JPH077124B2 - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
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- JPH077124B2 JPH077124B2 JP61258409A JP25840986A JPH077124B2 JP H077124 B2 JPH077124 B2 JP H077124B2 JP 61258409 A JP61258409 A JP 61258409A JP 25840986 A JP25840986 A JP 25840986A JP H077124 B2 JPH077124 B2 JP H077124B2
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 5
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017555 NdF Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体露光装置（以下アライナー）の光学系
において露光光源として用いるエキシマ・レーザーと、
レチクル、ウェハーの位置検出に用いる可視〜近赤外域
のレーザーを透過する光学系で、各々のレーザー波長で
の反射率を最小にするよう２成した反射防止膜に関する
ものである。
において露光光源として用いるエキシマ・レーザーと、
レチクル、ウェハーの位置検出に用いる可視〜近赤外域
のレーザーを透過する光学系で、各々のレーザー波長で
の反射率を最小にするよう２成した反射防止膜に関する
ものである。
近年、超LSI等の半導体素子では、高集積化の要請か
ら、パターンの微細化が進み、サブミクロンの線幅が実
用化され始めている。このような半導体素子のパターン
転写工程においては、解像度と歩留りを考慮し、縮小投
影露光装置（以下ステッパー）が主に用いられている
が、解像度のよりいっそうの向上が要求されている。
ら、パターンの微細化が進み、サブミクロンの線幅が実
用化され始めている。このような半導体素子のパターン
転写工程においては、解像度と歩留りを考慮し、縮小投
影露光装置（以下ステッパー）が主に用いられている
が、解像度のよりいっそうの向上が要求されている。
ステッパーによるフォトリソグラフィーの実用解像度Ｒ
は、 で与えられる。ここでλは露光波長、NAはレンズの開口
数、ｋはレジストの現像コントラストなどで決まる定数
で通常0.8程度である。従って、解像度の向上には露光
光の短波長化、もしくは開口数を大きくすることにな
る。
は、 で与えられる。ここでλは露光波長、NAはレンズの開口
数、ｋはレジストの現像コントラストなどで決まる定数
で通常0.8程度である。従って、解像度の向上には露光
光の短波長化、もしくは開口数を大きくすることにな
る。
短波長化を指向するものとして、高出力な短波長光源で
あるエキシマ・レーザーを用いたステッパーが注目され
ている。このようなエキシマ・レーザーを光源にしたス
テッパーでは、焼付線幅の微細化に伴いレチクルとウェ
ハーとの相対位置合わせ（以下アライメント）もより高
精度であることが要求される。アライメントの高精度化
に有効な方法の１つとして、投影レンズ中にアライメン
ト光を通して行なうTTL（Through the lens）アライメ
ントがある。一般に半導体素子の微細パターン焼付用の
投影レンズは非常に高精度であることが要求される。こ
れは周囲の温度・気圧等の環境の変化や経時変化によ
り、投影レンズの倍率（ディストーションを含む）やピ
ントが容易に変化してしまうためである。特に倍率の変
化はアライメント精度に大きな影響を与える。一方、TT
Lアライメントによればこうした投影レンズの変化に追
従してアライメント光路も変化するので、投影レンズが
変化してもアライメント精度は影響を受けにくくなる。
あるエキシマ・レーザーを用いたステッパーが注目され
ている。このようなエキシマ・レーザーを光源にしたス
テッパーでは、焼付線幅の微細化に伴いレチクルとウェ
ハーとの相対位置合わせ（以下アライメント）もより高
精度であることが要求される。アライメントの高精度化
に有効な方法の１つとして、投影レンズ中にアライメン
ト光を通して行なうTTL（Through the lens）アライメ
ントがある。一般に半導体素子の微細パターン焼付用の
投影レンズは非常に高精度であることが要求される。こ
れは周囲の温度・気圧等の環境の変化や経時変化によ
り、投影レンズの倍率（ディストーションを含む）やピ
ントが容易に変化してしまうためである。特に倍率の変
化はアライメント精度に大きな影響を与える。一方、TT
Lアライメントによればこうした投影レンズの変化に追
従してアライメント光路も変化するので、投影レンズが
変化してもアライメント精度は影響を受けにくくなる。
ところで、エキシマ・レーザーを光源として微細パター
ンの焼付けを行なうとき、投影レンズの焦点深度は±１
μｍ程度と非常に浅くなる。従って、通常の段差状をし
た基板上に焼付ける場合、段差の上面と下面の双方で同
時にピントを合わせることが困難となる。このような場
合、下層に厚い段差平坦化用のレジストを形成し、その
上に薄い感光用のレジストを配置した２層レジストや、
さらに両者の中間にごく薄い絶縁層を設けた３層レジス
トなどの多層レジストが有効となる。多層レジストにお
いては、感光用の上層内に定在波の生じることによる像
性能の低下を防ぐため、平坦化用の下層レジストは焼付
光をよく吸収する物質からなっている。従って焼付光は
ウェハー面で反射して戻ってこないため、多層レジスト
を用いる場合にはアライメント光として下層レジストで
吸収されない長波長の光を用いることが好ましい。ま
た、アライメント光は高輝度、制御性の容易さから連続
発振のレーザー光が好ましく、これらの条件に適合する
レーザーとして、He-Cdレーザー（442nm）、Ar+レーザ
ー（488,515nm等）、He-Neレーザー（544,633nm等）、
近赤外域の半導体レーザー（780nm等）等が挙げられ
る。
ンの焼付けを行なうとき、投影レンズの焦点深度は±１
μｍ程度と非常に浅くなる。従って、通常の段差状をし
た基板上に焼付ける場合、段差の上面と下面の双方で同
時にピントを合わせることが困難となる。このような場
合、下層に厚い段差平坦化用のレジストを形成し、その
上に薄い感光用のレジストを配置した２層レジストや、
さらに両者の中間にごく薄い絶縁層を設けた３層レジス
トなどの多層レジストが有効となる。多層レジストにお
いては、感光用の上層内に定在波の生じることによる像
性能の低下を防ぐため、平坦化用の下層レジストは焼付
光をよく吸収する物質からなっている。従って焼付光は
ウェハー面で反射して戻ってこないため、多層レジスト
を用いる場合にはアライメント光として下層レジストで
吸収されない長波長の光を用いることが好ましい。ま
た、アライメント光は高輝度、制御性の容易さから連続
発振のレーザー光が好ましく、これらの条件に適合する
レーザーとして、He-Cdレーザー（442nm）、Ar+レーザ
ー（488,515nm等）、He-Neレーザー（544,633nm等）、
近赤外域の半導体レーザー（780nm等）等が挙げられ
る。
しかしながら、レーザーのような単色光源をアライメン
トに用いた場合、ウェハー上に塗布されたレジストの上
面と下面（多層レジストの場合は、さらに上面と中間
面、中間面と下面、中間面どうし）からの各反射光が干
渉し、波長とレジストの光学的膜厚の関係によっては反
射防止条件が成立してしまい、反射光の出力が非常に小
さくなってしまいアライメント情報が得られない。この
ような問題を解決するためには、前記レーザーの中より
２つ以上の波長の異なるレーザーを同時にアライメント
光として用いる方法が考えられる。
トに用いた場合、ウェハー上に塗布されたレジストの上
面と下面（多層レジストの場合は、さらに上面と中間
面、中間面と下面、中間面どうし）からの各反射光が干
渉し、波長とレジストの光学的膜厚の関係によっては反
射防止条件が成立してしまい、反射光の出力が非常に小
さくなってしまいアライメント情報が得られない。この
ような問題を解決するためには、前記レーザーの中より
２つ以上の波長の異なるレーザーを同時にアライメント
光として用いる方法が考えられる。
以上述べたように、エキシマ・レーザーを光源としたス
テッパーにおいて、TTLかつ多層レジストにも対応でき
る焼付光以外の光を用いてアライメントを行なうとすれ
ば、248nmあるいは308nmといった遠紫外域のエキシマ波
長と、前記可視〜近赤外域のアライメント波長の双方で
十分な反射防止効果を持つ反射防止膜が必要となる。し
かも前述したような単色光による干渉効果を考慮する
と、アライメント波長域の反射防止は前記レーザー波長
のうち２つ以上の異なったレーザー波長において実現さ
れることが必要である。
テッパーにおいて、TTLかつ多層レジストにも対応でき
る焼付光以外の光を用いてアライメントを行なうとすれ
ば、248nmあるいは308nmといった遠紫外域のエキシマ波
長と、前記可視〜近赤外域のアライメント波長の双方で
十分な反射防止効果を持つ反射防止膜が必要となる。し
かも前述したような単色光による干渉効果を考慮する
と、アライメント波長域の反射防止は前記レーザー波長
のうち２つ以上の異なったレーザー波長において実現さ
れることが必要である。
本発明は、投影レンズの表面反射による光量ロスの低
減、及びゴースト、フレア等の発生防止のため、遠紫外
域のエキシマ波長と、前記可視〜近赤外域のアライメン
ト波長の双方で十分な反射防止効果を持つ反射防止膜を
提供することを目的とする。
減、及びゴースト、フレア等の発生防止のため、遠紫外
域のエキシマ波長と、前記可視〜近赤外域のアライメン
ト波長の双方で十分な反射防止効果を持つ反射防止膜を
提供することを目的とする。
本発明の上記目的は、波長160nm以上の光を透過する基
体上に、第１層として中間屈折率物質層、第２層として
低屈折率物質層、第３層として高屈折率物質層、第４層
として低屈折率物質層を同順に積層してなり、エキシマ
レーザー波長と470nm〜800nmの領域の波長において使用
する反射防止膜であって、第１層の光学的膜厚が0.5λ0
/4≦n1d1≦0.71λ0/4であり、第２層の光学的膜厚が0.1
λ0/4≦n2d2≦0.19λ0/4であり、第３層の光学的膜厚が
1.95λ0/4≦n3d3≦1.98λ0/4であり、第４層の光学的膜
厚が0.98λ0/4≦n4d4≦1.03λ0/4である反射防止膜によ
って達成される。
体上に、第１層として中間屈折率物質層、第２層として
低屈折率物質層、第３層として高屈折率物質層、第４層
として低屈折率物質層を同順に積層してなり、エキシマ
レーザー波長と470nm〜800nmの領域の波長において使用
する反射防止膜であって、第１層の光学的膜厚が0.5λ0
/4≦n1d1≦0.71λ0/4であり、第２層の光学的膜厚が0.1
λ0/4≦n2d2≦0.19λ0/4であり、第３層の光学的膜厚が
1.95λ0/4≦n3d3≦1.98λ0/4であり、第４層の光学的膜
厚が0.98λ0/4≦n4d4≦1.03λ0/4である反射防止膜によ
って達成される。
ここで高屈折率というのは遠紫外域での屈折率が1.8以
上であること、中間屈折率というのは屈折率が1.6〜1.8
であること、低屈折率というのは屈折率が1.5以下であ
ることを意味している。
上であること、中間屈折率というのは屈折率が1.6〜1.8
であること、低屈折率というのは屈折率が1.5以下であ
ることを意味している。
また上記不等式において、λ０は設計基準波長であり、
n1〜n4は各層の屈折率であり、d1〜d4は各層の物理的厚
さであり、n1d1〜n4d4は各層の光学的膜厚である。
n1〜n4は各層の屈折率であり、d1〜d4は各層の物理的厚
さであり、n1d1〜n4d4は各層の光学的膜厚である。
本発明にかかる反射防止膜の満足すべき条件は、紫外域
と可視〜近赤外域の所望する波長において同時に反射防
止条件を持つことである。
と可視〜近赤外域の所望する波長において同時に反射防
止条件を持つことである。
反射防止膜における反射防止帯域は、第２図のように波
長λに対し周期的に現われることは公知である。第２図
中の１は、３層反射防止膜の基本構成における１つの反
射防止帯域の反射率を示すものである。すなわち基本構
成G/M（λ0/4）Ｈ（λ0/2）Ｌ（λ0/4）/Airについて、 λ０＝580nmとして、Ｍの屈折率をnM＝1.604、Ｈの屈折
率をnH＝1.957、Ｌの屈折率をnL＝1.368として計算した
ものである。基本的にはこの周期条件に基づき所望する
波長で反射防止する条件を求めればよい。ここでＭは中
間屈折率物質を示し、Ｈは高屈折率物質を示し、Ｌは低
屈折率物質を示し、Ｇは基体を示すものとする（以下同
じ）。
長λに対し周期的に現われることは公知である。第２図
中の１は、３層反射防止膜の基本構成における１つの反
射防止帯域の反射率を示すものである。すなわち基本構
成G/M（λ0/4）Ｈ（λ0/2）Ｌ（λ0/4）/Airについて、 λ０＝580nmとして、Ｍの屈折率をnM＝1.604、Ｈの屈折
率をnH＝1.957、Ｌの屈折率をnL＝1.368として計算した
ものである。基本的にはこの周期条件に基づき所望する
波長で反射防止する条件を求めればよい。ここでＭは中
間屈折率物質を示し、Ｈは高屈折率物質を示し、Ｌは低
屈折率物質を示し、Ｇは基体を示すものとする（以下同
じ）。
第３図中４は第２図の構成に基づきＭとしてLaF3、Ｈと
してZrO2、ＬとしてMgF2を用いたときの分光特性である
（ただし、分散を考慮している。）。この設計によれば
アライメント光として用いるAr+レーザー（488,515n
m）、He-Neレーザー（544,632.8nm）、半導体レーザー
（780nm）波長において反射防止できるものの、エキシ
マ・レーザー波長248nmにおいては反射防止できない。
してZrO2、ＬとしてMgF2を用いたときの分光特性である
（ただし、分散を考慮している。）。この設計によれば
アライメント光として用いるAr+レーザー（488,515n
m）、He-Neレーザー（544,632.8nm）、半導体レーザー
（780nm）波長において反射防止できるものの、エキシ
マ・レーザー波長248nmにおいては反射防止できない。
そこでエキシマ・レーザー波長で反射防止するよう最適
化を図ったものが第４図である。この設計によれば、Ar
+レーザー波長λ＝488,515nmで逆に反射防止が実現され
ず、反射防止帯域が長波長側へシフトしてしまう。従っ
て、上記３層構成では所望する波長での反射防止は実現
されない。
化を図ったものが第４図である。この設計によれば、Ar
+レーザー波長λ＝488,515nmで逆に反射防止が実現され
ず、反射防止帯域が長波長側へシフトしてしまう。従っ
て、上記３層構成では所望する波長での反射防止は実現
されない。
ここで第１層目の屈折率を変化させたときのλ0/λに関
する反射率と、λに関する反射率を第２図2,3、第３図
5,6に示す。基本構成G/M（λ0/4）Ｈ（λ0/2）Ｌ（λ0/
4）/Air,λ０＝580nmについてＭの屈折率を1.604及び1.
564及び1.644とし、Ｈの屈折率を1.957、Ｌの屈折率を
1.368として反射率を測定した結果は であり、エキシマ波長近傍のボトム（bottom）の反射率
は第１層の反射率が低くなると、反射率も低下する傾向
にある。第２図２、第３図５は屈折率を1.564、第２図
３、第３図６は屈折率を1.644としたもので、以上のこ
とから第１層の屈折率を低屈折率にすることにより、エ
キシマ波長の反射率は低下し、可視域における反射率0.
3％以下の反射防止帯域を波長シフトさせることなく広
くすることが出来る。しかし、低屈折率と中間屈折率の
中間の屈折率を持つ材料がないため等価屈折率の考えを
適用する。具体的には第１層目を中間屈折率と低屈折率
物質、あるいは高屈折率と低屈折率物質からなる２層に
分轄し、所望の屈折率と反射率が得られるよう計算機に
より最適化する。こうして得られた結果が第５図であ
る。図中７は（ML）構成、８は（HL）構成によるもので
ある。これによれば（HL）構成では、Ar+レーザー、He-
Ne（632.8nm）レーザー波長で反射防止が実現されな
い。また、わずかではあるがエキシマ波長での反射防止
帯域が（ML）構成よりも狭くなる。
する反射率と、λに関する反射率を第２図2,3、第３図
5,6に示す。基本構成G/M（λ0/4）Ｈ（λ0/2）Ｌ（λ0/
4）/Air,λ０＝580nmについてＭの屈折率を1.604及び1.
564及び1.644とし、Ｈの屈折率を1.957、Ｌの屈折率を
1.368として反射率を測定した結果は であり、エキシマ波長近傍のボトム（bottom）の反射率
は第１層の反射率が低くなると、反射率も低下する傾向
にある。第２図２、第３図５は屈折率を1.564、第２図
３、第３図６は屈折率を1.644としたもので、以上のこ
とから第１層の屈折率を低屈折率にすることにより、エ
キシマ波長の反射率は低下し、可視域における反射率0.
3％以下の反射防止帯域を波長シフトさせることなく広
くすることが出来る。しかし、低屈折率と中間屈折率の
中間の屈折率を持つ材料がないため等価屈折率の考えを
適用する。具体的には第１層目を中間屈折率と低屈折率
物質、あるいは高屈折率と低屈折率物質からなる２層に
分轄し、所望の屈折率と反射率が得られるよう計算機に
より最適化する。こうして得られた結果が第５図であ
る。図中７は（ML）構成、８は（HL）構成によるもので
ある。これによれば（HL）構成では、Ar+レーザー、He-
Ne（632.8nm）レーザー波長で反射防止が実現されな
い。また、わずかではあるがエキシマ波長での反射防止
帯域が（ML）構成よりも狭くなる。
これに対し本発明のG/MLHL/Air構成によれば、周期的反
射防止条件からエキシマ波長とAr+、He-Ne、半導体レー
ザー波長において反射防止することができ、アライメン
ト光の選択の自由度を広げることができる。ことにアラ
イメント方式により検出精度を上げるためには、できる
だけ短波長であることが望ましく、この点でも他の膜構
成に比べ優れている。
射防止条件からエキシマ波長とAr+、He-Ne、半導体レー
ザー波長において反射防止することができ、アライメン
ト光の選択の自由度を広げることができる。ことにアラ
イメント方式により検出精度を上げるためには、できる
だけ短波長であることが望ましく、この点でも他の膜構
成に比べ優れている。
本発明の反射防止膜は、第１図に示すとおり、４層構造
を有し、第１図９は波長160nm以上の光を透過する物質
からなる基体で、具体的には合成石英、人工水晶、Ca
F2、MgF2等の結晶からなるレンズ等の光学素子である。
基体上に積層された10は中間屈折率物質の層、11,13は
低屈折率物質の層、13は高屈折率物質の層で、これらを
形成するためには、通常、真空蒸着法（イオンプレーテ
ィング、スパッタリング等で包含する）が用いられる。
を有し、第１図９は波長160nm以上の光を透過する物質
からなる基体で、具体的には合成石英、人工水晶、Ca
F2、MgF2等の結晶からなるレンズ等の光学素子である。
基体上に積層された10は中間屈折率物質の層、11,13は
低屈折率物質の層、13は高屈折率物質の層で、これらを
形成するためには、通常、真空蒸着法（イオンプレーテ
ィング、スパッタリング等で包含する）が用いられる。
本発明の反射防止膜は、例えば設計基準波長λ０＝606n
mに対し、第１層の光学的膜厚が約0.5λ0/4≦n1d1≦0.7
1λ0/4、以下第２層0.1λ0/4≦n2d2≦0.19λ0/4、第３
層1.95λ0/4≦n3d3≦1.98λ0/4、第４層0.98λ0/4≦n4d
4≦1.03λ0/4の範囲にあることが必要である。この条件
は、後述の第６図〜第８図に示すようにエキシマ波長と
可視域における反射防止条件を満足するためのものであ
り、例えばエキシマ波長と470nm〜800nmの領域の波長に
対し反射率を0.5％以下とすることが可能である。
mに対し、第１層の光学的膜厚が約0.5λ0/4≦n1d1≦0.7
1λ0/4、以下第２層0.1λ0/4≦n2d2≦0.19λ0/4、第３
層1.95λ0/4≦n3d3≦1.98λ0/4、第４層0.98λ0/4≦n4d
4≦1.03λ0/4の範囲にあることが必要である。この条件
は、後述の第６図〜第８図に示すようにエキシマ波長と
可視域における反射防止条件を満足するためのものであ
り、例えばエキシマ波長と470nm〜800nmの領域の波長に
対し反射率を0.5％以下とすることが可能である。
各層の膜材料としては、紫外域で透過率が高く、かつエ
キシマ・レーザーに対して十分な耐力を持つ必要性か
ら、紫外域で吸収のない材料である必要がある。具体的
には、低屈折率物質としてMgF2、LiF、CaF2、Na3AlF6、
SiO2、中間屈折率物質としてLaF3、NdF3、ThF4、Al
2O3、高屈折率物質としてZrO2、HfO2、Sc2O3、Y2O3から
選ばれるものである。
キシマ・レーザーに対して十分な耐力を持つ必要性か
ら、紫外域で吸収のない材料である必要がある。具体的
には、低屈折率物質としてMgF2、LiF、CaF2、Na3AlF6、
SiO2、中間屈折率物質としてLaF3、NdF3、ThF4、Al
2O3、高屈折率物質としてZrO2、HfO2、Sc2O3、Y2O3から
選ばれるものである。
以下実施例により、本発明をより具体的に説明する。
実施例１ 第１図の反射防止膜において、基体９を合成石英からな
るレンズとし、10の中間屈折率物質としてLaF3、11,13
の低屈折率物質としてMgF2、12の高屈折率物質としてZr
O2を用い、真空蒸着法によりハードコーティングした。
ZrO2の蒸着に際しては、紫外域の吸収を小さくするため
酸素ガスを導入し、蒸着時の真空度を1.0×10-4Torrと
した。また基板温度は270℃で成膜を行なった。
るレンズとし、10の中間屈折率物質としてLaF3、11,13
の低屈折率物質としてMgF2、12の高屈折率物質としてZr
O2を用い、真空蒸着法によりハードコーティングした。
ZrO2の蒸着に際しては、紫外域の吸収を小さくするため
酸素ガスを導入し、蒸着時の真空度を1.0×10-4Torrと
した。また基板温度は270℃で成膜を行なった。
本発明の膜構成は第１表に示す通りである。
かくして得られた反射防止膜の分光特性を第６図に示
す。これによれば、波長248nmのエキシマ・レーザー波
長において反射率が0.2％以下、波長470nm〜800nmの範
囲で反射率を0.5％以下に抑えることができた。特にア
ライメント光の対象となるAr+レーザー（488nm,515n
m）、He-Neレーザー（544nm,632.8nm）、半導体レーザ
ー（780nm）において反射率を0.3％以下に抑えることが
できた。
す。これによれば、波長248nmのエキシマ・レーザー波
長において反射率が0.2％以下、波長470nm〜800nmの範
囲で反射率を0.5％以下に抑えることができた。特にア
ライメント光の対象となるAr+レーザー（488nm,515n
m）、He-Neレーザー（544nm,632.8nm）、半導体レーザ
ー（780nm）において反射率を0.3％以下に抑えることが
できた。
次に、耐久性についてはMIL-C-675（Ｃ）に準じる密着
性、耐摩耗性、耐溶剤性、耐湿性テストを満足した。ま
た、KrFレーザーの連続照射テスト平均200mJ、25Hz、パ
ルス幅15ns、50時間照射後もレーザーによるダメージ、
透過率の劣化等はみられず耐レーザー性も確認された。
性、耐摩耗性、耐溶剤性、耐湿性テストを満足した。ま
た、KrFレーザーの連続照射テスト平均200mJ、25Hz、パ
ルス幅15ns、50時間照射後もレーザーによるダメージ、
透過率の劣化等はみられず耐レーザー性も確認された。
実施例２ 中間屈折率物質としてAl2O3を用い、実施例１と同様に
して本発明の構成による反射防止膜を形成した。このと
きの膜構成は第２表に示すとおりである。また得られた
分光特性を第７図に示す。本実施例においても実施例１
と同等の光学特性と化学的、物理的安定性を有する反射
防止膜が得られた。
して本発明の構成による反射防止膜を形成した。このと
きの膜構成は第２表に示すとおりである。また得られた
分光特性を第７図に示す。本実施例においても実施例１
と同等の光学特性と化学的、物理的安定性を有する反射
防止膜が得られた。
変形例 露光光として、XeCl（λ＝308nm）を用いるとき、実施
例１においてλ０＝800nmとした場合の分光特性を第８
図に示す。これによれば、Ar+レーザー、He-Neレーザー
（544nm）においては反射防止されないものの、XeClお
よび632.8nmのHe-Neレーザーと半導体レーザー（780nm,
820nm）において反射防止を実現することができ、アラ
イメント光としてHe-Neレーザー、半導体レーザーに限
定すればXeClを露光光とした場合でも、本発明により膜
厚（λ０）を変えることで対応することができる。
例１においてλ０＝800nmとした場合の分光特性を第８
図に示す。これによれば、Ar+レーザー、He-Neレーザー
（544nm）においては反射防止されないものの、XeClお
よび632.8nmのHe-Neレーザーと半導体レーザー（780nm,
820nm）において反射防止を実現することができ、アラ
イメント光としてHe-Neレーザー、半導体レーザーに限
定すればXeClを露光光とした場合でも、本発明により膜
厚（λ０）を変えることで対応することができる。
実施例３ 実施例１における第１層〜第４層の膜厚を変化させ、各
層の膜厚変化と光学特性の関係を調べた。結果を第９図
〜第12図に示す。即ち、第１層においてはn1d1＜0.5λ0
/4になると可視域の分光反射特性が劣化（所望レーザー
波長での分光反射特性が悪化）し、n1d1＞0.71λ0/4に
なるとλ＝248nmの分光反射特性が劣化し（第９図）、
第２層においてはn2d2＜0.1λ0/4ではλ＝248nmの分光
反射特性が劣化し、n2d2＞0.19λ0/4では可視域のAR特
性が悪化し（第10図）、第３層においてはn3d3＜1.95λ
0/4では可視域の分光反射特性が劣化し、n3d3＞1.98λ0
/4ではλ＝248nmの分光反射特性が劣化し（第11図）、
第４層においてはn4d4＜0.98λ0/4、n4d4＞1.03λ0/4で
可視域の分光反射特性とλ＝248nmの分光反射特性が劣
化した（第12図）。
層の膜厚変化と光学特性の関係を調べた。結果を第９図
〜第12図に示す。即ち、第１層においてはn1d1＜0.5λ0
/4になると可視域の分光反射特性が劣化（所望レーザー
波長での分光反射特性が悪化）し、n1d1＞0.71λ0/4に
なるとλ＝248nmの分光反射特性が劣化し（第９図）、
第２層においてはn2d2＜0.1λ0/4ではλ＝248nmの分光
反射特性が劣化し、n2d2＞0.19λ0/4では可視域のAR特
性が悪化し（第10図）、第３層においてはn3d3＜1.95λ
0/4では可視域の分光反射特性が劣化し、n3d3＞1.98λ0
/4ではλ＝248nmの分光反射特性が劣化し（第11図）、
第４層においてはn4d4＜0.98λ0/4、n4d4＞1.03λ0/4で
可視域の分光反射特性とλ＝248nmの分光反射特性が劣
化した（第12図）。
以上説明したように、本発明の反射防止膜は、光学的に
は所望するエキシマ・レーザー波長と、アライメント光
として用いるAr+レーザー、He-Neレーザー、半導体レー
ザー波長において、レンズ等基体表面の反射を低くおさ
え、ゴースト等の問題を解決するという優れた光学特性
を持っている。更に、耐溶剤性、耐湿性という化学的安
定性に富むと同時に、密着性、耐摩耗性、耐レーザー性
という物理的安定性にも優れており、実用的に極めて有
用である。
は所望するエキシマ・レーザー波長と、アライメント光
として用いるAr+レーザー、He-Neレーザー、半導体レー
ザー波長において、レンズ等基体表面の反射を低くおさ
え、ゴースト等の問題を解決するという優れた光学特性
を持っている。更に、耐溶剤性、耐湿性という化学的安
定性に富むと同時に、密着性、耐摩耗性、耐レーザー性
という物理的安定性にも優れており、実用的に極めて有
用である。
第１図は本発明をレンズに形成した場合の膜構成を示す
ための断面図である。第２図は３層反射防止膜の基本構
成G/M（λ0/4）Ｈ（λ0/2）Ｌ（λ0/4）/Airについて、
横軸をλ0/λとして反射率との関係を表わしたものであ
る。第３図は第２図の構成について横軸をλとして反射
率との関係を示したものである。第４図は第２図の構成
に基づき膜厚を変化させて反射防止条件の最適化を図っ
た場合の分光反射率特性である。第５図は第２図の構成
において第１層の屈折率を変化させた場合の分光反射率
特性である。第６図は本発明の実施例１による分光反射
率特性を示す図である。第７図は実施例２による分光反
射率特性を示す図である。第８図はXeClを用いた場合に
対応する実施例１の変形例による分光反射率特性を示す
ものである。第９図、第10図、第11図および第12図は本
発明の実施例３において得られた、それぞれ第１層、第
２層、第３層および第４層における膜厚変化と分光反射
特性との関係を示す図である。 9:基体、 10:中間屈折率物質、11,13:低屈折率物質、 12:高屈折率物質。
ための断面図である。第２図は３層反射防止膜の基本構
成G/M（λ0/4）Ｈ（λ0/2）Ｌ（λ0/4）/Airについて、
横軸をλ0/λとして反射率との関係を表わしたものであ
る。第３図は第２図の構成について横軸をλとして反射
率との関係を示したものである。第４図は第２図の構成
に基づき膜厚を変化させて反射防止条件の最適化を図っ
た場合の分光反射率特性である。第５図は第２図の構成
において第１層の屈折率を変化させた場合の分光反射率
特性である。第６図は本発明の実施例１による分光反射
率特性を示す図である。第７図は実施例２による分光反
射率特性を示す図である。第８図はXeClを用いた場合に
対応する実施例１の変形例による分光反射率特性を示す
ものである。第９図、第10図、第11図および第12図は本
発明の実施例３において得られた、それぞれ第１層、第
２層、第３層および第４層における膜厚変化と分光反射
特性との関係を示す図である。 9:基体、 10:中間屈折率物質、11,13:低屈折率物質、 12:高屈折率物質。
Claims (3)
- 【請求項１】波長160nm以上の光を透過する基体上に、
第１層として中間屈折率物質層、第２層として低屈折率
物質層、第３層として高屈折率物質層、第４層として低
屈折率物質層を同順に積層してなり、エキシマレーザー
波長と470nm〜800nmの領域の波長において使用する反射
防止膜であって、第１層の光学的膜厚が0.5λ0/4≦n1d1
≦0.71λ0/4であり、第２層の光学的膜厚が0.1λ0/4≦n
2d2≦0.19λ0/4であり、第３層の光学的膜厚が1.95λ0/
4≦n3d3≦1.98λ0/4であり、第４層の光学的膜厚が0.98
λ0/4≦n4d4≦1.03λ0/4であることを特徴とする反射防
止膜。 - 【請求項２】前記エキシマレーザーはKrFエキシマレー
ザーで、その波長が248nmである特許請求の範囲第１項
記載の反射防止膜。 - 【請求項３】前記低屈折率物質はMgF2,CaF2,LiF,Na3AlF
6,SiO2のうちから、前記中間屈折率物質はLaF3、NdF3,T
hF4,Al2O3のうちから、前記高屈折率物質はZrO2,HfO2,Y
2O3,Sc2O3のうちからそれぞれ選ばれたものである特許
請求の範囲第１項または第２項記載の反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258409A JPH077124B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258409A JPH077124B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113501A JPS63113501A (ja) | 1988-05-18 |
| JPH077124B2 true JPH077124B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=17319824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61258409A Expired - Fee Related JPH077124B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077124B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5532871A (en) * | 1992-11-25 | 1996-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Two-wavelength antireflection film |
| JPH08220304A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Tadahiro Omi | 光学物品及びそれを用いた露光装置又は光学系並びにその製造方法 |
| JP3526207B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2004-05-10 | キヤノン株式会社 | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
| WO2001035125A1 (fr) * | 1999-11-05 | 2001-05-17 | Asahi Glass Company, Limited | Base antireflet pour zones d'ultraviolet et d'ultraviolet extreme |
| US20060139757A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | Harris Michael D | Anti-reflective coating for optical windows and elements |
| US8619365B2 (en) | 2004-12-29 | 2013-12-31 | Corning Incorporated | Anti-reflective coating for optical windows and elements |
| CN108897085B (zh) | 2018-08-06 | 2024-07-16 | 信阳舜宇光学有限公司 | 滤光片及包含该滤光片的红外图像传感系统 |
| CN109061785B (zh) * | 2018-08-06 | 2024-07-16 | 信阳舜宇光学有限公司 | 用于近红外窄带滤光片的ar膜层及滤光片 |
| CN110208885A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-06 | 浙江舜宇光学有限公司 | 镀膜镜片、光学镜头及形成镀膜镜片的方法 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61258409A patent/JPH077124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63113501A (ja) | 1988-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |