JPH08122753A - アクティブマトリクス型液晶表示素子 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示素子Info
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- JPH08122753A JPH08122753A JP28392694A JP28392694A JPH08122753A JP H08122753 A JPH08122753 A JP H08122753A JP 28392694 A JP28392694 A JP 28392694A JP 28392694 A JP28392694 A JP 28392694A JP H08122753 A JPH08122753 A JP H08122753A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＦＴ上にスペーサが位置した場合でも、適
正なギャップ長を維持できる液晶表示素子を提供するこ
とである。 【構成】 対向基板２に、アレイ側基板１のＴＦＴ４に
より形成される凸部に対向し、凸部の高さと同一の深さ
を有する凹部を形成する。凸部上にスペーサ９が位置し
た場合でも、スペーサ９の一部が対向基板２の凹部に収
容され、ギャップ長は適正値に維持される。
正なギャップ長を維持できる液晶表示素子を提供するこ
とである。 【構成】 対向基板２に、アレイ側基板１のＴＦＴ４に
より形成される凸部に対向し、凸部の高さと同一の深さ
を有する凹部を形成する。凸部上にスペーサ９が位置し
た場合でも、スペーサ９の一部が対向基板２の凹部に収
容され、ギャップ長は適正値に維持される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、アクティブマトリク
ス型液晶表示素子に関し、特に適正な液晶層厚を有する
アクティブマトリクス型液晶表示素子に関する。
ス型液晶表示素子に関し、特に適正な液晶層厚を有する
アクティブマトリクス型液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来のＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）液晶表示素子の断面構造を示す。図示するように、
このＴＦＴ液晶表示素子は、ガラス等からなる透明なア
レイ側基板１とこのアレイ側基板に対向配置される対向
基板２と、基板１と２との間に封止された液晶８とから
構成されている。
タ）液晶表示素子の断面構造を示す。図示するように、
このＴＦＴ液晶表示素子は、ガラス等からなる透明なア
レイ側基板１とこのアレイ側基板に対向配置される対向
基板２と、基板１と２との間に封止された液晶８とから
構成されている。
【０００３】アレイ側基板１上には、マトリクス状に配
列された透明な画素電極３と、画素電極３を駆動するア
クティブマトリクス素子としてのＴＦＴ４とが配設され
ている。さらに、画素電極３およびＴＦＴ４を覆って、
層間絶縁膜１６が形成され、層間絶縁膜１６の上にポリ
イミド等からなる配向膜５が形成されている。
列された透明な画素電極３と、画素電極３を駆動するア
クティブマトリクス素子としてのＴＦＴ４とが配設され
ている。さらに、画素電極３およびＴＦＴ４を覆って、
層間絶縁膜１６が形成され、層間絶縁膜１６の上にポリ
イミド等からなる配向膜５が形成されている。
【０００４】対向基板２の画素電極３との対向面には対
向電極６が形成され、対向電極６を覆って、ポリイミド
等からなる配向膜７が形成されている。
向電極６が形成され、対向電極６を覆って、ポリイミド
等からなる配向膜７が形成されている。
【０００５】アレイ側基板１と対向基板２は、配向膜５
と７が所定のギャップ長を有して対向するように、周縁
部において図示せぬ枠状のシール材にてシールされる。
このシール材と配向膜５と７とで形成される間隙部分に
液晶８が充填されている。配向膜５と７との間隔、即
ち、表示領域における液晶８の層の厚さを所定のギャッ
プ長に一致させるため、配向膜５と７との間には、複数
個のスペーサ９が分散して配置されている。
と７が所定のギャップ長を有して対向するように、周縁
部において図示せぬ枠状のシール材にてシールされる。
このシール材と配向膜５と７とで形成される間隙部分に
液晶８が充填されている。配向膜５と７との間隔、即
ち、表示領域における液晶８の層の厚さを所定のギャッ
プ長に一致させるため、配向膜５と７との間には、複数
個のスペーサ９が分散して配置されている。
【０００６】スペーサ９は、例えば、球状のものであ
り、ギャップ長に対応する２〜１１μｍ程度のほぼ均一
な直径ｄを有している。
り、ギャップ長に対応する２〜１１μｍ程度のほぼ均一
な直径ｄを有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】アレイ側基板１の表
面、即ち、配向膜５には、ＴＦＴ４の厚み（高さ）に対
応して、約４００〜６００ｎｍ程度の凸部が図示するよ
うに形成される。これに対して、対向基板２の表面、即
ち、配向膜７はほぼ平坦である。このため、ＴＦＴ４の
位置での配向膜５と７との間隔と、他の位置での配向膜
５と７との間隔は４００〜６００ｎｍ程度異なってしま
う。
面、即ち、配向膜５には、ＴＦＴ４の厚み（高さ）に対
応して、約４００〜６００ｎｍ程度の凸部が図示するよ
うに形成される。これに対して、対向基板２の表面、即
ち、配向膜７はほぼ平坦である。このため、ＴＦＴ４の
位置での配向膜５と７との間隔と、他の位置での配向膜
５と７との間隔は４００〜６００ｎｍ程度異なってしま
う。
【０００８】従って、図示するように、スペーサ９がＴ
ＦＴ４上に位置すると、ＴＦＴ４上のスペーサ９が液晶
８の厚さ、即ち、ギャップ長を実質的に規定し、画素電
極２と対向電極６との間でのギャップ長は適正値を越え
てしまう。ギャップ長が適正値でないと、スペーサ９が
浮遊して液晶８の配向不良を引き起こし、また、例え
ば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）−ＴＦＴ液晶の
場合には、異なった配向状態の領域（ドメイン）が発生
して表示品質を劣化させる等の問題が発生する。また、
強引に所定のギャップ長を確保しようとすると、スペー
サ９によりＴＦＴ４が押圧されて破壊され、表示欠陥の
原因となる。
ＦＴ４上に位置すると、ＴＦＴ４上のスペーサ９が液晶
８の厚さ、即ち、ギャップ長を実質的に規定し、画素電
極２と対向電極６との間でのギャップ長は適正値を越え
てしまう。ギャップ長が適正値でないと、スペーサ９が
浮遊して液晶８の配向不良を引き起こし、また、例え
ば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）−ＴＦＴ液晶の
場合には、異なった配向状態の領域（ドメイン）が発生
して表示品質を劣化させる等の問題が発生する。また、
強引に所定のギャップ長を確保しようとすると、スペー
サ９によりＴＦＴ４が押圧されて破壊され、表示欠陥の
原因となる。
【０００９】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、スペーサにより適正なギャップ長を維持すること
を可能とし、高品位の画像を表示できる液晶表示素子を
提供することを目的とする。
ので、スペーサにより適正なギャップ長を維持すること
を可能とし、高品位の画像を表示できる液晶表示素子を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、この発明の第１の観点に係るアクティブマトリクス
型液晶表示素子は、スイッチング素子と該スイッチング
素子に接続された画素電極とがマトリクス状に配列され
て形成され、表面部に前記スイッチング素子に対応する
凸部が形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向
して配置され、前記画素電極に対向する対向電極が形成
され、表面部に前記凸部に対向する凹部が形成された第
２の基板と、前記第１と第２の基板間に配置された液晶
と、前記第１と第２の基板間に配置されたスペーサと、
を備えることを特徴とする。
め、この発明の第１の観点に係るアクティブマトリクス
型液晶表示素子は、スイッチング素子と該スイッチング
素子に接続された画素電極とがマトリクス状に配列され
て形成され、表面部に前記スイッチング素子に対応する
凸部が形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向
して配置され、前記画素電極に対向する対向電極が形成
され、表面部に前記凸部に対向する凹部が形成された第
２の基板と、前記第１と第２の基板間に配置された液晶
と、前記第１と第２の基板間に配置されたスペーサと、
を備えることを特徴とする。
【００１１】前記凸部の高さと前記凹部の深さを実質的
に等しく設定し、前記凸部上に位置するスペーサを凹部
が収容しうるように形成することが望ましい。
に等しく設定し、前記凸部上に位置するスペーサを凹部
が収容しうるように形成することが望ましい。
【００１２】凸部に対向する凹部を形成するために、選
択的に所定の厚さを有する段差部材を配設してもよく、
また、カラーフィルタの厚さを調整してもよい。
択的に所定の厚さを有する段差部材を配設してもよく、
また、カラーフィルタの厚さを調整してもよい。
【００１３】また、この発明の第２の観点にかかるアク
ティブマトリクス型液晶表示素子は、アレイ側基板と、
前記アレイ側基板上にマトリクス状に形成されたスイッ
チング素子と、前記アレイ側基板上に対応するスイッチ
ング素子に接続されてマトリクス状に形成された画素電
極と、前記スイッチング素子と前記画素電極を覆って形
成され、前記スイッチング素子に対応する凹凸を有する
第１の配向膜と、前記アレイ側基板に対向して配置され
た対向基板と、前記対向基板上に形成された対向電極
と、前記対向基板を覆って形成され、前記第１の配向膜
の凹凸に対応する凸凹を有する第２の配向膜と、前記第
１の配向膜と前記第２の配向膜との間に配置された複数
のスペーサと、を有し、前記第１と第２の配向膜間の距
離とが全面にわたって実質的に等しく形成されている、
ことを特徴とする。
ティブマトリクス型液晶表示素子は、アレイ側基板と、
前記アレイ側基板上にマトリクス状に形成されたスイッ
チング素子と、前記アレイ側基板上に対応するスイッチ
ング素子に接続されてマトリクス状に形成された画素電
極と、前記スイッチング素子と前記画素電極を覆って形
成され、前記スイッチング素子に対応する凹凸を有する
第１の配向膜と、前記アレイ側基板に対向して配置され
た対向基板と、前記対向基板上に形成された対向電極
と、前記対向基板を覆って形成され、前記第１の配向膜
の凹凸に対応する凸凹を有する第２の配向膜と、前記第
１の配向膜と前記第２の配向膜との間に配置された複数
のスペーサと、を有し、前記第１と第２の配向膜間の距
離とが全面にわたって実質的に等しく形成されている、
ことを特徴とする。
【００１４】
【作用】上記構成によれば、スイッチング素子により必
然的に形成される突出部分に対応して対向する基板に窪
みが形成される。従って、スペーサがスイッチング素子
の上に位置した場合、スペーサは対向する基板側で、段
差部或いは凹部に収納され、所定のギャップ長を有する
液晶表示素子が得られる。
然的に形成される突出部分に対応して対向する基板に窪
みが形成される。従って、スペーサがスイッチング素子
の上に位置した場合、スペーサは対向する基板側で、段
差部或いは凹部に収納され、所定のギャップ長を有する
液晶表示素子が得られる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１は、この発明の一実施例にかかる液晶表示
素子の要部の断面構成を示す。図１において図４と同様
の部分には同符号を付す。
明する。図１は、この発明の一実施例にかかる液晶表示
素子の要部の断面構成を示す。図１において図４と同様
の部分には同符号を付す。
【００１６】図示するように、この実施例のＴＦＴ液晶
表示素子は、ガラス等からなる透明なアレイ側基板１と
このアレイ側基板１に対向して配置された対向基板２
と、基板１と２との間に封止された液晶８とから構成さ
れている。
表示素子は、ガラス等からなる透明なアレイ側基板１と
このアレイ側基板１に対向して配置された対向基板２
と、基板１と２との間に封止された液晶８とから構成さ
れている。
【００１７】アレイ側基板１上には、マトリクス状に配
列された透明な画素電極３と、画素電極３を駆動するス
イッチング素子としてのＴＦＴ４とが配設されている。
さらに、層間絶縁膜１６が画素電極３およびＴＦＴ４を
覆って形成され、ポリイミド等からなる配向膜５が層間
絶縁膜１６の上に形成されている。
列された透明な画素電極３と、画素電極３を駆動するス
イッチング素子としてのＴＦＴ４とが配設されている。
さらに、層間絶縁膜１６が画素電極３およびＴＦＴ４を
覆って形成され、ポリイミド等からなる配向膜５が層間
絶縁膜１６の上に形成されている。
【００１８】ＴＦＴ４は、アレイ側基板１上に形成され
たゲート電極１１と、ゲート電極１１を覆うゲート絶縁
膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１に対向
して形成されたａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等か
らなるｉ型半導体膜１３と、ｉ型半導体膜１３の側部に
オーミックコンタクト層を介して接続されたソース電極
１４およびドレイン電極１５と、から構成される。画素
電極３は、ゲート絶縁膜１２上に形成され、対応するＴ
ＦＴ４のソース電極１４に接続されている。
たゲート電極１１と、ゲート電極１１を覆うゲート絶縁
膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１に対向
して形成されたａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等か
らなるｉ型半導体膜１３と、ｉ型半導体膜１３の側部に
オーミックコンタクト層を介して接続されたソース電極
１４およびドレイン電極１５と、から構成される。画素
電極３は、ゲート絶縁膜１２上に形成され、対応するＴ
ＦＴ４のソース電極１４に接続されている。
【００１９】対向基板２上には、アレイ基板１上のＴＦ
Ｔ４に対向する部分を除いてＳiＯ2やＳiＮ等の透明絶
縁膜から成る段差部材２１が形成されている。段差部材
２１の厚さ、即ち、対向基板２側に形成される凹部の深
さはアレイ側基板１にＴＦＴ４により形成される凸部の
高さとほぼ等しく、例えば、４００〜６００ｎｍ程度で
ある。
Ｔ４に対向する部分を除いてＳiＯ2やＳiＮ等の透明絶
縁膜から成る段差部材２１が形成されている。段差部材
２１の厚さ、即ち、対向基板２側に形成される凹部の深
さはアレイ側基板１にＴＦＴ４により形成される凸部の
高さとほぼ等しく、例えば、４００〜６００ｎｍ程度で
ある。
【００２０】段差部材２１を覆って対向電極６が形成さ
れ、対向電極６の上に配向膜７が形成されている。
れ、対向電極６の上に配向膜７が形成されている。
【００２１】アレイ側基板１と対向基板２とは、周縁部
において図示せぬ枠状のシール材によりシールされてい
る。このシール材と配向膜５と７とで形成される間隙部
分に液晶８が充填されている。配向膜５と７との間隔、
即ち、ギャップ長を所定値にするため、配向膜５と７と
の間には、例えば、球状の複数個のスペーサ９が分散し
て配置されている。スペーサ９は、ギャップ長に対応す
る２〜１１μｍ程度のほぼ均一な直径ｄを有する。
において図示せぬ枠状のシール材によりシールされてい
る。このシール材と配向膜５と７とで形成される間隙部
分に液晶８が充填されている。配向膜５と７との間隔、
即ち、ギャップ長を所定値にするため、配向膜５と７と
の間には、例えば、球状の複数個のスペーサ９が分散し
て配置されている。スペーサ９は、ギャップ長に対応す
る２〜１１μｍ程度のほぼ均一な直径ｄを有する。
【００２２】図１に示す構成に加えて、必要に応じて、
偏光板、反射板、バックライト等が配置される。
偏光板、反射板、バックライト等が配置される。
【００２３】このような構成によれば、対向基板２の表
面、即ち、配向膜７の表面には、アレイ側基板１上の凸
部に対応する凹部が形成される。従って、ＴＦＴ４上の
位置での配向膜５と７との間の距離ｄと画素電極３上の
位置での配向膜５と７との間の距離ｄとは実質的に等し
くなる。従って、図示するように、ＴＦＴ４上に位置す
るスペーサ９は対向基板２に形成された凹部に適切に収
容される。従って、図１のように、スペーサ９がＴＦＴ
４上に位置していても、このスペーサにより、ギャップ
長が所定値（設計値）より大きくなることはなく、高品
質の画像を表示できる。
面、即ち、配向膜７の表面には、アレイ側基板１上の凸
部に対応する凹部が形成される。従って、ＴＦＴ４上の
位置での配向膜５と７との間の距離ｄと画素電極３上の
位置での配向膜５と７との間の距離ｄとは実質的に等し
くなる。従って、図示するように、ＴＦＴ４上に位置す
るスペーサ９は対向基板２に形成された凹部に適切に収
容される。従って、図１のように、スペーサ９がＴＦＴ
４上に位置していても、このスペーサにより、ギャップ
長が所定値（設計値）より大きくなることはなく、高品
質の画像を表示できる。
【００２４】図１に示す構成の液晶表示素子は、例え
ば、次の工程により製造される。まず、アレイ側基板１
上に通常の工程を用いてＴＦＴ４と画素電極３を形成す
る。次に、ＴＦＴ４および画素電極３を覆って層間絶縁
膜６と配向膜５を順次積層して形成する。対向基板２上
に、ＣＶＤ等によりＳiＯ2、ＳiＮ等の絶縁膜を４００
〜６００ｎｍ程度に堆積する。この絶縁膜のＴＦＴ４と
対向する部分をフォトリソグラフ工程によりパターニン
グして除去し、段差部材２１を形成する。スパッタリン
グ等により、対向基板２全面にＩＴＯ等からなる対向電
極を堆積し、さらに、その上にポリイミド等からなる配
向膜７を形成する。
ば、次の工程により製造される。まず、アレイ側基板１
上に通常の工程を用いてＴＦＴ４と画素電極３を形成す
る。次に、ＴＦＴ４および画素電極３を覆って層間絶縁
膜６と配向膜５を順次積層して形成する。対向基板２上
に、ＣＶＤ等によりＳiＯ2、ＳiＮ等の絶縁膜を４００
〜６００ｎｍ程度に堆積する。この絶縁膜のＴＦＴ４と
対向する部分をフォトリソグラフ工程によりパターニン
グして除去し、段差部材２１を形成する。スパッタリン
グ等により、対向基板２全面にＩＴＯ等からなる対向電
極を堆積し、さらに、その上にポリイミド等からなる配
向膜７を形成する。
【００２５】一方の基板の周辺部にシール材となる光硬
化性樹脂等を枠状に印刷し、さらに、スペーサ９を散布
する。続いて、マトリクス基板１と対向基板２を貼り合
わせる。この際、ＴＦＴ４の上に位置するスペーサ９は
対向基板２の凹部に収納され、ＴＦＴ４に強い押圧力が
加わることがない。その後、真空注入法等を用いてマト
リクス基板１と対向基板２との間に液晶８を注入し、液
晶表示素子を完成する。
化性樹脂等を枠状に印刷し、さらに、スペーサ９を散布
する。続いて、マトリクス基板１と対向基板２を貼り合
わせる。この際、ＴＦＴ４の上に位置するスペーサ９は
対向基板２の凹部に収納され、ＴＦＴ４に強い押圧力が
加わることがない。その後、真空注入法等を用いてマト
リクス基板１と対向基板２との間に液晶８を注入し、液
晶表示素子を完成する。
【００２６】図１の構成においては、対向基板２側の凹
部を段差部材２１により形成したが、例えば、図２に示
すように、対向基板２のＴＦＴ４に対向する部分をエッ
チングして対向基板２自体に凹部を形成してもよい。
部を段差部材２１により形成したが、例えば、図２に示
すように、対向基板２のＴＦＴ４に対向する部分をエッ
チングして対向基板２自体に凹部を形成してもよい。
【００２７】また、カラーフィルタＣＦを用いるカラー
液晶表示素子の場合、段差部材２１の代わりに、図３に
示すように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフ
ィルタＣＦの厚さを配向膜５の凸部の高さにほぼ合致す
るように、調整して、適切なサイズの凹部を形成しても
よい。この場合、対向基板２のカラーフィルタＣＦの間
の部分に漏光を遮断するための黒色のブラックマトリク
ス（ブラックマスク）ＢＭを配置し、カラーフィルタＣ
Ｆの厚さとブラックマスクＢＭの厚さの差をＴＦＴ４に
よる凸部の高さに一致させることが望ましい。また、対
向電極とカラーフィルタＣＦの間に絶縁保護膜２３を配
置することが望ましい。
液晶表示素子の場合、段差部材２１の代わりに、図３に
示すように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のカラーフ
ィルタＣＦの厚さを配向膜５の凸部の高さにほぼ合致す
るように、調整して、適切なサイズの凹部を形成しても
よい。この場合、対向基板２のカラーフィルタＣＦの間
の部分に漏光を遮断するための黒色のブラックマトリク
ス（ブラックマスク）ＢＭを配置し、カラーフィルタＣ
Ｆの厚さとブラックマスクＢＭの厚さの差をＴＦＴ４に
よる凸部の高さに一致させることが望ましい。また、対
向電極とカラーフィルタＣＦの間に絶縁保護膜２３を配
置することが望ましい。
【００２８】ブラックマトリクスＢＭは、必ずしも設け
なくともよい。その場合は、カラーフィルタＣＦ自体の
厚みを凸部の高さと一致させる。なお、図１の構成にお
いても、段差部材２１と段差部材２１の間にブラックマ
スクを配置してもよい。
なくともよい。その場合は、カラーフィルタＣＦ自体の
厚みを凸部の高さと一致させる。なお、図１の構成にお
いても、段差部材２１と段差部材２１の間にブラックマ
スクを配置してもよい。
【００２９】上記実施例においては、アレイ基板の凸部
の高さと対向基板の凹部の深さをほぼ等しくしたが、凹
部の深さを凸部の高さより若干大きくしてもよい。上記
実施例においては、アクティブ素子としてＴＦＴ４を示
したが、ＭＩＭ等を用いてもよい。この発明は、ＴＮ液
晶表示素子、ＳＴＮ液晶表示素子、強誘電性液晶表示素
子、高分子分散型液晶表示素子等スペーサとアクティブ
素子を用いる種々の液晶表示素子に適用可能である。
の高さと対向基板の凹部の深さをほぼ等しくしたが、凹
部の深さを凸部の高さより若干大きくしてもよい。上記
実施例においては、アクティブ素子としてＴＦＴ４を示
したが、ＭＩＭ等を用いてもよい。この発明は、ＴＮ液
晶表示素子、ＳＴＮ液晶表示素子、強誘電性液晶表示素
子、高分子分散型液晶表示素子等スペーサとアクティブ
素子を用いる種々の液晶表示素子に適用可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、アレイ側基板上のアクティブ素子に対向して且つア
クティブ素子により形成される凸部に対応して対向基板
に凹部を形成した。従って、適正なギャップ長をスペー
サにより形成し、高品位な表示を行うことが可能な液晶
表示素子を提供することができる。また、対向する配向
膜の間隔を一定としたので、スペーサがアクティブ素子
上に位置する場合でも、適正なギャップ長を維持でき
る。
ば、アレイ側基板上のアクティブ素子に対向して且つア
クティブ素子により形成される凸部に対応して対向基板
に凹部を形成した。従って、適正なギャップ長をスペー
サにより形成し、高品位な表示を行うことが可能な液晶
表示素子を提供することができる。また、対向する配向
膜の間隔を一定としたので、スペーサがアクティブ素子
上に位置する場合でも、適正なギャップ長を維持でき
る。
【図１】この発明の一実施例に係るアクティブマトリク
ス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図である。
ス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図である。
【図２】この発明の他の実施例に係るアクティブマトリ
クス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図である。
クス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図である。
【図３】この発明のさらに他の実施例に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図で
ある。
マトリクス型液晶表示素子の要部の構成を示す断面図で
ある。
【図４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示素子の
要部の構成を模式的に示す断面図である。
要部の構成を模式的に示す断面図である。
１…アレイ側基板、２…対向基板、３…画素電極、４…
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、５、７…配向膜、６…対
向電極、８…液晶、９…スペーサ、２１…段差部材、２
３・・・絶縁保護膜、ＣＦ…カラーフィルタ、ＢＭ…ブラ
ックマトリクス
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、５、７…配向膜、６…対
向電極、８…液晶、９…スペーサ、２１…段差部材、２
３・・・絶縁保護膜、ＣＦ…カラーフィルタ、ＢＭ…ブラ
ックマトリクス
Claims (6)
- 【請求項１】スイッチング素子とスイッチング素子に接
続された画素電極とがマトリクス状に配列されて形成さ
れ、表面部に前記スイッチング素子に対応する凸部が形
成された第１の基板と、 前記第１の基板に対向して配置され、前記画素電極に対
向する対向電極が形成され、表面部に前記凸部に対向す
る凹部が形成された第２の基板と、 前記第１と第２の基板間に配置された液晶と、 前記第１と第２の基板間に配置されたスペーサと、 を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示素子。 - 【請求項２】前記凸部の高さと前記凹部の深さは実質的
に等しいことを特徴とする請求項１に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示素子。 - 【請求項３】前記凹部は、前記凸部上に位置するスペー
サを収容する深さを有することを特徴とする請求項１又
は２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。 - 【請求項４】前記第２の基板上には、所定の厚さを有し
て選択的に段差部材が配設され、この段差部材により凹
部が形成されることを特徴とする請求項１、２又は３に
記載のアクティブマトリクス型液晶表示素子。 - 【請求項５】前記第２の基板上には、所定の厚さを有し
て選択的にカラーフィルタが配設され、このカラーフィ
ルタにより凹部が形成されることを特徴とする請求項
１、２又は３に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
素子。 - 【請求項６】アレイ側基板と、 前記アレイ側基板上にマトリクス状に形成されたスイッ
チング素子と、 前記アレイ側基板上に対応するスイッチング素子に接続
されてマトリクス状に形成された画素電極と、 前記スイッチング素子と前記画素電極を覆って形成さ
れ、前記スイッチング素子に対応する凹凸を有する第１
の配向膜と、 前記アレイ側基板に対向して配置された対向基板と、 前記対向基板上に形成された対向電極と、 前記対向基板を覆って形成され、前記第１の配向膜の凹
凸に対応する凸凹を有する第２の配向膜と、 前記第１の配向膜と前記第２の配向膜との間に配置され
た複数のスペーサと、を有し、 前記第１と第２の配向膜間の距離とが全面にわたって実
質的に等しく形成されている、ことを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28392694A JPH08122753A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28392694A JPH08122753A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08122753A true JPH08122753A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17672006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28392694A Pending JPH08122753A (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08122753A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020004277A (ko) * | 2000-07-04 | 2002-01-16 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치 |
| JP2007017824A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置、及び電子機器 |
| KR100840253B1 (ko) * | 2002-04-08 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조 방법 |
| WO2009019917A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
| US7692755B2 (en) | 2004-08-26 | 2010-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device including protrusion with recessed portion for accepting spherical spacer |
| US8111370B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, television receiver, and method for manufacturing color filter substrate |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP28392694A patent/JPH08122753A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2009019917A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
| US8471996B2 (en) | 2007-08-09 | 2013-06-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, and television receiver |
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