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JPH08114554A - 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 - Google Patents

欠陥検査方法及び欠陥検査装置

Info

Publication number
JPH08114554A
JPH08114554A JP6277174A JP27717494A JPH08114554A JP H08114554 A JPH08114554 A JP H08114554A JP 6277174 A JP6277174 A JP 6277174A JP 27717494 A JP27717494 A JP 27717494A JP H08114554 A JPH08114554 A JP H08114554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
pattern
sample
reference pattern
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6277174A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Matsumoto
豪 松本
Nobuo Okabe
信夫 岡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP6277174A priority Critical patent/JPH08114554A/ja
Publication of JPH08114554A publication Critical patent/JPH08114554A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 観察者が一瞥するだけで欠陥の有無が発見で
き、観察効率が良い欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提
供する。 【構成】 基準パターンに基づいて形成された標本パタ
ーンの像と基準パターンの像とを重ね合わせて観察像を
形成させ、この観察像の形成状態を検査する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、集積回路用マ
スク等の微細な標本を観察して欠陥を検査する欠陥検査
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の欠陥検査に用いる顕微鏡を応用し
た欠陥検査装置を図3に示す。この装置は、ステージ3
2上に載置した標本31からの光を、所定の倍率を備え
た対物レンズ群33及び結像レンズ群34により標本像
として中間結像位置A3に結像させ、この中間像を所定
の倍率を備えた接眼レンズ群35により観察する構成と
なっている。
【0003】このような欠陥検査装置を用いて、例え
ば、露光装置に用いるマスクのパターン欠陥検査や、所
定のパターンから形成された集積回路等の配線パターン
の欠陥検査等を行う場合、観察者が現在観察している標
本のパターンと、この標本パターンの基となる基準パタ
ーンとを見比べ、現在観察している標本のパターンの欠
陥の有無を確認している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、観察対
象となるマスクのパターンや、集積回路などの配線パタ
ーンは、その殆どが複雑な形をしているため、観察者が
基本となるパターンを完璧に覚えることが難しい。
【0005】さらに、パターンの欠陥は、大きなものだ
けなら発見しやすいが中には非常に小さいものもあり、
観察者が、大きな欠陥は勿論、微小な欠陥も見落としな
く発見するには、基本となるパターンを完璧に覚えてか
ら標本を観察するか、又は基本となるパターンと標本と
を見比べながら観察を行う必要がある。
【0006】この様な従来の方法では、どちらの場合も
時間がかかり、観察者に多大な労力を強いるだけでな
く、観察効率が悪い。この様な効率の悪い欠陥観察は、
特に、観察者の目にも不要な負担をかけ、何時間も連続
した作業となると観察者に疲労を与えるため、欠陥が見
落とされる可能性が大きくなる。
【0007】更に、上記のような方法を用いると、観察
者自身の能力により観察時間や見落とし率等の観察効率
が左右され、検査時間にバラツキが生じる。これは、製
品の製造効率にも悪影響を及ぼす。
【0008】本発明は、上記の問題に鑑み、観察者が一
瞥するだけで容易に欠陥の有無が発見でき、検査効率が
良い欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達すべく、請
求項1の発明は、基準パターンに基づいて形成された標
本パターンの欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前
記標本パターンから形成された標本パターン像と、前記
基準パターンに基づいて形成された基準パターン像とを
重ね合わせた観察像を形成すると共に、前記観察像の形
成状態を観察することにより標本パターンの欠陥を検知
することを特徴とする欠陥検査方法を提供する。
【0010】請求項2に記載した発明では、請求項1に
記載の欠陥検査方法であって、前記基準パターン像を形
成させる光と、前記標本パターン像を形成させる光とが
互いに異なる波長の光であることを特徴とするものを提
供する。
【0011】次に、請求項3に記載した発明では、基準
パターンに基づいて形成された標本パターンの欠陥を検
査する欠陥検査装置であって、前記標本パターンからの
光を予め定めた位置に結像させる対物光学系と、前記位
置に形成された標本パターンの像に重ね合わせるように
前記基準パターンに基づく基準パターン像を形成する画
像照合手段と、前記位置に形成された像を観察する観察
光学系と、を備えたことを特徴とする欠陥検査装置を提
供する。
【0012】請求項4に記載した発明は、請求項3に記
載の欠陥検査装置に、前記標本上の被観察位置を検出す
る位置検出手段を更に備え、前記画像照合手段が、前記
基準パターンの画像情報を保持するデータ保持部と、前
記位置検出手段からの位置情報に基づいて、前記データ
保持部から標本上の被観察位置に対応する基準パターン
の画像情報を出力するデータ制御部と、前記データ制御
部からの出力信号に基づいて、基準パターンの像を前記
予め定めた位置に形成された標本パターンの像に重なる
ように形成する像形成部と、を備えていることを特徴と
する欠陥検査装置を提供する。
【0013】請求項5に記載した発明では、請求項3又
は4に記載の欠陥検査装置であって、前記像形成部が、
前記標本パターン像を形成させる光の波長と異なる波長
の光により前記基準パターン像を形成させるものである
ことを特徴とする欠陥検査装置を提供する。
【0014】
【作用】本発明では、基準パターンに基づいて形成され
た標本パターンの欠陥を観察して検査する欠陥検査方法
を提案しているが、本発明の欠陥検査方法は、標本パタ
ーン像と基準パターンの像とを重ね合わせた観察像を形
成し、前記観察像の形成状態を検出することにより標本
パターンの欠陥部分を検知するものである。
【0015】即ち、標本パターンが正確に形成されてい
れば、基準パターンと同じ形状になるが、標本パターン
に欠陥が存在すると、当該欠陥部分に基準パターンとは
異なる形状のパターン等が存在する。このため、標本パ
ターンを検査する際に、基準パターンを重ね合わせて検
査すれば、欠陥部分が簡単に観察できる。
【0016】ここで、実際のパターン自体は金属パター
ン等で形成されていることが多いので、これらを重ね合
わせても、標本パターンの基準パターン以外の部分に存
在する欠陥は判別できても、特に標本パターン上に存在
する欠陥は、基準パターンに隠れて検出できないので、
重なり具合は明確に判断できない。
【0017】そこで、本発明では標本パターンの像を観
察する顕微鏡方式に、基準パターンの像を重ね合わせる
ことにより、標本パターン像と基準パターン像との重な
り具合(観察像の形成状態)から、標本パターンの欠陥
を観察する方法を提案するものである。
【0018】即ち、標本パターンに欠陥が存在すると、
観察像において基準パターンの像との重なり状態に他と
違う部分が形成される。例えば、基準パターンの像と標
本パターン像の両方が、パターン部分とそれ以外の部分
が同じコントラストとなる場合、互いの像を重ね合わせ
れば、欠陥部分にはいずれか一方の像しか存在しないこ
とになるので、二重像と一重像との差が観察像上に現れ
ることとなる。
【0019】言い換えると、標本パターン上に欠損等の
欠陥が生じている場合、当該部分のパターンからは像が
形成されないので、欠陥部分は基準パターンの像のみの
観察像となる。逆に、標本パターンの外部(基準パター
ン以外の部分)に不要なパターン等が残存すれば、当該
部分は標本パターン像のみの観察像となり、いずれの場
合にも欠陥部分はいずれか一方のみの(一重の)像とな
り、正確に再現された部分は二重の像となる。
【0020】従って、これらの標本パターン像と基準パ
ターン像との重ね合わせからなる観像の各部における形
成状態(重なり状態)を観察することで、標本パターン
の欠陥が検知できることとなる。なお、標本パターン像
と基準パターン像との重ね合わせの際には、互いに同一
倍率の像(同じ大きさの像)で対応する同じ部位を重ね
合わせることはいうまでもない。
【0021】ここで、標本パターン像は、検査すべき標
本パターンからの光を対物光学系等により結像させたも
のであり、例えば、Cr等の金属パターンを形成したマ
スク等を標本とする場合には、パターン部分を他の領域
と対比させて(明暗パターンとして)形成されたもので
ある。
【0022】一方、基準パターン像は基準パターンに基
づいて、このパターンの形状が正確に再生できるもので
あれば、特にその方式が限定されるものではない。例え
ば、実際に基準パターンそのものを用い、ここからの光
束を結像させて基準パターン像を得る方式のものが考え
られる。
【0023】あるいは、基準パターンの像、あるいは形
状パターンを所定の記録手段に(例えば画像情報とし
て)記憶させておき、標本パターンの再生状態(被観察
領域や倍率等)に合わせて、適時記録手段から呼び出し
て再生する方式のものでも良い。
【0024】また、これらの像の重ね合わせにおいて
も、双方の像自体を所定の場所に重ね合わせて形成する
ものに限らず、いずれかのパターン上に他方のパターン
の像を形成して重ね合わせるものや、標本パターンの像
を液晶表示装置等に再生された基準パターン画像上に重
ね合わせて形成するもの等のいずれの方式を採用しても
良い。
【0025】ここで、前述した様に標本等に形成された
パターンが、パターン部分にCr等の光を遮光する遮光
部材を設けてなるものが一般的であるが、逆にパターン
以外の部分を遮光部材で形成させるものも存在する。い
ずれの場合にも、標本パターン像は、光が透過する透過
部の光量と、光が透過しない非透過部の光量との対比と
して認識される。
【0026】仮に、標本パターン像は、パターン部以外
の部分にのみ光量が存在する像であり(即ち、パターン
部分が暗部)、基準パターン像がパターン部にのみ光量
が存在する像である(即ち、パターン部分が明部)とす
る。この標本パターン像と基準パターン像とを重ね合わ
せると、標本パターンは基準パターンを基にして形成さ
れているため、互いに光量が存在しない部分同士に結像
し、特に両者の像の光量が同じ場合では、パターン部と
非パターン部との光量比が1:1となるため、一様な光
量の面として観察される。
【0027】しかし、標本に欠陥がある場合、欠陥部分
が基準パターンのパターン部からはみ出ている(標本パ
ターンに基準パターン部以外の部分がある)と、標本パ
ターン像と基準パターン像とを重ね合わせて観察像とし
た時に、この観察像の一部、即ち、基準パターンのパタ
ーン部からはみ出た欠陥部分の光量が少なくなり、その
部分だけが他より暗くなる。
【0028】逆に、欠陥部分が基準パターンのパターン
部よりも引っ込んでいる(標本パターン上に欠落部等が
ある)と、標本パターン像と基準パターン像とを重ね合
わせて観察像とした時に、この観察像の一部、即ち、基
準パターンのパターン部から引っ込んだ欠陥部分の光量
が多くなり、その部分だけが他より明るくなる。
【0029】従って、いずれの場合にも欠陥が存在する
場合は、欠陥部分だけが強調されるので、観察者が一瞥
しただけで欠陥を発見することができる。このように、
本発明では、標本パターン及び基準パターンがどのよう
な構成であっても、それらの像を重ね合わせた時に、欠
陥部分だけが強調されるので、観察者が一瞥しただけで
欠陥を発見することができる。
【0030】勿論、標本パターンの構成と基準パターン
の構成とにより得られる観察像の状態は異なるが、どの
ような組み合わせにしても欠陥部分だけが強調されると
いうことは言うまでもなく、標本パターン像の形成状態
と基準パターン像の形成状態に関しては特に限定される
ものではない。
【0031】次に、請求項2に記載した発明では、基準
パターン形成用の光の波長と標本パターン形成用の光の
波長とを互いに異なるものとしている。例えば、互いの
像を形成する光の波長が異なれば、これらの像の重なり
からなる観察像において、欠陥部分には、例えば色彩の
変化や干渉状態の変化等の形成状態の変化が現れる。
【0032】このため、光量自体の変化のみならず、光
の波長の相違に起因する重ね合わせ状態の異なる部分が
像の形成状態の変化として観察者が判別できるので、欠
陥検査が容易且つ正確に行なえる。
【0033】特に、標本パターンに微小な欠陥がある場
合、標本パターン像と基準パターン像とを重ね合わせる
と、光量差のみで判別するものは、微小な欠陥部分には
微小な光量差としてしか現れない。従って、微小欠陥の
確認がしずらく、見落とす可能性も出てくる。
【0034】そのため、本発明では、このような欠陥検
査方法において、基準パターン像の形成光と標本パター
ン像の形成光とを互いに異なる波長のものとし、重ね合
わせ像の欠陥部分に光量差以外の差異(光の波長の差異
に基づくもの)を生じさせて、微小欠陥の判別を容易な
らしめている。
【0035】次に、光は波長の違いによって認識される
色が異なるため、標本パターンの像と、基準パターンの
像とを異なった波長(色)の光でそれぞれ形成させるも
のを例にとって説明する。
【0036】異なる波長、即ち、二つの異なる色の像を
重ね合わせると、二つの波長の光が重なるところは、光
の合成により全く別の色になる。例えば、基準パターン
のパターン部以外の部分と標本パターンのパターン部以
外の部分とが透過部である場合、欠陥が存在しなけれ
ば、観察されるパターン像(観察像)は、基準パターン
像を形成する波長の光と標本パターン像を形成する波長
の光との合成により生じた色により形成される。
【0037】しかし、標本パターンに欠陥が存在する場
合では、前述した様に欠陥個所はどちらかの波長のみの
色で表される。例えば、欠陥個所が基準パターンのパタ
ーン部よりはみ出る場合は、欠陥部分は標本パターン像
を形成する波長の光により形成されるため、欠陥部分の
みが異なる色(標本パターン形成光の色)として観察さ
れ、欠陥個所が基準パターンのパターン部よりも引っ込
んでいる場合は、欠陥部分は基準パターン像を形成する
波長の光により形成されるため、欠陥部分のみが異なる
色(基準パターン形成光の色)として観察される。
【0038】このように、本発明では、標本パターン及
び基準パターンがどのような構成であっても、それらの
像を重ね合わせた時に、欠陥部分だけが異なる色として
強調されるので、観察者が一瞥しただけで容易に欠陥を
発見することができる。
【0039】更に、請求項3に記載した発明では、上記
のような欠陥検査方法を実現する装置として、標本パタ
ーンからの光を予め定めた位置に結像させる対物光学系
と、前記位置に形成された標本パターンの像に重ね合わ
せるように前記基準パターンの像を形成する画像照合手
段と、前記位置に形成された像を観察する観察光学系と
を備えた欠陥検査装置を提案している。
【0040】本発明に係る装置では、対物光学系により
標本パターン像を形成し、画像照合手段により基準パタ
ーン像を標本パターンと重ね合わせて観察像を形成し、
観察光学系によりこれらの像の重ね合わせからなる観察
像の形成状態を観察することで、標本パターンの欠陥を
検査するものである。
【0041】画像照合手段は、基準パターンと同じ形状
の像が(標本パターンと同じ大きさで)再生できるもの
であれば特にその方式が制限されるものではなく、基準
パターン自体から基準パターン像を形成するものでも、
予め記録された基準パターン像の画像情報等を必要に応
じて再生するもの等でも良い。
【0042】次に、請求項4に記載した発明では、位置
検出手段を備えているため、標本上の被観察位置が正確
に検出され、対応する基準パターン像との重ね合わせを
正確に行なえる様になっている。
【0043】これは、標本パターン等が通常微細パター
ンであることから拡大して観察するので、一度に全面を
観察できず部分的な観察を行なうものであることから、
対応する標本パターン像の部分的に形成して重ね合わせ
を行なう必要があり、標本パターン上の被観察位置を正
確に検出することで対応する基準パターンの当該部分の
選択を行なうものとなる。
【0044】更に、本発明の画像照合手段は、データ保
持部に記録された画像情報から基準パターン像を形成す
るものであり、データ制御部により前記位置検出手段か
らの位置情報に基づいて、標本上の被観察領域に対応す
る基準パターンの画像情報を出力し、像形成部により標
本パターン像の形成位置に、対応する基準パターン像を
正確に重なるように形成する。
【0045】即ち、データ保持部には画像情報がパター
ンの各部に位置情報と共に記憶されているため、観察中
の標本パターン像に対応する基準パターン像を重ね合わ
せるには、現在観察している標本上の正確な位置を知る
必要がある。これは、例えば干渉計等から構成される位
置検出手段を用いて実現することができる。
【0046】像形成部は、検出された標本上の位置情報
に基づいて対応する基準パターンのを形成するものであ
るが、例えば標本パターン像と重なるように基準パター
ン像を投影する方式のものや、標本パターン像形成位置
に設けられた液晶表示面等の画像表示手段に直接基準パ
ターン像を形成するもの等のいずれの方式を採用しても
良い。
【0047】次に、請求項5に記載した発明では、標本
パターン像と基準パターン像とを異なる波長の光により
形成させているため、微小な欠陥部分を判別しやすい欠
陥検査方法及び欠陥検査装置とすることができる。
【0048】
【実施例】以下、実施例を通じ本発明をさらに詳しく説
明する。図1は、本発明の一実施例に係る顕微鏡の概略
構成図である。図1において、ステージ2上の標本1か
らの物体光は、所定の倍率を備えた対物レンズ群3を通
過した後、ビームスプリッタ6に入射する。ビームスプ
リッタ6に入射した物体光は、このビームスプリッタ6
も通過して、結像レンズ群4により標本パターン像とし
て中間結像位置A1に結像される。
【0049】この中間結像位置A1には、後述するよう
に、基準パターン像も重ねて結像されている。これらの
標本パターン像と基準パターン像から成る観察像は、接
眼レンズ群5の観察視野内に形成されており、中間結像
位置A1に結像された観察像(標本パターン像と基準パ
ターン像)が一度に観察できる様になっている。
【0050】更に、ステージ2には、位置検出手段の一
部を構成する干渉計15が設けられており、この干渉計
15により標本の被観察位置を検出し、検出結果を制御
部12に出力している。本実施例では、標本パターンの
被観察位置を検出する手段として干渉計を用いてるが、
勿論、位置検出手段としては干渉計に限らず、標本パタ
ーンの被観察位置を検出可能なものであれば、どのよう
な構成のものでも構わない。
【0051】制御部12は、CPU等から構成されてお
り、上記の干渉計15のほかに、基準パターンのデータ
を保持したデータベース13と、マウスやキーボード等
の外部入力部14及び後述するEL(electro-luminesc
ence)制御回路9が接続され、入力された様々な情報を
予めROMに内蔵されているプログラムにしたがって処
理している。
【0052】具体的には、干渉計15から入力された位
置情報に基づいてデータ保持部であるデータベース13
より対応する基準パターンの画像情報を引き出して、こ
の基準パターン画像情報を後述するEL制御回路9に出
力したり、外部入力部14から入力された例えば、標本
名や標本番号等の固有情報やカーソル位置等の情報をデ
ータ制御部であるEL制御回路9に出力している。
【0053】EL制御回路9は、像形成部であるEL表
示デバイス8(electro-luminescen-tpanel)を制御する
ものであり、制御部12からの基準パターンの画像情報
に基づいてEL表示デバイス8に電圧を印加し、基準パ
ターンのデータをEL画像としてEL表示デバイス8上
に形成させている。
【0054】EL表示デバイス8は、EL制御回路9か
らの出力信号により制御され、現在観察している標本パ
ターンに対応する基準パターンの像を特定の色(波長)
をつけて画像表示(発光表示、ネガとポジ表示いずれも
可)するものである。
【0055】本実施例では、EL表示デバイス8から発
せられた光が、標本パターン像と重なった時に、全く別
の色として認識されるものを用いている。例えば、標本
パターン像が赤色として認識される波長の光により形成
され、基準パターン像が青色として認識される波長の光
により形成されていれば、標本パターン像と基準パター
ン像とが重なった箇所は、紫色の像として認識される。
【0056】また、EL表示デバイス8の代わりに基準
パターンを画像表示する装置として、液晶やCRT等の
他のデバイスを用いても構わない。この場合には、投影
光学系の光源の種類で光の色を変える。
【0057】EL表示デバイス8から発せられた光は、
投影レンズ群7を通過して対物レンズ群3と結像レンズ
群4との間に設けられたビームスプリッタ6に入射し、
ここで光路が変更されて、結像レンズ群4に向かって進
行する。そして結像レンズ群4により基準パターン像が
中間結像位置A1に結像される。
【0058】前述した様に、中間結像位置A1には、標
本パターン像もまた結像されており、これに重ねて基準
パターン像が形成されることとなる。この基準パターン
像の大きさや位置合わせは、EL表示デバイス8により
調節される。すなわち、EL表示デバイス8は、基準パ
ターン像が中間結像位置A1において標本パターン像と
精度良く重ね合うように、基準パターンの表示画面上に
おいて基準パターン像の大小や位置を調整している。
【0059】この状態を図2を用いて説明する。標本パ
ターン像と基準パターン像との重ね合わせ状態は、従来
のこの種の顕微鏡と同様でも、異なるものでもいずれに
も応用できる。
【0060】標本1として、前述した従来例と同様なC
rラインパターンを持つチップを観察した場合の標本パ
ターン像の状態を図2(a)に示す。ここでは、円内が
観察視野を表し、Crラインパターン部分21は光を遮
光するため暗部として形成され、その他の部分は青色光
で形成された明部として形成されている。
【0061】また、被観察位置の標本パターンに対応す
る基準パターン像の状態を図2(b)に示す。図2
(b)は、Crラインパターン部分21と対応する部分
の基準パターン部分22が暗部として形成され、その他
の部分は、目視で赤く確認される波長の光で形成されて
いる。
【0062】従って、標本パターン像21と基準パター
ン像22とを重ね合わせた時の観察像は、図2(c)に
示したようになり、標本パターン像21と基準パターン
像22のどちらもない部分は、青色と赤色の合成色であ
る紫色になり、標本パターン像21の一部を形成する欠
陥部分23だけが基準パターン像22と重なっていない
ために、青く観察される。これを観察者が目視していれ
ば、欠陥の大小、位置にかかわらず、簡単に欠陥が発見
できる。
【0063】このように、標本パターンに欠陥がある場
合は、欠陥部分のみが、欠陥がない個所と全く別の色と
して認識されるため、観察者が一瞥するだけで欠陥個所
を発見することができる。
【0064】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、観察者が
一瞥するだけで欠陥の有無やその位置が発見でき、観察
効率が良い欠陥検査方法及び欠陥検査装置を得ることが
できる。又、微小な欠陥部分であっても判別しやすい欠
陥検査方法及び欠陥検査装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の欠陥検査装置の一実施例を示す概略図
である。
【図2】標本パターン像と、基準パターン像、及び本発
明の装置において、両者を重ね合わせた時に観察される
パターン像である。
【図3】従来の欠陥検査装置を示す該略図である。
【符号の説明】
1、31 標本 2、32 ステージ 3、33 対物レンズ群 4、34 結像レンズ群 5、35 接眼レンズ群 6 ビームスプリッタ 7 投影レンズ群 8 EL表示デバイス 9 EL制御回路 12 制御部 13 データベース 14 外部入力部 15 干渉計 21 標本パターン像 22 基準パターン像 23 欠陥部分 A1、A3 中間結位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/66 J 7735−4M

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基準パターンに基づいて形成された標本
    パターンの欠陥を検査する欠陥検査方法であって、 前記標本パターンから形成された標本パターン像と、前
    記基準パターンに基づいて形成された基準パターン像と
    を重ね合わせた観察像を形成すると共に、前記観察像の
    形成状態を観察することにより標本パターンの欠陥を検
    知することを特徴とする欠陥検査方法。
  2. 【請求項2】 前記基準パターン像を形成させる光と、
    前記標本パターン像を形成させる光とが互いに異なる波
    長の光であることを特徴とする請求項1に記載の欠陥検
    査方法。
  3. 【請求項3】 基準パターンに基づいて形成された標本
    パターンの欠陥を検査する欠陥検査装置であって、 前記標本パターンからの光を予め定めた位置に結像させ
    る対物光学系と、 前記位置に形成された標本パターンの像に重ね合わせる
    ように前記基準パターンに基づく基準パターン像を形成
    する画像照合手段と、 前記位置に形成された像を観察する観察光学系と、を備
    えたことを特徴とする欠陥検査装置。
  4. 【請求項4】 前記標本上の被観察位置を検出する位置
    検出手段をさらに備え、 前記画像照合手段は、 前記基準パターンの画像情報を保持するデータ保持部
    と、 前記位置検出手段からの位置情報に基づいて、前記デー
    タ保持部から標本上の被観察位置に対応する基準パター
    ンの画像情報を出力するデータ制御部と、 前記データ制御部からの出力信号に基づいて、基準パタ
    ーンの像を前記予め定めた位置に形成された標本パター
    ンの像に重なるように形成する像形成部と、を備えてい
    ることを特徴とする請求項3に記載の欠陥検査装置。
  5. 【請求項5】 前記像形成部は、前記標本パターン像を
    形成させる光の波長と異なる波長の光により前記基準パ
    ターン像を形成させるものであることを特徴とする請求
    項3又は4に記載の欠陥検査装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004503919A (ja) * 2000-05-24 2004-02-05 アーテーゲー、テスト、ジステムス、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング、ウント、コンパニー、コマンディット、ゲゼルシャフト 回路基板の予定領域の中で回路基板を検査する方法及び該方法を実行するための装置
KR101255952B1 (ko) * 2011-07-21 2013-04-23 주식회사 앤비젼 패턴층이 형성된 기판의 간섭 현상을 이용한 패턴검사방법 및 패턴검사장치

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JP2004503919A (ja) * 2000-05-24 2004-02-05 アーテーゲー、テスト、ジステムス、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング、ウント、コンパニー、コマンディット、ゲゼルシャフト 回路基板の予定領域の中で回路基板を検査する方法及び該方法を実行するための装置
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