JPH11167003A - ２波長反射防止膜 - Google Patents
２波長反射防止膜Info
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- JPH11167003A JPH11167003A JP9332203A JP33220397A JPH11167003A JP H11167003 A JPH11167003 A JP H11167003A JP 9332203 A JP9332203 A JP 9332203A JP 33220397 A JP33220397 A JP 33220397A JP H11167003 A JPH11167003 A JP H11167003A
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- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 title abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 claims 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910005690 GdF 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004379 HoF 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 Ce F 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020156 CeF Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 101100274801 Caenorhabditis elegans dyf-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910017555 NdF Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Inorganic materials [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】設計、製造における大幅な省力化と製造効率の
向上を実現可能な２波長反射防止膜を提供する。 【解決手段】基板上に順次積層する多層膜であって、中
心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）の２波長についての反射防
止膜において、基板上に光学的膜厚がｋ1λ1／４の中間
屈折率層、光学的膜厚がｋ2λ1／２の高屈折率層、光学
的膜厚がｋ3λ1／４の低屈折率層を順次積層してなる２
波長反射防止膜。ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3は正の整数
向上を実現可能な２波長反射防止膜を提供する。 【解決手段】基板上に順次積層する多層膜であって、中
心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）の２波長についての反射防
止膜において、基板上に光学的膜厚がｋ1λ1／４の中間
屈折率層、光学的膜厚がｋ2λ1／２の高屈折率層、光学
的膜厚がｋ3λ1／４の低屈折率層を順次積層してなる２
波長反射防止膜。ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3は正の整数
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は二波長域の反射防止
膜に関し、例えば波長１５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の紫
外域の波長と、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視域の
波長の２つの波長域の光に対して反射防止を効果的に行
う２波長反射防止膜に関するものである。
膜に関し、例えば波長１５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の紫
外域の波長と、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視域の
波長の２つの波長域の光に対して反射防止を効果的に行
う２波長反射防止膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の集積度を増すため
に、半導体製造用縮小投影露光装置（ステッパー）の高
解像力化の要求が高まっている。このステッパーによる
フォトリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法とし
て、光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀
ランプより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキ
シマレーザーを光源としたステッパーの実用化が始まっ
ている。このステッパーの光学系において、レンズ等の
光学素子の表面反射による光量損失やフレア・ゴースト
等を低減するために反射防止膜を形成する必要がある。
一方、レチクルとウエハとの相対的な位置合わせ（アラ
イメント）を高精度に行う為に露光波長とは異なり、ウ
エハ面の観察が可能な可視光で、かつフォトレジストに
非感光の光、例えばＨｅ−Ｎｅレーザから放射される波
長６３２．８ｎｍの光を用いたアライメント系が種々提
案されている。
に、半導体製造用縮小投影露光装置（ステッパー）の高
解像力化の要求が高まっている。このステッパーによる
フォトリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法とし
て、光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀
ランプより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキ
シマレーザーを光源としたステッパーの実用化が始まっ
ている。このステッパーの光学系において、レンズ等の
光学素子の表面反射による光量損失やフレア・ゴースト
等を低減するために反射防止膜を形成する必要がある。
一方、レチクルとウエハとの相対的な位置合わせ（アラ
イメント）を高精度に行う為に露光波長とは異なり、ウ
エハ面の観察が可能な可視光で、かつフォトレジストに
非感光の光、例えばＨｅ−Ｎｅレーザから放射される波
長６３２．８ｎｍの光を用いたアライメント系が種々提
案されている。
【０００３】このようなステッパーにおいて用いられる
光学系のレンズやミラー等の面には紫外域及び可視域の
双方の波長域で所定の透過率（又は反射率）を有した薄
膜が施されている。
光学系のレンズやミラー等の面には紫外域及び可視域の
双方の波長域で所定の透過率（又は反射率）を有した薄
膜が施されている。
【０００４】
【発明が解決使用とする課題】２つの波長域で反射防止
を行う反射防止膜については幾つかの例（特開平７−２
４４２０４号公報、特開平７−２４４２０２号公報等）
があるが、これらの膜構成は任意膜厚の多層構成であ
り、層数も５層以上の複雑な構成を取っている。このよ
うな反射防止膜の設計計算に於いては煩雑な特性計算と
評価が必要であり、基板・膜材料の屈折率分散や吸収係
数・応力等を考慮した最適解を求めるためには多くの労
力を必要とした。また製造段階に於いては、任意膜厚の
膜厚制御が面倒であるため、生産性を向上させにくいと
いう問題点があった。
を行う反射防止膜については幾つかの例（特開平７−２
４４２０４号公報、特開平７−２４４２０２号公報等）
があるが、これらの膜構成は任意膜厚の多層構成であ
り、層数も５層以上の複雑な構成を取っている。このよ
うな反射防止膜の設計計算に於いては煩雑な特性計算と
評価が必要であり、基板・膜材料の屈折率分散や吸収係
数・応力等を考慮した最適解を求めるためには多くの労
力を必要とした。また製造段階に於いては、任意膜厚の
膜厚制御が面倒であるため、生産性を向上させにくいと
いう問題点があった。
【０００５】そこで、本発明はこのような問題点に鑑み
てなされたものであり、設計、製造における大幅な省力
化と製造効率の向上を実現可能な２波長反射防止膜を提
供することを目的とする。
てなされたものであり、設計、製造における大幅な省力
化と製造効率の向上を実現可能な２波長反射防止膜を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】空気中（n=1)に置いたガ
ラス（ｎs）を単層膜(ｎf)で反射防止する際の無反射条
件は以下の式で与えられる。 振幅条件：ｎf＝（ｎs）1/2 位相条件：ｎfｄ＝（２ｍ−１）λ／４ すなわち、光学的膜厚がλ／4の奇数倍のとき反射防止
が達成できる。λ2で光学的膜厚がλ2／4の単層反射防
止膜は１／３の波長λ1においても同様の効果を発揮す
る。このときλ2での膜厚は３λ1／４に相当する。
ラス（ｎs）を単層膜(ｎf)で反射防止する際の無反射条
件は以下の式で与えられる。 振幅条件：ｎf＝（ｎs）1/2 位相条件：ｎfｄ＝（２ｍ−１）λ／４ すなわち、光学的膜厚がλ／4の奇数倍のとき反射防止
が達成できる。λ2で光学的膜厚がλ2／4の単層反射防
止膜は１／３の波長λ1においても同様の効果を発揮す
る。このときλ2での膜厚は３λ1／４に相当する。
【０００７】言い換えると、λ1で光学的膜厚が３λ1／
４の反射防止膜は三倍の波長で同様の効果が得られる。
しかしながら単層反射防止膜では必ずしも振幅条件が満
足できるとは限らず、また反射防止帯域も十分とはいえ
ない。そこで光学的膜厚がλ／４の中間屈折率層と光学
的膜厚がλ／４の低屈折率層の２層からなる反射防止膜
において、これらの光学的膜厚をλ1における光学的膜
厚が３λ1／４になるようにすると、単層反射防止膜と
同様にλ1の三倍の波長λ2においても反射防止膜とな
る。さらに反射防止帯域を拡張するために、２つの層の
間に光学的膜厚がλ／２の高屈折率層を挿入する。この
ときの光学的膜厚も先に述べた理由でλ1における光学
的膜厚が３λ1／２となるようにすることが望ましい。
４の反射防止膜は三倍の波長で同様の効果が得られる。
しかしながら単層反射防止膜では必ずしも振幅条件が満
足できるとは限らず、また反射防止帯域も十分とはいえ
ない。そこで光学的膜厚がλ／４の中間屈折率層と光学
的膜厚がλ／４の低屈折率層の２層からなる反射防止膜
において、これらの光学的膜厚をλ1における光学的膜
厚が３λ1／４になるようにすると、単層反射防止膜と
同様にλ1の三倍の波長λ2においても反射防止膜とな
る。さらに反射防止帯域を拡張するために、２つの層の
間に光学的膜厚がλ／２の高屈折率層を挿入する。この
ときの光学的膜厚も先に述べた理由でλ1における光学
的膜厚が３λ1／２となるようにすることが望ましい。
【０００８】しかし、本発明者は各層の光学的膜厚を独
立にλ／４またはλ／２の正の整数倍に修正するだけ
で、光学系の用途に合わせて２波長反射防止膜の特性に
変化を持たせることが可能となることを見いだし、本発
明をするに至った。本発明は第一に「基板上に順次積層
する多層膜であって、中心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）の
２波長についての反射防止膜において、基板上に光学的
膜厚がｋ1λ1／４の中間屈折率層、光学的膜厚がｋ2λ1
／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1／４の低屈折率
層を順次積層してなる２波長反射防止膜。
立にλ／４またはλ／２の正の整数倍に修正するだけ
で、光学系の用途に合わせて２波長反射防止膜の特性に
変化を持たせることが可能となることを見いだし、本発
明をするに至った。本発明は第一に「基板上に順次積層
する多層膜であって、中心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）の
２波長についての反射防止膜において、基板上に光学的
膜厚がｋ1λ1／４の中間屈折率層、光学的膜厚がｋ2λ1
／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1／４の低屈折率
層を順次積層してなる２波長反射防止膜。
【０００９】ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3は正の整数（請求
項１）」を提供する。即ち、ｋ1、ｋ2、ｋ3が３以上の
奇数でない場合は、λ2（３λ1）における反射条件から
外れ、単純にλ2における反射率が若干上がる或いはλ2
における反射率が若干上がるが、その両側の周辺波長で
反射率が低下し、その周辺波長において反射防止効果を
奏する。しかし、レンズの表面精度の検査や組み立て時
の光学系の光軸の芯出しを行う場合には、残存反射光が
必要であり、λ2における反射率が若干上がる２波長反
射防止膜が適用できる。また、複数の波長の光をアライ
メント光として用いる場合には、λ2における反射率が
若干上がり、その両側の周辺波長で反射率が低下し、そ
の周辺波長において反射防止効果を奏する２波長反射防
止膜が適用できる。
項１）」を提供する。即ち、ｋ1、ｋ2、ｋ3が３以上の
奇数でない場合は、λ2（３λ1）における反射条件から
外れ、単純にλ2における反射率が若干上がる或いはλ2
における反射率が若干上がるが、その両側の周辺波長で
反射率が低下し、その周辺波長において反射防止効果を
奏する。しかし、レンズの表面精度の検査や組み立て時
の光学系の光軸の芯出しを行う場合には、残存反射光が
必要であり、λ2における反射率が若干上がる２波長反
射防止膜が適用できる。また、複数の波長の光をアライ
メント光として用いる場合には、λ2における反射率が
若干上がり、その両側の周辺波長で反射率が低下し、そ
の周辺波長において反射防止効果を奏する２波長反射防
止膜が適用できる。
【００１０】また、前述したように、光学的膜厚がλ／
４の中間屈折率層と光学的膜厚がλ／４の低屈折率層の
２層からなる反射防止膜において、これらの光学的膜厚
をλ 1における光学的膜厚が３λ1／４になるようにする
と、λ1の三倍の波長λ2においても反射防止膜となる。
このとき、本発明者は、２層反射防止膜の間にλ1にお
いて不在層となる光学的膜厚がλ1／２の層を複数挿入
してもλ1、λ2における反射防止特性を損なわず、かつ
反射防止帯域を拡張できることを見いだした。また、そ
うした場合には、基本構成の２層反射防止膜のうち、少
なくとも一層の光学的膜厚を、λ1／４にしてもλ1の長
波長側（λ2）で反射防止効果を奏することを見いだし
た。
４の中間屈折率層と光学的膜厚がλ／４の低屈折率層の
２層からなる反射防止膜において、これらの光学的膜厚
をλ 1における光学的膜厚が３λ1／４になるようにする
と、λ1の三倍の波長λ2においても反射防止膜となる。
このとき、本発明者は、２層反射防止膜の間にλ1にお
いて不在層となる光学的膜厚がλ1／２の層を複数挿入
してもλ1、λ2における反射防止特性を損なわず、かつ
反射防止帯域を拡張できることを見いだした。また、そ
うした場合には、基本構成の２層反射防止膜のうち、少
なくとも一層の光学的膜厚を、λ1／４にしてもλ1の長
波長側（λ2）で反射防止効果を奏することを見いだし
た。
【００１１】さらに、λ2における反射防止効果は、基
本構成の２層の光学的膜厚を調整することにより得られ
ることを見いだした。本発明に第二に「基板上に順次積
層する多層膜であって、中心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）
の２波長についての反射防止膜において、基板上に光学
的膜厚が（２ｋ1−１）λ1／４の中間屈折率層、光学的
膜厚がｋ 2λ1／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1／
２中間屈折率層、光学的膜厚が（２ｋ4−１）λ1／４の
低屈折率層を順次積層してなる２波長反射防止膜。
本構成の２層の光学的膜厚を調整することにより得られ
ることを見いだした。本発明に第二に「基板上に順次積
層する多層膜であって、中心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）
の２波長についての反射防止膜において、基板上に光学
的膜厚が（２ｋ1−１）λ1／４の中間屈折率層、光学的
膜厚がｋ 2λ1／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1／
２中間屈折率層、光学的膜厚が（２ｋ4−１）λ1／４の
低屈折率層を順次積層してなる２波長反射防止膜。
【００１２】ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3、ｋ4は正の整数
（請求項２）」を提供する。また、本発明に第三に「前
記低屈折率層の材料がＭｇＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、Ｌｉ
Ｆ、 ＢａＦ3、ＳｒＦ3、ＣａＦ2、ＮａＦ、ＳｉＯ2及
びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上
の成分であり、前記中間屈折率層の材料がＳｉＯ2、Ａ
ｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ
3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、Ｙ
Ｆ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又
は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分であり、前記
高屈折率層の材料がＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、Ｃｅ
Ｆ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、
ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれ
らの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分
であり、かつ各層の屈折率が低屈折率層＜中間屈折率層
＜高屈折率層の関係が成り立つように選択されることを
特徴とする請求項１又は２記載の２波長反射防止膜（請
求項３）」を提供する。
（請求項２）」を提供する。また、本発明に第三に「前
記低屈折率層の材料がＭｇＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、Ｌｉ
Ｆ、 ＢａＦ3、ＳｒＦ3、ＣａＦ2、ＮａＦ、ＳｉＯ2及
びこれらの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上
の成分であり、前記中間屈折率層の材料がＳｉＯ2、Ａ
ｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ
3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、Ｙ
Ｆ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又
は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分であり、前記
高屈折率層の材料がＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、Ｃｅ
Ｆ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、
ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれ
らの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分
であり、かつ各層の屈折率が低屈折率層＜中間屈折率層
＜高屈折率層の関係が成り立つように選択されることを
特徴とする請求項１又は２記載の２波長反射防止膜（請
求項３）」を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態としての
反射防止膜を図面を参照しながら説明する。図１は、第
１実施形態の２波長反射防止膜の概略断面図である。本
発明にかかる第１実施形態の中心波長λ1、λ2（λ1＜
λ2）の２波長反射防止膜は、下記に示す構成からな
る。
反射防止膜を図面を参照しながら説明する。図１は、第
１実施形態の２波長反射防止膜の概略断面図である。本
発明にかかる第１実施形態の中心波長λ1、λ2（λ1＜
λ2）の２波長反射防止膜は、下記に示す構成からな
る。
【００１４】基板：（ｎM）ｋ1λ1／４：（ｎH）ｋ2λ1
／２：（ｎL）ｋ3λ1／４：空気 但し、ｋ1、ｋ2、ｋ3は正の整数、ｎMは中間屈折率層、
ｎHは高屈折率層、ｎLは低屈折率層 第１実施形態の２波長反射防止膜の膜構成においては、
中心波長λ1、λ2の比率が１：３のとき最も最適な２波
長反射防止膜を設計することができる。
／２：（ｎL）ｋ3λ1／４：空気 但し、ｋ1、ｋ2、ｋ3は正の整数、ｎMは中間屈折率層、
ｎHは高屈折率層、ｎLは低屈折率層 第１実施形態の２波長反射防止膜の膜構成においては、
中心波長λ1、λ2の比率が１：３のとき最も最適な２波
長反射防止膜を設計することができる。
【００１５】第１実施形態の２波長反射防止膜はｋ1〜
ｋ3の値によって、例えば以下に示すような傾向をもつ
反射特性を有する。 （１）ｋ1、ｋ2、ｋ3が３以上の奇数の場合、λ1、λ2
（３λ1）で反射防止効果を奏し、ｋの値が大きくなる
と反射防止帯域が狭くなる傾向がある。 （２）ｋ1＝１、ｋ2、ｋ3が３以上の奇数の場合、λ
2（３λ1）で若干の反射が生じるが、この波長の前後に
低反射領域が生じるので、その領域の波長の光に対して
は、反射防止効果を奏する。
ｋ3の値によって、例えば以下に示すような傾向をもつ
反射特性を有する。 （１）ｋ1、ｋ2、ｋ3が３以上の奇数の場合、λ1、λ2
（３λ1）で反射防止効果を奏し、ｋの値が大きくなる
と反射防止帯域が狭くなる傾向がある。 （２）ｋ1＝１、ｋ2、ｋ3が３以上の奇数の場合、λ
2（３λ1）で若干の反射が生じるが、この波長の前後に
低反射領域が生じるので、その領域の波長の光に対して
は、反射防止効果を奏する。
【００１６】（３）ｋ1、ｋ3が３以上の奇数、ｋ2＝２
のときλ2（３λ1）で若干の反射率を残した状態で最低
の反射率を示す。これは、残存反射を利用してレンズの
面精度の検査や組み立て時の光軸の芯出しを行う光学系
の２波長反射防止膜として用いられる。 このように第１実施形態の２波長反射防止膜は、ｋの値
の変更によって、λ2における反射率を上下することが
できる。
のときλ2（３λ1）で若干の反射率を残した状態で最低
の反射率を示す。これは、残存反射を利用してレンズの
面精度の検査や組み立て時の光軸の芯出しを行う光学系
の２波長反射防止膜として用いられる。 このように第１実施形態の２波長反射防止膜は、ｋの値
の変更によって、λ2における反射率を上下することが
できる。
【００１７】従って、２波長反射防止膜の用途にあわせ
て、ｋの値を選択することができる。図２は、第２実施
形態の２波長反射防止膜の概略断面図である。本発明に
かかる第２実施形態の中心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）の
２波長反射防止膜は、下記に示す構成からなる。
て、ｋの値を選択することができる。図２は、第２実施
形態の２波長反射防止膜の概略断面図である。本発明に
かかる第２実施形態の中心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）の
２波長反射防止膜は、下記に示す構成からなる。
【００１８】基板：（ｎM）（２ｋ1−１)λ1／４：（ｎ
H）ｋ2λ1／２：（ｎM）ｋ3λ1／２：（ｎL）（２ｋ4−
１）λ1／４：空気 但し、ｋ1、ｋ2、ｋ3、ｋ4は正の整数、ｎMは中間屈折
率層、ｎHは高屈折率層、ｎLは低屈折率層 第２実施形態の２波長反射防止膜はｋ1〜ｋ4の値によっ
て、例えば以下に示すような傾向をもつ反射特性を有す
る。
H）ｋ2λ1／２：（ｎM）ｋ3λ1／２：（ｎL）（２ｋ4−
１）λ1／４：空気 但し、ｋ1、ｋ2、ｋ3、ｋ4は正の整数、ｎMは中間屈折
率層、ｎHは高屈折率層、ｎLは低屈折率層 第２実施形態の２波長反射防止膜はｋ1〜ｋ4の値によっ
て、例えば以下に示すような傾向をもつ反射特性を有す
る。
【００１９】（１）ｋ1＝ｋ2＝ｋ3＝ｋ4＝１の場合、λ
1とλ1の約２．５倍の位置λ2で反射防止効果を奏す
る。 （２）ｋ1＝３、ｋ2＝ｋ3＝ｋ4＝１の場合、λ1とλ1の
約２．３倍の位置λ2で反射防止効果を奏するので、近
接した２波長での反射防止が可能となる。 （３）ｋ1＝ｋ2＝ｋ3＝３、ｋ4＝１の場合、λ1とλ1の
約１．８倍の位置λ2で反射防止効果を奏するので、さ
らに近接した２波長での反射防止が可能となる。。
1とλ1の約２．５倍の位置λ2で反射防止効果を奏す
る。 （２）ｋ1＝３、ｋ2＝ｋ3＝ｋ4＝１の場合、λ1とλ1の
約２．３倍の位置λ2で反射防止効果を奏するので、近
接した２波長での反射防止が可能となる。 （３）ｋ1＝ｋ2＝ｋ3＝３、ｋ4＝１の場合、λ1とλ1の
約１．８倍の位置λ2で反射防止効果を奏するので、さ
らに近接した２波長での反射防止が可能となる。。
【００２０】このように第２実施形態の２波長反射防止
膜は、ｋの値の変更によって、λ1とλ2との比を変化さ
せることができる。従って、光学系の光源に合わせた所
望の２波長反射防止膜をｋの値を選択することにより設
計することができる。基板としては、屈折率が１．４〜
１．８のガラス、特に石英ガラス、蛍石が用いられる。
膜は、ｋの値の変更によって、λ1とλ2との比を変化さ
せることができる。従って、光学系の光源に合わせた所
望の２波長反射防止膜をｋの値を選択することにより設
計することができる。基板としては、屈折率が１．４〜
１．８のガラス、特に石英ガラス、蛍石が用いられる。
【００２１】前記低屈折率層の材料としては、Ｍｇ
Ｆ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、ＬｉＦ、ＢａＦ3、ＳｒＦ3、Ｃａ
Ｆ2、ＮａＦ、ＳｉＯ2及びこれらの混合物又は化合物の
群より選ばれた１つ以上の成分が挙げられ、前記中間屈
折率層の材料としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、
ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、Ｅｒ
Ｆ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、Ｂ
ａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又は化合物の群より
選ばれた１つ以上の成分が挙げられ、前記高屈折率層の
材料としては、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、Ｃｅ
Ｆ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、
ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれ
らの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分
が挙げられ、この中から各層の屈折率が低屈折率層＜中
間屈折率層＜高屈折率層の関係が成り立つように選択す
る。即ち、低屈折率層、中間屈折率層、及び高屈折率層
の材料として、互いに重複する材料が挙げられている
が、各層の屈折率が低屈折率層＜中間屈折率層＜高屈折
率層の関係の関係を満たせば自由に選択することが可能
である。
Ｆ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、ＬｉＦ、ＢａＦ3、ＳｒＦ3、Ｃａ
Ｆ2、ＮａＦ、ＳｉＯ2及びこれらの混合物又は化合物の
群より選ばれた１つ以上の成分が挙げられ、前記中間屈
折率層の材料としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、
ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、Ｅｒ
Ｆ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、Ｂ
ａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又は化合物の群より
選ばれた１つ以上の成分が挙げられ、前記高屈折率層の
材料としては、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、Ｃｅ
Ｆ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、
ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれ
らの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分
が挙げられ、この中から各層の屈折率が低屈折率層＜中
間屈折率層＜高屈折率層の関係が成り立つように選択す
る。即ち、低屈折率層、中間屈折率層、及び高屈折率層
の材料として、互いに重複する材料が挙げられている
が、各層の屈折率が低屈折率層＜中間屈折率層＜高屈折
率層の関係の関係を満たせば自由に選択することが可能
である。
【００２２】各層の成膜方法としては、公知の真空蒸着
法、イオンプレーティング法が用いられる。また、各層
の製造誤差による膜厚の許容範囲は±１０％程度であ
る。
法、イオンプレーティング法が用いられる。また、各層
の製造誤差による膜厚の許容範囲は±１０％程度であ
る。
【００２３】
【実施例】〔実施例１〕請求項１にかかるλ1＝２４
８．４ｎｍ、λ2＝７４５．２ｎｍの２波長反射防止膜
において、ｋ1＝ｋ2＝ｋ3＝３としたときの膜構成を表
１に示す。
８．４ｎｍ、λ2＝７４５．２ｎｍの２波長反射防止膜
において、ｋ1＝ｋ2＝ｋ3＝３としたときの膜構成を表
１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】図３は実施例１の２波長反射防止膜の分光
反射率特性図である。図３の分光反射率特性図から、２
３０ｎｍ〜２７０ｎｍの波長範囲及び５８０ｎｍ以上の
波長範囲で反射率が １％以下（透過率が９９％以上）
であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．ｎｍ）と
Ｈｅ−Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）、半導体レーザ
（７２０、７８０、８００ｎｍ）を光源に用いる光学系
に適用することができる。 〔実施例２〕請求項１にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝７４５．２ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1
＝ｋ2＝３、ｋ3＝１としたときの膜構成を表２に示す。
反射率特性図である。図３の分光反射率特性図から、２
３０ｎｍ〜２７０ｎｍの波長範囲及び５８０ｎｍ以上の
波長範囲で反射率が １％以下（透過率が９９％以上）
であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．ｎｍ）と
Ｈｅ−Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）、半導体レーザ
（７２０、７８０、８００ｎｍ）を光源に用いる光学系
に適用することができる。 〔実施例２〕請求項１にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝７４５．２ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1
＝ｋ2＝３、ｋ3＝１としたときの膜構成を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】図４は実施例２の２波長反射防止膜の分光
反射率特性図である。図４の分光反射率特性図から、２
３０ｎｍ〜２７０ｎｍの波長範囲及び６２０ｎｍ〜７４
０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％
以上）であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．ｎ
ｍ）とＨｅ−Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）を光源に用
いる光学系に適用することができる。 〔実施例３〕請求項１にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝７４５．２ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1
＝ｋ3＝３、ｋ2＝２としたときの膜構成を表３に示す。
反射率特性図である。図４の分光反射率特性図から、２
３０ｎｍ〜２７０ｎｍの波長範囲及び６２０ｎｍ〜７４
０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％
以上）であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．ｎ
ｍ）とＨｅ−Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）を光源に用
いる光学系に適用することができる。 〔実施例３〕請求項１にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝７４５．２ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1
＝ｋ3＝３、ｋ2＝２としたときの膜構成を表３に示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】図５は実施例３の２波長反射防止膜の分光
反射率特性図である。図５の分光反射率特性図から、７
４５．２ｎｍの前後で１％程度の反射を残して反射防止
することで、レンズの面精度検査やレンズの光軸を調整
する芯出し作業時に必要とされる残存反射を１％程度確
保でき、半導体レーザ（７２０、７８０、８００ｎｍ）
を光源に用いる光学系に適用することができる。 〔実施例４〕請求項１にかかるλ1＝１９３．４ｎｍ、
λ2＝５８０．２ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1
＝ｋ3＝３、ｋ2＝６としたときの膜構成を表４に示す。
反射率特性図である。図５の分光反射率特性図から、７
４５．２ｎｍの前後で１％程度の反射を残して反射防止
することで、レンズの面精度検査やレンズの光軸を調整
する芯出し作業時に必要とされる残存反射を１％程度確
保でき、半導体レーザ（７２０、７８０、８００ｎｍ）
を光源に用いる光学系に適用することができる。 〔実施例４〕請求項１にかかるλ1＝１９３．４ｎｍ、
λ2＝５８０．２ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1
＝ｋ3＝３、ｋ2＝６としたときの膜構成を表４に示す。
【００３０】
【表４】
【００３１】図６は実施例４の２波長反射防止膜の分光
反射率特性図である。図６の分光反射率特性図から、１
７０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲及び４４０ｎｍ〜７１
０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％
以上）であるので、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３．４
ｎｍ）とＡｒレーザ（４８８ｎｍ、５１４．５ｎｍ）、
Ｈｅ−Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）を光源に用いる光
学系に適用することができる。 〔実施例５〕請求項２にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝６３０ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1＝ｋ
2＝ｋ3＝ｋ4＝１としたときの膜構成を表５に示す。
反射率特性図である。図６の分光反射率特性図から、１
７０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲及び４４０ｎｍ〜７１
０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％
以上）であるので、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３．４
ｎｍ）とＡｒレーザ（４８８ｎｍ、５１４．５ｎｍ）、
Ｈｅ−Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）を光源に用いる光
学系に適用することができる。 〔実施例５〕請求項２にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝６３０ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1＝ｋ
2＝ｋ3＝ｋ4＝１としたときの膜構成を表５に示す。
【００３２】
【表５】
【００３３】図７は実施例５の２波長反射防止膜の分光
反射率特性図である。図７の分光反射率特性図から、２
２０ｎｍ〜２９０ｎｍの波長範囲及び５８０〜６８０ｎ
ｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％以
上）であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．４ｎ
ｍ）とＨｅ−Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）を光源に用
いる光学系に適用することができる。 〔実施例６〕請求項２にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝５７０ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1＝
３、ｋ2＝ｋ3＝ｋ4＝１としたときの膜構成を表６に示
す。
反射率特性図である。図７の分光反射率特性図から、２
２０ｎｍ〜２９０ｎｍの波長範囲及び５８０〜６８０ｎ
ｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％以
上）であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．４ｎ
ｍ）とＨｅ−Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）を光源に用
いる光学系に適用することができる。 〔実施例６〕請求項２にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝５７０ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1＝
３、ｋ2＝ｋ3＝ｋ4＝１としたときの膜構成を表６に示
す。
【００３４】
【表６】
【００３５】図８は実施例６の２波長反射防止膜の分光
反射率特性図である。図８の分光反射率特性図から、２
２０ｎｍ〜３００ｎｍの波長範囲及び５４０ｎｍ〜６７
０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％
以上）であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．４
ｎｍ）とＮａランプのＤ線（５８９．３ｎｍ）、Ｈｅ−
Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）を光源に用いる光学系に
適用することができる。 〔実施例７〕請求項２にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝４６０ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1＝ｋ
2＝ｋ3＝１、ｋ4＝３としたときの膜構成を表７に示
す。
反射率特性図である。図８の分光反射率特性図から、２
２０ｎｍ〜３００ｎｍの波長範囲及び５４０ｎｍ〜６７
０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％
以上）であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．４
ｎｍ）とＮａランプのＤ線（５８９．３ｎｍ）、Ｈｅ−
Ｎｅレーザ（６３２．８ｎｍ）を光源に用いる光学系に
適用することができる。 〔実施例７〕請求項２にかかるλ1＝２４８．４ｎｍ、
λ2＝４６０ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1＝ｋ
2＝ｋ3＝１、ｋ4＝３としたときの膜構成を表７に示
す。
【００３６】
【表７】
【００３７】図９は実施例７の２波長反射防止膜の分光
反射率特性図である。図９の分光反射率特性図から、２
４０ｎｍ〜２７０ｎｍの波長範囲及び４３０ｎｍ〜４７
０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％
以上）であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．４
ｎｍ）とＨｇランプのｇ線（４３５．８ｎｍ）を光源に
用いる光学系に適用することができる。 〔実施例８〕請求項２にかかるλ1＝１９３．４ｎｍ、
λ2＝４６０ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1＝ｋ
2＝ｋ3＝ｋ4＝１としたときの膜構成を表８に示す。
反射率特性図である。図９の分光反射率特性図から、２
４０ｎｍ〜２７０ｎｍの波長範囲及び４３０ｎｍ〜４７
０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が９９％
以上）であるので、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８．４
ｎｍ）とＨｇランプのｇ線（４３５．８ｎｍ）を光源に
用いる光学系に適用することができる。 〔実施例８〕請求項２にかかるλ1＝１９３．４ｎｍ、
λ2＝４６０ｎｍの２波長反射防止膜において、ｋ1＝ｋ
2＝ｋ3＝ｋ4＝１としたときの膜構成を表８に示す。
【００３８】
【表８】
【００３９】図１０は実施例８の２波長反射防止膜の分
光反射率特性図である。図１０の分光反射率特性図か
ら、１７０ｎｍ〜２２０ｎｍの波長範囲及び４２０ｎｍ
〜４９０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が
９９％以上）であるので、ＡｒＦエキシマレーザ（１９
３．４ｎｍ）とＨｇランプのｇ線（４３５．８ｎｍ）、
Ａｒレーザ（４８８ｎｍ）を光源に用いる光学系に適用
することができる。
光反射率特性図である。図１０の分光反射率特性図か
ら、１７０ｎｍ〜２２０ｎｍの波長範囲及び４２０ｎｍ
〜４９０ｎｍの波長範囲で反射率が１％以下（透過率が
９９％以上）であるので、ＡｒＦエキシマレーザ（１９
３．４ｎｍ）とＨｇランプのｇ線（４３５．８ｎｍ）、
Ａｒレーザ（４８８ｎｍ）を光源に用いる光学系に適用
することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
２波長反射防止膜の要求特性に合わせてλ／４、λ／２
の係数を選択すればよく、設計、製造における大幅な省
力化と製造効率の向上を図ることができる。
２波長反射防止膜の要求特性に合わせてλ／４、λ／２
の係数を選択すればよく、設計、製造における大幅な省
力化と製造効率の向上を図ることができる。
【図１】本発明にかかる第１の実施形態の２波長反射防
止膜の概略断面図である。
止膜の概略断面図である。
【図２】本発明にかかる第２の実施形態の２波長反射防
止膜の概略断面図である。
止膜の概略断面図である。
【図３】実施例１の２波長反射防止膜の分光反射率特性
図である。
図である。
【図４】実施例２の２波長反射防止膜の分光反射率特性
図である。
図である。
【図５】実施例３の２波長反射防止膜の分光反射率特性
図である。
図である。
【図６】実施例４の２波長反射防止膜の分光反射率特性
図である。
図である。
【図７】実施例５の２波長反射防止膜の分光反射率特性
図である。
図である。
【図８】実施例６の２波長反射防止膜の分光反射率特性
図である。
図である。
【図９】実施例７の２波長反射防止膜の分光反射率特性
図である。
図である。
【図１０】実施例８の２波長反射防止膜の分光反射率特
性図である。
性図である。
１・・・基板 ２・・・中間屈折率層 ３・・・高屈折率層 ４・・・低屈折率層
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に順次積層する多層膜であって、中
心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）の２波長についての反射防
止膜において、 基板上に光学的膜厚がｋ1λ1／４の中間屈折率層、光学
的膜厚がｋ2λ1／２の高屈折率層、光学的膜厚がｋ3λ1
／４の低屈折率層を順次積層してなる２波長反射防止
膜。ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3は正の整数 - 【請求項２】基板上に順次積層する多層膜であって、中
心波長λ1、λ2（λ1＜λ2）の２波長についての反射防
止膜において、 基板上に光学的膜厚が（２ｋ1−１）λ1／４の中間屈折
率層、光学的膜厚がｋ 2λ1／２の高屈折率層、光学的膜
厚がｋ3λ1／２中間屈折率層、光学的膜厚が（２ｋ4−
１）λ1／４の低屈折率層を順次積層してなる２波長反
射防止膜。ただし、ｋ1、ｋ2、ｋ3、ｋ4は正の整数 - 【請求項３】前記低屈折率層の材料がＭｇＦ2、Ｎａ3Ａ
ｌＦ6、ＬｉＦ、 ＢａＦ3、ＳｒＦ 3、ＣａＦ2、Ｎａ
Ｆ、ＳｉＯ2及びこれらの混合物又は化合物の群より選
ばれた１つ以上の成分であり、 前記中間屈折率層の材料がＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｄ
Ｆ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、ＣｅＦ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、
ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＦ4、ＹＦ3、Ｙｂ
Ｆ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれらの混合物又は化合物
の群より選ばれた１つ以上の成分であり、 前記高屈折率層の材料がＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｄＦ3、ＬａＦ3、ＣａＦ2、Ｃｅ
Ｆ3、ＧｄＦ3、ＨｏＦ3、ＥｒＦ3、ＤｙＦ3、ＭｇＯ、
ＴｈＦ4、ＹＦ3、ＹｂＦ3、ＢａＦ3、ＳｒＦ3及びこれ
らの混合物又は化合物の群より選ばれた１つ以上の成分
であり、かつ各層の屈折率が低屈折率層＜中間屈折率層
＜高屈折率層の関係が成り立つように選択されることを
特徴とする請求項１又は２記載の２波長反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9332203A JPH11167003A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | ２波長反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9332203A JPH11167003A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | ２波長反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167003A true JPH11167003A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18252339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9332203A Pending JPH11167003A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | ２波長反射防止膜 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11167003A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002008797A3 (en) * | 2000-07-10 | 2003-09-04 | Hrl Lab Llc | Dual-band millimeter wave and infrared anti-reflecting coating |
| JP2005284040A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nikon Corp | 反射防止膜並びにこの反射防止膜を有する光学素子及び光学系 |
| US7286464B2 (en) | 2003-06-30 | 2007-10-23 | Konica Minolta Opto, Inc. | Optical element and optical pick-up device |
| JP2010015186A (ja) * | 2009-10-20 | 2010-01-21 | Nikon Corp | 反射防止膜並びにこの反射防止膜を有する光学素子及び光学系 |
| JP2013088757A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 反射防止構造体 |
| WO2015100981A1 (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
| JP2018109657A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-12 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 反射防止膜および深紫外発光デバイス |
| KR20240074663A (ko) | 2022-11-21 | 2024-05-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 광학 소자 및 기기 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP9332203A patent/JPH11167003A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002008797A3 (en) * | 2000-07-10 | 2003-09-04 | Hrl Lab Llc | Dual-band millimeter wave and infrared anti-reflecting coating |
| US7286464B2 (en) | 2003-06-30 | 2007-10-23 | Konica Minolta Opto, Inc. | Optical element and optical pick-up device |
| JP2005284040A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Nikon Corp | 反射防止膜並びにこの反射防止膜を有する光学素子及び光学系 |
| JP2010015186A (ja) * | 2009-10-20 | 2010-01-21 | Nikon Corp | 反射防止膜並びにこの反射防止膜を有する光学素子及び光学系 |
| JP2013088757A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 反射防止構造体 |
| WO2015100981A1 (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
| US9958713B2 (en) | 2013-12-30 | 2018-05-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and display device |
| JP2018109657A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-12 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 反射防止膜および深紫外発光デバイス |
| KR20240074663A (ko) | 2022-11-21 | 2024-05-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 광학 소자 및 기기 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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