング時刻Ｔ２におけるＲＦ５とＲＦ６の
レベルは、等しい値となる。これに対して、サンプリン
グ時刻が、時刻Ｔ２から時間的に前の時刻Ｔ１にずれた
とすると、ＲＦ５のレベルのほうが、ＲＦ６のレベルよ
り大きくなる。これに対して、サンプリング時刻が、時
刻Ｔ２より遅い時刻Ｔ３になると、ＲＦ５よりＲＦ６の
方が大きくなる。
おけるＲＦ５とＲＦ６をまとめて表している。位置３の
正しいサンプリング時刻Ｔ２におけるＲＦ５とＲＦ６の
レベルは、等しい値となる。これに対して、サンプリン
グ時刻が、時刻Ｔ２から時間的に前の時刻Ｔ１にずれた
とすると、ＲＦ５のレベルのほうが、ＲＦ６のレベルよ
り大きくなる。これに対して、サンプリング時刻が、時
刻Ｔ２より遅い時刻Ｔ３になると、ＲＦ５よりＲＦ６の
方が大きくなる。
【００９１】従って、例えばＲＦ５からＲＦ６を減算す
ると、サンプリング時刻が正しい時刻Ｔ２である場合に
おいては、その値は０となるが、より早い時刻Ｔ１にお
いては、その値は正となり、より遅い時刻Ｔ３において
は、その値は負となる。そして、時刻のずれが大きくな
るほど、正負の値の絶対値も大きくなる。従って、ＲＦ
５とＲＦ６の差を演算することにより、その差から、サ
ンプリング時刻のタイミングのずれ（位相のずれ）を検
出することができる。
ると、サンプリング時刻が正しい時刻Ｔ２である場合に
おいては、その値は０となるが、より早い時刻Ｔ１にお
いては、その値は正となり、より遅い時刻Ｔ３において
は、その値は負となる。そして、時刻のずれが大きくな
るほど、正負の値の絶対値も大きくなる。従って、ＲＦ
５とＲＦ６の差を演算することにより、その差から、サ
ンプリング時刻のタイミングのずれ（位相のずれ）を検
出することができる。
【００９２】図７に示すように、ＲＦ１乃至ＲＦ４が得
られる４つのパターンを形成しておけば、ＲＦ１とＲＦ
２の差を演算することにより、エッジＲｂのサンプリン
グ時刻が時間的に前にずれていることが判る。また、Ｒ
Ｆ３からＲＦ４を減算することにより、サンプリング時
刻が、正規の時刻Ｔ２より遅れた時刻Ｔ３であることが
判る。
られる４つのパターンを形成しておけば、ＲＦ１とＲＦ
２の差を演算することにより、エッジＲｂのサンプリン
グ時刻が時間的に前にずれていることが判る。また、Ｒ
Ｆ３からＲＦ４を減算することにより、サンプリング時
刻が、正規の時刻Ｔ２より遅れた時刻Ｔ３であることが
判る。
【００９３】しかしながら、このようにしてタイミング
のずれを検出するには、４つの固定パターンが必要とな
る。ＲＦ１とＲＦ３のパターンを同一のパターンにした
としても、３個のパターンが必要になる。
のずれを検出するには、４つの固定パターンが必要とな
る。ＲＦ１とＲＦ３のパターンを同一のパターンにした
としても、３個のパターンが必要になる。
【００９４】これに対して、図８に示すように、相補的
な２つのパターンを用意すると、２つのパターンでずれ
の方向と程度が判ることになる。
な２つのパターンを用意すると、２つのパターンでずれ
の方向と程度が判ることになる。
【００９５】この相補的な関係を一般的に記述すると、
３つの連続するエッジの位置が、遠いシフト位置（図８
の実施例の場合、位置６）、所定の判定位置（図８の実
施例の場合、位置３）、およびより近いシフト位置（図
８の実施例の場合、位置１）のパターンを第１のパター
ンとするとき、第２のパターンは、３つの連続するエッ
ジの位置を、近い位置（図８の実施例の場合、位置
１）、判定位置（図８の実施例の場合、位置３）、およ
び遠い位置（図８の実施例の場合、位置６）にそれぞれ
設定することを意味する。
３つの連続するエッジの位置が、遠いシフト位置（図８
の実施例の場合、位置６）、所定の判定位置（図８の実
施例の場合、位置３）、およびより近いシフト位置（図
８の実施例の場合、位置１）のパターンを第１のパター
ンとするとき、第２のパターンは、３つの連続するエッ
ジの位置を、近い位置（図８の実施例の場合、位置
１）、判定位置（図８の実施例の場合、位置３）、およ
び遠い位置（図８の実施例の場合、位置６）にそれぞれ
設定することを意味する。
【００９６】図９と図１０は、後方エッジのサンプリン
グのタイミングのずれを説明するための図であり、図６
と図８に示した前方エッジのサンプリングのタイミング
のずれを説明する図に対応している。
グのタイミングのずれを説明するための図であり、図６
と図８に示した前方エッジのサンプリングのタイミング
のずれを説明する図に対応している。
【００９７】図９に示すように、エッジＦｃをサンプリ
ングする正しいタイミングの時刻をＴ５とし、それより
時間的に前の時刻をＴ４、時間的に後の時刻をＴ６とす
るとき、エッジＲｃの位置が位置７に近いほど、時刻Ｔ
４における再生信号のレベルは、小さくなり、位置０に
近いほど、大きくなる。また、時刻Ｔ６におけるレベル
は、エッジＲｄが位置０に近いほど、大きくなり、位置
７に近いほど、小さくなる。これに対して、時刻Ｔ５に
おけるサンプリング値は、エッジＲｃとエッジＲｄの位
置に拘らず、一定となる。
ングする正しいタイミングの時刻をＴ５とし、それより
時間的に前の時刻をＴ４、時間的に後の時刻をＴ６とす
るとき、エッジＲｃの位置が位置７に近いほど、時刻Ｔ
４における再生信号のレベルは、小さくなり、位置０に
近いほど、大きくなる。また、時刻Ｔ６におけるレベル
は、エッジＲｄが位置０に近いほど、大きくなり、位置
７に近いほど、小さくなる。これに対して、時刻Ｔ５に
おけるサンプリング値は、エッジＲｃとエッジＲｄの位
置に拘らず、一定となる。
【００９８】そこで、図１０に示すように、例えばピッ
トＰｃの前方エッジＲｃを位置６、後方エッジＦｃを位
置３、ピットＰｄの前方エッジＲｄを位置１とし、第１
のパターンを形成する（図１０（Ａ））。同様に、位置
１、位置３、位置６の３個の連続するエッジを形成する
ことにより、相補的なパターンを形成する（図１０
（Ｂ））。
トＰｃの前方エッジＲｃを位置６、後方エッジＦｃを位
置３、ピットＰｄの前方エッジＲｄを位置１とし、第１
のパターンを形成する（図１０（Ａ））。同様に、位置
１、位置３、位置６の３個の連続するエッジを形成する
ことにより、相補的なパターンを形成する（図１０
（Ｂ））。
【００９９】両者のパターンを再生して得られるＲＦ信
号の変化を図示すると、図１０（Ｃ）に示すようにな
る。即ち、時刻Ｔ５においてサンプリングした場合にお
いては、図１０（Ａ）に示す第１のパターンを再生して
得られるＲＦ信号としてのＲＦ７と、図１０（Ｂ）に示
す第２のパターンを再生して得られるＲＦ信号としての
ＲＦ８のサンプリング値は、同一の値となる。
号の変化を図示すると、図１０（Ｃ）に示すようにな
る。即ち、時刻Ｔ５においてサンプリングした場合にお
いては、図１０（Ａ）に示す第１のパターンを再生して
得られるＲＦ信号としてのＲＦ７と、図１０（Ｂ）に示
す第２のパターンを再生して得られるＲＦ信号としての
ＲＦ８のサンプリング値は、同一の値となる。
【０１００】これに対して、そのサンプリング時刻が正
規の時刻Ｔ５より早い時刻Ｔ４になると、ＲＦ７の方が
ＲＦ８より大きくなる。逆に、時刻Ｔ５より遅い時刻Ｔ
６になると、ＲＦ８の方がＲＦ７より大きくなる。従っ
て、前方エッジのサンプリングのずれの検出における場
合と同様に、ＲＦ７とＲＦ８の差を演算することによ
り、後方エッジのサンプリング位相のずれを検出するこ
とができる。
規の時刻Ｔ５より早い時刻Ｔ４になると、ＲＦ７の方が
ＲＦ８より大きくなる。逆に、時刻Ｔ５より遅い時刻Ｔ
６になると、ＲＦ８の方がＲＦ７より大きくなる。従っ
て、前方エッジのサンプリングのずれの検出における場
合と同様に、ＲＦ７とＲＦ８の差を演算することによ
り、後方エッジのサンプリング位相のずれを検出するこ
とができる。
【０１０１】以上の原理に従って、光ディスク４の基準
信号エリア４Ａには、図５に示すように、ピットＰ１１
乃至Ｐ２０が形成される。ピットＰ１１は、ダミーのピ
ット、あるいは、図２９に示した教育ピットＰ６とする
ことができる。教育ピットとする場合においては、図２
に示した補正基準信号発生回路１４に教育信号発生回路
（図示せず）を設ける必要がある。
信号エリア４Ａには、図５に示すように、ピットＰ１１
乃至Ｐ２０が形成される。ピットＰ１１は、ダミーのピ
ット、あるいは、図２９に示した教育ピットＰ６とする
ことができる。教育ピットとする場合においては、図２
に示した補正基準信号発生回路１４に教育信号発生回路
（図示せず）を設ける必要がある。
【０１０２】ピットＰ１２は、そのエッジ位置が両方と
も（−１，−１）とされている。即ち、このピットのエ
ッジＲ１２，Ｆ１２は、同期信号を構成している。
も（−１，−１）とされている。即ち、このピットのエ
ッジＲ１２，Ｆ１２は、同期信号を構成している。
【０１０３】ピットＰ１３は、そのエッジＲ１３，Ｆ１
３がそれぞれ（７，７）とされ、上述したゲイン基準信
号となっている。
３がそれぞれ（７，７）とされ、上述したゲイン基準信
号となっている。
【０１０４】さらに、ピットＰ１４のエッジＲ１４，Ｆ
１４は、（０，０）とされ、バイアス基準信号となって
いる。
１４は、（０，０）とされ、バイアス基準信号となって
いる。
【０１０５】ピットＰ１５乃至Ｐ２０のエッジＲ１５乃
至Ｆ２０は、それぞれ位置１、位置３、位置６、位置
６、位置３、位置１、位置６、位置３、位置１、位置
１、位置３、位置６とされている。即ち、エッジＲ１
５，Ｆ１５，Ｒ１６により構成される後方エッジの位相
補正用のパターン（位置１、位置３、位置６）が、エッ
ジＲ１８，Ｆ１８，Ｒ１９により構成されるパターン
（位置６、位置３、位置１）と相補的になっている。同
様に、エッジＦ１６，Ｒ１７，Ｆ１７により構成される
前方エッジの位相補正用のパターン（位置６、位置３、
位置１）が、エッジＦ１９，Ｒ２０，Ｆ２０により構成
されるパターン（位置１、位置３、位置６）と相補的に
なっている。
至Ｆ２０は、それぞれ位置１、位置３、位置６、位置
６、位置３、位置１、位置６、位置３、位置１、位置
１、位置３、位置６とされている。即ち、エッジＲ１
５，Ｆ１５，Ｒ１６により構成される後方エッジの位相
補正用のパターン（位置１、位置３、位置６）が、エッ
ジＲ１８，Ｆ１８，Ｒ１９により構成されるパターン
（位置６、位置３、位置１）と相補的になっている。同
様に、エッジＦ１６，Ｒ１７，Ｆ１７により構成される
前方エッジの位相補正用のパターン（位置６、位置３、
位置１）が、エッジＦ１９，Ｒ２０，Ｆ２０により構成
されるパターン（位置１、位置３、位置６）と相補的に
なっている。
【０１０６】図１１は、以上のような原理に従って、サ
ンプリングクロックの位相ずれを検出し、これを微調整
するための位相調整回路４４の構成例を表している。タ
イミングジェネレータ４３が、各ピットの後方エッジの
タイミングにおいて発生するＦ−ＣＬＫ信号は、遅延回
路５１に入力され、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）５７が
出力する制御信号ＸＩに対応して所定の時間だけ遅延さ
れ、前方エッジの再生信号をサンプリングするためのサ
ンプリングクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫとされる。この
サンプリングクロックは、オア回路５２を介してＡ／Ｄ
変換回路３５に入力される。Ａ／Ｄ変換回路３５は、こ
の入力に対応して、ヘッドアンプ３３より入力されるア
ナログＲＦ信号の前方エッジの再生レベルをサンプリン
グする。
ンプリングクロックの位相ずれを検出し、これを微調整
するための位相調整回路４４の構成例を表している。タ
イミングジェネレータ４３が、各ピットの後方エッジの
タイミングにおいて発生するＦ−ＣＬＫ信号は、遅延回
路５１に入力され、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）５７が
出力する制御信号ＸＩに対応して所定の時間だけ遅延さ
れ、前方エッジの再生信号をサンプリングするためのサ
ンプリングクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫとされる。この
サンプリングクロックは、オア回路５２を介してＡ／Ｄ
変換回路３５に入力される。Ａ／Ｄ変換回路３５は、こ
の入力に対応して、ヘッドアンプ３３より入力されるア
ナログＲＦ信号の前方エッジの再生レベルをサンプリン
グする。
【０１０７】Ａ／Ｄ変換回路３５の出力するサンプリン
グ値のうち、前方エッジの位相ずれを補正するための基
準信号としてのエッジＲ１７のサンプリング値ＳＲ１７
が、Ｄ−ＦＦ５３にラッチされる。これは、タイミング
ジェネレータ４３が、ＳＲＡＣＬＫ信号を、Ａ／Ｄ変換
回路３５がサンプリング値ＳＲ１７を出力しているタイ
ミングにおいて発生することで実現される（図５）。
グ値のうち、前方エッジの位相ずれを補正するための基
準信号としてのエッジＲ１７のサンプリング値ＳＲ１７
が、Ｄ−ＦＦ５３にラッチされる。これは、タイミング
ジェネレータ４３が、ＳＲＡＣＬＫ信号を、Ａ／Ｄ変換
回路３５がサンプリング値ＳＲ１７を出力しているタイ
ミングにおいて発生することで実現される（図５）。
【０１０８】同様に、タイミングジェネレータ４３が、
ＳＲＢＣＬＫ信号を、Ａ／Ｄ変換回路３５がエッジＲ２
０のサンプリング値ＳＲ２０を出力しているタイミング
において、Ｄ−ＦＦ５４に供給するため（図５）、Ｄ−
ＦＦ５４には、サンプリング値ＳＲ２０が保持される。
ＳＲＢＣＬＫ信号を、Ａ／Ｄ変換回路３５がエッジＲ２
０のサンプリング値ＳＲ２０を出力しているタイミング
において、Ｄ−ＦＦ５４に供給するため（図５）、Ｄ−
ＦＦ５４には、サンプリング値ＳＲ２０が保持される。
【０１０９】減算回路５５は、Ｄ−ＦＦ５３に保持され
たサンプリング値ＳＲ１７から、Ｄ−ＦＦ５４に保持さ
れたサンプリング値ＳＲ２０を減算し、その差をＤ／Ａ
変換回路５６に出力する。上述したように、この差は、
図８（Ｃ）に示したＲＦ６とＲＦ５の差に対応してい
る。Ｄ／Ａ変換回路５６は、この差信号をＤ／Ａ変換
し、アナログ信号Ｘとして、ローパスフィルタ（ＬＰ
Ｆ）５７に出力する。ローパスフィルタ５７は、入力さ
れた信号を平滑し、制御信号ＸＩとして遅延回路５１に
出力する。
たサンプリング値ＳＲ１７から、Ｄ−ＦＦ５４に保持さ
れたサンプリング値ＳＲ２０を減算し、その差をＤ／Ａ
変換回路５６に出力する。上述したように、この差は、
図８（Ｃ）に示したＲＦ６とＲＦ５の差に対応してい
る。Ｄ／Ａ変換回路５６は、この差信号をＤ／Ａ変換
し、アナログ信号Ｘとして、ローパスフィルタ（ＬＰ
Ｆ）５７に出力する。ローパスフィルタ５７は、入力さ
れた信号を平滑し、制御信号ＸＩとして遅延回路５１に
出力する。
【０１１０】遅延回路５１は、例えば図１２に示すよう
に、三角波発生回路７１、コンパレータ７２、およびモ
ノステーブルマルチバイブレータ７３により構成されて
いる。
に、三角波発生回路７１、コンパレータ７２、およびモ
ノステーブルマルチバイブレータ７３により構成されて
いる。
【０１１１】タイミングジェネレータ４３が各ピットの
後方エッジのタイミングにおいて発生する（図５および
図１３参照）Ｆ−ＣＬＫ信号（この信号は、実質的に、
前方エッジをサンプリングするサンプリングクロックＲ
−ＳＭＰＬＣＬＫということができる）が、三角波発生
回路７１に入力される。三角波発生回路７１は、充放電
動作を繰り返し、高レベルのＦ−ＣＬＫ信号が入力され
る期間、放電動作を実行し、Ｆ−ＣＬＫ信号が低レベル
の期間、充電動作を実行する。これにより、三角波発生
回路７１は、図１３に示す三角波Ｒ−ＴＲＩを発生す
る。この三角波Ｒ−ＴＲＩは、Ｆ−ＣＬＫ信号が低レベ
ルである期間、徐々に高レベルとなる三角波となってい
る。
後方エッジのタイミングにおいて発生する（図５および
図１３参照）Ｆ−ＣＬＫ信号（この信号は、実質的に、
前方エッジをサンプリングするサンプリングクロックＲ
−ＳＭＰＬＣＬＫということができる）が、三角波発生
回路７１に入力される。三角波発生回路７１は、充放電
動作を繰り返し、高レベルのＦ−ＣＬＫ信号が入力され
る期間、放電動作を実行し、Ｆ−ＣＬＫ信号が低レベル
の期間、充電動作を実行する。これにより、三角波発生
回路７１は、図１３に示す三角波Ｒ−ＴＲＩを発生す
る。この三角波Ｒ−ＴＲＩは、Ｆ−ＣＬＫ信号が低レベ
ルである期間、徐々に高レベルとなる三角波となってい
る。
【０１１２】コンパレータ７２は、この三角波Ｒ−ＴＲ
Ｉと、ローパスフィルタ５７が出力する制御信号ＸＩの
大きさを比較し、三角波Ｒ−ＴＲＩの方が大きいとき、
高レベルの信号を出力し、小さいとき、低レベルの信号
を出力する（図１３参照）。モノステーブルマルチバイ
ブレータ７３は、コンパレータ７２の出力が低レベルか
ら高レベルに変化するエッジによりトリガされ、一定期
間、高レベルのパルスを出力する（図１３参照）。この
パルスがオア回路５２を介して、ピットの前方エッジを
サンプリングするサンプリングクロックＲ−ＳＭＰＬＣ
ＬＫとして、Ａ／Ｄ変換回路３５に供給される。
Ｉと、ローパスフィルタ５７が出力する制御信号ＸＩの
大きさを比較し、三角波Ｒ−ＴＲＩの方が大きいとき、
高レベルの信号を出力し、小さいとき、低レベルの信号
を出力する（図１３参照）。モノステーブルマルチバイ
ブレータ７３は、コンパレータ７２の出力が低レベルか
ら高レベルに変化するエッジによりトリガされ、一定期
間、高レベルのパルスを出力する（図１３参照）。この
パルスがオア回路５２を介して、ピットの前方エッジを
サンプリングするサンプリングクロックＲ−ＳＭＰＬＣ
ＬＫとして、Ａ／Ｄ変換回路３５に供給される。
【０１１３】図１３に示すように、モノステーブルマル
チバイブレータ７３が出力する前方エッジのサンプリン
グクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫは、後方エッジのタイミ
ングにおいて発生されるＦ−ＣＬＫ信号を所定時間遅延
して生成されている。このようにすることで、位相ずれ
をより広い範囲で補正することが可能となる。
チバイブレータ７３が出力する前方エッジのサンプリン
グクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫは、後方エッジのタイミ
ングにおいて発生されるＦ−ＣＬＫ信号を所定時間遅延
して生成されている。このようにすることで、位相ずれ
をより広い範囲で補正することが可能となる。
【０１１４】即ち、ローパスフィルタ５７が出力する制
御信号ＸＩのレベルは、サンプリング値ＳＲ１７（図８
におけるＲＦ６）から、サンプリング値ＳＲ２０（図８
におけるＲＦ５）を減算して得られた値から生成されて
いる。このため、制御信号ＸＩは、サンプリングの位相
が、正規の時刻Ｔ２より進んだ時刻Ｔ１になると大きく
なり、遅れた時刻Ｔ３になると小さくなる。
御信号ＸＩのレベルは、サンプリング値ＳＲ１７（図８
におけるＲＦ６）から、サンプリング値ＳＲ２０（図８
におけるＲＦ５）を減算して得られた値から生成されて
いる。このため、制御信号ＸＩは、サンプリングの位相
が、正規の時刻Ｔ２より進んだ時刻Ｔ１になると大きく
なり、遅れた時刻Ｔ３になると小さくなる。
【０１１５】図１３に示すように、制御信号ＸＩのレベ
ルが大きくなると（図１３において、その位置が上にな
ると）、モノステーブルマルチバイブレータ７３の出力
するサンプリングクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫの発生タ
イミングが遅れる（図１３において、右方向にずれる）
ことになる。これに対して、制御信号ＸＩのレベルが小
さくなると、発生タイミングが早くなる（図１３におい
て、左側に移動する）ことになる。このようにして、サ
ンプリングクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫの立上りエッジ
は、図１３に垂直な破線で示す位置（正規の位置）で発
生するように、サーボがかかることになる。
ルが大きくなると（図１３において、その位置が上にな
ると）、モノステーブルマルチバイブレータ７３の出力
するサンプリングクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫの発生タ
イミングが遅れる（図１３において、右方向にずれる）
ことになる。これに対して、制御信号ＸＩのレベルが小
さくなると、発生タイミングが早くなる（図１３におい
て、左側に移動する）ことになる。このようにして、サ
ンプリングクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫの立上りエッジ
は、図１３に垂直な破線で示す位置（正規の位置）で発
生するように、サーボがかかることになる。
【０１１６】サーボをかけることができる範囲は、図１
３に示す三角波Ｒ−ＴＲＩが徐々に増大する範囲で制御
信号ＸＩと交差することが可能な範囲である。図１３に
示すように、三角波Ｒ−ＴＲＩの、徐々にそのレベルが
増大する範囲は、そのレベルが徐々に低下する範囲より
長くなっている。従って、それだけ調整可能な範囲が広
いことになる。
３に示す三角波Ｒ−ＴＲＩが徐々に増大する範囲で制御
信号ＸＩと交差することが可能な範囲である。図１３に
示すように、三角波Ｒ−ＴＲＩの、徐々にそのレベルが
増大する範囲は、そのレベルが徐々に低下する範囲より
長くなっている。従って、それだけ調整可能な範囲が広
いことになる。
【０１１７】これに対して、例えば図１４（図５）に示
すように、ピットの前方エッジのタイミングにおいて発
生するＲ−ＣＬＫ信号に基づいて、Ｒ−ＴＲＩ信号を生
成するようにした場合、モノステーブルマルチバイブレ
ータ７３が、コンパレータ７２の立上りエッジによりト
リガされるものとすると、その出力は、図１４に実線で
示すように、後方エッジのタイミングにおいて発生して
しまうことになる。従って、このパルスは、前方エッジ
の再生信号をサンプリングするサンプリングクロックＲ
−ＳＭＰＬＣＬＫとして利用することはできない。
すように、ピットの前方エッジのタイミングにおいて発
生するＲ−ＣＬＫ信号に基づいて、Ｒ−ＴＲＩ信号を生
成するようにした場合、モノステーブルマルチバイブレ
ータ７３が、コンパレータ７２の立上りエッジによりト
リガされるものとすると、その出力は、図１４に実線で
示すように、後方エッジのタイミングにおいて発生して
しまうことになる。従って、このパルスは、前方エッジ
の再生信号をサンプリングするサンプリングクロックＲ
−ＳＭＰＬＣＬＫとして利用することはできない。
【０１１８】そこで、コンパレータ７２の立下りエッジ
に同期して、モノステーブルマルチバイブレータ７３を
トリガするようにすると、図１４に破線で示すように、
その出力が発生する。このパルスは、ピットの前方エッ
ジの近傍において発生するが、前方エッジの基準位置よ
り左側の位置において発生させることができない。即
ち、サンプリングクロックを遅らせることは可能である
が、進めることができなくなる。
に同期して、モノステーブルマルチバイブレータ７３を
トリガするようにすると、図１４に破線で示すように、
その出力が発生する。このパルスは、ピットの前方エッ
ジの近傍において発生するが、前方エッジの基準位置よ
り左側の位置において発生させることができない。即
ち、サンプリングクロックを遅らせることは可能である
が、進めることができなくなる。
【０１１９】そこで、図１３に示したように、ピットの
後方エッジのタイミングで発生するＦ−ＣＬＫ信号に基
づいて（Ｆ−ＣＬＫ信号を遅延して）、ピットの前方エ
ッジでサンプリングを行うサンプリングクロックＲ−Ｓ
ＭＰＬＣＬＫを発生するようにするのが好ましい。
後方エッジのタイミングで発生するＦ−ＣＬＫ信号に基
づいて（Ｆ−ＣＬＫ信号を遅延して）、ピットの前方エ
ッジでサンプリングを行うサンプリングクロックＲ−Ｓ
ＭＰＬＣＬＫを発生するようにするのが好ましい。
【０１２０】このように、Ａ／Ｄ変換回路３５に供給さ
れる、前方エッジのサンプリングを行うためのサンプリ
ングクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫは、前方エッジのサン
プリングクロックの位相微調整用のエッジＲ１７，Ｒ２
０の再生レベルの差に対応して、遅延回路５１により、
Ｆ−ＣＬＫ信号を所定時間だけ遅延して生成される。こ
のとき、遅延回路５１に供給されるＦ−ＣＬＫ信号は、
タイミングジェネレータ４３により、ピットの後方エッ
ジのタイミングにおいて発生される。このことは、前方
エッジの位相調整用の信号に対応して、後方エッジ位相
調整用のサンプリングクロックの位相調整を行うことを
意味するものではない。
れる、前方エッジのサンプリングを行うためのサンプリ
ングクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫは、前方エッジのサン
プリングクロックの位相微調整用のエッジＲ１７，Ｒ２
０の再生レベルの差に対応して、遅延回路５１により、
Ｆ−ＣＬＫ信号を所定時間だけ遅延して生成される。こ
のとき、遅延回路５１に供給されるＦ−ＣＬＫ信号は、
タイミングジェネレータ４３により、ピットの後方エッ
ジのタイミングにおいて発生される。このことは、前方
エッジの位相調整用の信号に対応して、後方エッジ位相
調整用のサンプリングクロックの位相調整を行うことを
意味するものではない。
【０１２１】即ち、図１１に示すように、タイミングジ
ェネレータ４３が発生するＦ−ＣＬＫ信号とＲ−ＣＬＫ
信号は、Ａ／Ｄ変換回路３５によりＡ／Ｄ変換される前
の同期信号に同期して生成されている。換言すれば、こ
のＦ−ＣＬＫ信号とＲ−ＣＬＫ信号は、位相補正による
影響を受けないものである。従って、Ｆ−ＣＬＫ信号
は、ピットの後方エッジの発生タイミングにおいて発生
され、Ｒ−ＣＬＫ信号は、ピットの前方エッジの発生タ
イミングにおいて発生されるものではあるが（図５）、
これらの信号は、それぞれ対応するエッジのタイミング
において発生されるだけであって、Ｆ−ＣＬＫ信号が、
後方エッジの発生タイミングにおいて発生されるからと
いって、後方エッジのサンプリングクロックなのではな
く、前方エッジのサンプリングクロックなのである。同
様に、Ｒ−ＣＬＫ信号は、前方エッジの発生タイミング
において発生されるものであるが、前方エッジのサンプ
リングクロックではなく、後方エッジのサンプリングク
ロックなのである。
ェネレータ４３が発生するＦ−ＣＬＫ信号とＲ−ＣＬＫ
信号は、Ａ／Ｄ変換回路３５によりＡ／Ｄ変換される前
の同期信号に同期して生成されている。換言すれば、こ
のＦ−ＣＬＫ信号とＲ−ＣＬＫ信号は、位相補正による
影響を受けないものである。従って、Ｆ−ＣＬＫ信号
は、ピットの後方エッジの発生タイミングにおいて発生
され、Ｒ−ＣＬＫ信号は、ピットの前方エッジの発生タ
イミングにおいて発生されるものではあるが（図５）、
これらの信号は、それぞれ対応するエッジのタイミング
において発生されるだけであって、Ｆ−ＣＬＫ信号が、
後方エッジの発生タイミングにおいて発生されるからと
いって、後方エッジのサンプリングクロックなのではな
く、前方エッジのサンプリングクロックなのである。同
様に、Ｒ−ＣＬＫ信号は、前方エッジの発生タイミング
において発生されるものであるが、前方エッジのサンプ
リングクロックではなく、後方エッジのサンプリングク
ロックなのである。
【０１２２】以上においては、前方エッジのサンプリン
グクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫの位相の微調整について
説明したが、後方エッジのサンプリングクロックＦ−Ｓ
ＭＰＬＣＬＫの位相の微調整も同様に行われる。但し、
この位相微調整は、前方エッジのサンプリングクロック
Ｒ−ＳＭＰＬＣＬＫとは独立に行われる。なぜならば、
それぞれの位相のずれ具合は無関係ではないが、相互に
独立しているからである。
グクロックＲ−ＳＭＰＬＣＬＫの位相の微調整について
説明したが、後方エッジのサンプリングクロックＦ−Ｓ
ＭＰＬＣＬＫの位相の微調整も同様に行われる。但し、
この位相微調整は、前方エッジのサンプリングクロック
Ｒ−ＳＭＰＬＣＬＫとは独立に行われる。なぜならば、
それぞれの位相のずれ具合は無関係ではないが、相互に
独立しているからである。
【０１２３】そこで、図１１の位相調整回路４４を構成
するＤ−ＦＦ６２とＤ−ＦＦ６３は、ＳＦＡＣＬＫ信号
とＳＦＢＣＬＫ信号（図５に示すタイミングで発生され
る）に基づいて、Ａ／Ｄ変換回路３５の出力から、エッ
ジＦ１５とエッジＦ１８のそれぞれのサンプリング値Ｓ
Ｆ１５またはＳＦ１８を保持する。減算回路６４は、サ
ンプリング値ＳＦ１５（図１０におけるＲＦ８）から、
サンプリング値ＳＦ１８（図１０におけるＲＦ７）を減
算し、その差に対応するデータをＤ／Ａ変換回路６５に
出力する。
するＤ−ＦＦ６２とＤ−ＦＦ６３は、ＳＦＡＣＬＫ信号
とＳＦＢＣＬＫ信号（図５に示すタイミングで発生され
る）に基づいて、Ａ／Ｄ変換回路３５の出力から、エッ
ジＦ１５とエッジＦ１８のそれぞれのサンプリング値Ｓ
Ｆ１５またはＳＦ１８を保持する。減算回路６４は、サ
ンプリング値ＳＦ１５（図１０におけるＲＦ８）から、
サンプリング値ＳＦ１８（図１０におけるＲＦ７）を減
算し、その差に対応するデータをＤ／Ａ変換回路６５に
出力する。
【０１２４】Ｄ／Ａ変換回路６５は、入力されたデータ
をＤ／Ａ変換し、その差の大きさに対応するアナログレ
ベルの信号Ｙを生成する。ローパスフィルタ６６は、こ
の信号Ｙを平滑し、制御信号ＹＩを生成する。この制御
信号ＹＩは、遅延回路６１に供給される。
をＤ／Ａ変換し、その差の大きさに対応するアナログレ
ベルの信号Ｙを生成する。ローパスフィルタ６６は、こ
の信号Ｙを平滑し、制御信号ＹＩを生成する。この制御
信号ＹＩは、遅延回路６１に供給される。
【０１２５】図１５は、遅延回路６１の構成例を示して
いる。その基本的な構成は、遅延回路５１における場合
と同様である。即ち、三角波発生回路８１は、タイミン
グジェネレータ４３が前方エッジの発生タイミングにお
いて発生する（図５および図１６参照）Ｒ−ＣＬＫ信号
が高レベルである期間、充電動作を行い、低レベルであ
る期間、放電動作を行い、三角波Ｆ−ＴＲＩを出力す
る。
いる。その基本的な構成は、遅延回路５１における場合
と同様である。即ち、三角波発生回路８１は、タイミン
グジェネレータ４３が前方エッジの発生タイミングにお
いて発生する（図５および図１６参照）Ｒ−ＣＬＫ信号
が高レベルである期間、充電動作を行い、低レベルであ
る期間、放電動作を行い、三角波Ｆ−ＴＲＩを出力す
る。
【０１２６】コンパレータ８２は、三角波Ｆ−ＴＲＩ
と、ローパスフィルタ６６の出力する制御信号ＹＩの大
きさ（レベル）を比較し、制御信号ＹＩの方が大きいと
き、高レベルの信号を出力し、小さいとき、低レベルの
信号を出力する（図１６）。そして、モノステーブルマ
ルチバイブレータ８３は、コンパレータ８２の出力の立
上りエッジによりトリガされ、一定期間、高レベルのパ
ルスを、後方エッジのサンプリングクロックＦ−ＳＭＰ
ＬＣＬＫとして出力する。このサンプリングクロック
は、オア回路５２を介してＡ／Ｄ変換回路３５に供給さ
れる。Ａ／Ｄ変換回路３５は、このサンプリングクロッ
クのタイミングで、ヘッドアンプ３３より入力されたア
ナログＲＦ信号の後方エッジの値をサンプリングする。
と、ローパスフィルタ６６の出力する制御信号ＹＩの大
きさ（レベル）を比較し、制御信号ＹＩの方が大きいと
き、高レベルの信号を出力し、小さいとき、低レベルの
信号を出力する（図１６）。そして、モノステーブルマ
ルチバイブレータ８３は、コンパレータ８２の出力の立
上りエッジによりトリガされ、一定期間、高レベルのパ
ルスを、後方エッジのサンプリングクロックＦ−ＳＭＰ
ＬＣＬＫとして出力する。このサンプリングクロック
は、オア回路５２を介してＡ／Ｄ変換回路３５に供給さ
れる。Ａ／Ｄ変換回路３５は、このサンプリングクロッ
クのタイミングで、ヘッドアンプ３３より入力されたア
ナログＲＦ信号の後方エッジの値をサンプリングする。
【０１２７】減算回路６４の出力する差信号は、サンプ
リング値ＳＦ１５がサンプリング値ＳＦ１８より大きい
とき、即ち、図１０（Ｃ）に示すように、サンプリング
のタイミングが正規の時刻Ｔ５より遅い時刻Ｔ６になる
と、大きくなり、逆に、正規の時刻Ｔ５より早い時刻Ｔ
４になると、小さくなる。
リング値ＳＦ１５がサンプリング値ＳＦ１８より大きい
とき、即ち、図１０（Ｃ）に示すように、サンプリング
のタイミングが正規の時刻Ｔ５より遅い時刻Ｔ６になる
と、大きくなり、逆に、正規の時刻Ｔ５より早い時刻Ｔ
４になると、小さくなる。
【０１２８】これに対して、図１６に示すように、この
差信号に対応して、制御信号ＹＩのレベルが大きくなる
と、三角波Ｆ−ＴＲＩとの交点の位置が早くなる（図１
６において、左側に移動する）。即ち、モノステーブル
マルチバイブレータ８３の出力するサンプリングクロッ
クＦ−ＳＭＰＬＣＬＫは、そのタイミングが早くなる。
これに対して、制御信号ＹＩのレベルが小さくなると、
三角波Ｆ−ＴＲＩとの交点が、図１６において右側に移
動する。従って、モノステーブルマルチバイブレータ８
３の出力するサンプリングクロックＦ−ＳＭＰＬＣＬＫ
は、そのタイミングが遅くなる。
差信号に対応して、制御信号ＹＩのレベルが大きくなる
と、三角波Ｆ−ＴＲＩとの交点の位置が早くなる（図１
６において、左側に移動する）。即ち、モノステーブル
マルチバイブレータ８３の出力するサンプリングクロッ
クＦ−ＳＭＰＬＣＬＫは、そのタイミングが早くなる。
これに対して、制御信号ＹＩのレベルが小さくなると、
三角波Ｆ−ＴＲＩとの交点が、図１６において右側に移
動する。従って、モノステーブルマルチバイブレータ８
３の出力するサンプリングクロックＦ−ＳＭＰＬＣＬＫ
は、そのタイミングが遅くなる。
【０１２９】以上のようにして、サーボがかかり、後方
エッジをサンプリングするサンプリングクロックＦ−Ｓ
ＭＰＬＣＬＫは、常に後方エッジの正規の発生タイミン
グにおいて発生されるようにサーボがかかる。
エッジをサンプリングするサンプリングクロックＦ−Ｓ
ＭＰＬＣＬＫは、常に後方エッジの正規の発生タイミン
グにおいて発生されるようにサーボがかかる。
【０１３０】以上のようにして、サンプリングクロック
ＳＭＰＬＣＬＫの位相の微調整が行われ、正しいタイミ
ングで、Ａ／Ｄ変換回路３５において、ＲＦ信号の前方
エッジと後方エッジの再生レベルの値がサンプリングさ
れる。このサンプリング値は、図４のバイアス除去回路
３６に供給され、バイアス成分が除去された後、さらに
ＡＧＣ回路３７に供給され、ゲイン調整が行われる。こ
のバイアス調整とゲイン調整のために、図５に示すよう
に、基準信号エリアには、バイアス調整用のエッジＲ１
４，Ｆ１４と、ゲイン調整用のエッジＲ１３，Ｆ１３が
形成されている。バイアス除去回路３６とＡＧＣ回路３
７は、これらのエッジを利用して、それぞれバイアス調
整およびゲイン調整を行う。
ＳＭＰＬＣＬＫの位相の微調整が行われ、正しいタイミ
ングで、Ａ／Ｄ変換回路３５において、ＲＦ信号の前方
エッジと後方エッジの再生レベルの値がサンプリングさ
れる。このサンプリング値は、図４のバイアス除去回路
３６に供給され、バイアス成分が除去された後、さらに
ＡＧＣ回路３７に供給され、ゲイン調整が行われる。こ
のバイアス調整とゲイン調整のために、図５に示すよう
に、基準信号エリアには、バイアス調整用のエッジＲ１
４，Ｆ１４と、ゲイン調整用のエッジＲ１３，Ｆ１３が
形成されている。バイアス除去回路３６とＡＧＣ回路３
７は、これらのエッジを利用して、それぞれバイアス調
整およびゲイン調整を行う。
【０１３１】このバイアス除去回路３６とＡＧＣ回路３
７は、図３３におけるバイアス除去回路９７とＡＧＣ回
路９８に対応するものであり、それぞれ図３４に示すよ
うに構成される。タイミングジェネレータ４３は、ＰＬ
Ｌ回路４２より供給されるクロックから、バイアス基準
信号が発生するタイミング、またはゲイン基準信号が発
生するタイミングにおいて、ＡＣＬＫ信号、ＢＣＬＫ信
号、ＲＡＣＬＫ信号およびＲＢＣＬＫ信号、またはＫＡ
ＣＬＫ信号およびＫＢＣＬＫ信号を発生し、それぞれバ
イアス除去回路３６とＡＧＣ回路３７に出力する。バイ
アス除去回路３６とＡＧＣ回路３７は、このＡＣＬＫ信
号、ＢＣＬＫ信号、ＲＡＣＬＫ信号およびＲＢＣＬＫ信
号、またはＫＡＣＬＫ信号およびＫＢＣＬＫ信号を利用
して、再生信号をサンプリングし、そのレベルを所定の
値に調整する動作を実行する。その動作は、図３４を参
照して既に説明してあるので、ここではその説明は省略
する。
７は、図３３におけるバイアス除去回路９７とＡＧＣ回
路９８に対応するものであり、それぞれ図３４に示すよ
うに構成される。タイミングジェネレータ４３は、ＰＬ
Ｌ回路４２より供給されるクロックから、バイアス基準
信号が発生するタイミング、またはゲイン基準信号が発
生するタイミングにおいて、ＡＣＬＫ信号、ＢＣＬＫ信
号、ＲＡＣＬＫ信号およびＲＢＣＬＫ信号、またはＫＡ
ＣＬＫ信号およびＫＢＣＬＫ信号を発生し、それぞれバ
イアス除去回路３６とＡＧＣ回路３７に出力する。バイ
アス除去回路３６とＡＧＣ回路３７は、このＡＣＬＫ信
号、ＢＣＬＫ信号、ＲＡＣＬＫ信号およびＲＢＣＬＫ信
号、またはＫＡＣＬＫ信号およびＫＢＣＬＫ信号を利用
して、再生信号をサンプリングし、そのレベルを所定の
値に調整する動作を実行する。その動作は、図３４を参
照して既に説明してあるので、ここではその説明は省略
する。
【０１３２】バイアス除去回路３６とＡＧＣ回路３７に
よる処理が行われた後、サンプリング値はさらにイコラ
イザ３８に供給され、符号間干渉を抑制するための非線
形のイコライズ処理と、線形のイコライズ処理が行わ
れ、復号回路３９に供給される。復号回路３９は、入力
されたサンプリング値を、上述したように、特願平５−
２０８７６号における場合のように、２次元的に復号を
行う。そして、復号された値は、誤り検出訂正（ＥＣ
Ｃ）回路４０に供給され、誤り検出訂正処理が行われた
後、情報出力回路４１に出力される。
よる処理が行われた後、サンプリング値はさらにイコラ
イザ３８に供給され、符号間干渉を抑制するための非線
形のイコライズ処理と、線形のイコライズ処理が行わ
れ、復号回路３９に供給される。復号回路３９は、入力
されたサンプリング値を、上述したように、特願平５−
２０８７６号における場合のように、２次元的に復号を
行う。そして、復号された値は、誤り検出訂正（ＥＣ
Ｃ）回路４０に供給され、誤り検出訂正処理が行われた
後、情報出力回路４１に出力される。
【０１３３】図５に示したように、以上の実施例におけ
る基準信号エリアには、合計１０個のピットが形成され
ることになる。この基準信号エリアに形成されるピット
は、その数をできるだけ少なくした方が、データエリア
の容量を大きくすることができる。そこで、次に、この
基準信号エリアにおけるピットの数を減らすことを考え
る。
る基準信号エリアには、合計１０個のピットが形成され
ることになる。この基準信号エリアに形成されるピット
は、その数をできるだけ少なくした方が、データエリア
の容量を大きくすることができる。そこで、次に、この
基準信号エリアにおけるピットの数を減らすことを考え
る。
【０１３４】図１７に示すように、ゲイン基準信号のエ
ッジの位置（Ｇｒ，Ｇｆ）は、エッジのシフト位置の最
大シフト位置、即ち、（７，７）とされている。これに
対して、バイアス基準信号のためのエッジ位置（Ｂｒ，
Ｂｆ）は、最小のシフト位置、即ち、（０，０）とされ
ている。
ッジの位置（Ｇｒ，Ｇｆ）は、エッジのシフト位置の最
大シフト位置、即ち、（７，７）とされている。これに
対して、バイアス基準信号のためのエッジ位置（Ｂｒ，
Ｂｆ）は、最小のシフト位置、即ち、（０，０）とされ
ている。
【０１３５】そこで、上述した位相微調整用のパターン
の基準位置からより遠い位置と、基準位置により近い位
置を、それぞれ基準位置から最も遠い位置と、最も近い
位置に設定することができる。
の基準位置からより遠い位置と、基準位置により近い位
置を、それぞれ基準位置から最も遠い位置と、最も近い
位置に設定することができる。
【０１３６】図１８と図１９は、この場合の例を表して
いる。即ち、図１８の例においては、前方エッジの位相
基準信号としての第１のパターンが、位置Ｇｆ（７）、
Ｄｒ（３）、Ｂｆ（０）により構成され、第２のパター
ンが、位置Ｂｆ（０）、Ｄｒ（３）、Ｇｆ（７）により
構成される。
いる。即ち、図１８の例においては、前方エッジの位相
基準信号としての第１のパターンが、位置Ｇｆ（７）、
Ｄｒ（３）、Ｂｆ（０）により構成され、第２のパター
ンが、位置Ｂｆ（０）、Ｄｒ（３）、Ｇｆ（７）により
構成される。
【０１３７】同様に、図１９に示すように、後方エッジ
のサンプリングクロックの位相調整用の第１のパターン
が、位置Ｂｒ（０）、Ｄｆ（３）、Ｇｒ（７）により構
成され、第２のパターンが、位置Ｇｒ（７）、Ｄｆ
（３）、Ｂｒ（０）により構成される。
のサンプリングクロックの位相調整用の第１のパターン
が、位置Ｂｒ（０）、Ｄｆ（３）、Ｇｒ（７）により構
成され、第２のパターンが、位置Ｇｒ（７）、Ｄｆ
（３）、Ｂｒ（０）により構成される。
【０１３８】このようにすると、基準信号エリアは、図
２０に示すように、８個のピットにより構成することが
できる。この構成においても、教育ピット（７，０）、
同期信号（−１，−１）、ゲイン基準信号（７，７）、
バイアス基準信号（０，０）、前方エッジのサンプリン
グ位相ずれ調整用の第１のパターン（７，３，０）、第
２のパターン（０，３，７）、並びに、後方エッジのサ
ンプリング位相ずれ調整用の第１のパターン（０，３，
７）、（７，３，０）が、すべて形成されている。
２０に示すように、８個のピットにより構成することが
できる。この構成においても、教育ピット（７，０）、
同期信号（−１，−１）、ゲイン基準信号（７，７）、
バイアス基準信号（０，０）、前方エッジのサンプリン
グ位相ずれ調整用の第１のパターン（７，３，０）、第
２のパターン（０，３，７）、並びに、後方エッジのサ
ンプリング位相ずれ調整用の第１のパターン（０，３，
７）、（７，３，０）が、すべて形成されている。
【０１３９】基準信号エリアにおけるピットの数は、上
記した位相基準信号の判定位置を、基準位置から最も離
れたエッジ位置Ｇｒ（７）またはＧｆ（７）、あるい
は、基準位置に最も近い位置Ｂｒ（０）またはＢｆ
（０）と同一の値にすることにより、さらに少なくする
ことができる。
記した位相基準信号の判定位置を、基準位置から最も離
れたエッジ位置Ｇｒ（７）またはＧｆ（７）、あるい
は、基準位置に最も近い位置Ｂｒ（０）またはＢｆ
（０）と同一の値にすることにより、さらに少なくする
ことができる。
【０１４０】図２１乃至図２４は、この場合の原理を表
している。即ち、図２１の実施例においては、ピットＰ
３３の両端のエッジ（Ｇｒ，Ｇｆ）がゲイン調整用のエ
ッジ（７，７）とされ、ピットＰ３４の両端のエッジ
（Ｂｒ，Ｂｆ）がバイアス基準用のエッジ（０，０）と
される。そして、ピットＰ３５の前方エッジと後方エッ
ジは、それぞれＢｒ（０）またはＧｆ（７）とされ、ピ
ットＰ３６の前方エッジはＧｒ（７）とされる。
している。即ち、図２１の実施例においては、ピットＰ
３３の両端のエッジ（Ｇｒ，Ｇｆ）がゲイン調整用のエ
ッジ（７，７）とされ、ピットＰ３４の両端のエッジ
（Ｂｒ，Ｂｆ）がバイアス基準用のエッジ（０，０）と
される。そして、ピットＰ３５の前方エッジと後方エッ
ジは、それぞれＢｒ（０）またはＧｆ（７）とされ、ピ
ットＰ３６の前方エッジはＧｒ（７）とされる。
【０１４１】このようにすると、前方エッジの位相調整
用の第１のパターンを、ピットＰ３３の後方エッジと、
ピットＰ３４の両端のエッジにより、（７，０，０）と
構成し、第２のパターンを、ピットＰ３４の後方エッジ
と、ピットＰ３５の両端のエッジにより、（０，０，
７）と構成することができる。また、後方エッジの調整
用の第１のパターンを、ピットＰ３５の両端のエッジ
と、ピットＰ３６の前方エッジにより、（０，７，７）
とし、第２のパターンを、ピットＰ３３の両端のエッジ
と、ピットＰ３４の前方エッジにより、（７，７，０）
として構成することができる。
用の第１のパターンを、ピットＰ３３の後方エッジと、
ピットＰ３４の両端のエッジにより、（７，０，０）と
構成し、第２のパターンを、ピットＰ３４の後方エッジ
と、ピットＰ３５の両端のエッジにより、（０，０，
７）と構成することができる。また、後方エッジの調整
用の第１のパターンを、ピットＰ３５の両端のエッジ
と、ピットＰ３６の前方エッジにより、（０，７，７）
とし、第２のパターンを、ピットＰ３３の両端のエッジ
と、ピットＰ３４の前方エッジにより、（７，７，０）
として構成することができる。
【０１４２】図２２の実施例においては、ピットＰ４３
の後方エッジをＢｆ（０）とし、ピットＰ４４の前方エ
ッジをＢｒ（０）、後方エッジをＧｆ（７）としてい
る。また、ピットＰ４５の前方エッジをＧｒ（７）、後
方エッジをＧｆ（７）とし、ピットＰ４６の前方エッジ
をＢｒ（０）、後方エッジをＢｆ（０）としている。
の後方エッジをＢｆ（０）とし、ピットＰ４４の前方エ
ッジをＢｒ（０）、後方エッジをＧｆ（７）としてい
る。また、ピットＰ４５の前方エッジをＧｒ（７）、後
方エッジをＧｆ（７）とし、ピットＰ４６の前方エッジ
をＢｒ（０）、後方エッジをＢｆ（０）としている。
【０１４３】ゲイン基準信号は、ピットＰ４５の両端の
エッジ（７，７）により構成され、バイアス基準信号
は、ピットＰ４６の両端のエッジ（０，０）により構成
される。
エッジ（７，７）により構成され、バイアス基準信号
は、ピットＰ４６の両端のエッジ（０，０）により構成
される。
【０１４４】また、前方エッジの第１のパターンとして
は、ピットＰ４５の後方エッジと、ピットＰ４６の両端
のエッジにより、（７，０，０）が構成され、他方のパ
ターンは、ピットＰ４３の後方エッジと、ピットＰ４４
の両端のエッジにより、（０，０，７）が構成される。
さらに、後方エッジの位相調整用の第１のパターンとし
ては、ピットＰ４４の両端のエッジと、ピットＰ４５の
前方エッジにより、（０，７，７）が構成され、第２の
パターンとしては、ピットＰ４５の両端のエッジと、ピ
ットＰ４６の前方エッジにより、（７，７，０）が構成
される。
は、ピットＰ４５の後方エッジと、ピットＰ４６の両端
のエッジにより、（７，０，０）が構成され、他方のパ
ターンは、ピットＰ４３の後方エッジと、ピットＰ４４
の両端のエッジにより、（０，０，７）が構成される。
さらに、後方エッジの位相調整用の第１のパターンとし
ては、ピットＰ４４の両端のエッジと、ピットＰ４５の
前方エッジにより、（０，７，７）が構成され、第２の
パターンとしては、ピットＰ４５の両端のエッジと、ピ
ットＰ４６の前方エッジにより、（７，７，０）が構成
される。
【０１４５】さらに、図２３の実施例においては、ピッ
トＰ５３の両端のエッジが、Ｂｒ（０）およびＢｆ
（０）とされ、これにより、バイアス基準信号が表され
ている。また、ピットＰ５４の両端のエッジがそれぞれ
Ｇｒ（７）、Ｇｆ（７）とされ、これにより、ゲイン基
準信号が表されている。さらに、ピットＰ５５の前方エ
ッジはＧｒ（７）とされ、後方エッジはＢｆ（０）とさ
れている。さらにピットＰ５６の前方エッジはＢｒ
（０）とされている。
トＰ５３の両端のエッジが、Ｂｒ（０）およびＢｆ
（０）とされ、これにより、バイアス基準信号が表され
ている。また、ピットＰ５４の両端のエッジがそれぞれ
Ｇｒ（７）、Ｇｆ（７）とされ、これにより、ゲイン基
準信号が表されている。さらに、ピットＰ５５の前方エ
ッジはＧｒ（７）とされ、後方エッジはＢｆ（０）とさ
れている。さらにピットＰ５６の前方エッジはＢｒ
（０）とされている。
【０１４６】前方エッジの位相調整用の第１のパターン
としては、ピットＰ５４の後方エッジと、ピットＰ５５
の両端のエッジにより、（７，７，０）が構成され、第
２のパターンとしては、ピットＰ５３の後方エッジと、
ピットＰ５４の両端のエッジにより、（０，７，７）が
構成されている。さらに、後方エッジの位相調整用の第
１のパターンとしては、ピットＰ５３の両端のエッジ
と、ピットＰ５４の前方エッジにより、（０，０，７）
が構成され、第２のパターンとしては、ピットＰ５５の
両端のエッジと、ピットＰ５６の前方エッジにより、
（７，０，０）が構成されている。
としては、ピットＰ５４の後方エッジと、ピットＰ５５
の両端のエッジにより、（７，７，０）が構成され、第
２のパターンとしては、ピットＰ５３の後方エッジと、
ピットＰ５４の両端のエッジにより、（０，７，７）が
構成されている。さらに、後方エッジの位相調整用の第
１のパターンとしては、ピットＰ５３の両端のエッジ
と、ピットＰ５４の前方エッジにより、（０，０，７）
が構成され、第２のパターンとしては、ピットＰ５５の
両端のエッジと、ピットＰ５６の前方エッジにより、
（７，０，０）が構成されている。
【０１４７】図２４の実施例においては、ピットＰ６３
の後方エッジがＧｆ（７）とされ、ピットＰ６４の前方
エッジがＧｒ（７）とされ、後方エッジがＢｆ（０）と
されている。また、ピット６５の両端のエッジは、それ
ぞれＢｆ（０）、Ｂｆ（０）とされ、これにより、バイ
アス基準信号が表されている。さらに、ピットＰ６６の
前方エッジはＧｒ（７）とされ、後方エッジはＧｆ
（７）とされ、これにより、ゲイン基準信号が表されて
いる。
の後方エッジがＧｆ（７）とされ、ピットＰ６４の前方
エッジがＧｒ（７）とされ、後方エッジがＢｆ（０）と
されている。また、ピット６５の両端のエッジは、それ
ぞれＢｆ（０）、Ｂｆ（０）とされ、これにより、バイ
アス基準信号が表されている。さらに、ピットＰ６６の
前方エッジはＧｒ（７）とされ、後方エッジはＧｆ
（７）とされ、これにより、ゲイン基準信号が表されて
いる。
【０１４８】前方エッジの位相調整用の第１のパターン
としては、ピットＰ６３の後方エッジと、ピットＰ６４
の両端のエッジにより、（７，７，０）が構成され、第
２のパターンとしては、ピットＰ６５の後方エッジと、
ピットＰ６６の両端のエッジにより、（０，７，７）が
構成されている。さらに後方エッジの位相調整用の第１
のパターンとしては、ピットＰ６５の両端のエッジと、
ピットＰ６６の前方エッジにより、（０，０，７）が構
成され、第２のパターンとしては、ピットＰ６４の両端
のエッジと、ピットＰ６５の前方エッジにより、（７，
０，０）が構成されている。
としては、ピットＰ６３の後方エッジと、ピットＰ６４
の両端のエッジにより、（７，７，０）が構成され、第
２のパターンとしては、ピットＰ６５の後方エッジと、
ピットＰ６６の両端のエッジにより、（０，７，７）が
構成されている。さらに後方エッジの位相調整用の第１
のパターンとしては、ピットＰ６５の両端のエッジと、
ピットＰ６６の前方エッジにより、（０，０，７）が構
成され、第２のパターンとしては、ピットＰ６４の両端
のエッジと、ピットＰ６５の前方エッジにより、（７，
０，０）が構成されている。
【０１４９】図２５乃至図２８は、図２１乃至図２４に
示したパターンに対応して形成された基準信号エリアを
それぞれ示している。これらの図に示すように、この実
施例においては、基準信号エリアのピットを６個とする
ことができる。これにより、図５および図２０に示した
場合と同一の機能を、より少ない数のピットで実現する
ことができる。
示したパターンに対応して形成された基準信号エリアを
それぞれ示している。これらの図に示すように、この実
施例においては、基準信号エリアのピットを６個とする
ことができる。これにより、図５および図２０に示した
場合と同一の機能を、より少ない数のピットで実現する
ことができる。
【０１５０】
【発明の効果】以上の如く本発明の記録媒体によれば、
基準信号として、サンプリングクロックの位相を微調整
する基準となる位相基準信号を記録するようにしたの
で、スキューなどに拘らず、正確にデータを再生するこ
とが可能な記録媒体を実現することができる。また、よ
り高密度にデータを記録することが可能となる。
基準信号として、サンプリングクロックの位相を微調整
する基準となる位相基準信号を記録するようにしたの
で、スキューなどに拘らず、正確にデータを再生するこ
とが可能な記録媒体を実現することができる。また、よ
り高密度にデータを記録することが可能となる。
【０１５１】本発明の記録装置によれば、第２の発生手
段により発生した基準信号を選択手段により選択し、基
準信号に対応するエッジ位置を計算手段により計算する
ようにしたので、スキューなどに拘らず、正確にデータ
を再生することが可能な記録媒体を確実に製造すること
が可能となる。
段により発生した基準信号を選択手段により選択し、基
準信号に対応するエッジ位置を計算手段により計算する
ようにしたので、スキューなどに拘らず、正確にデータ
を再生することが可能な記録媒体を確実に製造すること
が可能となる。
【０１５２】さらに、本発明の再生装置によれば、記録
媒体より再生された位相基準信号に対応して、サンプリ
ングクロックの位相を微調整するようにしたので、スキ
ューなどに拘らず、正確にデータを再生することが可能
になる。
媒体より再生された位相基準信号に対応して、サンプリ
ングクロックの位相を微調整するようにしたので、スキ
ューなどに拘らず、正確にデータを再生することが可能
になる。
【図１】本発明の記録装置の構成例を示すブロック図で
ある。
ある。
【図２】図１の補正基準信号発生回路１４の構成例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図３】図１の光ディスク４の記録領域を説明する図で
ある。
ある。
【図４】本発明の再生装置の構成例を示すブロック図で
ある。
ある。
【図５】図４の実施例の動作を説明するタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図６】前方エッジのサンプリングのずれを説明する図
である。
である。
【図７】前方エッジのサンプリングのずれを説明する図
である。
である。
【図８】前方エッジのサンプリングのずれを説明する図
である。
である。
【図９】後方エッジのサンプリングのずれを説明する図
である。
である。
【図１０】後方エッジのサンプリングのずれを説明する
図である。
図である。
【図１１】図４の位相調整回路４４の構成例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図１２】図１１の遅延回路５１の構成例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１３】図１２の実施例の動作を説明するタイミング
チャートである。
チャートである。
【図１４】図１２の実施例の動作を説明するタイミング
チャートである。
チャートである。
【図１５】図１１の遅延回路６１の構成例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１６】図１５の実施例の動作を説明するタイミング
チャートである。
チャートである。
【図１７】ゲイン基準信号とバイアス基準信号のエッジ
位置を説明する図である。
位置を説明する図である。
【図１８】前方エッジの位相基準信号とゲイン基準信号
およびバイアス基準信号を兼用した場合におけるピット
のパターンを説明する図である。
およびバイアス基準信号を兼用した場合におけるピット
のパターンを説明する図である。
【図１９】後方エッジの位相基準信号とゲイン基準信号
およびバイアス基準信号とを兼用した場合におけるピッ
トのパターンを説明する図である。
およびバイアス基準信号とを兼用した場合におけるピッ
トのパターンを説明する図である。
【図２０】図１８と図１９に示すピットパターンにより
形成した基準信号エリアのピットの構成を説明する図で
ある。
形成した基準信号エリアのピットの構成を説明する図で
ある。
【図２１】位相基準信号とバイアス基準信号およびゲイ
ン基準信号を兼用した場合におけるピットのパターンを
説明する図である。
ン基準信号を兼用した場合におけるピットのパターンを
説明する図である。
【図２２】位相基準信号とバイアス基準信号およびゲイ
ン基準信号を兼用した場合におけるピットのパターンを
説明する図である。
ン基準信号を兼用した場合におけるピットのパターンを
説明する図である。
【図２３】位相基準信号とバイアス基準信号およびゲイ
ン基準信号を兼用した場合におけるピットのパターンを
説明する図である。
ン基準信号を兼用した場合におけるピットのパターンを
説明する図である。
【図２４】位相基準信号とバイアス基準信号およびゲイ
ン基準信号を兼用した場合におけるピットのパターンを
説明する図である。
ン基準信号を兼用した場合におけるピットのパターンを
説明する図である。
【図２５】図２１の原理に基づいて形成した基準信号エ
リアのピットの構成を示す図である。
リアのピットの構成を示す図である。
【図２６】図２２の原理に基づいて形成した基準信号エ
リアのピットの構成を示す図である。
リアのピットの構成を示す図である。
【図２７】図２３の原理に基づいて形成した基準信号エ
リアのピットの構成を示す図である。
リアのピットの構成を示す図である。
【図２８】図２４の原理に基づいて形成した基準信号エ
リアのピットの構成を示す図である。
リアのピットの構成を示す図である。
【図２９】先に提案した光ディスクのフォーマットを示
す図である。
す図である。
【図３０】図２９の例における再生の原理を説明する図
である。
である。
【図３１】ピットのエッジ位置の変化を説明する図であ
る。
る。
【図３２】隣接するトラック間におけるピットの配置状
態を説明する図である。
態を説明する図である。
【図３３】従来の再生装置の構成例を示すブロック図で
ある。
ある。
【図３４】図３３のバイアス除去回路９７とＡＧＣ回路
９８の構成例を示すブロック図である。
９８の構成例を示すブロック図である。
【図３５】ゲイン調整用のピットとバイアス調整用のピ
ットを説明する図である。
ットを説明する図である。
【図３６】図３４の例の動作を説明するタイミングチャ
ートである。
ートである。
１ 情報入力回路 ２ エンコーダ ３ マスタリング装置 ４ 光ディスク １１ 誤り検出訂正回路 １２ 変換回路 １３ スイッチ １４ 補正基準信号発生回路 １５ 記録エッジ位置計算回路 １６ エッジ変調回路 ２１ 同期信号発生回路 ２２ ゲイン基準信号発生回路 ２３ バイアス基準信号発生回路 ２４ 位相基準信号発生回路 ３１ スピンドルモータ ３２ ピックアップ ３３ ヘッドアンプ ３４ サーボ回路 ３５ Ａ／Ｄ変換回路 ３６ バイアス除去回路 ３７ ＡＧＣ回路 ３８ イコライザ ３９ 復号回路 ４０ 誤り検出訂正回路 ４１ 情報出力回路 ４２ ＰＬＬ回路 ４３ タイミングジェネレータ ４４ 位相調整回路 ５１ 遅延回路 ５３，５４ Ｄ−ＦＦ ５５ 減算回路 ５６ Ｄ／Ａ変換回路 ５７ ローパスフィルタ ６１ 遅延回路 ６２，６３ Ｄ−ＦＦ ６４ 減算回路 ６５ Ｄ／Ａ変換回路 ６６ ローパスフィルタ ７１ 三角波発生回路 ７２ コンパレータ ７３ モノステーブルマルチバイブレータ ８１ 三角波発生回路 ８２ コンパレータ ８３ モノステーブルマルチバイブレータ
Claims (17)
- 【請求項１】 所定の周期で形成されたピットの前方エ
ッジと後方エッジの位置を、記録データに対応して、基
準位置からステップ状に所定の位置にシフトさせること
により記録データが記録され、 サンプリングクロックに同期して再生信号をサンプリン
グし、前記記録データを読み取る記録媒体において、 前記記録データを記録した第１のエリアと、前記第１の
エリアに記録されている前記記録データを読み取るため
の基準信号を記録した第２のエリアを周期的に形成し、 前記基準信号として、前記サンプリングクロックの位相
を微調整する基準となる位相基準信号を記録したことを
特徴とする記録媒体。 - 【請求項２】 前記位相基準信号は、 連続する３個の第１、第２および第３のエッジの位置に
より構成される第１のパターンの信号と、 連続する他の３個の第４、第５および第６のエッジの位
置により構成される、前記第１のパターンと相補的な第
２のパターンの信号を含むことを特徴とする請求項１に
記載の記録媒体。 - 【請求項３】 前記第１のパターンを構成する前記第１
のエッジの位置は、前記基準位置に近い第１の位置であ
り、前記第３のエッジの位置は、前記基準位置から遠い
第３の位置であり、前記第２のエッジの位置は、任意の
第２の位置であり、 前記第２のパターンを構成する前記第４のエッジの位置
は、前記基準位置から遠い前記第３の位置であり、前記
第６のエッジの位置は、前記基準位置に近い前記第１の
位置であり、前記第５のエッジの位置は、前記第２の位
置であることを特徴とする請求項２に記載の記録媒体。 - 【請求項４】 前記第１の位置は、前記基準位置に最も
近い位置であり、前記第３の位置は、前記基準位置から
最も遠い位置であることを特徴とする請求項３に記載の
記録媒体。 - 【請求項５】 前記第２の位置は、前記第１の位置と第
３の位置の一方と同じ位置であることを特徴とする請求
項４に記載の記録媒体。 - 【請求項６】 前記基準信号は、前記基準位置に最も近
い前記エッジにおける再生信号のレベルを調整するため
のバイアス基準信号と、前記基準位置から最も遠い前記
エッジにおける再生信号のレベルを調整するためのゲイ
ン基準信号の少なくとも一方を含み、 前記第１乃至第６のエッジの少なくとも一部は、前記バ
イアス基準信号とゲイン基準信号のためのエッジの少な
くとも一部を構成していることを特徴とする請求項５に
記載の記録媒体。 - 【請求項７】 前記位相基準信号は、前記前方エッジに
おける再生信号をサンプリングする第１のサンプリング
クロックの位相を微調整するための第１の位相基準信号
と、前記後方エッジにおける再生信号をサンプリングす
る第２のサンプリングクロックの位相を微調整するため
の第２の位相基準信号とを含むことを特徴とする請求項
１乃至６のいずれかに記載の記録媒体。 - 【請求項８】 前記基準信号は、前記サンプリングクロ
ックを生成するための同期信号をさらに含むことを特徴
とする請求項１乃至７のいずれかに記載の記録媒体。 - 【請求項９】 前記位相基準信号は、前記前方エッジに
おける再生信号をサンプリングする第１のサンプリング
クロックの位相を微調整するための第１の位相基準信号
と、前記後方エッジにおける再生信号をサンプリングす
る第２のサンプリングクロックの位相を微調整するため
の第２の位相基準信号とを含み、 前記エッジのシフト位置は、前記基準位置に最も近い位
置０から、前記基準位置から最も遠い位置７までの８個
の位置のいずれかの位置であり、 位置７またはそれに近い位置を位置Ａとし、位置０また
はそれに近い位置を位置Ｂとするとき、前記第１および
第２の位相基準信号、バイアス基準信号並びにゲイン基
準信号は、位置Ａ、位置Ａ、位置Ｂ、位置Ｂ、位置Ｂ、
位置Ａ、位置Ａの連続する７個のエッジにより構成され
ていることを特徴とする請求項６に記載の記録媒体。 - 【請求項１０】 前記位相基準信号は、前記前方エッジ
における再生信号をサンプリングする第１のサンプリン
グクロックの位相を微調整するための第１の位相基準信
号と、前記後方エッジにおける再生信号をサンプリング
する第２のサンプリングクロックの位相を微調整するた
めの第２の位相基準信号とを含み、 前記エッジのシフト位置は、前記基準位置に最も近い位
置０から、前記基準位置から最も遠い位置７までの８個
の位置のいずれかの位置であり、 位置７またはそれに近い位置を位置Ａとし、位置０また
はそれに近い位置を位置Ｂとするとき、前記第１および
第２の位相基準信号、バイアス基準信号並びにゲイン基
準信号は、位置Ｂ、位置Ｂ、位置Ａ、位置Ａ、位置Ａ、
位置Ｂ、位置Ｂの連続する７個のエッジにより構成され
ていることを特徴とする請求項６に記載の記録媒体。 - 【請求項１１】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
記録媒体にデータを記録する記録装置において、 前記記録データに対応する信号を発生する第１の発生手
段と、 前記基準信号を発生する第２の発生手段と、 前記第１の発生手段の出力と第２の発生手段の出力の一
方を選択する選択手段と、 前記選択手段により選択された信号に対応するエッジ位
置を計算する計算手段とを備えることを特徴とする記録
装置。 - 【請求項１２】 前記基準信号は、前記基準位置に最も
近い前記エッジにおける再生信号のレベルを調整するた
めのバイアス基準信号と、前記基準位置から最も遠い前
記エッジにおける再生信号のレベルを調整するためのゲ
イン基準信号と、前記サンプリングクロックを生成する
ための同期信号の少なくとも１つを含み、 前記第２の発生手段は、 前記バイアス基準信号を発生するバイアス基準信号発生
手段と、 前記ゲイン基準信号を発生するゲイン基準信号発生手段
と、 前記同期信号を発生する同期信号発生手段のうちの少な
くとも１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の
記録装置。 - 【請求項１３】 請求項１乃至１０のいずれかに記載の
記録媒体に記録されているデータを再生する再生装置に
おいて、 前記記録媒体を再生する再生手段と、 前記再生手段が前記記録媒体から再生した再生信号に基
づいて、前記サンプリングクロックを生成するサンプリ
ングクロック生成手段と、 前記サンプリングクロックに対応して、前記記録媒体か
らの再生信号をサンプリングするサンプリング手段と、 前記サンプリング手段によりサンプリングされた前記位
相基準信号に対応して、前記サンプリングクロックの位
相を微調整する位相調整手段とを備えることを特徴とす
る再生装置。 - 【請求項１４】 連続する３個の第１、第２および第３
のエッジの位置により構成される第１のパターンの信号
と、連続する他の３個の第４、第５および第６のエッジ
の位置により構成される、前記第１のパターンと相補的
な第２のパターンの信号を有する前記位相基準信号が記
録されている記録媒体を再生する再生装置であって、 前記位相調整手段は、 前記サンプリングクロック生成手段により生成された前
記サンプリングクロックを遅延する遅延手段と、 前記サンプリング手段の出力から、前記位相基準信号を
構成する前記第１のパターンの信号と第２のパターンの
信号を抽出する抽出手段と、 前記抽出手段により抽出された信号から、前記遅延手段
の遅延時間を制御する制御信号を生成する制御信号生成
手段とを備えることを特徴とする請求項１３に記載の再
生装置。 - 【請求項１５】 前記抽出手段は、前記第２のエッジと
第５のエッジに対応する前記サンプリング手段の出力を
保持する保持手段を備え、 前記制御信号生成手段は、前記保持手段により保持され
た信号の差を演算する減算手段を備えることを特徴とす
る請求項１４に記載の再生装置。 - 【請求項１６】 前記制御信号生成手段は、前記減算手
段の出力をその大きさに対応するレベルの制御信号に変
換する変換手段をさらに備え、 前記遅延手段は、 前記サンプリングクロック生成手段が生成した前記サン
プリングクロックに同期する三角波を発生する三角波発
生手段と、 前記三角波発生手段が発生した三角波と、前記変換手段
が出力した前記制御信号の大きさを比較する比較手段
と、 前記比較手段の出力に対応して、位相調整後の前記サン
プリングクロックとしてのパルスを発生するパルス発生
手段とを備えることを特徴とする請求項１５に記載の再
生装置。 - 【請求項１７】 前記位相基準信号は、前記前方エッジ
における再生信号をサンプリングする第１のサンプリン
グクロックの位相を微調整するための第１の位相基準信
号と、前記後方エッジにおける再生信号をサンプリング
する第２のサンプリングクロックの位相を微調整するた
めの第２の位相基準信号とを含み、 前記保持手段、減算手段、および遅延手段は、それぞれ
第１の位相基準信号用のものと第２の位相基準信号用の
ものとがあり、 前記サンプリングクロック生成手段は、前記第１のサン
プリングクロックを、前記後方エッジのタイミングにお
いて発生するとともに、前記第２のサンプリングクロッ
クを、前記前方エッジのタイミングにおいて発生し、 前記第１の位相基準信号用の遅延手段は、前記第１の位
相基準信号用の保持手段と減算手段により生成された制
御信号により、前記後方エッジのタイミングにおいて発
生された前記第１のサンプリングクロックを遅延して、
前記前方エッジの再生信号をサンプリングする第１のサ
ンプリングクロックとして出力し、 前記第２の位相基準信号用の遅延手段は、前記第２の位
相基準信号用の保持手段と減算手段により生成された制
御信号により、前記前方エッジのタイミングにおいて発
生された前記第２のサンプリングクロックを遅延して、
前記後方エッジの再生信号をサンプリングする第２のサ
ンプリングクロックとして出力することを特徴とする請
求項１５または１６に記載の再生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6177894A JPH0845188A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 記録媒体並びにその記録装置および再生装置 |
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