JPH08255864A - 半導体装置用リードフレーム部材および半導体装置 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム部材および半導体装置Info
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- JPH08255864A JPH08255864A JP7082097A JP8209795A JPH08255864A JP H08255864 A JPH08255864 A JP H08255864A JP 7082097 A JP7082097 A JP 7082097A JP 8209795 A JP8209795 A JP 8209795A JP H08255864 A JPH08255864 A JP H08255864A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 従来に比較して飛躍的に端子数を増やせる半
導体装置用の新規のリードフレーム部材を提供する。 【構成】 インナーリードと、アウターリードとを有
し、半導体素子を搭載するためのダイパッドを持たない
単層リードフレームと、半導体素子を搭載するためのダ
イパッドと、ダイパッドの周囲に半導体素子の端子部と
電気的に接続を行うためのリードと、リードと一体的に
連結し、且つリード形成面に沿って二次元的に配置され
た外部回路と電気的接続を行うための外部端子とを有す
る配線部とが、上から単層リードフレーム、絶縁層、配
線部の順に、絶縁層を介して、熱圧着等により積層され
ている樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材で
あって、単層リードフレームのインナーリードは配線部
のダイパッド側のリード先端部より外側に設ける。
導体装置用の新規のリードフレーム部材を提供する。 【構成】 インナーリードと、アウターリードとを有
し、半導体素子を搭載するためのダイパッドを持たない
単層リードフレームと、半導体素子を搭載するためのダ
イパッドと、ダイパッドの周囲に半導体素子の端子部と
電気的に接続を行うためのリードと、リードと一体的に
連結し、且つリード形成面に沿って二次元的に配置され
た外部回路と電気的接続を行うための外部端子とを有す
る配線部とが、上から単層リードフレーム、絶縁層、配
線部の順に、絶縁層を介して、熱圧着等により積層され
ている樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材で
あって、単層リードフレームのインナーリードは配線部
のダイパッド側のリード先端部より外側に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置の多端子化
に対応した、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム
部材とそれを用いた半導体装置に関する。
に対応した、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム
部材とそれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、樹脂封止型の半導体装置（プ
ラスチックパッケージ半導体装置）は、一般に、図５
（ａ）に示されるような構造であり、半導体装置５１０
は、半導体素子５１１をリードフレームに搭載し、半導
体素子５１１の電極パッド５１６とリードフレームのイ
ンナーリード５１３の先端部とをワイヤ（金線）５１７
で接続し、樹脂５１５により封止したものである。そし
て、上記樹脂封止型の半導体装置の組立部材として用い
られているリードフレーム（単層リードフレームと言
う）は、一般に図５（ｂ）に示すように、半導体素子を
搭載するためのダイパッド５２２と、ダイパッドの周囲
に設けられ、半導体素子と結線を行うためのインナーリ
ード５２３と、該インナーリード５２３に連結して一体
となった外部回路との結線を行うためのアウターリード
５２４と、樹脂を封止しる際のダムとなるダムバー５２
５、リードフレーム５２０を支えるフレーム（枠）部５
２６等を備えていた。このような単層リードフレーム
は、通常、コバール、４２合金（５２％ニッケル−鉄合
金）、銅系合金等の導電製に優れ、且つ強度が大きい金
属をフォトリソグラフィ技術を用いたエッチング加工方
法やスタンピング加工方法等により、加工されていた。
ラスチックパッケージ半導体装置）は、一般に、図５
（ａ）に示されるような構造であり、半導体装置５１０
は、半導体素子５１１をリードフレームに搭載し、半導
体素子５１１の電極パッド５１６とリードフレームのイ
ンナーリード５１３の先端部とをワイヤ（金線）５１７
で接続し、樹脂５１５により封止したものである。そし
て、上記樹脂封止型の半導体装置の組立部材として用い
られているリードフレーム（単層リードフレームと言
う）は、一般に図５（ｂ）に示すように、半導体素子を
搭載するためのダイパッド５２２と、ダイパッドの周囲
に設けられ、半導体素子と結線を行うためのインナーリ
ード５２３と、該インナーリード５２３に連結して一体
となった外部回路との結線を行うためのアウターリード
５２４と、樹脂を封止しる際のダムとなるダムバー５２
５、リードフレーム５２０を支えるフレーム（枠）部５
２６等を備えていた。このような単層リードフレーム
は、通常、コバール、４２合金（５２％ニッケル−鉄合
金）、銅系合金等の導電製に優れ、且つ強度が大きい金
属をフォトリソグラフィ技術を用いたエッチング加工方
法やスタンピング加工方法等により、加工されていた。
【０００３】しかしながら、近年、半導体装置は、電子
機器の高性能化と軽薄短小の傾向（時流）からＬＳＩの
ＡＳＩＣに代表されるようにますます高集積化、高機能
化になっている。このようなＬＳＩの大規模集積化（高
集積化）はウエーハプロセスでの微細化加工技術の進歩
の上に成り立っており、より多くのゲートを１チップ内
に収容でき、チップサイズをさらに小さくすることがで
きるようになってきている。ところが、半導体チップの
高集積化、高機能化は半導体装置の動作スピードの増加
を招き、信号の高速処理のため、半導体チップ内の信号
の遅れより、パッケージ配線での信号の遅れの方が支配
的になってきて、ノイズの問題も含めて、半導体パッケ
ージ内の電気的特性を改善する必要に迫られ、パッケー
ジ内のインダクタンスが無視できない状況になってき
た。これには、電源やグランドの接続端子を増大させ、
実質的なインダクタンスを下げるようにしてて対応して
きたが、電源、グランドの接続端子の増大は、半導体装
置の総ピン数の増大となり、ますます多端子化が求めら
れるようになってきた。この為、リードフレームにおい
ては、インナーリード数、アウターリード数の増大を余
儀なくされた。
機器の高性能化と軽薄短小の傾向（時流）からＬＳＩの
ＡＳＩＣに代表されるようにますます高集積化、高機能
化になっている。このようなＬＳＩの大規模集積化（高
集積化）はウエーハプロセスでの微細化加工技術の進歩
の上に成り立っており、より多くのゲートを１チップ内
に収容でき、チップサイズをさらに小さくすることがで
きるようになってきている。ところが、半導体チップの
高集積化、高機能化は半導体装置の動作スピードの増加
を招き、信号の高速処理のため、半導体チップ内の信号
の遅れより、パッケージ配線での信号の遅れの方が支配
的になってきて、ノイズの問題も含めて、半導体パッケ
ージ内の電気的特性を改善する必要に迫られ、パッケー
ジ内のインダクタンスが無視できない状況になってき
た。これには、電源やグランドの接続端子を増大させ、
実質的なインダクタンスを下げるようにしてて対応して
きたが、電源、グランドの接続端子の増大は、半導体装
置の総ピン数の増大となり、ますます多端子化が求めら
れるようになってきた。この為、リードフレームにおい
ては、インナーリード数、アウターリード数の増大を余
儀なくされた。
【０００４】リードフレームのインナーリード端子数の
増大は、インナーリード幅、ピッチをそのままとした場
合には、インナーリード部をチップから離す必要があ
り、リードフレームのインナーリード部を含む領域は大
サイズとなってしまい、半導体装置自体を大きくしてし
まうこととなる。そこで、半導体装置自体を端子数の増
大化とともに大きくしないで、端子数を増やす方法とし
て、リードフレームのインナーリードのピッチ、アウタ
ーリードのピッチを端子数の増大化ともに狭くする方法
が採られてきた。この方法の場合、インナーリードピッ
チは、リードフレームの厚さ０．１５ｍｍで、０．１８
〜０．１７ｍｍピッチ程度までエッチング加工にて達成
できるようになっている。そしてアウターリードのピッ
チも、端子数の増加に伴い、１．０ｍｍから０．８ｍ
ｍ、０．６ｍｍ、０．５ｍｍと徐々に狭くなり、０．４
ｍｍ〜０．３ｍｍまでになろうとしている。
増大は、インナーリード幅、ピッチをそのままとした場
合には、インナーリード部をチップから離す必要があ
り、リードフレームのインナーリード部を含む領域は大
サイズとなってしまい、半導体装置自体を大きくしてし
まうこととなる。そこで、半導体装置自体を端子数の増
大化とともに大きくしないで、端子数を増やす方法とし
て、リードフレームのインナーリードのピッチ、アウタ
ーリードのピッチを端子数の増大化ともに狭くする方法
が採られてきた。この方法の場合、インナーリードピッ
チは、リードフレームの厚さ０．１５ｍｍで、０．１８
〜０．１７ｍｍピッチ程度までエッチング加工にて達成
できるようになっている。そしてアウターリードのピッ
チも、端子数の増加に伴い、１．０ｍｍから０．８ｍ
ｍ、０．６ｍｍ、０．５ｍｍと徐々に狭くなり、０．４
ｍｍ〜０．３ｍｍまでになろうとしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、インナ
ーリードピッチおよびアウターリードピッチを狭ピッチ
化することにより、半導体装置自体を端子数の増大化と
ともに大きくはしないようにしてきたが、インナーリー
ドの狭ピッチ化には加工上の限界があり、アウターリー
ドの狭ピッチ化は、アウターリード自体の幅も狭める必
要があり、アウターリード自体の強度の低下を伴うた
め、半導体装置をプリント基板に実装する際のアウター
リードの位置精度等に問題を生じる。特に、ＱＦＰ半導
体装置等においては、アウターリードのピッチを０．４
〜０．３ｍｍ以下では実装に対応できなくなってきた。
このように、半導体装置の多端子化に対し、リードフレ
ームのインナーリードピッチ、アウターリードピッチを
狭ピッチ化し、半導体装置自体を大きくすることなく対
応する方法には限界が見えてきた。この為、この方法と
は別の、半導体装置の多端子化への対応方法が求められ
ている。本発明は、このような状況のもと、半導体装置
の実装工程を難しくすることなく、且つ、半導体装置の
サイズを大きくすることなく、従来に比較して飛躍的に
端子数を増やせる半導体装置用の新規のリードフレーム
部材を提供しようとするものである。
ーリードピッチおよびアウターリードピッチを狭ピッチ
化することにより、半導体装置自体を端子数の増大化と
ともに大きくはしないようにしてきたが、インナーリー
ドの狭ピッチ化には加工上の限界があり、アウターリー
ドの狭ピッチ化は、アウターリード自体の幅も狭める必
要があり、アウターリード自体の強度の低下を伴うた
め、半導体装置をプリント基板に実装する際のアウター
リードの位置精度等に問題を生じる。特に、ＱＦＰ半導
体装置等においては、アウターリードのピッチを０．４
〜０．３ｍｍ以下では実装に対応できなくなってきた。
このように、半導体装置の多端子化に対し、リードフレ
ームのインナーリードピッチ、アウターリードピッチを
狭ピッチ化し、半導体装置自体を大きくすることなく対
応する方法には限界が見えてきた。この為、この方法と
は別の、半導体装置の多端子化への対応方法が求められ
ている。本発明は、このような状況のもと、半導体装置
の実装工程を難しくすることなく、且つ、半導体装置の
サイズを大きくすることなく、従来に比較して飛躍的に
端子数を増やせる半導体装置用の新規のリードフレーム
部材を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレーム部材は、少なくとも、半導体素子の端子部
と電気的接続を行うためのインナーリードと、該インナ
ーリードと一体的に連結し外部回路と電気的接続を行う
ためのアウターリードとを有し、半導体素子を搭載する
ためのダイパッドを持たない単層リードフレームと、半
導体素子を搭載するためのダイパッドと、該ダイパッド
の周囲に半導体素子の端子部と電気的に接続を行うため
のリードと、該リードと一体的に連結し、且つリード形
成面に沿って二次元的に配置された外部回路と電気的接
続を行うための外部端子とを有する配線部とが、上から
単層リードフレーム、絶縁層、配線部の順に、絶縁層を
介して、熱圧着等により積層されている樹脂封止型半導
体装置用のリードフレーム部材であって、単層リードフ
レームのインナーリードは配線部のダイパッド側のリー
ド先端部より外側に設けられており、且つ、絶縁層は、
少なくとも配線部のダイパッド部およびダイパッド部側
のリード先端部に対応する箇所を含み、単層リードフレ
ームのインナーリード先端部に対応する箇所にかからな
い領域で開口されていることを特徴とするものである。
そして、上記における、配線部が、金属板の加工により
一体的に加工されたものであることを特徴とするもので
ある。そしてまた、配線部は外部端子のみを、単層リー
ドフレームと反対側に露出した状態で第二の絶縁層で覆
われていることを特徴とするものである。そして、上記
配線部がフイルムキャリア等のフィルム上に形成された
ものであり、該フイルムキャリア等のフィルムに、外部
端子が露出するようにフィルに開口部を設けたことを特
徴とするものである。そして、上記において、単層リー
ドフレームのインナーリード先端部位置と配線部の半導
体素子側のリード先端部位置とを千鳥状に配置させたこ
とを特徴とするものである。
ードフレーム部材は、少なくとも、半導体素子の端子部
と電気的接続を行うためのインナーリードと、該インナ
ーリードと一体的に連結し外部回路と電気的接続を行う
ためのアウターリードとを有し、半導体素子を搭載する
ためのダイパッドを持たない単層リードフレームと、半
導体素子を搭載するためのダイパッドと、該ダイパッド
の周囲に半導体素子の端子部と電気的に接続を行うため
のリードと、該リードと一体的に連結し、且つリード形
成面に沿って二次元的に配置された外部回路と電気的接
続を行うための外部端子とを有する配線部とが、上から
単層リードフレーム、絶縁層、配線部の順に、絶縁層を
介して、熱圧着等により積層されている樹脂封止型半導
体装置用のリードフレーム部材であって、単層リードフ
レームのインナーリードは配線部のダイパッド側のリー
ド先端部より外側に設けられており、且つ、絶縁層は、
少なくとも配線部のダイパッド部およびダイパッド部側
のリード先端部に対応する箇所を含み、単層リードフレ
ームのインナーリード先端部に対応する箇所にかからな
い領域で開口されていることを特徴とするものである。
そして、上記における、配線部が、金属板の加工により
一体的に加工されたものであることを特徴とするもので
ある。そしてまた、配線部は外部端子のみを、単層リー
ドフレームと反対側に露出した状態で第二の絶縁層で覆
われていることを特徴とするものである。そして、上記
配線部がフイルムキャリア等のフィルム上に形成された
ものであり、該フイルムキャリア等のフィルムに、外部
端子が露出するようにフィルに開口部を設けたことを特
徴とするものである。そして、上記において、単層リー
ドフレームのインナーリード先端部位置と配線部の半導
体素子側のリード先端部位置とを千鳥状に配置させたこ
とを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明の半導体装置用リードフレーム部材は、
上記のような構成にすることにより、半導体装置の実装
する工程を難しくすることなく、且つ、半導体装置のサ
イズを大きくすることなく、従来に比較して飛躍的に端
子数を増やせる半導体装置用のリードフレーム部材の提
供を可能としている。詳しくは、配線部のみに半導体素
子を搭載するためのダイパッド部を設け、単層リードフ
レームにはダイパッド部を設けないもので、単層リード
フレームのインナーリードは配線部のダイパッド側のリ
ード先端部より外側に設けられており、且つ、絶縁層
は、少なくとも配線部のダイパッド部およびダイパッド
部側のリード先端部に対応する箇所を含み、単層リード
フレームのインナーリード先端部に対応する箇所にかか
らない領域で開口されていることにより、半導体素子を
配線部のダイパッド部に搭載された際、半導体素子の端
子部（電極パッド）と単層リードフレームのインナーリ
ードおよび配線部のリードとを電気的にワイヤ（金線）
接続でき、接続されたインナーリードに対応したアウタ
ーリードおよび接続された配線部のリードに一体化して
連結している外部端子を介して、半導体素子と外部回路
と電気的に接続することを可能としており、単層リード
フレームのアウターリードに加え、配線部の外部端子を
入出力の端子として確保できるものとしている。したが
って、従来の単層リードフレームのみを使用した樹脂封
止型半導体装置のように、多端子化のために単層リード
フレームのインナーリードピッチ、アウターリードピッ
チを極端に狭くする必要もなくなり、アセンブリ工程に
おけるボンデイング作業工程や、実装工程における許容
を大きくできる。更に、単層リードフレームのインナー
リード先端部位置と配線部の半導体素子側のリード先端
部位置とを千鳥状に配置させたことにより、ワイヤボン
デイングの際、ワイヤ同士のショートの発生を極めて少
ないものとしている。そして、配線部が、金属板の加工
により一体的に加工されたものであることより、従来の
フォトリソグラフィ技術等にての量産加工を可能にして
いる。配線部は外部端子のみを、単層リードフレームと
反対側に露出した状態で第二の絶縁層で覆われているこ
とにより、樹脂封止する際に、必ずしも第二の絶縁層の
外部側には樹脂を必要としない為、樹脂封止自体も簡単
なものとすることも可能である。そして、上記配線部が
フィルムキャリア等のフィルム上に形成されたものであ
り、該フィルムキャリア等のフィルムに、外部端子が露
出するようにフィルムに開口部を設けていることより、
作製を簡単化するとともに、半導体素子を搭載し樹脂封
入した際の半導体装置の厚みを薄くすることを可能とし
ている。また、本発明の半導体装置は上記本発明の半導
体装置用リードフレーム部材を用いることにより、半導
体装置自体のサイズを大きくすることなく、多端子化へ
対応できるものとしている。配線部の外部端子部のうち
一部を放熱用の端子として基板に実装することもでき、
半導体装置の熱抵抗を低くすることができる。
上記のような構成にすることにより、半導体装置の実装
する工程を難しくすることなく、且つ、半導体装置のサ
イズを大きくすることなく、従来に比較して飛躍的に端
子数を増やせる半導体装置用のリードフレーム部材の提
供を可能としている。詳しくは、配線部のみに半導体素
子を搭載するためのダイパッド部を設け、単層リードフ
レームにはダイパッド部を設けないもので、単層リード
フレームのインナーリードは配線部のダイパッド側のリ
ード先端部より外側に設けられており、且つ、絶縁層
は、少なくとも配線部のダイパッド部およびダイパッド
部側のリード先端部に対応する箇所を含み、単層リード
フレームのインナーリード先端部に対応する箇所にかか
らない領域で開口されていることにより、半導体素子を
配線部のダイパッド部に搭載された際、半導体素子の端
子部（電極パッド）と単層リードフレームのインナーリ
ードおよび配線部のリードとを電気的にワイヤ（金線）
接続でき、接続されたインナーリードに対応したアウタ
ーリードおよび接続された配線部のリードに一体化して
連結している外部端子を介して、半導体素子と外部回路
と電気的に接続することを可能としており、単層リード
フレームのアウターリードに加え、配線部の外部端子を
入出力の端子として確保できるものとしている。したが
って、従来の単層リードフレームのみを使用した樹脂封
止型半導体装置のように、多端子化のために単層リード
フレームのインナーリードピッチ、アウターリードピッ
チを極端に狭くする必要もなくなり、アセンブリ工程に
おけるボンデイング作業工程や、実装工程における許容
を大きくできる。更に、単層リードフレームのインナー
リード先端部位置と配線部の半導体素子側のリード先端
部位置とを千鳥状に配置させたことにより、ワイヤボン
デイングの際、ワイヤ同士のショートの発生を極めて少
ないものとしている。そして、配線部が、金属板の加工
により一体的に加工されたものであることより、従来の
フォトリソグラフィ技術等にての量産加工を可能にして
いる。配線部は外部端子のみを、単層リードフレームと
反対側に露出した状態で第二の絶縁層で覆われているこ
とにより、樹脂封止する際に、必ずしも第二の絶縁層の
外部側には樹脂を必要としない為、樹脂封止自体も簡単
なものとすることも可能である。そして、上記配線部が
フィルムキャリア等のフィルム上に形成されたものであ
り、該フィルムキャリア等のフィルムに、外部端子が露
出するようにフィルムに開口部を設けていることより、
作製を簡単化するとともに、半導体素子を搭載し樹脂封
入した際の半導体装置の厚みを薄くすることを可能とし
ている。また、本発明の半導体装置は上記本発明の半導
体装置用リードフレーム部材を用いることにより、半導
体装置自体のサイズを大きくすることなく、多端子化へ
対応できるものとしている。配線部の外部端子部のうち
一部を放熱用の端子として基板に実装することもでき、
半導体装置の熱抵抗を低くすることができる。
【０００８】
【実施例】本発明の半導体装置用リードフレーム部材の
実施例を図にそって説明する。先ず、実施例１の半導体
装置用リードフレーム部材を挙げる。図１は、実施例１
の半導体装置用リードフレーム部材の展開図である。図
１中、１００はリードフレーム部材、１１０は単層リー
ドフレーム、１１１はインナーリード、１１２はアウタ
ーリード、１１３はダムバー、１１４はフレーム（枠）
部、１２０は配線部、１２１はダイパッド、１２２はリ
ード、１２３は外部端子、１２３Ａは突起部、１３０は
絶縁層、１３１は開口、１４０は第二絶縁層、１４１は
開口である。図１に示すように、本実施例の半導体装置
用リードフレーム部材１００は、絶縁層１３０を介し
て、単層リードフレーム１１０と配線部１２０とを積層
したもので、配線部１２０には半導体素子を搭載するた
めのダイパッド１２１と、半導体素子の端子部（電極パ
ッド）とを結線するリード１２２と、該リード１２２に
一体に連結された外部回路と電気的に接続するための外
部端子１２３を備えており、単層リードフレーム１１０
にはダイパッドがない。絶縁層１３０の開口１３１は配
線部１２０のダイパッド１２１領域よりも若干大きい程
度に、単層リードフレーム１１０のインナーリード１１
１の先端部を含む範囲で開口されているもので、単層リ
ードフレーム１１０と配線部１２０とを電気的に導通し
ないように絶縁している。そして、単層リード１１０の
インナーリード１２１は、配線部１２０のダイパッド１
２１側のリード１２２先端部よりも外側に位置してお
り、且つ、絶縁層１３０の開口１３１は、配線部１２０
のダイパッド１２１およびダイパッド１２１側のリード
１２２の先端部に対応する箇所を含み、単層リードフレ
ーム１１０のインナーリード１１１先端部に対応する箇
所にかからない四角状領域で開口されている。ダイパッ
ド１２１に半導体素子を搭載した際には、半導体素子１
５０の端子部１５１と単層リードフレーム１１０のイン
ナーリード先端部および配線部１２０のリード１２１の
半導体素子側とのワイヤ（金線）接続をし易いものとし
ている。単層リードフレーム１１０のインナーリード先
端部位置および配線部１２０のリード１２１の半導体素
子側の先端部位置とを、ワイヤ（金線）接続の際、ワイ
ヤ同士がショートしずらいように、互いに千鳥状となる
ように配置している。
実施例を図にそって説明する。先ず、実施例１の半導体
装置用リードフレーム部材を挙げる。図１は、実施例１
の半導体装置用リードフレーム部材の展開図である。図
１中、１００はリードフレーム部材、１１０は単層リー
ドフレーム、１１１はインナーリード、１１２はアウタ
ーリード、１１３はダムバー、１１４はフレーム（枠）
部、１２０は配線部、１２１はダイパッド、１２２はリ
ード、１２３は外部端子、１２３Ａは突起部、１３０は
絶縁層、１３１は開口、１４０は第二絶縁層、１４１は
開口である。図１に示すように、本実施例の半導体装置
用リードフレーム部材１００は、絶縁層１３０を介し
て、単層リードフレーム１１０と配線部１２０とを積層
したもので、配線部１２０には半導体素子を搭載するた
めのダイパッド１２１と、半導体素子の端子部（電極パ
ッド）とを結線するリード１２２と、該リード１２２に
一体に連結された外部回路と電気的に接続するための外
部端子１２３を備えており、単層リードフレーム１１０
にはダイパッドがない。絶縁層１３０の開口１３１は配
線部１２０のダイパッド１２１領域よりも若干大きい程
度に、単層リードフレーム１１０のインナーリード１１
１の先端部を含む範囲で開口されているもので、単層リ
ードフレーム１１０と配線部１２０とを電気的に導通し
ないように絶縁している。そして、単層リード１１０の
インナーリード１２１は、配線部１２０のダイパッド１
２１側のリード１２２先端部よりも外側に位置してお
り、且つ、絶縁層１３０の開口１３１は、配線部１２０
のダイパッド１２１およびダイパッド１２１側のリード
１２２の先端部に対応する箇所を含み、単層リードフレ
ーム１１０のインナーリード１１１先端部に対応する箇
所にかからない四角状領域で開口されている。ダイパッ
ド１２１に半導体素子を搭載した際には、半導体素子１
５０の端子部１５１と単層リードフレーム１１０のイン
ナーリード先端部および配線部１２０のリード１２１の
半導体素子側とのワイヤ（金線）接続をし易いものとし
ている。単層リードフレーム１１０のインナーリード先
端部位置および配線部１２０のリード１２１の半導体素
子側の先端部位置とを、ワイヤ（金線）接続の際、ワイ
ヤ同士がショートしずらいように、互いに千鳥状となる
ように配置している。
【０００９】本実施例においては、単層リードフレーム
１１０、及び配線部１２０ともに、４２合金（４２％ニ
ッケル−鉄合金）で形成されている。そして、配線部１
２０は、図３（ａ）に示すように、外部端子１２３の突
起部１２３Ａを含めて一体に形成されている。単層リー
ドフレーム１１０については、通常のエッチング加工に
て加工されるため説明を省くが、突起部１２３Ａを一体
に形成した配線部１２０の製造方法については、図４を
用いて簡単に説明しておく。図４は簡単のため要部のみ
の断面を示した。先ず、リードフレーム素材４００に洗
浄処理等を施し（図４（ａ））、両表面にカゼインレジ
スト等の感光性のレジストを塗布し、乾燥処理等を行い
（図４（ｂ））、所定のパターン版を用いて所定形状の
レジストパターン４０１Ａを形成する。（図４（ｃ） 次いで、レジストパターン４０１Ａを保護膜として、リ
ードフレーム素材４００の両面から塩化第二鉄水溶液等
の腐蝕液により腐蝕していく。（図４（ｄ））図４
（ｄ）の段階ではまだ、腐蝕部４０２Ａ、４０２Ｂは浅
く、貫通した状態ではない。腐蝕をさらに進めることに
より、腐蝕部４０２Ａ、４０２Ｂにより、リードフレー
ム素材４００は部分的に貫通した状態となり、所定の形
状を形成する。（図４（ｅ）） この後、レジスト膜（レジストパターン）４０１Ａを除
去し、突起部４２３Ａを有する外部端子４２３と、配線
部４２２と、ダイパッド部４２１とを備えた、リードフ
レーム部材４２０を得る。（図４（ｆ）） 尚、図３（ａ）に示すように突起部の先端を丸型に滑ら
かにするには、図４（ｃ）に示すレジストパターン４０
１Ａを、所定の幅以下にすることによって形成できる。
尚、上記配線部の作製には、通常、単層リードフレーム
のフレーム（枠）部に相当するものを設け、全体を吊っ
た状態でエッチング加工等により作製した後、一部ない
し、全体をフィルムやテープで固定して扱う。
１１０、及び配線部１２０ともに、４２合金（４２％ニ
ッケル−鉄合金）で形成されている。そして、配線部１
２０は、図３（ａ）に示すように、外部端子１２３の突
起部１２３Ａを含めて一体に形成されている。単層リー
ドフレーム１１０については、通常のエッチング加工に
て加工されるため説明を省くが、突起部１２３Ａを一体
に形成した配線部１２０の製造方法については、図４を
用いて簡単に説明しておく。図４は簡単のため要部のみ
の断面を示した。先ず、リードフレーム素材４００に洗
浄処理等を施し（図４（ａ））、両表面にカゼインレジ
スト等の感光性のレジストを塗布し、乾燥処理等を行い
（図４（ｂ））、所定のパターン版を用いて所定形状の
レジストパターン４０１Ａを形成する。（図４（ｃ） 次いで、レジストパターン４０１Ａを保護膜として、リ
ードフレーム素材４００の両面から塩化第二鉄水溶液等
の腐蝕液により腐蝕していく。（図４（ｄ））図４
（ｄ）の段階ではまだ、腐蝕部４０２Ａ、４０２Ｂは浅
く、貫通した状態ではない。腐蝕をさらに進めることに
より、腐蝕部４０２Ａ、４０２Ｂにより、リードフレー
ム素材４００は部分的に貫通した状態となり、所定の形
状を形成する。（図４（ｅ）） この後、レジスト膜（レジストパターン）４０１Ａを除
去し、突起部４２３Ａを有する外部端子４２３と、配線
部４２２と、ダイパッド部４２１とを備えた、リードフ
レーム部材４２０を得る。（図４（ｆ）） 尚、図３（ａ）に示すように突起部の先端を丸型に滑ら
かにするには、図４（ｃ）に示すレジストパターン４０
１Ａを、所定の幅以下にすることによって形成できる。
尚、上記配線部の作製には、通常、単層リードフレーム
のフレーム（枠）部に相当するものを設け、全体を吊っ
た状態でエッチング加工等により作製した後、一部ない
し、全体をフィルムやテープで固定して扱う。
【００１０】絶縁層１３０は巴川製紙株式会社製のポリ
イミド樹脂（型番ＵＸ−１Ｗ）からなり、金型により加
工されたものを用いた。第二絶縁層１４０巴川製紙株式
会社製のポリイミド樹脂（型番ＵＸ−１Ｓ）からなり、
開口１４１を設けたもので、配線部１２０の外部端子１
２３の突起部１２３Ａのみを開口１４１から外部に露出
するようにして、配線部１２０全体を覆っている。
イミド樹脂（型番ＵＸ−１Ｗ）からなり、金型により加
工されたものを用いた。第二絶縁層１４０巴川製紙株式
会社製のポリイミド樹脂（型番ＵＸ−１Ｓ）からなり、
開口１４１を設けたもので、配線部１２０の外部端子１
２３の突起部１２３Ａのみを開口１４１から外部に露出
するようにして、配線部１２０全体を覆っている。
【００１１】上記実施例半導体装置用リードフレーム部
材の作製は、例えば以下のようにして行う。先ず、エッ
チング加工等により作製された、単層リードフレーム１
１０と配線部１２０とを絶縁層１３０を介して、配線部
１２０の外部端子１２３の突起部１２３Ａ側が外側に向
くように所定の位置に重ねた状態で、１２０°Ｃ、０．
３秒、５０Ｋｇｆの加圧条件にて、熱圧着し、単層リー
ドフレーム１１０と配線部１２０とを絶縁層１３０を介
して積層する。尚、配線部１２０は、ダイパッド部１２
１、リード部１２２、外部端子部１２３はこのままでは
不安定なため、一部ないし全部をフィルムないしテープ
等に沿わせた状態で熱圧着し、圧着後、該フィルムない
しテープを除去する方法等が採られる。場合によっては
フィルムないしテープを付けたまま作製される。また、
配線部１２０をフレーム（枠）部（図示していない）に
吊った状態で、エッチング等により加工した後、先ず絶
縁層１３０と熱圧着し、フレーム（枠）部等不要の部分
を切断除去してから、これと絶縁層１３０を介して単層
リードフレーム１１０とを熱圧着しても良い。
材の作製は、例えば以下のようにして行う。先ず、エッ
チング加工等により作製された、単層リードフレーム１
１０と配線部１２０とを絶縁層１３０を介して、配線部
１２０の外部端子１２３の突起部１２３Ａ側が外側に向
くように所定の位置に重ねた状態で、１２０°Ｃ、０．
３秒、５０Ｋｇｆの加圧条件にて、熱圧着し、単層リー
ドフレーム１１０と配線部１２０とを絶縁層１３０を介
して積層する。尚、配線部１２０は、ダイパッド部１２
１、リード部１２２、外部端子部１２３はこのままでは
不安定なため、一部ないし全部をフィルムないしテープ
等に沿わせた状態で熱圧着し、圧着後、該フィルムない
しテープを除去する方法等が採られる。場合によっては
フィルムないしテープを付けたまま作製される。また、
配線部１２０をフレーム（枠）部（図示していない）に
吊った状態で、エッチング等により加工した後、先ず絶
縁層１３０と熱圧着し、フレーム（枠）部等不要の部分
を切断除去してから、これと絶縁層１３０を介して単層
リードフレーム１１０とを熱圧着しても良い。
【００１２】次いで、開口１４１を設けた第二絶縁層１
４０を配線部１２０側に、且つ外部端子１２３の突起部
１２３Ａが外部に露出するように開口１４１と位置合わ
せしながら、１２０°Ｃ、０．３秒、５０Ｋｇｆの加圧
条件にて、熱圧着して一体化して形成する。尚、ここで
は、第二絶縁層１４０の突起部１２３Ａに相当する位置
に設けた開口１４１を熱圧着する前に設けていたが、突
起部を持たない配線部を用いる場合には、熱圧着した
後、エキシマ、炭酸ガスレーザ等により加工して、外部
端子１２３を露出させても良い。この場合は、露出した
外部端子１２３に図３（ｂ）に示すように、半田部から
なる突起部２２８を形成し、外部回路と電気的に接続す
る方法が一般的である。
４０を配線部１２０側に、且つ外部端子１２３の突起部
１２３Ａが外部に露出するように開口１４１と位置合わ
せしながら、１２０°Ｃ、０．３秒、５０Ｋｇｆの加圧
条件にて、熱圧着して一体化して形成する。尚、ここで
は、第二絶縁層１４０の突起部１２３Ａに相当する位置
に設けた開口１４１を熱圧着する前に設けていたが、突
起部を持たない配線部を用いる場合には、熱圧着した
後、エキシマ、炭酸ガスレーザ等により加工して、外部
端子１２３を露出させても良い。この場合は、露出した
外部端子１２３に図３（ｂ）に示すように、半田部から
なる突起部２２８を形成し、外部回路と電気的に接続す
る方法が一般的である。
【００１３】上記本実施例のリードフレーム部材を用い
た樹脂封止型の半導体装置の１例を挙げ簡単に説明す
る。図３（ａ）に示す樹脂封止型の半導体装置が上記実
施例１の半導体装置用リードフレーム部材を用いた半導
体装置の１例であり、図３（ａ）は、図１におけるＡ１
−Ａ２における位置に相当する位置での断面図である。
図３（ａ）中、１５０は半導体素子、１５１は端子部
（電極パッド）、１５２はワイヤ（金線）である。この
半導体装置は、図５（ａ）に示す、従来の単層リードフ
レームのみを用いた半導体装置と異なり、単層リードフ
レーム１１０のアウターリード１１２の他に、配線部１
２０の外部端子１２３により外部回路との接続が可能で
あり、前記従来の単層リードフレームのみを用いた半導
体装置に比べ、外部回路との接続端子の数を飛躍的に多
くすることが可能である。尚、半導体装置としては、図
１に示す第二の絶縁層１４０を用いないリードフレーム
部材を用い、これに相当する位置は、封止用樹脂で封止
する構造のものも可能である。
た樹脂封止型の半導体装置の１例を挙げ簡単に説明す
る。図３（ａ）に示す樹脂封止型の半導体装置が上記実
施例１の半導体装置用リードフレーム部材を用いた半導
体装置の１例であり、図３（ａ）は、図１におけるＡ１
−Ａ２における位置に相当する位置での断面図である。
図３（ａ）中、１５０は半導体素子、１５１は端子部
（電極パッド）、１５２はワイヤ（金線）である。この
半導体装置は、図５（ａ）に示す、従来の単層リードフ
レームのみを用いた半導体装置と異なり、単層リードフ
レーム１１０のアウターリード１１２の他に、配線部１
２０の外部端子１２３により外部回路との接続が可能で
あり、前記従来の単層リードフレームのみを用いた半導
体装置に比べ、外部回路との接続端子の数を飛躍的に多
くすることが可能である。尚、半導体装置としては、図
１に示す第二の絶縁層１４０を用いないリードフレーム
部材を用い、これに相当する位置は、封止用樹脂で封止
する構造のものも可能である。
【００１４】次いで、実施例２の半導体装置用リードフ
レームを挙げる図２は、実施例２の半導体装置用リード
フレーム部材の展開図である。図２中、２００はリード
フレーム部材、２１０は単層リードフレーム、２１１は
インナーリード、２１２はアウターリード、２１３はダ
ムバー、２１４はフレーム（枠）部、２２０は配線部、
２２１はダイパッド、２２２はリード、２２３は外部端
子部、２２４はフィルム、２２５は開口、２３０は絶縁
層、２３１は開口である。図２に示すように、本実施例
の半導体装置用リードフレーム部材２００は、実施例１
における配線部１２０に相当する配線部２２０をフィル
ム２２４上に形成したもので、フィルム２２４を外側に
向けて、絶縁層２３０を介して、単層リードフレーム２
１０と配線部２２０とを積層したもので、配線部２２０
には半導体素子を搭載するためのダイパッド２２１と、
半導体素子の端子部とを結線するリード２２２と、該リ
ード２２２に一体に連結された外部回路と電気的に接続
するための外部端子部２２３を備えており、単層リード
フレーム２１０にはダイパッドがない。本実施例も実施
例１の半導体装置用リードフレーム部材の場合と同様、
単層リード２１０のインナーリード２２１は、配線部２
２０のダイパッド（半導体素子）２２１側のリード２２
２先端部よりも外側に位置しており、且つ、開口２３１
は、配線部２２０のダイパッド２２１とダイパッド側の
リード２２２先端部に対応する箇所を含み、単層リード
フレーム２１０のインナーリード２１１の先端部に対応
する箇所を含まない四角状領域で開口してあるので、配
線部２２０のダイパッド２２１に半導体素子を搭載した
際には、半導体素子の端子部と単層リードフレーム２１
０のインナーリード２１１先端部および配線部２２０の
リード２２１の半導体素子側の先端部とのワイヤ（金
線）接続をし易いものとしている。本実施例において
は、実施例１の第二絶縁層１４０に相当するのが、フィ
ルム２２４であるが、配線部２２０とフィルム２２４と
は積層された状態で一体に作成されており、フィルム２
２４に、配線部２２０の外部端子２２３が露出するよう
に開口２２５（図示していない）を設けている。開口２
２５の形成は、エキシマ、炭酸ガスレーザ光等の照射、
もしくは腐蝕にて行う。
レームを挙げる図２は、実施例２の半導体装置用リード
フレーム部材の展開図である。図２中、２００はリード
フレーム部材、２１０は単層リードフレーム、２１１は
インナーリード、２１２はアウターリード、２１３はダ
ムバー、２１４はフレーム（枠）部、２２０は配線部、
２２１はダイパッド、２２２はリード、２２３は外部端
子部、２２４はフィルム、２２５は開口、２３０は絶縁
層、２３１は開口である。図２に示すように、本実施例
の半導体装置用リードフレーム部材２００は、実施例１
における配線部１２０に相当する配線部２２０をフィル
ム２２４上に形成したもので、フィルム２２４を外側に
向けて、絶縁層２３０を介して、単層リードフレーム２
１０と配線部２２０とを積層したもので、配線部２２０
には半導体素子を搭載するためのダイパッド２２１と、
半導体素子の端子部とを結線するリード２２２と、該リ
ード２２２に一体に連結された外部回路と電気的に接続
するための外部端子部２２３を備えており、単層リード
フレーム２１０にはダイパッドがない。本実施例も実施
例１の半導体装置用リードフレーム部材の場合と同様、
単層リード２１０のインナーリード２２１は、配線部２
２０のダイパッド（半導体素子）２２１側のリード２２
２先端部よりも外側に位置しており、且つ、開口２３１
は、配線部２２０のダイパッド２２１とダイパッド側の
リード２２２先端部に対応する箇所を含み、単層リード
フレーム２１０のインナーリード２１１の先端部に対応
する箇所を含まない四角状領域で開口してあるので、配
線部２２０のダイパッド２２１に半導体素子を搭載した
際には、半導体素子の端子部と単層リードフレーム２１
０のインナーリード２１１先端部および配線部２２０の
リード２２１の半導体素子側の先端部とのワイヤ（金
線）接続をし易いものとしている。本実施例において
は、実施例１の第二絶縁層１４０に相当するのが、フィ
ルム２２４であるが、配線部２２０とフィルム２２４と
は積層された状態で一体に作成されており、フィルム２
２４に、配線部２２０の外部端子２２３が露出するよう
に開口２２５（図示していない）を設けている。開口２
２５の形成は、エキシマ、炭酸ガスレーザ光等の照射、
もしくは腐蝕にて行う。
【００１５】フィルム２２４はポリイミドをベースとし
た基材で、配線部２２０はフィルム２２４上に積層され
た厚さ０．０１８ｍｍの銅箔に対し、通常の製版技術に
より耐腐蝕性膜をパターン化し、露出している銅箔部の
みをエッチングすることにより形成したものであり、フ
ィルム２２４は配線部２２０を支持している。このよう
に、本実施例の場合は、実施例１のように配線部を金属
の腐蝕等により、第二絶縁層と別に作製するのではな
く、フィルム２２４上に形成された銅箔をエッチングし
て作製し、フィルム２２４をそのまま絶縁層として使用
する為、組立作業全体が簡単となる。
た基材で、配線部２２０はフィルム２２４上に積層され
た厚さ０．０１８ｍｍの銅箔に対し、通常の製版技術に
より耐腐蝕性膜をパターン化し、露出している銅箔部の
みをエッチングすることにより形成したものであり、フ
ィルム２２４は配線部２２０を支持している。このよう
に、本実施例の場合は、実施例１のように配線部を金属
の腐蝕等により、第二絶縁層と別に作製するのではな
く、フィルム２２４上に形成された銅箔をエッチングし
て作製し、フィルム２２４をそのまま絶縁層として使用
する為、組立作業全体が簡単となる。
【００１６】次いで、本実施例の半導体装置用リードフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置の例を、図３
（ｂ）に挙げ、簡単に説明する。図３（ｂ）は、図２に
おけるＢ１−Ｂ２における位置に相当する位置での断面
図である。図３（ｂ）中、２５０は半導体素子、２５１
は端子部（電極パッド）、２５２はワイヤ（金線）であ
る。この半導体装置の場合は、実施例１の第二の絶縁層
１４０に相当するのがフィルム２２４で、フィルム２２
４の外部端子部２２３に相当する位置にエキシマ、炭酸
ガスレーザ光等の照射により開口部を設け、フィルム２
２４に開口部を設けた半導体装置用リードフレーム部材
に半導体素子を搭載し、結線し、樹脂封止を行い、該開
口部から、外部端子部２２３に連結して外部へ突出し
た、半田からなる突起部２２８を設けたものである。こ
のように、この半導体装置は、フィルム２２４上の薄い
銅箔をエッチングしたものを配線部２２０としている
為、配線部の厚みを薄くとれ、全体を薄型に形成でき
る。
レームを用いた樹脂封止型半導体装置の例を、図３
（ｂ）に挙げ、簡単に説明する。図３（ｂ）は、図２に
おけるＢ１−Ｂ２における位置に相当する位置での断面
図である。図３（ｂ）中、２５０は半導体素子、２５１
は端子部（電極パッド）、２５２はワイヤ（金線）であ
る。この半導体装置の場合は、実施例１の第二の絶縁層
１４０に相当するのがフィルム２２４で、フィルム２２
４の外部端子部２２３に相当する位置にエキシマ、炭酸
ガスレーザ光等の照射により開口部を設け、フィルム２
２４に開口部を設けた半導体装置用リードフレーム部材
に半導体素子を搭載し、結線し、樹脂封止を行い、該開
口部から、外部端子部２２３に連結して外部へ突出し
た、半田からなる突起部２２８を設けたものである。こ
のように、この半導体装置は、フィルム２２４上の薄い
銅箔をエッチングしたものを配線部２２０としている
為、配線部の厚みを薄くとれ、全体を薄型に形成でき
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明の半導体装置用リードフレーム部
材は、上記のように、半導体装置の実装工程を難しくす
ることなく、且つ、半導体装置のサイズを大きくするこ
となく、従来に比較して飛躍的に端子数を増やせる半導
体装置用のリードフレーム部材の提供を可能としてお
り、具体的には、ＱＦＰ半導体装置と比較すると同一の
パッケージサイズで入出力端子数を約２倍とすることを
可能としている。詳しくは、本発明の半導体装置用リー
ドフレーム部材においては、用いられる単層リードフレ
ーム、配線部ともに従来のエッチングプロセスや、スタ
ンピングプロセスにより量産作製可能であるため、特別
なプロセスを必要とせず、低コスト化ができる。配線部
は、フィルムキャリア等のフィルム上に導体回路を形成
したものを用いることにより、半導体装置の厚みを薄型
化することができる。また、この場合、導体回路が銅箔
とすることより、微細配線が可能であり、外部端子数も
多くすることができる。そして、単層リードフレームの
インナーリード先端部が配線部の半導体素子搭載用のダ
イパッド側のリードの先端部より外側に設けることよ
り、半導体素子の端子部と単層リードフレームのインナ
ーリード先端部、配線部の半導体素子側のリード先端部
とのワイヤ（金線）接続を可能にしているが、更に、イ
ンナーリード先端部位置と配線部の半導体素子側のリー
ド先端部位置とを工夫して配置することにより、ワイヤ
同士のショートの発生を極めて低いものとすることがで
きる。また、本発明の半導体装置用は、上記本発明のリ
ードフレーム部材を用いることにより、半導体装置自体
を大きくすることなく、多端子化への対応を可能として
おり、且つ、量産にも対応できるものとしている。そし
て、配線部の外部端子のうち一部を放熱用の端子として
基板に実装し、半導体装置の熱抵抗を低くすることもで
きる。結局、本発明は、樹脂封止型半導体装置の多端子
化への対応を可能とするもので、一層の半導体素子の多
端子化と微細化にも充分に対応できるものとしている。
材は、上記のように、半導体装置の実装工程を難しくす
ることなく、且つ、半導体装置のサイズを大きくするこ
となく、従来に比較して飛躍的に端子数を増やせる半導
体装置用のリードフレーム部材の提供を可能としてお
り、具体的には、ＱＦＰ半導体装置と比較すると同一の
パッケージサイズで入出力端子数を約２倍とすることを
可能としている。詳しくは、本発明の半導体装置用リー
ドフレーム部材においては、用いられる単層リードフレ
ーム、配線部ともに従来のエッチングプロセスや、スタ
ンピングプロセスにより量産作製可能であるため、特別
なプロセスを必要とせず、低コスト化ができる。配線部
は、フィルムキャリア等のフィルム上に導体回路を形成
したものを用いることにより、半導体装置の厚みを薄型
化することができる。また、この場合、導体回路が銅箔
とすることより、微細配線が可能であり、外部端子数も
多くすることができる。そして、単層リードフレームの
インナーリード先端部が配線部の半導体素子搭載用のダ
イパッド側のリードの先端部より外側に設けることよ
り、半導体素子の端子部と単層リードフレームのインナ
ーリード先端部、配線部の半導体素子側のリード先端部
とのワイヤ（金線）接続を可能にしているが、更に、イ
ンナーリード先端部位置と配線部の半導体素子側のリー
ド先端部位置とを工夫して配置することにより、ワイヤ
同士のショートの発生を極めて低いものとすることがで
きる。また、本発明の半導体装置用は、上記本発明のリ
ードフレーム部材を用いることにより、半導体装置自体
を大きくすることなく、多端子化への対応を可能として
おり、且つ、量産にも対応できるものとしている。そし
て、配線部の外部端子のうち一部を放熱用の端子として
基板に実装し、半導体装置の熱抵抗を低くすることもで
きる。結局、本発明は、樹脂封止型半導体装置の多端子
化への対応を可能とするもので、一層の半導体素子の多
端子化と微細化にも充分に対応できるものとしている。
【図１】実施例１の半導体装置用リードフレーム部材の
展開図
展開図
【図２】実施例２の半導体装置用リードフレーム部材の
展開図
展開図
【図３】本発明の半導体装置用リードフレーム部材を用
いた半導体装置の断面図
いた半導体装置の断面図
【図４】配線部の製造工程図
【図５】樹脂封止型半導体装置の断面図および単層リー
ドフレームの平面図
ドフレームの平面図
１００、２００ リードフレーム部材 １１０、２１０ 単層リードフレーム １１１、２１１ インナーリード １１２、２１２ アウターリード １１３、２１３ ダムバー １１４、２１４ フレーム（枠）部 １２０、２２０ 配線部 １２１、２２１ ダイパッド １２２、２２２ リード部 １２３、２２３ 外部端子 １２３Ａ 突起部 ２２４ フィルム ２２５ 開口 ２２８ 半田からなる突起部 １３０、２３０ 絶縁層 １３１、２３１ 開口 １４０ 第二絶縁層 １４１ 開口 １５０ 半導体素子 １５１ 端子部（パッド部） ４００ リードフレーム素材 ４０１ 感光性レジスト ４０１Ａ、４０１Ｂ レジストパターン ４０２Ａ、４０２Ｂ 腐蝕部 ４２１ ダイパッド ４２２ リード部 ４２３ 外部端子 ４２３Ａ 突起部 ５１０ 半導体装置 ５１１ 半導体素子 ５１２ ダイパッド部 ５１３ インナーリード ５１４ アウターリード ５１５ 樹脂 ５２０ 単層リードフレーム ５２２ ダイパッド部 ５２３ インナーリード ５２４ アウターリード ５２５ ダムバー ５２６ フレーム（枠）部
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも、半導体素子の端子部と電気
的接続を行うためのインナーリードと、該インナーリー
ドと一体的に連結し外部回路と電気的接続を行うための
アウターリードとを有し、半導体素子を搭載するための
ダイパッドを持たない単層リードフレームと、半導体素
子を搭載するためのダイパッドと、該ダイパッドの周囲
に半導体素子の端子部と電気的に接続を行うためのリー
ドと、該リードと一体的に連結し、且つリード形成面に
沿って二次元的に配置された外部回路と電気的接続を行
うための外部端子とを有する配線部とが、上から単層リ
ードフレーム、絶縁層、配線部の順に、絶縁層を介し
て、熱圧着等により積層されている樹脂封止型半導体装
置用のリードフレーム部材であって、単層リードフレー
ムのインナーリードは配線部のダイパッド側のリード先
端部より外側に設けられており、且つ、絶縁層は、少な
くとも配線部のダイパッド部およびダイパッド部側のリ
ード先端部に対応する箇所を含み、単層リードフレーム
のインナーリード先端部に対応する箇所にかからない領
域で開口されていることを特徴とする半導体装置用リー
ドフレーム部材。 - 【請求項２】 請求項１における、配線部が、金属板の
加工により一体的に加工されたものであることを特徴と
する半導体装置用リードフレーム部材。 - 【請求項３】 請求項１ないし２において、配線部は外
部端子のみを、単層リードフレームと反対側に露出した
状態で第二の絶縁層で覆われていることを特徴とする半
導体装置用リードフレーム部材。 - 【請求項４】 請求項１配線部がフイルムキャリア等の
フィルム上に形成されたものであり、該フイルムキャリ
ア等のフィルムに、外部端子が露出するようにフィルム
に開口部を設けたことを特徴とする半導体装置用リード
フレーム部材。 - 【請求項５】 請求項１ないし４において、単層リード
フレームのインナーリード先端部位置と配線部の半導体
素子側のリード先端部位置とを千鳥状に配置させたこと
を特徴とする半導体装置用リードフレーム部材。 - 【請求項６】 請求項１ないし５の半導体装置用リード
フレーム部材を用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7082097A JPH08255864A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体装置用リードフレーム部材および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7082097A JPH08255864A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体装置用リードフレーム部材および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08255864A true JPH08255864A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13764923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7082097A Withdrawn JPH08255864A (ja) | 1995-03-15 | 1995-03-15 | 半導体装置用リードフレーム部材および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08255864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018237A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mitsui High-Tec, Inc. | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-03-15 JP JP7082097A patent/JPH08255864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018237A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Mitsui High-Tec, Inc. | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8003444B2 (en) | 2005-08-10 | 2011-08-23 | Mitsui High-Tec, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |