JPH07270824A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶表示装置の信号保持コンデンサに関し、
上記信号保持コンデンサの電極間にダスト等が混入して
短絡不良による点欠陥を生じた時、短絡不良を修復可能
とし、しかも、信号保持コンデンサの容量を変化させな
いようにして、画像表示性能を低下させないようにす
る。 【構成】 信号保持コンデンサの電極を３以上の複数と
し、隣接する電極を電気的に接続された状態にする。 【効果】 信号保持コンデンサの電極間に短絡が生じた
際、電極間に短絡を生じていない電極間の電気的に接続
された接続部分をレーザ等で切断して修復することによ
って、新たな信号保持コンデンサが形成され、修復によ
って信号保持コンデンサの容量を大きく変化させること
が無いので、画像表示性能を低下させることなく画像の
点欠陥を無くすことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリックス
液晶ディスプレイあるいは投射型プロジェクタのライト
バルブなどに用いられる液晶表示装置及びその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１２は、従来の信号保持コンデンサを
備えた液晶表示装置の一画素の断面図である。図におい
て、１は絶縁性基板、２は上記絶縁性基板１上に形成さ
れたチャネルとして働くSi薄膜、３は上記Si薄膜２を覆
うように形成されたゲート絶縁膜、４は上記ゲート絶縁
膜３上にパターン形成されたゲート電極、５は上記Si薄
膜２にリン、ホウ素等の不純物を高濃度にドーピングし
たソース・ドレイン領域、６は不純物がドーピングされ
ていないチャネル領域、７は上記ゲート絶縁膜３および
絶縁性基板１上を覆う層間絶縁膜、８は上記層間絶縁膜
７上にパターン形成された信号保持コンデンサの第１電
極、９は上記第１電極を覆う第１絶縁膜層、10は上記第
１絶縁膜層上にパターン形成された第２電極、11は上記
第２電極の一端を残して覆うようにパターン形成された
第２絶縁膜層、12は上記ゲート絶縁膜３および層間絶縁
膜７のソース・ドレイン領域５上方に形成されたコンタ
クトホール、13および14は上記コンタクトホール12の内
外に形成され、上記ソース・ドレイン領域５と電気的に
接続された金属から成るソース電極およびドレイン電極
で、上記ソース電極14は第２電極10と電気的に接続され
ている。

【０００３】信号保持コンデンサは薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）のオフ期間中の信号保持や、液晶駆動におけ
る各種変調信号の印加経路などに用いられ、信号保持コ
ンデンサを備えた液晶表示装置は高品質の画像を表示す
ることができる。

【０００４】図１３（ａ）〜（ｇ）は、図１２に示した
液晶表示装置の製造方法を説明する断面図である。ま
ず、図１３（ａ）に示すように、絶縁性基板１上に、Ｔ
ＦＴのチャネルとなるSi薄膜２をパターン形成した後、
SiO₂から成るゲート絶縁膜３を熱酸化法あるいはＣＶＤ
法などでSi薄膜２を覆うように形成する。

【０００５】次に、上記絶縁膜３上に、例えば、リンを
ドーピングしたドープドSi薄膜を減圧ＣＶＤ法などで成
膜し、上記ドープドSi薄膜をパターニングすることによ
って、図１３（ｂ）に示すように、ゲート電極４を形成
し、上記ゲート電極４をマスクとして、上記Si薄膜２
に、例えば、リンをイオン注入してソース・ドレイン領
域５とチャネル領域６を形成する。

【０００６】次に、図１３（ｃ）に示すように、SiO₂か
ら成る層間絶縁膜７をＣＶＤ法あるいはスパッタ法で形
成し、上記層間絶縁膜７上に、例えば、ＩＴＯ薄膜をス
パッタ法等で成膜し、図１３（ｄ）に示すように、上記
ＩＴＯをパターニングして信号保持コンデンサの第１電
極８を形成する。

【０００７】次に、例えば、窒化膜（SiN)をプラズマＣ
ＶＤ法等で成膜し、図１３（ｅ）に示すように、パター
ニングして第１絶縁膜層９を形成し、図１３（ｆ）に示
すように、上記第１絶縁膜層９上にＩＴＯ薄膜をパター
ン形成して第２電極10を形成し、さらに、図１３（ｇ）
に示すように、上記第２電極10を覆う第２絶縁膜層11を
上記第１絶縁膜層９と同様にして形成する。

【０００８】次に、上記ゲート絶縁膜３および層間絶縁
膜７の上記ソース・ドレイン領域５上方の位置に第１コ
ンタクトホール12を形成し、上記第１コンタクトホール
12の内外に金属薄膜を成膜、パターニングして、ソース
電極13およびドレイン電極14が形成され、図１２に示し
た液晶表示装置が製造される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置の
信号保持コンデンサにおいては、第１電極８と第２電極
10との間に導電性のダスト等が混入し、第１電極８と第
２電極10とが短絡すると、表示画像に点欠陥が生ずる。
また、上記点欠陥対策として、例えば、特開平1-303415
号に示されているように第２電極８を複数に分割した構
造にしても、分割した電極の一個に短絡が生ずることに
よって信号保持コンデンサの保持容量が大きく変化し、
画像表示特性に影響がでる。

【００１０】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、信号保持コンデンサの電極間に短
絡が生じた際、信号保持コンデンサの保持容量を大きく
変化させることなく電極間の短絡を修復し、画像の点欠
陥を無くすとともに、修復しても画像表示特性に影響を
及ぼさないようにし、さらに、製造工程を簡略化するこ
とを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
マトリックス状に配した薄膜トランジスタのそれぞれに
信号保持コンデンサを接続した液晶表示装置において、
上記信号保持コンデンサは、絶縁膜層を介してＮ（Ｎ≧
３）個の積層状の電極を有し、上記電極の隣接するＮ−
１個の電極が電気的に接続されたものである。

【００１２】請求項２に係る発明は、請求項１記載の液
晶表示装置において、Ｎ個の電極の最下層の第１電極上
に形成された第１絶縁膜層の比誘電率を他の絶縁膜層の
比誘電率より大きくしたものである。

【００１３】請求項３に係る発明は、請求項１記載の液
晶表示装置において、Ｎ個の電極の最下層の第１電極と
この第１電極に対向する第２電極とが重なる面積を、他
の電極同士が重なる面積より大きくしたものである。

【００１４】請求項４に係る発明は、請求項１記載の液
晶表示装置において、Ｎ個の電極の最下層の第１電極と
最上層の第Ｎ電極との間にある電極はそれぞれ分割さ
れ、かつ、分割されたそれぞれが第１電極または第Ｎ電
極に電気的に接続されているものである。

【００１５】請求項５に係る発明は、請求項１ないし４
のいずれかに記載の液晶表示装置において、薄膜トラン
ジスタのゲート電極、ゲート配線およびＮ個の電極の最
下層の第１電極上に形成された第１絶縁膜層が同一材料
を成膜したものである。

【００１６】請求項６に係る発明は、請求項１ないし５
のいずれかに記載の液晶表示装置において、Ｎ個の電極
の最下層の第１電極を、薄膜トランジスタを形成するSi
薄膜と同一の材料で形成したものである。

【００１７】請求項７に係る発明は、請求項１ないし６
のいずれかに記載の液晶表示装置において、Ｎ＝３で、
最下層の第１絶縁膜層の比誘電率をε１、膜厚をｄ１、
上記第１絶縁膜層に接した第１電極と第２電極が重なる
面積をＳ１とし、第２絶縁膜層の比誘電率をε２、膜厚
をｄ２、上記第２絶縁膜層に接する第２電極と第３電極
が重なる面積をＳ２としたとき、式（１）が成り立つよ
うに構成されたものである。

【数２】

【００１８】請求項８に係る発明は、マトリックス状に
配した薄膜トランジスタのそれぞれに信号保持コンデン
サを接続し、上記信号保持コンデンサは、絶縁膜層を介
してＮ（Ｎ≧３）個の積層状の電極を有し、上記電極の
隣接するＮ−１個の電極が電気的に接続された液晶表示
装置の製造方法において、薄膜トランジスタのゲート電
極、このゲート電極に連結するゲート配線および最下層
の第１絶縁膜層を同一材料で形成するものである。

【００１９】請求項９に係る発明は、請求項８記載の液
晶表示装置の製造方法において、ゲート電極とゲート配
線となる部分を除き、陽極酸化法で化するものである。

【００２０】

【作用】請求項１〜３の発明によれば、信号保持コンデ
ンサの電極間に短絡が生じた際、電極間に短絡を生じて
いない電極間の電気的に接続された接続部分をレーザ等
で切断して修復することによって、新たな信号保持コン
デンサが形成され、修復によって信号保持コンデンサの
容量を大きく変化させることが無いので、画像表示性能
を低下させることなく画像の点欠陥を無くすことができ
る。

【００２１】請求項２の発明によれば、第１電極上に形
成された第１絶縁膜層の比誘電率を他の絶縁膜層の比誘
電率より大きくしたことによって、修復によって新たに
形成された信号保持コンデンサの第１絶縁膜層を厚くす
ることができるので、第１絶縁膜層としてゲート絶縁膜
と層間絶縁膜を兼用した構成にすることができる。

【００２２】請求項３の発明によれば、第１電極とこの
第１電極に対向する第２電極とが重なる面積を他の電極
同士が重なる面積を大きくしたことにより、修復によっ
て新たに形成された信号保持コンデンサの第１絶縁膜層
を厚くすることができるので、第１絶縁膜層としてゲー
ト絶縁膜と層間絶縁膜を兼用した構成にすることができ
る。

【００２３】請求項４の発明によれば、修復される電極
の面積が小さいので、修復による信号保持コンデンサの
容量変化を小さくできる。

【００２４】請求項５、８および９の発明によれば、薄
膜トランジスタのゲート電極、ゲート配線およびＮ個の
電極の最下層の第１電極上に形成された第１絶縁膜層を
同一材料を用いて成膜するので、薄膜トランジスタのゲ
ート電極、ゲート配線およびＮ個の電極の最下層の第１
電極が同一工程で成膜できる。

【００２５】請求項６の発明によれば、Ｎ個の電極の最
下層の第１電極を、薄膜トランジスタを形成するSi薄膜
と同一の材料で形成するので、第１電極と薄膜トランジ
スタを同一工程で形成できる。

【００２６】請求項７の発明によれば、修復によって新
たに形成された信号保持コンデンサの容量を修復前と同
じにできる。

【００２７】

【実施例】

実施例１．図１は本発明による液晶表示装置の一実施例
を示す断面図である。図において、薄膜トランジスタ部
分は従来例と同じ構造を有し、信号保持コンデンサ部
は、第１電極８、第１絶縁膜層９、第２電極10、第２絶
縁膜層11、第３電極16および第３絶縁膜層17が順次積層
され、第１電極８は、第１絶縁膜層９の端部に形成され
た第２コンタクトホール15で第２電極10に電気的に接続
されている。

【００２８】図２（ａ）〜（ｄ）および図３（ａ）〜
（ｅ）は図１の液晶表示装置の製造工程を示す断面図で
ある。まず、図２（ａ）に示すように、絶縁性基板１上
にＴＦＴのチャネルとなるSi薄膜２をパターン形成した
後、例えば、SiO₂から成るゲート絶縁膜３を熱酸化法あ
るいはＣＶＤ法等でSiO₂薄膜２の上を覆うように形成す
る。

【００２９】次に、上記ゲート絶縁膜３上に、例えば、
リンをドーピングしたドープドSi薄膜を減圧ＣＶＤ法等
で成膜し、上記ドープドSi薄膜をパターニングすること
によって、図２（ｂ）に示すように、ゲート電極４を形
成し、この後、上記ゲート電極４をマスクとして、上記
Si薄膜２に、例えば、リンをイオン注入してソース・ド
レイン領域５とチャネル領域６を形成する。

【００３０】次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板
１、ゲート絶縁膜３およびゲート電極４の上を覆うよう
に、例えば、SiO₂から成る層間絶縁膜７をＣＶＤ法ある
いはスパッタ法等で形成する。

【００３１】次に、上記層間絶縁膜７上に、例えば、Ｉ
ＴＯ薄膜をスパッタ法等で成膜し、上記ＩＴＯ薄膜を、
図２（ｄ）に示すように、パターニングして信号保持コ
ンデンサの第１電極８を形成する。

【００３２】次に、図３（ａ）に示すように、例えば、
窒化膜（SiN)膜から成る第１絶縁膜層９を上記第１電極
８を覆うように形成し、さらに、上記第１電極８の端部
の上に第２のコンタクトホール15を形成する。

【００３３】次に、図３（ｂ）に示すように、例えば、
ＩＴＯ薄膜から成る第２の電極10を上記第１の電極と第
２のコンタクトホールで電気的に接続されるように、第
１絶縁膜層の上に形成し、さらに、図３（ｃ）〜（ｅ）
に示すように、上記第２電極上に、順次、第２絶縁膜層
11、第３電極16および第３絶縁膜層17を形成し、図１に
示した液晶表示装置が製造される。

【００３４】上記のようにして製造された図１に示した
構造の液晶表示装置に、図４（ａ）に示すように第２電
極と第３電極の間にダスト18によって短絡が生じた際、
Ａ−Ａ’の部分をレーザ等（例えば、Xe, Nd, Cuまたは
Arレーザ）で切除して修復し、図４（ｂ）に示すよう
に、第１電極８と第２電極10との間に新たな信号保持コ
ンデンサを形成することができる。

【００３５】さらに、例えば、第１絶縁膜層９の比誘電
率をε１、膜厚をｄ１、第１絶縁膜層９に接した第１電
極８と第２電極が重なる面積をＳ１とし、第２絶縁膜層
11の比誘電率をε２、膜厚をｄ２、第２絶縁膜層11に接
した第２電極10と第３電極16が重なる面積をＳ２とした
とき、下記（１）式が成り立つように構成することによ
り、短絡不良を修復したとき信号保持コンデンサの容量
を修復前とほぼ同一にすることができ、画像表示性能を
低下させることがなくなる。

【００３６】

【数３】

【００３７】なお、本実施例では、第１電極８と第２電
極10が接続された構成を示したが、第２電極10と第３電
極16が接続された構成でも同様の効果が得られる。

【００３８】実施例２．図５は本願発明の液晶表示装置
の他の実施例を示す断面図である。図において、第１電
極８はチャネルとなるSi薄膜２と同一の材料で形成され
ている。以下に、本実施例における画像表示装置の製造
方法を説明する。

【００３９】まず、絶縁性基板１上にSi薄膜２を成膜
し、ソース・ドレイン領域５およびチャネル領域６と成
る領域並びに第１電極８の領域をパターン形成し、その
後、パターン形成された各領域上を覆うように、SiO₂か
ら成るゲート絶縁膜３を熱酸化法あるいはＣＶＤ法等で
形成する。

【００４０】次に、チャネル領域６の上方ゲート絶縁膜
３上に、例えば、リンをドーピングしたドープドSi薄膜
を減圧ＣＶＤ法等の方法で成膜し、上記ドープドSi薄膜
をパターニングすることによってゲート電極４を形成し
た後、このゲート電極４をマスクとして、上記Si薄膜２
に、例えば、リンをイオン注入してリンをドーピングし
たソース・ドレイン領域５および第１電極８を形成す
る。

【００４１】次に、ゲート絶縁膜３および絶縁性基板１
を覆う、例えば、SiO₂から成る層間絶縁膜７をＣＶＤ法
あるいはスパッタ法等で形成し、ゲート絶縁膜３と層間
絶縁膜７から構成された第１絶縁膜層を形成する。

【００４２】次に、上記層間絶縁膜７上に、例えば、Ｉ
ＴＯ薄膜をスパッタ法等で成膜し、このＩＴＯ薄膜をパ
ターニングすることによって第２電極10を形成する。

【００４３】次に、例えば、窒化膜（SiN)をプラズマＣ
ＶＤ等の方法で成膜し、パターニングしてＴＦＴ側の窒
化膜を除去し第２絶縁膜層11を形成する。

【００４４】さらに、第２絶縁膜層上にＩＴＯ薄膜およ
び窒化膜を順次成膜、パターニングして第３電極16およ
び第３絶縁膜層17を形成し、ゲート絶縁膜３および層間
絶縁膜７のソース・ドレイン領域５上方に第１コンタク
トホール12を、また、第１絶縁膜層９の第１電極８の一
端上方に第２コンタクトホール19を形成し、この第１お
よび第２コンタクトホール12、19の内外に金属薄膜を成
膜、パターニングしてソース電極13およびドレイン電極
14を形成するとともに第１電極８と第２電極10とを電気
的に接続する。

【００４５】上記のようにして製造された液晶表示装置
に、図６（ａ）に示すようなダスト18による短絡を生じ
た際、Ｂ−Ｂ’の部分を図６（ｂ）に示すようにレーザ
ーなどで切除することによって、第１電極８と第２電極
10の間に新たに短絡が無い信号保持コンデンサを形成す
るように修復することができる。また、第１電極８をSi
薄膜２と同一工程で形成することができるので、工程数
を減らすことができる。

【００４６】本実施例においても、実施例１で示した式
（１）の関係を満たすように構成することによって、修
復前後での信号保持コンデンサの容量をほとんど変化さ
せないようにできる。また、本実施例では第１電極８と
第２電極10を電気的に接続する例を示したが、第２電極
10と第３電極16を電気的に接続してもよいことはいうま
でもない。

【００４７】実施例３．図７は本願発明の画像表示装置
の他の実施例を示す断面図である。図において、第１絶
縁膜層９の一部を構成する層間絶縁膜７は、例えば、Ta
₂O₅ ，HfO₂，SnO₂あるいはTiO₂等で形成し、第２絶縁膜
層11を、例えば、SiN 等で形成して、第２絶縁膜層11の
比誘電率と比較して層間絶縁膜７の比誘電率を高くした
ものである。

【００４８】ゲート絶縁膜３の比誘電率をε１、膜厚ｄ
１、層間絶縁膜７の比誘電率をε２、膜厚をｄ２、第２
絶縁膜層11の比誘電率をε３、膜厚をｄ３としたとき、
下記（２）式が成り立つように構成することにより、短
絡不良を修復したとき新たに形成された信号保持コンデ
ンサの容量を修復前とほぼ同一にするために第１絶縁膜
層を厚くすることができるので、第１絶縁膜層を層間絶
縁膜７とゲート絶縁膜３を兼用した構成とすることがで
きる。

【００４９】

【数４】

【００５０】実施例４．図８は本願発明の液晶表示装置
の他の実施例を示す断面図である。図に示されているよ
うに、第３電極16と第２電極10とが重なる面積が、第２
電極10と第１電極とが重なる面積より小さくしたもので
ある。

【００５１】第１電極８と第２電極が重なる面積をＳ１
とし、第２電極10と第３電極16が重なる面積をＳ２、ゲ
ート絶縁膜３の比誘電率をε１、膜厚をｄ１、層間絶縁
膜７の比誘電率をε２、膜厚ｄ２、第２絶縁膜層11の比
誘電率をε３、膜厚をｄ３としたとき、下記（１）式が
成り立つように構成することにより、短絡不良を修復し
たとき信号保持コンデンサの容量を修復前とほぼ同一に
するために第１絶縁膜層を厚くすることができるので、
第１絶縁膜層を層間絶縁膜７とゲート絶縁膜３を兼用し
た構成とすることができる。

【００５２】

【数５】

【００５３】実施例５．図９は本願発明の画像表示装置
の他の実施例を示す断面図である。まず、絶縁性基板１
上にSi薄膜を成膜し、図９（ａ）に示すように、このSi
薄膜をパターニングしてＴＦＴ領域のSi薄膜２と信号保
持コンデンサ領域の第１電極８を形成し、次に、例え
ば、上記Si薄膜２と第１電極８を、SiO₂から成るゲート
絶縁膜３で覆い、さらに、絶縁性基板１およびゲート絶
縁膜３を覆う、例えば、Ta（タンタル）から成る金属薄
膜20を成膜し、さらに、Si薄膜２上方およびゲート配線
部にパターニングされたレジスト21を形成する。

【００５４】次に、陽極酸化法により金属薄膜20を酸化
すると、レジスト21の下部を除く領域が酸化され、図９
（ｂ）に示すように、ゲート電極４および図には見えな
いゲート配線並びに層間絶縁膜７が形成される。

【００５５】上記のように、本実施例によれば、ゲート
電極４およびゲート配線並びに信号保持コンデンサの誘
電体膜が同時に形成できるので、製造工程数を減らすこ
とができる。

【００５６】なお、上記工程の後、Si薄膜２にレジスト
21をマスクとして、イオン注入し、チャネル領域および
ソース・ドレイン領域を形成するので、金属薄膜20の厚
さは陽極酸化した後イオン注入できる膜厚以下にする。
また、金属薄膜20は、上記Taの他にも陽極酸化できる金
属なら使用でき、例えば、Al, Ti, Ｗなども使用可能で
ある。

【００５７】また、上記実施例は、プレーナ型の薄膜ト
ランジスタを有する液晶表示装置について述べたが、逆
スタガ型薄膜トランジスタを有する液晶表示装置に用い
ることも可能である。

【００５８】実施例６．図１０は本願発明の画像表示装
置の他の実施例を示す断面図である。図に示されている
ように、第２電極10は、複数に分割され、各第２電極10
は図と垂直方向の端部でそれぞれ第１電極８に電気的に
接続されている。

【００５９】図１１に示すように、ダスト18が混入し第
３電極16と第２電極10の一つが短絡しても、短絡した第
２電極10と第１電極８との電気的接続部分をレーザー等
の方法で切除し修復することができる。また、上記修復
において、分割された第２電極の一部だけ修復すれば良
く、修復される電極の面積が小さいので信号保持コンデ
ンサの容量変化が小さく、画像表示性能を低下させるこ
とがなくなる。

【００６０】なお、本実施例１〜６において、３層構造
について説明したが、これに限らず、３層以上の複数層
の構造とし、一層間を残し、他の層間電極を電気的に接
続する構造としてもよい。

【００６１】

【発明の効果】請求項１〜３の発明によれば、信号保持
コンデンサの電極間に短絡が生じた際、電極間に短絡を
生じていない電極間の電気的に接続された接続部分をレ
ーザ等で切断して修復することによって、新たな信号保
持コンデンサが形成され、修復によって信号保持コンデ
ンサの容量を大きく変化させることが無いので、画像表
示性能を低下させることなく画像の点欠陥を無くすこと
ができる。

【００６２】請求項２および請求項３の発明によれば、
信号保持コンデンサの第１絶縁膜層を層間絶縁膜とゲー
ト絶縁膜を兼用した構成とすることができる。

【００６３】請求項４の発明によれば、修復される電極
の面積が小さいので、修復による信号保持コンデンサの
容量変化を小さくできる。

【００６４】請求項５、８および９の発明によれば、薄
膜トランジスタのゲート電極、ゲート配線およびＮ個の
電極の最下層の第１電極上に形成された第１絶縁膜層を
同一材料を用いて成膜するので、薄膜トランジスタのゲ
ート電極、ゲート配線およびＮ個の電極の最下層の第１
電極が同一工程で成膜できる。

【００６５】請求項６の発明によれば、Ｎ個の電極の最
下層の第１電極を、薄膜トランジスタを形成するSi薄膜
と同一の材料で形成するので、第１電極と薄膜トランジ
スタを同一工程で形成できる。

【００６６】請求項７の発明によれば、修復によって新
たに形成された信号保持コンデンサの容量を修復前と同
じにできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による液晶表示装置を示
す断面図である。

【図２】本発明の第１の実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。

【図３】本発明の第１の実施例による液晶表示装置の製
造方法を示す断面図である。

【図４】本発明の第１の実施例による液晶表示装置の作
用動作を説明する断面図である。

【図５】本発明の第２の実施例による液晶表示装置を示
す断面図である。

【図６】本発明の第２の実施例による液晶表示装置の作
用動作を説明する断面図である。

【図７】本発明の第３の実施例による液晶表示装置を示
す断面図である。

【図８】本発明の第４の実施例による液晶表示装置を示
す断面図である。

【図９】発明の第５の実施例による液晶表示装置を示す
断面図である。

【図１０】本発明の第６の実施例による液晶表示装置を
示す断面図である。

【図１１】本発明の第６の実施例による液晶表示装置の
作用動作を説明する断面図である。

【図１２】従来の液晶表示装置を示す断面図である。

【図１３】従来の液晶表示装置の製造方法を示す断面図
である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板 ２ チャネルとなるSi薄膜 ３ ゲート絶縁膜 ４ ゲート電極 ５ ソース・ドレイン電極 ６ チャネル領域 ７ 層間絶縁膜 ８ 第１電極 ９ 第１絶縁膜層 10 第２電極 11 第２絶縁膜層 12 第１コンタクトホール 13 ソース電極 14 ドレイン電極 15 第２コンタクトホール 16 第３電極 17 第３絶縁膜層 18 ダスト 19 第３コンタクトホール 20 金属膜 21 レジスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 優 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内 (72)発明者 野口 和彦 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社材料デバイス研究所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリックス状に配した薄膜トランジス
   タのそれぞれに信号保持コンデンサを接続した液晶表示
   装置において、上記信号保持コンデンサは、絶縁膜層を
   介してＮ（Ｎ≧３）個の積層状の電極を有し、上記電極
   の隣接するＮ−１個の電極が電気的に接続されたことを
   特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 Ｎ個の電極の最下層の第１電極上に形成
   された第１絶縁膜層の比誘電率を他の絶縁膜層の比誘電
   率より大きくしたことを特徴とする請求項１記載の液晶
   表示装置。
3. 【請求項３】 Ｎ個の電極の最下層の第１電極とこの第
   １電極に対向する第２電極とが重なる面積を、他の電極
   同士が重なる面積より大きくしたことを特徴とする請求
   項１記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 Ｎ個の電極の最下層の第１電極と最上層
   の第Ｎ電極との間にある電極はそれぞれ分割され、か
   つ、分割されたそれぞれが第１電極または第Ｎ電極に電
   気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の
   液晶表示装置。
5. 【請求項５】 薄膜トランジスタのゲート電極、ゲート
   配線およびＮ個の電極の最下層の第１電極上に形成され
   た第１絶縁膜層が同一材料を成膜したものであることを
   特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の液晶表
   示装置。
6. 【請求項６】 Ｎ個の電極の最下層の第１電極を、薄膜
   トランジスタを形成するSi薄膜と同一の材料で形成した
   ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の
   液晶表示装置。
7. 【請求項７】 Ｎ＝３で、最下層の第１絶縁膜層の比誘
   電率をε１、膜厚をｄ１、上記第１絶縁膜層に接した第
   １電極と第２電極が重なる面積をＳ１とし、第２絶縁膜
   層の比誘電率をε２、膜厚をｄ２、上記第２絶縁膜層に
   接する第２電極と第３電極が重なる面積をＳ２としたと
   き、式（１）が成り立つように構成されたことを特徴と
   する請求項１ないし６のいずれかに記載の液晶表示装
   置。 【数１】
8. 【請求項８】 マトリックス状に配した薄膜トランジス
   タのそれぞれに信号保持コンデンサを接続し、上記信号
   保持コンデンサは、絶縁膜層を介してＮ（Ｎ≧３）個の
   積層状の電極を有し、上記電極の隣接するＮ−１個の電
   極が電気的に接続された液晶表示装置の製造方法におい
   て、薄膜トランジスタのゲート電極、このゲート電極に
   連結するゲート配線および最下層の第１絶縁膜層を同一
   材料で形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方
   法。
9. 【請求項９】 ゲート電極とゲート配線となる部分を除
   き、陽極酸化法で酸化することを特徴とする請求項８記
   載の液晶表示装置の製造方法。