JPH0770289B2 - 表示用放電管 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表示用放電管に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下に、図１８〜図２０について、従来
の表示用放電管について説明する。図１８は従来のＤＣ
型ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）を示し、
背面ガラス板１上に、複数の互いに平行なストライプ状
のカソード７がスクリーン印刷等の厚膜技術によって被
着形成され、背面ガラス板６と共同して管体を構成する
前面ガラス板１上に、複数のカソード７と直交する如
く、複数の互いに平行なストライプ状の透明アノード
（酸化インジウム錫等）２が被着形成される。又、放電
の広がりを防止するバリアヤーリブ１２が複数のアノー
ド２の各間隙に位置するように、厚膜技術によって、前
面ガラス板１又は背面ガラス板６上に被着形成される。
前面ガラス板１及び背面ガラス板６にて構成される管体
には、放電用ガスが封入される。

【０００３】図１９は従来のＡＣ型ＰＤＰを示し、背面
ガラス板６上に複数の互いに平行なストライプ状のＹ電
極１４がスクリーン印刷等の厚膜技術、蒸着、エッチン
グ等の薄膜技術によって被着形成され、背面ガラス板６
と共同して管体を構成する前面ガラス板１上に、複数の
Ｙ電極１４と直交する如く、複数の互いに平行なストラ
イプ状のＸ電極１３がスクリーン印刷等の厚膜技術、蒸
着、エッチング等の薄膜技術によって被着形成される。
複数のＹ電極１４及び複数のＸ電極１３は、それぞれ絶
縁層１５ｂ、１５ａで覆われると共に、その各絶縁層１
５ｂ、１５ａ上には保護層１６ｂ、１６ａが被着形成さ
れている。尚、ＡＣ型ＰＤＰでは、放電が拡散し難いの
で、バリヤーリブを必要としない。

【０００４】図２０は従来のハイブリッド型ＰＤＰ（特
公平３−７６４６８号公報参照）を示し、背面ガラス板
６側に、ＤＣ放電による自己走査機能を有する複数の互
いに直交するアドレス電極２２、２３が設けられ、複数
の貫通孔を通じて、背面ガラス板６側のアドレス電極２
２、２３との間で放電空間が結合する前面ガラス板１側
に設けられた全面電極１７及びこれと対向する複数の貫
通孔を有する有孔金属板２０から成る半ＡＣ型メモリー
部設けられている。尚、複数のアドレス電極２２の各間
隙にそれぞれ絶縁基板２４が配され、透明全面電極１７
上は透明絶縁層１８で覆われ、有孔金属電極板２０と透
明絶縁層１８との間及び有孔金属電極板２０と絶縁基板
２４との間には、それぞれ隔壁１９、２１が設けられ
て、内部に放電用気体を有する背面ガラス板６、前面ガ
ラス板から成る管体内に封入される。このハイブリッド
型ＰＤＰでは、アドレス電極２２、２３間の放電で生じ
た電子を、金属電極板２０に与えた電圧でメモリー側に
引き出し、前面ガラス板１側の透明絶縁層１８で覆われ
た透明全面電極１７と金属電極板２０との間で、ＡＣ型
放電が維持される。このハイブリッド型ＰＤＰは、自己
走査機能による回路の簡単化と、メモリー機能による高
輝度化を図ったものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】さて、図１８に示した
従来のＤＣ型ＰＤＰは、構造が簡単且つ単純であり、
又、その駆動方法は、複数のアノード２に同時に信号を
印加すると共に、複数のカソード７に順次接地電位を印
加して表示を行う線順次駆動法であるので、駆動が簡単
に成ると言う利点がある反面、メモリー機能を有しない
ため、アノード２及びカソード７の本数を多くして、高
解像度化を図ろうとすると、発光輝度が低下すると言う
欠点がある。又、電極は直接イオン衝撃を受けて、スパ
ッタリング現象が生じるので、寿命が短いと言う欠点も
ある。

【０００６】図１９に示した従来のＡＣ型ＰＤＰは、電
極を覆っている絶縁層に電荷が蓄積される壁電荷による
メモリー機能を有するので、Ｘ電極及びＹ電極の本数を
多くして高解像度化を図っても、輝度低下が生じないと
言う利点がある反面、Ｘ電極及びＹ電極間に、書き込
み、メモリー及び消去のための複雑な信号を印加しなけ
ればならないので、駆動回路が複雑に成るばかりでな
く、動作範囲を広くとるためにＰＤＰの製造工程が複雑
に成ると言う欠点がある。

【０００７】図２０に示した従来のハイブリッド型ＰＤ
Ｐは、一見して構造が複雑であるので量産が困難であ
る。その他に次のような欠点もある。即ち、このＰＤＰ
が確実に動作するためには、アドレス側及びメモリー側
の放電空間を連結するための孔の径を大きくして、両放
電空間の結合を強力にしなければ成らないが、その孔の
径をあまり大きくすると、両放電空間の分離が不確実に
成ると言う矛盾がある。又、メモリー放電を消去する場
合、前面ガラス板側の透明電極上の絶縁層上に蓄積され
る壁電荷を消去しなければならないが、金属電極板の孔
の径が小さいと、背面ガラス板側のアドレス電極による
壁電荷の制御が困難に成る。更に、その孔の径が大きい
とメモリー放電の影響で、安定なアドレッシングと自己
走査機能が損なわれる。又、この表示パネルのアドレス
側と表示側を隔てる有孔金属電極板は、仮にその一部分
が絶縁層で覆われていても、あるいは金属板を使わず絶
縁体に金属層を形成したりしても、金属電極が露出して
いることが動作上の要件であるため、ＤＣ型走査部との
絶縁及び安定動作上の理由から精度の高い構造的分離が
必要で、このことが一層製造を困難にしている。更に、
半ＡＣ型動作のために、メモリーに寄与する壁電荷がア
ドレス側の片方にしか蓄積されないので、メモリー機能
が弱く維持電圧も高い。

【０００８】かかる点に鑑み、本発明は、構造が簡単で
量産性に優れ、高解像度化及び大型化が容易で、駆動が
簡単でその駆動回路が簡単と成り、しかも、低廉化の容
易な表示用放電管を提案しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段及び作用】第１の本発明に
よる表示用放電管においては、例えば、図１及び図２に
示す如く、ＸＹマトリックス状に配列された複数の貫通
孔５ａ、５ｂを有する導電層から成るメモリー電極３
ａ、３ｂを備え、そのメモリー電極３ａ、３ｂの全面が
絶縁層４ａ、４ｂで覆われて成る一対のメモリー素子Ｍ
ａ、Ｍｂが、その絶縁層４ａ、４ｂで覆われた対応する
各貫通孔５ａ、５ｂが連通して放電セルを形成するよう
に重ね合わされて、放電用気体の封入された管体内に封
入さる。そして、一対のメモリー素子Ｍａ、Ｍｂのメモ
リー電極３ａ、３ｂ間に放電維持のための交流電圧を印
加する。

【００１０】第２の本発明による表示用放電管において
は、例えば、図１及び図２に示す如く、ＸＹマトリック
ス状に配列された複数の貫通孔５ａ、５ｂを有する導電
層から成るメモリー電極３ａ、３ｂを備え、そのメモリ
ー電極３ａ、３ｂの全面が絶縁層４ａ、４ｂで覆われて
成る一対のメモリー素子Ｍａ、Ｍｂが、その絶縁層４
ａ、４ｂで覆われた対応する各貫通孔５ａ、５ｂが連通
して放電セルを形成するように重ね合わされ、それぞれ
互いに平行に配された複数のストライプ状の第１及び第
２のアドレス電極２、７が互いに交差するように所定間
隔を置いて配され、その複数の第１及び第２のアドレス
電極２、７間に、その各交点が各放電セルと対応するよ
うに、重ね合わされた一対のメモリー素子Ｍａ、Ｍｂが
配されて、放電用気体の封入された管体内に封入され
る。複数の第１及び第２のアドレス電極２、７の内の選
択された第１及び第２のアドレス電極２、７間に所定電
圧が印加されて、その交点に位置する放電セル内に放電
が発生せしめられると共に、一対のメモリー素子Ｍａ、
Ｍｂのメモリー電極３ａ、３ｂ間に所定交流電圧が印加
されてその放電が維持せしめられるようにする。

【００１１】第３の本発明表示用放電管においては、第
２の本発明表示用放電管において、例えば、図１１に示
す如く、背面側メモリー電極３ｂが複数の第２のアドレ
ス電極７と平行な複数の短冊状電極３ｂ１、３ｂ２、…
………に分割され、複数の第２のアドレス電極７が複数
の短冊状背面側メモリー電極３ｂ１、３ｂ２、…………
に対応してグループ分けされ、そのグループ分けされた
複数の第２のアドレス電極７のグループ毎の同じ位置の
電極が互いに共通接続されて成るものである。

【００１２】第４の本発明表示用放電管においては、例
えば、図１２に示す如く、ＸＹマトリックス状に配列さ
れたそれぞれ放電セルとなる複数の貫通孔５ａを有する
導電層から成る前面側メモリー電極３ａを備え、その前
面側メモリー電極３ａの全面が絶縁層４ａで覆われて成
る前面側メモリー素子Ｍａ及び全面導電層から成る背面
側メモリー電極３ｂを備え、その背面側メモリー電極３
ｂの全面が絶縁層４ｂで覆われて成る背面側メモリー素
子Ｍｂが互い対向するように配され、それぞれ互いに平
行に配された複数のストライプ状の第１及び第２のアド
レス電極２、７が、互いに交差するように配されると共
に、その複数の第１及び第２のアドレス電極２、７の間
に、その各交点が放電セルが放電セルと対応するよう
に、前面側メモリー素子Ｍａが配されると共に、前面側
及び背面側メモリー素子Ｍａ、Ｍｂの間に、第２のアド
レス電極７が配されるように、放電用気体の封入された
管体内に封入される。そして、複数の第１及び第２のア
ドレス電極２、７の内の選択された第１及び第２のアド
レス電極２、７間に所定電圧が印加されてその交点に位
置する放電セル内に放電を発生せしめると共に、前面側
及び背面側メモリー電極３ａ、３ｂ間に所定交流電圧が
印加されてその放電が維持せしめられる。

【００１３】第５の本発明表示用放電管においては、例
えば、図１３及び図１４に示す如く、透明全面導電層か
ら成る前面側メモリー電極３ａを備え、その前面側メモ
リー電極３ａの全面が透明絶縁層４ａで覆われて成る前
面側メモリー素子Ｍａ及び全面導電層から成る背面側メ
モリー電極３ｂを備え、その背面側メモリー電極３ｂの
全面が絶縁層４ｂで覆われて成る背面側メモリー素子が
互い対向するように配され、前面側及び背面側メモリー
素子Ｍａ、Ｍｂ間において、それぞれ互いに平行に配さ
れた複数のストライプ状の第１及び第２のアドレス電極
２、７が互いに交差するように配されると共に、第１及
び第２のアドレス電極２、７間に、その各交点に対応す
る放電セルと成る複数の貫通孔１１ａを備える絶縁体隔
壁１１が配されて、放電用気体の封入された管体内に封
入される。そして、複数の第１及び第２のアドレス電極
２、７の内の選択された第１及び第２のアドレス電極
２、７間に所定電圧が印加されて、その交点に位置する
放電セルに放電が発生せしめられると共に、前面側及び
背面側メモリー電極３ａ、３ｂ間に所定交流電圧が印加
されてその放電が維持せしめられる。

【００１４】第６の本発明表示用放電管においては、第
５の本発明表示用放電管において、例えば、図１６に示
す如く、背面側メモリー電極３ｂが複数の第２のアドレ
ス電極７と平行な複数の短冊状電極３ｂ１、３ｂ２、…
………に分割され、複数の第２のアドレス電極７が複数
の短冊状背面側メモリー電極３ｂ１、３ｂ２、…………
に対応してグループ分けされ、そのグループ分けされた
複数の第２のアドレス電極７のグループ毎の同じ位置の
電極が互いに共通接続されて成るものである。

【００１５】第７の本発明表示用放電管においては、例
えば、図１７に示す如く、交互に配されたそれぞれ複数
の第１及び第２のメモリー電極３ａ、３ｂを備え、その
複数の第１及び第２のメモリー電極３ａ、３ｂの全面が
絶縁層４ｂで覆われて成る背面側メモリー素子Ｍが設け
られ、その背面側メモリー素子Ｍに対向する如く、それ
ぞれ互いに平行に配された複数のストライプ状の第１及
び第２のアドレス電極４、７が、互いに交差するように
配されれると共に、該複数のアドレス電極間にその各交
点に対応する放電セルとなる複数の貫通孔を備える絶縁
体隔壁１１が配されて、放電用気体の封入された管体内
に封入される。複数の第１及び第２のアドレス電極２、
７の内の選択された第１及び第２のアドレス電極２、７
間に所定電圧が印加されてその交点に位置する放電セル
内に放電が発生せしめられると共に、それぞれ複数の第
１及び第２のメモリー電極３ａ、３ｂ間に所定の交流電
圧が印加されてその放電が維持せしめられる。

【００１６】

【実施例】以下に、本発明のいくつかの実施例を詳細に
説明する。 〔実施例（１）〕（図１、図２及び図３） 先ず、表示用放電管の実施例（１）を、図１の表示用放
電管の分解斜視図、図２のその断面図及び図３のメモリ
ー素子の斜視図について説明する。この表示用放電管
は、前面ガラス板１及び背面ガラス板６の周辺がフリッ
トガラスによって封止されて構成される管体内に下記の
構造体が収納されると共に、管体内を真空にした後ヘリ
ウム、ネオン、アルゴン、キセノン等又はそれらの混合
気体等の放電用気体（ガス）が封入されて構成される。

【００１７】一対のシート状メモリー素子Ｍａ、Ｍｂ
は、ＸＹマトリックス状に配列された複数の矩形の貫通
孔５ａ、５ｂを有する導電層、即ち、金属板のエッチン
グ等によって形成されたメッシュ状金属板から成るメモ
リー電極３ａ、３ｂを備え、そのメモリー電極３ａ、３
ｂの全面が絶縁層４ａ、４ｂで覆われている。尚、貫通
孔５ａ、５ｂの形状は、円等の他の形状のものも可能で
ある。

【００１８】メモリー電極５ａ、５ｂはステンレスステ
ィール、アルミニウム、ニッケル等の金属又は金属の合
金である。絶縁層４ａ、４ｂは、例えば、ガラス粉末を
ペースと状にしたものを、メモリー電極３ａ、３ｂに、
吹きつけ、浸漬等によって塗布し後、それを高温で焼成
して形成する。絶縁層４ａ、４ｂがガラスから成る場合
は、メモリー電極３ａ、３ｂはガラスと同程度の熱膨張
率のものが望ましい。絶縁層４ａ、４ｂは、メモリー電
極３ａ、３ｂを構成する金属又は合金を酸化することに
よって形成しても良い。更に、絶縁層４ａ、４ｂ上に、
ＡＣ型ＰＤＰと同様の酸化マグネシウム等の保護層を形
成しても良い。

【００１９】そして、その一対のメモリー素子Ｍａ、Ｍ
ｂとして、同一形状、同一寸法のものを使用して、それ
ぞれの絶縁層４ａ、４ｂで覆われた対応する各貫通孔５
ａ、５ｂが連通して放電セルを形成するように重ね合わ
される。そして、一対のメモリー電極３ａ、３ｂ間に、
メモリー電源１０よりの放電セル内の放電を維持するに
十分な振幅の交流電圧を印加する。

【００２０】ここで、一対のメモリー素子Ｍａ、Ｍｂに
よるメモリー動作を説明する。始めに、後述するアノー
ド２及びカソード５間の放電によって、放電セル内に信
号の書き込みによる放電が励起されると、管体内のイオ
ン、電子等の荷電粒子は、印加される交流電圧によるメ
モリー電極３ａ、３ｂの極性に応じて、それぞれの貫通
孔５ａ、５ｂ内に引かれ、その内面の絶縁層４ａ、４ｂ
の表面に蓄積して、壁電荷が形成されが、その後、印加
される交流電圧によるメモリー電極３ａ、３ｂの極性が
反転すると、その間の電位差は印加される交流電圧に壁
荷電に基づく電圧が重畳されて高く成るので、貫通孔５
ａ、５ｂ間で放電が生じ、以下この現象が繰り返される
ことにより、放電セル内に信号の書き込みによる貫通孔
５ａ、５ｂから成る放電セル内における放電が維持され
る。

【００２１】尚、放電セルを広く取りたい場合は、任意
の３以上のメモリー素子を積層すればよい。又、２又は
３以上のメモリー素子の各貫通孔は、対応させることが
必要であるが、必ずしも同一形状にする必要はない。

【００２２】それぞれ互いに平行に配された複数のスト
ライプ状の第１及び第２のアドレス電極、即ち、アノー
ド２及びカソード７が互いに交差、即ち、直交するよう
に所定間隔を置いて配され、その複数のアノード２及び
カソード７間に、その各交点がメモリー素子Ｍａ、Ｍｂ
の各貫通孔５ａ、５ｂから構成される各放電セルと対応
するように、重ね合わされた一対のメモリー素子Ｍａ、
Ｍｂが配される。

【００２３】複数のストライプ状アノード２は酸化イン
ジウム錫等の透明導電層で、前面ガラス板１上に等幅、
等間隔に被着形成される。これらのアノード２は、それ
ぞれ信号がベースに供給されるＰＮＰ形トランジスタの
コレクタ及びエミッタを通じて、正電源＋Ｂに共通接続
される。

【００２４】複数のストライプ状のカソード７は、ニッ
ケル等の導電ペーストのスクリーン印刷及びその焼成に
よって、背面ガラス板６上に被着形成される。これらカ
ソード７は、それぞれベースに順次操作パルスが供給さ
れることによってオンと成るＮＰＮ形トランジスタ９の
コレクタ及びエミッタを通じて接地される。

【００２５】尚、アノード２及びカソード７間にはトリ
ガー的な放電が行われれば良いので、アノード２及びカ
ソード７のいずれか一方又は双方を絶縁層で覆うように
しても良い。

【００２６】又、バリヤリブはなくても良いが、必要な
ら前面ガラス板１又は背面ガラス板７側に設けてもよ
く、又は、シート状メモリー素子の絶縁層の一部に一体
的に形成することもできる。

【００２７】又、一対のメモリー素子の各の貫通孔内に
放電を励起させる手段は、上述のアノード２及びカソー
ド５に限らず他の手段でも良い。

【００２８】〔動作〕（図４〜図７） 次に、図４〜図７を参照して、この表示用放電管の動作
を説明しよう。図４に示す如く、一対のメモリー電極３
ａ、３ｂに、図７に示す如きそれぞれ互いに逆極性のパ
ルス電圧を与えることによって、その間に放電維持に必
要な振幅の交流電圧が印加された状態で、管体内に未だ
放電が生ぜず、一対のメモリー素子Ｍａ、Ｍｂの絶縁層
４ａ、４ｂで覆われた貫通孔５ａ、５ｂ内に壁電荷が発
生していないときに、図７に示す如く、始めてスイッチ
ＳＷ１がオンに成って、電源Ｅからの、例えば、２００
Ｖ〜２５０Ｖの電圧が内部抵抗を通じてアノード２に印
加されると共に、スイッチＳＷ２がオンに成って、カソ
ード５が接地されると、アノード２及びカソード５間に
放電電流が流れる。

【００２９】かくすると、図５に示す如く、絶縁層４
ａ、４ｂで覆われた貫通孔５ａ、５ｂ内に壁電荷が発生
して、放電が維持されて書き込まれた表示がメモリーさ
れる。このときはスイッチＳＷ１、ＳＷ２は共にオフさ
れるなどして、カソード５に表示に影響のないバイアス
電圧が与えられると共に、アノード２には他の信号の書
き込みの行われているアノードの放電に影響が及ばない
ような電圧が与えられる。

【００３０】次に、維持されている放電を停止、即ち、
メモリーの消去を行うには、図６に示す如く、カソード
５に近い側の貫通孔５ｂに負の電荷が蓄積されるタイミ
ングのとき、即ち、メモリー電極３ｂに正電圧が印加さ
れているときに、図７に示す如く、スイッチＳＷ２をオ
ンにして、カソード５に負の消去パルスを印加する。こ
の消去パルスによって、貫通孔５ｂの内壁に蓄積される
べき壁電荷の形成が阻止されるので、次のタイミングで
は放電が停止して、メモリーが消去されることに成る。

【００３１】〔メモリー素子の例（２）〕（図８） 次に、図８について、メモリー素子の例（２）を説明す
る。この例では、ＸＹマトリックス状に配列された複数
の貫通孔５ａ、５ｂを有するガラス層４Ｃａ（４Ｃｂ）
の両面に、金属ペーストのスクリーン印刷及びその後の
焼成によってメモリー電極３Ａａ（３Ａｂ）及び３Ｂａ
（３Ｂｂ）を被着形成し、しかる後、そのメモリー電極
３Ａａ（３Ａｂ）及び３Ｂａ（３Ｂｂ）の全面を覆う如
く、ガラスペーストの吹きつけ又は浸漬によって、絶縁
層４Ａａ（４Ａｂ）及び４Ｂａ（４Ｂｂ）を被着形成し
て、メモリー素子Ｍａ、Ｍｂを得るようにする。

【００３２】〔表示用放電管の実施例（２）〕（図９） 次に、図９について、表示用放電管の実施例（２）を説
明する。この実施例（２）は、図１〜図３について説明
した実施例（１）のシート状メモリー素子Ｍａ、Ｍｂの
代わりに、メモリー素子Ｍａ、Ｍｂのメモリー電極３
ａ、３ｂ及び絶縁層４ａ、４ｂをアノード２及びカソー
ド７と共に厚膜技術によって形成するようにした場合
で、メモリー素子Ｍａ、Ｍｂと、アノード２及びカソー
ド７との間の位置合わせが容易且つ正確に成ると言う利
点がある。

【００３３】〔放電用放電管の実施例（３）〕（図１
０） 次に、図１０について、表示用放電管の実施例（３）を
説明する。この実施例（３）は、図９の実施例（２）に
おけるメモリー素子Ｍａ、Ｍｂにおける貫通孔５ａ、５
ｂの径を前者が小さく、後者が大きく成るように異なら
せた場合である。

【００３４】〔放電用放電管の実施例（４）〕（図１
１） 次に、図１１について、表示用放電管の実施例（４）を
説明する。この実施例（４）は、図１〜図３に示した表
示用放電管の実施例（１）において、例えば、図１１に
示す如く、背面側メモリー電極３ｂが複数のカソード７
と平行な複数の短冊状電極３ｂ１、３ｂ２、…………に
分割され、複数のカソード７が複数の短冊状背面側メモ
リー電極３ｂ１、３ｂ２、…………に対応してグループ
分けされ、そのグループ分けされた複数のカソード７の
グループ毎の同じ位置の電極が互いに共通接続されたも
のである。図示のように、８本のカソード７を４本ずつ
の２グループに分け、メモリー電極３ｂを２分割した場
合には、カソード７及びメモリー電極３ｂ１、３ｂ２に
対する接続線は９本から６本に減少することが分かる。
尚、メモリー電極３ａと、メモリー電極３ｂ１、３ｂ２
との間に、メモリー電源１０と、互い並列接続され、交
互のオンオフするスイッチＳａ、Ｓｂの直列回路が接続
される。

【００３５】一般的に言えば、ｎ本のカソード７を分割
する場合には、分割されたメモリー電極３ｂ１、３ｂ
２、…………及びｎ本のカソード７に対する接続線は２
√ｎまで削減でき、従って、駆動回路が大幅に削減され
る。

【００３６】〔放電用放電管の実施例（５）〕（図１
２） 次に、図１２について、表示用放電管の実施例（５）を
説明するも、その動作は図１〜図３に示した表示用放電
管の実施例（１）の動作と同様である。ＸＹマトリック
ス状に配列された複数の貫通孔５ａを有する導電層から
成る前面側メモリー電極３ａを備え、その前面側メモリ
ー電極３ａの全面が絶縁層４ａで覆われて成る前面側メ
モリー素子Ｍａと、全面導電層から成る背面側メモリー
電極３ｂを備え、その背面側メモリー電極３ｂの全面が
絶縁層４ｂで覆われる如く背面ガラス板６上に被着形成
された背面側メモリー素子Ｍｂが互い対向するように配
する。それぞれ互いに平行に前面ガラス板１上に被着形
成された複数のアノード２及びメモリー素子Ｍｂの絶縁
層４ｂ上に被着形成されたカソード７が、互いに交差す
るように配される。そして、その複数のアノード２及び
カソード７の間に前面側メモリー素子Ｍａが配されると
共に、前面側及び背面側メモリー素子Ｍａ、Ｍｂの間
に、複数の第２のカソード７が配される。

【００３７】〔放電用放電管の実施例（６）〕（図１３
及び図１４） 次に、図１３について、表示用放電管の実施例（６）
を、図１３の表示用放電管の分解斜視図及び図１４のそ
の断面図について説明する。この表示用放電管は、前面
ガラス板１及び背面ガラス板６の周辺がフリットガラス
によって封止されて構成される管体内に下記の構造体が
収納されると共に、管体内を真空にした後ヘリウム、ネ
オン、アルゴン、キセノン等又はそれらの混合気体等の
放電用気体（ガス）が封入されて構成される。

【００３８】前面側メモリー素子Ｍａ及び背面側メモリ
ー素子Ｍｂが互い対向するように配されている。前面側
メモリー素子Ｍａは、透明全面導電層から成る前面側メ
モリー電極３ａを備え、その前面側メモリー電極３ａの
全面が透明絶縁層４ａで覆われている。背面側メモリー
素子Ｍｂは、全面導電層から成る背面側メモリー電極３
ｂを備え、その背面側メモリー電極３ｂの全面が絶縁層
４ｂで覆われている。前面側及び背面側メモリー素子Ｍ
ａ、Ｍｂ間において、それぞれ互いに平行に配された複
数のストライプ状のアノード２及びカソード７が、その
各交点に対応するＸＹマトリックス状の四角形の貫通孔
１１ａを備える格子型の絶縁体隔壁１１を挟んで、互い
に交差するように配されている。

【００３９】前面側メモリー電極３ａは、ＳｎＯ₂ やＩ
ＴＯ等の透明全面導電層から成る。透明絶縁層４ａは、
ガラス粉末をペースト状にして印刷焼成する厚膜技術
や、蒸着やスパッタリング法等の薄膜技術で形成でき、
その表面をＭｇＯ等の保護膜で覆っても良い。アノード
２は透明導電膜の他、厚膜法の場合はＡｇ、Ａｕ、Ａ
ｌ、Ｎｉ等の金属ペーストの印刷及び焼成により、又、
薄膜法の場合はＣｒにより絶縁層４ａ上に形成される。
メモリー素子Ｍａの放電セルの一部を構成する絶縁層４
ａ上において壁電荷が多く発生するように、アノード２
の幅は成るべく狭い方が良い。

【００４０】メモリー電極３ｂは、厚膜法又は薄膜法に
よって背面ガラス板６上に形成される。カソード７は、
Ｎｉ、ＬａＢ₆ 等のＤＣ型ＰＤＰと同様に耐イオン衝撃
性や低仕事関数を持つ材料が望ましいが、アドレス動作
では通常のＤＣ型ＰＤＰに比べて少ない電流で動作する
ので、そのような材料でなくても良く、材料の選択範囲
は広く成る。メモリー素子Ｍｂの放電セルの一部を構成
する絶縁層４ｂ上において壁電荷が多く発生するよう
に、カソード７の幅もアノード２と同様に成るべく狭い
方が良い。

【００４１】隔壁１１は前面ガラス板１及び背面ガラス
板６間に適当な間隙を保持して放電用気体のを封入する
ためのスペーサであるが、その形状は格子形に限らず、
ＤＣ型ＰＤＰのようにストライプ状であっても良い。
又、この隔壁１１は独立した構造体の他に厚膜印刷義樹
によって、前面ガラス板１又は背面ガラス板６上に形成
するようにしても良い。

【００４２】〔動作〕（図１５） 次に、図１５を参照して、この表示用放電管の動作を説
明しよう。一対のメモリー電極３ａ、３ｂに、互いに逆
極性のパルス電圧を与えることによって、その間に放電
維持に必要な振幅の交流電圧が印加された状態で、管体
内に未だ放電が生ぜず、隔壁１１の貫通孔１１ａ内の一
対のメモリー素子Ｍａ、Ｍｂの絶縁層４ａ、４ｂ上に壁
電荷が発生していないときに、始めて、図１５に示す如
く、例えば、２００Ｖ〜２５０Ｖの電圧がアノード２に
印加されると共に、カソード５が接地されると、アノー
ド２及びカソード５間に放電電流が流れる。

【００４３】かくすると、図１５に示す如く、貫通孔１
１ａ内の絶縁層４ａ、４ｂの壁面に壁電荷が発生して、
放電が維持されて、書き込まれた表示がメモリーされ
る。このときはカソード５に表示に影響のないバイアス
電圧が与えられると共に、アノード２には他の信号の書
き込みの行われているアノードの放電に影響が及ばない
ような電圧が与えられる。

【００４４】次に、維持されている放電を停止、即ち、
メモリーの消去を行うには、カソード５上の絶縁層３ｂ
上に負の電荷が蓄積されるタイミングのとき、即ち、メ
モリー電極３ｂに正電圧が印加されているときに、カソ
ード５に負の消去パルスを印加する。この消去パルスに
よって、貫通孔１１ａの内壁に蓄積されるべき壁電荷の
形成が阻止されるので、次のタイミングでは放電が停止
して、メモリーが消去されることに成る。

【００４５】尚、かかる表示用放電管をカラー化する場
合は、隔壁１１の貫通孔１１ａ内に蛍光体層を塗布し
て、放電からの紫外線により発光させれば良い。

【００４６】〔実施例（７）〕（図１６） 次に、図１６を参照して、表示用放電管の実施例（７）
を説明する。この実施例では、図１３及び図１４の実施
例（６）における背面側メモリー電極３ｂが複数のカソ
ード７と平行な複数の短冊状電極３ｂ１、３ｂ２、……
……に分割され、複数のカソード７が複数の短冊状背面
側メモリー電極３ｂ１、３ｂ２、…………に対応してグ
ループ分けされ、そのグループ分けされた複数カソード
７のグループ毎の同じ位置の電極が互いに共通接続され
て成るものである。図示のように、８本のカソード７を
４本ずつの２グループに分け、メモリー電極３ｂを２分
割した場合には、カソード７及びメモリー電極３ｂ１、
３ｂ２に対する接続線は９本から６本に減少することが
分かる。

【００４７】一般的に言えば、ｎ本のカソード７を分割
する場合には、分割されたメモリー電極３ｂ１、３ｂ
２、…………及びｎ本のカソード７に対する接続線は２
√ｎまで削減できる。

【００４８】〔実施例（８）〕（図１７） 次に、図１７を参照して、表示用放電管の実施例（８）
を説明する。この実施例では、交互に配されたそれぞれ
複数の第１及び第２のメモリー電極３ａ、３ｂを備え、
その複数の第１及び第２のメモリー電極３ａ、３ｂの全
面が絶縁層４ｂで覆われて成る背面側メモリー素子Ｍ
が、背面ガラス板６上に形成される。そして背面側メモ
リー素子Ｍに対向する如く、それぞれ互いに平行に配さ
れた複数のストライプ状のアノード２及びカソード７
が、その各交点に対応する放電セルとなる貫通孔１１ａ
を備える絶縁体隔壁１１を挟んで、互いに交差するよう
に配される。この実施例では、複数のメモリー電極３
ａ、３ｂが複数のカソード７に対し平行と成るように、
背面ガラス板６上に交互に形成されれいるが、それぞれ
複数のメモリー電極３ａ、３ｂ毎に共通接続されるの
で、動作的には、複数のメモリー電極３ａ、３ｂが互い
に対向する場合と同様に動作する。尚、複数のメモリー
電極３ａ、３ｂは、複数のアノード２に対し平行と成る
ように配しても良い。又、絶縁体隔壁１１の貫通孔１１
ａは複数のカソード７と平行な長溝であっても良い。

【００４９】尚、この実施例（８）をカラー化する場合
は、面放電型にすることによって、蛍光体層を前面ガラ
ス板１側にも塗布することができる。

【００５０】又、上述の実施例において、それぞれ複数
のアノード２又はカソード７と、それぞれ複数のメモリ
ー電極３ａ又は３ｂとの間の絶縁層４ａ又は４ｂの静電
容量による容量結合が存在するが、複数のアノード２又
はカソード７と絶縁層４ａ又は４ｂとの間に、それぞれ
複数のアノード２又はカソード７と同一線幅の絶縁層を
設けることによって、容量を少なくして、容量結合によ
る駆動上の問題を解決することができる。更に、上述し
た各実施例の表示用放電管に共通な駆動法としては、次
のようなものも可能である。即ち、先ず、画面の書き込
み終了までの期間は、メモリー素子Ｍａ、Ｍｂのメモリ
ー電極３ａ、３ｂの電位をそれぞれ高圧及び低圧に固定
してメモリー放電を行わず、画面の最上部のラインから
最下部のラインまでの放電セルの書き込みが終了した後
に、始めてメモリー素子Ｍａ、Ｍｂのメモリー電極３
ａ、３ｂに交流電圧を印加して、メモリー素子Ｍａ、Ｍ
ｂの放電セル内の壁に蓄積された壁電荷を利用すること
によって、全画面の放電セルで一斉にメモリー放電を開
始し、且つ、画像表示を行った後の消去も全画面の放電
セルで一斉に行う。この駆動方法によれば、上述した各
ライン毎に書き込みを行い、その書き込み終了後直ちに
メモリー放電を開始するようにした駆動方法に比べて、
メモリー素子Ｍａ、Ｍｂの駆動電荷蓄積効果をより有効
に利用でき、書き込み及び消去のタイミングがライン毎
に異なることから来る動作の不安定性を排除できる利点
がある。

【００５１】

【発明の効果】上述せる第１〜第４の本発明によれば、
複数のアノード及びカソードは従来のＤＣ型ＰＤＰの電
極と同様に、その各電極上に絶縁層の形成を必要とせ
ず、放電がメモリー素子のに設けた貫通孔内で生じるの
で、基本的にはバリヤリブを必要とせず、駆動回路もＤ
Ｃ型ＰＤＰと同様の回路が使用できるので、構造が簡単
で量産性に優れ、高解像度化及び大型化が容易で、駆動
が簡単でその駆動回路が簡単と成り、しかも、低廉化の
容易な表示用放電管を得ることができる。又、第３の本
発明によれば、一層駆動回路の構成が簡単と成る。

【００５２】上述せる第５〜第７の本発明によれば、複
数のアノード及びカソードは従来のＤＣ型ＰＤＰの電極
と同様に、その各電極上に絶縁層の形成を必要とせず、
メモリー用駆動回路は比較的大電力と成るが、１系統だ
けで良いので、構造が簡単で量産性に優れ、高解像度化
及び大型化が容易で、駆動が簡単でその駆動回路が簡単
と成り、しかも、低廉化の容易な表示用放電管を得るこ
とができる。又、第６の本発明によれば、一層駆動回路
の構成が簡単と成る。

【００５３】又、上述せる第５〜第７の本発明によれ
ば、アドレス放電及びメモリー放電の放電の放電空間が
同じで、アドレス放電によってメモリー電極上の絶縁層
上に正又は負の電荷を生成するので、動作が確実且つ安
定と成っり、表示用放電管自体にメモリー機能を有する
ので、発光輝度が高く、ライン数を増加しても、それに
よって輝度が低下する虞はない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例（１）を示す分解斜視図

【図２】実施例（１）の断面図

【図３】実施例（１）のメモリー素子の例（１）を示す
斜視図

【図４】実施例（１）の書き込み動作を示す回路図

【図５】実施例（１）の記憶動作を示す回路図

【図６】実施例（１）の消去動作を示す回路図

【図７】実施例（１）の動作説明に供するタイミングチ
ャート

【図８】実施例（１）のメモリー素子の例（２）を示す
斜視図

【図９】実施例（２）を示す断面図

【図１０】実施例（３）を示す断面図

【図１１】実施例（４）を示す回路図

【図１２】実施例（５）を示す断面図

【図１３】実施例（６）を示す分解斜視図

【図１４】実施例（６）の断面図

【図１５】実施例（６）の説明に供するタイミングチャ
ート

【図１６】実施例（７）を示す回路図

【図１７】実施例（８）を示す断面図

【図１８】従来のＤＣ型ＰＤＰを示す斜視図

【図１９】従来のＡＣ型ＰＤＰを示す斜視図

【図２０】従来のハイブリッド型ＰＤＰを示す断面図

【符号の説明】

１ 前面ガラス板 ２ アノード Ｍａ メモリー素子 Ｍｂ メモリー素子 Ｍ メモリー素子 ３ａ メモリー電極 ３ｂ メモリー電極 ４ａ 絶縁層 ４ｂ 絶縁層 ５ａ 貫通孔 ５ｂ 貫通孔 ６ 背面ガラス板 ７ カソード １１ 隔壁

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＸＹマトリックス状に配列された複数の
   貫通孔を有する導電層から成るメモリー電極を備え、該
   メモリー電極の全面が絶縁層で覆われて成る一対のメモ
   リー素子が、その絶縁層で覆われた対応する各貫通孔が
   連通して放電セルを形成するように重ね合わされて、放
   電用気体の封入された管体内に封入されて成り、 上記一対のメモリー素子のメモリー電極間に放電維持の
   ための交流電圧が印加されるようにしたことを特徴とす
   る表示用放電管。
2. 【請求項２】 ＸＹマトリックス状に配列された複数の
   貫通孔を有する導電層から成るメモリー電極を備え、該
   メモリー電極の全面が絶縁層で覆われて成る一対のメモ
   リー素子が、その絶縁層で覆われた対応する各貫通孔が
   連通して放電セルを形成するように重ね合わされ、 それぞれ互いに平行に配された複数のストライプ状の第
   １及び第２のアドレス電極が互いに交差するように所定
   間隔を置いて配されると共に、 該複数の第１及び第２のアドレス電極間に、その各交点
   が上記各放電セルと対応するように、上記重ね合わされ
   た一対のメモリー素子が配されて、放電用気体の封入さ
   れた管体内に封入されて成り、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極の内の選択され
   た第１及び第２のアドレス電極間に所定電圧が印加され
   て、その交点に位置する上記放電セル内に放電が発生せ
   しめられると共に、上記一対のメモリー電極間に所定交
   流電圧が印加されて上記放電が維持せしめられるように
   したことを特徴とする表示用放電管。
3. 【請求項３】 上記背面側メモリー電極が上記複数の第
   ２のアドレス電極と平行な複数の短冊状電極に分割さ
   れ、上記複数の第２のアドレス電極が上記複数の短冊状
   背面側メモリー電極に対応してグループ分けされ、該グ
   ループ分けされた複数の第２のアドレス電極のグループ
   毎の同じ位置の電極が互いに共通接続されて成ることを
   特徴とする上記請求項２記載の表示用放電管。
4. 【請求項４】 ＸＹマトリックス状に配列されたそれぞ
   れ放電セルとなる複数の貫通孔を有する導電層から成る
   前面側メモリー電極を備え、該前面側メモリー電極の全
   面が絶縁層で覆われて成る前面側メモリー素子及び全面
   導電層から成る背面側メモリー電極を備え、該背面側メ
   モリー電極の全面が絶縁層で覆われて成る背面側メモリ
   ー素子が互い対向するように配され、 それぞれ互いに平行に配された複数のストライプ状の第
   １及び第２のアドレス電極が互いに交差するように配さ
   れ、 該複数の第１及び第２のアドレス電極の間に、その各交
   点が上記各放電セルと対応するように、上記前面側メモ
   リー素子が配されると共に、上記前面側及び背面側メモ
   リー素子の間に、上記複数の第２のアドレス電極が配さ
   れるように、上記放電用気体の封入された管体内に封入
   されて成り、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極の内の選択され
   た第１及び第２のアドレス電極間に所定電圧が印加され
   て、その交点に位置する放電セル内に放電が発生せしめ
   られると共に、上記前面側及び背面側メモリー電極間に
   所定交流電圧が印加されて上記放電が維持せしめられる
   ようにしたことを特徴とする表示用放電管。
5. 【請求項５】 透明全面導電層から成る前面側メモリー
   電極を備え、該前面側メモリー電極の全面が透明絶縁層
   で覆われて成る前面側メモリー素子及び全面導電層から
   成る背面側メモリー電極を備え、該背面側メモリー電極
   の全面が絶縁層で覆われて成る背面側メモリー素子が互
   い対向するように配され、 上記前面側及び背面側メモリー素子間において、それぞ
   れ互いに平行に配された複数のストライプ状の第１及び
   第２のアドレス電極が互いに交差するように配されると
   共に、 該第１及び第２のアドレス電極間に、その各交点に対応
   する放電セルとなる複数の貫通孔を備える絶縁体隔壁が
   配されて、放電用気体の封入された管体内に封入されて
   成り、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極の内の選択され
   た第１及び第２のアドレス電極間に所定電圧が印加され
   て、その交点に位置する放電セル内に放電が発生せしめ
   られると共に、上記前面側及び背面側メモリー電極間に
   所定交流電圧が印加されて上記放電が維持せしめられる
   ようにしたことを特徴とする表示用放電管。
6. 【請求項６】 上記背面側メモリー電極が上記複数の第
   ２のアドレス電極と平行な複数の短冊状電極に分割さ
   れ、上記複数の第２のアドレス電極が上記複数の短冊状
   背面側メモリー電極に対応してグループ分けされ、該グ
   ループ分けされた複数の第２のアドレス電極のグループ
   毎の同じ位置の電極が互いに共通接続されて成ることを
   特徴とする上記請求項５記載の表示用放電管。
7. 【請求項７】 交互に配されたそれぞれ複数の第１及び
   第２のメモリー電極を備え、該複数の第１及び第２のメ
   モリー電極の全面が絶縁層で覆われて成る背面側メモリ
   ー素子が設けられると共に、 該背面側メモリー素子に対向する如く、それぞれ互いに
   平行に配された複数のストライプ状の第１及び第２のア
   ドレス電極が、互いに交差するように配されると共に、 上記第１及び第２のアドレス電極間に、その各交点にそ
   れぞれ対応する放電セルとなる複数の貫通孔を備える絶
   縁体隔壁が配されて、放電用気体の封入された管体内に
   封入されて成り、 上記複数の第１及び第２のアドレス電極の内の選択され
   た第１及び第２のアドレス電極間に所定電圧が印加され
   てその交点に位置する放電セル内に放電が発生せしめら
   れると共に、上記それぞれ複数の第１及び第２のメモリ
   ー電極間に所定交流電圧が印加されて上記放電が維持せ
   しめられるようにしたことを特徴とする表示用放電管。