JPH08254629A - 光送受信用モジュール - Google Patents
光送受信用モジュールInfo
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- JPH08254629A JPH08254629A JP7059556A JP5955695A JPH08254629A JP H08254629 A JPH08254629 A JP H08254629A JP 7059556 A JP7059556 A JP 7059556A JP 5955695 A JP5955695 A JP 5955695A JP H08254629 A JPH08254629 A JP H08254629A
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- optical
- light
- signal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ネットワークユニット（ＯＮＵ）の光送受
信用モジュールとして、部品点数が少なく、小型であ
り、信頼性、耐久性も高く、しかも安価に供給できるも
のを得る。 【構成】 コア２３およびクラッド２２，２４が形成さ
れた基板型導波路構造を採用し、誘電体多層薄膜フィル
タ２５により、分波機能を行う。波長多重化光信号が入
力される第１のポートＰ1 と、フィルタ２５により分波
された１つの光が出力される第２のポートＰ2 とを基板
の同一端面に配置する。分波された他の光は第３のポー
トＰ3 から出入力される。
信用モジュールとして、部品点数が少なく、小型であ
り、信頼性、耐久性も高く、しかも安価に供給できるも
のを得る。 【構成】 コア２３およびクラッド２２，２４が形成さ
れた基板型導波路構造を採用し、誘電体多層薄膜フィル
タ２５により、分波機能を行う。波長多重化光信号が入
力される第１のポートＰ1 と、フィルタ２５により分波
された１つの光が出力される第２のポートＰ2 とを基板
の同一端面に配置する。分波された他の光は第３のポー
トＰ3 から出入力される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光加入者網の加入者
宅に設置される光ネットワークユニットの光送受信用モ
ジュールに関し、その小型化を計り、かつ生産性を高め
たものである。
宅に設置される光ネットワークユニットの光送受信用モ
ジュールに関し、その小型化を計り、かつ生産性を高め
たものである。
【０００２】
【従来の技術】光ネットワークユニットは、光加入者伝
送系の加入者宅に設置されるもので、この光ネットワー
クユニットにより加入者宅に引き込まれる光ファイバが
終端されるようになっている。光加入者網として、図６
に示すように、１本の光ファイバ１を用い、波長１．５
５μｍの光に多チャンネルのテレビジョン（ＴＶ）信号
をのせて配設し、かつ波長１．３μｍの光に低速デジタ
ル信号をのせて双方向（上り，下り）で通信を行うもの
がある。
送系の加入者宅に設置されるもので、この光ネットワー
クユニットにより加入者宅に引き込まれる光ファイバが
終端されるようになっている。光加入者網として、図６
に示すように、１本の光ファイバ１を用い、波長１．５
５μｍの光に多チャンネルのテレビジョン（ＴＶ）信号
をのせて配設し、かつ波長１．３μｍの光に低速デジタ
ル信号をのせて双方向（上り，下り）で通信を行うもの
がある。
【０００３】このような通信形式において使用される光
ネットワークユニットの光送受信用モジュール（以下、
モジュールと略記する。）の機能は、光ファイバ１から
の１．５５μｍの下りのＴＶ信号と１．３μｍの下りの
デジタル信号とを受信し、これを波長分離（分波）して
それぞれ別個に出力し、かつ１．３μｍの上りのデジタ
ル信号を光ファイバ１に送出する機能が必要となる。
ネットワークユニットの光送受信用モジュール（以下、
モジュールと略記する。）の機能は、光ファイバ１から
の１．５５μｍの下りのＴＶ信号と１．３μｍの下りの
デジタル信号とを受信し、これを波長分離（分波）して
それぞれ別個に出力し、かつ１．３μｍの上りのデジタ
ル信号を光ファイバ１に送出する機能が必要となる。
【０００４】このような機能を具備するモジュールとし
ては、図７に示すような光ファイバカプラを使用したも
のが考えられる。図７において、符号３は光ファイバ型
光分波合波器（ＷＤＭ）であり、その一方の入力端４
は、光ファイバ１に接続されるようになっており、他方
の入力端５は無反射終端となっている。このＷＤＭ３は
光ファイバ１から入力された１．５５μｍと１．３μｍ
の光を分波し、１．５５μｍの光を一方の出力端６に、
他方の出力端７に１．３μｍの光を出力するようになっ
ている。１．５５μｍの光を出力するＷＤＭ３の出力端
６はこのモジュール２の１つの出力端子となる。一方、
１．３μｍの光を出力するＷＤＭ３の出力端７は、１．
５５μｍカットフィルタ８を経て方向性１：１型光ファ
イバカプラ９の一方の入力端１０に入力され、このカプ
ラ９に１．３μｍの光が入力されるようになっている。
ては、図７に示すような光ファイバカプラを使用したも
のが考えられる。図７において、符号３は光ファイバ型
光分波合波器（ＷＤＭ）であり、その一方の入力端４
は、光ファイバ１に接続されるようになっており、他方
の入力端５は無反射終端となっている。このＷＤＭ３は
光ファイバ１から入力された１．５５μｍと１．３μｍ
の光を分波し、１．５５μｍの光を一方の出力端６に、
他方の出力端７に１．３μｍの光を出力するようになっ
ている。１．５５μｍの光を出力するＷＤＭ３の出力端
６はこのモジュール２の１つの出力端子となる。一方、
１．３μｍの光を出力するＷＤＭ３の出力端７は、１．
５５μｍカットフィルタ８を経て方向性１：１型光ファ
イバカプラ９の一方の入力端１０に入力され、このカプ
ラ９に１．３μｍの光が入力されるようになっている。
【０００５】方向性１：１型光ファイバカプラ９の他の
入力端１１は無反射終端となっており、このカプラ９の
２つの出力端１２，１３にはそれぞれ１．３μｍの光が
出力され、いずれか一方の出力端１２がこのモジュール
２の１．３μｍの下りのデジタル信号の出力端子とな
る。他方の出力端１３は、モジュール２の１．３μｍの
上りのデジタル信号の入力端子となり、ここに入力され
た上りのデジタル信号はカプラ９およびＷＤＭ３を逆方
向に流れ、光ファイバ１に送出される。
入力端１１は無反射終端となっており、このカプラ９の
２つの出力端１２，１３にはそれぞれ１．３μｍの光が
出力され、いずれか一方の出力端１２がこのモジュール
２の１．３μｍの下りのデジタル信号の出力端子とな
る。他方の出力端１３は、モジュール２の１．３μｍの
上りのデジタル信号の入力端子となり、ここに入力され
た上りのデジタル信号はカプラ９およびＷＤＭ３を逆方
向に流れ、光ファイバ１に送出される。
【０００６】しかしながら、かかる構造のモジュールに
あっては、部品点数、部品形態からみて、小型化に限界
があり、生産も面倒で生産コストも高くなると言う欠点
を有している。
あっては、部品点数、部品形態からみて、小型化に限界
があり、生産も面倒で生産コストも高くなると言う欠点
を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、部品点数が削減でき、小型化が可能で、生産
性も高く、製造コストの低減が達成できるモジュールを
得ることにある。
る課題は、部品点数が削減でき、小型化が可能で、生産
性も高く、製造コストの低減が達成できるモジュールを
得ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる課題は、モジュー
ルをコアおよびクラッドが形成された基板型導波路で構
成し、この基板型導波路の１つの側面に上記光ファイバ
が接続される第１のポートと、第１の波長の下りの光信
号を出力する第２のポートとを配置し、他の側面に第２
の波長の上りおよび下りの光信号が出入力する第３のポ
ートを配置し、第１のポートと第３のポートとをメイン
コアによって接続し、メインコアの途中において第２の
ポートから延びるサブコアをメインコアに合流し、この
サブコアがメインコアと合流する合流点の第３のポート
側のメインコアに、第１のポートからの第１の波長の下
り光信号を反射して第２のポートに送り、かつ第１のポ
ートからの第２の波長の下りの光信号を透過して第３の
ポートに送るとともに第３のポートからの前記第２の波
長の上りの光信号を透過して第１のポートへ送る光フィ
ルタを設けることにより解決できる。
ルをコアおよびクラッドが形成された基板型導波路で構
成し、この基板型導波路の１つの側面に上記光ファイバ
が接続される第１のポートと、第１の波長の下りの光信
号を出力する第２のポートとを配置し、他の側面に第２
の波長の上りおよび下りの光信号が出入力する第３のポ
ートを配置し、第１のポートと第３のポートとをメイン
コアによって接続し、メインコアの途中において第２の
ポートから延びるサブコアをメインコアに合流し、この
サブコアがメインコアと合流する合流点の第３のポート
側のメインコアに、第１のポートからの第１の波長の下
り光信号を反射して第２のポートに送り、かつ第１のポ
ートからの第２の波長の下りの光信号を透過して第３の
ポートに送るとともに第３のポートからの前記第２の波
長の上りの光信号を透過して第１のポートへ送る光フィ
ルタを設けることにより解決できる。
【０００９】以下、本発明を詳しく説明する。図１は、
本発明のモジュールの第１の例を示すもので、図中符号
２１はシリコン、石英ガラスなどからなる基板である。
この基板２１の全面には石英ガラスなどからなるアンダ
ークラッド層２２が設けられており、このアンダークラ
ッド層２２上には酸化ゲルマニウムドープ石英ガラスな
どからなる帯状のコア２３が形成されている。基板２１
が十分に低損失な材料から構成されておればコア２３を
直接基板２１上に形成できる。このコア２３はメインコ
ア２３ａとサブコア２３ｂとからなっている。コア２３
の上には、石英ガラスなどからなるオーバークラッド層
２４が基板１の上部のコア２３を含む全面を被覆するよ
うに形成されている。
本発明のモジュールの第１の例を示すもので、図中符号
２１はシリコン、石英ガラスなどからなる基板である。
この基板２１の全面には石英ガラスなどからなるアンダ
ークラッド層２２が設けられており、このアンダークラ
ッド層２２上には酸化ゲルマニウムドープ石英ガラスな
どからなる帯状のコア２３が形成されている。基板２１
が十分に低損失な材料から構成されておればコア２３を
直接基板２１上に形成できる。このコア２３はメインコ
ア２３ａとサブコア２３ｂとからなっている。コア２３
の上には、石英ガラスなどからなるオーバークラッド層
２４が基板１の上部のコア２３を含む全面を被覆するよ
うに形成されている。
【００１０】コア２３は、アンダークラッド層２２およ
びオーバークラッド層２４よりも高屈折率となってお
り、その比屈折率差は、０．２〜１．０％程度となって
いる。また、コア２３の寸法は、幅が５〜１２μｍ、厚
さが５〜１０μｍとなっており、これらの寸法はコア２
３の大部分の位置において一定となっている。
びオーバークラッド層２４よりも高屈折率となってお
り、その比屈折率差は、０．２〜１．０％程度となって
いる。また、コア２３の寸法は、幅が５〜１２μｍ、厚
さが５〜１０μｍとなっており、これらの寸法はコア２
３の大部分の位置において一定となっている。
【００１１】上記メインコア２３ａは、基板２１の一端
からこれの反対側の他端に延びるほぼ直線状となってお
り、その一端側のメインコア２３ａの始端部はモジュー
ルの第１のポートＰ1 とされ、また他端側のメインコア
２３ａの終端部は第３のポートＰ3 となっている。ま
た、サブコア２３ｂは、基板２１の一端からメインコア
２３ａの途中の合流点Ｊにまで延びてメインコア２３ａ
と合流するようになっており、基板２１の一端側のサブ
コア２３ｂの始端部は第２のポートＰ2 となっている。
からこれの反対側の他端に延びるほぼ直線状となってお
り、その一端側のメインコア２３ａの始端部はモジュー
ルの第１のポートＰ1 とされ、また他端側のメインコア
２３ａの終端部は第３のポートＰ3 となっている。ま
た、サブコア２３ｂは、基板２１の一端からメインコア
２３ａの途中の合流点Ｊにまで延びてメインコア２３ａ
と合流するようになっており、基板２１の一端側のサブ
コア２３ｂの始端部は第２のポートＰ2 となっている。
【００１２】このメインコア２３ａとサブコア２３ｂと
の合流点Ｊの第３のポートＰ3 側のメインコア２３ａに
は光フィルタ２５が設けられている。この光フィルタ２
５は、誘電体多層薄膜フィルタであって、例えば波長
１．５μｍ以上において反射率１００％であり、１．５
μｍ未満で透過率が１００％の低波長透過型のものであ
る。この光フィルタ２５は、図２に示すようにオーバク
ラッド層２４の表面から基板２１の上面に達する幅１０
０μｍ程度のスリット２６を形成し、このスリット２６
に光フィルタ２５を挿入し、光学用接着剤２７で接着固
定して取り付けられている。また、メインコア２３ａと
サブコア２３ｂとの合流点Ｊでの２つのメインコア２３
ａとサブコア２３ｂとのなす平面角度は５〜３０度とな
っている。
の合流点Ｊの第３のポートＰ3 側のメインコア２３ａに
は光フィルタ２５が設けられている。この光フィルタ２
５は、誘電体多層薄膜フィルタであって、例えば波長
１．５μｍ以上において反射率１００％であり、１．５
μｍ未満で透過率が１００％の低波長透過型のものであ
る。この光フィルタ２５は、図２に示すようにオーバク
ラッド層２４の表面から基板２１の上面に達する幅１０
０μｍ程度のスリット２６を形成し、このスリット２６
に光フィルタ２５を挿入し、光学用接着剤２７で接着固
定して取り付けられている。また、メインコア２３ａと
サブコア２３ｂとの合流点Ｊでの２つのメインコア２３
ａとサブコア２３ｂとのなす平面角度は５〜３０度とな
っている。
【００１３】このような構成のモジュールは、例えば以
下のような製造方法で製造することができる。まず、基
板となる大型のシリコンウェハーを用意し、この表面に
アンダークラッド層となるガラス微粒子およびコアとな
るガラス微粒子をバーナを用いた熱ＣＶＤ法でそれぞれ
堆積したのち、加熱し透明ガラス化する。ついで、この
アンダークラッド層およびコアとなるガラス層が形成し
たシリコンウェハーにコアを形成するためのパターニン
グを施す。この際、１枚のシリコンウェハーから多数の
モジュールを作製するため、パターンの形状もこれに応
じたものとなる。
下のような製造方法で製造することができる。まず、基
板となる大型のシリコンウェハーを用意し、この表面に
アンダークラッド層となるガラス微粒子およびコアとな
るガラス微粒子をバーナを用いた熱ＣＶＤ法でそれぞれ
堆積したのち、加熱し透明ガラス化する。ついで、この
アンダークラッド層およびコアとなるガラス層が形成し
たシリコンウェハーにコアを形成するためのパターニン
グを施す。この際、１枚のシリコンウェハーから多数の
モジュールを作製するため、パターンの形状もこれに応
じたものとなる。
【００１４】次いで、リアクティブイオンエッチィング
（ＲＩＥ）により、コアとなるガラス層のうちコア以外
の不要な部分を除去し、この上にオーバクラッド層とな
るガラス微粒子を同様の方法により堆積し、透明ガラス
にしたのち、このウェハーを複数のモジュールにダイシ
ング（切断）する。こののち、光フィルタを取り付ける
ためのスリットをＲＩＥや機械的切削法によって形成し
たのち、このスリットに光フィルタを挿入し、接着、固
定する方法で製造できる。
（ＲＩＥ）により、コアとなるガラス層のうちコア以外
の不要な部分を除去し、この上にオーバクラッド層とな
るガラス微粒子を同様の方法により堆積し、透明ガラス
にしたのち、このウェハーを複数のモジュールにダイシ
ング（切断）する。こののち、光フィルタを取り付ける
ためのスリットをＲＩＥや機械的切削法によって形成し
たのち、このスリットに光フィルタを挿入し、接着、固
定する方法で製造できる。
【００１５】このようなモジュールでは、その第１のポ
ートＰ1 に加入者宅に引き込まれた光ファイバ１が接続
され、第２のポートＰ2 には、例えば波長１．５５μｍ
の分波された光信号を出力する出力ファイバが接続さ
れ、第３のポートＰ3 には例えば波長１．３μｍの光を
発光および受光する発光器兼受光器が接続されて使用さ
れる。
ートＰ1 に加入者宅に引き込まれた光ファイバ１が接続
され、第２のポートＰ2 には、例えば波長１．５５μｍ
の分波された光信号を出力する出力ファイバが接続さ
れ、第３のポートＰ3 には例えば波長１．３μｍの光を
発光および受光する発光器兼受光器が接続されて使用さ
れる。
【００１６】そして、光ファイバ１から入力された１．
５５μｍの下りのテレビ信号と１．３μｍの下りデジタ
ル信号は、第１のポートＰ1 からメインコア２３ａを通
り、光フィルタ２５において１．５５μｍの光はここで
反射されてサブコア２３ｂに導かれ、第２のポートＰ2
から出力ファイバに出力される。１．３μｍの下りデジ
タル信号は光フィルタ２５を通過し、第３のポートＰ3
に到り、発光器兼受光器に入力される。この発光器兼受
光器は、１つの光−電気変換型半導体を電気的に切り替
えて発光器および受光器として機能させるようにしたも
ので、第３のポートＰ3 に入った下りデジタル光信号は
ここで受光され、電気信号となる。
５５μｍの下りのテレビ信号と１．３μｍの下りデジタ
ル信号は、第１のポートＰ1 からメインコア２３ａを通
り、光フィルタ２５において１．５５μｍの光はここで
反射されてサブコア２３ｂに導かれ、第２のポートＰ2
から出力ファイバに出力される。１．３μｍの下りデジ
タル信号は光フィルタ２５を通過し、第３のポートＰ3
に到り、発光器兼受光器に入力される。この発光器兼受
光器は、１つの光−電気変換型半導体を電気的に切り替
えて発光器および受光器として機能させるようにしたも
ので、第３のポートＰ3 に入った下りデジタル光信号は
ここで受光され、電気信号となる。
【００１７】一方、上りデジタル信号は、切り換えられ
て発光器として機能する発光器兼受光器に入力され、こ
こで１．３μｍの上りデジタル光信号となって、第３の
ポートＰ3 からメインコア２３ａに入り、光フィルタ２
５を通過して第１のポートＰ1 から光ファイバ１に送出
される。なお、この場合の１．３μｍのデジタル光信号
の伝送はピンポン伝送方式となる。
て発光器として機能する発光器兼受光器に入力され、こ
こで１．３μｍの上りデジタル光信号となって、第３の
ポートＰ3 からメインコア２３ａに入り、光フィルタ２
５を通過して第１のポートＰ1 から光ファイバ１に送出
される。なお、この場合の１．３μｍのデジタル光信号
の伝送はピンポン伝送方式となる。
【００１８】このようなモジュールにあっては、従来の
モジュールに比べてＷＤＭ型カプラおよび方向性１：１
型カプラが不要となり、全体を極めて小型とすることが
でき、信頼性、耐久性が向上し、生産コストも低減でき
る。また、第１のポートＰ1 と第２のポートＰ2 とを基
板２１の同一端面に設けているので、光ファイバへの入
力出力部が基板２１の同一端面になり、多心光ファイバ
コネクタを利用してファイバとモジュールとの接続が可
能となる。また、上りのデジタル光信号の強度が従来の
もののようにモジュール内で１／２になることもない。
モジュールに比べてＷＤＭ型カプラおよび方向性１：１
型カプラが不要となり、全体を極めて小型とすることが
でき、信頼性、耐久性が向上し、生産コストも低減でき
る。また、第１のポートＰ1 と第２のポートＰ2 とを基
板２１の同一端面に設けているので、光ファイバへの入
力出力部が基板２１の同一端面になり、多心光ファイバ
コネクタを利用してファイバとモジュールとの接続が可
能となる。また、上りのデジタル光信号の強度が従来の
もののようにモジュール内で１／２になることもない。
【００１９】図３は、本発明のモジュールの第２の例を
示すものである。この例のものは、メインコア２３ａが
光フィルタ２５よりも第３のポートＰ3 側での分岐点Ｓ
でＹ字形に分岐し、ブランチコア２３ｃが形成されたも
のであって、このブランチコア２３ｃは基板２１の他端
側で第４のポートＰ4 となっている。このものでは、第
３のポートＰ3 に受光器または発光器を、第４のポート
Ｐ4に発光器または受光器を設けることで、先の例のも
のと同様の機能を発揮するが、波長１．３μｍの上りお
よび下りのデジタル信号の伝送はピンポン伝送方式に限
られることはない。
示すものである。この例のものは、メインコア２３ａが
光フィルタ２５よりも第３のポートＰ3 側での分岐点Ｓ
でＹ字形に分岐し、ブランチコア２３ｃが形成されたも
のであって、このブランチコア２３ｃは基板２１の他端
側で第４のポートＰ4 となっている。このものでは、第
３のポートＰ3 に受光器または発光器を、第４のポート
Ｐ4に発光器または受光器を設けることで、先の例のも
のと同様の機能を発揮するが、波長１．３μｍの上りお
よび下りのデジタル信号の伝送はピンポン伝送方式に限
られることはない。
【００２０】図４は、本発明の第３の例を示すもので、
基板２１上に設けられるメインコア２３ａの平面形状を
直線状からなだらかな曲線状に変化させ、これより、光
フィルタ２５を挿入、固定するスリット２６の方向を基
板２１の長手方向と直交する方向に形成できるようにし
たものである。このものでは、図５に示すように１枚の
ウェハー２９に作成された複数のモジュール３０…の光
フィルタ取付用のスリット２６…を基板２１の短手方向
にそって１回のダイシングまたはＲＩＥで形成すること
ができ、生産性が一層向上する。
基板２１上に設けられるメインコア２３ａの平面形状を
直線状からなだらかな曲線状に変化させ、これより、光
フィルタ２５を挿入、固定するスリット２６の方向を基
板２１の長手方向と直交する方向に形成できるようにし
たものである。このものでは、図５に示すように１枚の
ウェハー２９に作成された複数のモジュール３０…の光
フィルタ取付用のスリット２６…を基板２１の短手方向
にそって１回のダイシングまたはＲＩＥで形成すること
ができ、生産性が一層向上する。
【００２１】以下、具体例を示すが、本発明はこれに限
られるものではない。 （実施例）厚さ１ｍｍのシリコンからなる基板２１上に
図１に示す構造の導波路を形成した。アンダークラッド
層２２およびオーバークラッド層２４は石英ガラスから
なり、コア２３は酸化ゲルマニウムドープ石英ガラスか
らなり、コア２３と両クラッド層２２，２４との比屈折
率差は０．３％である。コア２３は幅８μｍ、厚さ８μ
ｍで一定である。第１のポートＰ1 と第２のポートＰ2
とは約２５０μｍ離れており、メインコア２３ａとサブ
コア２３ｂとの合流点Ｊでの合流角度は約２２度とし
た。
られるものではない。 （実施例）厚さ１ｍｍのシリコンからなる基板２１上に
図１に示す構造の導波路を形成した。アンダークラッド
層２２およびオーバークラッド層２４は石英ガラスから
なり、コア２３は酸化ゲルマニウムドープ石英ガラスか
らなり、コア２３と両クラッド層２２，２４との比屈折
率差は０．３％である。コア２３は幅８μｍ、厚さ８μ
ｍで一定である。第１のポートＰ1 と第２のポートＰ2
とは約２５０μｍ離れており、メインコア２３ａとサブ
コア２３ｂとの合流点Ｊでの合流角度は約２２度とし
た。
【００２２】また、光フィルタ２５は、波長１．３１μ
ｍで１００％透過、波長１．５５μｍで１００％反射の
誘電体多層薄膜フィルタであり、厚さ約７０μｍのもの
を使用し、幅約１００μｍのスリット２６に挿入し、光
学用エポキシ系接着剤を用いて、固定した。このように
して作製されたモジュールの各ポート間の各波長におけ
る挿入損失は、表１に示す通りである。
ｍで１００％透過、波長１．５５μｍで１００％反射の
誘電体多層薄膜フィルタであり、厚さ約７０μｍのもの
を使用し、幅約１００μｍのスリット２６に挿入し、光
学用エポキシ系接着剤を用いて、固定した。このように
して作製されたモジュールの各ポート間の各波長におけ
る挿入損失は、表１に示す通りである。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１の結果から、このモジュールは、光ネ
ットワークユニットの光送受信用モジュールとして十分
実用となりうる特性を有していることが明らかである。
ットワークユニットの光送受信用モジュールとして十分
実用となりうる特性を有していることが明らかである。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
部品点数が少なく、小型で、信頼性、耐久性に富む光ネ
ットワークユニットの光送受信用モジュールを得ること
ができる。また、これに製造にあたっても、品質の均一
なものを多量に製造することができ、生産コストを大き
く低減することができ、安価に供給できる。
部品点数が少なく、小型で、信頼性、耐久性に富む光ネ
ットワークユニットの光送受信用モジュールを得ること
ができる。また、これに製造にあたっても、品質の均一
なものを多量に製造することができ、生産コストを大き
く低減することができ、安価に供給できる。
【図１】 本発明のモジュールの第１の例を示す斜視図
である。
である。
【図２】 図１の光フィルタの取付状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】 本発明のモジュールの第２の例を示す平面図
である。
である。
【図４】 本発明のモジュールの第３の例を示す平面図
である。
である。
【図５】 本発明のモジュールの第３の例を製造する際
の工程の一部を示す図である。
の工程の一部を示す図である。
【図６】 光ネットワークユニットの機能を示す図であ
る。
る。
【図７】 従来のモジュールの例を示す構成図である。
１…光ファイバ、２１…基板、２２…アンダークラッド
層、２３ａ…メインコア、２３ｂ…サブコア、２３ｃ…
ブランチコア、２４…オーバクラッド層、２５…フィル
タ、Ｐ1 …第１のポート、Ｐ2 …第２のポート、Ｐ3 …
第３のポート、Ｊ…合流点、Ｓ…分岐点
層、２３ａ…メインコア、２３ｂ…サブコア、２３ｃ…
ブランチコア、２４…オーバクラッド層、２５…フィル
タ、Ｐ1 …第１のポート、Ｐ2 …第２のポート、Ｐ3 …
第３のポート、Ｊ…合流点、Ｓ…分岐点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/14 10/04 10/06
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の波長の下りの光信号と、第２の波
長の上りおよび下りの光信号とを１本の光ファイバによ
って通信する光通信方式に使用される光送受信用モジュ
ールであって、 このモジュールは、コアおよびクラッドが形成された基
板型導波路からなり、 この基板型導波路の１つの側面に上記光ファイバが接続
される第１のポートと、第１の波長の下りの光信号を出
力する第２のポートとが配置され、他の側面に第２の波
長の上りおよび下りの光信号が出入力する第３のポート
が配置され、 第１のポートと第３のポートとはメインコアによって接
続され、メインコアの途中において第２のポートから延
びるサブコアがメインコアに合流し、 このサブコアがメインコアと合流する合流点の第３のポ
ート側のメインコアには、第１のポートからの第１の波
長の下り光信号を反射して第２のポートに送り、かつ第
１のポートからの第２の波長の下りの光信号を透過して
第３のポートに送るとともに第３のポートからの前記第
２の波長の上りの光信号を透過して第１のポートへ送る
光フィルタが設けられていることを特徴とする光送受信
用モジュール。 - 【請求項２】 上記第３のポートが、第２の波長の下り
の光信号を出力する第３のポートと、第２の波長の上り
の光信号を入力する第４のポートとに分離され、メイン
コアが光フィルタの第３のポート側で分岐し、これら第
３および第４のポートにそれぞれ接続されていることを
特徴とする請求項１記載の光送受信用モジュール。 - 【請求項３】 光フィルタが誘電体多層薄膜フィルタで
ある請求項１または２記載の光送受信用モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7059556A JPH08254629A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 光送受信用モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7059556A JPH08254629A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 光送受信用モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08254629A true JPH08254629A (ja) | 1996-10-01 |
Family
ID=13116654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7059556A Pending JPH08254629A (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 光送受信用モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08254629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7313297B2 (en) | 2003-09-12 | 2007-12-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Wavelength multi/demultiplexer |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP7059556A patent/JPH08254629A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7313297B2 (en) | 2003-09-12 | 2007-12-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Wavelength multi/demultiplexer |
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