JPH0817311A - Two-wire type magnetic switch circuit using hall element - Google Patents
Two-wire type magnetic switch circuit using hall elementInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ホール素子を用いた2
線式磁気スイッチ回路に係り、特にその温度補償のため
の改良に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a device using a hall element.
The present invention relates to a wire type magnetic switch circuit, and more particularly to an improvement for temperature compensation thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】ホール素子はホール効果を利用した磁電
変換素子で、小型精密ブラシレスモータの位置検出や回
転検出等の各種磁気センサ、磁気スイッチなどとして広
く使用されている。このホール効果を図14により説明
すると、適当な半導体で作られた厚さdのホール素子H
の受感部に入力端子I1,I2及び出力端子O1,O2を取
り付け、電源Osより入力制御電圧Icを入力端子
I1,I2間に流し、外部から磁束密度Bの磁界7を受感
部面に垂直に作用させると、出力端子O1,O2間に電位
差(ホール電圧)VHが発生し、これは下式で表すこと
ができる。 VH=RH/d・Ic・B (RHはホール係数であ
る) このホール素子の駆動方式としては、定電流駆動方式と
定電圧駆動方式の2種類がある。定電流駆動方式の場
合、ホール電圧VHは前記式で表され、制御電流Icと
して定電流が供給され、VHの温度特性はRHの温度特性
に依存する。また定電圧駆動方式の場合は、ホール電圧
VHがVH=μH・W/I・Vin・Bで表される。μHは
半導体における電子移動度で、VHの温度特性はμHの温
度係数に依存する。またWは受感部の幅、Iは受感部の
長さである。2. Description of the Related Art Hall elements are magnetoelectric conversion elements that utilize the Hall effect, and are widely used as various magnetic sensors such as position detection and rotation detection for small precision brushless motors and magnetic switches. This Hall effect will be described with reference to FIG. 14. A Hall element H having a thickness d and made of an appropriate semiconductor.
The input terminals I 1 and I 2 and the output terminals O 1 and O 2 are attached to the sensing section of the power source, the input control voltage Ic is supplied from the power source Os between the input terminals I 1 and I 2 , and the magnetic field 7 having the magnetic flux density B is externally applied. Is applied perpendicularly to the surface of the sensing portion, a potential difference (Hall voltage) V H is generated between the output terminals O 1 and O 2 , which can be expressed by the following equation. VH = RH / d * Ic * B ( RH is a Hall coefficient) There are two types of driving methods for this Hall element: a constant current driving method and a constant voltage driving method. In the case of the constant current drive method, the Hall voltage V H is represented by the above equation, a constant current is supplied as the control current Ic, and the temperature characteristic of V H depends on the temperature characteristic of R H. Further, in the case of the constant voltage driving method, the Hall voltage V H is represented by V H = μ H · W / I · Vin · B. μ H is the electron mobility in the semiconductor, and the temperature characteristic of V H depends on the temperature coefficient of μ H. W is the width of the sensitive portion, and I is the length of the sensitive portion.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】さてホール素子を上述
した定電流駆動方式で用いることにより2線式磁気スイ
ッチを実現しようとして高感度を目標にすると、ホール
素子に大きな電流Icを供給する必要があり、2線式に
は不向きである。このため高感度なInSbタイプのホ
ール素子を利用すると、温度特性が悪く実用上問題であ
る。しかし温度特性に重点をおくと、Siタイプ等の低
感度ホール素子を利用するか、InSbタイプ等の高感
度ホール素子を定電圧駆動方式で使用するしかないが、
そうすると低感度となる。In order to realize a two-wire magnetic switch by using the Hall element in the above-mentioned constant current drive system, and aiming at high sensitivity, it is necessary to supply a large current Ic to the Hall element. Yes, it is not suitable for the two-wire system. For this reason, when a highly sensitive InSb type Hall element is used, the temperature characteristics are poor, which is a practical problem. However, focusing on the temperature characteristics, there is no choice but to use a low-sensitivity Hall element such as Si type or a high-sensitivity Hall element such as InSb type in a constant voltage drive system.
Then, the sensitivity becomes low.
【0004】本発明の目的はかかる従来技術の問題点を
改良して高感度かつ高温度安定度を有し、しかも安価な
ホール素子を利用した2線式磁気スイッチを提案するこ
とである。It is an object of the present invention to improve the problems of the prior art and propose a two-wire magnetic switch using a Hall element which has high sensitivity and high temperature stability and is inexpensive.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、定電流駆動されるホール素子の2つの出
力端子を夫々第1の抵抗を介して差動増幅器の2つの入
力端子に接続し、かつ該入力端子の夫々に第2の抵抗を
接続すると共に第2の抵抗の1つを差動増幅器の出力端
子に接続して成る磁気スイッチ回路において、上記出力
端子に現れる出力電圧の温度変化量が所定値以下となる
ように、前記第1及び第2の抵抗を選定したことを特徴
とする。本発明の回路において、前記ホール素子として
InSbタイプのものを使用してもよい。In order to achieve the above object, the present invention provides two output terminals of a constant current driven Hall element to two input terminals of a differential amplifier via a first resistor, respectively. In a magnetic switch circuit which is connected to the output terminal of a differential amplifier and a second resistor is connected to each of the input terminals, the output voltage appearing at the output terminal is It is characterized in that the first and second resistors are selected so that the amount of change in temperature becomes a predetermined value or less. In the circuit of the present invention, an InSb type Hall element may be used as the Hall element.
【0006】[0006]
【作用】本発明の磁気スイッチ回路では、第1及び第2
の抵抗を適当に選定するだけで、出力電圧の温度変化が
所定値以下となる。In the magnetic switch circuit of the present invention, the first and second magnetic switch circuits are provided.
The temperature change of the output voltage becomes equal to or less than a predetermined value only by properly selecting the resistance of the.
【0007】[0007]
【実施例】以下図面に示す本発明の実施例を説明する。
図1は本発明による2線式磁気スイッチ回路の一実施例
で、ホール素子を定電流駆動方式で使用している。同図
において、1は例えば、高感度形のInSbタイプのホ
ール素子、2はこのホール素子1を定電流駆動するため
の定電流源、R1はホール素子1の出力端子1a,1b
に接続される第1の抵抗、3は差動増幅器、4は出力端
子、R2は差動増幅器3の2つの入力端子3a,3bに
接続される第2の抵抗である。Embodiments of the present invention shown in the drawings will be described below.
FIG. 1 shows an embodiment of a two-wire magnetic switch circuit according to the present invention, in which a Hall element is used in a constant current drive system. In the figure, 1 is, for example, a high-sensitivity InSb type Hall element, 2 is a constant current source for driving the Hall element 1 with a constant current, and R 1 is output terminals 1a and 1b of the Hall element 1.
Is a differential resistor, 3 is a differential amplifier, 4 is an output terminal, and R 2 is a second resistor connected to the two input terminals 3 a and 3 b of the differential amplifier 3.
【0008】上記構成の2線式磁気スイッチ回路におい
て、ホール素子1を磁界B中におき、定電流駆動する
と、出力端子3には出力電圧Eoが現れる。 Eo={R2/(R1+Rd)}・VH Rdはホール素子1の内部抵抗である。In the two-wire magnetic switch circuit having the above structure, when the Hall element 1 is placed in the magnetic field B and driven by a constant current, the output voltage Eo appears at the output terminal 3. Eo = {R 2 / (R 1 + Rd)} · V H Rd is the internal resistance of the Hall element 1.
【0009】而して本発明者は、ホール素子1の内部抵
抗Rdとホール電圧VHが図2,図3に示すように周囲
温度にほぼ反比例する特性を有しているので、この特性
を利用すれば、第1及び第2の抵抗R1,R2を適当に選
定することにより、特別の温度補償回路を用いなくて
も、出力電圧Eoの温度変化を最小にすることができる
ことを究明し得た。The inventor of the present invention has a characteristic that the internal resistance Rd of the Hall element 1 and the Hall voltage V H are substantially inversely proportional to the ambient temperature as shown in FIGS. If used, it is possible to minimize the temperature change of the output voltage E o without using a special temperature compensation circuit by appropriately selecting the first and second resistors R 1 and R 2. I was able to find out.
【0010】即ち、上記Rd及びVHの温度特性を直線
近似して夫々の温度均配をA,Bとすれば、 Rd(t)=Rdo−At VH(t)=VH0−Bt であり、前記Eoの温度変化量dEo/dtは Eo={R2/(R1+Rd)}・VH dEo/dt=d{R2(VH0−Bt)/dt(Rd0−
At)+R1} であり、dEo/dtを0乃至最小にするようなR1,R
2の値がある。実用上はdEo/dtが最小でなくても、
用途に適合する程度に小さな所定値以下となるようなR
1,R2の値を選定すれば差し支えない。That is, if the temperature characteristics of Rd and V H are linearly approximated and the respective temperature distributions are A and B, then Rd (t) = Rd o −At V H (t) = V H0 −Bt , and the temperature variation dE o / dt of the E o is E o = {R 2 / ( R 1 + Rd)} · V H dE o / dt = d {R 2 (V H0 -Bt) / dt (Rd 0 −
At) + R 1 }, and R 1 , R such that dE o / dt is from 0 to the minimum.
There is a value of 2 . In practice, even if dE o / dt is not the minimum,
R that is less than a predetermined value that is small enough to suit the application
It does not matter if the values of 1 and R 2 are selected.
【0011】例えば、InSbタイプのホール素子をI
c=5mA、B=500G(ガウス)で使用するとして
Rd,VHの温度特性は下記のようになる。 温度 0° 20° 40° 60℃ Rd 550 350 230 160Ω VH 460 350 270 210mVFor example, an InSb type Hall element is
Assuming that C = 5 mA and B = 500 G (Gauss) are used, the temperature characteristics of Rd and V H are as follows. Temperature 0 ° 20 ° 40 ° 60 ° C. Rd 550 350 350 230 160Ω V H 460 350 270 210 mV
【0012】そして上記ホール素子を図1の回路に使用
するとしてR1=10kΩ、R2=100kΩとした時の
出力電圧Eo1、R1=0、R2=5kΩとした時の出力電
圧E02の温度特性は下記のようになる。 温度 0° 20° 40° 60℃ Eo1 4.63 3.38 2.64 2.07V Eo2 4.18 5.8 5.87 6.56V[0012] The above R 1 = 10 k.OMEGA as a Hall element used in the circuit of FIG. 1, R 2 = 100kΩ and the time of the output voltage E o1, R 1 = 0, R 2 = 5kΩ and the time of the output voltage E The temperature characteristics of 02 are as follows. Temperature 0 ° 20 ° 40 ° 60 ° C. E o1 4.63 3.38 2.64 2.07 V E o2 4.18 5.8 5.8 5.87 6.56 V
【0013】上記出力電圧Eo1,Eo2の温度による変化
量は逆方向となっている。これはR 1,R2の値の選択に
より出力電圧Eoの温度変化を小さくできることを示し
ている。一例として R1=200Ω,R2=6.5kΩ
の時 温度 0° 20° 40° 60℃ Eo 3.99 4.14 4.08 3.79V となり、温度変化による出力電圧Eoの変化量は大幅に
減少されている。The output voltage Eo1, Eo2Change with temperature
The quantity is in the opposite direction. This is R 1, R2To select the value of
Output voltage EoShows that the temperature change of
ing. R as an example1= 200Ω, R2= 6.5 kΩ
When the temperature is 0 ° 20 ° 40 ° 60 ° C Eo 3.99 4.14 4.08 3.79V, which is the output voltage E due to temperature change.oChanges significantly
Has been reduced.
【0014】次に本発明の磁気スイッチ回路の応用例と
してホール効果形位置センサについて説明する。図4は
本発明の磁気スイッチ回路を用いたホール効果形位置セ
ンサの実施例を示す構成図で、11は被検出体を構成す
る永久磁石からなる磁場発生部、12はこの磁場発生部
11に対して相対的に磁束方向13にスライドすると共
に、動作距離hを保って磁場発生部11からの磁場を検
出するホール素子15からなる磁場検出部である。14
は後述のように磁場発生部11のホール素子15の出力
電圧に加えられるバイアス電圧である。磁場検出部12
を構成するホール素子15は前述したように、例えばI
nSbのような半導体薄膜が用いられる。16は図1の
磁気スイッチ回路を構成する定電流源2、抵抗R1,
R2、差動増幅器3を含む回路である。Next, a Hall effect type position sensor will be described as an application example of the magnetic switch circuit of the present invention. FIG. 4 is a block diagram showing an embodiment of a Hall effect type position sensor using a magnetic switch circuit of the present invention, 11 is a magnetic field generating section made of a permanent magnet which constitutes the object to be detected, and 12 is a magnetic field generating section 11. It is a magnetic field detection unit including a Hall element 15 that slides in the magnetic flux direction 13 relative to each other and that detects the magnetic field from the magnetic field generation unit 11 while maintaining the operating distance h. 14
Is a bias voltage applied to the output voltage of the Hall element 15 of the magnetic field generator 11, as described later. Magnetic field detector 12
As described above, the Hall element 15 constituting the
A semiconductor thin film such as nSb is used. Reference numeral 16 designates a constant current source 2, a resistor R 1 and a resistor R 1 , which constitute the magnetic switch circuit of FIG.
This is a circuit including R 2 and a differential amplifier 3.
【0015】図5乃至図7は磁場発生部1の具体的な構
成を示すもので、図5は平面図、図6は図5のA−B断
面図、図7は図5のC−D断面図である。16は例えば
抗磁力の大きな異方性Baフェライト磁石からなる第1
の永久磁石、17,18はこの第1の永久磁石16のス
ライド方向(磁束方向)13に沿った両側に等しいギャ
ップD(図5参照)を隔てて配置された、第1の永久磁
石よりも長さ寸法が小さくかつ第1の永久磁石16と同
一材料からなる第2及び第3の永久磁石であり、これら
第2及び第3の永久磁石17,18の極性は第1の永久
磁石16の極性に対して逆極性となるように着磁されて
いる。図8に示したように、スライド方向13に沿った
第1、第2及び第3の永久磁石16,17,18の長さ
寸法を各々L1,L2,L3とし、高さ寸法をH、紙面に
垂直方向の幅寸法をWとしたとき、一例としてL1=6m
m、L2=L3=3mm、H=3mm、W=6mm、D=3mmに
設定される。図8は各永久磁石16,17,18から発
生される磁束を破線B1,B2,B3…で示すと共に、こ
の磁場発生部11によって実験的に得られたホール出力
(電圧)の特性曲線を実線C1,C2,C3…で示してい
る。なお、各永久磁石16,17,18に対して、動作
距離h1を保った高さ位置で磁場検出部12をスライド
させる例で示している。横軸(x軸)はスライド方向、
縦軸(y軸)は高さ方向を示している。5 to 7 show a concrete structure of the magnetic field generator 1. FIG. 5 is a plan view, FIG. 6 is a sectional view taken along line AB of FIG. 5, and FIG. 7 is line CD of FIG. FIG. Reference numeral 16 is, for example, a first 1 made of an anisotropic Ba ferrite magnet having a large coercive force.
The permanent magnets 17, 18 of the first permanent magnet 16 are arranged on both sides along the sliding direction (magnetic flux direction) 13 of the first permanent magnet 16 with equal gaps D (see FIG. 5). These are second and third permanent magnets having a small length dimension and made of the same material as the first permanent magnet 16, and the polarities of the second and third permanent magnets 17 and 18 are the same as those of the first permanent magnet 16. It is magnetized so that the polarity is opposite to that of the polarity. As shown in FIG. 8, the length dimensions of the first, second, and third permanent magnets 16, 17, and 18 along the sliding direction 13 are L 1 , L 2 , and L 3 , respectively, and the height dimension is Assuming that H is H and the width dimension in the direction perpendicular to the paper surface is W, L 1 = 6 m
m, L 2 = L 3 = 3 mm, H = 3 mm, W = 6 mm, D = 3 mm. FIG. 8 shows the magnetic fluxes generated from the permanent magnets 16, 17 and 18 with broken lines B 1 , B 2 , B 3 ... And the characteristics of the Hall output (voltage) experimentally obtained by this magnetic field generation unit 11. The curves are indicated by solid lines C 1 , C 2 , C 3 ... An example is shown in which the magnetic field detection unit 12 is slid with respect to each of the permanent magnets 16, 17, and 18 at a height position that maintains the operating distance h1. The horizontal axis (x axis) is the slide direction,
The vertical axis (y axis) indicates the height direction.
【0016】各永久磁石16,17,18は例えばプラ
スチックのような非磁性ケース19内に収納されて、非
磁性材料または強磁性材料からなる取付板20に一体に
取り付けられる。取付板20には予め位置決め孔21が
設けられており、この孔21に非磁性ケース19の底部
に設けられた突出部22を位置決めした状態で、各永久
磁石16,17,18は接着剤によって非磁性ケース1
9、取付板20と一体化される。また、非磁性ケース1
9の上面にはスイッチング動作範囲を示す目印となる溝
23が設けられている。取付板20は、後述のように特
性上軟鋼等の強磁性材料を用いることが望ましい。取付
板20にはスライド方向に沿った長円形状の取付孔24
が設けられており、この取付孔24に取付ねじ25をね
じ込むことによって、取付板20は被検出体に固定され
る。この固定位置は取付孔24に沿ってスライドさせる
ことで調整可能になっている。The permanent magnets 16, 17 and 18 are housed in a non-magnetic case 19 made of, for example, plastic and integrally attached to a mounting plate 20 made of a non-magnetic material or a ferromagnetic material. The mounting plate 20 is provided with a positioning hole 21 in advance, and the permanent magnets 16, 17 and 18 are bonded by an adhesive in a state where the projection 22 provided on the bottom of the non-magnetic case 19 is positioned in the hole 21. Non-magnetic case 1
9, integrated with the mounting plate 20. In addition, non-magnetic case 1
A groove 23, which serves as a mark indicating the switching operation range, is provided on the upper surface of 9. It is desirable that the mounting plate 20 be made of a ferromagnetic material such as mild steel due to its characteristics as described later. The mounting plate 20 has an oval mounting hole 24 along the sliding direction.
The mounting plate 20 is fixed to the detected object by screwing the mounting screw 25 into the mounting hole 24. This fixed position can be adjusted by sliding it along the mounting hole 24.
【0017】図8において実線C1,C2,C3…は、ホ
ール出力が0V、±0.1V、±0.2Vになる特性曲
線を示しており、破線B1,B2,B3…の磁束はそのホ
ール出力の特性曲線群から推定してプロットしたもので
ある。なお、各特性曲線及び磁束は第1の永久磁石6の
中央部CLを中心にして左右対象に示されている。各永
久磁石16,17,18の上方に動作距離h1を保って
近接している磁場検出部12のホール素子15の面はy
軸に垂直に保持されているので、垂直方向の磁束密度B
に比例したホール出力が得られる。ホール出力0Vの特
性曲線上では垂直方向の磁束密度Bは0でなければなら
ない。磁束を示す破線B1,B2,B3…はほぼそのよう
になるようにプロットされている。磁束はx軸の下方向
にも存在するが省略してある。In FIG. 8, solid lines C 1 , C 2 , C 3 ... Show characteristic curves in which the Hall output becomes 0 V, ± 0.1 V, ± 0.2 V, and broken lines B 1 , B 2 , B 3 The magnetic flux of ... is estimated and plotted from the characteristic curve group of the Hall output. Each characteristic curve and magnetic flux are shown symmetrically with the central portion CL of the first permanent magnet 6 as the center. The surface of the Hall element 15 of the magnetic field detection unit 12 which is close to the permanent magnets 16, 17 and 18 with an operating distance h1 is y.
Since it is held perpendicular to the axis, the magnetic flux density B in the vertical direction
Hall output proportional to is obtained. The magnetic flux density B in the vertical direction must be 0 on the characteristic curve of Hall output 0V. The broken lines B 1 , B 2 , B 3 ... Denoting the magnetic flux are plotted so as to be almost the same. The magnetic flux also exists in the downward direction of the x axis, but is omitted.
【0018】磁場検出部12を動作距離hを保ってスラ
イドさせる際、磁場検出部12がx=0の原点よりはる
か左側にある場合は、上下方向の磁束密度Bは0である
から、ホール出力は0Vになる。磁場検出部12を右側
にスライドさせると、P1,P2,P3,P4,P5の各点
で各々−0.2V、−0.1V、0V、0.1V、0.
2Vのホール出力を発生する。さらに、右側にスライド
させると、Q1,Q2,Q3,Q4,Q5の各点で各々0.
2V、0.1V、0V、−0.1V、−0.2Vのホー
ル出力を発生する。P5からQ1の間では0.2V以上の
ホール出力を発生し、最高で0.3Vに達して飽和す
る。When the magnetic field detector 12 is slid while keeping the operating distance h, if the magnetic field detector 12 is on the far left side of the origin of x = 0, the vertical magnetic flux density B is 0. Becomes 0V. Sliding magnetic field detecting section 12 to the right, P 1, P 2, P 3, P 4, -0.2V respectively at each point P 5, -0.1V, 0V, 0.1V , 0.
Generates 2V Hall output. Further, by sliding to the right, Q 1, Q 2, Q 3, respectively at each point Q 4, Q 5 0.
The Hall outputs of 2V, 0.1V, 0V, -0.1V and -0.2V are generated. A Hall output of 0.2 V or higher is generated between P 5 and Q 1 and reaches a maximum of 0.3 V and saturates.
【0019】ここで、実際の使用方法として、ホール出
力が0Vでスイッチング動作するような方法は、動作が
不安定となるので避けなければならない。これは、磁場
検出部12がy軸よりもはるか左側にある場合も、ホー
ル出力が0になっているのでスイッチング動作してしま
うため、これを防止するためである。このため、本実施
例では図1に示したように、ホール素子15にバイアス
電圧14を印加して、このバイアス電圧とホール出力と
の和が0になったときに、スイッチング動作が行われる
ように図られている。具体例として、バイアス電圧とし
て−0.05Vをホール出力に印加するようにしたとす
ると、図8の実線C3,C6のV曲線は−0.5V曲線に
なり、実線C2,C7の−0.1V曲線は−0.15V曲
線になる。このように全ての曲線が−0.05Vだけ出
力がずれるようになる。従って、破線C10,C20の0.
05V曲線は0V曲線になる。Here, as an actual usage method, a method in which the Hall output performs switching operation at 0 V must be avoided because the operation becomes unstable. This is to prevent this even when the magnetic field detection unit 12 is on the far left side of the y-axis, since the Hall output is 0 and the switching operation is performed. Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 1, when the bias voltage 14 is applied to the Hall element 15, the switching operation is performed when the sum of the bias voltage and the Hall output becomes zero. Is aimed at. As a specific example, if the bias voltage of −0.05 V is applied to the Hall output, the V curves of the solid lines C 3 and C 6 in FIG. 8 become −0.5 V curves, and the solid lines C 2 and C 7 of FIG. The -0.1V curve of is a -0.15V curve. In this way, the output of all the curves is shifted by -0.05V. Therefore, the broken lines C 10 , C 20 of 0.
The 05V curve becomes a 0V curve.
【0020】このように、バイアス電圧が加えられた状
態の動作は次のようになる。すなわち、磁場検出部12
がy軸よりはるかに左側にある場合では、ホール出力0
Vにバイアス電圧−0.05Vが印加されることによっ
て、全出力は−0.05Vになる。次に、磁場検出部1
2がP1点にスライドすると、この場合の全出力はC1の
−0.2Vに−0.05Vが印加されて−0.25Vに
なる。同様にして、P2点にスライドした場合の全出力
は−0.15Vに、P3点にスライドした場合の全出力
は−0.05Vになり、破線C10の0.05V曲線との
交点ではじめて全出力が0Vになって、スイッチング動
作が行われて制御信号が出力される。磁場検出部12を
右側にスライドさせて、Q1,Q2点を過ぎて破線C20の
交点を過ぎるまでは全出力は正であり、スイッチング動
作が保持される。さらに、右側にスライドしてQ3,
Q4,Q5点に達すると、全出力は負になり、スイッチン
グ動作は解除される。As described above, the operation with the bias voltage applied is as follows. That is, the magnetic field detector 12
Is far to the left of the y-axis, the Hall output is 0
By applying a bias voltage of -0.05V to V, the total output becomes -0.05V. Next, the magnetic field detector 1
When 2 slides to the P 1 point, the total output in this case becomes −0.25V when −0.05V is applied to −0.2V of C 1 . Similarly, the total output is -0.15V when the slide at two points P, the total output when the slide three points P becomes -0.05 V, intersection between 0.05V curve of broken line C 10 At first, all outputs become 0V, the switching operation is performed, and the control signal is output. Until the magnetic field detector 12 is slid to the right and passes the points Q 1 and Q 2 and the intersection of the broken line C 20 , the total output is positive and the switching operation is maintained. Then slide to the right to Q 3 ,
When Q 4, Q reached 5 points, the total output is negative, the switching operation is canceled.
【0021】これにより、破線C10とC20の範囲内で磁
場発生部11がスライドする限り、スイッチング動作は
保持されることになるので、広いスイッチング動作幅を
確保することができる。このように、スイッチング動作
幅を広く確保することにより、位置センサとして確実な
動作を可能にすることができ、被検出体を所定位置で停
止させることができるようになる。この点、スイッチン
グ動作幅が狭い場合には、位置センサとして確実な動作
が不可能になり、被検出体を所定位置で停止させるのが
困難になる。また、破線C10,C20の0.05V曲線を
ほぼ垂直に近い理想に近い形にすることができるので、
磁場検出部12がy軸方向に変化しても、すなわち、磁
場発生部11と磁場検出部12との動作距離h1が変化
した場合でも、スライド方向の検出位置のずれを小さく
抑えることができるようになるので、検出精度を向上す
ることができる。これに伴い、動作距離h1を大きくと
ることができるようになる。この点、従来のように磁場
発生部を構成する永久磁石をギャップを設けずに一体に
密着させた場合には、0V曲線が外側に大きく傾斜して
しまうので、適当なバイアス電圧を印加したとしても0
V曲線を垂直に近い理想形にするのは困難であるため、
動作距離を大きくとることができない。As a result, as long as the magnetic field generator 11 slides within the range of the broken lines C 10 and C 20 , the switching operation is maintained, so that a wide switching operation width can be secured. By thus ensuring a wide switching operation width, a reliable operation as a position sensor can be enabled, and the detected object can be stopped at a predetermined position. In this respect, if the switching operation width is narrow, the position sensor cannot reliably operate, and it becomes difficult to stop the detected object at a predetermined position. Further, since the 0.05V curve of the broken lines C 10 and C 20 can be made into a shape close to an ideal that is almost vertical,
Even if the magnetic field detection unit 12 changes in the y-axis direction, that is, even if the operating distance h1 between the magnetic field generation unit 11 and the magnetic field detection unit 12 changes, it is possible to suppress the deviation of the detection position in the slide direction to be small. Therefore, the detection accuracy can be improved. As a result, the operating distance h1 can be increased. In this respect, when the permanent magnets forming the magnetic field generating unit are closely adhered to each other without providing a gap as in the conventional case, the 0V curve is largely inclined to the outside, so it is assumed that an appropriate bias voltage is applied. Also 0
Since it is difficult to make the V-curve ideally close to vertical,
The operating distance cannot be increased.
【0022】このように0V曲線を理想形にできた理由
としては、図8における実線C3,C6の0V曲線が外側
にわずか傾斜している形になっていることがあげられ、
これは第2及び第3の永久磁石17,18の各長さ寸法
L2,L3を、第1の永久磁石6の長さ寸法L1よりも小
さく設定したことと、ギャップDを設けたことに原因し
ている。なお、本実施例で、磁場検出部12のホール素
子15の電流方向を逆にした場合には、各特性曲線の符
号は全て逆転する。また、この場合にはバイアス電圧と
しては+0.05Vを印加することになる。これに伴
い、実線C10とC20との間のスイッチング動作範囲で出
力される全出力は負になる。The reason why the 0V curve can be idealized as described above is that the 0V curve of the solid lines C 3 and C 6 in FIG. 8 is slightly inclined outward.
This is because the length dimensions L 2 and L 3 of the second and third permanent magnets 17 and 18 are set to be smaller than the length dimension L 1 of the first permanent magnet 6, and a gap D is provided. It is because of that. In this embodiment, when the current directions of the Hall elements 15 of the magnetic field detector 12 are reversed, the signs of the characteristic curves are all reversed. Further, in this case, +0.05 V is applied as the bias voltage. As a result, the total output output in the switching operation range between the solid lines C 10 and C 20 becomes negative.
【0023】本実施例のように各永久磁石16,17,
18を非磁性ケース19内に収納することにより、周囲
からの鉄粉の吸着量を軽減することができる。例え吸着
してしまった場合でも、その除去は容易である。また、
取付板20として軟鋼等の強磁性材料を用いた場合は、
永久磁石の起磁力は軟鋼内ではほとんど消費されないか
ら、永久磁石に全起磁力が上面に作用するので、動作距
離h1を大きくとれるようになる。さらに、取付板20
は多くの場合鉄鋼材料に取り付けられるが、軟鋼を用い
ておけば取付による磁場の変化を少なくすることができ
る。As in the present embodiment, each permanent magnet 16, 17,
By storing 18 in the non-magnetic case 19, the amount of iron powder adsorbed from the surroundings can be reduced. Even if it is adsorbed, its removal is easy. Also,
When a ferromagnetic material such as mild steel is used as the mounting plate 20,
Since the magnetomotive force of the permanent magnet is hardly consumed in the mild steel, the total magnetomotive force acts on the upper surface of the permanent magnet, so that the operating distance h1 can be increased. Furthermore, the mounting plate 20
In many cases, is attached to a steel material, but if mild steel is used, the change in magnetic field due to attachment can be reduced.
【0024】なお、図4の実施例によれば、第1の永久
磁石16に対して左右方向、即ち、第2及び第3の永久
磁石17,18の側からの磁場検出部12の変位に応答
した2個所(C10,C20)でのスイッチング動作(左右
対称のスイッチング動作)が得られたが、用途によって
は、何れか一方向の変位に応答した1個所でのスイッチ
ング動作が得られるだけでよい場合もある。かかる場合
には図9A、又は図9Bに示すように、第2又は第3の
永久磁石17又は18のみを設ければよい。According to the embodiment of FIG. 4, the displacement of the magnetic field detector 12 from the first permanent magnet 16 in the left-right direction, that is, from the second and third permanent magnets 17 and 18 side. Although the switching operation of the response was two points (C 10, C 20) (switching operation symmetric) is obtained, depending on the application, the switching operation at one place in response to one direction of displacement is obtained In some cases it may be enough. In such a case, as shown in FIG. 9A or 9B, only the second or third permanent magnet 17 or 18 may be provided.
【0025】次に本発明の磁気スイッチ回路をリニア変
位センサに適用した例について説明する。図10は本発
明の磁気スイッチ回路を用いたリニア変位センサの一実
施例で、31は被検出体を構成する磁場発生部で、この
磁場発生部31は、第1の永久磁石32と、この第1の
永久磁石32に磁性体33を介して結合されて変位方向
Xに沿って配置された第2の永久磁石34とを有してお
り、第1の永久磁石32の極性に対して第2の永久磁石
34の極性は逆極性となるように着磁されている。35
はその磁場発生部31に対して相対的に上記変位方向X
にスライドすると共に、一定の動作距離hを保って磁場
発生部31からの磁場を検出して電気信号を出力するホ
ール素子36からなる磁場検出部である。37はホール
素子36の検出信号を処理する信号処理回路で、図1に
示す定電流源2、抵抗R1,R2、差動増幅器3を有して
いる。磁場検出部35を構成するホール素子36は例え
ばInSbのような半導体薄膜が用いられ、このホール
素子36はホール効果によって磁場発生部31からの磁
場を検出して電気信号(多くはDC電圧あるいはDC電
流)を出力することにより、被検出体の変位を検出す
る。Next, an example in which the magnetic switch circuit of the present invention is applied to a linear displacement sensor will be described. FIG. 10 shows an embodiment of a linear displacement sensor using the magnetic switch circuit of the present invention, in which 31 is a magnetic field generating section which constitutes the object to be detected, and the magnetic field generating section 31 is a first permanent magnet 32 and this A second permanent magnet 34 which is coupled to the first permanent magnet 32 via a magnetic body 33 and is arranged along the displacement direction X. The second permanent magnet 34 is magnetized so that the polarities thereof are opposite to each other. 35
Is the displacement direction X relative to the magnetic field generator 31.
It is a magnetic field detection unit including a Hall element 36 that slides to a position and detects a magnetic field from the magnetic field generation unit 31 while maintaining a constant working distance h and outputs an electric signal. A signal processing circuit 37 processes the detection signal of the hall element 36, and has the constant current source 2, resistors R 1 and R 2 , and a differential amplifier 3 shown in FIG. A semiconductor thin film such as InSb is used for the Hall element 36 that constitutes the magnetic field detection unit 35. This Hall element 36 detects the magnetic field from the magnetic field generation unit 31 by the Hall effect and detects an electric signal (mostly a DC voltage or a DC voltage). The displacement of the detected object is detected by outputting (current).
【0026】図11は図10の実施例の動作原理を説明
するもので、磁場検出部35を一定の動作距離hを保っ
て変位方向Xに沿ってスライドさせる場合、ホール素子
36が第1の永久磁石32と第2の永久磁石34との中
間位置Cに位置していると、第1の永久磁石32と第2
の永久磁石34の磁束の方向が逆になっていることに基
づいて、ホール素子36で検出されるホール電圧Vh、
すなわち出力電圧は相互に打ち消されるために0にな
る。一方、この位置からホール素子36が図示左方向に
スライドすると第1の永久磁石32の磁束がホール素子
36を下から上方向に貫通するので、ホール素子36は
+のホール電圧Vh(出力電圧)を検出する。逆に、ホ
ール素子36が図示右方向にスライドすると第2の永久
磁石34の磁束がホール素子36を上から下方向に貫通
するので、ホール素子36は−のホール電圧Vh(出力
電圧)を検出する。この結果、ホール素子36のスライ
ド位置に対応して、図示したようなS字状の出力曲線が
得られることになる。この出力曲線は、中間位置C付近
の範囲Mではほぼ直線的な変化をする。従って、この中
間位置Cでのホール素子36の動きと、ほぼ直線的に連
続に変化するホール電圧の関係を組み合わせることによ
り、リニアな出力特性が得られるようになる。なお、出
力電圧の+,−の極性は必要に応じて回路的に容易に反
転することができる。FIG. 11 illustrates the principle of operation of the embodiment of FIG. 10. When the magnetic field detector 35 is slid along the displacement direction X while keeping a constant operating distance h, the Hall element 36 moves to the first position. When located at an intermediate position C between the permanent magnet 32 and the second permanent magnet 34, the first permanent magnet 32 and the second permanent magnet 34
Hall voltage Vh detected by the Hall element 36 based on the fact that the magnetic flux direction of the permanent magnet 34 of
That is, the output voltages become zero because they cancel each other out. On the other hand, when the Hall element 36 slides to the left in the figure from this position, the magnetic flux of the first permanent magnet 32 penetrates the Hall element 36 from the bottom to the top, so that the Hall element 36 has a positive Hall voltage Vh (output voltage). To detect. Conversely, when the Hall element 36 slides to the right in the figure, the magnetic flux of the second permanent magnet 34 penetrates the Hall element 36 from the top to the bottom, so the Hall element 36 detects the negative Hall voltage Vh (output voltage). To do. As a result, an S-shaped output curve as shown is obtained corresponding to the slide position of the Hall element 36. This output curve changes substantially linearly in the range M near the intermediate position C. Therefore, a linear output characteristic can be obtained by combining the relationship between the movement of the Hall element 36 at the intermediate position C and the Hall voltage that changes substantially linearly and continuously. The positive and negative polarities of the output voltage can be easily inverted in a circuit manner if necessary.
【0027】図12は本実施例における第1の実験結果
を示すもので、磁場発生部31を構成する第1及び第2
の永久磁石32,34の長さL1,L2、両磁石32,3
4間のギャップD、動作距離hの各寸法を図示のような
値に設定した場合に得られた出力特性を示すものであ
る。横軸はホール素子36のスライド位置(mm)、縦軸
は出力電圧(mV)である。また、図12は本実施例に
おける第2の実験結果を示すもので、磁場発生部31を
構成する第1及び第2の永久磁石32,34の長さ
L1,L2、ギャップD、動作距離hの各寸法を図示のよ
うな値に設定した場合に得られた出力特性を示すもので
ある。図12及び図13のいずれにおいても、リニアな
出力特性が得られる。FIG. 12 shows the result of the first experiment in the present embodiment. The first and second magnetic field generating parts 31 are constituted.
The permanent magnets 32, 34 of the length L 1 , L 2 , both magnets 32, 3
4 shows output characteristics obtained when the dimensions of the gap D between 4 and the operating distance h are set to values as shown in the figure. The horizontal axis represents the slide position (mm) of the Hall element 36, and the vertical axis represents the output voltage (mV). In addition, FIG. 12 shows a second experimental result in the present embodiment, in which the lengths L 1 and L 2 , the gap D, and the operation of the first and second permanent magnets 32 and 34 forming the magnetic field generator 31 are shown. It shows the output characteristics obtained when the respective dimensions of the distance h are set to the values shown in the figure. A linear output characteristic is obtained in both FIG. 12 and FIG.
【0028】このように本実施例によれば、第1及び第
2の永久磁石32,34とホール素子36とを組み合わ
せて、リニア変位センサを構成することにより、各永久
磁石32,34及びホール素子36としては、安価で高
性能のものを容易に入手できるので、コストダウンを図
ることができる。また、各永久磁石32,34とホール
素子36とを組み合わせることで、複雑な回路構成を不
要にして被検出体の変位を検出できるので、小形のリニ
ア変位センサの実現が可能となる。As described above, according to the present embodiment, by combining the first and second permanent magnets 32 and 34 and the Hall element 36 to form a linear displacement sensor, the permanent magnets 32 and 34 and the Hall element 36 are connected. As the element 36, an inexpensive and high-performance element can be easily obtained, so that the cost can be reduced. Further, by combining the permanent magnets 32 and 34 and the Hall element 36, the displacement of the object to be detected can be detected without the need for a complicated circuit configuration, so that a small linear displacement sensor can be realized.
【0029】なお、磁場発生部31を構成する第1及び
第2の永久磁石32,34として強力な永久磁石を用い
て両者間のギャップを大きく設定することにより、リニ
ア出力範囲を広くとることができる。また、各永久磁石
32,34として小形で強力な永久磁石を用いて両者間
のギャップを小さく設定することにより、より小形のリ
ニア変位センサを得ることができる。A wide linear output range can be ensured by using strong permanent magnets as the first and second permanent magnets 32 and 34 constituting the magnetic field generator 31 and setting a large gap between them. it can. Further, by using small and strong permanent magnets as the permanent magnets 32 and 34 and setting the gap between them to be small, a smaller linear displacement sensor can be obtained.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
記のような優れた効果が得られる。 (1)ホール素子を良好な温度特性が得られるように定
電流駆動できる。従って2線式磁気スイッチ回路に用い
た場合、そのオフ時の電流を小さくできる。またホール
素子としてInSbタイプのものは電子移動度が大きく
最も高感度であるが、バンドギャップ幅が小さいので温
度特性が良くないが、本発明のようにすれば、このタイ
プのものを使用することができる。 (2)複雑な構成の温度補償用回路及び部品が不要とな
り、かつ安価となる。 (3)スイッチ動作点の温度依存性が小さくなり、安定
な動作を得ることができる。As described above, according to the present invention, the following excellent effects can be obtained. (1) The Hall element can be driven with a constant current so as to obtain good temperature characteristics. Therefore, when it is used in a two-wire magnetic switch circuit, the current when it is off can be reduced. Further, the Hall element of InSb type has a large electron mobility and the highest sensitivity, but the temperature characteristic is not good because of the small band gap width. However, according to the present invention, use of this type is preferable. You can (2) A temperature compensating circuit and parts having a complicated structure are unnecessary, and the cost is low. (3) The temperature dependence of the switch operating point is reduced, and stable operation can be obtained.
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.
【図2】ホール素子の内部抵抗の温度特性図である。FIG. 2 is a temperature characteristic diagram of internal resistance of a Hall element.
【図3】ホール素子のホール電圧の温度特性図である。FIG. 3 is a temperature characteristic diagram of Hall voltage of a Hall element.
【図4】本発明の応用例としてのホール効果形位置セン
サの実施例を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing an embodiment of a Hall effect type position sensor as an application example of the present invention.
【図5】上記センサの磁場発生部の構成を示す平面図で
ある。FIG. 5 is a plan view showing a configuration of a magnetic field generation unit of the sensor.
【図6】図5のA−B断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line AB of FIG.
【図7】図5のC−D断面図である。7 is a cross-sectional view taken along the line C-D of FIG.
【図8】上記センサによって得られるホール出力の特性
図である。FIG. 8 is a characteristic diagram of a Hall output obtained by the sensor.
【図9】上記センサの変形例を示す構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram showing a modified example of the sensor.
【図10】本発明の応用例としてのリニア変位センサの
実施例を示す構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram showing an embodiment of a linear displacement sensor as an application example of the present invention.
【図11】図10のセンサの動作説明図である。FIG. 11 is an operation explanatory diagram of the sensor of FIG.
【図12】図10のセンサにおける第1の実験結果を示
す出力特性図である。FIG. 12 is an output characteristic diagram showing a first experimental result of the sensor of FIG.
【図13】図10のセンサにおける第2の実験結果を示
す出力特性図である。FIG. 13 is an output characteristic diagram showing a second experimental result in the sensor of FIG.
【図14】ホール効果を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining a Hall effect.
1 ホール素子 2 定電流源 3 差動増幅器 R1 第1の抵抗 R2 第2の抵抗1 Hall element 2 Constant current source 3 Differential amplifier R 1 1st resistance R 2 2nd resistance
Claims (5)
力端子を夫々第1の抵抗を介して差動増幅器の2つの入
力端子に接続し、かつ該入力端子の夫々に第2の抵抗を
接続すると共に第2の抵抗の1つを差動増幅器の出力端
子に接続して成る磁気スイッチ回路において、 上記出力端子に現れる出力電圧の温度変化量が所定値以
下となるように、前記第1及び第2の抵抗を選定したこ
とを特徴とするホール素子を用いた2線式磁気スイッチ
回路。1. Two output terminals of a constant current driven Hall element are connected to two input terminals of a differential amplifier via a first resistor, and a second resistor is connected to each of the input terminals. In a magnetic switch circuit which is connected and one of the second resistors is connected to an output terminal of a differential amplifier, the first switch is configured so that the temperature change amount of the output voltage appearing at the output terminal becomes a predetermined value or less. And a second resistor, a two-wire magnetic switch circuit using a Hall element.
ル素子であることを特徴とする請求項1に記載のホール
素子を用いた2線式磁気スイッチ回路。2. The two-wire magnetic switch circuit using the hall element according to claim 1, wherein the hall element is an InSb type hall element.
場発生部と、この磁場発生部に対して相対的にスライド
し磁場発生部からの磁場を検出するホール素子からなる
磁場検出部とから構成されたホール効果形位置センサに
おいて、上記磁場発生部は、第1の永久磁石と、この第
1の永久磁石のスライド方向に沿った両側に等しいギャ
ップを隔てて配置された、第1の永久磁石より長さ寸法
の小さい第2及び第3の永久磁石とから構成され、第1
の永久磁石の極性に対して第2及び第3の永久磁石の極
性を逆極性となるように着磁してあり、上記磁場検出部
は、定電流駆動されるホール素子の2つの出力端子を夫
々第1の抵抗を介して差動増幅器の2つの入力端子に接
続し、かつ該入力端子の夫々に第2の抵抗を接続すると
共に第2の抵抗の1つを差動増幅器の出力端子に、他を
差動増幅器の共通接地に、夫々接続して成る磁気スイッ
チ回路を含み、上記出力端子に現れる出力電圧の温度変
化量が所定値以下となるように、前記第1及び第2の抵
抗を選定したことを特徴とするホール効果形位置セン
サ。3. A magnetic field generation unit composed of a permanent magnet that constitutes the object to be detected, and a magnetic field detection unit composed of a Hall element that slides relative to the magnetic field generation unit and detects a magnetic field from the magnetic field generation unit. In the Hall effect type position sensor having the above structure, the magnetic field generating unit includes a first permanent magnet and a first permanent magnet arranged at equal gaps on both sides of the first permanent magnet in a sliding direction of the first permanent magnet. A second permanent magnet and a third permanent magnet having a length smaller than that of the magnet,
The permanent magnets are magnetized so that the polarities of the second and third permanent magnets are opposite to the polarities of the permanent magnets, and the magnetic field detecting unit has two output terminals of the Hall element driven by constant current. Each of them is connected to two input terminals of the differential amplifier via a first resistor, and a second resistor is connected to each of the input terminals and one of the second resistors is connected to an output terminal of the differential amplifier. , And a magnetic switch circuit connected to the common ground of the differential amplifier, respectively, so that the temperature change amount of the output voltage appearing at the output terminal becomes equal to or less than a predetermined value. Hall effect type position sensor characterized by selecting.
信号を出力するリニア変位センサにおいて、第1の永久
磁石と、この第1の永久磁石に近接して上記変位方向に
沿って配置され、かつ第1の永久磁石の極性に対して逆
極性となるように着磁した第2の永久磁石とを有して被
検出体を構成する磁場発生部と、この磁場発生部に対し
て相対的に上記変位方向にスライドすると共に、一定の
動作距離を保って磁場発生部からの磁場を検出して電気
信号を出力するホール素子からなる磁場検出部と、を備
え、上記磁場検出部は、定電流駆動されるホール素子の
2つの出力端子を夫々第1の抵抗を介して差動増幅器の
2つの入力端子に接続し、かつ該入力端子の夫々に第2
の抵抗を接続すると共に第2の抵抗の1つを差動増幅器
の出力端子に接続して成る磁気スイッチ回路を含み、上
記出力端子に現れる出力電圧の温度変化量が所定値以下
となるように、前記第1及び第2の抵抗を選定したこと
を特徴とするリニア変位センサ。4. A linear displacement sensor for continuously detecting a displacement of an object to be detected and outputting an electric signal, comprising: a first permanent magnet, and a first permanent magnet which is adjacent to the first permanent magnet and extends along the displacement direction. A magnetic field generating unit that is disposed and that has a second permanent magnet that is magnetized so as to have a polarity opposite to that of the first permanent magnet, and that constitutes a detection target, and a magnetic field generating unit for the magnetic field generating unit. And a magnetic field detection unit including a Hall element that relatively slides in the displacement direction and detects a magnetic field from the magnetic field generation unit while maintaining a constant operating distance and outputs an electric signal. Connects the two output terminals of the constant current driven Hall element to the two input terminals of the differential amplifier via the first resistor, respectively, and connects the two output terminals of each of the input terminals to the second input terminal of the differential amplifier.
And a magnetic switch circuit in which one of the second resistors is connected to the output terminal of the differential amplifier, and the temperature change amount of the output voltage appearing at the output terminal is below a predetermined value. A linear displacement sensor, wherein the first and second resistors are selected.
場発生部と、この磁場発生部に対して相対的にスライド
し磁場発生部からの磁場を検出するホール素子からなる
磁場検出部とから構成されたホール効果形位置センサに
おいて、上記磁場発生部は、第1の永久磁石と、この第
1の永久磁石のスライド方向に沿った両側に等しいギャ
ップを隔てて配置された、第1の永久磁石より長さ寸法
の小さい第2の永久磁石とから構成され、第1の永久磁
石の極性に対して第2の永久磁石の極性を逆極性となる
ように着磁してあり、上記磁場検出部は、定電流駆動さ
れるホール素子の2つの出力端子を夫々第1の抵抗を介
して差動増幅器の2つの入力端子に接続し、かつ該入力
端子の夫々に第2の抵抗を接続すると共に第2の抵抗の
1つを差動増幅器の出力端子に接続して成る磁気スイッ
チ回路を含み、上記出力端子に現れる出力電圧の温度変
化量が所定値以下となるように、前記第1及び第2の抵
抗を選定したことを特徴とするホール効果形位置セン
サ。5. A magnetic field generation unit composed of a permanent magnet that constitutes the object to be detected, and a magnetic field detection unit composed of a Hall element that slides relative to the magnetic field generation unit and detects the magnetic field from the magnetic field generation unit. In the Hall effect type position sensor having the above structure, the magnetic field generating unit includes a first permanent magnet and a first permanent magnet arranged at equal gaps on both sides of the first permanent magnet in a sliding direction of the first permanent magnet. It is composed of a second permanent magnet having a length smaller than that of the magnet, and is magnetized so that the polarity of the second permanent magnet is opposite to the polarity of the first permanent magnet. The section connects two output terminals of a constant current driven Hall element to two input terminals of a differential amplifier via a first resistance, and connects a second resistance to each of the input terminals. Together with one of the second resistors of the differential amplifier A hall including a magnetic switch circuit connected to an output terminal, wherein the first and second resistors are selected so that a temperature change amount of an output voltage appearing at the output terminal is equal to or less than a predetermined value. Effective position sensor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16902694A JPH0817311A (en) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | Two-wire type magnetic switch circuit using hall element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16902694A JPH0817311A (en) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | Two-wire type magnetic switch circuit using hall element |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH0817311A true JPH0817311A (en) | 1996-01-19 |
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Family Applications (1)
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JP16902694A Pending JPH0817311A (en) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | Two-wire type magnetic switch circuit using hall element |
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JP (1) | JPH0817311A (en) |
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