JPH08262481A - 光書込み反射読出し型空間光変調素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 斜め光を含む読出し光に対してもコントラス
ト比の低下しない画像が得られる光書込み反射読出し型
空間光変調素子を提供する。 【構成】 光書込み反射読出し型空間光変調素子SLMに
おける光導電層部材PCLと光変調材層部材PMLとの間に設
ける誘電体ミラーDMLを、前記した光導電層部材PCLが最
大感度を示す光波長より50ナノメートル乃至150ナノメ
ートルだけ長波長の光波長を中心波長とする誘電体反射
層dmを付加した構成とする。読出し光の光路中の光学部
品での乱反射、空間光変調素子の製作過程中に素子中に
混入した微細な異物、素子中に発生した欠陥、傷によっ
生じる散乱光等の原因で、読出し光中へ光軸に斜めの光
が含まれていても、誘電体反射層で良好に反射し、読出
し光中の斜め光を無くするために光学系を精密な構成と
したり、装置の防塵を完全にする等の処置が不要とな
り、また空間光変調素子の歩留りを低下させなくともよ
く、遮光膜として有害で高価なCdTeを使用した場合でも
薄い膜厚にできるので低価格な装置を容易に提供でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表示装置、撮像装置、光
コンピュータ等における構成素子として使用される光書
込み反射読出し型空間光変調素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば表示装置や撮像装置、その他の各
種の装置において、高精細度を有する画像情報が得られ
るようにするためには、前記した各種装置の構成素子と
して用いられる光学素子としても、高解像度の画像情報
を得ることのできるものが必要とされる。そして、高解
像度の画像情報が得られる光学素子の１つとして、光書
込み反射読出し型空間光変調素子が注目されている。そ
して前記の光書込み反射読出し型空間光変調素子（ＳＬ
Ｍ）は、例えば図３に例示されているように、透明電極
Ｅｔ1が付着された透明基板ＢＰ1に、光導電層部材ＰＣ
Ｌと、誘電体ミラーＤＭＬと、光変調材層部材ＰＭＬ
と、透明電極Ｅｔ2が付着された透明基板ＢＰ2とを積層
して構成されたり、あるいは図４に例示されているよう
に透明電極Ｅｔ1が付着された透明基板ＢＰ1に、光導電
層部材ＰＣＬと、遮光膜ＳＬと、誘電体ミラーＤＭＬ
と、光変調材層部材ＰＭＬと、透明電極Ｅｔ2が付着さ
れた透明基板ＢＰ2とを積層して構成されたりする。な
お、光変調材層部材として結晶や支持体を有する液晶
（例えば液晶フィルム）が使用される場合には、透明基
板の一部または全部が省略されることもある。

【０００３】図３及び図４に示す光書込み反射読出し型
空間光変調素子ＳＬＭにおいて、透明電極Ｅt1，Ｅt2は
透明導電物質の薄膜（例えばＩＴＯ膜）で構成されてお
り、また、光導電層部材ＰＣＬは使用される光の波長域
において光導電性を示す物質を用いて構成され、さら
に、誘電体ミラーＤＭＬは所定波長の光を反射させうる
ように、反射すべき光波長の１／４の厚さの低屈折率膜
と、反射すべき光波長の１／４の厚さの高屈折率膜とを
交互に積層した後に、反射すべき光波長の１／２の厚さ
の低屈折率膜を積層して構成されている。また光変調材
層部材ＰＭＬは、印加されている電界強度に応じて光の
状態(光の偏光状態、光の旋光状態、光の散乱状態)を変
化させる光変調材(例えばネマティック液晶、ニオブ酸
リチウム、ＢＳＯ、ＰＬＺＴ、高分子ー液晶複合膜等)
を用いて構成される。図４中の遮光膜ＳＬとしては、例
えばＣｄＴｅ膜が使用される。また遮光膜ＳＬは、誘電
体ミラーＤＭＬを透過した読出し光が、光導電層部材Ｐ
ＣＬに与えられて、再生画像のコントラスト比が低下す
ることを防止するためのものである。

【０００４】図３及び図４中のＥは、透明電極Ｅt1，Ｅ
t2間に所定の電圧を印加するための駆動電源であり、こ
の駆動電源Ｅは図中では交流電源であるとして示されて
いるが、光変調材層部材ＰＭＬの構成物質に応じて直流
電源となされたり交流電源となされたりする。また、図
中のＷＬは光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭ
における基板ＢＰ1側から入射されて光導電層部材ＰＣ
Ｌに集光される書込み光であって、この書込み光ＷＬは
表示の対象にされている情報によって強度変調されてい
る。そして、透明電極Ｅt1，Ｅt2間に駆動電源Ｅから所
定の電圧を供給し、光書込み反射読出し型空間光変調素
子ＳＬＭにおける透明基板Ｅt1側から、画像情報によっ
て強度変調されている書込み光ＷＬが入射して、透明基
板ＢＰ1と透明電極Ｅt1とを通して光導電層部材ＰＣＬ
に集光されると、前記した書込み光ＷＬが集光された部
分の光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、照射された光
量に応じて変化して、光変調材層部材ＰＭＬの両端に
は、前記した画像情報と対応している電界強度分布を示
す電界が印加される。

【０００５】それで、光書込み反射読出し型空間光変調
素子ＳＬＭにおける透明基板ＢＰ2側から読出し光ＲＬ
を入射させると、その読出し光ＲＬは透明基板ＢＰ2→
電極Ｅt2→光変調材層部材ＰＭＬ→誘電体ミラーＤＭＬ
の経路により誘電体ミラーＤＭＬに達してそこで反射
し、読出し光の反射光は誘電体ミラーＤＭＬ→（図４に
示す光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭでは、
遮光膜ＳＬ）→光変調材層部材ＰＭＬ→電極Ｅt2→透明
基板ＢＰ2→の経路で光書込み反射読出し型空間光変調
素子ＳＬＭから射出する。前記のようにして光書込み反
射読出し型空間光変調素子ＳＬＭから射出した光束は、
前記した書込み光ＷＬが有していた画像情報と対応した
電界強度の分布を有する電界が印加されている光変調材
層部材ＰＭＬを往復した光束であるから、その読出し光
の光束は、書込み光の画像情報と対応して光の状態が変
化しているものになっている。

【０００６】前記のように、光書込み反射読出し型空間
光変調素子ＳＬＭにおける光変調材層部材ＰＭＬに印加
された電界強度に応じて、その中を通過する光の偏光の
状態、あるいは複屈折の状態が変化して、光書込み反射
読出し型空間光変調素子ＳＬＭから射出された読出し光
の反射光束は、光書込み反射読出し型空間光変調素子Ｓ
ＬＭから射出した光束を検光子(偏光ビームスプリッタ
ＰＢＳでも同じ)に通過させることにより、光書込み反
射読出し型空間光変調素子ＳＬＭから射出された読出し
光の反射光束(出力光)を、書込み光の画像情報と対応し
て光の強度が変化している状態のものにされる。なお、
光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭにおける光
変調材層部材ＰＭＬが散乱モードで動作して、光変調材
層部材ＰＭＬに印加された電界強度に応じ、その中を通
過する光の強度を変化させるようなもの（例えば高分子
膜ー液晶膜）の場合には、検光子は必要とされない。

【０００７】図５は光書込み反射読出し型空間光変調素
子ＳＬＭを使用した表示装置の１例構成を示す図であ
り、図５においてＳＧは表示の対象にされている２次元
画像の画像信号源であり、この画像信号源ＳＧでは所定
の走査標準に従って構成されている画像信号（映像信
号）を発生して、それを陰極線管ＣＲＴに供給する。図
５中において、陰極線管ＣＲＴの動作用電源についての
図示は省略されている。前記の陰極線管ＣＲＴの蛍光面
上に映出された表示の対象にされている２次元画像から
の光は、書込みレンズＬｗによって光書込み型光書込み
反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭにおける光導電層部
材に結像される。前記の光書込み型光書込み反射読出し
型空間光変調素子ＳＬＭには駆動電源Ｅから駆動電圧
（素子駆動電圧）が供給されており、光書込み型光書込
み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭは、図３及び図４
を参照して既述したような動作を行なって、赤外フィル
タＦと、全反射鏡Ｍと、偏光ビームスプリッタＰＢＳと
を介して光書込み型光書込み反射読出し型空間光変調素
子ＳＬＭの光変調材層部材に入射した読出し光の光源Ｌ
Ｓから放射された読出し光が画像情報で変調されている
状態の出力光として出射する。前記した光書込み型光書
込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭからの出力光
は、偏光ビームスプリッタＰＢＳによって画像情報によ
って強度変調された状態の２次元画像の光として投影レ
ンズＬｐに入射し、投影レンズＬｐにより２次元画像と
してスクリーンＳ上に投影される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで表示装置で
は、階調特性が良好で、解像度が高く、コントラスト比
の大きな明るい画像がスクリーンＳに投影されることが
望まれるが、前記のように光書込み反射読出し型空間光
変調素子を用いて構成されている表示装置では、光書込
み反射読出し型空間光変調素子の読出し側に強力な読出
し光を入射させるから、使用される光書込み反射読出し
型空間光変調素子として、それの書込み側と読出し側と
の間に、良好な反射特性を有する反射膜を備えていない
と、大きな読出し光が反射膜を透過して光導電層部材Ｐ
ＣＬに与えられるために、投影画像のコントラスト比が
低下する。

【０００９】光書込み反射読出し型空間光変調素子の書
込み側と読出し側との間に設けられる反射膜としては、
図３を参照して既述した光書込み反射読出し型空間光変
調素子ＳＬＭのように、誘電体ミラーＤＭＬが使用され
たり、あるいは、図４を参照して既述した光書込み反射
読出し型空間光変調素子ＳＬＭのように、誘電体ミラー
ＤＭＬの他に遮光膜ＳＬとが使用される。ところで、前
記の誘電体ミラーＤＭＬは、反射すべき光波長の１／４
の厚さの低屈折率膜と、反射すべき光波長の１／４の厚
さの高屈折率膜とを交互に積層した後に、反射すべき光
波長の１／２の厚さの低屈折率膜を積層して構成される
ものであるが、反射率を向上させるためには、積層数を
多くしなければならない。しかし、積層数の多い誘電体
ミラーは、解像度を低下させるし、製作工程が多いため
にコスト高になるという問題点がある。

【００１０】それで、遮光膜を使用することも行なわれ
ているが、遮光膜の構成に適する遮光材料として望まし
いと考えられる、電気抵抗値が高く、かつ優れた遮光特
性を有する遮光材料は余りなく、通常、ＣｄＴｅを用い
て遮光膜を構成させているが、ＣｄＴｅは価格が高く、
また有毒物質であるという問題点がある他に、付着力が
弱くディフエクトを生じ易いという欠点がある。また、
遮光特性の良好な遮光膜は、十分な厚さのものとして構
成させることが必要であるが、厚い遮光膜は画像の解像
度を低下させることになる。前記のような諸問題を解決
するための手段として、本出願人会社では先に特開平３
ー２１７８２５号公報で開示されたように、例えばシリ
コン膜やゲルマニウム膜のように光吸収性を有する膜を
含んで構成させた誘電体ミラーを提案している。

【００１１】前記した本出願人会社による既提案の光吸
収性を有する膜を含んで構成させた誘電体ミラーを備え
ている光書込み反射読出し型空間光変調素子は、所期の
遮光特性を示すことが測定結果によって明らかにされた
が、この光書込み反射読出し型空間光変調素子を、例え
ば図５を参照して既述したような表示装置で使用した場
合に、遮光不良が認められることがあったり、ディフエ
クトの増加が発生する等の問題のあることが判かった。
そして、前記の問題点の存在により、投影画像のコント
ラスト比の低下や、画像中に明点（ブライトスポット）
を生じさせたりして、投影画像の画質を悪化させること
が起こる。前記の問題が生じる原因について探求したと
ころ、前記の問題は光書込み反射読出し型空間光変調素
子の誘電体ミラーに、光軸に平行でない読出し光（斜め
光）が入射することによって生じることが判かった。す
なわち、誘電体ミラーは、誘電体ミラーの面に対して斜
め光が入射したときに、誘電体ミラーの反射波長が設計
値よりも短波長側にずれて行って、長波長側の遮光特性
が急激に悪化する性質があり、透過率が長波長側で上昇
することになる。

【００１２】また、前記のように光軸に平行でない読出
し光（斜め光）が、前記した例えばシリコン膜やゲルマ
ニウム膜のように光吸収性を有する膜を含んで構成させ
た誘電体ミラーに入射した際には、光吸収性を有する膜
の吸収係数が余り大きくない波長域において、前記のよ
うに誘電体ミラーの面に対して斜め光が入射したとき
に、誘電体ミラーの反射波長が設計値よりも短波長側に
ずれて行って、長波長側の遮光特性が、図７に例示され
ているように急激に悪化することが明らかになった。図
７は横軸に光の波長をとり、縦軸にＯＤ（オプティカル
・デンシティ）をとり、光吸収性を有する膜（シリコン
膜）と、ＳｉＯ2膜とを積層して構成させた誘電体ミラ
ーに入射させる光の入射角を、０度（誘電体ミラーの面
に垂直）、３０度、４５度、６０度とした場合の、入射
光の波長に対するＯＤの変化特性を例示した特性曲線図
である。

【００１３】前記のように誘電体ミラーへの入射光が斜
め光になった場合に、誘電体ミラーの反射波長が、設計
値よりも短波長側にずれることにより、例えば、読出し
光の波長が、光導電層部材の感度域に重なっているか、
それに近い場合に大きな問題になり、また、光導電層部
材が最大感度を示す波長が、誘電体ミラーの反射波長の
設計値の波長と同じが、その波長よりよりも長波長側に
あるときに、大きな影響を受ける。例えば、水素化アモ
リファスシリコン膜で構成された光導電層部材が最大感
度を示す波長は、図６に示されているように７２０ｎｍ
付近にあるが、表示装置において赤の読出し光を用いる
際に使用される読出し光の波長は、６００〜７５０ｎｍ
であることから、前記のように水素化アモリファスシリ
コン膜で構成された光導電層部材では、赤の読出し光に
よって大きな影響を受けることになる。

【００１４】既述のように投影画像のコントラスト比の
低下や、画像中に明点またはブライトスポットを生じさ
せるなどして、投影画像の画質を悪化させる原因となる
読出し光における斜め光は、読出し光の光路中に設けら
れている光学部品で生じる乱反射によって生じたり、光
書込み反射読出し型空間光変調素子の製作過程中に素子
中に混入した微細な異物、素子中に発生した欠陥、傷に
よって発生する可能性のある散乱光によって生じたりす
る。前記した読出し光の光路中で、読出し光中に発生す
る斜め光を無くするためには、光学系を精密な構成とし
たり、装置の全体の防塵を完全にしたりしなければなら
ないが、そのような解決手段を実施した場合には、装置
の価格が高くなるために採用できず、また、光書込み反
射読出し型空間光変調素子の製作過程中に素子中に混入
する微細な異物を皆無にすることは困難であり、素子中
に発生する欠陥、傷の無い光書込み反射読出し型空間光
変調素子を得ようとすると製品の歩留りを低下させるの
でコスト高を招くために採用することができない。それ
で、問題は光書込み反射読出し型空間光変調素子の誘電
体ミラーに、光軸に平行でない読出し光（斜め光）が入
射しても、良好な画質の画像が得られるようにできる解
決手段が望まれた。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも、
光導電層部材と誘電体ミラーと光変調材層部材とを積層
して構成してなる光書込み反射読出し型空間光変調素子
において、光導電層部材と光変調材層部材との間に、前
記した光導電層部材が最大感度を示す光波長よりも、５
０ナノメートル乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光
波長を中心波長とする誘電体反射層を付加して構成した
誘電体ミラーを設けたことを特徴とする光書込み反射読
出し型空間光変調素子、及び、少なくとも、光導電層部
材と誘電体ミラーと光変調材層部材とを積層して構成し
てなる光書込み反射読出し型空間光変調素子において、
光導電層部材と光変調材層部材との間に、光吸収性を有
する誘電体反射層を含んで構成させるとともに、前記し
た光導電層部材が最大感度を示す光波長よりも、５０ナ
ノメートル乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光波長
を中心波長とする誘電体反射層を付加して構成した誘電
体ミラーを設けたことを特徴とする光書込み反射読出し
型空間光変調素子、ならびに少なくとも、光導電層部材
と遮光膜と誘電体ミラーと光変調材層部材とを積層して
構成してなる光書込み反射読出し型空間光変調素子にお
いて、遮光膜と光変調材層部材との間に、前記した光導
電層部材が最大感度を示す光波長よりも、５０ナノメー
トル乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光波長を中心
波長とする誘電体反射層を付加して構成した誘電体ミラ
ーを設けたことを特徴とする光書込み反射読出し型空間
光変調素子、及び少なくとも、光導電層部材と遮光膜と
誘電体ミラーと光変調材層部材とを積層して構成してな
る光書込み反射読出し型空間光変調素子において、遮光
膜と光変調材層部材との間に、光吸収性を有する誘電体
反射層を含んで構成させるとともに、前記した光導電層
部材が最大感度を示す光波長よりも、５０ナノメートル
乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光波長を中心波長
とする誘電体反射層を付加して構成した誘電体ミラーを
設けたことを特徴とする光書込み反射読出し型空間光変
調素子を提供する。

【００１６】

【作用】光書込み反射読出し型空間光変調素子における
光導電層部材と光変調材層部材との間に設ける誘電体ミ
ラーが、前記した光導電層部材が最大感度を示す光波長
よりも、５０ナノメートル乃至１５０ナノメートルだけ
長波長の光波長を中心波長とする誘電体反射層を付加し
た構成とされていることにより、前記の誘電体反射層
が、読出し光における光軸に平行でない光（斜め光）を
良好に反射するために、読出し光が光導電層部材側に漏
れないようにできる。また、光書込み反射読出し型空間
光変調素子における遮光膜と光変調材層部材との間に設
ける誘電体ミラーが、前記した光導電層部材が最大感度
を示す光波長よりも、５０ナノメートル乃至１５０ナノ
メートルだけ長波長の光波長を中心波長とする誘電体反
射層を付加した構成とされていることにより、前記の誘
電体反射層が、読出し光における光軸に平行でない光
（斜め光）を良好に反射するために、読出し光が光導電
層部材側に漏れないようにできる。

【００１７】

【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の光書込み
反射読出し型空間光変調素子の具体的な内容を詳細に説
明する。図１及び図２は本発明の光書込み反射読出し型
空間光変調素子の概略構成を示す縦断面図であり、前記
の各図においてＢＰ1，ＢＰ2は透明基板であり、この透
明基板ＢＰ1，ＢＰ2は例えばガラス板、プラスチックス
板を用いて構成することができる。また、Et１,Ｅｔ2は
透明導電膜、例えばＩＴＯ膜で構成されるもので、前記
した透明基板ＢＰ1，ＢＰ2に真空蒸着法等の手段によっ
て所定の厚さに付着される。ＰＣＬは光導電層部材であ
り、この光導電層部材ＰＣＬとしては、書込み光として
使用される光の波長域において光導電性を示す物質を用
いて構成される。以下の記述においては、光導電層部材
ＰＣＬとしてボロンをドープした水素化アモルファスシ
リコン膜が使用されるとしているが、本発明の光書込み
反射読出し型空間光変調素子の実施に当っては、光導電
層部材ＰＣＬとして水素化アモルファスシリコン膜以外
の光導電膜が使用されてもよいことは勿論である。

【００１８】ＤＭＬは誘電体ミラーであって、この誘電
体ミラーＤＭＬとしては後述されている構成例について
詳細に説明されているように、前記した光導電層部材が
最大感度を示す光波長よりも、５０ナノメートル乃至１
５０ナノメートルだけ長波長の光波長を中心波長とする
誘電体反射層ｄｍが付加されている構成態様のものであ
り、例えば次の，に例示するような構成態様のもの
が使用されてもよい。すなわち、前記の誘電体反射層ｄ
ｍを含んで構成される誘電体ミラーＤＭＬとしては、
光導電層部材が最大感度を示す光波長よりも、５０ナノ
メートル乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光波長を
中心波長λｐとした場合に、前記の中心波長λｐの１／
４の光学膜厚（λｐ／４×使用する誘電体の屈折率）を
有する低屈折率膜と、前記の中心波長λｐの１／４の光
学膜厚を有する高屈折率膜とを交互に所定の積層数に積
層して構成した誘電体反射層ｄｍに、反射すべく設定さ
れた所定波長の光を反射させうるように、反射すべく設
定された所定波長の光の光波長の１／４の光学膜厚を有
する低屈折率膜（例えばＳｉＯ2膜)と、反射すべく設定
された所定波長の光の光波長の１／４の光学膜厚を有す
る高屈折率膜(例えばＴｉＯ2膜)とを交互に積層した後
に、反射すべく設定された所定波長の光の光波長の１／
２の光学膜厚の低屈折率膜（例えばＳｉＯ2膜)を積層し
て誘電体ミラーＤＭＬを構成する。

【００１９】光導電層部材が最大感度を示す光波長よ
りも、５０ナノメートル乃至１５０ナノメートルだけ長
波長の光波長を中心波長λｐとした場合に、前記の中心
波長λｐの１／４の光学膜厚(λｐ／４×使用する誘電
体の屈折率)を有する低屈折率膜と、前記の中心波長λ
ｐの１／４の光学膜厚を有する光吸収性を有する誘電体
反射層として機能する高屈折率膜(例えばＳｉ膜または
Ｇｅ膜)とを交互に所定の積層数に積層して構成した誘
電体反射層ｄｍに、反射すべく設定された所定波長の光
を反射させうるように、反射すべく設定された所定波長
の光の光波長の１／４の光学膜厚を有する低屈折率膜
(例えばＳｉＯ2膜)と、反射すべく設定された所定波長
の光の光波長の１／４の光学膜厚を有する高屈折率膜
(例えばＴｉＯ2膜)とを交互に積層した後に、反射すべ
く設定された所定波長の光の光波長の１／２の光学膜厚
の低屈折率膜(例えばＳｉＯ2膜)を積層して誘電体ミラ
ーを構成する。

【００２０】また、ＰＭＬは光変調材層部材であり、こ
の光変調材層部材ＰＭＬは、印加されている電界強度に
応じて光の状態(光の偏光状態、光の旋光状態、光の散
乱状態)を変化させる光変調材(例えばネマティック液
晶、ニオブ酸リチウム、ＢＳＯ、ＰＬＺＴ、高分子ー液
晶複合膜等)を用いて構成する。図２中のＳＬは遮光膜
であり、この遮光膜ＳＬとしては、例えばＣｄＴｅ膜が
使用できる。図１及び図２中のＥは、透明電極Ｅt1，Ｅ
t2間に所定の電圧を印加するための駆動電源であり、こ
の駆動電源Ｅは図中では交流電源であるとして示されて
いるが、光変調材層部材ＰＭＬの構成物質に応じて直流
電源となされたり交流電源となされたりする。また、図
中のＷＬは光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭ
における基板ＢＰ1側から入射されて光導電層部材ＰＣ
Ｌに集光される書込み光であって、この書込み光ＷＬは
表示の対象にされている情報によって強度変調されてい
る。

【００２１】そして、図１に示す光書込み反射読出し型
空間光変調素子（ＳＬＭ）は、透明電極Ｅｔ1が付着さ
れた透明基板ＢＰ1に、光導電層部材ＰＣＬと、誘電体
ミラーＤＭＬと、光変調材層部材ＰＭＬと、透明電極Ｅ
ｔ2が付着された透明基板ＢＰ2とを積層して構成され、
また、図２に示す光書込み反射読出し型空間光変調素子
（ＳＬＭ）は、透明電極Ｅｔ1が付着された透明基板Ｂ
Ｐ1に、光導電層部材ＰＣＬと、遮光膜ＳＬと、誘電体
ミラーＤＭＬと、光変調材層部材ＰＭＬと、透明電極Ｅ
ｔ2が付着された透明基板ＢＰ2とを積層して構成され
る。なお、光変調材層部材として結晶や支持体を有する
液晶（例えば液晶フィルム）が使用される場合には、透
明基板の一部または全部が省略されることもある。

【００２２】次に、図１に示されているように、透明電
極Ｅｔ1が付着された透明基板ＢＰ1に、光導電層部材Ｐ
ＣＬと、誘電体ミラーＤＭＬと、光変調材層部材ＰＭＬ
と、透明電極Ｅｔ2が付着された透明基板ＢＰ2とを積層
して構成した光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬ
Ｍ（サンプル１の光書込み反射読出し型空間光変調素子
ＳＬＭとする）の製作例について記載する。透明電極Ｅ
ｔ1としてＩＴＯ膜を真空蒸着法等の手段の適用によっ
て付着させてあるガラス板で構成されている透明基板Ｂ
Ｐ1上に、ＣＶＤ法を適用して、ボロンを０.３ｐｐｍド
ープした水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）
膜を成膜して、光導電層部材ＰＣＬを形成させる。

【００２３】次いで、前記した光導電層部材ＰＣＬ上
に、光導電層部材ＰＣＬが最大感度を示す光波長（光導
電層部材ＰＣＬが、前記のように水素化アモルファスシ
リコン膜の場合には、図６に示してある水素化アモルフ
ァスシリコン膜の光波長に対する感度特性曲線では、最
大感度を示す光の波長は７２０ｎｍ付近である）より
も、５０ナノメートル乃至１５０ナノメートルだけ長波
長の光波長を中心波長λｐとする誘電体反射層ｄｍを構
成させる。ここで説明する第１の製作例においては、前
記した誘電体反射層ｄｍの中心波長λｐを８２０ｎｍと
した。前記した誘電体反射層ｄｍは、それの中心波長λ
ｐ＝８２０ｎｍの１／４の光学膜厚の低屈折率の誘電体
膜（ＳｉＯ2膜）と、前記の中心波長λｐの１／４の光
学膜厚を有する高屈折率の誘電体膜（ＴｉＯ2膜）と
を、交互に４層ずつ積層して構成させた。

【００２４】前記のようにして形成させた誘電体反射層
ｄｍ上に、今度は、反射すべく設定された光が波長７１
０ｎｍの光であるとして、７１０ｎｍ／４の光学膜厚を
有する低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ2膜）と、７１０ｎ
ｍ／４の光学膜厚を有する高屈折率の誘電体膜（ＴｉＯ
2膜）とを交互に６層ずつ積層し、次に、前記の層上に
反射すべく設定された光が波長６３０ｎｍの光であると
して、６３０ｎｍ／４の光学膜厚を有する低屈折率の誘
電体膜（ＳｉＯ2膜）と、６３０ｎｍ／４の光学膜厚を
有する高屈折率の誘電体膜（ＴｉＯ2膜）とを交互に３
層ずつ積層し、さらに、前記の層上に反射すべく設定さ
れた光が波長６３０ｎｍの光であるとして、６３０ｎｍ
／２の光学膜厚を有する低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ2
膜）を１層だけ積層して、誘電体反射層ｄｍを含んで構
成されている誘電体ミラーＤＭＬを構成させる。

【００２５】前記した低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ2
膜）と、高屈折率の誘電体膜（ＴｉＯ2膜）との成膜
は、酸素イオンアシスト蒸着法を適用して行なう。成膜
速度は低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ2膜）については毎
秒１０オングストロームであり、また、高屈折率の誘電
体膜（ＴｉＯ2膜）の成膜速度は毎秒１オングストロー
ムである。なお、基板温度は室温である。前記のよう
に、透明基板ＢＰ1に透明電極Ｅｔ1、光導電層部材ＰＣ
Ｌ、誘電体反射層ｄｍを含んで構成されている誘電体ミ
ラーＤＭＬを順次に積層して構成した部材における誘電
体ミラーＤＭＬの端面と、他方の透明基板ＢＰ2に形成
させた透明電極Ｅｔ2との間に、光変調材層部材ＰＭＬ
が構成されるように積層して、図１に示されている構成
態様の光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭが完
成する。

【００２６】前記した光書込み反射読出し型空間光変調
素子ＳＬＭにおける光変調材層部材ＰＭＬとして、例え
ば垂直配向の液晶セルが用いられる場合には、透明基板
ＢＰ2に形成させた透明電極Ｅｔ2に、垂直配向膜を形成
させた後に、前記の透明電極Ｅｔ2面と、前記した透明
基板ＢＰ1に透明電極Ｅｔ1、光導電層部材ＰＣＬ、誘電
体反射層ｄｍを含んで構成されている誘電体ミラーＤＭ
Ｌを順次に積層して構成した部材における誘電体ミラー
ＤＭＬの端面との間に、液晶セルの外枠を形成するスペ
ーサを介して張り合わせて、前記の液晶セルの外枠に設
けて液晶の注入孔から、ネマティック液晶（チッソ社製
ＥＮ−３８）を、例えば真空吸入法等を適用して液晶
セル中に注入した後に、前記の液晶の注入孔を接着剤に
よって塞ぐと、図１に示されている構成態様の光書込み
反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭ（サンプル１の光書
込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭとする）が完成
する。

【００２７】次に、図２に示されているように、透明電
極Ｅｔ1が付着された透明基板ＢＰ1に、光導電層部材Ｐ
ＣＬと、遮光膜ＳＬと、誘電体ミラーＤＭＬと、光変調
材層部材ＰＭＬと、透明電極Ｅｔ2が付着された透明基
板ＢＰ2とを積層して構成した光書込み反射読出し型空
間光変調素子ＳＬＭ（サンプル２の光書込み反射読出し
型空間光変調素子ＳＬＭとする）の製作例について記載
する。透明電極Ｅｔ1としてＩＴＯ膜を真空蒸着法等の
手段の適用によって付着させてあるガラス板で構成され
ている透明基板ＢＰ1上に、ＣＶＤ法を適用して、ボロ
ンを０.３ｐｐｍドープした水素化アモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を成膜して、光導電層部材ＰＣＬ
を形成させる。次いで前記した光導電層部材ＰＣＬ上
に、スパッタリング法を適用して、１ミクロンメートル
の膜厚のＣｄＴｅの遮光膜ＳＬを形成させる。

【００２８】前記のように光導電層部材ＰＣＬ上に付着
形成させた遮光膜ＳＬの面上に、光導電層部材ＰＣＬが
最大感度を示す光波長（光導電層部材ＰＣＬが、前記の
ように水素化アモルファスシリコン膜の場合には、図６
に示してある水素化アモルファスシリコン膜の光波長に
対する感度特性曲線では、最大感度を示す光の波長は７
２０ｎｍ付近である）よりも、５０ナノメートル乃至１
５０ナノメートルだけ長波長の光波長を中心波長λｐと
する誘電体反射層ｄｍを構成させる。ここで説明する第
２の製作例においては、前記した誘電体反射層ｄｍの中
心波長λｐを７８０ｎｍとした。

【００２９】前記した誘電体反射層ｄｍは、前記の中心
波長λｐ＝７８０ｎｍ／４の光学膜厚を有する低屈折率
の誘電体膜（ＳｉＯ2膜）と、７８０ｎｍ／４の光学膜
厚を有する光吸収性を有する誘電体反射層として機能す
る高屈折率膜(例えばＳｉ膜またはＧｅ膜)とを交互に６
層ずつ積層して構成させた。前記のようにして形成させ
た誘電体反射層ｄｍ上に、今度は、反射すべく設定され
た光が波長７８０ｎｍの光であるとして、７８０ｎｍの
１／４の光学膜厚を有する低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ
2膜）と、７８０ｎｍのの１／４の光学膜厚を有する高
屈折率の誘電体膜（ＴｉＯ2膜）とを、交互に６層ずつ
積層して構成させた。次に、７８０ｎｍ／２光学膜厚を
有する低屈折率の誘電体膜(ＳｉＯ2膜)を１層だけ積層
して、誘電体反射層ｄｍを含んで構成されている誘電体
ミラーＤＭＬを構成させる。

【００３０】前記した低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ2
膜）と、高屈折率の誘電体膜（ＴｉＯ2膜）との成膜
は、酸素イオンアシスト蒸着法を適用して行なう。成膜
速度は低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ2膜）については毎
秒１０オングストロームであり、また、高屈折率の誘電
体膜（ＴｉＯ2膜）の成膜速度は毎秒１オングストロー
ムである。また、光吸収性を有する誘電体反射層として
機能する高屈折率膜として使用されたＳｉ膜の成膜は、
真空蒸着法を適用して、酸素ガス圧が４掛ける１０のマ
イナス６乗Ｔorrの真空雰囲気中で、毎秒３オングスト
ロームの成膜速度で行なわれた。なお、基板温度は室温
である。

【００３１】前記のように、透明基板ＢＰ1に透明電極
Ｅｔ1、光導電層部材ＰＣＬ、遮光膜ＳＬと、誘電体反
射層ｄｍを含んで構成されている誘電体ミラーＤＭＬを
順次に積層して構成した部材における誘電体ミラーＤＭ
Ｌの端面と、他方の透明基板ＢＰ2に形成させた透明電
極Ｅｔ2との間に、光変調材層部材ＰＭＬが構成される
ように積層して、図２に示されている構成態様の光書込
み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭが完成する。光書
込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭにおける光変調
材層部材ＰＭＬとして、例えば垂直配向の液晶セルが用
いられる場合には、透明基板ＢＰ2に形成させた透明電
極Ｅｔ2に、垂直配向膜を形成させた後に、前記の透明
電極Ｅｔ2面と、前記した透明基板ＢＰ1に透明電極Ｅｔ
1、光導電層部材ＰＣＬ、誘電体反射層ｄｍを含んで構
成されている誘電体ミラーＤＭＬを順次に積層して構成
した部材における誘電体ミラーＤＭＬの端面との間に、
液晶セルの外枠を形成するスペーサを介して張り合わ
せ、前記の液晶セルの外枠に設けて液晶の注入孔からネ
マティック液晶（チッソ社製 ＥＮ−３８）を、例えば
真空吸入法等を適用して液晶セル中に注入した後に、前
記の液晶の注入孔を接着剤によって塞いで、図２に示さ
れている構成態様の光書込み反射読出し型空間光変調素
子ＳＬＭ（サンプル２の光書込み反射読出し型空間光変
調素子ＳＬＭとする）を完成させる。

【００３２】前記した本発明の光書込み反射読出し型空
間光変調素子ＳＬＭにおける透明電極Ｅt1，Ｅt2間に駆
動電源Ｅから所定の電圧を供給し、光書込み反射読出し
型空間光変調素子ＳＬＭにおける透明基板Ｅt1側から、
画像情報によって強度変調されている書込み光ＷＬが入
射させて、書込み動作を行なわせた場合に、書込み光Ｗ
Ｌが光導電層部材ＰＣＬに集光されて、書込み光ＷＬが
集光された部分の光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、
照射された光量に応じて変化して、光変調材層部材ＰＭ
Ｌの両端には、前記した画像情報と対応している電界強
度分布を示す電界が印加されること、及び、光書込み反
射読出し型空間光変調素子ＳＬＭにおける透明基板ＢＰ
2側から読出し光ＲＬを入射させると、その読出し光Ｒ
Ｌは透明基板ＢＰ2→電極Ｅt2→光変調材層部材ＰＭＬ
→誘電体ミラーＤＭＬの経路により誘電体ミラーＤＭＬ
に達してそこで反射し、読出し光の反射光は誘電体ミラ
ーＤＭＬ→（図２に示す光書込み反射読出し型空間光変
調素子ＳＬＭでは、遮光膜ＳＬ）→光変調材層部材ＰＭ
Ｌ→電極Ｅt2→透明基板ＢＰ2→の経路で光書込み反射
読出し型空間光変調素子ＳＬＭから射出されることなど
の基本的な動作は、図３及び図４を参照して既述した従
来構成の光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭの
場合と同様である。

【００３３】しかし、図３及び図４を参照して既述した
従来構成の光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭ
の場合には、読出し光に光軸に対して斜めの光が含まれ
ている際に、読出し光が書込み側の光導電層部材ＰＣＬ
に達して、画像のコントラスト比を低下させるという問
題が生じたが、本発明の光書込み反射読出し型空間光変
調素子ＳＬＭの場合には、光書込み反射読出し型空間光
変調素子ＳＬＭにおける光導電層部材ＰＣＬと光変調材
層部材ＰＭＬとの間に設ける誘電体ミラーＤＭＬが前記
した光導電層部材が最大感度を示す光波長よりも、５０
ナノメートル乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光波
長を中心波長とする誘電体反射層ｄｍを付加した構成と
されていることにより、前記の誘電体反射層ｄｍが、読
出し光における光軸に平行でない光（斜め光）を良好に
反射するために、読出し光が光導電層部材側に漏れない
ようにできる（図１に示す光書込み反射読出し型空間光
変調素子ＳＬＭの場合）。

【００３４】また、図２に示す光書込み反射読出し型空
間光変調素子ＳＬＭの場合にも、光書込み反射読出し型
空間光変調素子ＳＬＭにおける遮光膜ＳＬと光変調材層
部材ＰＭＬとの間に設ける誘電体ミラーＤＭＬが、光導
電層部材ＰＣＬが最大感度を示す光波長よりも、５０ナ
ノメートル乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光波長
を中心波長とする誘電体反射層ｄｍを付加した構成とさ
れていることにより、前記の誘電体反射層ｄｍが、読出
し光における光軸に平行でない光（斜め光）を良好に反
射するために、読出し光が光導電層部材側に漏れないよ
うにできるので、前記した図１及び図２に例示されてい
る本発明の光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭ
を、図５を参照して既述したような表示装置中の光書込
み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭとして使用した場
合には、従来の光書込み反射読出し型空間光変調素子Ｓ
ＬＭが使用された場合に比べて、コントラスト比が高く
良好な画質の投影画像をスクリーンＳ上に投影できる。
前記の点は次の表１中に示されている評価の記載内容か
らみても明らかである。表１は図５を参照して既述した
ような表示装置で光書込み反射読出し型空間光変調素子
ＳＬＭを使用した場合に得られた投影画像の評価を示し
ている。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１中のサンプル１は、製作例１として既
述した光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭであ
り、また、表１中のサンプル２は、製作例２として既述
した光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭであ
る。表１中の従来例１〜３は、それぞれ下記のようにし
て製作された従来構成の光書込み反射読出し型空間光変
調素子ＳＬＭである。 ［１］従来例１の光書込み反射読出し型空間光変調素子
ＳＬＭについて。 透明電極Ｅｔ1としてＩＴＯ膜を真空蒸着法等の手段の
適用によって付着させてあるガラス板で構成されている
透明基板ＢＰ1上に、ＣＶＤ法を適用して、ボロンを０.
３ｐｐｍドープした水素化アモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ：Ｈ）膜を成膜して、光導電層部材ＰＣＬを形成さ
せる。

【００３７】前記した光導電層部材ＰＣＬ上に、反射す
べく設定された光が波長７１０ｎｍの光であるとして、
７１０ｎｍ／４の光学膜厚を有する低屈折率の誘電体膜
（ＳｉＯ2膜）と、７１０ｎｍ／４の光学膜厚を有する
光吸収性を有する誘電体反射層として機能する高屈折率
膜(Ｓｉ膜)とを交互に１０層ずつ積層して構成させた後
に、その上に反射すべく設定された光が波長６３０ｎｍ
の光であるとして、６３０ｎｍ／４の光学膜厚を有する
低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ2膜）と、６３０ｎｍ／４
の光学膜厚を有する高屈折率の誘電体膜(ＴｉＯ2膜）と
を交互に２層ずつ積層し、次に前記の層上に反射すべく
設定された光が波長６３０ｎｍの光であるとして、６３
０ｎｍ／２の光学膜厚を有する低屈折率の誘電体膜（Ｓ
ｉＯ2膜）を１層だけ積層して誘電体ミラーＤＭＬを構
成させる。成膜条件は既述したサンプル１の光書込み反
射読出し型空間光変調素子ＳＬＭの場合と同じである。

【００３８】そして、透明基板ＢＰ2に形成させた透明
電極Ｅｔ2に、垂直配向膜を形成させた後に、前記の透
明電極Ｅｔ2面と、前記した透明基板ＢＰ1に透明電極Ｅ
ｔ1、光導電層部材ＰＣＬ、誘電体ミラーＤＭＬを順次
に積層して構成した部材における誘電体ミラーＤＭＬの
端面との間に、液晶セルの外枠を形成するスペーサを介
して張り合わせ、前記の液晶セルの外枠に設けて液晶の
注入孔からネマティック液晶（チッソ社製 ＥＮ−３
８）を、例えば真空吸入法等を適用して液晶セル中に注
入した後に、前記の液晶の注入孔を接着剤によって塞い
で、図３に示されている構成態様の光書込み反射読出し
型空間光変調素子ＳＬＭ（従来例１の光書込み反射読出
し型空間光変調素子ＳＬＭとする）が完成する。

【００３９】［２］従来例２の光書込み反射読出し型空
間光変調素子ＳＬＭについて。 透明電極Ｅｔ1としてＩＴＯ膜を真空蒸着法等の手段の
適用によって付着させてあるガラス板で構成されている
透明基板ＢＰ1上に、ＣＶＤ法を適用して、ボロンを０.
３ｐｐｍドープした水素化アモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ：Ｈ）膜を成膜して、光導電層部材ＰＣＬを形成さ
せる。前記した光導電層部材ＰＣＬ上に、スパッタリン
グ法を適用して、膜厚が１.５マイクロメートルの膜厚
のＣｄＴｅの遮光膜ＳＬを形成させる。前記の遮光膜Ｓ
Ｌ上に、反射すべく設定された光が波長６３０ｎｍの光
であるとして、６３０ｎｍ／４の光学膜厚を有する低屈
折率の誘電体膜（ＳｉＯ2膜）と、６３０ｎｍ／４の光
学膜厚を有する高屈折率膜(ＴｉＯ2膜)とを交互に６層
ずつ積層して構成させた後に、その上に反射すべく設定
された光が波長６３０ｎｍの光であるとして、６３０ｎ
ｍ／２の光学膜厚を有する低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ
2膜）を１層だけ積層して誘電体ミラーＤＭＬを構成さ
せる。成膜条件は既述したサンプル２の光書込み反射読
出し型空間光変調素子ＳＬＭの場合と同じである。

【００４０】そして、透明基板ＢＰ2に形成させた透明
電極Ｅｔ2に、垂直配向膜を形成させた後に、前記の透
明電極Ｅｔ2面と、前記した透明基板ＢＰ1に透明電極Ｅ
ｔ1、光導電層部材ＰＣＬ、誘電体ミラーＤＭＬを順次
に積層して構成した部材における誘電体ミラーＤＭＬの
端面との間に、液晶セルの外枠を形成するスペーサを介
して張り合わせ、前記の液晶セルの外枠に設けて液晶の
注入孔からネマティック液晶（チッソ社製 ＥＮ−３
８）を、例えば真空吸入法等を適用して液晶セル中に注
入した後に、前記の液晶の注入孔を接着剤によって塞い
で、図４に示されている構成態様の光書込み反射読出し
型空間光変調素子ＳＬＭ（従来例２の光書込み反射読出
し型空間光変調素子ＳＬＭとする）が完成する。

【００４１】［３］従来例３の光書込み反射読出し型空
間光変調素子ＳＬＭについて。 透明電極Ｅｔ1としてＩＴＯ膜を真空蒸着法等の手段の
適用によって付着させてあるガラス板で構成されている
透明基板ＢＰ1上に、ＣＶＤ法を適用して、ボロンを０.
３ｐｐｍドープした水素化アモルファスシリコン（ａ−
Ｓｉ：Ｈ）膜を成膜して、光導電層部材ＰＣＬを形成さ
せる。前記した光導電層部材ＰＣＬ上に、スパッタリン
グ法を適用して、膜厚が２.５マイクロメートルの膜厚
のＣｄＴｅの遮光膜ＳＬを形成させる。前記の遮光膜Ｓ
Ｌ上に、反射すべく設定された光が波長６３０ｎｍの光
であるとして、６３０ｎｍ／４の光学膜厚を有する低屈
折率の誘電体膜（ＳｉＯ2膜）と、６３０ｎｍ／４の光
学膜厚を有する高屈折率膜(ＴｉＯ2膜)とを交互に６層
ずつ積層して構成させた後に、その上に反射すべく設定
された光が波長６３０ｎｍの光であるとして、６３０ｎ
ｍ／２の光学膜厚を有する低屈折率の誘電体膜（ＳｉＯ
2膜）を１層だけ積層して誘電体ミラーＤＭＬを構成さ
せる。成膜条件は既述したサンプル２の光書込み反射読
出し型空間光変調素子ＳＬＭの場合と同じである。

【００４２】そして、透明基板ＢＰ2に形成させた透明
電極Ｅｔ2に、垂直配向膜を形成させた後に、前記の透
明電極Ｅｔ2面と、前記した透明基板ＢＰ1に透明電極Ｅ
ｔ1、光導電層部材ＰＣＬ、誘電体ミラーＤＭＬを順次
に積層して構成した部材における誘電体ミラーＤＭＬの
端面との間に、液晶セルの外枠を形成するスペーサを介
して張り合わせ、前記の液晶セルの外枠に設けて液晶の
注入孔からネマティック液晶（チッソ社製 ＥＮ−３
８）を、例えば真空吸入法等を適用して液晶セル中に注
入した後に、前記の液晶の注入孔を接着剤によって塞い
で、図４に示されている構成態様の光書込み反射読出し
型空間光変調素子ＳＬＭ（従来例３の光書込み反射読出
し型空間光変調素子ＳＬＭとする）が完成する。

【００４３】前記の表１を見ると、従来例１の光書込み
反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭは、光導電層部材Ｐ
ＣＬの最高感度付近での遮光性を向上させるために、中
心波長が７１０ｎｍの誘電体ミラーを構成させている
が、評価の結果は良くない。これに対して本発明による
サンプル１の光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬ
Ｍは、コントラスト比と明点ディフエクトとの評価の結
果が良好である。また、本発明によるサンプル２の光書
込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭについても、従
来例１，２の光書込み反射読出し型空間光変調素子ＳＬ
Ｍに対して、コントラスト比と明点ディフエクトとの評
価の結果が良好である。従来例３の光書込み反射読出し
型空間光変調素子ＳＬＭは、従来例２の光書込み反射読
出し型空間光変調素子ＳＬＭに比べてＣｄＴｅによる遮
光膜ＳＬの膜厚が大きいために、コントラスト比の改善
が認められるが、遮光膜ＳＬのＣｄＴｅの膜厚を大きく
したために、ＣｄＴｅを原因とするディフェクトが増加
して、結果的に明点ディフエクトは減少しなかったもの
と思われる。また、ＣｄＴｅのような光導電性を示すも
のを使用すると、部分的な明るさのむら（フォトシェー
ディング）が発生することもあるが、本発明の光書込み
反射読出し型空間光変調素子ＳＬＭでは、光変調材層部
材ＰＭＬとの間に設ける誘電体ミラーＤＭＬが、光導電
層部材ＰＣＬが最大感度を示す光波長よりも、５０ナノ
メートル乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光波長を
中心波長とする誘電体反射層ｄｍを付加した構成とされ
ていることにより、ＣｄＴｅによる遮光膜ＳＬを使用し
た場合でも、それの膜厚を薄くてもよいので、部分的な
明るさのむら（フォトシェーディング）を発生しない。
なお、本発明の実施に当って使用される誘電体ミラー
は、Ｓｉ／ＳｉＯ2や、ＳｉＯｘ／ＳｉＯ2に限定される
ことがなく、例えば、Ｇｅ／ＳｉＯ2，Ｓｉｘ／ＳｉＯ
2，ＳｉｘＧｅ1-x／ＳｉＯ2，Ｇｅx(Ａｌ2Ｏ3)1-x／Ｓ
ｉＯ2などの光吸収性を有する誘電体ミラー、ＳｉＯ2／
ＴｉＯ2，その他の構成態様の誘電体ミラーとされても
よい。また、誘電体ミラーは中心波長が単一である必要
はなく、積層数も所望のように決定できることはいうま
でもない。

【００４４】

【発明の効果】以上、詳細に説明したところから明らか
なように、本発明の光書込み反射読出し型空間光変調素
子は、光書込み反射読出し型空間光変調素子における光
導電層部材と光変調材層部材との間に設ける誘電体ミラ
ーが、前記した光導電層部材が最大感度を示す光波長よ
りも、５０ナノメートル乃至１５０ナノメートルだけ長
波長の光波長を中心波長とする誘電体反射層を付加した
構成としたり、光書込み反射読出し型空間光変調素子に
おける遮光膜と光変調材層部材との間に設ける誘電体ミ
ラーが、前記した光導電層部材が最大感度を示す光波長
よりも、５０ナノメートル乃至１５０ナノメートルだけ
長波長の光波長を中心波長とする誘電体反射層を付加し
た構成としたことにより、前記の誘電体反射層は、読出
し光における光軸に平行でない光（斜め光）、すなわ
ち、読出し光の光路中に設けられている光学部品で乱反
射を起こしていたり、あるいは光書込み反射読出し型空
間光変調素子の製作過程中に素子中に混入した微細な異
物、素子中に発生した欠陥、傷によって散乱光が生じた
りする等の原因によって、読出し光中に光軸に対して斜
めの光が含まれていても、その斜め光は前記した光導電
層部材が最大感度を示す光波長よりも、５０ナノメート
ル乃至１５０ナノメートルだけ長波長の光波長を中心波
長とする誘電体反射層によって、良好に反射できるため
に、読出し光が光導電層部材側に漏れないようにでき
る。したがって、本発明の光書込み反射読出し型空間光
変調素子を使用すれば、読出し光中に発生する斜め光を
無くするために光学系を精密な構成としたり、装置の全
体の防塵を完全にする等の処置が必要とされず、また、
光書込み反射読出し型空間光変調素子の製品の歩留りを
低下させることもなく、さらに有害なＣｄＴｅを遮光膜
として使用した場合でも、薄い膜厚のものにできるの
で、結果として低価格な装置を容易に提供することも可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光書込み反射読出し型空間光変調素子
の縦断面図である。

【図２】本発明の光書込み反射読出し型空間光変調素子
の縦断面図である。

【図３】光書込み反射読出し型空間光変調素子の一例構
成を示す側断面図である。

【図４】光書込み反射読出し型空間光変調素子の一例構
成を示す側断面図である。

【図５】光書込み反射読出し型空間光変調素子を使用し
て構成した表示装置のブロック図である。

【図６】アモルファスシリコン膜の光の波長に対する感
度特性の曲線図である。

【図７】誘電体ミラーの光の波長に対するオプティカル
・デンシティの変化を示す曲線例図である。

【符号の説明】

ＳＬＭ…光書込み反射読出し型空間光変調素子、ＢＰ
1，ＢＰ2…透明基板、Ｅt1,Ｅt2…透明電極、ＰＣＬ…
光導電層部材、ＤＭＬ…誘電体ミラー、ＰＭＬ…光変調
材層部材、Ｅ…駆動電源、ＷＬ…書込み光、ＲＬ…読出
し光、ＳＧ…表示の対象にされている２次元画像の画像
信号源、ＣＲＴ…陰極線管、Ｌｗ…書込みレンズ、ＰＢ
Ｓ…偏光ビームスプリッタ、Ｆ…赤外フィルタ、Ｍ…全
反射鏡、Ｌｐ…投影レンズ、Ｓ…スクリーン、

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、光導電層部材と誘電体ミラ
   ーと光変調材層部材とを積層して構成してなる光書込み
   反射読出し型空間光変調素子において、光導電層部材と
   光変調材層部材との間に、前記した光導電層部材が最大
   感度を示す光波長よりも、５０ナノメートル乃至１５０
   ナノメートルだけ長波長の光波長を中心波長とする誘電
   体反射層を付加して構成した誘電体ミラーを設けたこと
   を特徴とする光書込み反射読出し型空間光変調素子。
2. 【請求項２】 少なくとも、光導電層部材と誘電体ミラ
   ーと光変調材層部材とを積層して構成してなる光書込み
   反射読出し型空間光変調素子において、光導電層部材と
   光変調材層部材との間に、光吸収性を有する誘電体反射
   層を含んで構成させるとともに、前記した光導電層部材
   が最大感度を示す光波長よりも、５０ナノメートル乃至
   １５０ナノメートルだけ長波長の光波長を中心波長とす
   る誘電体反射層を付加して構成した誘電体ミラーを設け
   たことを特徴とする光書込み反射読出し型空間光変調素
   子。
3. 【請求項３】 少なくとも、光導電層部材と遮光膜と誘
   電体ミラーと光変調材層部材とを積層して構成してなる
   光書込み反射読出し型空間光変調素子において、遮光膜
   と光変調材層部材との間に、前記した光導電層部材が最
   大感度を示す光波長よりも、５０ナノメートル乃至１５
   ０ナノメートルだけ長波長の光波長を中心波長とする誘
   電体反射層を付加して構成した誘電体ミラーを設けたこ
   とを特徴とする光書込み反射読出し型空間光変調素子。
4. 【請求項４】 少なくとも、光導電層部材と遮光膜と誘
   電体ミラーと光変調材層部材とを積層して構成してなる
   光書込み反射読出し型空間光変調素子において、遮光膜
   と光変調材層部材との間に、光吸収性を有する誘電体反
   射層を含んで構成させるとともに、前記した光導電層部
   材が最大感度を示す光波長よりも、５０ナノメートル乃
   至１５０ナノメートルだけ長波長の光波長を中心波長と
   する誘電体反射層を付加して構成した誘電体ミラーを設
   けたことを特徴とする光書込み反射読出し型空間光変調
   素子。