JPH08304999A - 位相シフトマスク及びそれを用いた焦点位置検出方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びそれを用いた焦点位置検出方法Info
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- JPH08304999A JPH08304999A JP11319995A JP11319995A JPH08304999A JP H08304999 A JPH08304999 A JP H08304999A JP 11319995 A JP11319995 A JP 11319995A JP 11319995 A JP11319995 A JP 11319995A JP H08304999 A JPH08304999 A JP H08304999A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 人間の判断による個人差をより排除して、焦
点位置検出をより確実にすることができる位相シフトマ
スク及びそれを用いた焦点位置検出方法を提供する。 【構成】 位相シフトマスクにおいて、半導体装置製造
でのリソグラフィ工程における露光装置の焦点位置検出
に用いる、位相角が１８０度の整数倍以外の位相シフト
パターン１０２，１０３による焦点位置を移動可能な焦
点位置検出用パターンを有する。
点位置検出をより確実にすることができる位相シフトマ
スク及びそれを用いた焦点位置検出方法を提供する。 【構成】 位相シフトマスクにおいて、半導体装置製造
でのリソグラフィ工程における露光装置の焦点位置検出
に用いる、位相角が１８０度の整数倍以外の位相シフト
パターン１０２，１０３による焦点位置を移動可能な焦
点位置検出用パターンを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高集積回路装置である
半導体装置の製造における位相シフトマスク及びそれを
用いた焦点位置検出方法に関するものである。
半導体装置の製造における位相シフトマスク及びそれを
用いた焦点位置検出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、露光装置の焦点位置の確認・調整
は、調整用のパターンを実際に用いてパターニングを行
い、その結果に基づいて、その露光装置の確認・調整を
行うようにしている。すなわち、まず、調整前の露光装
置の表示により、ある範囲で焦点位置を変えてパターニ
ングを行い、所定の現像処理を行う。現像後のパターン
について、同一（寸法、形状）パターン、同一露光量の
条件の下、焦点位置によるパターンの有無の範囲や、パ
ターンの形状を観察した結果から、焦点の位置を決定す
る。
は、調整用のパターンを実際に用いてパターニングを行
い、その結果に基づいて、その露光装置の確認・調整を
行うようにしている。すなわち、まず、調整前の露光装
置の表示により、ある範囲で焦点位置を変えてパターニ
ングを行い、所定の現像処理を行う。現像後のパターン
について、同一（寸法、形状）パターン、同一露光量の
条件の下、焦点位置によるパターンの有無の範囲や、パ
ターンの形状を観察した結果から、焦点の位置を決定す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
露光装置の焦点位置検出方法では、焦点位置の確認・調
整のためにいちいちパターニングを行わなければならな
い。また、人間の判断によるため、パターンの断面形状
等が変化する場合には、個人差が大きくなるという問題
点があった。
露光装置の焦点位置検出方法では、焦点位置の確認・調
整のためにいちいちパターニングを行わなければならな
い。また、人間の判断によるため、パターンの断面形状
等が変化する場合には、個人差が大きくなるという問題
点があった。
【０００４】更に、レジスト材料、レジストプロセスに
より焦点位置に対するパターン形状の変化が異なる。ま
た、位相差マスクを用いた場合には、焦点位置の方向に
よる非対称性が生じる場合があり、従来法では測定が困
難となる問題点があった。本発明は、上記問題を解決す
るために、人間の判断による個人差をより排除して、焦
点位置検出をより確実にすることができる位相シフトマ
スク及びそれを用いた焦点位置検出方法を提供すること
を目的とする。
より焦点位置に対するパターン形状の変化が異なる。ま
た、位相差マスクを用いた場合には、焦点位置の方向に
よる非対称性が生じる場合があり、従来法では測定が困
難となる問題点があった。本発明は、上記問題を解決す
るために、人間の判断による個人差をより排除して、焦
点位置検出をより確実にすることができる位相シフトマ
スク及びそれを用いた焦点位置検出方法を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）位相シフトマスクにおいて、半導体装置製造での
リソグラフィ工程における露光装置の焦点位置検出に用
いる、位相角が１８０度の整数倍以外の位相シフタによ
る焦点位置を移動可能な焦点位置検出用パターンを有す
る。
成するために、 （１）位相シフトマスクにおいて、半導体装置製造での
リソグラフィ工程における露光装置の焦点位置検出に用
いる、位相角が１８０度の整数倍以外の位相シフタによ
る焦点位置を移動可能な焦点位置検出用パターンを有す
る。
【０００６】（２）位相シフトマスクを用いた焦点位置
検出方法において、半導体装置製造でのリソグラフィ工
程における露光装置の焦点位置検出に用いる、位相角が
１８０度の整数倍以外の位相シフタによる焦点位置を、
移動可能な焦点位置検出用パターンによりレジストパタ
ーンを形成する工程と、このレジストパターンに基づい
て焦点位置の検出・測定を行う工程とを施すようにした
ものである。
検出方法において、半導体装置製造でのリソグラフィ工
程における露光装置の焦点位置検出に用いる、位相角が
１８０度の整数倍以外の位相シフタによる焦点位置を、
移動可能な焦点位置検出用パターンによりレジストパタ
ーンを形成する工程と、このレジストパターンに基づい
て焦点位置の検出・測定を行う工程とを施すようにした
ものである。
【０００７】（３）位相シフトマスクを用いた焦点位置
検出方法において、半導体装置製造でのリソグラフィ工
程における露光装置の焦点位置検出に用いる、位相角が
１８０度の整数倍以外の位相シフタによる焦点位置の移
動を用いた焦点位置検出用パターンをセットする工程
と、この焦点位置検出用パターンにより形成された光強
度分布を求め、焦点位置の検出を行う工程とを施すよう
にしたものである。
検出方法において、半導体装置製造でのリソグラフィ工
程における露光装置の焦点位置検出に用いる、位相角が
１８０度の整数倍以外の位相シフタによる焦点位置の移
動を用いた焦点位置検出用パターンをセットする工程
と、この焦点位置検出用パターンにより形成された光強
度分布を求め、焦点位置の検出を行う工程とを施すよう
にしたものである。
【０００８】
（１）請求項１記載の位相シフトマスクによれば、焦点
位置を移動可能な焦点位置検出用パターンを有するの
で、人間の判断による個人差をより排除して、焦点位置
検出を確実にすることができる。 （２）請求項２記載の位相シフトマスクを用いた焦点位
置検出方法によれば、焦点位置検出用パターンは所望の
半導体装置パターンと同一マスク、同一面上に設けるこ
とが可能であり、半導体装置製造工程中において焦点位
置の確認が可能である。
位置を移動可能な焦点位置検出用パターンを有するの
で、人間の判断による個人差をより排除して、焦点位置
検出を確実にすることができる。 （２）請求項２記載の位相シフトマスクを用いた焦点位
置検出方法によれば、焦点位置検出用パターンは所望の
半導体装置パターンと同一マスク、同一面上に設けるこ
とが可能であり、半導体装置製造工程中において焦点位
置の確認が可能である。
【０００９】また、装置の焦点位置確認作業を別途行う
ことなく確認でき、さらにずれている場合には、そのず
れ量を知ることができる。 （３）請求項３記載の位相シフトマスクを用いた焦点位
置検出方法によれば、レジストパターンを形成すること
なく、しかも装置の焦点位置確認作業を別途行うことな
く確認できる。
ことなく確認でき、さらにずれている場合には、そのず
れ量を知ることができる。 （３）請求項３記載の位相シフトマスクを用いた焦点位
置検出方法によれば、レジストパターンを形成すること
なく、しかも装置の焦点位置確認作業を別途行うことな
く確認できる。
【００１０】また、ウエハステージ上の光強度検出装置
を用いることによって、ウエハ毎に焦点位置確認が可能
であり、ずれている場合のそのずれ量を知ることがで
き、自動補正も可能となる。
を用いることによって、ウエハ毎に焦点位置確認が可能
であり、ずれている場合のそのずれ量を知ることがで
き、自動補正も可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半導体
装置製造用マスクにおける焦点位置検出用パターンの一
例を示す図、図２は縮小投影露光装置（ステッパー）の
概略構成図である。
がら説明する。図１は本発明の第１実施例を示す半導体
装置製造用マスクにおける焦点位置検出用パターンの一
例を示す図、図２は縮小投影露光装置（ステッパー）の
概略構成図である。
【００１２】図２に示すように、この縮小投影露光装置
は、光源１、フライアイレンズ２、マスク３、結合／縮
小光学系４、ウエハステージ５である。そこで、マスク
としては、図１に示すように、遮光パターン１０１の長
辺に接するように、位相シフトパターン１０２、１０３
を設ける。位相シフトパターン１０２、１０３の遮光部
端からの寸法、形状は同一とし、用いる露光光の波長に
対する位相角も同一とする。ただし、シフタの位相角は
１８０度の整数倍以外とする。
は、光源１、フライアイレンズ２、マスク３、結合／縮
小光学系４、ウエハステージ５である。そこで、マスク
としては、図１に示すように、遮光パターン１０１の長
辺に接するように、位相シフトパターン１０２、１０３
を設ける。位相シフトパターン１０２、１０３の遮光部
端からの寸法、形状は同一とし、用いる露光光の波長に
対する位相角も同一とする。ただし、シフタの位相角は
１８０度の整数倍以外とする。
【００１３】以下、この第１実施例の動作について説明
する。パターンにシフタが無い場合には、図２に示すよ
うに、縮小投影光学系を用いて結像させた時のＡ−Ｂ間
のプロファイルの最小光強度の最低値を得る焦点位置を
ベストフォーカスとすると、図１に示すようなシフタ付
きパターンでは、ベストフォーカスの位置が異なり、位
相角、遮光部端からのシフタ寸法により、ベストフォー
カスの位置の移動量は異なることが知られている。
する。パターンにシフタが無い場合には、図２に示すよ
うに、縮小投影光学系を用いて結像させた時のＡ−Ｂ間
のプロファイルの最小光強度の最低値を得る焦点位置を
ベストフォーカスとすると、図１に示すようなシフタ付
きパターンでは、ベストフォーカスの位置が異なり、位
相角、遮光部端からのシフタ寸法により、ベストフォー
カスの位置の移動量は異なることが知られている。
【００１４】ベストフォーカスの移動は、シフタが無い
場合のベストフォーカス位置に対して、光学系に近い側
と遠い側の両方があり、シフタ位相角が１８０度の整数
倍以外の奇数倍と偶数倍で、ベストフォーカスの移動方
向が異なる。さらに、ベストフォーカスの移動量は、位
相シフタの位相角及びシフタ寸法により決定される。次
に、本発明の第２実施例について説明する。
場合のベストフォーカス位置に対して、光学系に近い側
と遠い側の両方があり、シフタ位相角が１８０度の整数
倍以外の奇数倍と偶数倍で、ベストフォーカスの移動方
向が異なる。さらに、ベストフォーカスの移動量は、位
相シフタの位相角及びシフタ寸法により決定される。次
に、本発明の第２実施例について説明する。
【００１５】図３は本発明の第２実施例を示す半導体装
置製造用マスクにおける焦点位置検出用パターンの概要
を示す図である。図３に示すように、パターン２１０か
ら２２０は、いずれも短辺２．５μｍ、長辺１０．０μ
ｍ（マスク上）の長方形の遮光パターンを有する。配列
の間隔は、中心線の間隔で２５μｍ、エッジ間隔で２０
μｍである。パターンの長辺方向の両側には、位相シフ
トパターンが形成されている。ただし、２１５は参照用
パターンであり、位相シフトパターン無しのパターンで
ある。
置製造用マスクにおける焦点位置検出用パターンの概要
を示す図である。図３に示すように、パターン２１０か
ら２２０は、いずれも短辺２．５μｍ、長辺１０．０μ
ｍ（マスク上）の長方形の遮光パターンを有する。配列
の間隔は、中心線の間隔で２５μｍ、エッジ間隔で２０
μｍである。パターンの長辺方向の両側には、位相シフ
トパターンが形成されている。ただし、２１５は参照用
パターンであり、位相シフトパターン無しのパターンで
ある。
【００１６】そこで、シフタ形成は、基板加工によるも
のとし、所望の加工精度、形状であるとする。各パター
ンの両側のシフタの幅、位相角は同一である。シフタの
位相角は露光波長に対して、パターン２１０から２１４
は９０度、パターン２１６から２２０は２７０度とす
る。ここで、シフタの幅は、パターン２１０と２２０で
は１．２５μｍ、パターン２１１と２１９では１．００
μｍ、パターン２１２と２１８では０．７５μｍ、パタ
ーン２１３と２１７では０．５０μｍ、パターン２１４
と２１６では０．２５μｍである。
のとし、所望の加工精度、形状であるとする。各パター
ンの両側のシフタの幅、位相角は同一である。シフタの
位相角は露光波長に対して、パターン２１０から２１４
は９０度、パターン２１６から２２０は２７０度とす
る。ここで、シフタの幅は、パターン２１０と２２０で
は１．２５μｍ、パターン２１１と２１９では１．００
μｍ、パターン２１２と２１８では０．７５μｍ、パタ
ーン２１３と２１７では０．５０μｍ、パターン２１４
と２１６では０．２５μｍである。
【００１７】以下、この第２実施例の動作について説明
する。遮光部エッジに接して、位相角１８０度以外のシ
フタを設けた場合、パターンの焦点位置が、そのシフタ
のエッジからの幅により、変化することが知られてい
る。また、位相角が０度から１８０度未満と、１８０度
を越えて３６０度未満では、焦点位置の変化する方向
が、ベストフォーカスを挟んで逆方向となる。
する。遮光部エッジに接して、位相角１８０度以外のシ
フタを設けた場合、パターンの焦点位置が、そのシフタ
のエッジからの幅により、変化することが知られてい
る。また、位相角が０度から１８０度未満と、１８０度
を越えて３６０度未満では、焦点位置の変化する方向
が、ベストフォーカスを挟んで逆方向となる。
【００１８】焦点位置検出用パターンを含むマスクを用
いて、所定の方法によりポジ型レジストが塗布されたウ
エハに露光を行う。所定の露光後、所定の現像処理を行
い、焦点位置検出用パターン１１箇所を比較する。参照
用パターン２１５であるシフタの無いパターン以外のパ
ターンが、明瞭に形成されている場合には、焦点位置が
ずれていることが発見できる。
いて、所定の方法によりポジ型レジストが塗布されたウ
エハに露光を行う。所定の露光後、所定の現像処理を行
い、焦点位置検出用パターン１１箇所を比較する。参照
用パターン２１５であるシフタの無いパターン以外のパ
ターンが、明瞭に形成されている場合には、焦点位置が
ずれていることが発見できる。
【００１９】参照用パターン２１５に比べ、位相シフト
パターン２１３（シフタ幅０．５μｍ、位相角９０度）
が最も明瞭にパターン形成されている場合、プラス方向
に約１μｍ焦点位置がずれていることになる。次に、本
発明の第３実施例について説明する。図４は本発明の第
３実施例で用いる焦点位置検出パターンの１例を示す平
面図であり、ここで、マスクにこのパターンが存在した
とき、このパターンによって光学像（光強度）が示され
る。図５はかかる図４に示す焦点位置検出パターンによ
って形成される光強度の図４中のＡ−Ｂ間のプロファイ
ルを示す図である。図５中Ｃは図４中の遮光パターン３
０１の中心に相当し、横軸は位置（μｍ）、縦軸は光強
度を示している。図６はウエハステージの平面図であ
る。
パターン２１３（シフタ幅０．５μｍ、位相角９０度）
が最も明瞭にパターン形成されている場合、プラス方向
に約１μｍ焦点位置がずれていることになる。次に、本
発明の第３実施例について説明する。図４は本発明の第
３実施例で用いる焦点位置検出パターンの１例を示す平
面図であり、ここで、マスクにこのパターンが存在した
とき、このパターンによって光学像（光強度）が示され
る。図５はかかる図４に示す焦点位置検出パターンによ
って形成される光強度の図４中のＡ−Ｂ間のプロファイ
ルを示す図である。図５中Ｃは図４中の遮光パターン３
０１の中心に相当し、横軸は位置（μｍ）、縦軸は光強
度を示している。図６はウエハステージの平面図であ
る。
【００２０】なお、この実施例においても、例えば、縮
小投影露光装置（ステッパー）としては、図２に示すも
のを用いる。ここで、マスクには焦点位置検出パターン
が１つ以上存在するものとする。図４において、３０１
は遮光パターン（例えば、幅０．３μｍ）、３０２，３
０３は位相角９０°の位相シフトパターン（例えば、幅
０．２μｍ）であり、図１と同様のパターンである。
小投影露光装置（ステッパー）としては、図２に示すも
のを用いる。ここで、マスクには焦点位置検出パターン
が１つ以上存在するものとする。図４において、３０１
は遮光パターン（例えば、幅０．３μｍ）、３０２，３
０３は位相角９０°の位相シフトパターン（例えば、幅
０．２μｍ）であり、図１と同様のパターンである。
【００２１】図５に示すプロファイルの内、Ｆ＝０μｍ
は所望とする位置にステージがある場合であり、Ｆ＝＋
１．０μｍは所望とする位置より下方に、Ｆ＝−１．０
μｍは所望とする位置より上方（図２において）にずれ
ている場合である。なお、ここで、波長λは３６５ｎ
ｍ、開口率ＮＡは０．６、光学系の係数σは０．６の条
件である。
は所望とする位置にステージがある場合であり、Ｆ＝＋
１．０μｍは所望とする位置より下方に、Ｆ＝−１．０
μｍは所望とする位置より上方（図２において）にずれ
ている場合である。なお、ここで、波長λは３６５ｎ
ｍ、開口率ＮＡは０．６、光学系の係数σは０．６の条
件である。
【００２２】図６に示すように、縮小投影露光装置のウ
エハステージ５（図２参照）上にはウエハ４０１がセッ
トされており、このウエハ４０１と同一面にＣＣＤ等の
光強度検出器４０２を配置する。この光強度検出器４０
２は、焦点位置検出用パターンの結像位置へ速やかに所
望の精度で移動可能に構成する。ここで、ウエハステー
ジ５は、所望の焦点位置で露光が可能な制御機構と精度
を有するものとする。
エハステージ５（図２参照）上にはウエハ４０１がセッ
トされており、このウエハ４０１と同一面にＣＣＤ等の
光強度検出器４０２を配置する。この光強度検出器４０
２は、焦点位置検出用パターンの結像位置へ速やかに所
望の精度で移動可能に構成する。ここで、ウエハステー
ジ５は、所望の焦点位置で露光が可能な制御機構と精度
を有するものとする。
【００２３】図７において、５０１は点状の受光器であ
り、このような受光器を用いた場合、図５中の点Ｃの強
度変化を用いて該当する動作を行う。ただし、焦点位置
検出パターンによって形成される光強度プロファイルの
中心位置に受光器を移動させる必要がある。また、５０
２では図４中Ａ−Ｂと直交するように受光器を設置する
ことにより、本方式による測定のための位置合わせを容
易にすることができる。
り、このような受光器を用いた場合、図５中の点Ｃの強
度変化を用いて該当する動作を行う。ただし、焦点位置
検出パターンによって形成される光強度プロファイルの
中心位置に受光器を移動させる必要がある。また、５０
２では図４中Ａ−Ｂと直交するように受光器を設置する
ことにより、本方式による測定のための位置合わせを容
易にすることができる。
【００２４】図８における５１１，５１２では、図４中
Ａ−Ｂ方向に直線状に受光器を配置することによって、
位置合わせを容易にすることができるとともに、図４中
Ａ−Ｂ間の位置と光強度の関連性（パターン認識）を用
いることによって、焦点位置検出をより容易に、高精度
に行うことができる。また、５２１では焦点位置検出パ
ターンによって形成された光強度２次元的に検出するこ
とができる。
Ａ−Ｂ方向に直線状に受光器を配置することによって、
位置合わせを容易にすることができるとともに、図４中
Ａ−Ｂ間の位置と光強度の関連性（パターン認識）を用
いることによって、焦点位置検出をより容易に、高精度
に行うことができる。また、５２１では焦点位置検出パ
ターンによって形成された光強度２次元的に検出するこ
とができる。
【００２５】以下、この第３実施例の動作について説明
する。上記した第１実施例では実際のレジストパターン
を用いたのに対して、この実施例では、位相シフトマス
クを用いた焦点位置検出用パターンにより形成された光
強度を測定する。そこで、その測定結果より、各パター
ンの最小光強度やプロファイルを求め、どのパターンが
最も明瞭なプロファイルを形成しているかを自動的に判
断し、ずれが生じている場合には、その量についても算
出する。
する。上記した第１実施例では実際のレジストパターン
を用いたのに対して、この実施例では、位相シフトマス
クを用いた焦点位置検出用パターンにより形成された光
強度を測定する。そこで、その測定結果より、各パター
ンの最小光強度やプロファイルを求め、どのパターンが
最も明瞭なプロファイルを形成しているかを自動的に判
断し、ずれが生じている場合には、その量についても算
出する。
【００２６】本発明の利用形態としては、 （１）シフタの位相角は１８０度の整数倍以外であれば
よい。 （２）レジストパターンとして形成された焦点位置検出
用パターンについて、上記した第２実施例では直接観察
としているが、観察装置等を介して信号情報に変換し、
これに適切な処理を行うことによっても、同様の効果が
得られる。
よい。 （２）レジストパターンとして形成された焦点位置検出
用パターンについて、上記した第２実施例では直接観察
としているが、観察装置等を介して信号情報に変換し、
これに適切な処理を行うことによっても、同様の効果が
得られる。
【００２７】（３）焦点位置検出用パターンが形成した
光強度プロファイルについて、上記第３実施例ではウエ
ハステージ上で観察を行っているが、反射装置等を用い
てもよい。なお、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
光強度プロファイルについて、上記第３実施例ではウエ
ハステージ上で観察を行っているが、反射装置等を用い
てもよい。なお、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、焦点位置を移動可
能な焦点位置検出用パターンを有するので、人間の判断
による個人差をより排除して、焦点位置検出を確実にす
ることができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、焦点位置を移動可
能な焦点位置検出用パターンを有するので、人間の判断
による個人差をより排除して、焦点位置検出を確実にす
ることができる。
【００２９】（２）請求項２記載の発明によれば、焦点
位置検出用パターンは所望の半導体装置パターンと同一
マスク、同一面上に設けることが可能であり、半導体装
置製造工程中において焦点位置の確認が可能である。ま
た、装置の焦点位置確認作業を別途行うことなく確認で
き、さらにずれている場合には、そのずれ量を知ること
ができる。
位置検出用パターンは所望の半導体装置パターンと同一
マスク、同一面上に設けることが可能であり、半導体装
置製造工程中において焦点位置の確認が可能である。ま
た、装置の焦点位置確認作業を別途行うことなく確認で
き、さらにずれている場合には、そのずれ量を知ること
ができる。
【００３０】（３）請求項３記載の発明によれば、レジ
ストパターンを形成することなく、しかも装置の焦点位
置確認作業を別途行うことなく確認できる。また、ウエ
ハステージ上の光強度検出装置を用いることによって、
ウエハ毎に焦点位置確認が可能であり、ずれている場合
の、そのずれ量を知ることができ、自動補正も可能とな
る。
ストパターンを形成することなく、しかも装置の焦点位
置確認作業を別途行うことなく確認できる。また、ウエ
ハステージ上の光強度検出装置を用いることによって、
ウエハ毎に焦点位置確認が可能であり、ずれている場合
の、そのずれ量を知ることができ、自動補正も可能とな
る。
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体装置製造用マ
スクにおける焦点位置検出用パターンの一例を示す図で
ある。
スクにおける焦点位置検出用パターンの一例を示す図で
ある。
【図２】縮小投影露光装置（ステッパー）の概略構成図
である。
である。
【図３】本発明の第２実施例を示す半導体装置製造用マ
スクにおける焦点位置検出用パターンの概要を示す図で
ある。
スクにおける焦点位置検出用パターンの概要を示す図で
ある。
【図４】本発明の第３実施例で用いる位相シフトマスク
の平面図である。
の平面図である。
【図５】図４に示す位相シフトマスクによって形成され
る光強度を示す図である。
る光強度を示す図である。
【図６】本発明の第３実施例を示すウエハステージの平
面図である。
面図である。
【図７】本発明の第３実施例を示す単一の光強度検出器
の配置を示す図である。
の配置を示す図である。
【図８】本発明の第３実施例を示す複数の光強度検出器
の配置を示す図である。
の配置を示す図である。
１ 光源 ２ フライアイレンズ ３ マスク ４ 結合／縮小光学系 ５ ウエハステージ １０１，３０１ 遮光パターン １０２，１０３，３０２，３０３ 位相シフトパター
ン ２１０，２１１，２１２，２１３，２１４，２１６，２
１７，２１８，２１９，２２０ パターン（遮光パタ
ーン＋位相シフトパターン） ２１５ 参照用パターン（位相シフトパターン無しの
パターン） ４０１ ウエハ ４０２ 光強度検出器 ５０１，５０２ 単一の検出器 ５１１，５１２ 一次元配置の複数の検出器 ５２１ 二次元配置の複数の検出器
ン ２１０，２１１，２１２，２１３，２１４，２１６，２
１７，２１８，２１９，２２０ パターン（遮光パタ
ーン＋位相シフトパターン） ２１５ 参照用パターン（位相シフトパターン無しの
パターン） ４０１ ウエハ ４０２ 光強度検出器 ５０１，５０２ 単一の検出器 ５１１，５１２ 一次元配置の複数の検出器 ５２１ 二次元配置の複数の検出器
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置製造でのリソグラフィ工程に
おける露光装置の焦点位置検出に用いる、位相角が１８
０度の整数倍以外の位相シフタによる焦点位置を移動可
能な焦点位置検出用パターンを有する位相シフトマス
ク。 - 【請求項２】 位相シフトマスクを用いた焦点位置検出
方法において、（ａ）半導体装置製造でのリソグラフィ
工程における露光装置の焦点位置検出に用いる、位相角
が１８０度の整数倍以外の位相シフタによる焦点位置を
移動可能な焦点位置検出用パターンによりレジストパタ
ーンを形成する工程と、（ｂ）該レジストパターンに基
づいて焦点位置の検出・測定を行う工程とを施すことを
特徴とする位相シフトマスクを用いた焦点位置検出方
法。 - 【請求項３】 位相シフトマスクを用いた焦点位置検出
方法において、（ａ）半導体装置製造でのリソグラフィ
工程における露光装置の焦点位置検出に用いる、位相角
が１８０度の整数倍以外の位相シフタによる焦点位置の
移動を用いた焦点位置検出用パターンをセットする工程
と、（ｂ）該焦点位置検出用パターンにより形成された
光強度分布を求め、焦点位置の検出を行う工程とを施す
ことを特徴とする位相シフトマスクを用いた焦点位置検
出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11319995A JPH08304999A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 位相シフトマスク及びそれを用いた焦点位置検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11319995A JPH08304999A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 位相シフトマスク及びそれを用いた焦点位置検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304999A true JPH08304999A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14606072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11319995A Pending JPH08304999A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 位相シフトマスク及びそれを用いた焦点位置検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08304999A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313691A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Sony Corp | 露光マスクの製造方法および露光マスク |
| WO2005004211A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Nikon Corporation | フォーカステストマスク、フォーカス測定方法、及び露光装置 |
| WO2009001834A1 (ja) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Nikon Corporation | 光学特性の計測方法、光学特性の調整方法、露光装置、露光方法及び露光装置の製造方法 |
| US8343693B2 (en) | 2009-11-05 | 2013-01-01 | Nikon Corporation | Focus test mask, focus measurement method, exposure method and exposure apparatus |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP11319995A patent/JPH08304999A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313691A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Sony Corp | 露光マスクの製造方法および露光マスク |
| JP4534376B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | 露光マスクの製造方法および露光マスク |
| WO2005004211A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Nikon Corporation | フォーカステストマスク、フォーカス測定方法、及び露光装置 |
| US7426017B2 (en) | 2003-07-03 | 2008-09-16 | Nikon Corporation | Focus test mask, focus measurement method and exposure apparatus |
| WO2009001834A1 (ja) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Nikon Corporation | 光学特性の計測方法、光学特性の調整方法、露光装置、露光方法及び露光装置の製造方法 |
| US8343693B2 (en) | 2009-11-05 | 2013-01-01 | Nikon Corporation | Focus test mask, focus measurement method, exposure method and exposure apparatus |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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