JPH02216604A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、８ミリＶＴＲ，デジタルオーディオチーブレ
コーダ等の磁気記録再生装置に装備される磁気ヘッドに
関するものである。

（従来の技術） メタルテープ、蒸着テープ等の高抗磁力の磁気記録媒体
の出現に伴って、従来の酸化物磁性ヘッドに替わり、磁
気ギャップ部近傍に高飽和磁束密度の磁性合金材料、例
えばセンダスト、アモルファス合金等からなる磁性層を
形成した所謂複合型磁気ヘッドが開発されている。

第１１図（ａ）　（ｂ）は、８ミリＶＴＲ等に用いられ
ている複合型磁気ヘッドを示しており、フェライト等か
らなる一対の酸化物磁性コア（１）（１１）の突き合せ
部に、作動ギャップ（４）を挟んで一対の磁性合金層（
３）（３１）を配備し、作動ギャップ（４）の両側には
ガラス製のトラック幅規制部（５）（５１）を配備して
いる。又、一方の酸化物磁性コア（１）には、電気コイ
ルを巻装する為のコイル窓（６）が開設されている。

上記磁気ヘッドに於いては、構造上、磁気飽和度が高く
ならざるを得ない作動ギャップ近傍の磁路が、飽和磁束
密度の高いセンダスト等によって形成されているから、
磁気飽和の発生が抑制される。

（解決しようとする課題） 従来の複合型磁気ヘッドに於いては、磁性合金層として
、例えば飽和磁束密度Ｂｓが１０，０００〜１１゜０Ｑ
ＯＧ　ａｕｓｓ程度のセンダストが用いられており、従
来は、この程度の飽和磁束密度の磁性合金層を作動ギャ
ップ近傍に形成することが、記録再生性能にとって最適
であると考えられていた。

しかし、後述の如く本発明者が行なった磁気解析によれ
ば、磁性合金層（２）　（２１）の更に作動ギャップ（
４）の極く近傍で、磁束密度の飽和度が９８％以上に達
していることが明らかとなった。

この様に磁性合金層の一部で磁気飽和度が極めて高くな
ると、センダストの透磁率が急激に低下する結果、起磁
力即ち記録電流を大きくしても、記、録に関与する漏れ
磁束が殆ど増加せず、起磁力に対する磁気テープの記録
強さ（記録磁場）の線形性が崩れて、信号の記録再生波
形に歪が生じることになる。

しかしながら、磁性合金層（２）（２１）の全体を、例
えば１３，０ＯＯＧ　ａｕｓｓ以上の極めて飽和磁束密
度の高い資材、例えばＦｅ：９４重量％、ＳＬ：６重量
％の合金で形成すると、磁気飽和度は低下するが、斯種
超高飽和磁束密度材は一般に透磁率が低いから、特に信
号再生性能の低下を招来する。

本発明の目的は、従来の磁気ヘッドに比べて高い記録再
生性能が得られる磁気ヘッド、及びその製造方法を提供
することである。

（課題を解決する為の手段） 本発明は、作動ギャップ（４）を挟んで一対のヘッド半
体を対向配備し、少なくとも両ヘッド半体の対向部に、
磁性合金部を形成した磁気ヘッドに於いて、前記磁性合
金部は、作動ギャップ（４）の両側に形成した一対の第
１磁性合金層（２）（２１）と、該第１磁性合金層の更
に両側に形成した一対の第２磁性合金層（３）（３１）
とを具え、第１磁性合金層（２）（２１）は第２磁性合
金層（３）（３１）よりも飽和磁束密度の高い磁性合金
から形成したことを特徴とする。

各第１磁性合金層（２）（２１）は例えば０．０６μｍ
以上の厚さに形成される。

又、本発明に係る磁気ヘッドは、作動ギャップ（４）を
挟んで一対のヘッド半体を対向配備し、各ヘッド半体は
、主磁路を形成すべき酸化物磁性コア（１）（Ｉｔ）と
、作動ギャップ（４）と酸化物磁性コア（１）（１１）
との間に介装した磁性層とから構成し、前記磁性層は、
酸化物磁性コア（１）（１１）側から作動ギャップ（４
）側へ向かってＦｅ含有率が徐々に増大する磁性合金層
によって形成されている。

上記磁気ヘッドの製造方法は、酸化物磁性コア（１）（
１１）となる磁性基板の表面に、前記磁性層となる磁性
合金を真空薄膜形成技術にて所定厚さに成膜する過程で
、磁性基板に対し、連続的に或は段階的に絶対値が増大
する負のバイアス電圧を印加することを特徴とする。

（作用及び効果） 上記磁気ヘッドに於いては、作動ギャップ（４）の両側
に配備した第１磁性合金層（２）（２１）が、センダス
ト等の第２磁性合金層（３）（３１）に比べて飽和磁束
密度が高いから、従来の複合型磁気ヘッドに比べて磁気
飽和度が低く、従って起磁力に対する磁気テープの記録
強さの線形性が良好であり、記録再生性能が改善される
。

又、第１磁性合金層（２）（２１）の厚さを、後述の如
く最適ギャップ長との関係で適切な値に設定することに
より、信号再生時の記録媒体からの磁束の内、信号とし
て抽出出来る有効な磁束の割合を増大させることが出来
、これによって信号再生性能を改善することが出来る。

上記の作用効果は、酸化物磁性コア（１）（１１）と作
動ギャップ（４）との間の磁性層が、酸化物磁性コア（
１）（１１）側から作動ギャップ（４）側へ向かってＦ
ｅ含有率が徐々に増大する磁性合金層によって形成され
ている磁気ヘッドに於いても同様である。

又、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法に於いては、例
えば磁性合金としてセンダストを用いた場合、磁性基板
に印加すべきバイアス電圧を先ず零ボルトに設定して成
膜を施すことにより、従来と同様の組成（Ｆｅ：略８３
重量％）のセンダスト膜が得られ、その後、例えばバイ
アス電圧を一１ＯＯＶに設定することにより、Ｆｅ成分
が増大した磁性合金膜（Ｆｅ二略８５重量％）が得られ
る。尚、バイアス電圧を連続的に変化させれば、Ｆｅ成
分を膜表層に向かって徐々に増大させることが出来る。

従って、最終的に完成した磁気ヘッドに於いては、作動
ギャップの両側に、センダストよりも飽和磁束密度の高
い磁性合金層が形成され、記録再生時に上記作用効果が
発揮される。

（実施例） 以下に述べる実施例は本発明を説明するためのものであ
って、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或いは範
囲を減縮する様に解すべきではない。

先ず、本発明完成の過程で行なった従来の磁気ヘッドに
対する磁気解析について説明する。

第１１図（ａ）（ｂ）に示す複合型磁気ヘッドをモデル
として、酸化物磁性コア（１）（１１）に飽和磁束密度
が５，０ＯＯＧ　ａｕｓｓのフェライト、磁性合金層（
３）（３１）に飽和磁束密度が１０，０ＯＯＧ　ａｕｓ
ｓのセンダストを使用し、該磁性合金層の膜厚を５μｍ
１ギヤツプ長を０．２８μｍに設定した。又、ヘッドに
対する起磁力は、酸化物磁性コア（１）（１１）と磁性
合金層（３）（３１）との境界部で５，０００Ｇａｕｓ
ｓとなる様に設定した。

上記磁気ヘッドモデルに対し、有限要素法を用いた磁気
解析シミュレーションを施した。この際、第４図の如く
要素の大きさは０．０２μｍＸ　０．０２μｍと、従来
行なわれていたよりも更に微小に分割することにより、
第４図中にハツチングを施した幅０．０６μｍ及び深さ
０．０８μｍの略三角形の領域で、磁束密度が９８，０
００Ｇａｕｓｓを超え、飽和度が９８％以上となること
が、本解析で初めて明らかになった。

この結果、従来の磁気ヘッドに於いては、起磁力に対す
る記録強さの線形性が崩れていたのである。

そこで本発明に於いては、少なくとも磁気飽和度が９８
％を越えている領域に、センダスト等の高飽和磁束密度
材よりも更に飽和磁束密度の高い超高飽和磁束密度の磁
性合金を形成して、上記問題点を解決したのである。

本発明の磁気ヘッドは、例えば第１図及び第２図に示す
様に、作動ギャップ（４）を挟んで一対の酸化物磁性コ
ア（１）（１１）を対向配備し、酸化物磁性コア（１）
（１１）と作動ギャップ（４）との間に介装すべき磁性
合金部は、作動ギャップ（４）の両側に形成した一対の
第１磁性合金層（２）（２１）と、該第１磁性合金膜の
更に両側に形成した一対の第２磁性合金層（３）（３１
）から構成される。

作動ギャップ（４）の両側にはガラス製のトラック幅規
制部（５）（５１）が形成され、一方の酸化物磁性コア
（１）にはコイル窓（６）が開設される。

酸化物磁性コア（１）（１１）は、飽和磁束密度が５゜
０００〜５　、８００　Ｇ　ａｕｓｓ程度のＭｎ−Ｚｎ
単結晶フェライト或は高密度フェライトから形成される
。

第２磁性合金層（３）（３１）は、従来より使用されて
いるセンダス、例えばＦｅ：８４重量％、Ａ１：６重量
％、Ｓｉ：１０重量％からなるセンダストを用いる。

ここで、Ｆｅの一部（３重量％以下）をＣｒで置換する
ことも可能である。この場合、飽和磁束密度は１０．０
００〜１１，０００Ｇａｕｓｓとなる。

第１磁性合金層（２）（２１）の資材としては、例えば
Ｆｅ−ＳＬ合金、Ｆ　ｅ　−Ａ　１合金、Ｆ　ｅ−Ａ　
Ｉ−８ｉ合金等が使用可能であって、これらの合金は、
前記センダストの成分に比べてＡ１やＳＬを減少させる
ことによって、飽和磁束密度を増加させたものである。

例えばＦｅ−Ａ１合金の成分は、Ｆｅ：９４重量％、Ｓ
ｉ：６重量％に設定される。これによって１８．０００
Ｇ　ａｕｓｓ程度の飽和磁束密度が得られる。

更に第１磁性合金層（２）（２１）の資材としては、Ｆ
ｅ、或はＦｒ−Ｃｏ系の合金に対してＣｒ５Ｔｉ。

Ｒｈ、Ｐｔ、Ｖ等の各種添加物を加えたものを使用する
ことも可能であって、これによって飽和磁束密度を１２
　、０００〜２０　、０００　Ｇ　ａｕｓｓの広範囲で
適切な値に選定することが出来る。

第１磁性合金層（２）（２１）の資材の選定に際しては
、飽和磁束密度の値のみならず、透磁率、耐摩耗性等も
考慮される。

各第１磁性合金層（２）（２１）の厚さは、０．０６〜
１μｍの範囲（例えば０．２μｍ）に形成され、各第２
磁性合金層（３）　（３１）の厚さは３〜１０μｍの範
囲（例えば６μｆｆ１）に形成される。

第５図は、上記センダスト及びＦｅ−Ｓｉ合金の透磁率
の周波数特性を示している。この様に、略３ＭＨｚ以下
でＦｅ−Ｓｉ合金の透磁率はセンダストのそれよりも低
い値となっている。従って、第１磁性合金層（２）（２
１）を極端に厚く形成すると、磁気ヘッドの信号再生性
能に低下を来す。

第３図は、信号再生時に於いて、第１磁性合金層（２）
（２１）及び第２磁性合金層（３）（３１）上の磁気テ
ープ（７）の磁化方向と、これによって発生する磁気ヘ
ッド内の磁束の状態を示している。ここで、第１磁性合
金層（２）（２１）の厚さが、ｔｌ＜０．０６μｍと薄
いときは、上述の如く作動ギャップ（４）近傍の磁気飽
和度が９８％を越え、又、ｔ、　＞　０．０６μｍであ
っても薄きに過ぎる場合は、図中に破線で示す無効磁束
が増える。一方、第１磁性合金層（２）（２１）の厚さ
が例えばｔ、〉１μｍと厚きに過ぎると、図中に実線で
示す有効磁束の磁気抵抗が増大することになる。

そこで、本発明に於いては次の様に第１磁性合金層（２
）（２１）を厚さを規定した。

一般に磁気ヘッドに於いては、記録信号の周波数Ｆと、
信号の記録波長λと、磁気ヘッドに対する磁気テープ速
度Ｖとの間に、Ｖ＝ＦＸλの関係が成立する。

又、ギャップ長は、一般に記録波長λの１／２〜１／３
の値が最適値とされる（例えば松本光功著「磁気ヘッド
と磁気記録」総合電子出版第９９頁参照）。

ここでギャップ長の最適値ｇ０をλの１／２に選定し、
Ｆ　＝　３　Ｍ　Ｈｚ、　Ｖ　＝　３．７５ｍ／　ｓｅ
ｃとすると、上記関係式から、最適ギャップ長ｇ０＃０
．６２μｍが得られる。

本発明の磁気ヘッドに於いては、第３図の如く両箱１磁
性合金層（２）（２１）の全幅を前記最適ギャップ長ｇ
０に設定することによって、上述の如く記録再生性能を
改善することが可能である。従って、前記例に於いて、
実際のギャップ長ｇ、を０３μｍとすると、各第１磁性
合金層（２）（２１）の最適幅ｔ０は略０．１６μｍと
なる。

尚、第１磁性合金層（２）（２１）の幅は、前記最適幅
から多少ずれたとしても、従来の磁気ヘッドに比べて良
好な記録再生性能が得られるのは勿論である。

次に本発明の磁気ヘッドによって記録或は再生すべき磁
気テープについて考察する。

第６図のグラフは、図中に示す様に飽和磁束密度が１０
　、０００　Ｇ　ａｕｓｓの第２磁性合金層（３）（３
１）の内側に、厚さが０．２２４ｍ、飽和磁束密度が１
８，０００Ｇａｕｓｓの第１磁性合金層（２）（２１）
を具え、ギャップ長が０．２８μｍである本発明の磁気
ヘッドに於いて、第１磁性合金層（２）（２１）の部分
にセンダストを形成した従来の磁気ヘッドと比較した場
合に、テープ対接面から高さｈの位置で磁束密度がどれ
だけ増加したかを示している。

このグラフから明らかな様に、テープ対接面からの高さ
ｈが０．１５μｍ以下で特に高い磁束密度の増加がみら
れる。

ところで、近年、高抗磁力を有する記録媒体として注目
を浴びている蒸着テープ或は蒸着ディスクに於いては、
磁性層として、０．１５μｍ前後の極めて薄い厚さの強
磁性金属薄膜が形成されている。

従って、蒸着テープに対する記録再生ヘッドとして、テ
ープ対接面から０．１５μｍまでの高さ範囲で高い磁束
密度を発生せしめる本発明の磁気ヘッドを採用すること
により、蒸着テープの性能を十分に引き出すことが出来
る。

尚、第１図に示す酸化物磁性コア（１）（１１）及び第
２磁性合金層（３）（３１）の全体をセンダストで形成
し、前記の如く第１磁性合金層（２）（２１）をセンダ
ストよりも更に高い飽和磁束密度の磁性合金で形成する
ことも可能であって、該磁気ヘッドに於いても、上記同
様の効果が得られるのは勿論である。

次に、本発明に係る磁気ヘッドの第１磁性合金層（２）
（２１）及び第２磁性合金層（３）（３１）をスパッタ
リング等の真空薄膜形成技術によって成膜する方法につ
いて述べる。

第１０図（ａ）〜（ｄ）は第１図に示す磁気ヘッドの製
造工程の全体的な流れを示しており、第１０図（ａ）に
示す薄膜形成工程を除いて、従来の製造工程と同じであ
る。

第１０図（ａ）に示す如く一対のフェライトウェハ（１
２）（１３）の表面に、後述の如く直流バイアス・スパ
ッタ法により、先ず第２磁性合金層となるセンダスト膜
（３２）（３３）を形成し、その後、その表面に第１磁
性合金層となるＦ　ｅ−Ａ　Ｉ−８ｉ膜（２２）　（２
３）を形成する。

更にその表面に、ギャップスペーサとしてのＳｉＯ２膜
（図示省略）を形成する。

次に同図（ｂ）に示す様に、一方のフェライトウェハ（
１２）の膜表面に対して複数条のトラック幅規制溝（５
２）を凹設すると共に、他方のフェライトウェハ（１３
）の膜表面に対しては、複数条のトラック幅規制溝（５
３）と、これに直交する方向に伸びる複数条のコイル溝
（６１）及び接合溝（６２）を凹設する。

これらの溝加工は、例えばセンダスト膜等の膜部分につ
いては化学エツチング等によって、フェライト部分につ
いてはダイヤモンド砥石等による機械加工によって行な
うことが出来る。

次に、前記工程を経た一対のフェライトウェハ（１２）
（１３）を同図（ｃ）の如く重ね合わせ、周知のガラス
接合法を用いて、両ウェハを互いに接合固定すると共に
、トラック幅規制溝（５２）（５３）にガラス（５４）
を充填する。

最後に、前記工程を経て得られたヘッドブロックを図中
の破線に沿ってスライスし、これにょって得られたヘッ
ドチップに必要な整形加工を施して、第１図の磁気ヘッ
ドが完成する。

前記センダスト膜及びＦ　ｅ−Ａ　Ｉ−８ｉ膜の形成に
際しては、夫々の膜の組成に応じた磁性合金を用いて、
従来同様のスパッター法を２回繰り返すことによって、
容易に行なうことが出来るが、本実施例では所謂バイア
ス・スパッター法を用いることにより、前記２種類の薄
膜を連続的に形成する方法を開発し、採用した。

第７図及び第８図はセンダスト膜及びＦ　ｅ−Ａ　ｌ−
３ｉ膜の形成に使用する直流バイアス・スパッター装置
の概略構成を示している。

該装置は一般に対向ターゲット式スパッター装置と呼ば
れるものであって、第７図の如く真空容器（８）内に、
一対のターゲット（８１）（８２）を対向配備し、更に
両ターゲット間の空間に面して配備した電気絶縁板（８
５）上に、固定金具（８４）を具えた金属製の基板ホル
ダー（８３）を取り付けている。基板ホルダー（８３）
には、電圧調整の可能なバイアス電源（８６）が接続さ
れる。

第８図の如くホルダー（８３）上のフェライトウェハ（
１２）を載置して、これを固定金具（８４）によって固
定した状態で、ターゲットに対して略−８００■の電圧
を印加すると共に、前記バイアス電源の電圧値を後記の
如く変化させつつ、スパッタリングを行なう。

本実施例では、ターゲット（８１）　（８２）としてＦ
ｅ：８４重量％、Ａ１：６重量％、Ｓ　ｉ：１０重量％
の合金を使用し、先ずバイアス電圧をＯｖに設定して所
定時間だけスパッタリングを行ない、その後、バイアス
電圧を一１００■に設定して所定時間だけスパッタリン
グを行なう。

下記衣１は、上記装置に於いて、バイアス電圧を０■、
−５０■、−１００Ｖに変化させてスパッタリングを行
なった場合に得られる合金膜の組成及び飽和磁束密度を
示すものである。

（以下余白） 表１ 又、第９図はこれらの３種類の合金膜の比透磁率の周波
数特性を示している。

従って、上記の如く先ずバイアス電圧をＯｖに設定して
スパッタリングを行なうことによって、通常の透磁率の
高いセンダスト膜（例えば厚さ５．８μｍ）が得られ、
バイアス電圧を一１００Ｖに設定することにより、飽和
磁束密度の高い磁性合金膜（例えば厚さ０．２μｍ）が
得られ、更に第１０図に示す工程を経ることによって、
前記センダスト膜が第１図の第２磁性合金層（３）（３
１）となり、前記磁性合金膜が第１図の第１磁性合金層
（２）（２１）となって、第１図の磁気ヘッドが完成す
ることになる。

尚、ターゲットの組成は、センダストに限らずＣｏＺｒ
等のアモルファス合金、Ｆｅ５ｉＧａＬｕ合金等を使用
することも可能である。

使用出来る薄膜形成技術は直流バイアス・スパッター法
のみならず、成膜法としては、周知の２極スパツター法
、３極スパツター法、真空蒸着法等が使用可能であり、
バイアス法としては、周知の交流バイアス法、イオンガ
ン法等が使用可能である。

又、上記薄膜形成工程に於いては、バイアス電圧を２段
階に切り換えているが、前記第１表及び第９図に示す如
く３段階、或は４以上の段階で変化させることも可能で
あって、これによって飽和磁束密度及び透磁率の異なる
多層構造の磁性膜を得ることが出来る。

更に又、バイアス電圧をＯｖから一１００ｖまで連続的
に変化させて、第１図の磁気ヘッドと同様の効果が得ら
れる磁気ヘッドを製造することも可能である。即ち、該
磁気ヘッドに於いては、作動ギャップ（４）と酸化物磁
性コア（１）（１１）との間の磁性層が、酸化物磁性コ
ア（１）（１１）側から作動ギャップ（４）側へ向かっ
てＦｅ含有率が徐々に増大する磁性合金層によって形成
されることになる。

図面及び上記実施例の説明は、本発明を説明するための
ものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、
或は範囲を減縮する様に解すべきではない。

又、本発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求
の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である
ことは勿論である。

例えば、第１図の磁気ヘッドに於いては、酸化物磁性コ
ア（１）（１１）と第２磁性合金層（３）（３１）との
境界面が、作動ギャップ（４）の形成面と平行に形成さ
れているが、第１２図乃至第１５図の如く、前記境界面
の一部或は全体が、ギャップ形成面と非平行な磁気ヘッ
ドにも応用出来るのは勿論である。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明に係る磁気ヘッドの要部を示す拡大平面
図、第２図は該磁気ヘッドの斜面図、第３図は該磁気ヘ
ッド内の磁束の状態を説明する図、第４図は磁気解析の
結果を説明する図、第５図は透磁率の周波数特性を示す
グラフ、第６図はテープ対接面からの高さと磁束密度増
加量との関係を示すグラフ、第７図は直流バイアス・ス
パッター装置の構成図、第８図はホルダー上に固定され
たフェライトウェハの斜面図、第９図はバイアス電圧と
比透磁率との関係を表わすグラフ、第１０図（ａ）　（
ｂ）　（ｃ）は磁気ヘッドの製造工程を示す斜面図、第
１１図（ａ）は従来の磁気ヘッドの斜面図、第１１図（
ｂ）は該磁気ヘッドの要部を示す平面図、第１２図乃至
第１５図は夫々本発明の他の実施例を示す第１図同様の
平面図である。 （１）（１１）・・・酸化物磁性コア （２）（２１）・・・第１磁性合金層 （３）（３１）・・・第２磁性合金層 （４）・・・作動ギャップ （ａ） 第８図 周波数（ＭＨｚ） 第９図 （Ｃ） 知 、７″ 第１０図 手続補正書（自発） 平成元年４月２２日 １、事件の表示 ２、発明の名称 特願平１−３９０９０ 磁気ヘッド及びその製造方法 （２）明細書第１０頁５行目 ｒ９８，０ＯＯＪを ｊ９，８００Ｊに補正。 （３）明細書第１１頁１０行目 「センダス」を 「センダスト」に補正。 補正をする者 事件との関係　　特許出願人 （１８８）三洋電機株式会社 補正の対象 図面、明細書の発明の詳細な説明の欄 補正の内容

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］作動ギャップ（４）を挟んで一対のヘッド半体を
   対向配備し、少なくとも両ヘッド半体の対向部に、磁性
   合金部を形成した磁気ヘッドに於いて、前記磁性合金部
   は、作動ギャップ（４）の両側に形成した一対の第１磁
   性合金層（２）（２１）と、該第１磁性合金膜の更に両
   側に形成した一対の第２磁性合金層（３）（３１）とを
   具え、第１磁性合金層（２）（２１）は第２磁性合金層
   （３）（３１）よりも飽和磁束密度の高い磁性合金から
   形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。 ［２］作動ギャップ（４）を挟んで一対のヘッド半体を
   対向配備した磁気ヘッドに於いて、各ヘッド半体は、主
   磁路を形成すべき酸化物磁性コア（１）（１１）と、作
   動ギャップ（４）に面して配備した第１磁性合金層（２
   ）（２１）と、酸化物磁性コア（１）（１１）と第１磁
   性合金層（２）（２１）との間に配備した第２磁性合金
   層（３）（３１）とから夫々構成され、第１磁性合金層
   （２）（２１）は第２磁性合金層（３）（３１）よりも
   飽和磁束密度の高い磁性合金から形成されていることを
   特徴とする磁気ヘッド。 ［３］各第１磁性合金層（２）（２１）の厚さは０．０
   ６μｍ以上である特許請求の範囲第１項または第２項に
   記載の磁気ヘッド。 ［４］作動ギャップ（４）を挟んで一対のヘッド半体を
   対向配備し、各ヘッド半体は、主磁路を形成すべき酸化
   物磁性コア（１）（１１）と、作動ギャップ（４）と酸
   化物磁性コア（１）（１１）との間に介装した磁性層と
   から構成される磁気ヘッドに於いて、前記磁性層は、酸
   化物磁性コア（１）（１１）側から作動ギャップ（４）
   側へ向かってＦｅ含有率が徐々に増大する磁性合金層に
   よって形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。 ［５］作動ギャップ（４）を挟んで一対のヘッド半体を
   対向配備し、各ヘッド半体は、主磁路を形成すべき酸化
   物磁性コア（１）（１１）と、作動ギャップ（４）と酸
   化物磁性コア（１）（１１）との間に介装した磁性合金
   層とから構成される磁気ヘッドの製造方法に於いて、前
   記酸化物磁性コア（１）（１１）となる磁性基板の表面
   に、前記磁性合金層となる磁性合金を真空薄膜形成技術
   にて所定厚さに成膜する過程で、磁性基板に対し、連続
   的に或は段階的に絶対値が増大する負のバイアス電圧を
   印加することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。