JPH08122753A - Active matrix liquid crystal display device - Google Patents
Active matrix liquid crystal display deviceInfo
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- JPH08122753A JPH08122753A JP28392694A JP28392694A JPH08122753A JP H08122753 A JPH08122753 A JP H08122753A JP 28392694 A JP28392694 A JP 28392694A JP 28392694 A JP28392694 A JP 28392694A JP H08122753 A JPH08122753 A JP H08122753A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、アクティブマトリク
ス型液晶表示素子に関し、特に適正な液晶層厚を有する
アクティブマトリクス型液晶表示素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display element, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display element having an appropriate liquid crystal layer thickness.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4に従来のTFT(薄膜トランジス
タ)液晶表示素子の断面構造を示す。図示するように、
このTFT液晶表示素子は、ガラス等からなる透明なア
レイ側基板1とこのアレイ側基板に対向配置される対向
基板2と、基板1と2との間に封止された液晶8とから
構成されている。2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a sectional structure of a conventional TFT (thin film transistor) liquid crystal display element. As shown
This TFT liquid crystal display element is composed of a transparent array-side substrate 1 made of glass or the like, a counter substrate 2 arranged to face the array-side substrate, and a liquid crystal 8 sealed between the substrates 1 and 2. ing.
【0003】アレイ側基板1上には、マトリクス状に配
列された透明な画素電極3と、画素電極3を駆動するア
クティブマトリクス素子としてのTFT4とが配設され
ている。さらに、画素電極3およびTFT4を覆って、
層間絶縁膜16が形成され、層間絶縁膜16の上にポリ
イミド等からなる配向膜5が形成されている。On the array side substrate 1, transparent pixel electrodes 3 arranged in a matrix and TFTs 4 as an active matrix element for driving the pixel electrodes 3 are arranged. Furthermore, covering the pixel electrode 3 and the TFT 4,
The interlayer insulating film 16 is formed, and the alignment film 5 made of polyimide or the like is formed on the interlayer insulating film 16.
【0004】対向基板2の画素電極3との対向面には対
向電極6が形成され、対向電極6を覆って、ポリイミド
等からなる配向膜7が形成されている。A counter electrode 6 is formed on the surface of the counter substrate 2 facing the pixel electrode 3, and an alignment film 7 made of polyimide or the like is formed so as to cover the counter electrode 6.
【0005】アレイ側基板1と対向基板2は、配向膜5
と7が所定のギャップ長を有して対向するように、周縁
部において図示せぬ枠状のシール材にてシールされる。
このシール材と配向膜5と7とで形成される間隙部分に
液晶8が充填されている。配向膜5と7との間隔、即
ち、表示領域における液晶8の層の厚さを所定のギャッ
プ長に一致させるため、配向膜5と7との間には、複数
個のスペーサ9が分散して配置されている。The array side substrate 1 and the counter substrate 2 have an alignment film 5
And 7 are sealed with a frame-shaped seal material (not shown) at the peripheral edge so that they face each other with a predetermined gap length.
A liquid crystal 8 is filled in a gap portion formed by the sealing material and the alignment films 5 and 7. In order to match the distance between the alignment films 5 and 7, that is, the thickness of the layer of the liquid crystal 8 in the display region with a predetermined gap length, a plurality of spacers 9 are dispersed between the alignment films 5 and 7. Are arranged.
【0006】スペーサ9は、例えば、球状のものであ
り、ギャップ長に対応する2〜11μm程度のほぼ均一
な直径dを有している。The spacer 9 is, for example, spherical and has a substantially uniform diameter d of about 2 to 11 μm corresponding to the gap length.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】アレイ側基板1の表
面、即ち、配向膜5には、TFT4の厚み(高さ)に対
応して、約400〜600nm程度の凸部が図示するよ
うに形成される。これに対して、対向基板2の表面、即
ち、配向膜7はほぼ平坦である。このため、TFT4の
位置での配向膜5と7との間隔と、他の位置での配向膜
5と7との間隔は400〜600nm程度異なってしま
う。On the surface of the array side substrate 1, that is, on the alignment film 5, there is formed a convex portion of about 400 to 600 nm corresponding to the thickness (height) of the TFT 4 as shown in the figure. To be done. On the other hand, the surface of the counter substrate 2, that is, the alignment film 7 is substantially flat. Therefore, the distance between the alignment films 5 and 7 at the position of the TFT 4 and the distance between the alignment films 5 and 7 at other positions are different by about 400 to 600 nm.
【0008】従って、図示するように、スペーサ9がT
FT4上に位置すると、TFT4上のスペーサ9が液晶
8の厚さ、即ち、ギャップ長を実質的に規定し、画素電
極2と対向電極6との間でのギャップ長は適正値を越え
てしまう。ギャップ長が適正値でないと、スペーサ9が
浮遊して液晶8の配向不良を引き起こし、また、例え
ば、TN(ツイステッドネマティック)−TFT液晶の
場合には、異なった配向状態の領域(ドメイン)が発生
して表示品質を劣化させる等の問題が発生する。また、
強引に所定のギャップ長を確保しようとすると、スペー
サ9によりTFT4が押圧されて破壊され、表示欠陥の
原因となる。Therefore, as shown in the figure, the spacer 9 is T
When located on the FT 4, the spacer 9 on the TFT 4 substantially defines the thickness of the liquid crystal 8, that is, the gap length, and the gap length between the pixel electrode 2 and the counter electrode 6 exceeds an appropriate value. . If the gap length is not an appropriate value, the spacers 9 float and cause misalignment of the liquid crystal 8, and, for example, in the case of TN (twisted nematic) -TFT liquid crystal, regions (domains) having different alignment states occur. As a result, problems such as deterioration of display quality occur. Also,
If the gap length is forcibly secured, the spacer 9 presses the TFT 4 and destroys it, which causes a display defect.
【0009】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、スペーサにより適正なギャップ長を維持すること
を可能とし、高品位の画像を表示できる液晶表示素子を
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display element capable of maintaining an appropriate gap length by a spacer and displaying a high-quality image.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、この発明の第1の観点に係るアクティブマトリクス
型液晶表示素子は、スイッチング素子と該スイッチング
素子に接続された画素電極とがマトリクス状に配列され
て形成され、表面部に前記スイッチング素子に対応する
凸部が形成された第1の基板と、前記第1の基板に対向
して配置され、前記画素電極に対向する対向電極が形成
され、表面部に前記凸部に対向する凹部が形成された第
2の基板と、前記第1と第2の基板間に配置された液晶
と、前記第1と第2の基板間に配置されたスペーサと、
を備えることを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, an active matrix type liquid crystal display element according to a first aspect of the present invention has a switching element and a pixel electrode connected to the switching element in a matrix form. A first substrate having a convex portion corresponding to the switching element formed on the surface thereof, and a counter electrode disposed so as to face the first substrate and to face the pixel electrode. And a liquid crystal arranged between the first and second substrates, a liquid crystal arranged between the first and second substrates, and a second substrate in which a concave portion facing the convex portion is formed on the surface portion. Spacers,
It is characterized by including.
【0011】前記凸部の高さと前記凹部の深さを実質的
に等しく設定し、前記凸部上に位置するスペーサを凹部
が収容しうるように形成することが望ましい。It is preferable that the height of the convex portion and the depth of the concave portion are set to be substantially equal to each other so that the spacer positioned on the convex portion can be accommodated in the concave portion.
【0012】凸部に対向する凹部を形成するために、選
択的に所定の厚さを有する段差部材を配設してもよく、
また、カラーフィルタの厚さを調整してもよい。In order to form a concave portion facing the convex portion, a step member having a predetermined thickness may be selectively provided,
Further, the thickness of the color filter may be adjusted.
【0013】また、この発明の第2の観点にかかるアク
ティブマトリクス型液晶表示素子は、アレイ側基板と、
前記アレイ側基板上にマトリクス状に形成されたスイッ
チング素子と、前記アレイ側基板上に対応するスイッチ
ング素子に接続されてマトリクス状に形成された画素電
極と、前記スイッチング素子と前記画素電極を覆って形
成され、前記スイッチング素子に対応する凹凸を有する
第1の配向膜と、前記アレイ側基板に対向して配置され
た対向基板と、前記対向基板上に形成された対向電極
と、前記対向基板を覆って形成され、前記第1の配向膜
の凹凸に対応する凸凹を有する第2の配向膜と、前記第
1の配向膜と前記第2の配向膜との間に配置された複数
のスペーサと、を有し、前記第1と第2の配向膜間の距
離とが全面にわたって実質的に等しく形成されている、
ことを特徴とする。An active matrix type liquid crystal display element according to a second aspect of the present invention includes an array side substrate,
Switching elements formed in a matrix on the array-side substrate, pixel electrodes formed in a matrix connected to the corresponding switching elements on the array-side substrate, covering the switching elements and the pixel electrodes. A first alignment film formed and having irregularities corresponding to the switching elements, a counter substrate arranged to face the array side substrate, a counter electrode formed on the counter substrate, and the counter substrate. A second alignment film formed so as to cover the first alignment film and having irregularities corresponding to the irregularities of the first alignment film; and a plurality of spacers arranged between the first alignment film and the second alignment film. And the distance between the first and second alignment films is substantially equal over the entire surface.
It is characterized by the following.
【0014】[0014]
【作用】上記構成によれば、スイッチング素子により必
然的に形成される突出部分に対応して対向する基板に窪
みが形成される。従って、スペーサがスイッチング素子
の上に位置した場合、スペーサは対向する基板側で、段
差部或いは凹部に収納され、所定のギャップ長を有する
液晶表示素子が得られる。According to the above structure, the recess is formed in the opposing substrate corresponding to the protruding portion inevitably formed by the switching element. Therefore, when the spacer is located above the switching element, the spacer is housed in the step or the recess on the side of the opposing substrate, and a liquid crystal display element having a predetermined gap length can be obtained.
【0015】[0015]
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図1は、この発明の一実施例にかかる液晶表示
素子の要部の断面構成を示す。図1において図4と同様
の部分には同符号を付す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a main part of a liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention. 1, the same parts as those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals.
【0016】図示するように、この実施例のTFT液晶
表示素子は、ガラス等からなる透明なアレイ側基板1と
このアレイ側基板1に対向して配置された対向基板2
と、基板1と2との間に封止された液晶8とから構成さ
れている。As shown in the figure, the TFT liquid crystal display device of this embodiment comprises a transparent array side substrate 1 made of glass or the like and a counter substrate 2 arranged so as to face the array side substrate 1.
And a liquid crystal 8 sealed between the substrates 1 and 2.
【0017】アレイ側基板1上には、マトリクス状に配
列された透明な画素電極3と、画素電極3を駆動するス
イッチング素子としてのTFT4とが配設されている。
さらに、層間絶縁膜16が画素電極3およびTFT4を
覆って形成され、ポリイミド等からなる配向膜5が層間
絶縁膜16の上に形成されている。On the array side substrate 1, transparent pixel electrodes 3 arranged in a matrix and TFTs 4 as switching elements for driving the pixel electrodes 3 are arranged.
Further, an interlayer insulating film 16 is formed so as to cover the pixel electrode 3 and the TFT 4, and an alignment film 5 made of polyimide or the like is formed on the interlayer insulating film 16.
【0018】TFT4は、アレイ側基板1上に形成され
たゲート電極11と、ゲート電極11を覆うゲート絶縁
膜12と、ゲート絶縁膜12上にゲート電極11に対向
して形成されたa−Si(アモルファスシリコン)等か
らなるi型半導体膜13と、i型半導体膜13の側部に
オーミックコンタクト層を介して接続されたソース電極
14およびドレイン電極15と、から構成される。画素
電極3は、ゲート絶縁膜12上に形成され、対応するT
FT4のソース電極14に接続されている。The TFT 4 includes a gate electrode 11 formed on the array-side substrate 1, a gate insulating film 12 covering the gate electrode 11, and an a-Si formed on the gate insulating film 12 so as to face the gate electrode 11. The i-type semiconductor film 13 made of (amorphous silicon) and the like, and the source electrode 14 and the drain electrode 15 connected to the side portion of the i-type semiconductor film 13 via an ohmic contact layer. The pixel electrode 3 is formed on the gate insulating film 12 and has a corresponding T
It is connected to the source electrode 14 of FT4.
【0019】対向基板2上には、アレイ基板1上のTF
T4に対向する部分を除いてSiO2やSiN等の透明絶
縁膜から成る段差部材21が形成されている。段差部材
21の厚さ、即ち、対向基板2側に形成される凹部の深
さはアレイ側基板1にTFT4により形成される凸部の
高さとほぼ等しく、例えば、400〜600nm程度で
ある。The TF on the array substrate 1 is on the counter substrate 2.
A step member 21 made of a transparent insulating film such as SiO2 or SiN is formed except for the portion facing T4. The thickness of the step member 21, that is, the depth of the concave portion formed on the counter substrate 2 side is substantially equal to the height of the convex portion formed by the TFT 4 on the array side substrate 1, and is, for example, about 400 to 600 nm.
【0020】段差部材21を覆って対向電極6が形成さ
れ、対向電極6の上に配向膜7が形成されている。The counter electrode 6 is formed so as to cover the step member 21, and the alignment film 7 is formed on the counter electrode 6.
【0021】アレイ側基板1と対向基板2とは、周縁部
において図示せぬ枠状のシール材によりシールされてい
る。このシール材と配向膜5と7とで形成される間隙部
分に液晶8が充填されている。配向膜5と7との間隔、
即ち、ギャップ長を所定値にするため、配向膜5と7と
の間には、例えば、球状の複数個のスペーサ9が分散し
て配置されている。スペーサ9は、ギャップ長に対応す
る2〜11μm程度のほぼ均一な直径dを有する。The array-side substrate 1 and the counter substrate 2 are sealed at their peripheral edges by a frame-shaped sealing material (not shown). A liquid crystal 8 is filled in a gap portion formed by the sealing material and the alignment films 5 and 7. The distance between the alignment films 5 and 7,
That is, in order to make the gap length a predetermined value, for example, a plurality of spherical spacers 9 are dispersedly arranged between the alignment films 5 and 7. The spacer 9 has a substantially uniform diameter d of about 2 to 11 μm corresponding to the gap length.
【0022】図1に示す構成に加えて、必要に応じて、
偏光板、反射板、バックライト等が配置される。In addition to the configuration shown in FIG. 1, if necessary,
A polarizing plate, a reflector, a backlight, etc. are arranged.
【0023】このような構成によれば、対向基板2の表
面、即ち、配向膜7の表面には、アレイ側基板1上の凸
部に対応する凹部が形成される。従って、TFT4上の
位置での配向膜5と7との間の距離dと画素電極3上の
位置での配向膜5と7との間の距離dとは実質的に等し
くなる。従って、図示するように、TFT4上に位置す
るスペーサ9は対向基板2に形成された凹部に適切に収
容される。従って、図1のように、スペーサ9がTFT
4上に位置していても、このスペーサにより、ギャップ
長が所定値(設計値)より大きくなることはなく、高品
質の画像を表示できる。According to this structure, a concave portion corresponding to the convex portion on the array-side substrate 1 is formed on the surface of the counter substrate 2, that is, the surface of the alignment film 7. Therefore, the distance d between the alignment films 5 and 7 at the position on the TFT 4 and the distance d between the alignment films 5 and 7 at the position on the pixel electrode 3 are substantially equal. Therefore, as shown in the figure, the spacers 9 located on the TFTs 4 are properly accommodated in the recesses formed in the counter substrate 2. Therefore, as shown in FIG. 1, the spacer 9 is a TFT.
4, the gap length does not exceed a predetermined value (design value) by this spacer, and a high quality image can be displayed.
【0024】図1に示す構成の液晶表示素子は、例え
ば、次の工程により製造される。まず、アレイ側基板1
上に通常の工程を用いてTFT4と画素電極3を形成す
る。次に、TFT4および画素電極3を覆って層間絶縁
膜6と配向膜5を順次積層して形成する。対向基板2上
に、CVD等によりSiO2、SiN等の絶縁膜を400
〜600nm程度に堆積する。この絶縁膜のTFT4と
対向する部分をフォトリソグラフ工程によりパターニン
グして除去し、段差部材21を形成する。スパッタリン
グ等により、対向基板2全面にITO等からなる対向電
極を堆積し、さらに、その上にポリイミド等からなる配
向膜7を形成する。The liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 1 is manufactured, for example, by the following steps. First, the array side substrate 1
The TFT 4 and the pixel electrode 3 are formed on the upper surface by using a normal process. Next, the interlayer insulating film 6 and the alignment film 5 are sequentially stacked to cover the TFT 4 and the pixel electrode 3. An insulating film of SiO2, SiN or the like is formed on the counter substrate 2 by CVD or the like.
~ 600 nm is deposited. A portion of the insulating film facing the TFT 4 is patterned and removed by a photolithography process to form a step member 21. A counter electrode made of ITO or the like is deposited on the entire surface of the counter substrate 2 by sputtering or the like, and an alignment film 7 made of polyimide or the like is further formed thereon.
【0025】一方の基板の周辺部にシール材となる光硬
化性樹脂等を枠状に印刷し、さらに、スペーサ9を散布
する。続いて、マトリクス基板1と対向基板2を貼り合
わせる。この際、TFT4の上に位置するスペーサ9は
対向基板2の凹部に収納され、TFT4に強い押圧力が
加わることがない。その後、真空注入法等を用いてマト
リクス基板1と対向基板2との間に液晶8を注入し、液
晶表示素子を完成する。On the periphery of one of the substrates, a photo-curing resin or the like to be a sealing material is printed in a frame shape, and spacers 9 are scattered. Then, the matrix substrate 1 and the counter substrate 2 are bonded together. At this time, the spacer 9 located above the TFT 4 is housed in the concave portion of the counter substrate 2 so that a strong pressing force is not applied to the TFT 4. After that, the liquid crystal 8 is injected between the matrix substrate 1 and the counter substrate 2 by using a vacuum injection method or the like to complete the liquid crystal display element.
【0026】図1の構成においては、対向基板2側の凹
部を段差部材21により形成したが、例えば、図2に示
すように、対向基板2のTFT4に対向する部分をエッ
チングして対向基板2自体に凹部を形成してもよい。In the configuration of FIG. 1, the concave portion on the side of the counter substrate 2 is formed by the step member 21, but, for example, as shown in FIG. 2, the portion of the counter substrate 2 facing the TFT 4 is etched to form the counter substrate 2. You may form a recessed part in itself.
【0027】また、カラーフィルタCFを用いるカラー
液晶表示素子の場合、段差部材21の代わりに、図3に
示すように、R(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフ
ィルタCFの厚さを配向膜5の凸部の高さにほぼ合致す
るように、調整して、適切なサイズの凹部を形成しても
よい。この場合、対向基板2のカラーフィルタCFの間
の部分に漏光を遮断するための黒色のブラックマトリク
ス(ブラックマスク)BMを配置し、カラーフィルタC
Fの厚さとブラックマスクBMの厚さの差をTFT4に
よる凸部の高さに一致させることが望ましい。また、対
向電極とカラーフィルタCFの間に絶縁保護膜23を配
置することが望ましい。Further, in the case of a color liquid crystal display element using the color filter CF, instead of the step member 21, as shown in FIG. 3, R (red), G (green) and B (blue) color filters CF are used. The thickness may be adjusted so as to approximately match the height of the convex portion of the alignment film 5, and a concave portion having an appropriate size may be formed. In this case, a black black matrix (black mask) BM for blocking light leakage is arranged between the color filters CF of the counter substrate 2 and the color filters C are arranged.
It is desirable to match the difference between the thickness of F and the thickness of the black mask BM with the height of the convex portion formed by the TFT 4. Further, it is desirable to dispose the insulating protective film 23 between the counter electrode and the color filter CF.
【0028】ブラックマトリクスBMは、必ずしも設け
なくともよい。その場合は、カラーフィルタCF自体の
厚みを凸部の高さと一致させる。なお、図1の構成にお
いても、段差部材21と段差部材21の間にブラックマ
スクを配置してもよい。The black matrix BM does not necessarily have to be provided. In that case, the thickness of the color filter CF itself is matched with the height of the convex portion. Note that, also in the configuration of FIG. 1, a black mask may be arranged between the step members 21.
【0029】上記実施例においては、アレイ基板の凸部
の高さと対向基板の凹部の深さをほぼ等しくしたが、凹
部の深さを凸部の高さより若干大きくしてもよい。上記
実施例においては、アクティブ素子としてTFT4を示
したが、MIM等を用いてもよい。この発明は、TN液
晶表示素子、STN液晶表示素子、強誘電性液晶表示素
子、高分子分散型液晶表示素子等スペーサとアクティブ
素子を用いる種々の液晶表示素子に適用可能である。In the above embodiment, the height of the convex portion of the array substrate and the depth of the concave portion of the counter substrate are made substantially equal, but the depth of the concave portion may be slightly larger than the height of the convex portion. Although the TFT 4 is shown as the active element in the above embodiment, MIM or the like may be used. The present invention can be applied to various liquid crystal display elements using spacers and active elements such as TN liquid crystal display elements, STN liquid crystal display elements, ferroelectric liquid crystal display elements, and polymer dispersed liquid crystal display elements.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、アレイ側基板上のアクティブ素子に対向して且つア
クティブ素子により形成される凸部に対応して対向基板
に凹部を形成した。従って、適正なギャップ長をスペー
サにより形成し、高品位な表示を行うことが可能な液晶
表示素子を提供することができる。また、対向する配向
膜の間隔を一定としたので、スペーサがアクティブ素子
上に位置する場合でも、適正なギャップ長を維持でき
る。As described above in detail, according to the present invention, the concave portion is formed on the counter substrate so as to face the active element on the array side substrate and correspond to the convex portion formed by the active element. Therefore, it is possible to provide a liquid crystal display element capable of performing a high quality display by forming an appropriate gap length with a spacer. Further, since the interval between the alignment films facing each other is fixed, an appropriate gap length can be maintained even when the spacer is located on the active element.
【図1】この発明の一実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a main part of an active matrix liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の他の実施例に係るアクティブマトリ
クス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of a main part of an active matrix type liquid crystal display element according to another embodiment of the present invention.
【図3】この発明のさらに他の実施例に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図で
ある。FIG. 3 is a sectional view showing a configuration of a main part of an active matrix type liquid crystal display element according to still another embodiment of the present invention.
【図4】従来のアクティブマトリクス型液晶表示素子の
要部の構成を模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view schematically showing a configuration of a main part of a conventional active matrix type liquid crystal display element.
1…アレイ側基板、2…対向基板、3…画素電極、4…
TFT(薄膜トランジスタ)、5、7…配向膜、6…対
向電極、8…液晶、9…スペーサ、21…段差部材、2
3・・・絶縁保護膜、CF…カラーフィルタ、BM…ブラ
ックマトリクス1 ... Array side substrate, 2 ... Counter substrate, 3 ... Pixel electrode, 4 ...
TFT (thin film transistor), 5, 7 ... Alignment film, 6 ... Counter electrode, 8 ... Liquid crystal, 9 ... Spacer, 21 ... Step member, 2
3 ... Insulating protective film, CF ... Color filter, BM ... Black matrix
Claims (6)
続された画素電極とがマトリクス状に配列されて形成さ
れ、表面部に前記スイッチング素子に対応する凸部が形
成された第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置され、前記画素電極に対
向する対向電極が形成され、表面部に前記凸部に対向す
る凹部が形成された第2の基板と、 前記第1と第2の基板間に配置された液晶と、 前記第1と第2の基板間に配置されたスペーサと、 を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示素子。1. A first substrate having switching elements and pixel electrodes connected to the switching elements arranged in a matrix and having a convex portion corresponding to the switching element formed on a surface thereof; A second substrate which is disposed so as to face the first substrate, has a counter electrode which faces the pixel electrode, and has a concave portion which faces the convex portion formed on the surface portion; and the first and second substrates. An active matrix type liquid crystal display device comprising: a liquid crystal disposed between the first and second substrates; and a spacer disposed between the first and second substrates.
に等しいことを特徴とする請求項1に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示素子。2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the height of the convex portion and the depth of the concave portion are substantially equal to each other.
サを収容する深さを有することを特徴とする請求項1又
は2に記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。3. The active matrix type liquid crystal display element according to claim 1, wherein the concave portion has a depth for accommodating a spacer located on the convex portion.
て選択的に段差部材が配設され、この段差部材により凹
部が形成されることを特徴とする請求項1、2又は3に
記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。4. A step member having a predetermined thickness is selectively disposed on the second substrate, and the step member forms a recess. 2. The active matrix type liquid crystal display element described in 2 or 3.
て選択的にカラーフィルタが配設され、このカラーフィ
ルタにより凹部が形成されることを特徴とする請求項
1、2又は3に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
素子。5. A color filter having a predetermined thickness is selectively disposed on the second substrate, and a recess is formed by the color filter. 2. The active matrix type liquid crystal display element described in 2 or 3.
チング素子と、 前記アレイ側基板上に対応するスイッチング素子に接続
されてマトリクス状に形成された画素電極と、 前記スイッチング素子と前記画素電極を覆って形成さ
れ、前記スイッチング素子に対応する凹凸を有する第1
の配向膜と、 前記アレイ側基板に対向して配置された対向基板と、 前記対向基板上に形成された対向電極と、 前記対向基板を覆って形成され、前記第1の配向膜の凹
凸に対応する凸凹を有する第2の配向膜と、 前記第1の配向膜と前記第2の配向膜との間に配置され
た複数のスペーサと、を有し、 前記第1と第2の配向膜間の距離とが全面にわたって実
質的に等しく形成されている、ことを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示素子。6. An array-side substrate, switching elements formed in a matrix on the array-side substrate, and pixel electrodes formed in a matrix connected to corresponding switching elements on the array-side substrate, A first electrode formed to cover the switching element and the pixel electrode, and has an unevenness corresponding to the switching element;
Alignment film, a counter substrate arranged to face the array-side substrate, a counter electrode formed on the counter substrate, and a concavo-convex pattern of the first alignment film formed to cover the counter substrate. A second alignment film having corresponding irregularities, and a plurality of spacers arranged between the first alignment film and the second alignment film, the first and second alignment films An active matrix liquid crystal display element, characterized in that the distance between them is formed substantially equal over the entire surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28392694A JPH08122753A (en) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | Active matrix liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28392694A JPH08122753A (en) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | Active matrix liquid crystal display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08122753A true JPH08122753A (en) | 1996-05-17 |
Family
ID=17672006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28392694A Pending JPH08122753A (en) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | Active matrix liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH08122753A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7692755B2 (en) | 2004-08-26 | 2010-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device including protrusion with recessed portion for accepting spherical spacer |
US8111370B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, television receiver, and method for manufacturing color filter substrate |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP28392694A patent/JPH08122753A/en active Pending
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US8471996B2 (en) | 2007-08-09 | 2013-06-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, and television receiver |
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