JPH0763612B2 - 真空室および真空室内における被処理物の運搬方法 - Google Patents
真空室および真空室内における被処理物の運搬方法Info
- Publication number
- JPH0763612B2 JPH0763612B2 JP4140357A JP14035792A JPH0763612B2 JP H0763612 B2 JPH0763612 B2 JP H0763612B2 JP 4140357 A JP4140357 A JP 4140357A JP 14035792 A JP14035792 A JP 14035792A JP H0763612 B2 JPH0763612 B2 JP H0763612B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- opening
- rotation
- holding
- chamber according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/04—Pressure vessels, e.g. autoclaves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49998—Work holding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/51—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling
- Y10T29/5124—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling with means to feed work intermittently from one tool station to another
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/51—Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling
- Y10T29/5196—Multiple station with conveyor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Manipulator (AREA)
Description
備、および真空室内における被処理物の運搬方法に関す
る。
はJP−A2 1−218627に関する公開特許公報
英文抄録誌(第13巻532号、1989年11月28
日)に記載されている真空処理設備は、少なくとも2つ
のステーションを有し、各々のステーションが被処理物
の供給口および/または排出口を少なくとも1つ具備し
ている。その際、図1に明瞭に示されているように、開
口部が開口面Fに対する垂線Anを規定している。さら
に、これらの設備は、空間軸線の回りを被動回転できる
ように支持された運搬装置を有しており、この運搬装置
は被処理物のための少なくとも1つの運搬部を具備して
いる。運搬部はステーションの開口部に連続的に移動す
る。
被処理物のための運搬部を1つのみ有し、この運搬部が
運搬装置を形成している回転シリンダに固定されてい
る。これに対し、DE−A−2454544による設備
には、被処理物のための4つの運搬部が設けられてお
り、さらにこれらの運搬部は運搬装置に対して動くよう
に支持されている。運搬装置は、壁を貫通する駆動ラム
によって、ステーションを基準として個別的に駆動され
る。したがって、DE−A−2454544によれば、
運搬部は必要に応じて上述のステーションを密閉するよ
うに、種々の位置に調節できる。
めの手段】上述の運搬装置室の壁を貫通する駆動ラムを
設けていることは、次の点で不利である。 a)各々の駆動ラムに運動用気密シールを設けなければ
ならないが、これは真空技術上コストがかかる。 b)駆動ラムは各々のステーションに固定して割り当て
られている。したがって、変更の場合、特に設備に設け
られているステーションの数を増やすためには、設備を
ほぼ新たに設計し直して、気密貫通する駆動ラムの数を
変えなければならない。
を前提として、特に上述の短所を取り除くことである。
の特徴部による設備によって解決される。
結した運搬装置が得られる。この運搬装置は、極めてフ
レキシブルに操作でき、ステーションの数の異なる設備
にも使用できる。同時に、上述の密封の問題も解決され
る。
備、特にDE−A−2454544による真空処理設備
は、市場で普及しているが、次の点が短所である。即
ち、運搬装置がその回りを回転する空間軸線とステーシ
ョンの開口面に対する垂線とが互いに平行であり、ステ
ーション開口部はたいてい空間軸線の回りに等距離に配
置されている。そのため、一方では、長所として、運搬
装置を上述の空間軸線回りを旋回させるだけでステーシ
ョン開口部の操作が行なえる。しかし、他方では、短所
として、上述の開口部の垂線が空間軸線と平行になるよ
うに配置しなければならないので、真空処理設備を構成
する際に制約される。このために、上述のステーション
は、所定の向きにおいて、場合により運搬装置が移動す
る面の両側に配置されなければならない。
造により、ステーションの相互の空間的な配置構成を、
それらの開口部と運搬装置の上述の空間軸線との関係に
関して、広い範囲で自由に選択できる。それゆえに、真
空処理設備を極めてコンパクトに構成できる。同時に、
個々のステーションの供給、操作、組立、分解などに関
する自由度が著しく増す。
である。1つは、上述の空間軸線の回りを回転できる運
搬装置を1つしか設けない場合、運搬部は運搬装置にお
いて個別に駆動されて移動できるにもかかわらず、ステ
ーション開口部を公知のように軸平行にする必要はない
ことである。もう1つは、上述の本発明による設備構造
において、最大限の構造上のフレキシビリティーが達成
されることである。これは、上述したように、設備をコ
ンパクトな構造にしたり、真空にすべき容積をできるだ
け縮小したり、個々のステーションの間隔に依存して、
行程をできるだけ短くすることによって処理周期時間を
短縮したりすることによって可能である。
いて、運搬装置は空間軸線回りを回転する際に、所定の
開角φ≦90°の円錐面に沿って移動する。
得策の場合には、本発明による運搬装置を種々の可変な
円錐面に沿って移動させることができる。しかしなが
ら、この場合も、請求項5に記載の上述の方策によっ
て、課題に含まれているフレキシビリティーが本質的に
失われることなく、大幅な単純化を実現できる。請求項
2に記載されているように、運搬装置が最大φ=90°
の円錐面に沿って移動する場合、なによりも駆動手段に
よって運搬部または回転軸の半径方向の移動量を調節す
る可能性は維持されている。それゆえ、上述の円錐面に
おいて、ステーションまたはそれらの開口部が円錐の種
々の大円上に位置することが可能となる。さらに、ステ
ーションの垂線が、必ずしも母線方向を向いている必要
はなく、任意の方向を向くことができる。この場合、運
搬装置で運搬部が適宜被動旋回して、対応するステーシ
ョンの開口部に送られる。
実施態様において、いっそうの単純化が実現される。こ
の実施態様では、垂線が円錐面の母線方向を向くように
ステーションが配置されており、回転運動の際は運搬装
置がこの円錐面に沿って移動する。
の円錐面の種々の大円に段階的に位置することができる
が、多くの場合このような段階は必要ない。なぜなら
ば、運搬装置は母線方向に一列に相前後して配置されて
いるステーションに到達できるからである。
大円に沿って配置されていることが有利である。
円板として設計できるが、請求項8に従い、片側が空間
軸線に回転可能に支持され、他方の端部に運搬部を付け
た運搬アームを少なくとも1つ設けていることが好都合
である。
ていることによって、運搬装置を包含する運搬装置室が
形成される。それによって、運搬装置は保護されてお
り、ステーションを汚染する危険が減少する。なぜなら
ば、ステーション開口部は上述の運搬装置室と連結して
いるからである。
行われる真空プロセスなどに応じ、請求項9に従い、1
つのおよび/または他のステーションおよび/または上
述の運搬装置室に、気体供給および/または排出装置が
設けられている。これによって、ステーションおよび運
搬装置室の雰囲気を選択的に調整することが可能であ
る。たとえば、ある加工プロセスにおいて、1つのステ
ーションにおける真空雰囲気に対し、運搬装置室および
/または他のステーションの真空雰囲気が影響を及ぼす
ことが許されるか否かに応じて調整できる。
ぞれの垂線方向において、少なくとも1つの開口部に対
して移動可能な支持プレートを有していることが好都合
である。この支持プレートによって少なくとも1つのス
テーションが、運搬装置の動作により空間に対して気密
密閉される。
る場合、上述の支持プレートは、被処理物を運搬装置室
に供給するフィーダを形成する。あるいは上述の支持プ
レートを適当に形成して、被処理物支持台とすることが
できる。この被処理物支持台は、たとえばスパッタリン
グ・ステーションにおいて、一方では、被処理物をプロ
セスに送り込み、他方では、スパッタリング・ステーシ
ョンを、運搬装置を包含している空間に対して密封す
る。
細に説明する。図2に、本発明による真空処理設備の第
1の構成例の断面図を示す。真空処理設備は、駆動電動
機1を包含している。駆動電動機1の軸線、すなわち空
間軸線Aおよび物理的駆動軸3には、軸線A5 を有する
少なくとも1つの運搬アーム5が、たとえば空間軸線A
に対して45°の角度で固定されている。電動機によっ
て駆動軸3が、ωで示すように回転すると、運搬アーム
5は開角φ=45°の円錐面に沿って移動する。図2に
は、2つのステーションが示されている。第1のステー
ション7は、たとえば図示のように、フィーダとして形
成できる。このステーションはフレーム9を包含してい
る。フレーム9には、上下移動できる中間フレーム11
が連結している。上下に駆動される中間フレーム11の
内部には密封フレーム12があり、これが垂線A13を有
するステーション開口部13を規定している。ステーシ
ョン7はさらに、x方向に直線的に移動できるカバー1
5を包含している。カバー15は言うまでもなく開閉の
ために、図2の垂直軸の回りを揺動できる。カバーは、
図示の閉じた位置では、中間フレーム11がy方向に下
降することによって、密封フレーム12の上に密に置か
れる。こうして、ステーション7は、周囲Uに対して密
封される。
持プレート19を支持している。この支持プレート19
の上には、処理すべき被処理物が載っている。図示の例
ではコンパクトディスク(CD)またはレーザディスク
21が、ピボット17により支持プレート19の中心位
置に載っている。破線で示すように、運搬アーム5に支
持された支持プレート19は密封フレーム12における
位置(実線)から、空間軸線Aに向かう方向に移動され
ることができ、その結果フィーダの運搬装置側が開く。
図2に示す設備では、運搬装置3,5,19は気密運搬
装置室Kにあるため、支持プレート19は密封フレーム
12と密接する必要はない。言うまでもなく、運搬装置
室Kがそれ自体気密でない場合は別である。被処理物2
1は、電動機1によって軸3が回転することにより、運
搬アームと一緒に、図示された第2のステーション27
に送られる。運搬アーム5の昇降機構は、ベローズ23
によって運搬装置室Kの周囲に対して真空密封されてい
る。その特別の構造は本発明に影響せず、当業者には多
数の実現の可能性が開示されている。運搬アーム5の回
転により、被処理物、すなわちディスク21は、図示さ
れた第2のステーション27の開口部25の領域に送ら
れるのである。開口部25は垂線A25を規定する。ディ
スク21を載せた支持プレート19は、運搬アーム5に
具備された、たとえば空気圧式昇降機構によって、破線
で示された接近位置Qから、再び実線で示す位置に持ち
上げられる。こうして、いまや支持プレート19はステ
ーション開口部25の縁に密着する。ステーション開口
部25は、たとえば公知の腐食または被覆ステーション
として形成できる。
27と、電動機1のフランジ29とは互いに連結して閉
じた運搬装置室Kを形成している。運搬装置室Kでは運
搬機構が、特にアーム5によって作動する。運搬装置室
Kが周囲Uに対して気密に構成されていることが好都合
である。用途(図示せず)に応じて、ステーション27
および/または運搬装置室Kおよび/またはステーショ
ン7に、その都度の雰囲気を計画的に調整するための装
置、すなわち排気装置および/または給気装置が設けら
れる。図2には、運搬装置室Kおよびフィーダ7のため
のポンプ接続部30が示されている。
って密閉されるように形成されている場合、個々のステ
ーションにおけるその都度の雰囲気を、運搬装置室Kの
雰囲気とは独立に指定できる。しかし、特定の場合に
は、設けられているステーションおよび運搬装置室Kに
対して共通の雰囲気を指定することも可能である。その
場合は、たとえば運搬装置室Kのみを状態調節するか減
圧するだけで足りる。これは、たとえば図2に示すフィ
ーダ7と運搬装置室Kの場合に該当する。
ら垂直に突き出した、したがってφ=90°の設備の部
分断面図を示す。
同様の構成要素は、同じ符号で表す。軸線Aの回りに、
たとえば6つの運搬アーム5a〜5fが、図3に示すの
と同様の態様で配置されている。これらの運搬アーム
は、ディスク21の着脱のための供給ステーション7お
よびその他の5つの加工ステーション27a〜27eに
交互に作用する。
有する被処理物、たとえばコンパクトディスクやレーザ
ディスクを処理するために、図5には、支持プレート1
9上に有利な保持装置が示されている。支持プレート1
9は中央にピボット22を有している。ピボット22の
外周には方位角を120°ずらして、3つの軸方向切り
欠き23が設けられている。この切り欠きには、ばね2
5が取り付けられている。ばね25はピボット22の先
端部に向かって延び、湾曲部26がピボット22の外側
に突き出している。ディスク21は装入ロボットなどを
用いて、この湾曲部26に軽く押し込み、これとわずか
にかみ合わせることができる。かみ合いの強さは、湾曲
部26が載せられたディスク21の上にどれほど突き出
しているかに依存している。湾曲部26の頂点Pで軽く
かみ合っている場合は、処理後にディスク21を軽く抜
き取ることができ、特別の被動機構は必要ないであろ
う。
理図を示す。たとえば、ここに示された空間軸線A回り
を回転する3つの運搬アーム5a〜5cにより、開口部
25を有するステーション27が操作される。運搬装置
室Kは、境界29によって示すように形成できる。運搬
装置は回転ωにおいて開角φの円錐面に沿って移動し、
ステーション27を操作する。ステーションの開口部2
5が垂線A25を規定する。垂線A25は、上述の円錐面の
母線方向に向いている。ステーション27の開口部25
は、上述の円錐面の大円上に位置している。すなわち、
これらのステーション開口部は運搬アーム5がその面に
沿って移動する円錐の頂点Sから等しい距離だけ離れて
いる。
能性を示す。ここには、運搬アーム5がその面に沿って
移動する円錐31において、ステーションは大円33上
に位置し、他のステーション(1つのみ代表で示す)は
他の大円35上に位置している。垂線A25は、やはり母
線mの方向を向いている。種々の大円33および35上
に位置するステーション27の開口部25を操作するた
めに、アーム5は符号37に図式的に示すように、空気
圧式伸縮装置によって伸縮可能である。この伸縮装置
は、たとえば図2のベローズ23と類似のベローズ(図
示せず)に覆われている。それによって、ステーション
は図2から図4による設備におけるように1つの大円上
に配置するだけでなく、方位角αずつずらして複数の大
円上に配置することも可能である。
て、運搬アーム5は、やはり符号37に示すように、繰
り出しまたは繰り入れ可能であり、運搬部19aを支持
している。さらに、開角φは、種々の開角φの円錐面に
沿って移動できるように調整できる。したがって、広い
範囲で任意に配置されたステーションを操作できる。さ
らに、支持プレート19aは角度β≦90°で屈折して
アーム5に支持されており、符号pで示すように運搬ア
ーム軸線A5 の回りを回転できる。開角φも、運搬アー
ムの伸縮も、pにおける回転も被動制御できる。このよ
うな配置構成によって、空間的に任意に配置されたステ
ーションおよびそれらの開口部25を操作できる。密閉
された運搬装置室Kが、やはり破線で図示されている。
びている。運搬アーム5は、支持プレートが水平になる
ようにL字形に形成され、取り付けられている。このよ
うな構成は、被処理物を支持プレート19上に保持する
必要がない点が好都合である。支持プレート19の運動
vのための運搬アームに組み込まれた駆動装置は、ベロ
ーズ23の内部に配置されている。
する真空処理設備により、複数の個別ステーションを有
する設備を極めてコンパクトに構成できる。その際、図
2から直ちに明らかなように、所望の場合は、運搬行程
を見た目にも短縮でき、状態調節すべき容積を縮小でき
る。本発明によれば、真空室内に設けられた運搬装置上
に移動駆動部を取り付けることにより、即ち真空室内に
移動駆動部を配置することにより、真空室の壁を貫通す
る駆動用摺動部を設けずに、被処理物を、開口部に整列
された位置(即ち、処理機に整列された位置)から開口
部に向かう方向(即ち、処理機に向かう方向)または開
口部から離れる方向(即ち、処理機から離れる方向)に
移動させることができる。このように真空室壁を貫通す
る摺動部が存在しないので、摺動用密封シールを真空室
に設ける必要がなく、斯くして真空室の構造を単純にす
ることができると共に真空室の製造コストを低減するこ
とができる。
ある。
の部分断面図である。
ある。
物の保持装置を示す図である。
例の模式図である。
の他の構成例の模式図である。
る。
Claims (31)
- 【請求項1】 少なくとも2つの開口部と被処理物運搬
装置とを有する真空室であって、該真空室内の少なくと
も1つの被処理物が該被処理物運搬装置によって該開口
部の1つに隣接する位置に選択的に持って来られ、該運
搬装置(3,5)が回転軸線(A)回りに回転可能に該
真空室(K)内に設けられ、かつ該運搬装置(3,5)
は被処理物用の少なくとも1つの保持部(19)を担持
し、該運搬装置(3,5)を回転させるために回転駆動
部が設けられ、該運搬装置に対して被処理物を移動させ
るために移動駆動部が設けられ、該保持部(19)が該
運搬装置の回転によって該開口部(13,25)の1つ
に整列された位置に選択的に持って来られることができ
ると共に、このように保持部が開口部の1つに整列され
た位置から被処理物が該移動駆動部によって該開口部に
向かう方向または該開口部から離れる方向に移動される
ことができるようにした真空室において、該保持部およ
び該移動駆動部が該回転可能な運搬装置(3,5)上に
取り付けられ、該保持部が該移動駆動部によって移動さ
れることを特徴とする真空室。 - 【請求項2】 上記開口部(13,25)に対する垂線
(A13,A 25 )が上記運搬装置の上記回転軸線(A)に
平行をなし、または該回転軸線に対してそらされてお
り、または該回転軸線に対して半径方向に延びるように
配置されることを特徴とする請求項1に記載の真空室。 - 【請求項3】 上記移動駆動部は上記少なくとも1つの
保持部(19)を上記回転軸線に平行をなす経路に沿っ
て、または該回転軸線に対してそらされた経路に沿っ
て、または該回転軸線に対して半径方向に延びる経路に
沿って移動させることを特徴とする請求項1または2に
記載の真空室。 - 【請求項4】 夫々移動駆動部を有する少なくとも2つ
の保持部(19)が上記運搬装置に設けられることを特
徴とする請求項1から3までのいずれか一項に記載の真
空室。 - 【請求項5】 上記運搬装置は回転によって、予め定め
られた90°以下の開角(φ)の円錐面(31)を形成
することを特徴とする請求項1から4までのいずれか一
項に記載の真空室。 - 【請求項6】 上記開口部上の垂線(A13,A 25 )が上
記回転軸線回りの上 記円錐面の母線に沿って配置される
ことを特徴とする請求項5に記載の真空室。 - 【請求項7】 上記開口部(13,25)がほぼ上記円
錐面の大円(33)に沿って配置されることを特徴とす
る請求項6に記載の真空室。 - 【請求項8】 上記運搬装置(3,5,19,23)は
少なくとも1つの運搬アーム(5)を具備し、該運搬ア
ーム(5)はその一端部において、上記回転軸線(A)
回りに回転する回転軸に連結されることを特徴とする請
求項1から7までのいずれか一項に記載の真空室。 - 【請求項9】 該真空室(K)に連結された気体供給お
よび/または気体回収装置が設けられることを特徴とす
る請求項8に記載の真空室。 - 【請求項10】 上記保持部(19)は、上記開口部に
向かう方向および上記開口部から離れる方向に移動可能
な保持ディスク(19)を具備し、該保持ディスクは該
開口部(13,25)の少なくとも1つに対する移動可
能な密封部を形成することを特徴とする請求項1から9
までのいずれか一項に記載の真空室。 - 【請求項11】 上記保持ディスクは、上記開口部に向
かうように及び上記開口部から離れるように該開口部上
の垂線方向に移動可能となっていることを特徴とする請
求項10に記載の真空室。 - 【請求項12】 上記保持ディスクは、中央開口付きの
ディスク形状をなす被処理物を位置決めするためのボル
トを具備し、該保持ディスクは更に、該被処理物用の固
定手段を具備し、該固定手段は、半径方向に作用するば
ね手段(25,26)を備えることを特徴とする請求項
10または11に記載の真空室。 - 【請求項13】 直立したボルト(22)が上記保持デ
ィスク(19)上に設けられ、該ボルト(22)は、該
ボルトの表面を越えて側方に突出するばね荷重をかけら
れた部分を備えることを特徴とする請求項10から12
までのいずれか一項に記載の真空室。 - 【請求項14】 請求項1から13までのいずれか一項
に記載の真空室を少なくとも1つ有する真空処理設備で
あって、上記開口部の少なくとも1つが装填錠止ステー
ション又は被処理物処理ステーションに連結されること
を特徴とする真空処理設備。 - 【請求項15】 コンパクトディスク又は磁気光学式記
憶ディスクを生産す るために適用される請求項1から1
3までのいずれか一項に記載の真空室または請求項14
に記載の真空処理設備。 - 【請求項16】 真空室であって、少なくとも2つの開
口部と、被処理物運搬装置とを具備し、該真空室内の少
なくとも2つの被処理物が該被処理物運搬装置によって
該開口部の1つと半径方向に整列された位置に選択的に
移動され、該運搬装置は該真空室内で回転軸線回りに回
転可能となっており、かつ該運搬装置は一つの被処理物
に対して夫々少なくとも2つの保持部を備え、更に、ひ
とたびこのような被処理物が該開口部の1つと半径方向
に整列されると該被処理物を該運搬装置から対応する開
口部に向かう方向または該開口部から離れる方向に、少
なくとも半径方向の推進方向成分を有しつつ移動させる
ための推進装置を具備する真空室において、該推進装置
が夫々駆動ユニットを備えることを特徴とする真空室。 - 【請求項17】 上記開口部(13,25)に対する垂
線(A 13 ,A 25 )が上記運搬装置の上記回転軸線(A)
に平行をなし、または該回転軸線に対してそらされてお
り、または該回転軸線に対して半径方向に延びるように
配置されることを特徴とする請求項16に記載の真空
室。 - 【請求項18】 上記推進装置は上記少なくとも2つの
保持部(19)を上記回転軸線に対してそらされた経路
に沿って、または該回転軸線に対して半径方向に延びる
経路に沿って移動させることを特徴とする請求項16ま
たは17に記載の真空室。 - 【請求項19】 上記運搬装置は回転によって、予め定
められた90°以下の開角(φ)の円錐面(31)を形
成することを特徴とする請求項16から18までのいず
れか一項に記載の真空室。 - 【請求項20】 上記開口部上の垂線(A 13 ,A 25 )が
上記回転軸線回りの上記円錐面の母線に沿って配置され
ることを特徴とする請求項19に記載の真空室。 - 【請求項21】 上記開口部(13,25)がほぼ上記
円錐面の大円(33)に沿って配置されることを特徴と
する請求項20に記載の真空室。 - 【請求項22】 上記運搬装置(3,5,19,23)
は少なくとも2つの 運搬アーム(5)を具備し、該運搬
アーム(5)はそれらの一端部において、上記回転軸線
(A)回りに回転する回転軸に連結されることを特徴と
する請求項16から21までのいずれか一項に記載の真
空室。 - 【請求項23】 該真空室(K)に連結された気体供給
および/または気体回収装置が設けられることを特徴と
する請求項22に記載の真空室。 - 【請求項24】 上記保持部(19)は、上記開口部に
向かう方向および上記開口部から離れる方向に移動可能
となっている保持ディスクを具備し、該保持ディスクは
該開口部(13,25)の少なくとも1つに対する移動
可能な密封部を形成することを特徴とする請求項16か
ら23までのいずれか一項に記載の真空室。 - 【請求項25】 上記保持ディスクは、上記開口部に向
かうように及び上記開口部から離れるように該開口部上
の垂線方向に移動可能となっていることを特徴とする請
求項24に記載の真空室。 - 【請求項26】 上記保持ディスクは、中央開口付きの
ディスク形状をなす被処理物を位置決めするためのボル
トを夫々具備し、該保持ディスクは更に、該被処理物用
の固定手段を具備し、該固定手段は、半径方向に作用す
るばね手段(25,26)を備えることを特徴とする請
求項24または25に記載の真空室。 - 【請求項27】 直立したボルト(22)が上記各保持
ディスク(19)上に設けられ、該ボルト(22)は、
該ボルトの表面を越えて側方に突出するばね荷重をかけ
られた部分を備えることを特徴とする請求項24から2
6までのいずれか一項に記載の真空室。 - 【請求項28】 請求項16から27までのいずれか一
項に記載の真空室を少なくとも1つ有する真空処理設備
であって、上記開口部の少なくとも1つが装填錠止ステ
ーション又は被処理物処理ステーションに連結されるこ
とを特徴とする真空処理設備。 - 【請求項29】 コンパクトディスク又は磁気光学式記
憶ディスクを生産するために適用される請求項16から
27までのいずれか一項に記載の真空室または請求項2
8に記載の真空処理設備。 - 【請求項30】 真空室内における被処理物の運搬方法
であって、少なくと も2つの被処理物が回転軸線回りの
平面内で回転されると共に、該少なくとも2つの被処理
物が該回転軸線に対して少なくとも半径方向の移動成分
を有しつつ移動される、真空室内における被処理物の運
搬方法において、該少なくとも2つの被処理物を夫々対
応する駆動ユニットによって移動させることを特徴とす
る真空室内における被処理物の運搬方法。 - 【請求項31】 上記被処理物は上記回転軸線回りに回
転可能な装置によって回転されると共に移動されること
を特徴とする請求項30に記載の真空室内における被処
理物の運搬方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4117969:2 | 1991-05-31 | ||
DE4117969A DE4117969C2 (de) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | Vakuumkammer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05184903A JPH05184903A (ja) | 1993-07-27 |
JPH0763612B2 true JPH0763612B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=6432957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4140357A Expired - Lifetime JPH0763612B2 (ja) | 1991-05-31 | 1992-06-01 | 真空室および真空室内における被処理物の運搬方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5245736A (ja) |
EP (1) | EP0518109B1 (ja) |
JP (1) | JPH0763612B2 (ja) |
KR (1) | KR100247597B1 (ja) |
AT (1) | ATE162854T1 (ja) |
DE (2) | DE4117969C2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4139507A1 (de) * | 1991-02-23 | 1992-08-27 | Bernd Plickert | Montagevorrichtung fuer plattenfoermige elemente |
EP1179611B1 (de) * | 1992-10-06 | 2004-09-15 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Kammer für den Transport von Werkstücken |
CH691377A5 (de) * | 1992-10-06 | 2001-07-13 | Unaxis Balzers Ag | Kammeranordnung für den Transport von Werkstücken und deren Verwendung. |
GB2272225B (en) * | 1992-10-06 | 1996-07-17 | Balzers Hochvakuum | A method for masking a workpiece and a vacuum treatment facility |
DE4235677C2 (de) * | 1992-10-22 | 1996-10-31 | Balzers Hochvakuum | Vakuumkammer, Vakuumbehandlungsanlage mit einer solchen Kammer sowie Transportverfahren |
US5400317A (en) * | 1993-04-01 | 1995-03-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Method of coating a workpiece of a plastic material by a metal layer |
US5730801A (en) * | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
NL1000138C2 (nl) * | 1995-04-13 | 1996-10-15 | Od & Me Bv | Inrichtingen voor het bewerken van een substraat alsmede werkwijze geschikt voor toepassing bij dergelijke inrichtingen. |
US5605574A (en) * | 1995-09-20 | 1997-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor wafer support apparatus and method |
DE19715151A1 (de) * | 1997-04-11 | 1998-10-15 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren zum Be- und Entladen einer evakuierbaren Behandlungskammer und Handlingsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
EP0870850B1 (de) * | 1997-04-11 | 2002-09-18 | Leybold Systems GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Be- und Entladen einer evakuierbaren Behandlungskammer |
DE19720349A1 (de) * | 1997-05-15 | 1998-11-19 | Huels Chemische Werke Ag | Vakuumbehandlungsvorrichtung |
CH693508A5 (de) * | 1997-09-12 | 2003-09-15 | Unaxis Balzers Ag | Sputterstation. |
DE29716440U1 (de) * | 1997-09-12 | 1997-12-11 | Balzers Ag, Balzers | Sputterstation |
US6730194B2 (en) * | 1997-11-05 | 2004-05-04 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for manufacturing disk-shaped workpieces with a sputter station |
US5944948A (en) * | 1998-04-02 | 1999-08-31 | Centennial Technologies, Inc. | Apparatus for assembling a pair of members |
DE19953949A1 (de) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Asys Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zum Bestücken von Teileträgern für Mikrosysteme |
US6572090B2 (en) * | 2001-03-14 | 2003-06-03 | Thermwood Corporation | Method of positioning articles in predetermined relationships and fixture therefor |
DE10259252B4 (de) * | 2002-12-17 | 2005-06-23 | Asys Automatic Systems Gmbh & Co. Kg | Arbeitseinheit für Reinraumsysteme |
US9920418B1 (en) * | 2010-09-27 | 2018-03-20 | James Stabile | Physical vapor deposition apparatus having a tapered chamber |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH573985A5 (ja) * | 1973-11-22 | 1976-03-31 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
DE2529018A1 (de) * | 1975-06-28 | 1977-01-13 | Ibm Deutschland | Einrichtung zur automatischen einzelfoerderung von werkstuecken in eine unter unterdruck stehende bearbeitungsstation |
SU973293A1 (ru) * | 1981-04-13 | 1982-11-15 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Сверхтвердых Материалов Ан Усср | Шпиндель |
US4492512A (en) * | 1981-12-02 | 1985-01-08 | George Mink | Amplified motion transmitting device |
JPS59182933U (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-06 | 株式会社 デイスコ | ウェーハ装着機 |
NZ207813A (en) * | 1983-06-24 | 1986-12-05 | Dridrinks Nv | Effervescent mixture:component(s)coated with water-soluble polysaccharide composition |
US4632632A (en) * | 1983-08-30 | 1986-12-30 | Automation Equipment Company | Programmable industrial robot having simplified construction |
JPS6052574A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-25 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
US4534314A (en) * | 1984-05-10 | 1985-08-13 | Varian Associates, Inc. | Load lock pumping mechanism |
JPS62130144A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-12 | Mitsuo Nakai | 間欠、回転板のエヤ−吸引装置 |
US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
DE3704505A1 (de) * | 1987-02-13 | 1988-08-25 | Leybold Ag | Einlegegeraet fuer vakuumanlagen |
US4795299A (en) * | 1987-04-15 | 1989-01-03 | Genus, Inc. | Dial deposition and processing apparatus |
JPH01218627A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | 複数処理可能な真空処理装置 |
JPH0825151B2 (ja) * | 1988-09-16 | 1996-03-13 | 東京応化工業株式会社 | ハンドリングユニット |
EP0389820B1 (de) * | 1989-03-30 | 1993-06-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen eines Werkstücks in eine Vakuumkammer |
JPH03109727A (ja) | 1989-09-25 | 1991-05-09 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
US5135349A (en) * | 1990-05-17 | 1992-08-04 | Cybeq Systems, Inc. | Robotic handling system |
JP2808826B2 (ja) * | 1990-05-25 | 1998-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 基板の移し換え装置 |
US5126992A (en) * | 1991-03-18 | 1992-06-30 | Lavinsky Joshua F | Cleaner unit for information disks |
US5154730A (en) | 1991-05-17 | 1992-10-13 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module |
CH686445A5 (de) * | 1992-10-06 | 1996-03-29 | Balzers Hochvakuum | Kammer und Kammerkombination fuer eine Vakuumanlage und Verfahren zum Durchreichen mindestens eines Werkstueckes. |
KR100189981B1 (ko) * | 1995-11-21 | 1999-06-01 | 윤종용 | 진공 시스템을 구비한 반도체 소자 제조장치 |
US5909994A (en) * | 1996-11-18 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vertical dual loadlock chamber |
JP3396693B2 (ja) * | 1998-07-16 | 2003-04-14 | リコーシステム開発株式会社 | 暗号化/復号化装置と公開鍵暗号化システム |
-
1991
- 1991-05-31 DE DE4117969A patent/DE4117969C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-05-25 DE DE59209160T patent/DE59209160D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-25 EP EP92108771A patent/EP0518109B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-25 AT AT92108771T patent/ATE162854T1/de not_active IP Right Cessation
- 1992-05-26 US US07/888,111 patent/US5245736A/en not_active Ceased
- 1992-05-29 KR KR1019920009321A patent/KR100247597B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-01 JP JP4140357A patent/JPH0763612B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-03 US US08/962,776 patent/USRE40191E1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-19 US US09/619,391 patent/USRE40192E1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0518109A1 (de) | 1992-12-16 |
KR100247597B1 (ko) | 2000-03-15 |
ATE162854T1 (de) | 1998-02-15 |
DE59209160D1 (de) | 1998-03-05 |
DE4117969A1 (de) | 1992-12-03 |
KR920021203A (ko) | 1992-12-18 |
USRE40192E1 (en) | 2008-04-01 |
USRE40191E1 (en) | 2008-04-01 |
DE4117969C2 (de) | 2000-11-09 |
JPH05184903A (ja) | 1993-07-27 |
US5245736A (en) | 1993-09-21 |
EP0518109B1 (de) | 1998-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0763612B2 (ja) | 真空室および真空室内における被処理物の運搬方法 | |
US4795299A (en) | Dial deposition and processing apparatus | |
US7541061B2 (en) | Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism | |
KR100254129B1 (ko) | 박막형성장치 | |
US5789878A (en) | Dual plane robot | |
US5019233A (en) | Sputtering system | |
JP3761905B2 (ja) | 真空チャンバ、真空チャンバ装置、工作物の移送方法及び移送装置、並びに工作物の処理方法 | |
JP2639459B2 (ja) | モジューラ半導体ウェーハ移送及び処理装置 | |
US5112469A (en) | Apparatus for the inward and outward transfer of a workpiece in a vacuum chamber | |
US6582175B2 (en) | Robot for handling semiconductor wafers | |
JP2531925B2 (ja) | ディスク状のサブストレ―トを気密に挿入しかつ取り出すための装置 | |
JPS6040532A (ja) | デイスク又はウエ−ハ取り扱い及びコ−テイング装置 | |
JP2005167270A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
JPH02294474A (ja) | カソードスパツタリング装置 | |
US4810473A (en) | Molecular beam epitaxy apparatus | |
EP1052681B1 (en) | Apparatus for processing wafers | |
US5259942A (en) | Device for transferring a workpiece into and out from a vacuum chamber | |
JP3540346B2 (ja) | 真空設備のためのチャンバおよび複合チャンバ、ならびに1つ以上の工作物を送り込む方法 | |
JP3323601B2 (ja) | 工作物を真空雰囲気で搬送するためのチャンバ、複合チャンバ、及び工作物を真空設備内部で搬送する方法 | |
US20050081791A1 (en) | Vacuum treatment installation for flat rectangular or square substrates | |
KR930009991B1 (ko) | 원반형의 기판을 진공실 내외부로 이송시키기 위한 장치 | |
US5769184A (en) | Coaxial drive elevator | |
US5017073A (en) | Transport system for conveying workpiece between first and second media | |
JP4116675B2 (ja) | 同軸駆動ローダアーム | |
JPH08115968A (ja) | 多段式複数チャンバ真空熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070712 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080712 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080712 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090712 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090712 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100712 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110712 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110712 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120712 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |