JPH0766495B2

JPH0766495B2 - 磁気ヘツド

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Publication number: JPH0766495B2
Application number: JP59155247A
Authority: JP
Inventors: 登行熊坂; 茂一大友; 武夫山下; 法利斉藤; 實弘工藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1984-07-27
Filing date: 1984-07-27
Publication date: 1995-07-19
Anticipated expiration: 2010-07-19
Also published as: JPS6134707A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は磁気デイスク装置、VTR等の高密度磁気記録に
適した磁気ヘツドに係り、特に高保磁力記録媒体を用い
た磁気記録装置に好適な磁気ヘツドに関する。

〔発明の背景〕高保磁力の記録媒体にも十分記録できる磁気ヘツドとし
て高飽和磁束密度の金属磁性体を用いた磁気ヘツドが数
多く提案されてきた。しかし、金属磁性体で構成した磁
気ヘツドは、（１）金属磁性材料であるために渦電損失により高周波
領域の特性が悪い。

（２）（１）を回避するためには、薄い磁性合金を非磁
性絶縁層を介して積層する方法があるが、磁性合金のバ
ルク材では10μｍ以下の薄板化が困難であり、また、薄
板化の困難な材料があるために材料選択が限られてしま
う。さらに、接着剤で接合し積層する作業がむずかし
く、製造上の歩留りも非常に悪い。

（３）磁性合金はフエライトに比較して耐摩耗性が数段
劣るため、磁気ヘツドの寿命が短い。等の欠点があつ
た。

磁性合金を用いて高保磁力の磁気記録媒体との組み合せ
使用に適するようにした磁気ヘツドに関しては、例えば
特公昭54−3238号公報に示されるように、高保磁力磁気
記録媒体に対接する磁気ヘツドの先端部分が磁気的に飽
和しないようにするために飽和磁束密度B_Sの大きい磁性
合金を周知の薄膜形成方法により多数層に積層した磁性
合金膜をもつてヘツドコアの全体を構成した磁性合金膜
多層磁気ヘツドが知られている。この種の磁気ヘツドコ
アの一例を第１図に示す。一般的にコア材は１層が３〜
10μｍの厚さのFe−Si−Al合金からなる磁性薄膜10と0.
1〜１μｍのSiO₂11からなる非磁性薄膜とを交互に積層
して所定の厚さに構成されている。ここで、12は作動ギ
ヤツプであり、13はコイル巻線用の窓である。

しかし、上記磁性合金膜多層磁気ヘツドは、特性は良好
であるが、１個１個を突き合せ方法によつて製作せざる
を得ないので、生産性が低く、また、製品の特性ばらつ
きが大きい、という欠点があつた。また、耐摩耗性に関
しても不十分である。

一方、耐摩耗性に優れた磁性合金として非晶質磁性合金
が開発され、非晶質磁性合金で磁気回路を構成した磁気
ヘツドが特開昭51−94211号公報に開示されている。非
晶質磁性合金はビツカース硬度H_Vで900〜1000あり、パ
ーマロイ（Ni−Fe合金）、センダスト（Fe−Si−Al合
金）等の磁性合金のH_V＝300〜400に比較して硬く、耐摩
耗性にも優れている。しかし、フエライトと比較すると
不十分である。

上記従来例に対して、高保磁力磁気記録媒体に対接する
磁気ヘツドの先端部分が磁気的に飽和しないようにする
ために、磁気的に飽和が問題となるヘツドコアの先端部
分のみを飽和磁束密度B_Sの大きい磁性合金をもつて構成
し、ヘツドコアの他の部分は高周波における透磁率μの
大きいフエライトをもつて構成した磁性合金膜フエライ
ト複合磁気ヘツドが特開昭51−140708号公報に開示され
ている。例えばその一例を第２図（ａ）に示す。すなわ
ち、作動ギヤツプ12の近傍部が高飽和磁束密度B_Sの磁性
膜10で構成され、これとフエライト14とが連結され磁気
回路を構成している。このような磁性合金膜フエライト
複合磁気ヘツドは、前者に比して、耐摩耗性に優れ、生
産性も格段に良好であるが、特性上、つぎのような欠点
がある。例えば、第２図（ｂ）に磁気ヘツドの媒体摺動
面拡大図を示すと、磁性合金膜10を非磁性層11を介して
多層化すると作動ギヤツプ12に平行して非磁性層11が存
在し、その部分での不要の疑似ギヤツプ作用が起るため
に、特異な電磁変換特性を呈して記録再生特性に悪影響
を与える。また、磁性合金膜とフエライトの接合部にお
いても、２つの磁性体の磁気特性が異なると同様な疑似
ギヤツプ作用が起る。

この問題を解決するための方法として、特開昭54−9601
3、特開昭56−169214号公報に開示されている構造があ
る。その一例を第３図（斜視図）、第４図（平面図と側
面図）に示す。この磁気ヘツドは、磁性合金膜10とフエ
ライト14の接合部が作動ギヤツプ12と平行部を持たない
ように斜交させている。このようにすることによつて不
要の疑似ギヤツプ作用がなくなり記録再生特性が良好と
なる。しかし、磁性合金膜の構成要件、特質についての
考慮は示されていない。

以上、に述べたごとく、磁性合金を用いた磁気ヘツドは
種々の改良が加えられてヘツド特性、耐摩耗性、生産性
が良好になつてきている。

しかし、磁性合金を薄膜形成技術によつて形成し、磁気
ヘツドコアを製作する場合、種々の磁性合金においてそ
れぞれ長所、短所があり、それぞれの磁性的特性、物理
的特性、構成、加工プロセスを十分考慮した選択が必要
である。

例えば、非晶質磁性合金膜において14KG以上の飽和磁束
密度の材料を選ぼうとうると結晶化温度が低く、熱安定
性に劣る。しかし、フエライトとは相性が良く密着強度
が高く、結晶構造を持たないため複雑な形状の基板に堆
積しても磁気特性の劣化が少ないという利点がある。

一方、多結晶質磁性合金膜は14KG以上の飽和磁束密度の
材料は容易に得ることができる。しかし、フエライトと
の密着強度が悪く、はく離やクラツクを生ずる。また、
柱状構造を持つために複雑な形状の基板に形成すると磁
気特性が劣化する欠点がある。ところが、非晶質磁性合
金膜とは密着強度が高いという性質がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述した従来の種々の問題を一挙に解
決してその欠点を除去し、高飽和磁束密度を有する多結
晶質磁性合金膜と非晶質磁性合金膜の持つ特質を生かし
磁気コアを構成することによつて高密度磁気記録に適し
た磁気ヘツドを提供することにある。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するため、本発明の磁気ヘツドは、作動
ギャップを介して２個の磁気コアが相対峙した磁気ヘッ
ドにおいて、該磁気コアの少なくとも一部が多結晶質磁
性合金と非晶質磁性合金からなり、少なくとも一方の磁
気コアの作動ギャップ面が前記多結晶質磁性合金で形成
され、多結晶質磁性合金の飽和磁束密度が非晶質磁性合
金の飽和磁束密度より大きいものである。

さらに本発明の磁気ヘツドは多結晶質磁性合金と非晶質
磁性合金で磁気回路が構成されてなり、耐摺動性の非磁
性保護材を組み合せるか、もしくは、多結晶質磁性合金
と非晶質磁性合金とフエライトで磁気回路が構成されて
なるものである。その構成は少なくとも一方の作動ギヤ
ツプ面が多結晶質磁性合金で形成され、非晶質磁性合
金、フエライトのある場合はさらにフエライトの順に連
結して磁気回路が構成され、その飽和磁束密度が多結晶
質磁性合金B_S1、非晶質磁性合金B_S2、フエライトのある
場合はフエライトB_S3からなり、その大きさがB_S1＞B_S2
＞B_S3である。具体的には多結晶質磁性合金の飽和磁束
密度B_S1が14KG以上、非晶質磁性合金の飽和磁束密度B_S2
が7KG以上であることが好ましい。その理由は、飽和磁
束密度が５〜5.5KGのものはMn−Znフエライトで容易に
達成することが可能である。磁性合金と複合化する場合
には7KG以上でないと生産性などから考えて実用的効果
が少ない。非晶質磁性合金膜はフエライトとの密着性に
優れ、結晶構造を持たないため複雑な形状にも付き廻り
が良く、形状による磁性特性の劣化が多結晶質磁性合金
膜に比べて少ないため、主磁路を形成するのに適してい
る。しかし、非晶質磁性合金は耐熱性、耐蝕性を考慮し
て選択すると飽和磁束密度が14KG以下と限度がある。

これに対して、多結晶質磁性合金膜は飽和磁束密度が14
KG〜20KGと大きいものがある。しかし、フエライトに直
接形成した場合、熱膨張係数が大きいために厚膜（５μ
ｍ以上）にするとフエライト基板からはく離したり、膜
にクラツクが入る等の欠点がある。また、薄膜形成術で
形成した多結晶質膜は膜厚方向に柱状構造の結晶が成長
するために、基板の屈曲部で磁性特性が劣化する等の問
題がある。一方、多結晶質磁性合金膜は非晶質磁性合金
膜に対しては密着強度が高いという利点があるため、非
晶質磁性合金膜を主磁路として、作動ギヤツプ近傍部を
飽和磁束密度の大きい多結晶質磁性合金膜として磁気回
路を構成することが理想的である。また、保護材を耐摩
耗性の良い非磁性材料もしくは高透磁率のフエライトで
構成するとよい。保護材をフエライトで構成した場合
は、磁束の相当部分をフエライトに流せるので、磁気抵
抗をさらに低下させ得るという利点もある。このうに本
発明は多結晶質磁性合金膜と非晶質磁性合金膜のそれぞ
れの特長を生かすことによつて、優れた構造の磁気ヘツ
ドが得られている。

各磁性体の接合部は作動ギヤツプと平行にならないよう
に斜交させることが好ましいが、透磁率μを同等に選ぶ
ことによつて平行部があつても接合部での疑似ギヤツプ
作用が問題にならないことが判つた。各磁性体間の透磁
率の差は、例えば、周波数領域、１〜5MHzで1000〜3000
のμの値の場合は、これに対して±（20）％以内にして
おくことが好ましい。磁性合金膜の透磁率は膜形成の磁
界、もしくは後で磁界中熱処理等の方法で制御すること
が可能である。

本発明に用いられる飽和磁束密度14KG以上の多結晶質磁
性合金はFe,CoもしくはFe−Coを主体としてこれとSi,A
l,Ti,V,Ta,Cr,Niからなる群より選択された１種もしく
は２種以上の元素からなる合金を挙げることができる。
また、Fe,Coもしくはその両者とN,C,P等の化合物でも高
飽和磁束密度の薄膜を得ることができる。また、Pt,Pd,
Au,Ag,Ru,Os,Rh,Ir等の添加によつて耐飽性を確保する
ことができる。また、磁歪は±１×10^-6の範囲にしてお
くことが好ましい。

一方、非晶質磁性合金膜は大きく分けてメタル−メタロ
イド系、メタル−メタル系を挙げることができるが、そ
の合金の種類は非常に多い。例えば、組成式がM_aT_bX_cZ_d
で示され、ＭがFe,Ni,Coの群の中から選ばれた少なくと
も１種の元素、ＴがMo,Cr,W,V,Nb,Ta,Mn,Al,Cu,Zn,Pb,S
n,Pd,Pt,Au,Ag,Ru,Os,Rh,Ir,Be,Mg,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,
Dy,Er,Yb,Luの群の中から選ばれた少なくとも１種の元
素、ＸがZr,Ti,Y,Hf,Ge,Sb,Bi,Teの群の中から選ばれた
少なくとも１種の元素、ＺがP,B,C,Si,Nの群の中から選
ばれた少なくとも１種の元素であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ
＋ｄ＝100なる条件下で０≦ｂ≦95、30≦ａ＋ｂ≦95、
０≦ｃ≦70、０≦ｄ≦30を満足する優位的に非晶質であ
るものを挙げることができる。

上記合金の中で、飽和磁束密度が7KG以上、結晶化温度
が400℃以上、磁歪が±１×10^-6の範囲内の条件を満す
ことが好ましい。

さらに、保護コア材としては、非磁性体の場合、酸化
物、窒化物、炭化物、硼化物等のセラミツク材およびガ
ラス等を挙げることができる。主な条件としては、耐摩
耗性、耐蝕性を確保し、熱膨張係数が80×10^-7から140
×10^-7の範囲のものが好ましい。また、磁性材料の中か
ら選ぶとするとMn−Znフエライト、Ni−Znフエライトを
挙げることができる。特にMn−Znフエライトが透磁率が
高く好適である。

前記磁性合金膜はスパツタリング、蒸着、イオンプレー
テイング、メツキ等の公知の薄膜形成技術によつて行な
われる。特に非晶質磁性合金膜は元素によつて蒸着やメ
ツキで形成困難なものがあり、限られた元素となるの
で、スパツタリング法で形成することが好ましい。

磁気回路の構成は保護コアが非磁性材の場合、主な磁路
を非晶質磁性合金で形成し、少なくとも作動ギヤツプ面
を含む近傍部を多結晶質磁性合金膜で形成する。非晶質
磁性合金膜の厚さは５μｍから100μｍ程度で構成さ
れ、多結晶質磁性合金膜は0.5μｍ〜10μｍ程度で構成
されることが好ましい。非晶質合金の厚さが５μｍ未満
では磁路の抵抗が高くなるためヘツド特性が悪く、100
μｍを越えると磁性金属部の面積が広くなり、摩耗特性
劣化し、いずれも好ましくない。

また多結晶質磁性合金膜の厚さが0.5μｍ未満では透磁
率特性が急激に劣化し、30μｍを越えると、5MHz以上の
高周波領域の透磁率が急激に低くなるのでいずれも好ま
しくない。多結晶質磁性合金膜はヘツド構造によつて0.
5μｍ〜５μｍ、もしくは５μｍ〜30μｍとして用いら
れる。前者はトラツク幅10μｍ以下の狭トラツクヘツド
の場合、後者はトラツク幅10μｍ以上のヘツドの場合に
用いて好適である。

一方、保護コアが高透磁率フエライトの場合、主な磁路
はフエライトもしくは非晶質磁性合金膜とフエライトで
構成され、少なくとも作動ギヤツプ面を含む近傍部を多
結晶質磁性合金膜で構成する。各合金膜の厚さ範囲は前
述と同様である。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を実施例によつて詳細に説明する。第５図
は本発明の磁気ヘツドの基本的構成を示す記録媒体対向
面の平面図および側面図である。すなわち、作動ギヤツ
プ20の近傍部が厚さ0.5μｍ〜30μｍの高飽和磁束密度
の多結晶質磁性合金21で構成され、これと非晶質磁性合
金22が接続され磁気回路が構成される。例えば、多結晶
質磁性合金21は周知のFe−Si,Fe−Co−Si,Fe−N,Fe−C,
Fe−Ti,Fe−Al−Si合金を挙げることができる。非晶質
磁性合金22は、周知のCo−Nb−Zr,Co−Mo−Zr,Co−Ｗ−
Zr,Co−Ni−Zr,Co−Ti,Co−Zr,CO−Zr−B,Fe−Co−Si−
Ｂ等を挙げることができる。23は保護材であり、Mn−Zn
フエライト、Ni−Znフエライト等の高透磁率磁性材料も
しくは、セラミツクス、ガラス等の非磁性材料で構成さ
れる。例えば、保護材23を磁性材料とする場合、磁気回
路は多結晶質磁性合金膜、非晶質磁性合金膜および保護
材で構成される。また、保護材23を非磁性材料とする場
合、磁気回路は多結晶質磁性合金膜と非晶質磁性合金膜
で構成される。この場合、主な磁気回路は非晶質磁性合
金膜で構成され、いずれの場合も少なくとも作動ギヤツ
プ近傍部が多結晶質磁性合金膜で構成される。

第６図は本発明の他の磁気ヘツドの構造を示す側面図で
ある。例えば、第５図に示す磁気ヘツドで保護材23にMn
−Znフエライトのような高透磁率磁性材を用いた場合に
は、第６図に示すように多結晶質磁性合金膜21と非晶質
磁性合金膜22をコイル巻線窓24で分断した構造にするこ
とができる。

次に、第５図，第６図に示すように多結晶質磁性合金膜
21と非晶質磁性合金膜22と保護材23の接合部が作動ギヤ
ツプ20と平行になる場合には、各磁性材料の透磁率をほ
ぼ同等にすることが好ましい。そうすれば、接合部にお
ける疑似ギヤツプ作用を減少することができる。また、
透磁率が異なる場合には作動ギヤツプに近い磁性体の透
磁率を大きくしておくことが好ましい。

第７図，第８図は本発明の他の実施例による磁気ヘツド
の構造を示す記録媒体対向面の平面図と側面図である。

第７図は保護材23の突起部に非晶質磁性合金膜22を形成
し接合境部が作動ギヤツプ20と平行部を持たないように
した構造である。このようにすれば、非晶質磁性合金膜
を非磁性材を介して多層化した多層磁性膜にしても非磁
性中間層が作動ギヤツプ20と平行部を形成しないため疑
似ギヤツプ作用を回避することができる。そして、多結
晶質磁性合金膜21は作動ギヤツプ近傍部に0.5μｍ〜５
μｍ形成される。多結晶質磁性合金膜は磁界中スパツタ
リングもしくは磁界中熱処理によつて記録媒体に対して
垂直方向に透磁率を高くする処理を行なうことによつて
記録、再特性を向上することができる。

第８図は本発明の他の実施例を示す磁気ヘツドの平面図
を示す。本実施例は、多結晶質磁性合金膜21と非晶質磁
性合金膜22と保護材23とのすべての接合部が作動ギヤツ
プと平行部を持たないように構成した磁気ヘツドであ
る。このような構造にすれば、それぞれの磁性材の透磁
率の値が異なつても接合部における疑似ギヤツプ作用の
影響を回避することができる。この時、作動ギヤツプ対
向面は少なくとも多結晶質磁性合金膜で構成される。多
結晶質磁性合金膜の厚さはトラツク幅によつて異なるが
５μｍ〜30μｍ程度にする必要があり、第７図の磁気ヘ
ツドに用いる膜厚より厚くする必要がある。

なお、上記各実施例において、多結晶質磁性合金膜のな
い場合は、保磁力H_cが16000eの記録媒体に対して磁気ヘ
ツドの記録再生感度が約3dB低下し、保護材がMn−Znフ
エライトで且つ非晶質磁性合金膜のない場合は、多結晶
質磁性合金膜がフエライトから剥離する傾向を生じ、い
ずれも好ましくなかつた。

以下本発明の前記磁気ヘツドの製造方法の一例を実施例
により詳細に説明する。

本発明の第１の製造方法の各工程の説明図を第９図
（イ）〜（リ）に示す。

ｉ）、第９図（イ）は高透磁率フエライトよりなる保護
ブロツク30のギヤツプ突き合せ面となる面31にコイル巻
線用溝32を形成する工程である。面31はあらかじめ鏡面
研摩しておくとよい。ここで高透磁率フエライトは、例
えば、飽和磁束密度が5KG、比透磁率が1500のMn−Znフ
エライトが用いられる。コイル巻線用溝32は少なくとも
先端が傾斜しており、θ_１は20°〜70°、好適には30°
〜60°とするのが良い。また、後部（図示せず）も傾斜
しておくと磁性合金膜を形成するのに有効である。

ii）、第９図（ロ）で示す工程は前記（イ）の工程で得
られるコイル巻線溝に直行して、ギヤツプ突き合せ面と
なる面31にトラツク幅より狭い突起を残して隣接する２
本の溝33,33′を組とする複数組の溝を平行に設ける工
程である。溝は先端がＶ字もしくはＵ字状に成形された
メタルボンド砥石もしくはレジンボンド砥石が用いら
れ、高速ダイサ等によつて加工される。ここで突起部の
角度θ_２（第９図（ハ）に示す）は30°〜120°に選ば
れる。各組の溝の間に残された平坦部34は後工程、たと
えば第９図（ホ）に対応する工程の研摩や第９図（チ）
に対応する工程のブロツクの接合時における金属磁性合
金属の補強部であり、基準面となる。

iii）、第９図（ハ）は第９図（ロ）で示す工程で加工
された溝33,33′の拡大側面を（以下、第９図（ロ）、
第９図（ハ）等に対応する工程を、工程（ロ）、工程
（ハ）等とする）。工程（ハ）はギヤツプ突き合せ面全
面にフエライトより飽和磁束密度の高い非晶質磁性合金
膜35と多結晶質磁性合金膜36をスパツタリングによつて
堆積させる工程である。非晶質磁性合金膜は、例えば、
CO₈₄Nb₁₃Zr₃合金（原子％）からなる下記の特性のもの
が用いられる。

飽和磁束密度B_S2 ;9.5KG 磁歪γ_Ｓ；−２×10^-7 結晶化温度T_X ;525℃ 保磁力H_C ;0.15Oe 異方性磁界H_K ;8Oe 5MHzの比透磁率 ;2000 膜厚 ;30μｍスパツタリングはRFスパツタ装置を用い、以下の条件で
行なつた。

スパツタ電力P_f ;300W アルゴン圧力P_Ar ;5×10^-3Torr 電極間距離ｄ ;50mm 基板温度ｔ ;80℃ 他の非晶質磁性合金としてはCo−Fe−Si−Ｂ系で代表さ
れる周知のメタル−メタロイド系合金や、Co−Zr,Co−T
i,Co−Mo−Zr等の周知のメタル−メタル系合金等が用い
られる。

次に、非晶質磁性合金膜35の上に飽和磁束密度B_S3が14K
G以上の多結晶質磁性合金膜36をスパツタリングによつ
て堆積する。多結晶質磁性合金は、例えば、Fe−4.5％S
i−５％Ru（重量％）からなる下記の特性のものが用い
られる。

飽和磁束密度B_S3 ;17KG 磁歪γ_Ｓ ;1×10^-6 保磁力H_C ;0.8Oe 異方性磁界H_K ;10Oe 5MHzの比透磁率 ;1800 膜厚 ;10μｍスパツタリングは以下の条件で行なつた。

スパツタ電力P_f ;500W アルゴン圧力P_Ar ;2×10^-2Torr 電極間距離ｄ ;25mm 基板温度ｔ ;350℃ 多結晶質磁性合金膜36としては、この他に、Fe−Si系、
Fe−Co−Si系、Fe−Ti系、Fe−Al−Si系およびFe−Ｎ
系、Fe−Ｃ系等で代表される合金が用いられる。堆積法
は他に真空蒸着、イオンプレーテイング、化学蒸着ある
いはメツキ等でも可能であるが、限られた金属しかでき
ないことや組成変動が大きい等の難点があり、スパツタ
リング法が適している。また、スパツタリング法は付着
強度が高く、溝部にも廻り込みがよいという利点があり
本発明法に対して適している。

なお、非晶質磁性合金膜35の厚みt₁は10〜50μｍと厚く
すれば磁気回路を構成する上で好適である。一方、多結
晶質磁性合金膜36の厚みt₂は工程（ホ）で示すトラツク
幅t_wを構成する厚みが必要である。好適には10〜30μｍ
である。特に、多結晶質磁性合金膜は非磁性膜もしくは
磁性膜を中間層として多層化することによつて磁気特性
を改善することができる。

iv）、工程（ニ）は工程（ハ）で得られた金属磁性体膜
の上に少なくとも残りの溝部が埋まる程度に非磁性材37
を充填する工程である。非磁性材37はガラス、セラミツ
ク系の無機接着材あるいは硬質の樹脂が用いられる。安
定性の面からガラスが適している。ガラス材は非晶質磁
性合金の結晶化温度以下の軟化点のものが選ばれる。好
適には作業温度が結晶化温度より50℃以下のものを選ぶ
とよい。

また、非磁性材を充填する前に前記磁性合金膜を保護す
るためにSiO₂、Al₂O₃等を１〜５μｍ形成しておくこと
が好ましい。このようにすれば、ガラスを充填する時に
磁性合金膜と反応することを防ぐことができる。

ｖ）、工程（ホ）は工程（ニ）で得られたブロツクの非
磁性材37および多結晶質磁性合金膜36の不要部分を除去
し、ギヤツプ形成面を露呈させる工程である。除去法は
研削および研摩によつて行なわれ、ギヤツプ突き合せ面
を得るため、最終仕上げは鏡面とする。鏡面研摩は前記
トラツク幅t_wが得られるまで行なう。なお、ギヤツプ突
き合せ面は多結晶質磁性合金膜で形成される。

vi）、第９図（ヘ）は工程（ホ）で得られたコイル巻線
溝を有する一方のコアブロツクの斜視図を示す。もう一
方のコアブロツクはコイル巻線溝がなくてもよい。工程
（ヘ）はこのような一対のコアブロツクの少なくとも一
方のコアブロツクのギヤツプ形成面にSiO₂、ガラス等の
非磁性材を0.1〜0.3μｍ形成し（図示せず）ギヤツプ形
成膜とする工程である。

vii）、工程（ト）は前記一対のブロツク30，30′のギ
ヤツプ突き合せ面を互いにトラツク部が合うように突き
合せて加熱、加圧しながら接合一体化する工程である。
この場合、接合は溝に充填されている非磁性材37がガラ
スならばお互いのガラスによつて行なわれ、樹脂あるい
はセラミツク材を用いた場合には別途コイル巻線窓の一
部、および後部接合部に切り欠き溝を設けて樹脂等によ
つて行なわれる。

viii）、第９図（チ）は工程（ト）で得られた接合ブロ
ツク38の磁気テープ摺動面を示す。工程（チ）はトラツ
ク幅を中心にして点線で示す所要のコア幅Ｔになるよう
に切断して複合型磁気ヘツドを複数個得る工程である。
場合によつてはアジマス角だけ傾斜して切断される。こ
のようにして、第９図（リ）にその磁気テープ摺動面を
示すような構造の狭トラツク磁気ヘツドコアが得られ
る。これにコイルを巻装することにより本発明の磁気ヘ
ツドが得られる。

なお、本発明法においては、工程（イ）のコイル巻線溝
加工を工点（ホ）の後に行なつてもよい。

次に本発明において磁性合金膜の透磁率を好適に制御し
た一例について述べる。第10図は本発明磁気ヘツドの記
録媒体対向面を示す平面図である。図示の記号は第７
図，第８図示した記号と同一とした。すなわち、20は作
動ギヤツプ、21は多結晶質磁性合金、22は非晶質磁性合
金、23は保護材、25は非磁性充填材である。ここで、保
護材23はMn−Znフエライトである。非晶質磁性合金膜22
は飽和磁束密度B_S2が8KGのCo−Mo−Zrをスパツタリング
法で30μｍ形成した。透磁率は周知の回転磁界中スパツ
タリングあるいは周知の一方向磁界中熱処理によつて磁
気異方性を制御し、1MHz〜5MHzでの比透磁率を2000〜30
00とした。そして多結晶質磁性合金膜21は飽和磁束密度
B_S3が11KGのFe−Al−Siをトラツク幅方向（第10図の矢
印）の磁界中でスパツタリングし、0.5〜５μｍ形成し
た。すなわち、磁化容易軸をトラツク幅方向に形成して
記録媒体対向面に垂直方向の比透磁率を2000とした。こ
のようにして作動ギヤツプ近傍部の磁束を強く、急峻に
することによつて、記録、再生効果を大幅に改善した。
本発明の磁気ヘツドは高密度磁気記録に適した構造を有
するものである。さらに、垂直磁気記録媒体に対しても
好適な記録、再生ができる構造となつている。

〔発明の効果〕

以上に説明したごとく本発明の磁気ヘツドは従来の磁気
ヘツドに比べ、つぎの効果を有する。

（１）高飽和磁束密度（14KG以上）の多結晶質磁性合金
膜で作動ギヤツプ近傍部を構成しているため高保磁力
（H_c1500Oe）の記録媒体にも十分記録ができ、この多
結晶質磁性合金膜と接続して結晶構造を持たない非晶質
磁性合金膜で磁気回路が構成されているため、リング状
の形状においても磁気特性の劣化がなく記録、再生効率
を高める構造となつている。

（２）フエライトに多結晶質磁性合金膜を形成した場
合、密着強度が悪く、はく離やクラツクが入つてしまう
のに対して、非晶質磁性合金膜はフエライトおよび多結
晶質磁性合金膜には密着強度が良く、優れたヘツド構造
を有する。したがつて、量産性にも優れている。

（３）磁気的に飽和が問題となるヘツドコアの先端部に
飽和磁束密度の大きい磁性合金をもつて構成しているた
め、急峻な磁束を発生することができ、高密度記録に適
した構造となつている。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図（ａ），（ｂ）、第３図、第４図は従来
の磁気ヘツドの斜視図，平面図および側面図，第５図は
本発明の一実施例における磁気ヘツドの平面図と側面
図、第６図は本発明の他の実施例における磁気ヘツドの
側面図、第７図，第８図は本発明のさらに他の実施例を
示す磁気ヘツドの平面図と側面図、第９図（イ）〜
（リ）は本発明の磁気ヘツド製造方法の一実施例におけ
る各工程の説明図、第10図は本発明の他の実施例におけ
る磁気ヘツドの記録媒体対向面を示す拡大平面図であ
る。 20…作動ギヤツプ、21…多結晶質磁性合金膜、22…非晶
質磁性合金膜、23…保護材、24…コイル巻線用窓、25…
非磁性充填材。

フロントページの続き (72)発明者斉藤法利東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者工藤實弘東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献特開昭58−155513（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−116918（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】作動ギャップを介して２個の磁気コアが相
対峙した磁気ヘッドにおいて、該磁気コアの少なくとも
一部が多結晶質磁性合金と非晶質磁性合金からなり、少
なくとも一方の磁気コアの作動ギャップ面が前記多結晶
質磁性合金で形成され、多結晶質磁性合金の飽和磁束密
度が非晶質磁性合金の飽和磁束密度より大きいことを特
徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】多結晶質磁性合金と非晶質磁性合金で磁気
回路を構成し、さらに非磁性保護材を設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド。
【請求項３】多結晶質磁性合金と非晶質磁性合金とフェ
ライトで磁気回路を構成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の磁気ヘッド。
【請求項４】少なくとも一方の作動ギャップ面が多結晶
質磁性合金で形成され、非晶質磁性合金、フェライトの
順に連結して磁気回路が構成され、その飽和磁束密度が
多結晶質磁性合金B_S1、非晶質磁性合金B_S2、フェライト
B_S3からなり、その大きさがB_S1＞B_S2＞B_S3であることを
特徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁気ヘッド。
【請求項５】多結晶質磁性合金の飽和磁束密度B_S1が14K
G以上、非晶質磁性合金の飽和磁束密度B_S2が7KG以上で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、
第３項もしくは第４項記載の磁気ヘッド。