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JPH08154378A - スイッチング電源回路 - Google Patents

スイッチング電源回路

Info

Publication number
JPH08154378A
JPH08154378A JP6305725A JP30572594A JPH08154378A JP H08154378 A JPH08154378 A JP H08154378A JP 6305725 A JP6305725 A JP 6305725A JP 30572594 A JP30572594 A JP 30572594A JP H08154378 A JPH08154378 A JP H08154378A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
switching
circuit
supply circuit
switching power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6305725A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Yasumura
昌之 安村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP6305725A priority Critical patent/JPH08154378A/ja
Priority to US08/534,250 priority patent/US5640310A/en
Priority to DE69501245T priority patent/DE69501245T2/de
Priority to EP95306961A priority patent/EP0704958B1/en
Publication of JPH08154378A publication Critical patent/JPH08154378A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/22Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
    • H02M3/24Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/28Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
    • H02M3/325Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/338Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement
    • H02M3/3385Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only in a self-oscillating arrangement with automatic control of output voltage or current

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Rectifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 力率改善が図られている電流共振形のスイッ
チング電源回路において、更に回路の小型・軽量化及び
コストの削減及び、効率、レギュレーション特性等の回
路特性の向上を図る。 【構成】 絶縁トランスの一次巻線N1 及び共振コンデ
ンサC1 により形成される直列共振回路をブリッジ整流
回路D1 の正極出力ラインに対して接続する。また、L
CローパスフィルタのフィルタチョークコイルLN 及び
高速リカバリ型ダイオードD2 を平滑コンデンサCiに
対する充電経路に直列に挿入し、フィルタコンデンサC
N は平滑コンデンサCiの正極に対して接続する。更
に、チョークコイルCHに対して共振用コンデンサC2
を並列接続して並列共振回路を全波整流ラインに形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば力率改善が図ら
れている電流共振形のスイッチング電源に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、高周波の比較的大きい電流及び電
圧に耐えることができるスイッチング素子の開発によっ
て、商用電源を整流して所望の直流電圧を得る電源装置
としては、大部分がスイッチング方式の電源装置になっ
ている。スイッチング電源はスイッチング周波数を高く
することによりトランスその他のデバイスを小型にする
と共に、大電力のDC−DCコンバータとして各種の電
子機器の電源として使用される。
【0003】ところで、一般に商用電源を整流すると平
滑回路に流れる電流は歪み波形になるため、電源の利用
効率を示す力率が損なわれるという問題が生じる。ま
た、歪み電流波形となることによって発生する高調波を
抑圧するための対策が必要とされている。電源の力率を
改善するためには、例えばチョークインプット方式の整
流回路を使用することが最も簡単であり、電磁ノイズの
対策(EMI)の上でも好ましい。また、スイッチング
電源の断続電圧を利用して、平滑コンデンサの平均的な
充電電圧を低下し、整流素子の導通角を広げて力率の改
善を計るMagnet−Switch方式(以下、MS
方式という)が考えられている。
【0004】そして、上記MS方式の力率改善手段を電
流共振形コンバータによるスイッチング電源回路に応用
した発明が、先に本出願人により提案されており(特願
平6−210740)、図16は、この発明に基づいて
構成されるスイッチング電源回路の一例を示す回路図で
あり、この場合にはハーフブリッジによる他励式の電流
共振形コンバータとされている。
【0005】この図においてACは商用の交流電源を示
している。この交流電源ACに対してはフィルタチョー
クコイルLN 及びフィルタコンデンサCN のインピーダ
ンス素子より構成されるLCローパスフィルタが設けら
れており、これはスイッチング周波数の高周波ノイズが
ACラインに流入するのを阻止するためのものとされ
る。D1 は4本のダイオードからなるブリッジ整流回路
とされ、入力された交流電源ACについて全波整流を行
う。なお、破線で示す2本の整流ダイオードについて
は、いわゆる高速リカバリ型(DFRとして示す)が用い
られており、これは全波整流出力ラインに後で述べるス
イッチング周期の高周波電流が流れることによる。この
全波整流出力はチョークコイルCH、三次巻線N3 を介
して平滑コンデンサCiに充電される。
【0006】Q1 、Q2 はハーフブリッジ型のスイッチ
ング回路を形成するスイッチング素子で、この場合には
MOS−FETトランジスタとされ、図のように平滑コ
ンデンサCiの正極側とアース間に対してそれぞれ直列
に接続されている。 これらスイッチング素子Q1 、Q
2 は発振ドライブ回路2により交互にオン/オフとなる
ようなスイッチング動作が行われるよう駆動される。な
お、スイッチング素子Q1 、Q2 に対してそれぞれ並列
して設けられるDD1、DD2はそれぞれスイッチングオフ
時の電流経路を形成するクランプダイオードを示す。3
は起動回路を示しており、例えば電源オン時に平滑コン
デンサCiに対して充電が開始されて充電電圧が現れる
と動作して、発振ドライブ回路2を起動させる。
【0007】PITはスイッチング素子Q1 、Q2 のス
イッチング出力を二次側に伝送するための絶縁トランス
で、この絶縁トランスPITの一次巻線N1 の一端は共
振コンデンサC1 を介してスイッチング素子Q1 、Q2
のソース・ドレインの接続点に接続され、他端はアース
に対して接地されている。そして、これら共振コンデン
サC1 及び一次巻線N1 を含む絶縁トランスPITのイ
ンダクタンス成分により直列共振回路を形成している。
また、ここでは一次巻線N1 が巻き上げられて巻線N4
が形成され、この巻線N4 に対して、図のようにダイオ
ードD4 とコンデンサC4 からなる整流平滑回路が接続
され、ここで得られる直流が起動回路3に供給されるよ
うになっている。
【0008】また、この絶縁トランスPITには三次巻
線N3 が巻回されており、この三次巻線N3 に誘起され
るスイッチング電圧V3 がチョークコイルCH及び平滑
コンデンサCi 間に供給されている。すなわち平滑コン
デンサCi の充電路にスイッチング電圧が供給されるよ
うに構成されている。したがって整流された全波整流電
圧は、チョークコイルCHを通過した後、スイッチング
電圧が重畳され平滑用のコンデンサCi に充電される。
【0009】絶縁トランスPITの二次側では、一次巻
線N1 により二次巻線N2 の誘起電圧がブリッジ整流回
路D3 及び平滑コンデンサC3 、により直流電圧に変換
されて出力電圧E0 とされる。制御回路1は二次側の直
流電圧出力E0 と基準電圧を比較して、その誤差に応じ
た制御信号を発振ドライブ回路2に供給する。発振ドラ
イブ回路2ではこの制御信号に基づいて、例えばスイッ
チング周波数が可変され、これにより定電圧制御が行わ
れる。
【0010】このスイッチング電源回路の構成では、一
次巻線N1 に共振電流が流れる絶縁トランスPITに三
次巻線N3 が設けられていることで、この三次巻線N3
に励起されたスイッチング電圧が平滑用のコンデンサC
iの充電路に供給されて整流電圧に重畳される。したが
って、ブリッジ整流回路D1 から流出する電流の流通角
が拡大して、その平均値は正弦波に近い充電電流にな
る。その結果、商用交流電源から供給された交流電流は
高調波歪みが少なくなり、力率が向上することになる。
なお、整流回路から流出する電流I1 はスイッチング周
期で寸断され不連続的に流れることになるから、例えば
ブリッジ整流回路D1 のうちいずれか2つのダイオード
について高速リカバリ型を使用することが要請される。
この図では、破線DFRで示す正極出力側の2本のダイオ
ードが高速リカバリ型とされている。
【0011】また、先に本出願人により、絶縁トランス
の一次側あるいは二次側からスイッチング出力に応じた
電圧をチョークコイルに励起するようにした磁気結合ト
ランスを設けて、これによりブリッジ整流回路の整流出
力にスイッチング周期の電圧を重畳することで力率改善
を図るようにされたスイッチング電源回路が提案されて
いる(特願平6−192737)。これによれば上記図
16に示した回路よりも整流平滑電圧Viの変動を容易
に抑制することが可能となる。
【0012】図17は、上記磁気結合トランスを備えて
構成されるスイッチング電源回路の一例を示す回路図で
ある。この場合には、スイッチング素子Q1 ,Q2 にト
ランジスタを用いた、ハーフブリッジタイプの自励式電
流共振形によるものとされ、図16と同一部分は同一符
号を付して説明を省略する。
【0013】この回路のスイッチング素子Q1 、Q2
は、平滑コンデンサCiの正極側の接続点とアース間に
対してそれぞれのコレクタ、エミッタを介して接続され
る。また、抵抗R6 、R6 は起動抵抗を、またスイッチ
ング素子Q1 、Q2 の各ベース−エミッタ間に挿入され
るDD1、DD2はそれぞれダンパーダイオードを示す。ま
た、抵抗R5 、R5 はそれぞれ、スイッチング素子Q
1 、Q2 のベース電流(ドライブ電流)調整用抵抗を示
している。そして、C5 、C5 は共振用のコンデンサで
あり、次に説明するドライブトランスPRTの駆動巻線
B 、NB と共に、自励発振用の共振回路を形成してい
る。
【0014】PRTはスイッチング素子Q1 、Q2 のス
イッチング周波数を可変制御するドライブトランスを示
し、この図の場合には駆動巻線NB 、NB 及び共振電流
検出巻線ND が巻回され、更にこれらの各巻線に対して
制御巻線NC が直交する方向に巻回された直交型の可飽
和リアクトルとされている。このドライブトランスPR
Tのスイッチング素子Q1 側の駆動巻線NB の一端はコ
ンデンサC5 に、他端はスイッチング素子Q1 のエミッ
タに接続される。また、スイッチング素子Q2 側の駆動
巻線NB の一端はアースに接地され、他端はコンデンサ
5 と接続されて、スイッチング素子Q1 の前記駆動巻
線NB と逆の極性の電圧が出力されるようになされてい
る。また、電流検出巻線ND はその一端が磁気結合トラ
ンスMCTの一次巻線N3 と接続され、他端は共振コン
デンサC1 を介して絶縁トランスPITの一次巻線N1
に対して接続される。
【0015】PITはスイッチング素子Q1 、Q2 のス
イッチング出力を二次側に伝送するための絶縁トランス
で、この絶縁トランスPITの一次巻線N1 の一端は共
振コンデンサC1 を介して電流検出巻線ND と直列に接
続され、他端はアースに対して接地されている。そし
て、これら共振コンデンサC1 及び一次巻線N1 を含む
絶縁トランスPITのインダクタンス成分により共振回
路を形成している。二次側では、一次巻線N1 に流れる
スイッチング出力により、二次巻線N2 誘起される誘起
電圧が、ブリッジ整流回路D3 及び平滑コンデンサC3
により直流電圧に変換されて出力電圧E0 として出力さ
れる。制御回路1は、例えば二次側の直流電圧出力EO
と、基準電圧を比較してその誤差に応じた直流電流を、
制御電流としてドライブトランスPRTの制御巻線NC
に供給する。
【0016】この図において、MCTが磁気結合トラン
スとされる。この磁気結合トランスMCTは先の図16
においてチョークコイルCHに相当する二次巻線Ni
(Liは自己インダクタンスを示す)と、絶縁トランス
PITの三次巻線に相当する巻線N3 (インダクタンス
3 )を一次巻線として、フェライトコアによって例え
ば1:1の巻線比で密結合したものである。なお、ここ
では磁気結合トランスMCTの一次巻線N3 は、絶縁ト
ランスPITの一次巻線N1 に対して共振コンデンサC
1 及び電流検出巻線ND を介して直列に接続されてい
る。
【0017】上記構成のスイッチング電源のスイッチン
グ動作としては、先ず商用交流電源が投入されると、例
えば起動抵抗R6 、R6 を介してスイッチング素子Q
1 、Q2 のベースにベース電流が供給されることになる
が、例えばスイッチング素子Q1 が先にオンとなったと
すれば、スイッチング素子Q2 はオフとなるように制御
される。そしてスイッチング素子Q1 の出力として、電
流検出巻線ND →コンデンサC1 →一次巻線N1 →に共
振電流が流れるが、この共振電流が0となる近傍でスイ
ッチング素子Q2 がオン、スイッチング素子Q1 がオフ
となるように制御される。そして、スイッチング素子Q
2 を介して先とは逆方向の共振電流が流れる。以降、ス
イッチング素子Q1 、Q2 が交互にオンとなる自励式の
スイッチング動作が開始される。このように、平滑コン
デンサCi の端子電圧を動作電源としてスイッチング素
子Q1 、Q2 が交互に開閉を繰り返すことによって、絶
縁トランスの一次側巻線N1 に共振電流波形に近いドラ
イブ電流を供給し、二次側の巻線N2 に交番出力を得
る。
【0018】また、二次側の直流出力電圧(EO )が低
下した時は制御回路1によって制御巻線NC に流れる電
流が制御され、スイッチング周波数が低くなるよう(共
振周波数に近くなるように)にされて、一次巻線N1
流すドライブ電流が増加するように制御して定電圧化を
図っている。
【0019】そして、力率改善動作としては磁気結合ト
ランスMCTにより、絶縁トランスPITに流れる共振
電流に対応するスイッチング電圧を、一次巻線N3 によ
り二次巻線Niの自己インダクタンスLiに励起するよ
うにしている。したがって整流された全波整流電圧は、
自己インダクタンスLiの巻線Niでスイッチング電圧
が重畳されて平滑用のコンデンサCiに充電されること
になり、このスイッチング電圧の重畳分によって、平滑
コンデンサCiの端子電圧をスイッチング周期で引き下
げることになる。すると、ブリッジ整流回路の整流電圧
レベルよりコンデンサCiの端子電圧が低下している期
間に充電電流が流れるようになり、この期間がゼロボル
ト近傍にまでおよぶように、上記磁気結合トランスMC
Tの巻数等を設定することによって力率が1に近い値を
示すことになる。すなわち、平均的な交流入力電流がA
C電圧波形と同様になって力率改善が図られる。
【0020】そして、磁気結合トランスを用いた電源回
路では、軽負荷時に絶縁トランスPITのドライブ電流
が小さくなるから、このドライブ電流によって磁気結合
トランスMCTの二次側に誘起されるスイッチング信号
も小さいものになる。したがって、軽負荷時には充電電
流のレベルが小さくなり、重負荷時には充電電流が大き
くなるため、特に軽負荷時に平滑コンデンサCiの端子
電圧が異常に上昇する現象を解消し、通常のMS方式で
は困難だったレギュレーションの改善を行うことができ
る。このため、例えば交流入力電圧VAC±20%の変動
に対しても整流平滑電圧Viの変動は抑制されるので、
スイッチング素子Q1 、Q2 および平滑コンデンサCi
等の耐圧向上を図る必要はなくなる。
【0021】また、図18の回路図は、上記図17と同
様に磁気結合トランスを備えて構成されるハーフブリッ
ジタイプの自励式電流共振形のスイッチング電源回路の
一例を示すものであり、図17と同一部分は同一符号を
付して説明を省略する。この回路例では、ドライブトラ
ンスはスイッチング素子Q1 、Q2 を所定のスイッチン
グ周波数で駆動するCDT(Converter Drive Transfor
mer )とされ、一次側のスイッチング出力を二次側に伝
送するコンバータトランスは、制御巻線NC が直交して
設けられた絶縁トランスPRT(Power Regulation Tra
nsformer)とされ、制御回路1から直流電圧EO に応じ
た制御電流を制御巻線NC に供給して、絶縁トランスP
RTの飽和特性を変化させて、トランスの漏洩磁束をコ
ントロールすることで定電圧制御を図っている(直列共
振周波数制御方式ともいう)。そして、この回路での磁
気結合トランスMCTの一次巻線N3 は、絶縁トランス
PRTの二次側の巻線N4 の両端と接続されて、二次巻
線N4 に励起されるスイッチング周期の電圧が供給され
るように構成されている。このように構成しても磁気結
合トランスMCTの動作により図17で説明したと同様
の力率改善がなされる。なお、二次巻線N4 にはダイオ
ードD4 、D5 及びコンデンサC4 より形成される両波
整流平滑回路が接続されて、直流出力電圧E1 が供給可
能となっている。
【0022】ここで図19の斜視図により、上記図1
7、図18に用いられる磁気結合トランスMCTの構造
例を示す。この場合には、フェライト材によるE型コア
R1、CR2を互いの磁脚が対向するように組み合わせた
EE型コアを形成し、この際、中央磁脚には図のように
ギャップGを形成している。そして、この中央磁脚に対
して一次巻線Ni、二次巻線N3 をそれぞれ巻装して磁
気結合トランスが構成される。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】ただし、図17に示し
た回路では200W以上の重負荷に対応する場合には磁
気結合トランスにある程度のサイズが必要とされ小型化
が難しくなる。また、図18に示した回路においては、
磁気結合トランスMCTの一次巻線Niは絶縁トランス
PRTの一次側の回路素子とされるのに対して、二次巻
線N3 は絶縁トランスPRTの二次側の低圧出力用巻線
4 と接続されていることから、磁気結合トランスMC
Tにおいては一次巻線Niと二次巻線N3 との絶縁距離
を確保して巻装する必要があるため、同様に小型とする
ことが難しい。
【0024】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、例えば
力率改善が図られている電流共振形のスイッチング電源
回路において、回路の小型・軽量化及びコストの削減を
さらに実現していくことを目的とする。また、電源回路
としてはその電気的特性も向上が図られることが好まし
い。
【0025】このため、商用電源を整流する整流回路
と、この整流回路の出力を平滑するチョークコイル及び
平滑コンデンサからなる平滑回路と、この平滑回路より
出力される電圧を断続するスイッチング回路部と、絶縁
トランスの一次巻線及び共振コンデンサにより形成さ
れ、スイッチング回路部のスイッチング出力が供給され
る共振回路とを備えている電流共振形のスイッチング電
源回路において、共振回路は、その共振出力が上ョーク
コイルに重畳されるように、整流回路と平滑回路間のラ
インに対して接続して構成することとした。
【0026】そして、整流回路の出力側に対してノーマ
ルモードのローパスフィルタを設け、このローパスフィ
ルタのフィルタチョークコイル及び高速リカバリ型のダ
イオードを、チョークコイルと共に平滑コンデンサに対
する充電経路に直列に挿入し、この際、ローパスフィル
タを形成するフィルタコンデンサは、平滑コンデンサの
正極間に対して接続して構成することとした。また、共
振コンデンサを分割して整流回路の出力側に接続して力
率の設定調整を可能とした。また、自励式の場合であれ
ば、絶縁トランスの二次側で得られる直流出力電圧に基
づいて、スイッチング回路部のスイッチング周波数を可
変する、あるいは絶縁トランスの磁束を可変して定電圧
制御を行うように構成することとした。また、スイッチ
ング回路部は他励式による電流共振形コンバータとし
て、絶縁トランスの二次側で得られる直流出力電圧に基
づいて、スイッチング駆動信号を可変させることにより
定電圧制御を行うように構成することとした。さらにス
イッチング回路部としては、ハーフブリッジ式あるいは
フルブリッジ式のいずれでも上記したような構成を適用
するすることが可能とされる。
【0027】
【作用】本発明のスイッチング電源回路におけるチョー
クコイルは、磁気結合トランスの二次巻線が省略された
ものと等価なものとして考えることができるが、これに
よりチョークコイルを構成するトランスの小型化が可能
となる。また、磁気結合トランスの二次巻線の省略によ
りそれだけトランスにおける電力損失が低減される分、
効率も向上する。また、LCローパスフィルタ及び高速
リカバリ型ダイオードを整流回路の出力側に設けること
で、LCローパスフィルタのフィルタチョークコイルと
高速リカバリ型ダイオード、チョークコイルが有する抵
抗成分の合成によりサージ電流を抑制するようにするこ
とが可能となり、これによりACラインに突入電流制限
抵抗を挿入する必要がなくなる。LCローパスフィルタ
のフィルタコンデンサが、例えばフィルタチョークコイ
ルと高速リカバリ型ダイオードの接続点と平滑コンデン
サの正極間に対して接続されることで、フィルタコンデ
ンサの両端にかかる電圧をACラインに挿入している場
合よりも低減させることが可能となる。また、分割した
直列共振コンデンサを介して整流回路の出力側と一次巻
線を接続するようにすると、分割した共振コンデンサの
容量を変更して力率を可変設定することが可能となる。
更に、チョークコイルのインダクタンスとにより並列共
振回路あるいは直列共振回路が形成されるように共振用
のコンデンサを設けることで、交流入力電圧が高くかつ
軽負荷時の整流平滑電圧の上昇を抑制することが可能に
なる。また、上記してきた構成を倍電圧整流回路を備え
た電源回路に適用することが可能とされる。
【0028】
【実施例】図1は本発明のスイッチング電源回路の一例
を示すものとされ、この場合にはハーフブリッジ式によ
る自励式電流共振形とされる。なお、図17と同一部分
は同一符号を付して説明を省略する。この実施例の回路
においては、ブリッジ整流回路D1 の整流出力と平滑コ
ンデンサCiの正極間に挿入された巻線Niを備えて構
成されるチョークコイルCHが設けられている。そし
て、絶縁トランスPITの一次巻線N1 は、その一端が
共振コンデンサC1 と電流検出巻線ND を介してスイッ
チング素子Q1 、Q2 のエミッタ−コレクタの接続点に
対して接続されており、他端はアースに接続される代わ
りに、チョークコイルCHとブリッジ整流回路D1 の全
波整流出力の間の接続点に対して接続される。
【0029】つまり、この回路構成は図17に示した磁
気結合トランスMCTにおいて巻線比1:1で結合され
ている一次巻線N3 及び二次巻線Niのうち、一次巻線
3を省略して、絶縁トランスの一次巻線N1 及び共振
コンデンサC1 の直列共振回路を全波整流出力ラインの
チョークコイルCHに対して接続するような構成となる
ものである。この回路では、絶縁トランスPITの一次
巻線N1 に流れる共振電流に対応するスイッチング出力
が直接、チョークコイルCHにおける二次巻線Niの自
己インダクタンスLiに加わるように形成し、これによ
って、全波整流電圧にスイッチング電圧が重畳されて平
滑用コンデンサCiに充電されることになる。従って、
力率改善が図17において説明したとの同様の作用によ
って生じ、その効果も同等とされる。
【0030】図2の回路図は他の実施例とされる本発明
のスイッチング電源回路の構成例とされ、図1と同一部
分は同一符号を付して説明を省略する。この図2の回路
では、先ずブリッジ整流回路D1 を形成するダイオード
はすべて低速リカバリ型を用いている。このためブリッ
ジ整流回路D1 としては1パッケージの部品を用いて回
路サイズの小型化及び低コスト化を図ることが可能であ
る。そして、ここではフィルタチョークコイルLN 及び
フィルタコンデンサCN からなるLCローパスフィルタ
回路を、ブリッジ整流回路D1 の整流出力側に設けるよ
うにしている。つまり、ブリッジ整流回路の整流出力端
子とチョークコイルCHの間のラインに対して、ダイオ
ードD2 と直列に接続されたフィルタチョークコイルL
N が挿入されると共に、フィルタコンデンサCN はフィ
ルタチョークコイルLN とダイオードD2 の接続点と平
滑コンデンサCiの正極の間に挿入される。ここで、ダ
イオードD2 は高速リカバリ型のダイオードとされ、図
のようにフィルタチョークコイルLN 側にアノードを接
続し、巻線Ni側にカソードを接続することで、スイッ
チング周期の高周波がACライン側に流入するのを阻止
するものである。
【0031】このような構成によれば、ブリッジ整流ダ
イオードの整流出力端子と平滑コンデンサCi間のライ
ンに、フィルタチョークコイルLN 、高速リカバリ型ダ
イオードD2 、巻線Niが直列に接続されて挿入されて
いることになるが、これら素子の各抵抗成分を合成して
得られる値を、電源オン時の突入電流を所要のレベルに
まで抑制することのできるようなものに設定すること
で、通常ACラインに挿入される突入電流制限抵抗Ri
を省略することが可能となり、また、電力消費が上記各
素子の抵抗成分により分散されるため、発熱も抑えられ
る。
【0032】また、フィルタコンデンサCN の一端は直
接アースに接地せずに、図のように平滑コンデンサCi
の正極に接続することができるが、これによりフィルタ
コンデンサCN 両端にかかる電圧はACライン側に挿入
されている場合よりも非常に低いものとすることができ
るため、例えば安全規格取得品を採用する必要がなくな
り通常の部品を採用すれば充分対応可能となりサイズ、
コストの点で有利となる。
【0033】ここで図3に、上記図1及び図2に示した
回路に用ることのできるチョークコイルCHの構造例を
斜視図により示す。この場合のコアは、図19に示した
磁気結合トランスMCTの場合と同様にフェライト材に
よるE形コアCR1、CR2を図のように組み合わせてなる
EE形コアとされ、中央磁脚にはギャップGが形成され
る。そして、この場合には巻線Niのみが巻装されてチ
ョークコイルCHが構成される。
【0034】このため、同一の負荷条件であれば、上記
図1及び図2に示した実施例のチョークコイルCHは、
磁気結合トランスMCTよりも小型かつ軽量に構成する
ことが可能であり、これにより、実際の図1及び図2の
構成による回路装置のサイズは、図16〜図18等に示
した回路よりもコンパクトにすることができる。更に、
図2のスイッチング電源回路では、前述したようにAC
ラインの突入電流制限抵抗の省略や、整流ブリッジ回路
のパッケージ化、フィルタコンデンサLN の通常耐圧品
の使用などが可能となることによって、図1の回路より
更に基板サイズの小型化・低コスト化が図られる。
【0035】図4は、図2のスイッチング電源回路の各
部の動作を示す波形図であり、例えば0.85の力率が
得られるように構成した場合のものとされる。例えば、
図4(a)に示すように交流入力電圧VACが供給される
と、ブリッジ整流回路の全波整流出力電圧V1 は、図4
(b)に示す波形となり、この際、全波整流出力ライン
の電流I1 は図4(c)に示すように流れる。この電流
1 は高速リカバリ型ダイオードD2 を介して図のよう
にスイッチング周期の高周波が重畳された状態で流れて
いる。このとき、図4(f)のように共振コンデンサC
1 、一次巻線N1 を介した共振電流I0 が平滑コンデン
サCiへの充電ラインに流れることから、この充電ライ
ンにおいてチョークコイルの巻線Niを介して流れる電
流I2 は図4(d)に示すようになり、休止期間に共振
電流I0 の成分が帰還されている。なお、この際LCロ
ーパスフィルタのフィルタコンデンサCNを介して平滑
コンデンサCiからアースへ流れようとする高周波電流
3 は図4(e)に示される。これにより、実際に平滑
コンデンサCiに流れるスイッチング周期の電流I4
図4(g)に示す波形となる。また、平滑コンデンサC
iの端子電圧V1 を図4(h)に示す。そして交流電源
ACに流れる交流入力電流IACは、図4(i)に示す波
形とされ、例えば実際には力率が0.85とされる程度
に導通角が拡大されている。
【0036】図5は、本発明の更に他の実施例のスイッ
チング電源回路を示す回路図であり、この場合にはハー
フブリッジタイプの他励式による電流共振形とされる。
なお、図1、図2及び図16と同一部分については同一
符号を付して説明を省略する。この場合には他励式とさ
れているため、絶縁トランスの一次巻線N1 は共振コン
デンサを介して、MOS−FETであるスイッチング素
子Q1 、Q2 のソース−ドレインの接続点に対して接続
されて、スイッチング電流が共振回路に流れるようにさ
れる。また、この実施例においても図2の場合と同様
に、LCローパスフィルタはブリッジ整流回路D1 の出
力側に設けられているが、ここでは、高速リカバリ型ダ
イオードD2 とチョークコイルCHの接続順が、図2の
場合とは逆とされている。このような接続形態でも、図
2に示したと同様の作用により力率改善が図られ、ま
た、ACラインの突入電流制限抵抗も同様に省略可能で
ある。なお、この回路では絶縁トランスに設けた三次巻
線N3 、ダイオードD4 、コンデンサC4 により低圧の
直流電圧を得て起動回路3に供給している。
【0037】図6は、更に他の実施例として、ハーフブ
リッジタイプの自励式による電流共振形のスイッチング
電源回路を示しており、図2、図5及び図18と同一の
構成部分は同一符号を付して説明を省略する。この図に
おいては、直列に接続された2つの共振コンデンサ
1A、C1Bが、高速リカバリ型ダイオードD2 と並列に
接続され、絶縁トランスの一次巻線N1 の一端が共振コ
ンデンサC1A、C1Bの接続点に対して接続されている。
そして、共振コンデンサC1A、C1Bは、例えば先に示し
た各図における共振コンデンサC1を分割したものとさ
れ、そのキャパシタンスについて C1 =C1A+C1B となるようにされている。この回路構成では、共振コン
デンサC1A、C1Bのキャパシタンスを変化させること
で、力率を可変設定することができ、例えば共振コンデ
ンサC1Aの値を増加させ、共振コンデンサC1Bの値を減
少させるようにすると力率が向上するようにされる。あ
るいは、チョークコイルCHのインダクタンスLiを変
化させても力率を可変設定可能で、このように本実施例
では容易に力率を任意設定することができる。
【0038】図7は、フルブリッジタイプの自励式によ
る電流共振形コンバータのスイッチング電源回路として
構成される更に他の実施例の回路図であり、図のように
スイッチング素子Q3 、Q4 とこれらスイッチング素子
3 、Q4 の駆動をするための抵抗R5 、R6 、コンデ
ンサC5 、駆動巻線NB 、ダンパーダイオードDD3、D
D4等が設けられている。なお、他の図2と同一部分は同
一符号を付して説明を省略する。この図において、共振
コンデンサC1 は上述の図6と同様に、共振コンデンサ
1A、C1Bに分割されている。そして、共振コンデンサ
1AはチョークコイルCHと高速リカバリ型ダイオード
2 の接続点と一次巻線N1 との間に挿入され、共振コ
ンデンサC1Bは、チョークコイルCHと高速リカバリ型
ダイオードD2 の接続点と電流検出巻線ND (この場
合、電流検出巻線ND はスイッチング素子Q1 の駆動巻
線NB を巻上げて形成している)との間に挿入されてい
る。この構成においても、共振コンデンサC1A、C1B
キャパシタンスを変化させる、あるいは、チョークコイ
ルCHのインダクタンスLiを変化させることで力率を
任意設定することは可能である。
【0039】図8は、更に他の実施例とされるハーフブ
リッジタイプの自励式電流共振形によるスイッチング電
源回路の回路図であり、図2と同一部分は同一符号を付
して、スイッチング動作、定電圧制御及び力率改善動作
については説明を省略する。この実施例では先に図2に
示したスイッチング電源回路に対して、チョークコイル
CHに並列に接続される並列共振コンデンサC2 を設け
て、上記チョークコイルCHの自己インダクタンスLi
と共に所要の共振周波数を有するようにされた並列共振
回路を形成するように構成されている。
【0040】ここで、図9(a)は上記図8に示したス
イッチング電源回路の等価回路とされる。この回路にお
いてiACはスイッチングされることによって一次巻線に
流れる交流電流源を示し、絶縁トランスPITの一次側
では、この交流電流源iACに対して直列共振コンデンサ
1 、一次巻線N1 、インダクタンスLi(チョークコ
イルCH)を直列接続した閉回路が形成されて、インダ
クタンスLiには並列共振コンデンサC2 が並列接続さ
れる。また、絶縁トランスPITの二次側巻線N2 に接
続されているRL は負荷抵抗を示す。なお、V2 はイン
ダクタンスLi及び並列共振コンデンサC2 の並列回路
の両端に得られる交流電圧を示す。そして図9(b)
は、上記図9(a)の等価回路に基づいて得られる、交
流電圧V2 の交流電流源iACの周波数に対する特性を示
すもので、直線Aは並列共振コンデンサC2 が設けられ
ていない場合(このときには交流電圧V2 はインダクタ
ンスLiの両端に発生する電圧となる)の特性を、曲線
Bは並列共振コンデンサC2 =0.056μFの場合の
特性を、曲線Cは並列共振コンデンサC2 =0.1μF
の場合の特性をそれぞれ示している、なお、インダクタ
ンスLiは200μHに設定されているものとする。
【0041】ところで、図8に示すスイッチング電源回
路においては、前述のようにドライブトランスPRTに
よりスイッチング周波数を変化させることによって出力
電圧E0 の定電圧化を図るが、このような回路構成で
は、例えば交流入力電圧VACが高い場合又は負荷電力の
減少したときには、スイッチング周波数は高くなるよう
に制御される。ここで、上記図9(b)から分かるよう
に、並列共振コンデンサC2 が設けられていない場合に
は交流電流源iACの周波数の上昇、即ち、スイッチング
周波数の上昇に伴ってインダクタンスLi(チョークコ
イルCH)両端の交流電圧V2も上昇するが、曲線Bあ
るいは曲線Cに示すように並列共振コンデンサC2 が設
けられて共振回路が形成されると、スイッチング周波数
の上昇に伴って、Li及びC2 の並列共振回路の両端の
交流電圧V2 は低下していくようにされる。従って、図
8に示したスイッチング電源回路では、例えば図9
(b)における曲線Bの特性が得られる並列共振コンデ
ンサC2 (=0.056μF)を設けることで、交流入
力電圧VACの上昇時および軽負荷時における、整流平滑
電圧Viの上昇を抑制するように制御することができ
る。
【0042】ここで図10は、軽負荷時における交流入
力電圧VACに対する整流平滑電圧Viの特性を示すもの
で、直線Dは図8に示したスイッチング電源回路の特性
を示し、直線Eは例えば先に図17に示したと同様のス
イッチングコンバータの構成で、力率改善を図っていな
いスイッチング電源回路の特性を示す。この図に示すよ
うに、図8のスイッチング電源回路は力率改善前の回路
に比べ、交流入力電圧VACの変化に対する整流平滑電圧
Viの変化率が小さくなっており、また、交流入力電圧
ACの上限値(300V付近)は力率改善前の回路と同
程度に抑制されている。
【0043】例えば、先に図17に示したようなスイッ
チング電源回路により欧州向けのものを構成する際に、
交流入力電圧に対して±20%の変動を保証しようとす
ると、欧州では交流入力電圧VAC=220Vと240V
の地域が混在することから、交流入力電圧VAC=220
V/±20%の保証、つまり交流入力電圧VAC=288
Vまでを保証することになる。この際、図17に示した
回路では交流入力電圧VAC=288V、軽負荷(負荷電
力1W)時の整流平滑電圧Viは、具体的には力率改善
を図る前より43V程度上昇して448V程度となるた
め、平滑コンデンサCiに用いる電解コンデンサ、スイ
ッチング素子Q1 、Q2 などについて400Vから45
0V以上に耐圧性を向上した部品を選定し、直列共振コ
ンデンサC1 については800Vから1200Vに向上
した耐圧品を選定することになる。これに対して、本実
施例では図10に示したような特性が得られることか
ら、平滑コンデンサCiに用いる電解コンデンサ、スイ
ッチング素子Q1 、Q2 、及び直列共振コンデンサC1
などに高耐圧性能を要求しなくてもよいことになり、例
えば力率改善前の回路で用いていたのと同等の規格の部
品で構成することが可能となり、力率改善を図りながら
も更にコストの低下を実現することが可能となる。
【0044】図11に示す整流平滑回路部は、図8に示
したスイッチング電源回路の変形例を示すもので、この
図に示される以外の回路部分は図8に示した構成と同様
でよいものとされることから図示を省略している。ま
た、この図において図8と同一部分は同一符号を付して
説明を省略する。
【0045】この場合には、チョークコイルCHの一端
と平滑コンデンサCiの正極間に共振コンデンサC2S
挿入される。これにより、全波整流ラインに対して、共
振コンデンサC2SとチョークコイルCHのインダクタン
スLiとにより形成される直列共振回路が設けられるこ
とになる。そして、共振コンデンサC2Sとチョークコイ
ルCHの直列共振回路に対して並列にダイオードD2A
接続される。このダイオードD2Aは、スイッチング帰還
出力を整流することによって、連続した電流で平滑コン
デンサCiを充電する連続モードを形成する。
【0046】この連続モード型の力率改善回路もスイッ
チング周波数が変化した時は、図9(b)に示したと同
様の特性が得られるため、交流入力電圧上限、軽負荷時
の整流平滑電圧Viの上昇を抑制することが可能になっ
て、図8に示したスイッチング電源回路と同様の効果を
得ることができる。
【0047】また、図12に示す整流平滑回路部も、図
8に示したスイッチング電源回路の変形例を示すものと
され、図11に示した2つのダイオードD2 、D2Aが1
個で実現されるように改良したものでとされる。この図
に示される以外の回路部分は図示を省略し、また、この
図において図8と同一部分は同一符号を付して説明を省
略する。この場合には、チョークコイルCHの一端と平
滑コンデンサCiの正極間に共振コンデンサC2Sが挿入
される。また、チョークコイルCHに対してはタップ出
力端子が設けられ、このタップ出力端子には高速リカバ
リ型ダイオードD2 のアノードが接続され、カソードは
平滑コンデンサCiの正極間に対して接続される。な
お、絶縁トランスPITの一次巻線N1 はタップ出力端
子と高速リカバリ型ダイオードダイオードD2 のアノー
ドの接続点に対して接続されて、全波整流ラインにスイ
ッチング出力を供給するようにされる。従って、この場
合には整流平滑ラインに対して、共振コンデンサC2
インダクタンスLi及びL4 により形成される直列共振
回路が設けられたことになるが、このような構成とされ
ても図11に示した回路と同様に、図9(b)に示した
と同様の特性が得られて、交流入力電圧上限、軽負荷時
の整流平滑電圧Viの上昇を抑制するようにすることが
できる。
【0048】また、本発明は倍電圧整流回路を備えて構
成されるスイッチング電源回路に対しても適用が可能で
あり、これまで述べてきた先の各実施例と同様の効果が
得られるようにすることが可能とされる。以下、図13
〜図15により倍電圧整流回路を備えたスイッチング電
源回路の実施例について説明する。
【0049】図13の回路図に倍電圧整流回路を備えた
スイッチング電源回路の実施例の構成を示す。この場合
にはスイッチングコンバータは自励式による電流共振形
とされ、また、ドライブトランスはPRTとして構成さ
れてスイッチング周波数制御による定電圧方式を採るも
のとされていることから、図2と同一部分は同一符号を
付して説明を省略する。この図においては、交流電源A
Cに対してLCローパスフィルタ(LN ,CN)が設け
られている。そして、交流電源ACの一方の極はフィル
タチョークコイルLN 、チョークコイルCHの直列接続
を介して、整流ダイオードD11のアノードとD12のカソ
ードの接続点に対して接続され、他方の極は平滑コンデ
ンサCiA ,CiB の接続点に対して接続されている。
この平滑コンデンサCi1 、Ci2 は図のように整流平
滑ラインとアース間に対して直列に接続される。また、
整流ダイオードD11のカソード側は平滑コンデンサCi
A の正極に接続され、整流ダイオードD12のアノードは
アースに接続される。また、この実施例の場合には、絶
縁トランスPITの一次巻線N1 の一端を、チョークコ
イルCHと整流ダイオードD11とD12のアノード・カソ
ードの接続点に接続して、ACライン側にスイッチング
出力が重畳されるようにしている。これに対応して、本
実施例では整流ダイオードD11及びD12については高速
リカバリ型を用いている。
【0050】このスイッチング電源回路の倍電圧動作と
しては、交流電源ACが正の期間の充電経路は、交流電
源AC→フィルタチョークコイルLN →チョークコイル
CH→整流ダイオードD11→平滑コンデンサCiA →交
流電源ACとなり、平滑コンデンサCiA に対して充電
が行われる。また、交流電源ACが負の期間の充電経路
は、交流電源AC→平滑コンデンサCiB →整流ダイオ
ードD12→チョークコイルCH→フィルタチョークコイ
ルLN →交流電源ACとなって、平滑コンデンサCiB
に充電される。これによって、整流平滑電圧としては、
平滑コンデンサCiA とCiB のそれぞれの両端電圧を
合わせた、倍電圧が得られることになる。そしてこの実
施例では、上記充電電流が流れる経路に対して、前述の
ようにチョークコイルCHと整流ダイオードD11(アノ
ード),D12(カソード)の接続点を介してスイッチン
グ出力が重畳されることから、図2にて説明したと同様
の作用によって力率改善が図られることになる。
【0051】図14は倍電圧整流回路を備えたスイッチ
ング電源回路の他の実施例の構成を示す回路図とされ、
図2、図6及び図13と同一部分は同一符号を付して、
スイッチング動作、倍電圧動作、力率改善動作及び定電
圧制御動作等については説明を省略する。この図の回路
では、チョークコイルCHに対して並列に並列共振コン
デンサC2 が設けられて、倍電圧整流回路の充電経路に
対して、チョークコイルCHの自己インダクタンスLi
と共に並列共振回路を形成するように構成される。この
並列共振周波をスイッチング周波数の最低周波数近傍に
設定することにより、スイッチング周波数が上昇する軽
負荷時には、整流ダイオードD11、D12を介して帰還す
る電力が減少し、図8の実施例の回路図により説明した
のと同様に、交流入力電圧が高い時、又は軽負荷時の整
流平滑電圧の上昇を抑制することが可能になる。
【0052】図15は、倍電圧整流回路を備えたスイッ
チング電源回路の更に他の実施例の構成を示す回路図と
される。この図のスイッチング電源回路の場合、スイッ
チングコンバータはスイッチング素子にMOS−FET
を用いた他励式によるハーフブリッジタイプとされるた
め、図5と同一部分は同一符号を付して説明を省略す
る。また倍電圧整流回路の構成も、先に実施例として示
した図13と同様とされるため、同一符号を付して説明
を省略する。この実施例の場合には、直列共振コンデン
サC1 をC1A,C1Bに分割した上で直列接続している。
そして、この分割された直列共振コンデンサC1Aの端部
は平滑コンデンサCiA ,CiB の接続点に対して接続
し、直列共振コンデンサC1Bの端部はチョークコイルC
H及び整流ダイオードD11、D12のアノード・カソード
の接続点に対して接続している。つまり、直列共振コン
デンサをC1A及びC1Bの直列接続は、整流ダイオードD
11及び平滑コンデンサC1Aの正期間用の整流平滑回路
と、整流ダイオードD12及び平滑コンデンサC1Bの負期
間用の整流平滑回路のいずれに対しても並列接続される
ように設けられていることになる。また、直列共振コン
デンサをC1A,C1Bの接続点に対しては一次巻線N1
端部が接続されて、これにより倍電圧整流回路の充電経
路にスイッチング出力が重畳されるように構成される。
従って、このスイッチング電源回路の場合には、先の実
施例として図6により説明したのと同様に、直列共振コ
ンデンサC1A,C1Bの静電容量の比を変化させることで
力率を任意に設定することができる。
【0053】なお、上記各実施例においてこれまで説明
してきた本発明の力率改善方法は、電流共振形スイッチ
ング電源回路としての自励発振形/他励発振形、スイッ
チング周波数制御方式(ドライブトランスを直交形のP
RTとする)/直列共振周波数制御方式(絶縁トランス
を直交形のPRTとする)、スイッチング素子のハーフ
ブリッジ結合タイプ/フルブリッジ結合タイプ、更には
倍電圧整流回路などの各種組み合わせパターンにより構
成される電源回路に対して適用が可能であって、上記各
図に実施例として示した組み合わせのパターンに限定さ
れるものでないことはいうまでもない。
【0054】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、倍電圧整
流回路によるものを含め、各種タイプの電流共振形スイ
ッチング電源回路において、磁気結合トランスの二次巻
線が省略されたものとされるチョークコイルを備えるこ
とで、磁気結合トランスを構成する場合よりもチョーク
コイルのトランスを小型化することが可能となる結果、
さらにコストの低減や、電源回路のサイズの縮小を実現
することが可能になるという効果がある。磁気結合トラ
ンスの二次巻線の省略により、それだけ電力損失が低減
されて効率も向上される。
【0055】また、LCローパスフィルタ及び高速リカ
バリ型ダイオードを整流回路の出力側に設け、この際フ
ィルタコンデンサを平滑コンデンサの正極に対して接続
することで、大型の突入電流制限抵抗の削除が可能とな
ると共に、フィルタコンデンサには安全規格取得品を採
用する必要がなくなり通常の部品を採用すればよいた
め、さらにサイズの縮小、コストの低減が促進される。
また、共振コンデンサを分割して接続した場合には、実
際の使用条件に応じて電力変換効率などの諸条件とのバ
ランスを考慮しながら任意に力率を設定できるという効
果も有している。
【0056】更に、チョークコイルと共振回路が形成さ
れるように共振用のコンデンサを接続すれば、この共振
回路の作用によって、AC300V程度の交流入力電圧
上限/軽負荷時の整流平滑電圧の上昇が抑制される。こ
のことから、例えば欧州などの仕向地用のスイッチング
電源回路を構成するような場合でも、平滑コンデンサ用
の電解コンデンサ、スイッチング素子及び直列共振コン
デンサなどについて、例えば力率改善前の回路と程度の
耐圧性を有する部品を選定することが可能となり、力率
改善を図りながらも更にコストの低下が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例としてのスイッチング電源回
路の回路図である。
【図2】他の実施例としてのスイッチング電源回路を示
す回路図である。
【図3】実施例におけるチョークコイルの構造を示す斜
視図である。
【図4】他の実施例のスイッチング電源回路の動作を示
す波形図である。
【図5】さらに他の実施例としてのスイッチング電源回
路を示す回路図である。
【図6】さらに他の実施例としてのスイッチング電源回
路を示す回路図である。
【図7】さらに他の実施例としてのスイッチング電源回
路を示す回路図である。
【図8】さらに他の実施例としてのスイッチング電源回
路を示す回路図である。
【図9】図8に示す実施例の回路の等価回路図及び交流
電流源に対する交流入力電圧特性を示す図である。
【図10】図8に示す実施例の交流入力電圧に対する整
流平滑電圧特性を示す図である。
【図11】図8に示す実施例の変形例を示す回路図であ
る。
【図12】図8に示す実施例の変形例を示す回路図であ
る。
【図13】倍電圧整流回路を備えた実施例としてのスイ
ッチング電源回路を示す回路図である。
【図14】倍電圧整流回路を備えた他の実施例としての
スイッチング電源回路を示す回路図である。
【図15】倍電圧整流回路を備えたさらに他の実施例と
してのスイッチング電源回路を示す回路図である。
【図16】先行技術としてのスイッチング電源回路を示
す回路図である。
【図17】先行技術としてのスイッチング電源回路を示
す回路図である。
【図18】先行技術としてのスイッチング電源回路を示
す回路図である。
【図19】磁気結合トランスの構造を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
1 制御回路 2 発振ドライブ回路 3 起動回路 LN フィルタチョークコイル CN フィルタコンデンサ D1 ブリッジ整流回路 D2 高速リカバリ型ツインダイオード CH チョークコイル PIT 絶縁トランス PRT 制御トランス CDT ドライブトランス Q1 ,Q2 ,Q3 ,Q4 スイッチング素子 Ci 平滑コンデンサ C1 ,C1A,C1B 直列共振コンデンサ N1 一次巻線 C2 並列共振コンデンサ C2S 共振用コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H02M 7/04 E 9472−5H

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 商用電源を整流する整流手段と、該整流
    手段の出力を平滑するチョークコイル及び平滑コンデン
    サからなる平滑手段と、該平滑手段より出力される電圧
    を断続するスイッチング手段と、絶縁トランスの一次巻
    線及び共振コンデンサにより形成され、上記スイッチン
    グ手段のスイッチング出力が供給される共振回路とを備
    えている電流共振形のスイッチング電源回路において、 上記共振回路は、上記スイッチング出力が上記整流手段
    と上記平滑手段間のラインに重畳されるようにして接続
    されていることを特徴とするスイッチング電源回路。
  2. 【請求項2】 上記整流手段の出力側に対してノーマル
    モードのローパスフィルタを設け、上記ローパスフィル
    タのフィルタチョークコイルが、上記チョークコイルと
    共に上記平滑コンデンサに対する充電経路に直列に挿入
    されていることを特徴とする請求項1に記載のスイッチ
    ング電源回路。
  3. 【請求項3】 上記フィルタチョークコイルと直列接続
    される高速リカバリ型のダイオードが設けられているこ
    とを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のスイッチ
    ング電源回路。
  4. 【請求項4】 上記ローパスフィルタのフィルタコンデ
    ンサは、上記フィルタチョークコイルの一端と上記平滑
    コンデンサの正極間に対して接続されていることを特徴
    とする請求項1又は請求項2又は請求項3に記載のスイ
    ッチング電源回路。
  5. 【請求項5】 上記共振回路は、上記共振コンデンサが
    分割されて上記整流手段の出力側に接続されていること
    を特徴とする請求項1乃至請求項4に記載のスイッチン
    グ電源回路。
  6. 【請求項6】 上記チョークコイルの自己インダクタン
    スとにより共振回路を形成するように接続された共振用
    コンデンサが設けられていることを特徴とする請求項1
    乃至請求項5に記載のスイッチング電源回路。
  7. 【請求項7】 上記整流手段及び上記平滑手段により倍
    電圧整流回路が構成されていることを特徴とする請求項
    1乃至請求項5に記載のスイッチング電源回路。
  8. 【請求項8】 上記整流手段を形成する整流素子は、高
    速リカバリ型が用いられていることを特徴とする請求項
    7に記載のスイッチング電源回路。
  9. 【請求項9】 上記ノーマルモードのローパスフィルタ
    は、上記フィルタチョークコイルが、上記倍電圧整流回
    路における平滑コンデンサの充電経路に挿入されるよう
    にして設けられていることを特徴とする請求項7に記載
    のスイッチング電源回路。
  10. 【請求項10】 上記絶縁トランスの二次側で得られる
    直流出力電圧に基づいて、上記スイッチング手段のスイ
    ッチング周波数を可変することにより定電圧制御を行う
    ように構成されていることを特徴とする請求項1乃至請
    求項9に記載のスイッチング電源回路。
  11. 【請求項11】 上記絶縁トランスの二次側で得られる
    直流出力電圧に基づいて、上記絶縁トランスの磁束を可
    変して定電圧制御を行うように構成されていることを特
    徴とする請求項1乃至請求項9に記載のスイッチング電
    源回路。
  12. 【請求項12】 上記スイッチング手段は他励式とさ
    れ、上記絶縁トランスの二次側で得られる直流出力電圧
    に基づいて、スイッチング駆動信号を可変させることに
    より定電圧制御を行うように構成されていることを特徴
    とする請求項1乃至請求項9に記載のスイッチング電源
    回路。
  13. 【請求項13】 上記スイッチング手段はハーフブリッ
    ジ式あるいはフルブリッジ式によりスイッチング素子が
    接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項1
    2に記載のスイッチング電源回路。
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