JPH0828370B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0828370B2 JPH0828370B2 JP27863087A JP27863087A JPH0828370B2 JP H0828370 B2 JPH0828370 B2 JP H0828370B2 JP 27863087 A JP27863087 A JP 27863087A JP 27863087 A JP27863087 A JP 27863087A JP H0828370 B2 JPH0828370 B2 JP H0828370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- avalanche diode
- power transistor
- collector
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アバランシェダイオードを内蔵したパワー
トランジスタに関し、特に高耐圧のアバランシェダイオ
ードの形成方法に関する。
トランジスタに関し、特に高耐圧のアバランシェダイオ
ードの形成方法に関する。
従来の技術 従来、アバランシェダイオードを一半導体基板内に形
成する場合、コレクタ領域と同導電型の高濃度領域をベ
ース領域を囲むようにしてリング状に形成していた。第
３図は従来例のアバランシェダイオードを形成したパワ
ートランジスタの平面図であり、第４図は第３図のＡ−
Ａ′線に沿う断面図である。図中において、１はコレク
タ領域、２はベース領域、３はエミッタ領域、４はベー
ス電極、５はエミッタ電極、６はコレクタ電極、７は絶
縁膜、８はチャンネルストッパー、９はコレクタ領域と
同導電型の高濃度領域である。
成する場合、コレクタ領域と同導電型の高濃度領域をベ
ース領域を囲むようにしてリング状に形成していた。第
３図は従来例のアバランシェダイオードを形成したパワ
ートランジスタの平面図であり、第４図は第３図のＡ−
Ａ′線に沿う断面図である。図中において、１はコレク
タ領域、２はベース領域、３はエミッタ領域、４はベー
ス電極、５はエミッタ電極、６はコレクタ電極、７は絶
縁膜、８はチャンネルストッパー、９はコレクタ領域と
同導電型の高濃度領域である。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、この従来例によるとコレクタ領域と同
導電型の高濃度領域のコーナー部において電界集中が高
くなり、破壊現象が見られていた。
導電型の高濃度領域のコーナー部において電界集中が高
くなり、破壊現象が見られていた。
問題点を解決するための手段 そこで、本発明は、ベース領域の周辺にコレクタ領域
と同導電型の高濃度領域を複数個、周辺に分割配設した
ものである。
と同導電型の高濃度領域を複数個、周辺に分割配設した
ものである。
作用 これによって、高濃度領域のコーナー部を無くし電界
集中を緩和させ、アバランシェダイオードを内蔵したパ
ワートランジスタの破壊耐量エネルギーＥS/Bを大きく
することができる。
集中を緩和させ、アバランシェダイオードを内蔵したパ
ワートランジスタの破壊耐量エネルギーＥS/Bを大きく
することができる。
実施例 第１図は本発明実施例のアバランシェダイオードを形
成したパワートランジスタの平面図であるが、従来例の
第２図と対応させた図であるから説明を省略する。
成したパワートランジスタの平面図であるが、従来例の
第２図と対応させた図であるから説明を省略する。
第２図は本発明実施例と従来例とで形成されたアバラ
ンシェダイオードを内蔵したパワートランジスタに電圧
Ｖを印加して破壊させたときの印加電圧ＶS/Bを縦軸に
とって比較したものである。このときコンデンサーとし
てＣ＝1200pFのものを用いた。
ンシェダイオードを内蔵したパワートランジスタに電圧
Ｖを印加して破壊させたときの印加電圧ＶS/Bを縦軸に
とって比較したものである。このときコンデンサーとし
てＣ＝1200pFのものを用いた。
発明の効果 このように、パワートランジスタの破壊耐量エネルギ
ーＥS/BはＥS/B＝1/2C▲Ｖ2 S/B▼で表わされることによ
り、本発明実施例のアバランシェダイオードを内蔵した
パワートランジスタの方が、従来例のアバランシェダイ
オードを内蔵したパワートランジスタよりも破壊耐量エ
ネルギーＥS/Bを大きくできることがわかる。
ーＥS/BはＥS/B＝1/2C▲Ｖ2 S/B▼で表わされることによ
り、本発明実施例のアバランシェダイオードを内蔵した
パワートランジスタの方が、従来例のアバランシェダイ
オードを内蔵したパワートランジスタよりも破壊耐量エ
ネルギーＥS/Bを大きくできることがわかる。
第１図は本発明実施例のアバランシェダイオードを形成
したパワートランジスタの平面図、第２図は実施例と従
来例とのアバランシェダイオードを形成させたパワート
ランジスタの破壊電圧ＶB/Sを比較した特性図、第３図
は従来例のアバランシェダイオードを形成したパワート
ランジスタの平面図、第４図は第３図のＡ−Ａ′線に沿
う断面図である。 １……コレクタ領域、２……ベース領域、３……エミッ
タ領域、４……ベース電極、５……エミッタ電極、６…
…コレクタ電極、７……絶縁膜、８……チャンネルスト
ッパー、９……コレクタ領域と同導電型の高濃度領域。
したパワートランジスタの平面図、第２図は実施例と従
来例とのアバランシェダイオードを形成させたパワート
ランジスタの破壊電圧ＶB/Sを比較した特性図、第３図
は従来例のアバランシェダイオードを形成したパワート
ランジスタの平面図、第４図は第３図のＡ−Ａ′線に沿
う断面図である。 １……コレクタ領域、２……ベース領域、３……エミッ
タ領域、４……ベース電極、５……エミッタ電極、６…
…コレクタ電極、７……絶縁膜、８……チャンネルスト
ッパー、９……コレクタ領域と同導電型の高濃度領域。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/60 23/62 27/06 29/73 29/866 Ｈ０１Ｌ 29/90 Ｄ
Claims (1)
- 【請求項１】一半導体基板内にコレクタ領域、ベース領
域およびエミッタ領域を有するトランジスタにおいて、
ベース領域周辺のコレクタ領域に同コレクタ領域と同一
導電型の高濃度領域を前記ベース領域を囲むようにして
複数個、分割して配設したことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27863087A JPH0828370B2 (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27863087A JPH0828370B2 (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120865A JPH01120865A (ja) | 1989-05-12 |
| JPH0828370B2 true JPH0828370B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=17599954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27863087A Expired - Lifetime JPH0828370B2 (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828370B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE524498C2 (sv) | 2002-09-18 | 2004-08-17 | Inter Ikea Systems Bv | Lastlist och system för att bilda lastenheter |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP27863087A patent/JPH0828370B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01120865A (ja) | 1989-05-12 |
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