JPH08201491A - ホール効果装置を有する磁界センサ - Google Patents
ホール効果装置を有する磁界センサInfo
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- JPH08201491A JPH08201491A JP7229395A JP22939595A JPH08201491A JP H08201491 A JPH08201491 A JP H08201491A JP 7229395 A JP7229395 A JP 7229395A JP 22939595 A JP22939595 A JP 22939595A JP H08201491 A JPH08201491 A JP H08201491A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ホール効果装置を使用した高い正
確度を有する磁界センサを提供することを目的とする。 【解決手段】 ホール効果装置1 と、電力供給装置5
と、ホール効果装置1 からのホール信号を供給される評
価装置6 とを備え、評価装置6 は入力増幅器7 と、記憶
素子11と、信号重畳ユニット8 とから構成されており、
第１の位相においてインターフェイス9 に関して測定信
号通路を平衡にするための平衡信号が評価装置6 で生成
されて記憶素子11に記憶され、第２の位相において記憶
素子11に記憶された平衡信号が信号重畳ユニット8 を介
してインターフェイス9 に供給されてホール信号と重畳
されることを特徴とする。
確度を有する磁界センサを提供することを目的とする。 【解決手段】 ホール効果装置1 と、電力供給装置5
と、ホール効果装置1 からのホール信号を供給される評
価装置6 とを備え、評価装置6 は入力増幅器7 と、記憶
素子11と、信号重畳ユニット8 とから構成されており、
第１の位相においてインターフェイス9 に関して測定信
号通路を平衡にするための平衡信号が評価装置6 で生成
されて記憶素子11に記憶され、第２の位相において記憶
素子11に記憶された平衡信号が信号重畳ユニット8 を介
してインターフェイス9 に供給されてホール信号と重畳
されることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホール効果装置
と、電力供給装置と、ホール効果装置からのホール信号
を供給されることができ、入力増幅器、記憶素子、およ
び信号重畳ユニットを有している信号評価装置とを具備
している磁界センサに関する。
と、電力供給装置と、ホール効果装置からのホール信号
を供給されることができ、入力増幅器、記憶素子、およ
び信号重畳ユニットを有している信号評価装置とを具備
している磁界センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】上述のような磁界センサは、EP 0 548 3
91 A1 において開示されている。それはしばしば、ホー
ル効果装置と、電圧供給装置と、評価装置とを具備して
いるモノリシック集積素子として設けられている。その
ような結合された回路は、一般的にバイポーラまたはＭ
ＯＳ処理技術等の通常のシリコン集積回路処理技術の１
つを使用して作られる。そのような磁界センサの正確度
は、第１と第２の測定信号の重畳によってホール効果装
置のオフセット信号成分を補償することによって増加す
る。このホール効果装置のオフセット信号成分は、ホー
ル効果装置の環境、すなわちモノリシック素子の結晶構
造における機械的な応力によって生じる。補償は、第１
の測定信号を決定する期間中に、電力供給装置と評価装
置とに接続された１対の端子が第２の測定信号の決定に
関して逆転されることによって達成される。１対の端子
の逆転によって、以下“端子対の切替え”と呼ばれる電
力供給装置およびホール効果装置の評価端子の切替えが
達成される。ホール効果装置および端子対の幾何学的形
状のために、端子対の切替えの以前と以後の測定信号の
結果的な有効な信号成分は同位相であり、一方、ホール
効果装置の結果的なオフセット信号成分は互いに逆の位
相である。切替えの前後に生成された測定信号を評価装
置において加算することによって、ホール効果装置のオ
フセット信号成分は排除される。この効果をシミュレー
トするために、ホールプレートは、第１近似と、磁界の
存在において平衡を保たれる抵抗ブリッジと考えられ
る。圧電効果によって結晶において生じる抵抗の変化と
リソグラフィーの不正確のためにオフセット信号成分が
生じる。
91 A1 において開示されている。それはしばしば、ホー
ル効果装置と、電圧供給装置と、評価装置とを具備して
いるモノリシック集積素子として設けられている。その
ような結合された回路は、一般的にバイポーラまたはＭ
ＯＳ処理技術等の通常のシリコン集積回路処理技術の１
つを使用して作られる。そのような磁界センサの正確度
は、第１と第２の測定信号の重畳によってホール効果装
置のオフセット信号成分を補償することによって増加す
る。このホール効果装置のオフセット信号成分は、ホー
ル効果装置の環境、すなわちモノリシック素子の結晶構
造における機械的な応力によって生じる。補償は、第１
の測定信号を決定する期間中に、電力供給装置と評価装
置とに接続された１対の端子が第２の測定信号の決定に
関して逆転されることによって達成される。１対の端子
の逆転によって、以下“端子対の切替え”と呼ばれる電
力供給装置およびホール効果装置の評価端子の切替えが
達成される。ホール効果装置および端子対の幾何学的形
状のために、端子対の切替えの以前と以後の測定信号の
結果的な有効な信号成分は同位相であり、一方、ホール
効果装置の結果的なオフセット信号成分は互いに逆の位
相である。切替えの前後に生成された測定信号を評価装
置において加算することによって、ホール効果装置のオ
フセット信号成分は排除される。この効果をシミュレー
トするために、ホールプレートは、第１近似と、磁界の
存在において平衡を保たれる抵抗ブリッジと考えられ
る。圧電効果によって結晶において生じる抵抗の変化と
リソグラフィーの不正確のためにオフセット信号成分が
生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この磁界センサは、評
価装置における後続する電子部品のオフセット信号成分
によってその正確度が減少するという欠点を有してい
る。例えば、ホール効果装置のオフセット信号成分を補
償するために必要である第１と第２の信号の加算を行う
ことによって、入力増幅器のオフセット信号成分は加算
される。
価装置における後続する電子部品のオフセット信号成分
によってその正確度が減少するという欠点を有してい
る。例えば、ホール効果装置のオフセット信号成分を補
償するために必要である第１と第２の信号の加算を行う
ことによって、入力増幅器のオフセット信号成分は加算
される。
【０００４】本発明の目的は、高い正確度を有する磁界
センサを提供することである。
センサを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的は、第１の位相
において、インターフェイスに関して測定信号通路を平
衡に保つための平衡信号が評価装置で生成可能であり、
また、平衡信号が記憶素子において記憶されることがで
き、第２の位相において、記憶素子に記憶された平衡信
号が信号重畳ユニットを介してインターフェイスに供給
でき、そこにおいてそれはホール信号（第２のホール信
号）上に重畳されることができる、上述の種類の磁界セ
ンサを提供することによって達成される。
において、インターフェイスに関して測定信号通路を平
衡に保つための平衡信号が評価装置で生成可能であり、
また、平衡信号が記憶素子において記憶されることがで
き、第２の位相において、記憶素子に記憶された平衡信
号が信号重畳ユニットを介してインターフェイスに供給
でき、そこにおいてそれはホール信号（第２のホール信
号）上に重畳されることができる、上述の種類の磁界セ
ンサを提供することによって達成される。
【０００６】本発明による装置で、評価装置のオフセッ
ト信号成分、特に入力増幅器および重畳ユニットのオフ
セット信号成分は、加算的に消去される。第１の位相に
おいて、評価装置はいわば、オフセットがゼロにされ
る。これによって、磁界センサの測定正確度が向上す
る。
ト信号成分、特に入力増幅器および重畳ユニットのオフ
セット信号成分は、加算的に消去される。第１の位相に
おいて、評価装置はいわば、オフセットがゼロにされ
る。これによって、磁界センサの測定正確度が向上す
る。
【０００７】本発明の好ましい実施例において、第１の
ホール信号は、第１の位相においてインターフェイスに
供給することができ、第２のホール信号は、第１のホー
ル信号を反転することによって生成することができる。
この測定を通して、測定信号の有効な信号成分は２倍に
なり、一方、評価装置のオフセット信号成分は補償され
る。都合のよいことに、ホール信号の反転は、ホール効
果装置の対の端子の切替えによって達成されることがで
きる。その場合において、ホール効果装置は、その抵抗
に関して２つの直交した軸に関して対称的であり、第１
および第２の位相期間中にスイッチング装置を介して電
力供給装置および評価装置に交互に接続できる対応した
２つの対称的な対の端子を有しており、ホール電圧タッ
プの極性は必要であるならば逆転される。従って、ホー
ル効果装置のオフセット成分自体は、評価装置のオフセ
ット成分、特に入力増幅器および重畳ユニットのオフセ
ット成分と同時に消去されることができる。
ホール信号は、第１の位相においてインターフェイスに
供給することができ、第２のホール信号は、第１のホー
ル信号を反転することによって生成することができる。
この測定を通して、測定信号の有効な信号成分は２倍に
なり、一方、評価装置のオフセット信号成分は補償され
る。都合のよいことに、ホール信号の反転は、ホール効
果装置の対の端子の切替えによって達成されることがで
きる。その場合において、ホール効果装置は、その抵抗
に関して２つの直交した軸に関して対称的であり、第１
および第２の位相期間中にスイッチング装置を介して電
力供給装置および評価装置に交互に接続できる対応した
２つの対称的な対の端子を有しており、ホール電圧タッ
プの極性は必要であるならば逆転される。従って、ホー
ル効果装置のオフセット成分自体は、評価装置のオフセ
ット成分、特に入力増幅器および重畳ユニットのオフセ
ット成分と同時に消去されることができる。
【０００８】本発明の別の好ましい実施例において、記
憶素子は少なくとも１つのキャパシタを具備している。
このキャパシタによって、第１の信号は簡単な方法で記
憶されることができる。評価装置は、比較器を出力素子
として具備していることが有利である。この比較器によ
って、出力信号は簡単な方法で基準信号と比較されるこ
とができる。これによって、例えば、設定された磁気ス
イッチ点が超過しているかどうかを明確に決定すること
が可能になる。基準値は単極信号であってもよい。ま
た、それは、評価装置における対称的な配置を通して位
相が１８０°ずれて比較器に与えられる差信号であって
もよい。この方法で動作される対称的な配置は、主要な
外部干渉が評価の期間中に避けられなければならない所
で特に使用される。評価装置は、測定結果をアナログ測
定信号またはデジタルデータワードとして出力するよう
に設計されることもできる。
憶素子は少なくとも１つのキャパシタを具備している。
このキャパシタによって、第１の信号は簡単な方法で記
憶されることができる。評価装置は、比較器を出力素子
として具備していることが有利である。この比較器によ
って、出力信号は簡単な方法で基準信号と比較されるこ
とができる。これによって、例えば、設定された磁気ス
イッチ点が超過しているかどうかを明確に決定すること
が可能になる。基準値は単極信号であってもよい。ま
た、それは、評価装置における対称的な配置を通して位
相が１８０°ずれて比較器に与えられる差信号であって
もよい。この方法で動作される対称的な配置は、主要な
外部干渉が評価の期間中に避けられなければならない所
で特に使用される。評価装置は、測定結果をアナログ測
定信号またはデジタルデータワードとして出力するよう
に設計されることもできる。
【０００９】本発明のさらに別の好ましい実施例におい
て、入力増幅器および重畳ユニットは、第１の相互コン
ダクタンス増幅器と第２の相互コンダクタンス増幅器と
によってそれぞれ構成され、それらは、出力電流がその
共通のノードへ流れてそれらの間で差を形成し、キャパ
シタが重畳ユニットの１つの入力に接続されるように構
成される。この構成によって、第１および第２の位相に
おいてホール効果装置から得られた、ホール効果装置の
ホール電圧およびオフセット電圧を含む測定信号は、相
互コンダクタンス増幅器によって第１の電流信号および
第２の電流信号に変換される。第１の電流信号に応答し
て、電圧は記憶素子に記憶され、第２の相互コンダクタ
ンス増幅器によって電流信号に変換される。第２の相互
コンダクタンス増幅器は第１の相互コンダクタンス増幅
器の電流と反対方向に電流を供給し、第２の位相におい
て、第１の電流信号および第２の電流信号は、ホール効
果装置の有効な信号成分が加算され、ホール効果装置の
オフセット成分、特に第１の相互コンダクタンス増幅器
のオフセット成分が中性化されるように共通のノードに
おいて重畳される。従って、ホール効果装置の有効な信
号成分の値の２倍に相当する電流信号が得られ、それは
オフセット信号成分を有さない。
て、入力増幅器および重畳ユニットは、第１の相互コン
ダクタンス増幅器と第２の相互コンダクタンス増幅器と
によってそれぞれ構成され、それらは、出力電流がその
共通のノードへ流れてそれらの間で差を形成し、キャパ
シタが重畳ユニットの１つの入力に接続されるように構
成される。この構成によって、第１および第２の位相に
おいてホール効果装置から得られた、ホール効果装置の
ホール電圧およびオフセット電圧を含む測定信号は、相
互コンダクタンス増幅器によって第１の電流信号および
第２の電流信号に変換される。第１の電流信号に応答し
て、電圧は記憶素子に記憶され、第２の相互コンダクタ
ンス増幅器によって電流信号に変換される。第２の相互
コンダクタンス増幅器は第１の相互コンダクタンス増幅
器の電流と反対方向に電流を供給し、第２の位相におい
て、第１の電流信号および第２の電流信号は、ホール効
果装置の有効な信号成分が加算され、ホール効果装置の
オフセット成分、特に第１の相互コンダクタンス増幅器
のオフセット成分が中性化されるように共通のノードに
おいて重畳される。従って、ホール効果装置の有効な信
号成分の値の２倍に相当する電流信号が得られ、それは
オフセット信号成分を有さない。
【００１０】スイッチング素子は、入力増幅器の出力と
重畳ユニットの入力との間に設けられると都合がよく、
前記スイッチング素子は第３の位相の期間中は閉じられ
ており、第２の位相の期間中は開いており、第３の位相
は第１の位相以内で終了する。スイッチング素子はスイ
ッチング装置によって切替えられ、それによって、第１
の測定信号は第１の位相において記憶素子に記憶され、
第１および第２の測定信号は第２の位相において重畳さ
れる。過渡電流効果を乱すことを避けるために、スイッ
チング素子は第１の位相の期間中に開閉しなければなら
ない。
重畳ユニットの入力との間に設けられると都合がよく、
前記スイッチング素子は第３の位相の期間中は閉じられ
ており、第２の位相の期間中は開いており、第３の位相
は第１の位相以内で終了する。スイッチング素子はスイ
ッチング装置によって切替えられ、それによって、第１
の測定信号は第１の位相において記憶素子に記憶され、
第１および第２の測定信号は第２の位相において重畳さ
れる。過渡電流効果を乱すことを避けるために、スイッ
チング素子は第１の位相の期間中に開閉しなければなら
ない。
【００１１】第２の相互コンダクタンス増幅器は、第１
の相互コンダクタンス増幅器よりも低い相互コンダクタ
ンスを有していると都合がよい。同じ出力電流を供給す
るために、大きい電圧が第２の相互コンダクタンス増幅
器の入力において必要とされ、この電圧はキャパシタに
おいて記憶される。結果として、第２の相互コンダクタ
ンス増幅器によって与えられた電流信号は、対応して減
少された妨害感受性を有する。従って、第２の相互コン
ダクタンス増幅器または重畳ユニットにおける妨害信号
による磁界を決定するための有効な信号成分のひずみが
減少され、それによって、磁界センサの正確度がさらに
増加する。例えば、第２の相互コンダクタンス増幅器の
相互コンダクタンスは、５０の係数だけ第１の相互コン
ダクタンス増幅器の相互コンダクタンスよりも低くされ
ることができ、それによって、第２の相互コンダクタン
ス増幅器における妨害信号成分は、５０の係数だけ減少
された大きさを有する全般的な信号となり、従って、磁
界センサの正確度を減少することはない。
の相互コンダクタンス増幅器よりも低い相互コンダクタ
ンスを有していると都合がよい。同じ出力電流を供給す
るために、大きい電圧が第２の相互コンダクタンス増幅
器の入力において必要とされ、この電圧はキャパシタに
おいて記憶される。結果として、第２の相互コンダクタ
ンス増幅器によって与えられた電流信号は、対応して減
少された妨害感受性を有する。従って、第２の相互コン
ダクタンス増幅器または重畳ユニットにおける妨害信号
による磁界を決定するための有効な信号成分のひずみが
減少され、それによって、磁界センサの正確度がさらに
増加する。例えば、第２の相互コンダクタンス増幅器の
相互コンダクタンスは、５０の係数だけ第１の相互コン
ダクタンス増幅器の相互コンダクタンスよりも低くされ
ることができ、それによって、第２の相互コンダクタン
ス増幅器における妨害信号成分は、５０の係数だけ減少
された大きさを有する全般的な信号となり、従って、磁
界センサの正確度を減少することはない。
【００１２】そのような妨害信号の効果を減少するため
に、第１の測定信号が増幅された形態で記憶素子によっ
て記憶され、対応して減少された形態で重畳ユニットに
よってそれが出力される。従って、記憶素子および重畳
ユニットによる磁界センサの正確度の減少はまた、相互
コンダクタンス増幅器が入力増幅器および重畳ユニット
において使用されないような本発明による磁界センサの
別の実施例において阻止される。
に、第１の測定信号が増幅された形態で記憶素子によっ
て記憶され、対応して減少された形態で重畳ユニットに
よってそれが出力される。従って、記憶素子および重畳
ユニットによる磁界センサの正確度の減少はまた、相互
コンダクタンス増幅器が入力増幅器および重畳ユニット
において使用されないような本発明による磁界センサの
別の実施例において阻止される。
【００１３】本発明のさらに別の実施例において、評価
装置の出力は、第２の位相の期間中に出力信号を記憶
し、それを伝達するために保持回路に結合されている。
保持回路は典型的にラッチである。評価装置からの信号
は、第２の位相において安定状態に到達するまでラッチ
に伝送されない。これによって、出力信号の影響が状態
の短時間の、および関連ない変化を阻止する。すなわ
ち、信号が変化する際に誤って評価することを防ぐ。
装置の出力は、第２の位相の期間中に出力信号を記憶
し、それを伝達するために保持回路に結合されている。
保持回路は典型的にラッチである。評価装置からの信号
は、第２の位相において安定状態に到達するまでラッチ
に伝送されない。これによって、出力信号の影響が状態
の短時間の、および関連ない変化を阻止する。すなわ
ち、信号が変化する際に誤って評価することを防ぐ。
【００１４】本発明の別の好ましい実施例において、第
２のホール効果装置が設けられており、それは第１のホ
ール効果装置と同一であり、それから横方向に変位さ
れ、第１のホール効果装置と並列に接続されているが、
ホール電圧に関してそれとは反対方向である。結果とし
て、２つのホール効果装置の出力信号は、磁界の差にの
み応答する。従って、測定結果は両方のホール効果装置
において存在している妨害磁界によって影響を受けな
い。それ故に、磁界センサは、外部の、ダイナミック
な、または安定した比較的大きい磁界が不可避である環
境において使用されることができる。電流源は、評価装
置に接続されたそれぞれの対の端子の間に与えられるバ
イアス信号を生成するために設けられる。その後、磁界
は、磁界センサによって検出される所定のしきい値を超
過しなければならない。スイッチング手段は、保持回路
からの信号が出力信号を伝達した際に、その信号に応答
してそれぞれの対の端子に電流からのそれぞれのバイア
ス信号を与えるために保持回路に接続されると都合がよ
い。従って、バイアス電圧は、評価装置からの出力信号
が記録されたときにそれぞれの対の端子を横断して与え
られる。それ故に、磁界センサが変化に応答する前に、
磁界は所定の値によって最初に変化されなければならな
い。それによってヒステリシス曲線が得られ、それは磁
界センサが一定状態を変化させることを防ぎ、安定した
信号状態が生成される。
２のホール効果装置が設けられており、それは第１のホ
ール効果装置と同一であり、それから横方向に変位さ
れ、第１のホール効果装置と並列に接続されているが、
ホール電圧に関してそれとは反対方向である。結果とし
て、２つのホール効果装置の出力信号は、磁界の差にの
み応答する。従って、測定結果は両方のホール効果装置
において存在している妨害磁界によって影響を受けな
い。それ故に、磁界センサは、外部の、ダイナミック
な、または安定した比較的大きい磁界が不可避である環
境において使用されることができる。電流源は、評価装
置に接続されたそれぞれの対の端子の間に与えられるバ
イアス信号を生成するために設けられる。その後、磁界
は、磁界センサによって検出される所定のしきい値を超
過しなければならない。スイッチング手段は、保持回路
からの信号が出力信号を伝達した際に、その信号に応答
してそれぞれの対の端子に電流からのそれぞれのバイア
ス信号を与えるために保持回路に接続されると都合がよ
い。従って、バイアス電圧は、評価装置からの出力信号
が記録されたときにそれぞれの対の端子を横断して与え
られる。それ故に、磁界センサが変化に応答する前に、
磁界は所定の値によって最初に変化されなければならな
い。それによってヒステリシス曲線が得られ、それは磁
界センサが一定状態を変化させることを防ぎ、安定した
信号状態が生成される。
【００１５】本発明のさらに別の実施例において、ホー
ル効果装置の温度に依存して信号を出力するための電流
源の補正信号出力は、電力供給装置の制御入力に接続さ
れている。この装置で、ホール効果装置の感度の温度依
存による測定エラーは回避することができる。電力供給
装置からホール効果装置へ与えられた信号は、ホール感
度の温度依存を補償するように電流源によって変化され
なければならない。電流源は、ホール効果装置と等価の
基準抵抗を含んでいると都合がよい。磁界センサがモノ
リシック素子である場合、ホール効果装置と等価の基準
抵抗は、ホール効果装置と同じように温度および処理変
数のために生じる変化を受ける。従って、電流源の補正
信号は、基準抵抗における変化に従って変化することが
でき、この補正信号は電力供給装置の制御入力に与えら
れるので、ホール効果装置のそれぞれの対の端子間に与
えられる信号はそれに応じて変化されることができる。
これによって、温度および処理変数のために生じる磁界
センサの測定エラーを確実に補正することが可能にな
る。
ル効果装置の温度に依存して信号を出力するための電流
源の補正信号出力は、電力供給装置の制御入力に接続さ
れている。この装置で、ホール効果装置の感度の温度依
存による測定エラーは回避することができる。電力供給
装置からホール効果装置へ与えられた信号は、ホール感
度の温度依存を補償するように電流源によって変化され
なければならない。電流源は、ホール効果装置と等価の
基準抵抗を含んでいると都合がよい。磁界センサがモノ
リシック素子である場合、ホール効果装置と等価の基準
抵抗は、ホール効果装置と同じように温度および処理変
数のために生じる変化を受ける。従って、電流源の補正
信号は、基準抵抗における変化に従って変化することが
でき、この補正信号は電力供給装置の制御入力に与えら
れるので、ホール効果装置のそれぞれの対の端子間に与
えられる信号はそれに応じて変化されることができる。
これによって、温度および処理変数のために生じる磁界
センサの測定エラーを確実に補正することが可能にな
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１において、本発明による磁界
センサの一実施例のブロック図が示されている。磁界セ
ンサは、２対の端子2,3 を有するホール効果装置1 を具
備している。対の端子2,3 は、電力供給装置5 および評
価装置6 に交互に接続されることができる。この実施例
において、電力供給装置5 は電圧源である。評価装置6
は、第１の相互コンダクタンス増幅器7 および第２の相
互コンダクタンス増幅器8 を具備している。相互コンダ
クタンス増幅器7,8 は、それらの共通のノード9,10への
出力電流がそれらの間で差を形成するように配置され
る。相互コンダクタンス増幅器は、相補的な入力および
出力を有している。この構成は、プッシュ・プルまたは
差動モードにおいて動作される評価装置6 の対称的な配
置を得るためにここにおいて選択される。対称的である
ことによって、例えば、外部信号等によって生じる任意
の干渉を排除することができる。第２の相互コンダクタ
ンス増幅器8の各入力には、キャパシタ11,11'が接続さ
れている。第１の相互コンダクタンス増幅器7 の各出力
と、評価装置6 の同一の対称的な側に位置した第２の相
互コンダクタンス増幅器8 のそれぞれの入力との間にお
いて、それぞれスイッチング素子12,12'が設けられてい
る。スイッチング素子12,12'は、スイッチング装置20に
よって切替えられることができる。評価装置6 の出力
は、ノード9 および10の間で測定される電圧Ｕを評価す
る比較器13によって形成される。比較器13の出力は、ラ
ッチによって構成されている保持回路14に接続される。
バイアス信号を発生する電流源15は、評価装置6 に接続
されているそれぞれの対の端子2,3 に接続されている。
スイッチング手段16は、保持回路14に接続されている。
スイッチング手段16を介して、電流源15から入来するバ
イアス信号は、保持回路14からの信号に応答して対の端
子2,3 の間に与えられる。電流源15の補正信号出力17
は、電圧源5 の制御入力18に結合されている。
センサの一実施例のブロック図が示されている。磁界セ
ンサは、２対の端子2,3 を有するホール効果装置1 を具
備している。対の端子2,3 は、電力供給装置5 および評
価装置6 に交互に接続されることができる。この実施例
において、電力供給装置5 は電圧源である。評価装置6
は、第１の相互コンダクタンス増幅器7 および第２の相
互コンダクタンス増幅器8 を具備している。相互コンダ
クタンス増幅器7,8 は、それらの共通のノード9,10への
出力電流がそれらの間で差を形成するように配置され
る。相互コンダクタンス増幅器は、相補的な入力および
出力を有している。この構成は、プッシュ・プルまたは
差動モードにおいて動作される評価装置6 の対称的な配
置を得るためにここにおいて選択される。対称的である
ことによって、例えば、外部信号等によって生じる任意
の干渉を排除することができる。第２の相互コンダクタ
ンス増幅器8の各入力には、キャパシタ11,11'が接続さ
れている。第１の相互コンダクタンス増幅器7 の各出力
と、評価装置6 の同一の対称的な側に位置した第２の相
互コンダクタンス増幅器8 のそれぞれの入力との間にお
いて、それぞれスイッチング素子12,12'が設けられてい
る。スイッチング素子12,12'は、スイッチング装置20に
よって切替えられることができる。評価装置6 の出力
は、ノード9 および10の間で測定される電圧Ｕを評価す
る比較器13によって形成される。比較器13の出力は、ラ
ッチによって構成されている保持回路14に接続される。
バイアス信号を発生する電流源15は、評価装置6 に接続
されているそれぞれの対の端子2,3 に接続されている。
スイッチング手段16は、保持回路14に接続されている。
スイッチング手段16を介して、電流源15から入来するバ
イアス信号は、保持回路14からの信号に応答して対の端
子2,3 の間に与えられる。電流源15の補正信号出力17
は、電圧源5 の制御入力18に結合されている。
【００１７】本発明による磁界センサの動作は以下の通
りである。スイッチングユニット4を介して、ホール効
果装置1 の対の端子2,3 は、第１の位相P1および第２の
位相P2の期間中に電圧源5 および評価装置6 に交互に接
続される。例えば、第１の位相P1の期間中に、対の端子
2 は電圧源5 に接続され、対の端子3 は評価装置6 に接
続される。その後、第２の位相P2において、ホール効果
装置の対の端子3 はスイッチング装置4 を介して電圧源
5 に接続され、対の端子2 は評価装置6 に接続される。
第１の位相P1に対するスイッチングのためのクロック信
号S1は、図２の（ａ）に示されており、第２の位相P2に
対するスイッチングのためのクロック信号S2は、図２の
（ｂ）に示されている。第１の位相P1において、スイッ
チング素子12,12'は閉じられている。スイッチング素子
12,12'を閉じるクロック信号S3は、図２の（ｃ）に示さ
れている。第１の位相P1において評価装置6 に到着する
第１の測定信号は、第１の有効な信号成分と、ホール効
果装置1 の第１のオフセット信号成分とを含んでいる。
この測定信号は、第１の相互コンダクタンス増幅器7 に
おける対応する電流信号に変換される。第１の相互コン
ダクタンス増幅器7の２つの異なる入力は、同じ大きさ
の互いに逆方向の信号を生成する。これらの第１の測定
信号は、位相P3の期間中に閉じられたスイッチ12,12'を
通してキャパシタ11,11'を充電する。これに必要なクロ
ック信号S3は、図２の（ｃ）に示されている。キャパシ
タ11,11'の充電時間が第２の位相P2内に存在するように
選択され、それによって、第２の位相の安定状態が確実
にされる。第２の相互コンダクタンス増幅器8 は、第１
の相互コンダクタンス増幅器7 の電流と反対方向に導か
れる電流を供給する。これらの２つの反対方向の電流
は、ノード9,10において重畳されて合計がゼロの電流を
与える。その理由は、それらは大きさにおいて等しいか
らである。ノードにおける結果的な異なる電流に関し
て、平衡化動作はまた、“ゼロ点調整”と呼ばれる。そ
の理由は、自動調整は、異なる電流の大きさおよび方向
を制御された変数として評価し、異なる電流がゼロにな
るまでキャパシタ11,11'の電圧を変化させるからであ
る。
りである。スイッチングユニット4を介して、ホール効
果装置1 の対の端子2,3 は、第１の位相P1および第２の
位相P2の期間中に電圧源5 および評価装置6 に交互に接
続される。例えば、第１の位相P1の期間中に、対の端子
2 は電圧源5 に接続され、対の端子3 は評価装置6 に接
続される。その後、第２の位相P2において、ホール効果
装置の対の端子3 はスイッチング装置4 を介して電圧源
5 に接続され、対の端子2 は評価装置6 に接続される。
第１の位相P1に対するスイッチングのためのクロック信
号S1は、図２の（ａ）に示されており、第２の位相P2に
対するスイッチングのためのクロック信号S2は、図２の
（ｂ）に示されている。第１の位相P1において、スイッ
チング素子12,12'は閉じられている。スイッチング素子
12,12'を閉じるクロック信号S3は、図２の（ｃ）に示さ
れている。第１の位相P1において評価装置6 に到着する
第１の測定信号は、第１の有効な信号成分と、ホール効
果装置1 の第１のオフセット信号成分とを含んでいる。
この測定信号は、第１の相互コンダクタンス増幅器7 に
おける対応する電流信号に変換される。第１の相互コン
ダクタンス増幅器7の２つの異なる入力は、同じ大きさ
の互いに逆方向の信号を生成する。これらの第１の測定
信号は、位相P3の期間中に閉じられたスイッチ12,12'を
通してキャパシタ11,11'を充電する。これに必要なクロ
ック信号S3は、図２の（ｃ）に示されている。キャパシ
タ11,11'の充電時間が第２の位相P2内に存在するように
選択され、それによって、第２の位相の安定状態が確実
にされる。第２の相互コンダクタンス増幅器8 は、第１
の相互コンダクタンス増幅器7 の電流と反対方向に導か
れる電流を供給する。これらの２つの反対方向の電流
は、ノード9,10において重畳されて合計がゼロの電流を
与える。その理由は、それらは大きさにおいて等しいか
らである。ノードにおける結果的な異なる電流に関し
て、平衡化動作はまた、“ゼロ点調整”と呼ばれる。そ
の理由は、自動調整は、異なる電流の大きさおよび方向
を制御された変数として評価し、異なる電流がゼロにな
るまでキャパシタ11,11'の電圧を変化させるからであ
る。
【００１８】第２の位相P2において、第２の測定信号
は、スイッチング装置4 を介して評価装置6 に与えられ
る。この位相P2においてホール効果装置1 の対の端子2,
3 は第１の位相P1から反転されるので、第２の測定信号
は、第１の有効な電圧成分と逆位相の第２の大きさの等
しい有効な電圧成分と、ホール効果装置の第１のオフセ
ット信号と同位相で大きさが等しいホール効果装置の第
２のオフセット信号成分とを含んでいる。第２の測定信
号が第１の相互コンダクタンス増幅器7 を通過すると
き、相互コンダクタンス増幅器7 および重畳ユニット8
の第２のオフセット信号成分はその上で重畳され、この
第２のオフセット信号成分は、第１の測定信号上に重畳
された第１の相互コンダクタンス増幅器7 および重畳ユ
ニット8 の第１のオフセット信号成分と同位相になる。
スイッチング素子12,12'は第２の位相P2（図２のｃ参
照）の期間中に開いているので、キャパシタ11,11'にお
いて記憶された第１の測定信号の電圧は依然として第２
の相互コンダクタンス増幅器8 において与えられる。従
って、第２の相互コンダクタンス増幅器8 からノード9,
10への電流は第１の測定信号によって決定され、一方、
第１の相互コンダクタンス増幅器7 によって供給された
電流は第２の測定信号によって決定される。第１および
第２の位相P1,P2 において、ノード9,10の間の異なる電
圧Ｕは、有効な信号成分を同位相成分として含み、入力
増幅器のオフセット信号成分と同様にホール効果装置の
オフセット信号成分を含み、重畳ユニットを逆位相成分
として含んでいるので、オフセット信号成分は信号Ｕ全
体の平均を出し、一方、位相P1およびP2の有効な信号成
分を一緒に加算する。従って、比較器13において検出さ
れた電圧は、有効な信号成分の２倍に相当する。この測
定方法に対する必要条件は、第２の測定信号が変化しな
い磁界の存在において測定され、それによって、有効な
信号成分の大きさを等しくするということである。
は、スイッチング装置4 を介して評価装置6 に与えられ
る。この位相P2においてホール効果装置1 の対の端子2,
3 は第１の位相P1から反転されるので、第２の測定信号
は、第１の有効な電圧成分と逆位相の第２の大きさの等
しい有効な電圧成分と、ホール効果装置の第１のオフセ
ット信号と同位相で大きさが等しいホール効果装置の第
２のオフセット信号成分とを含んでいる。第２の測定信
号が第１の相互コンダクタンス増幅器7 を通過すると
き、相互コンダクタンス増幅器7 および重畳ユニット8
の第２のオフセット信号成分はその上で重畳され、この
第２のオフセット信号成分は、第１の測定信号上に重畳
された第１の相互コンダクタンス増幅器7 および重畳ユ
ニット8 の第１のオフセット信号成分と同位相になる。
スイッチング素子12,12'は第２の位相P2（図２のｃ参
照）の期間中に開いているので、キャパシタ11,11'にお
いて記憶された第１の測定信号の電圧は依然として第２
の相互コンダクタンス増幅器8 において与えられる。従
って、第２の相互コンダクタンス増幅器8 からノード9,
10への電流は第１の測定信号によって決定され、一方、
第１の相互コンダクタンス増幅器7 によって供給された
電流は第２の測定信号によって決定される。第１および
第２の位相P1,P2 において、ノード9,10の間の異なる電
圧Ｕは、有効な信号成分を同位相成分として含み、入力
増幅器のオフセット信号成分と同様にホール効果装置の
オフセット信号成分を含み、重畳ユニットを逆位相成分
として含んでいるので、オフセット信号成分は信号Ｕ全
体の平均を出し、一方、位相P1およびP2の有効な信号成
分を一緒に加算する。従って、比較器13において検出さ
れた電圧は、有効な信号成分の２倍に相当する。この測
定方法に対する必要条件は、第２の測定信号が変化しな
い磁界の存在において測定され、それによって、有効な
信号成分の大きさを等しくするということである。
【００１９】本明細書において説明されている２つの対
称的なブランチがプッシュ・プルにおいて横断している
評価装置6 の対称的な設計は、頻繁に起こる干渉を排除
する。本発明による回路は、それぞれの相互コンダクタ
ンス増幅器7,8 が１つの電流出力を有し、１つのキャパ
シタ11と、１つのスイッチ12と、基準入力を有する比較
器13のみが使用されるただ１つのブランチで一度に動作
されることができる。
称的なブランチがプッシュ・プルにおいて横断している
評価装置6 の対称的な設計は、頻繁に起こる干渉を排除
する。本発明による回路は、それぞれの相互コンダクタ
ンス増幅器7,8 が１つの電流出力を有し、１つのキャパ
シタ11と、１つのスイッチ12と、基準入力を有する比較
器13のみが使用されるただ１つのブランチで一度に動作
されることができる。
【００２０】相互コンダクタンス増幅器7,8 は、第２の
相互コンダクタンス増幅器8 が第１の相互コンダクタン
ス増幅器7 よりも明らかに低い相互コンダクタンスを有
するように選択される。これは、それぞれのトランジス
タのｗ／ｌ比を適切に選択することによって達成される
ことができる。相互コンダクタンス増幅器7,8 の相互コ
ンダクタンスの典型的な比率は５０の係数である。その
場合において、干渉に対する測定信号補償の感受性は減
少される。
相互コンダクタンス増幅器8 が第１の相互コンダクタン
ス増幅器7 よりも明らかに低い相互コンダクタンスを有
するように選択される。これは、それぞれのトランジス
タのｗ／ｌ比を適切に選択することによって達成される
ことができる。相互コンダクタンス増幅器7,8 の相互コ
ンダクタンスの典型的な比率は５０の係数である。その
場合において、干渉に対する測定信号補償の感受性は減
少される。
【００２１】ホール効果装置1 が磁界を感知した時に、
比較器13に与えられた信号は変化する。この信号は、第
４の位相P4（図２のｄ参照）において受取られる。第２
の位相の信号は、ラッチに相当する保持回路14へ送られ
る。保持回路14は、信号を記憶し、それを出力A に伝送
する。信号の記憶および伝送は、図２の（ｄ）において
示されているクロック信号S4によって制御される。信号
が記憶される時間は、位相2 の中間の範囲内に存在する
所定の値を有していなければならない。これによって、
安定状態は第２の位相、すなわち評価位相において既に
到達され、それによって、短時間の変化というよりもむ
しろ実際の信号が存在することを確実にする。
比較器13に与えられた信号は変化する。この信号は、第
４の位相P4（図２のｄ参照）において受取られる。第２
の位相の信号は、ラッチに相当する保持回路14へ送られ
る。保持回路14は、信号を記憶し、それを出力A に伝送
する。信号の記憶および伝送は、図２の（ｄ）において
示されているクロック信号S4によって制御される。信号
が記憶される時間は、位相2 の中間の範囲内に存在する
所定の値を有していなければならない。これによって、
安定状態は第２の位相、すなわち評価位相において既に
到達され、それによって、短時間の変化というよりもむ
しろ実際の信号が存在することを確実にする。
【００２２】電流源15は、ヒステリシスを生成するのに
役立つ。それは、それぞれの瞬間に評価装置6 に接続さ
れた対の端子2,3 の間に与えられるバイアス信号を供給
する。このバイアス信号によって、磁界が予め定められ
たしきい値を超過した場合だけホール効果装置1 によっ
て感知された磁界が記録される。電流源15は、スイッチ
ング手段16を介して対の端子2 または3 に接続される。
スイッチング手段16は、信号が出力信号を伝達したとき
に保持回路14によって出力されたその信号によって切替
えられる。結果的に、対の端子における磁界のしきい値
は、保持回路14からの出力信号が正確に検出されると直
ぐに別の値をとる。これによって、評価回路が小さい磁
界の変化のために往復的に切替えられることを防ぐ。
役立つ。それは、それぞれの瞬間に評価装置6 に接続さ
れた対の端子2,3 の間に与えられるバイアス信号を供給
する。このバイアス信号によって、磁界が予め定められ
たしきい値を超過した場合だけホール効果装置1 によっ
て感知された磁界が記録される。電流源15は、スイッチ
ング手段16を介して対の端子2 または3 に接続される。
スイッチング手段16は、信号が出力信号を伝達したとき
に保持回路14によって出力されたその信号によって切替
えられる。結果的に、対の端子における磁界のしきい値
は、保持回路14からの出力信号が正確に検出されると直
ぐに別の値をとる。これによって、評価回路が小さい磁
界の変化のために往復的に切替えられることを防ぐ。
【００２３】ホール電圧を歪ませ、従って、測定された
磁界の値を誤ったものにするような、ホール効果装置1
の温度依存性および処理技術依存性によるエラーを避け
るために、電流源15の補正信号出力17は、電力供給装置
5 の制御入力18に結合される。電流源15は、ホール効果
装置1 と同じ材料で作られた、同じ温度依存性および面
積比抵抗を有している基準抵抗器を含んでいる。基準抵
抗器の値における変化によって、補正出力における信号
が変化する。
磁界の値を誤ったものにするような、ホール効果装置1
の温度依存性および処理技術依存性によるエラーを避け
るために、電流源15の補正信号出力17は、電力供給装置
5 の制御入力18に結合される。電流源15は、ホール効果
装置1 と同じ材料で作られた、同じ温度依存性および面
積比抵抗を有している基準抵抗器を含んでいる。基準抵
抗器の値における変化によって、補正出力における信号
が変化する。
【００２４】図１において、磁界センサは１つのホール
効果装置1 として図示されている。しかしながら、本発
明の別の実施例において、第２の横方向に配置されたホ
ール効果装置は、第１のホール効果装置とは反対方向に
並列して接続される。その後、第２のホール効果装置
は、第１のホール効果装置と幾何学的形状が同一である
か、または同じ抵抗を有していなければならない。従っ
て、２つのホール効果装置は、自動車におけるスタータ
または発電機によって生じる磁界干渉等の遠隔磁界に同
じ様に対応し、それによって、そのような磁界に対する
応答を避けることができる。例えば、ホール効果装置を
通って磁石を動かすことによって生じる近接磁界は、２
つのホール効果装置の差動配置のために遠隔磁界成分を
重畳させることなしに検出される。これは、ＤＣ磁界お
よび交番磁界の両方に関連する。
効果装置1 として図示されている。しかしながら、本発
明の別の実施例において、第２の横方向に配置されたホ
ール効果装置は、第１のホール効果装置とは反対方向に
並列して接続される。その後、第２のホール効果装置
は、第１のホール効果装置と幾何学的形状が同一である
か、または同じ抵抗を有していなければならない。従っ
て、２つのホール効果装置は、自動車におけるスタータ
または発電機によって生じる磁界干渉等の遠隔磁界に同
じ様に対応し、それによって、そのような磁界に対する
応答を避けることができる。例えば、ホール効果装置を
通って磁石を動かすことによって生じる近接磁界は、２
つのホール効果装置の差動配置のために遠隔磁界成分を
重畳させることなしに検出される。これは、ＤＣ磁界お
よび交番磁界の両方に関連する。
【００２５】本発明は、添付された図面に関連してより
詳細に説明される。
詳細に説明される。
【図１】本発明の一実施例の概略図。
【図２】第１の位相に対するクロック信号波形（ａ）
と、第２の位相に対するクロック信号波形（ｂ）と、記
憶素子に第１の信号を記憶するためのクロック信号波形
（ｃ）と、ホール効果装置の対の端子の間にバイアス信
号を与えるためのクロック信号波形（ｄ）の波形図。
と、第２の位相に対するクロック信号波形（ｂ）と、記
憶素子に第１の信号を記憶するためのクロック信号波形
（ｃ）と、ホール効果装置の対の端子の間にバイアス信
号を与えるためのクロック信号波形（ｄ）の波形図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウルリッヒ・テウス ドイツ連邦共和国、デー − 79194 グ ンデルフィンゲン、ショーンベルクシュト ラーセ ５ベー (72)発明者 マリオ・モッツ ドイツ連邦共和国、デー − 79346 エ ンディンゲン、アインジーデルンシュトラ ーセ ６
Claims (16)
- 【請求項１】 ホール効果装置と、電力供給装置と、ホ
ール効果装置からのホール信号を供給されることがで
き、入力増幅器、記憶素子、および信号重畳ユニットを
具備している評価装置とを具備している磁界センサにお
いて、 第１の位相において、インターフェイスに関して測定信
号通路を平衡にするための平衡信号が評価装置で生成さ
れることができ、また、平衡信号が記憶素子において記
憶されることができ、第２の位相において、記憶素子に
おいて記憶された平衡信号が信号重畳ユニットを介して
インターフェイスに供給されてホール信号と重畳される
ことができることを特徴とする磁界センサ。 - 【請求項２】 第１の位相において、第１のホール信号
はインターフェイスに供給することができ、第２のホー
ル信号は第１のホール信号を反転することによって生成
できることを特徴とする請求項１記載の磁界センサ。 - 【請求項３】 ホール信号の反転は、ホール効果装置の
対の端子の切替えによって達成されることを特徴とする
請求項１または２記載の磁界センサ。 - 【請求項４】 記憶素子は、少なくとも１つのキャパシ
タを具備していることを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか１項記載の磁界センサ。 - 【請求項５】 評価装置は、比較器を出力素子として具
備している請求項１乃至４のいずれか１項記載の磁界セ
ンサ。 - 【請求項６】 入力増幅器および重畳ユニットはそれぞ
れ第１の相互コンダクタンス増幅器および第２の相互コ
ンダクタンス増幅器から構成され、それらの間の差を形
成するようにそれらの出力電流は共通のノードへ流れる
ように構成され、キャパシタが重畳ユニットの１つの入
力に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５の
いずれか１項記載の磁界センサ。 - 【請求項７】 入力増幅器の出力と重畳ユニットの入力
との間には、第３の期間中には閉じており、第２の位相
の期間中には開いているスイッチング素子が設けられて
おり、第３の位相は、第１の位相以内で終了することを
特徴とする請求項６記載の磁界センサ。 - 【請求項８】 第２の相互コンダクタンス増幅器は、第
１の相互コンダクタンス増幅器よりも低い相互コンダク
タンスを有していることを特徴とする請求項６または７
記載の磁界センサ。 - 【請求項９】 評価装置の出力は、第２の位相の期間中
出力信号を保持し、それを出力するための保持回路に結
合されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれ
か１項記載の磁界センサ。 - 【請求項１０】 第１のホール効果装置と同一であり、
その第１のホール効果装置から横方向に移動され、ホー
ル電圧に関して第１のホール効果装置と反対方向に並列
に接続されている第２のホール効果装置が設けられてい
ることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載
の磁界センサ。 - 【請求項１１】 電流源は、評価装置に接続されたそれ
ぞれの対の端子の間に与えられるバイアス信号を発生す
るために設けられることを特徴とする請求項１乃至１０
のいずれか１項記載の磁界センサ。 - 【請求項１２】 保持回路に接続されたスイッチング手
段が設けられており、保持回路からの信号が出力信号を
伝達したときに、保持回路からの信号に応答して電流源
からの各バイアス信号がそのスイッチング手段を介して
それぞれの対の端子に与えられることを特徴とする請求
項１１記載の磁界センサ。 - 【請求項１３】 ホール効果装置の温度に依存して信号
を発する電流源の補正信号出力は、電力供給装置の制御
入力に接続されていることを特徴とする請求項１１また
は１２記載の磁界センサ。 - 【請求項１４】 電流源は、ホール効果装置に等価な基
準抵抗を含んでいることを特徴とする請求項１３記載の
磁界センサ。 - 【請求項１５】 第１の位相期間中に第１の測定信号を
記憶し、第２の位相期間中に第２の測定信号上に第１の
測定信号を重畳するステップを具備し、それによって、
有効な信号成分は同位相で重畳され、ホール効果装置の
オフセット信号成分および入力増幅器は逆位相で重畳さ
れることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項
記載の磁界センサの動作方法。 - 【請求項１６】 第１の測定信号は所定の係数で増幅さ
れた後に記憶され、同じ係数で減少された後に第２の信
号に重畳されることを特徴とする請求項１５記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4431703A DE4431703C2 (de) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | Magnetfeldsensor mit Hallelement |
| DE4431703.4 | 1994-09-06 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006010059A Division JP2006133240A (ja) | 1994-09-06 | 2006-01-18 | ホール効果装置を有する磁界センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201491A true JPH08201491A (ja) | 1996-08-09 |
| JP4047400B2 JP4047400B2 (ja) | 2008-02-13 |
Family
ID=6527537
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22939595A Expired - Fee Related JP4047400B2 (ja) | 1994-09-06 | 1995-09-06 | ホール効果装置を有する磁界センサ |
| JP2006010059A Withdrawn JP2006133240A (ja) | 1994-09-06 | 2006-01-18 | ホール効果装置を有する磁界センサ |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006010059A Withdrawn JP2006133240A (ja) | 1994-09-06 | 2006-01-18 | ホール効果装置を有する磁界センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5604433A (ja) |
| EP (1) | EP0701141B1 (ja) |
| JP (2) | JP4047400B2 (ja) |
| DE (2) | DE4431703C2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323469A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-11-08 | Leco Corp | 熱伝導度セルのための制御回路 |
| US6727684B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic field sensor |
| US6777932B2 (en) | 2000-03-23 | 2004-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic field sensor |
| JP2005274491A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Toko Inc | センサ回路 |
| US7659716B2 (en) | 2006-07-26 | 2010-02-09 | Rohm Co., Ltd. | Sensor circuit, semiconductor device, and electronic apparatus |
| US7701208B2 (en) | 2005-02-08 | 2010-04-20 | Rohm Co., Ltd. | Magnetic sensor circuit and portable terminal provided with such magnetic sensor circuit |
| US8502526B2 (en) | 2007-06-22 | 2013-08-06 | Rohm Co., Ltd. | Magnetic sensor circuit and electronic apparatus using same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621319A (en) * | 1995-12-08 | 1997-04-15 | Allegro Microsystems, Inc. | Chopped hall sensor with synchronously chopped sample-and-hold circuit |
| US5831513A (en) * | 1997-02-04 | 1998-11-03 | United Microelectronics Corp. | Magnetic field sensing device |
| US6154027A (en) * | 1997-10-20 | 2000-11-28 | Analog Devices, Inc. | Monolithic magnetic sensor having externally adjustable temperature compensation |
| DE19858868C2 (de) | 1998-12-19 | 2003-06-18 | Micronas Gmbh | Hallsensor |
| DE19951045B4 (de) * | 1999-10-22 | 2005-03-17 | Micronas Gmbh | Magnetfeldsensor mit Kettenleiterfilter |
| JP2001165963A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Sanken Electric Co Ltd | ホール素子を備えた電流検出装置 |
| JP4164615B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2008-10-15 | サンケン電気株式会社 | ホ−ル素子を備えた電流検出装置 |
| US6925328B2 (en) | 2000-04-20 | 2005-08-02 | Biophan Technologies, Inc. | MRI-compatible implantable device |
| US8527046B2 (en) | 2000-04-20 | 2013-09-03 | Medtronic, Inc. | MRI-compatible implantable device |
| DE10032530C2 (de) | 2000-07-05 | 2002-10-24 | Infineon Technologies Ag | Verstärkerschaltung mit Offsetkompensation |
| DE10062292A1 (de) * | 2000-12-14 | 2002-03-07 | Infineon Technologies Ag | Meßanordnung, insbesondere zur Erfassung von Magnetfeldern |
| US6829509B1 (en) | 2001-02-20 | 2004-12-07 | Biophan Technologies, Inc. | Electromagnetic interference immune tissue invasive system |
| US20020116029A1 (en) * | 2001-02-20 | 2002-08-22 | Victor Miller | MRI-compatible pacemaker with power carrying photonic catheter and isolated pulse generating electronics providing VOO functionality |
| DE10117382B4 (de) | 2001-04-06 | 2006-04-06 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung und Sensorvorrichtung |
| DE10117384B4 (de) * | 2001-04-06 | 2004-10-07 | Infineon Technologies Ag | Sensorvorrichtung |
| US6731979B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-05-04 | Biophan Technologies Inc. | Pulse width cardiac pacing apparatus |
| US7054686B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-05-30 | Biophan Technologies, Inc. | Pulsewidth electrical stimulation |
| AU2002360326A1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-12 | Biophan Technologies, Inc. | Hermetic component housing for photonic catheter |
| US6968236B2 (en) | 2002-01-28 | 2005-11-22 | Biophan Technologies, Inc. | Ceramic cardiac electrodes |
| DE10204427B4 (de) * | 2002-02-04 | 2007-02-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Kompensation dynamischer Fehlersignale eines Chopped-Hall-Sensors |
| US6879145B1 (en) | 2002-02-15 | 2005-04-12 | Larry L. Harris | Voltage isolation buffer with hall effect magnetic field sensor |
| US6711440B2 (en) | 2002-04-11 | 2004-03-23 | Biophan Technologies, Inc. | MRI-compatible medical device with passive generation of optical sensing signals |
| US6725092B2 (en) | 2002-04-25 | 2004-04-20 | Biophan Technologies, Inc. | Electromagnetic radiation immune medical assist device adapter |
| US6925322B2 (en) * | 2002-07-25 | 2005-08-02 | Biophan Technologies, Inc. | Optical MRI catheter system |
| CN100443913C (zh) * | 2002-11-13 | 2008-12-17 | 松下电器产业株式会社 | 磁场传感器和磁场检测装置及磁场检测方法 |
| DE102004010613B4 (de) | 2004-03-02 | 2015-04-02 | Austriamicrosystems Ag | Magnetfeldsensor und Verfahren zu seinem Betrieb |
| DE102004010362B4 (de) | 2004-03-03 | 2010-11-25 | Austriamicrosystems Ag | Sensor, insbesondere Magnetfeldsensor, mit Störsignal-Kompensation und Verfahren zur Störsignal-Kompensation eines Sensors |
| EP1875157A4 (en) * | 2005-01-18 | 2010-06-23 | Teleflex Inc | RETROGRADATION MECHANISM FOR A PEDAL AND MECHANISM FOR FIXING A PEDAL |
| US7663442B2 (en) * | 2005-03-28 | 2010-02-16 | Intel Corporation | Data receiver including a transconductance amplifier |
| JP4628987B2 (ja) * | 2006-04-10 | 2011-02-09 | 矢崎総業株式会社 | 温度検出機能付き電流センサ |
| GB0620307D0 (en) * | 2006-10-16 | 2006-11-22 | Ami Semiconductor Belgium Bvba | Auto-calibration of magnetic sensor |
| JP2008309626A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 感磁出力ｉｃ |
| US8154281B2 (en) | 2008-04-17 | 2012-04-10 | Infineon Technologies Ag | Sensor system wherein spinning phases of the spinning current hall sensor are lengthened in residual offset adjustment |
| DE202008017405U1 (de) * | 2008-05-27 | 2009-09-03 | Ooo "Innovacionniy Dom "Radiofizika" | Magnetometer mit einem Vierkontakt-Hall-Geber |
| US7710298B2 (en) * | 2008-07-01 | 2010-05-04 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit with auto-zeroing comparator stages that provide a continuous-time signal |
| GB0814620D0 (en) * | 2008-08-12 | 2008-09-17 | Rolls Royce Plc | An electromechanical arrangement |
| US8093890B2 (en) * | 2008-10-30 | 2012-01-10 | GM Global Technology Operations LLC | Hall-effect switch circuit allowing low voltage operation |
| CN101782634B (zh) * | 2010-02-23 | 2013-07-10 | 南京大学 | 一种片上一体化微型集成磁传感器 |
| JP5411818B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2014-02-12 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置 |
| CN102340299B (zh) * | 2011-04-27 | 2013-11-13 | 灿瑞半导体(上海)有限公司 | 基于cmos工艺的霍尔开关失调电压消除方法及其电路 |
| DE102011102483A1 (de) | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Austriamicrosystems Ag | Verfahren zum Betreiben einer Hallsensoranordnung und Hallsensoranordnung |
| KR20130026218A (ko) * | 2011-09-05 | 2013-03-13 | 삼성전기주식회사 | 홀 플레이트 스위칭 시스템 |
| US20130314075A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Udo Ausserlechner | Offset error compensation systems and methods in sensors |
| US8674690B2 (en) | 2012-08-09 | 2014-03-18 | Infineon Technologies Ag | Feedback control circuit for a hall effect device |
| CN103076576B (zh) * | 2013-01-06 | 2015-12-09 | 山西省电力公司大同供电分公司 | 磁场强度测量装置 |
| FR3011639B1 (fr) * | 2013-10-08 | 2017-05-26 | Continental Automotive France | Procede de mesure d'un champ magnetique au moyen d'un capteur a effet hall a decoupage |
| US9547048B2 (en) * | 2014-01-14 | 2017-01-17 | Allegro Micosystems, LLC | Circuit and method for reducing an offset component of a plurality of vertical hall elements arranged in a circle |
| DE102014201538A1 (de) * | 2014-01-29 | 2015-07-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Ansteuern eines Parkplatz-Managementsystems für mindestens einen Parkplatz und Parkplatz-Managementsystem für mindestens einen Parkplatz |
| US9791521B2 (en) * | 2014-03-27 | 2017-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for operating a hall-effect sensor without an applied magnetic field |
| GB2527835B (en) * | 2014-07-03 | 2017-02-22 | Technical Software Consultants Ltd | Compensating element for alternating current field measurement probe |
| KR101655548B1 (ko) * | 2014-10-17 | 2016-09-07 | 현대자동차주식회사 | 모터 위치 검출용 홀 센서의 위치 오차 보정 방법 |
| US10228398B2 (en) | 2015-04-02 | 2019-03-12 | Rosemount Aerospace Inc. | System and method for minimizing magnetic field effect on an isolated magnetometer |
| US9618587B2 (en) | 2015-07-16 | 2017-04-11 | Ford Global Technologies, Llc | Two-wire hall-effect sensor |
| US9797965B2 (en) | 2016-01-15 | 2017-10-24 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Fast hall effect measurement system |
| JP6841692B2 (ja) * | 2017-03-13 | 2021-03-10 | エイブリック株式会社 | 磁気センサ回路 |
| CN108106642B (zh) * | 2017-12-20 | 2019-12-27 | 苏州闻颂智能科技有限公司 | 一种霍尔元件模拟前端电路 |
| JP7535954B2 (ja) | 2020-03-13 | 2024-08-19 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
| US11802922B2 (en) | 2021-01-13 | 2023-10-31 | Allegro Microsystems, Llc | Circuit for reducing an offset component of a plurality of vertical hall elements arranged in one or more circles |
| CN112985246B (zh) * | 2021-01-25 | 2023-03-31 | 成都芯源系统有限公司 | 位置传感系统及位置传感方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055768A (en) * | 1990-04-05 | 1991-10-08 | Honeywell Inc. | Temperature compensator for hall effect circuit |
| JPH0438004A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 差動増幅回路 |
| EP0548391B1 (de) * | 1991-12-21 | 1997-07-23 | Deutsche ITT Industries GmbH | Offsetkompensierter Hallsensor |
| DE4302342A1 (en) * | 1992-01-28 | 1993-07-29 | El Mos Elektronik In Mos Techn | Offset compensated measurement of magnetic field with Hall element - involves chip-internal electronic compensation with two measurement phases between which measurement and supply connections are interchanged |
-
1994
- 1994-09-06 DE DE4431703A patent/DE4431703C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-17 DE DE59510453T patent/DE59510453D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-17 EP EP95112918A patent/EP0701141B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-05 US US08/523,781 patent/US5604433A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-06 JP JP22939595A patent/JP4047400B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-18 JP JP2006010059A patent/JP2006133240A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777932B2 (en) | 2000-03-23 | 2004-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic field sensor |
| US6861839B2 (en) | 2000-03-23 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic field sensor |
| US7049812B2 (en) | 2000-03-23 | 2006-05-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Magnetic field sensor having memory element |
| JP2002323469A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-11-08 | Leco Corp | 熱伝導度セルのための制御回路 |
| US6727684B2 (en) | 2001-07-26 | 2004-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic field sensor |
| JP2005274491A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Toko Inc | センサ回路 |
| US7701208B2 (en) | 2005-02-08 | 2010-04-20 | Rohm Co., Ltd. | Magnetic sensor circuit and portable terminal provided with such magnetic sensor circuit |
| US7659716B2 (en) | 2006-07-26 | 2010-02-09 | Rohm Co., Ltd. | Sensor circuit, semiconductor device, and electronic apparatus |
| US8502526B2 (en) | 2007-06-22 | 2013-08-06 | Rohm Co., Ltd. | Magnetic sensor circuit and electronic apparatus using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4431703C2 (de) | 1997-01-30 |
| DE59510453D1 (de) | 2002-12-19 |
| EP0701141A2 (de) | 1996-03-13 |
| JP4047400B2 (ja) | 2008-02-13 |
| US5604433A (en) | 1997-02-18 |
| JP2006133240A (ja) | 2006-05-25 |
| EP0701141A3 (de) | 1997-11-05 |
| EP0701141B1 (de) | 2002-11-13 |
| DE4431703A1 (de) | 1996-03-28 |
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