JPH07193403A - 共振器 - Google Patents
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- JPH07193403A JPH07193403A JP5347461A JP34746193A JPH07193403A JP H07193403 A JPH07193403 A JP H07193403A JP 5347461 A JP5347461 A JP 5347461A JP 34746193 A JP34746193 A JP 34746193A JP H07193403 A JPH07193403 A JP H07193403A
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- pattern
- resonator
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 平面形状を大きくすることなく、さらにQの
高い共振器を提供する。 【構成】 共振器10は第1の誘電体基板12を含む。
第1の誘電体基板12には、その一方面のほぼ全面にア
ース電極14が形成され、その他方面に第1のパターン
電極16および第1の取出し電極18が形成される。第
1のパターン電極16および第1の取出し電極18は、
絶縁体層20で覆われる。絶縁体層20上には、第2の
パターン電極22および第2の取出し電極24が形成さ
れる。第2のパターン電極22および第2の取出し電極
24は、保護層26で覆われる。また、アース電極14
は、保護層28で覆われる。そして、アース電極14,
第1のパターン電極16および第2のパターン電極22
は、端子電極で接続される。また、アース電極14に
は、他の端子電極30b…が接続される。さらに、第1
の取出し電極18および第2の取出し電極24には、取
出し端子電極32が接続される。
高い共振器を提供する。 【構成】 共振器10は第1の誘電体基板12を含む。
第1の誘電体基板12には、その一方面のほぼ全面にア
ース電極14が形成され、その他方面に第1のパターン
電極16および第1の取出し電極18が形成される。第
1のパターン電極16および第1の取出し電極18は、
絶縁体層20で覆われる。絶縁体層20上には、第2の
パターン電極22および第2の取出し電極24が形成さ
れる。第2のパターン電極22および第2の取出し電極
24は、保護層26で覆われる。また、アース電極14
は、保護層28で覆われる。そして、アース電極14,
第1のパターン電極16および第2のパターン電極22
は、端子電極で接続される。また、アース電極14に
は、他の端子電極30b…が接続される。さらに、第1
の取出し電極18および第2の取出し電極24には、取
出し端子電極32が接続される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は共振器に関し、特にパ
ターン電極を有し、たとえばチップ型フィルタに用いら
れる1/4波長の共振器に関する。
ターン電極を有し、たとえばチップ型フィルタに用いら
れる1/4波長の共振器に関する。
【0002】
【従来の技術】図17は従来の共振器の一例を示す斜視
図である。この共振器は誘電体基板1を含み、誘電体基
板1の一方面のほぼ全面にアース電極2が形成される。
そして、誘電体基板1の他方面には、アース電極2と対
向するようにして、直線状のパターン電極3が形成され
る。このパターン電極3の一端は、誘電体基板1の端面
を介してアース電極2に接続される。これらの誘電体基
板1,アース電極2およびパターン電極3で、マイクロ
ストリップラインが形成される。
図である。この共振器は誘電体基板1を含み、誘電体基
板1の一方面のほぼ全面にアース電極2が形成される。
そして、誘電体基板1の他方面には、アース電極2と対
向するようにして、直線状のパターン電極3が形成され
る。このパターン電極3の一端は、誘電体基板1の端面
を介してアース電極2に接続される。これらの誘電体基
板1,アース電極2およびパターン電極3で、マイクロ
ストリップラインが形成される。
【0003】図18は従来のチップ型フィルタの一例を
示す斜視図である。このチップ型フィルタは誘電体基板
1を含み、誘電体基板1の一方面のほぼ全面にアース電
極2が形成される。そして、誘電体基板1の他方面上に
は、アース電極2と対向するようにして、直線状の2つ
のパターン電極3a,3bが形成される。これらのパタ
ーン電極3a,3bの一端は、誘電体基板1の端面を介
してアース電極2に接続される。これらのパターン電極
3a,3bは、互いに平行になるように形成され、電磁
気的に結合される。パターン電極3a,3bから誘電体
基板1の両端部に向かって、取出し電極4a,4bが形
成される。取出し電極4a,4bは、アース電極2に接
続されたパターン電極3a,3bの一端から間隔を隔て
て形成される。このチップ型フィルタでは、2つのマイ
クロストリップラインが電磁気的に結合することによ
り、フィルタが構成される。
示す斜視図である。このチップ型フィルタは誘電体基板
1を含み、誘電体基板1の一方面のほぼ全面にアース電
極2が形成される。そして、誘電体基板1の他方面上に
は、アース電極2と対向するようにして、直線状の2つ
のパターン電極3a,3bが形成される。これらのパタ
ーン電極3a,3bの一端は、誘電体基板1の端面を介
してアース電極2に接続される。これらのパターン電極
3a,3bは、互いに平行になるように形成され、電磁
気的に結合される。パターン電極3a,3bから誘電体
基板1の両端部に向かって、取出し電極4a,4bが形
成される。取出し電極4a,4bは、アース電極2に接
続されたパターン電極3a,3bの一端から間隔を隔て
て形成される。このチップ型フィルタでは、2つのマイ
クロストリップラインが電磁気的に結合することによ
り、フィルタが構成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図17に示す共振器お
よび図18に示すチップ型フィルタにおいては、それぞ
れ、平面形状を大きくすることなく、Qを高くすること
が望まれている。
よび図18に示すチップ型フィルタにおいては、それぞ
れ、平面形状を大きくすることなく、Qを高くすること
が望まれている。
【0005】また、図17に示す共振器のパターン電極
の長さLあるいは図18に示すチップ型フィルタのパタ
ーン電極の長さLは、それぞれ、次式(1)で示され
る。
の長さLあるいは図18に示すチップ型フィルタのパタ
ーン電極の長さLは、それぞれ、次式(1)で示され
る。
【0006】L=λ/(4εre 1/2 )・・・(1)
【0007】ここで、λは波長であり、εreは誘電体基
板の実効誘電率である。式(1)からわかるように、こ
れらの共振器およびチップ型フィルタの小型化を図るた
めには、高誘電率の誘電体基板を使用することが考えら
れる。しかしながら、その温度特性から誘電体基板の比
誘電率をあまり大きくすることができず、比誘電率εr
は100程度が限度である。この比誘電率がそのまま実
効誘電率εreに置き換えられるとして、1GHzの共振
器およびチップ型フィルタを構成すると、上式(1)か
らパターン電極の長さLが7.5mmと非常に長くな
る。そのため、たとえば1GHz〜3GHzの高周波帯
の共振器およびチップ型フィルタにおいて、小型化が困
難である。この問題は、電磁気的に結合する複数のパタ
ーン電極を有するチップ型フィルタにおいては、パター
ン電極の長さにともなってそれらの結合が大きくなるの
で、パターン電極の間隔を大きくしなければならなく、
さらに顕著となり、著しい大型化を招いてしまう。
板の実効誘電率である。式(1)からわかるように、こ
れらの共振器およびチップ型フィルタの小型化を図るた
めには、高誘電率の誘電体基板を使用することが考えら
れる。しかしながら、その温度特性から誘電体基板の比
誘電率をあまり大きくすることができず、比誘電率εr
は100程度が限度である。この比誘電率がそのまま実
効誘電率εreに置き換えられるとして、1GHzの共振
器およびチップ型フィルタを構成すると、上式(1)か
らパターン電極の長さLが7.5mmと非常に長くな
る。そのため、たとえば1GHz〜3GHzの高周波帯
の共振器およびチップ型フィルタにおいて、小型化が困
難である。この問題は、電磁気的に結合する複数のパタ
ーン電極を有するチップ型フィルタにおいては、パター
ン電極の長さにともなってそれらの結合が大きくなるの
で、パターン電極の間隔を大きくしなければならなく、
さらに顕著となり、著しい大型化を招いてしまう。
【0008】そこで、小型化を図ることができる共振器
およびチップ型フィルタが考え出された。
およびチップ型フィルタが考え出された。
【0009】図19は小型化を図ることができるこの発
明の背景となる共振器の一例を示す分解斜視図である。
図19に示す共振器では、図17に示す共振器と比べ
て、特に、パターン電極3が渦巻状に形成される。ま
た、このパターン電極3は、アース電極2に接続される
外側の一端から開放される内側の他端に向かうにしたが
って幅が段階的に小さくなるように形成される。
明の背景となる共振器の一例を示す分解斜視図である。
図19に示す共振器では、図17に示す共振器と比べ
て、特に、パターン電極3が渦巻状に形成される。ま
た、このパターン電極3は、アース電極2に接続される
外側の一端から開放される内側の他端に向かうにしたが
って幅が段階的に小さくなるように形成される。
【0010】図20は小型化を図ることができるこの発
明の背景となるチップ型フィルタの一例を示す分解斜視
図である。図20に示すチップ型フィルタでは、図18
に示すチップ型フィルタと比べて、特に、2つのパター
ン電極3a,3bが、それぞれ、渦巻状に形成されかつ
アース電極2に接続される外側の一端から開放される内
側の他端に向かうにしたがって幅が段階的に小さくなる
ように形成される。
明の背景となるチップ型フィルタの一例を示す分解斜視
図である。図20に示すチップ型フィルタでは、図18
に示すチップ型フィルタと比べて、特に、2つのパター
ン電極3a,3bが、それぞれ、渦巻状に形成されかつ
アース電極2に接続される外側の一端から開放される内
側の他端に向かうにしたがって幅が段階的に小さくなる
ように形成される。
【0011】図19に示す共振器および図20に示すチ
ップ型フィルタでは、それぞれ、パターン電極が渦巻状
に形成されているので小型化を図ることができる。さら
に、これらの共振器およびチップ型フィルタではQが高
くなる。これは、それらの共振器およびチップ型フィル
タにおいて、パターン電極のアース電極側の一端から開
放される他端に向かうにしたがって電流分布が小さくな
るが、パターン電極の一端から他端に向かうにしたがっ
てパターン電極の幅が小さくなるように形成されている
ので、電流分布に対応した抵抗を得ることができるから
である。
ップ型フィルタでは、それぞれ、パターン電極が渦巻状
に形成されているので小型化を図ることができる。さら
に、これらの共振器およびチップ型フィルタではQが高
くなる。これは、それらの共振器およびチップ型フィル
タにおいて、パターン電極のアース電極側の一端から開
放される他端に向かうにしたがって電流分布が小さくな
るが、パターン電極の一端から他端に向かうにしたがっ
てパターン電極の幅が小さくなるように形成されている
ので、電流分布に対応した抵抗を得ることができるから
である。
【0012】しかし、図19に示す共振器および図20
に示すチップ型フィルタでは、それらの小型化にともな
ってパターン電極の幅が縮小されてしまい、さらにQを
高くすることができなくなってしまう。これは、高周波
帯の共振器およびチップ型フィルタにおいて、電流が表
皮効果によってパターン電極などの導体の表面に集中す
るので、パターン電極の幅が縮小されると、パターン電
極の抵抗成分が増加するからである。
に示すチップ型フィルタでは、それらの小型化にともな
ってパターン電極の幅が縮小されてしまい、さらにQを
高くすることができなくなってしまう。これは、高周波
帯の共振器およびチップ型フィルタにおいて、電流が表
皮効果によってパターン電極などの導体の表面に集中す
るので、パターン電極の幅が縮小されると、パターン電
極の抵抗成分が増加するからである。
【0013】それゆえに、この発明の主たる目的は、平
面形状を大きくすることなく、さらにQの高い共振器を
提供することである。
面形状を大きくすることなく、さらにQの高い共振器を
提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる共振器
は、パターン電極を有する共振器において、パターン電
極は絶縁体層を挟んで2層以上の多層に形成された、共
振器である。
は、パターン電極を有する共振器において、パターン電
極は絶縁体層を挟んで2層以上の多層に形成された、共
振器である。
【0015】
【作用】共振器のパターン電極が絶縁体層を挟んで多層
に形成されるので、パターン電極の表面積が増加し、パ
ターン電極の抵抗成分が減少する。したがって、共振器
は、同じ平面形状であってもQが高くなる。
に形成されるので、パターン電極の表面積が増加し、パ
ターン電極の抵抗成分が減少する。したがって、共振器
は、同じ平面形状であってもQが高くなる。
【0016】
【発明の効果】この発明によれば、平面形状を大きくす
ることなく、さらにQの高い共振器が得られる。
ることなく、さらにQの高い共振器が得られる。
【0017】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【0018】
【実施例】図1はこの発明にかかる共振器の一例を示す
平面図であり、図2は図1の線II−IIにおける断面
図であり、図3はその分解斜視図である。共振器10
は、第1の誘電体基板12を含む。第1の誘電体基板1
2は、たとえば誘電体セラミックで矩形板状に形成され
る。この第1の誘電体基板12の材料としては、たとえ
ば50以上の比誘電率を有するものが使用される。
平面図であり、図2は図1の線II−IIにおける断面
図であり、図3はその分解斜視図である。共振器10
は、第1の誘電体基板12を含む。第1の誘電体基板1
2は、たとえば誘電体セラミックで矩形板状に形成され
る。この第1の誘電体基板12の材料としては、たとえ
ば50以上の比誘電率を有するものが使用される。
【0019】第1の誘電体基板12の一方面上には、ほ
ぼ全面にアース電極14が形成される。さらに、第1の
誘電体基板12の他方面上には、渦巻状の第1のパター
ン電極16が、アース電極14に対向するように形成さ
れる。第1のパターン電極16は、外側の一端から内側
の他端に向かうにしたがって幅が段階的に小さくなるよ
うに形成される。また、第1のパターン電極16の一端
は、第1の誘電体基板12の一端部に引き出される。さ
らに、第1の取出し電極18が、第1のパターン電極1
6から第1の誘電体基板12の他端部に向かって引き出
される。第1の取出し電極18は、第1の誘電体基板1
2の辺に引き出された第1のパターン電極16の一端か
ら所定の間隔を隔てて形成される。
ぼ全面にアース電極14が形成される。さらに、第1の
誘電体基板12の他方面上には、渦巻状の第1のパター
ン電極16が、アース電極14に対向するように形成さ
れる。第1のパターン電極16は、外側の一端から内側
の他端に向かうにしたがって幅が段階的に小さくなるよ
うに形成される。また、第1のパターン電極16の一端
は、第1の誘電体基板12の一端部に引き出される。さ
らに、第1の取出し電極18が、第1のパターン電極1
6から第1の誘電体基板12の他端部に向かって引き出
される。第1の取出し電極18は、第1の誘電体基板1
2の辺に引き出された第1のパターン電極16の一端か
ら所定の間隔を隔てて形成される。
【0020】第1の誘電体基板12の他方面上には、た
とえばポリイミド層からなる絶縁体層20が、第1のパ
ターン電極16および第1の取出し電極18を覆うよう
に形成される。この場合、絶縁体層20は、第1のパタ
ーン電極16の一端面と第1の取出し電極18の一端面
とを露出するように形成される。この絶縁体層20上に
は、第2のパターン電極22および第2の取出し電極2
4が形成される。この場合、第2のパターン電極22お
よび第2の取出し電極24は、第1のパターン電極16
および第1の取出し電極18とで絶縁体層20を挟ん
で、第1のパターン電極16および第1の取出し電極1
8と同様の形状に形成される。
とえばポリイミド層からなる絶縁体層20が、第1のパ
ターン電極16および第1の取出し電極18を覆うよう
に形成される。この場合、絶縁体層20は、第1のパタ
ーン電極16の一端面と第1の取出し電極18の一端面
とを露出するように形成される。この絶縁体層20上に
は、第2のパターン電極22および第2の取出し電極2
4が形成される。この場合、第2のパターン電極22お
よび第2の取出し電極24は、第1のパターン電極16
および第1の取出し電極18とで絶縁体層20を挟ん
で、第1のパターン電極16および第1の取出し電極1
8と同様の形状に形成される。
【0021】絶縁体層20上には、たとえばガラスある
いは樹脂からなる保護層26が、第2のパターン電極2
2および第2の取出し電極24を覆うように形成され
る。この場合、保護層26は、第2のパターン電極22
の一端面と第2の取出し電極24の一端面とを露出する
ように形成される。
いは樹脂からなる保護層26が、第2のパターン電極2
2および第2の取出し電極24を覆うように形成され
る。この場合、保護層26は、第2のパターン電極22
の一端面と第2の取出し電極24の一端面とを露出する
ように形成される。
【0022】また、第1の誘電体基板12の一方面に
は、たとえばガラスあるいは樹脂からなる保護層28
が、アース電極14を覆うように形成される。この場
合、保護層28は、第1の取出し電極18および第2の
取出し電極24の引き出された方向を除いて、アース電
極14の端部が露出するように形成される。
は、たとえばガラスあるいは樹脂からなる保護層28
が、アース電極14を覆うように形成される。この場
合、保護層28は、第1の取出し電極18および第2の
取出し電極24の引き出された方向を除いて、アース電
極14の端部が露出するように形成される。
【0023】この共振器10の側面には、3つの端子電
極30a,30b,30cが形成される。これらの端子
電極30a,30b,30cは、第1の取出し電極18
および第2の取出し電極24が引き出されていない側面
に形成される。そして、1つの端子電極30aによっ
て、アース電極14と、第1のパターン電極16の一端
と、第2のパターン電極22の一端とが接続される。ま
た、他の端子電極30b,30cは、それぞれアース電
極14に接続される。さらに、共振器10の第1の取出
し電極18および第2の取出し電極24が引き出された
側面には、取出し端子電極32が形成される。この取出
し端子電極32は、第1の取出し電極18および第2の
取出し電極24に接続される。
極30a,30b,30cが形成される。これらの端子
電極30a,30b,30cは、第1の取出し電極18
および第2の取出し電極24が引き出されていない側面
に形成される。そして、1つの端子電極30aによっ
て、アース電極14と、第1のパターン電極16の一端
と、第2のパターン電極22の一端とが接続される。ま
た、他の端子電極30b,30cは、それぞれアース電
極14に接続される。さらに、共振器10の第1の取出
し電極18および第2の取出し電極24が引き出された
側面には、取出し端子電極32が形成される。この取出
し端子電極32は、第1の取出し電極18および第2の
取出し電極24に接続される。
【0024】この共振器10では、コンデンサパターン
が形成されていないが、図4に示す等価回路を有する。
これは、この共振器10の構造がストリップライン構造
であるために、アース電極14と第1のパターン電極1
6および第2のパターン電極22との間に静電容量が形
成されるためである。この静電容量は、第1の誘電体基
板12あるいは絶縁体層20の厚みを変えることによっ
て変化させることができる。そして、その静電容量を変
化することによって、共振器10の共振周波数を変える
ことができる。また、第1の誘電体基板12の比誘電率
や第1のパターン電極16あるいは第2のパターン電極
22の面積を変えることによっても、その静電容量を変
えることができる。
が形成されていないが、図4に示す等価回路を有する。
これは、この共振器10の構造がストリップライン構造
であるために、アース電極14と第1のパターン電極1
6および第2のパターン電極22との間に静電容量が形
成されるためである。この静電容量は、第1の誘電体基
板12あるいは絶縁体層20の厚みを変えることによっ
て変化させることができる。そして、その静電容量を変
化することによって、共振器10の共振周波数を変える
ことができる。また、第1の誘電体基板12の比誘電率
や第1のパターン電極16あるいは第2のパターン電極
22の面積を変えることによっても、その静電容量を変
えることができる。
【0025】この共振器10では、図17に示す共振器
と比べて、パターン電極が渦巻状に形成されているの
で、平面形状がたとえば縦2.0mm、横2.0mmと
小型になる。
と比べて、パターン電極が渦巻状に形成されているの
で、平面形状がたとえば縦2.0mm、横2.0mmと
小型になる。
【0026】さらに、この共振器10では、それと同じ
平面形状を有する図19に示す共振器と比べて、パター
ン電極が絶縁体層を挟んで2層に形成されるので、パタ
ーン電極の表面積が増加し、パターン電極の抵抗成分が
減少し、Qが高くなる。具体的には、図19に示す共振
器では共振周波数が1800MHzでQが92であるの
に対して、この共振器10では共振周波数が1798M
HzでQが103である。すなわち、この共振器10で
は、図19に示す共振器と比べて、同じ平面形状であり
ながらQが約10%向上している。なお、この実施例の
共振器10の周波数特性を図5に示し、図19に示す共
振器の周波数特性を図21に示した。
平面形状を有する図19に示す共振器と比べて、パター
ン電極が絶縁体層を挟んで2層に形成されるので、パタ
ーン電極の表面積が増加し、パターン電極の抵抗成分が
減少し、Qが高くなる。具体的には、図19に示す共振
器では共振周波数が1800MHzでQが92であるの
に対して、この共振器10では共振周波数が1798M
HzでQが103である。すなわち、この共振器10で
は、図19に示す共振器と比べて、同じ平面形状であり
ながらQが約10%向上している。なお、この実施例の
共振器10の周波数特性を図5に示し、図19に示す共
振器の周波数特性を図21に示した。
【0027】また、この共振器10では、そのインピー
ダンスが第1のパターン電極16の一端と第1の取出し
電極18との間隔や第2のパターン電極22の一端と第
2の取出し電極24との間隔などによって決定されるた
め、それらの間隔を調整することによって、そのインピ
ーダンスを調整することができ、容易に外部回路とのイ
ンピーダンス整合をとることができる。
ダンスが第1のパターン電極16の一端と第1の取出し
電極18との間隔や第2のパターン電極22の一端と第
2の取出し電極24との間隔などによって決定されるた
め、それらの間隔を調整することによって、そのインピ
ーダンスを調整することができ、容易に外部回路とのイ
ンピーダンス整合をとることができる。
【0028】この共振器10を作製するためには、第1
の誘電体基板12が準備される。この第1の誘電体基板
12の表面には、薄膜工法を用いて電極膜を形成し、そ
の電極膜をフォトレジストなどを用いてエッチングする
ことによって、第1のパターン電極16および第1の取
出し電極18が精度よく形成される。さらに、第1の誘
電体基板12の第1のパターン電極16などを形成した
面に熱可塑性ポリイミドを載置,印刷あるいは塗布する
ことによって、絶縁体層20が形成される。この絶縁体
層20上には、第1のパターン電極16および第1の取
出し電極18を形成する方法と同様の方法によって、第
2のパターン電極22および第2の取出し電極24が精
度よく形成される。また、第1の誘電体基板12の裏面
のほぼ全面には、薄膜工法によって、アース電極14が
形成される。そして、絶縁体層20の第2のパターン電
極22などを形成した面と、第1の誘電体基板12のア
ース電極14を形成した面とには、ガラスあるいは樹脂
を用いて、保護層26および28が形成される。それか
ら、端子電極30a,30b,30cおよび取出し端子
電極32を形成し、共振器10が作製される。
の誘電体基板12が準備される。この第1の誘電体基板
12の表面には、薄膜工法を用いて電極膜を形成し、そ
の電極膜をフォトレジストなどを用いてエッチングする
ことによって、第1のパターン電極16および第1の取
出し電極18が精度よく形成される。さらに、第1の誘
電体基板12の第1のパターン電極16などを形成した
面に熱可塑性ポリイミドを載置,印刷あるいは塗布する
ことによって、絶縁体層20が形成される。この絶縁体
層20上には、第1のパターン電極16および第1の取
出し電極18を形成する方法と同様の方法によって、第
2のパターン電極22および第2の取出し電極24が精
度よく形成される。また、第1の誘電体基板12の裏面
のほぼ全面には、薄膜工法によって、アース電極14が
形成される。そして、絶縁体層20の第2のパターン電
極22などを形成した面と、第1の誘電体基板12のア
ース電極14を形成した面とには、ガラスあるいは樹脂
を用いて、保護層26および28が形成される。それか
ら、端子電極30a,30b,30cおよび取出し端子
電極32を形成し、共振器10が作製される。
【0029】この共振器10を大量に作製するために
は、1枚の大きな誘電体基板に複数個分の共振器10の
パターン電極などを印刷,塗布などで一度に形成し、そ
の誘電体基板などを切断すればよい。このように共振器
10を大量に作製すれば、複数個分の共振器10のパタ
ーン電極などを個々に形成するコストや手間を低減で
き、共振器10を安価に作製することができる。
は、1枚の大きな誘電体基板に複数個分の共振器10の
パターン電極などを印刷,塗布などで一度に形成し、そ
の誘電体基板などを切断すればよい。このように共振器
10を大量に作製すれば、複数個分の共振器10のパタ
ーン電極などを個々に形成するコストや手間を低減で
き、共振器10を安価に作製することができる。
【0030】また、この共振器10は、誘電体グリーン
シートなどを積層しそれらを一体焼結することによって
作製することも可能であるが、上述のように誘電体基板
上にパターン電極などを形成して作製すれば、誘電体グ
リーンシートなどを一体焼結して作製する場合に比べ
て、層間剥離,ひび,割れ,かけの発生が少なく、信頼
性が高くなる。
シートなどを積層しそれらを一体焼結することによって
作製することも可能であるが、上述のように誘電体基板
上にパターン電極などを形成して作製すれば、誘電体グ
リーンシートなどを一体焼結して作製する場合に比べ
て、層間剥離,ひび,割れ,かけの発生が少なく、信頼
性が高くなる。
【0031】さらに、この共振器10は、誘電体グリー
ンシートなどを積層しそれらを一体焼結することによっ
て作製すれば、焼成時に各層の収縮率の相違から寸法の
ばらつきが大きく、共振周波数のばらつきが大きくな
り、トリミングなどの調整工程が不可欠であるが、上述
のように誘電体基板上にパターン電極などを形成して作
製すれば、寸法精度が著しく向上し、寸法や共振周波数
のばらつきが1.5%以下となり、トリミングなどの調
整工程が不要となり好都合である。
ンシートなどを積層しそれらを一体焼結することによっ
て作製すれば、焼成時に各層の収縮率の相違から寸法の
ばらつきが大きく、共振周波数のばらつきが大きくな
り、トリミングなどの調整工程が不可欠であるが、上述
のように誘電体基板上にパターン電極などを形成して作
製すれば、寸法精度が著しく向上し、寸法や共振周波数
のばらつきが1.5%以下となり、トリミングなどの調
整工程が不要となり好都合である。
【0032】図6はこの発明にかかる共振器の他の例を
示す分解斜視図である。図6に示す共振器は、図1〜図
4に示す共振器と比べて、絶縁体層20と保護層26と
の間に、たとえばポリイミド層からなる接着剤層34
と、第1の誘電体基板12の比誘電率より低い第2の誘
電体基板36と、シールド電極38とが形成される。
示す分解斜視図である。図6に示す共振器は、図1〜図
4に示す共振器と比べて、絶縁体層20と保護層26と
の間に、たとえばポリイミド層からなる接着剤層34
と、第1の誘電体基板12の比誘電率より低い第2の誘
電体基板36と、シールド電極38とが形成される。
【0033】接着剤層34は、第2のパターン電極22
および第2の取出し電極24を覆うように絶縁体層20
上に形成される。この場合、接着剤層34は、図1〜図
4に示す共振器において形成される保護層26と同様
に、第2のパターン電極22の一端面と第2の取出し電
極24の一端面とを露出するように形成される。また、
第2の誘電体基板36は、接着剤層34上に形成され
る。さらに、シールド電極38は、第2の誘電体基板3
6上のほぼ全面に形成される。そして、保護層26が、
シールド電極38を覆うように第2の誘電体基板36上
に形成される。この場合、保護層26は、第1の取出し
電極18および第2の取出し電極24の引き出された方
向を除いて、シールド電極38の端部が露出するように
形成される。また、シールド電極38には、端子電極3
0a,30b,30cが接続される。
および第2の取出し電極24を覆うように絶縁体層20
上に形成される。この場合、接着剤層34は、図1〜図
4に示す共振器において形成される保護層26と同様
に、第2のパターン電極22の一端面と第2の取出し電
極24の一端面とを露出するように形成される。また、
第2の誘電体基板36は、接着剤層34上に形成され
る。さらに、シールド電極38は、第2の誘電体基板3
6上のほぼ全面に形成される。そして、保護層26が、
シールド電極38を覆うように第2の誘電体基板36上
に形成される。この場合、保護層26は、第1の取出し
電極18および第2の取出し電極24の引き出された方
向を除いて、シールド電極38の端部が露出するように
形成される。また、シールド電極38には、端子電極3
0a,30b,30cが接続される。
【0034】図6に示す共振器を作製するためには、た
とえば、図1〜図4に示す共振器を作製するための上述
の方法と同様にして、第1の誘電体基板12に、アース
電極14,第1のパターン電極16,第1の取出し電極
18,絶縁体層20,第2のパターン電極22および第
2の取出し電極24が形成される。また、第2の誘電体
基板36が準備され、第2の誘電体基板36には、薄膜
工法によって、シールド電極38が形成される。そし
て、絶縁体層20の第2のパターン電極22などを形成
した面に、接着剤層34となる熱可塑性ポリイミドを載
置,印刷あるいは塗布し、その塗布面に第2の誘電体基
板36を積層し、それらを真空加熱圧着あるいは加熱圧
着することによって、第2の誘電体基板36が接着剤層
34で接着される。それから、ガラスあるいは樹脂を用
いて保護層26および28が形成される。そして、端子
電極30a,30b,30cおよび取出し端子電極32
を形成し、図6に示す共振器が作製される。
とえば、図1〜図4に示す共振器を作製するための上述
の方法と同様にして、第1の誘電体基板12に、アース
電極14,第1のパターン電極16,第1の取出し電極
18,絶縁体層20,第2のパターン電極22および第
2の取出し電極24が形成される。また、第2の誘電体
基板36が準備され、第2の誘電体基板36には、薄膜
工法によって、シールド電極38が形成される。そし
て、絶縁体層20の第2のパターン電極22などを形成
した面に、接着剤層34となる熱可塑性ポリイミドを載
置,印刷あるいは塗布し、その塗布面に第2の誘電体基
板36を積層し、それらを真空加熱圧着あるいは加熱圧
着することによって、第2の誘電体基板36が接着剤層
34で接着される。それから、ガラスあるいは樹脂を用
いて保護層26および28が形成される。そして、端子
電極30a,30b,30cおよび取出し端子電極32
を形成し、図6に示す共振器が作製される。
【0035】図6に示す共振器では、図1〜図4に示す
共振器と同様の効果が得られるとともに、シールド電極
36によって、パターン電極などが外部に対して電磁気
的にシールドされる効果が得られる。
共振器と同様の効果が得られるとともに、シールド電極
36によって、パターン電極などが外部に対して電磁気
的にシールドされる効果が得られる。
【0036】図7はこの発明にかかるチップ型フィルタ
の一例を示す平面図であり、図8は図7の線VIII−
VIIIにおける断面図であり、図9は図7の線IX−
IXにおける断面図であり、図10はその分解斜視図で
ある。このチップ型フィルタ50は、図1〜図4に示す
共振器10とそれと内部の電極が対称形状に形成された
共振器とを一体的に接続した構造に似た構造を有する。
すなわち、このチップ型フィルタ50は、第1の誘電体
基板12を含む。第1の誘電体基板12は、たとえば誘
電体セラミックで矩形板状に形成される。この第1の誘
電体基板12の材料としては、たとえば50以上の比誘
電率を有するものが使用される。
の一例を示す平面図であり、図8は図7の線VIII−
VIIIにおける断面図であり、図9は図7の線IX−
IXにおける断面図であり、図10はその分解斜視図で
ある。このチップ型フィルタ50は、図1〜図4に示す
共振器10とそれと内部の電極が対称形状に形成された
共振器とを一体的に接続した構造に似た構造を有する。
すなわち、このチップ型フィルタ50は、第1の誘電体
基板12を含む。第1の誘電体基板12は、たとえば誘
電体セラミックで矩形板状に形成される。この第1の誘
電体基板12の材料としては、たとえば50以上の比誘
電率を有するものが使用される。
【0037】第1の誘電体基板12の一方面上には、ほ
ぼ全面にアース電極14が形成される。さらに、第1の
誘電体基板12の他方面上には、対称形状の渦巻状の2
つの第1のパターン電極16a,16bが、アース電極
14に対向しかつ互いに電磁気的に結合するように形成
される。第1のパターン電極16a,16bは、それぞ
れ、外側の一端から内側の他端に向かうにしたがって幅
が段階的に小さくなるように形成される。また、第1の
パターン電極16a,16bの一端は、第1の誘電体基
板12の一端部に引き出される。さらに、2つの第1の
取出し電極18a,18bが、第1のパターン電極16
a,16bから第1の誘電体基板12の両端部に向かっ
て引き出される。第1の取出し電極18a,18bは、
第1の誘電体基板12の辺に引き出された第1のパター
ン電極16a,16bの一端から所定の間隔を隔てて形
成される。
ぼ全面にアース電極14が形成される。さらに、第1の
誘電体基板12の他方面上には、対称形状の渦巻状の2
つの第1のパターン電極16a,16bが、アース電極
14に対向しかつ互いに電磁気的に結合するように形成
される。第1のパターン電極16a,16bは、それぞ
れ、外側の一端から内側の他端に向かうにしたがって幅
が段階的に小さくなるように形成される。また、第1の
パターン電極16a,16bの一端は、第1の誘電体基
板12の一端部に引き出される。さらに、2つの第1の
取出し電極18a,18bが、第1のパターン電極16
a,16bから第1の誘電体基板12の両端部に向かっ
て引き出される。第1の取出し電極18a,18bは、
第1の誘電体基板12の辺に引き出された第1のパター
ン電極16a,16bの一端から所定の間隔を隔てて形
成される。
【0038】第1の誘電体基板12の他方面上には、た
とえばポリイミド層からなる絶縁体層20が、第1のパ
ターン電極16a,16bおよび第1の取出し電極18
a,18bを覆うように形成される。この場合、絶縁体
層20は、第1のパターン電極16a,16bの一端面
と第1の取出し電極18a,18bの一端面とを露出す
るように形成される。この絶縁体層20上には、第2の
パターン電極22a,22bおよび第2の取出し電極2
4a,24bが形成される。この場合、第2のパターン
電極22a,22bおよび第2の取出し電極24a,2
4bは、第1のパターン電極16a,16bおよび第1
の取出し電極18a,18bとで絶縁体層20を挟ん
で、第1のパターン電極16a,16bおよび第1の取
出し電極18a,18bと同様の形状に形成される。し
たがって、第2のパターン電極22a,22bは電磁気
的に結合する。
とえばポリイミド層からなる絶縁体層20が、第1のパ
ターン電極16a,16bおよび第1の取出し電極18
a,18bを覆うように形成される。この場合、絶縁体
層20は、第1のパターン電極16a,16bの一端面
と第1の取出し電極18a,18bの一端面とを露出す
るように形成される。この絶縁体層20上には、第2の
パターン電極22a,22bおよび第2の取出し電極2
4a,24bが形成される。この場合、第2のパターン
電極22a,22bおよび第2の取出し電極24a,2
4bは、第1のパターン電極16a,16bおよび第1
の取出し電極18a,18bとで絶縁体層20を挟ん
で、第1のパターン電極16a,16bおよび第1の取
出し電極18a,18bと同様の形状に形成される。し
たがって、第2のパターン電極22a,22bは電磁気
的に結合する。
【0039】絶縁体層20上には、たとえばガラスある
いは樹脂からなる保護層26が、第2のパターン電極2
2a,22bおよび第2の取出し電極24a,24bを
覆うように形成される。この場合、保護層26は、第2
のパターン電極22a,22bの一端面と第2の取出し
電極24a,24bの一端面とを露出するように形成さ
れる。
いは樹脂からなる保護層26が、第2のパターン電極2
2a,22bおよび第2の取出し電極24a,24bを
覆うように形成される。この場合、保護層26は、第2
のパターン電極22a,22bの一端面と第2の取出し
電極24a,24bの一端面とを露出するように形成さ
れる。
【0040】また、第1の誘電体基板12の一方面に
は、たとえばガラスあるいは樹脂からなる保護層28
が、アース電極14を覆うように形成される。この場
合、保護層28は、取出し電極18a,18b,24
a,24bの引き出された方向を除いて、アース電極1
4の端部が露出するように形成される。
は、たとえばガラスあるいは樹脂からなる保護層28
が、アース電極14を覆うように形成される。この場
合、保護層28は、取出し電極18a,18b,24
a,24bの引き出された方向を除いて、アース電極1
4の端部が露出するように形成される。
【0041】このチップ型フィルタ50の対向する側面
には、6つの端子電極30a,30b,30c,30
d,30eおよび30fが形成される。これらの端子電
極30a〜30fは、取出し電極18a,18b,24
a,24bが引き出されていない側面に形成される。そ
して、1つの端子電極30aによって、アース電極14
と、第1のパターン電極16aの一端と、第2のパター
ン電極22aの一端とが接続される。同様に、端子電極
30cによって、アース電極14と、第1のパターン電
極16bの一端と、第2のパターン電極22bの一端と
が接続される。また、他の端子電極30b,30d,3
0e,30fは、それぞれアース電極14に接続され
る。
には、6つの端子電極30a,30b,30c,30
d,30eおよび30fが形成される。これらの端子電
極30a〜30fは、取出し電極18a,18b,24
a,24bが引き出されていない側面に形成される。そ
して、1つの端子電極30aによって、アース電極14
と、第1のパターン電極16aの一端と、第2のパター
ン電極22aの一端とが接続される。同様に、端子電極
30cによって、アース電極14と、第1のパターン電
極16bの一端と、第2のパターン電極22bの一端と
が接続される。また、他の端子電極30b,30d,3
0e,30fは、それぞれアース電極14に接続され
る。
【0042】さらに、チップ型フィルタ50の取出し電
極18a,18b,24a,24bが引き出された側面
には、取出し端子電極32a,32bが形成される。一
方の取出し端子電極32aは、第1の取出し電極18a
および第2の取出し電極24aに接続される。他方の取
出し端子電極32bは、第1の取出し電極18bおよび
第2の取出し電極24bに接続される。
極18a,18b,24a,24bが引き出された側面
には、取出し端子電極32a,32bが形成される。一
方の取出し端子電極32aは、第1の取出し電極18a
および第2の取出し電極24aに接続される。他方の取
出し端子電極32bは、第1の取出し電極18bおよび
第2の取出し電極24bに接続される。
【0043】このチップ型フィルタ50では、図1〜図
4に示す共振器と同様に、コンデンサパターンが形成さ
れていないが、図11に示す等価回路を有する。なお、
図11に示す等価回路において、CXおよびMは電磁気
的な結合を示す。このように、このチップ型フィルタ5
0では、2つの共振器が電磁気的に結合することによ
り、フィルタが構成される。そのため、このチップ型フ
ィルタ50では、第1の誘電体基板12あるいは絶縁体
層20の厚みを変えることによって、中心周波数および
帯域幅を変えることができる。また、第1の誘電体基板
12の比誘電率や第1のパターン電極16a,16bあ
るいは第2のパターン電極22a,22bの面積を変え
ることによっても、中心周波数および帯域幅を変えるこ
とができる。
4に示す共振器と同様に、コンデンサパターンが形成さ
れていないが、図11に示す等価回路を有する。なお、
図11に示す等価回路において、CXおよびMは電磁気
的な結合を示す。このように、このチップ型フィルタ5
0では、2つの共振器が電磁気的に結合することによ
り、フィルタが構成される。そのため、このチップ型フ
ィルタ50では、第1の誘電体基板12あるいは絶縁体
層20の厚みを変えることによって、中心周波数および
帯域幅を変えることができる。また、第1の誘電体基板
12の比誘電率や第1のパターン電極16a,16bあ
るいは第2のパターン電極22a,22bの面積を変え
ることによっても、中心周波数および帯域幅を変えるこ
とができる。
【0044】このチップ型フィルタ50では、図18に
示すチップ型フィルタと比べて、パターン電極が渦巻状
に形成されているので、平面形状がたとえば縦2.5m
m、横3.2mmと小型になる。
示すチップ型フィルタと比べて、パターン電極が渦巻状
に形成されているので、平面形状がたとえば縦2.5m
m、横3.2mmと小型になる。
【0045】さらに、このチップ型フィルタ50では、
それと同じ平面形状を有する図20に示すチップ型フィ
ルタと比べて、パターン電極が絶縁体層を挟んで2層に
形成されるので、パターン電極の表面積が増加し、パタ
ーン電極の抵抗成分が減少し、Qが高くなる。また、図
20に示すチップ型フィルタでは、共振周波数が190
0MHzで、3dBの減衰帯域幅が203.6MHz
で、挿入損失が1.8dBで、共振周波数より480M
Hz低い周波数における減衰量が43.5dBであるの
に対して、このチップ型フィルタ50では、共振周波数
が1910MHzで、3dBの減衰帯域幅が210.0
MHzで、挿入損失が1.4dBで、共振周波数より4
80MHz低い周波数における減衰量が46.7dBで
ある。すなわち、このチップ型フィルタ50では、図2
0に示すチップ型フィルタと比べて、同じ平面形状であ
りながら、Qが高くなるだけでなく、挿入損失が約0.
4dB向上(低下)する。なお、この実施例のチップ型
フィルタ50の周波数特性を図12に示し、図20に示
すチップ型フィルタの周波数特性を図22に示した。
それと同じ平面形状を有する図20に示すチップ型フィ
ルタと比べて、パターン電極が絶縁体層を挟んで2層に
形成されるので、パターン電極の表面積が増加し、パタ
ーン電極の抵抗成分が減少し、Qが高くなる。また、図
20に示すチップ型フィルタでは、共振周波数が190
0MHzで、3dBの減衰帯域幅が203.6MHz
で、挿入損失が1.8dBで、共振周波数より480M
Hz低い周波数における減衰量が43.5dBであるの
に対して、このチップ型フィルタ50では、共振周波数
が1910MHzで、3dBの減衰帯域幅が210.0
MHzで、挿入損失が1.4dBで、共振周波数より4
80MHz低い周波数における減衰量が46.7dBで
ある。すなわち、このチップ型フィルタ50では、図2
0に示すチップ型フィルタと比べて、同じ平面形状であ
りながら、Qが高くなるだけでなく、挿入損失が約0.
4dB向上(低下)する。なお、この実施例のチップ型
フィルタ50の周波数特性を図12に示し、図20に示
すチップ型フィルタの周波数特性を図22に示した。
【0046】また、このチップ型フィルタ50では、そ
の入出力インピーダンスが第1のパターン電極16a,
16bの一端と第1の取出し電極18a,18bとの間
隔や第2のパターン電極22a,22bの一端と第2の
取出し電極24a,24bとの間隔などによって決定さ
れるため、それらの間隔を調整することによって、その
入出力インピーダンスを調整することができ、容易に外
部回路とのインピーダンス整合をとることができる。
の入出力インピーダンスが第1のパターン電極16a,
16bの一端と第1の取出し電極18a,18bとの間
隔や第2のパターン電極22a,22bの一端と第2の
取出し電極24a,24bとの間隔などによって決定さ
れるため、それらの間隔を調整することによって、その
入出力インピーダンスを調整することができ、容易に外
部回路とのインピーダンス整合をとることができる。
【0047】このチップ型フィルタ50は、たとえば、
図1〜図4に示す共振器10を作製するための上述の方
法と同様の方法で作製される。
図1〜図4に示す共振器10を作製するための上述の方
法と同様の方法で作製される。
【0048】したがって、このチップ型フィルタ50
は、図1〜図4に示す共振器10と同様に、安価に作製
することができる。
は、図1〜図4に示す共振器10と同様に、安価に作製
することができる。
【0049】また、このチップ型フィルタ50は、誘電
体基板上にパターン電極などを形成して作製すれば、誘
電体グリーンシートなどを一体焼結して作製する場合に
比べて、層間剥離,ひび,割れ,かけの発生が少なく、
信頼性が高くなり好都合である。
体基板上にパターン電極などを形成して作製すれば、誘
電体グリーンシートなどを一体焼結して作製する場合に
比べて、層間剥離,ひび,割れ,かけの発生が少なく、
信頼性が高くなり好都合である。
【0050】さらに、このチップ型フィルタ50は、誘
電体基板上にパターン電極などを形成して作製すれば、
寸法精度が著しく向上し、寸法や共振周波数のばらつき
が1.0%以下となり、トリミングなどの調整工程が不
要となる。
電体基板上にパターン電極などを形成して作製すれば、
寸法精度が著しく向上し、寸法や共振周波数のばらつき
が1.0%以下となり、トリミングなどの調整工程が不
要となる。
【0051】図13はこの発明にかかるチップ型フィル
タの他の例を示す分解斜視図である。図13に示すチッ
プ型フィルタは、図6に示す共振器とそれと内部の電極
が対称形状に形成された共振器とを一体的に接続した構
造に似た構造を有し、図7〜図11に示すチップ型フィ
ルタと比べて、絶縁体層20と保護層26との間に、た
とえばポリイミド層からなる接着剤層34と、第1の誘
電体基板12の比誘電率より低い第2の誘電体基板36
と、シールド電極38とが形成される。
タの他の例を示す分解斜視図である。図13に示すチッ
プ型フィルタは、図6に示す共振器とそれと内部の電極
が対称形状に形成された共振器とを一体的に接続した構
造に似た構造を有し、図7〜図11に示すチップ型フィ
ルタと比べて、絶縁体層20と保護層26との間に、た
とえばポリイミド層からなる接着剤層34と、第1の誘
電体基板12の比誘電率より低い第2の誘電体基板36
と、シールド電極38とが形成される。
【0052】接着剤層34は、第2のパターン電極22
a,22bおよび第2の取出し電極24a,24bを覆
うように絶縁体層20上に形成される。この場合、接着
剤層34は、図7〜図11に示すチップ型フィルタにお
いて形成される保護層26と同様に、第2のパターン電
極22a,22bの一端面と第2の取出し電極24a,
24bの一端面とを露出するように形成される。また、
第2の誘電体基板36は、接着剤層34上に形成され
る。さらに、シールド電極38は、第2の誘電体基板3
6上のほぼ全面に形成される。そして、保護層26が、
シールド電極38を覆うように第2の誘電体基板36上
に形成される。この場合、保護層26は、取出し電極1
8a,18b,24a,24bの引き出された方向を除
いて、シールド電極38の端部が露出するように形成さ
れる。また、シールド電極38には、端子電極30a〜
30fが接続される。
a,22bおよび第2の取出し電極24a,24bを覆
うように絶縁体層20上に形成される。この場合、接着
剤層34は、図7〜図11に示すチップ型フィルタにお
いて形成される保護層26と同様に、第2のパターン電
極22a,22bの一端面と第2の取出し電極24a,
24bの一端面とを露出するように形成される。また、
第2の誘電体基板36は、接着剤層34上に形成され
る。さらに、シールド電極38は、第2の誘電体基板3
6上のほぼ全面に形成される。そして、保護層26が、
シールド電極38を覆うように第2の誘電体基板36上
に形成される。この場合、保護層26は、取出し電極1
8a,18b,24a,24bの引き出された方向を除
いて、シールド電極38の端部が露出するように形成さ
れる。また、シールド電極38には、端子電極30a〜
30fが接続される。
【0053】図13に示すチップ型フィルタ50は、た
とえば、図6に示す共振器10を作製するための上述の
方法と同様の方法で作製される。
とえば、図6に示す共振器10を作製するための上述の
方法と同様の方法で作製される。
【0054】図13に示すチップ型フィルタでは、図7
〜図11に示すチップ型フィルタと同様の効果が得られ
るとともに、シールド電極36によって、パターン電極
などが外部に対して電磁気的にシールドされる効果が得
られる。
〜図11に示すチップ型フィルタと同様の効果が得られ
るとともに、シールド電極36によって、パターン電極
などが外部に対して電磁気的にシールドされる効果が得
られる。
【0055】なお、上述の各実施例ではパターン電極の
中間部が直角に折れ曲がっているが、高周波帯域におけ
る定在波比を改善するために、図15に示すように、パ
ターン電極の折れ曲がった部分の外側を斜めに形成した
り、図16に示すように、パターン電極の中間部を円弧
状に形成したりしてもよい。また、パターン電極は、蛇
行してあるいは直線状に形成されてもよい。さらに、パ
ターン電極は、一端から他端にわたって同じ幅に形成さ
れてもよい。
中間部が直角に折れ曲がっているが、高周波帯域におけ
る定在波比を改善するために、図15に示すように、パ
ターン電極の折れ曲がった部分の外側を斜めに形成した
り、図16に示すように、パターン電極の中間部を円弧
状に形成したりしてもよい。また、パターン電極は、蛇
行してあるいは直線状に形成されてもよい。さらに、パ
ターン電極は、一端から他端にわたって同じ幅に形成さ
れてもよい。
【0056】さらに、上述の各実施例ではパターン電極
が絶縁体層を挟んで2層に形成されているが、パターン
電極はそれぞれ絶縁体層を挟んで3層以上に形成されて
もよい。
が絶縁体層を挟んで2層に形成されているが、パターン
電極はそれぞれ絶縁体層を挟んで3層以上に形成されて
もよい。
【0057】また、パターン電極の多層化によって、多
層の各パターン電極に由来する実効誘電率が異なる。し
たがって、多層の各パターン電極の電気長を等しくする
ために、各パターン電極の幅,長さあるいは厚さもしく
はそれらの組合せを変えることによって、各パターン電
極の電気長さを調整することが望ましい。この場合、第
1の誘電体基板に最も近い層のパターン電極の幅と比べ
て、他の層のパターン電極の幅を同等以下にすることが
好ましい。一方、通過帯域を拡大するために、多層の各
パターン電極を同一寸法で形成することによって、各パ
ターン電極の電気長を異ならせてもよい。
層の各パターン電極に由来する実効誘電率が異なる。し
たがって、多層の各パターン電極の電気長を等しくする
ために、各パターン電極の幅,長さあるいは厚さもしく
はそれらの組合せを変えることによって、各パターン電
極の電気長さを調整することが望ましい。この場合、第
1の誘電体基板に最も近い層のパターン電極の幅と比べ
て、他の層のパターン電極の幅を同等以下にすることが
好ましい。一方、通過帯域を拡大するために、多層の各
パターン電極を同一寸法で形成することによって、各パ
ターン電極の電気長を異ならせてもよい。
【0058】また、多層の各パターン電極は、電気的に
接続されていなくても、電磁気的に結合し、Qを高くす
る効果が得られるが、多層のパターン電極間の絶縁体層
にスルーホールを形成し、そのスルーホールを介して、
多層のパターン電極のたとえばアース電極側の部分,開
放端側の部分および入出力端側の部分の少なくとも1つ
の部分どうしを電気的に接続すれば、Qをさらに高くす
る効果が得られる。また、多層のパターン電極の開放端
側の部分どうしを絶縁体層のスルーホールを介して電気
的に接続すれば、その多層のパターン電極の電気長の差
が緩和される。そのため、多層のパターン電極の微小な
電気長の差が望ましくない場合には、その多層のパター
ン電極の開放端側の部分どうしを絶縁体層のスルーホー
ルを介して電気的に接続することが望ましい。
接続されていなくても、電磁気的に結合し、Qを高くす
る効果が得られるが、多層のパターン電極間の絶縁体層
にスルーホールを形成し、そのスルーホールを介して、
多層のパターン電極のたとえばアース電極側の部分,開
放端側の部分および入出力端側の部分の少なくとも1つ
の部分どうしを電気的に接続すれば、Qをさらに高くす
る効果が得られる。また、多層のパターン電極の開放端
側の部分どうしを絶縁体層のスルーホールを介して電気
的に接続すれば、その多層のパターン電極の電気長の差
が緩和される。そのため、多層のパターン電極の微小な
電気長の差が望ましくない場合には、その多層のパター
ン電極の開放端側の部分どうしを絶縁体層のスルーホー
ルを介して電気的に接続することが望ましい。
【図1】この発明にかかる共振器の一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図2】図1の線II−IIにおける断面図である。
【図3】図1に示す共振器の分解斜視図である。
【図4】図1に示す共振器の等価回路図である。
【図5】図1に示す共振器の周波数特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図6】この発明にかかる共振器の他の例を示す分解斜
視図である。
視図である。
【図7】この発明にかかるチップ型フィルタの一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図8】図7の線VIII−VIIIにおける断面図で
ある。
ある。
【図9】図7の線IX−IXにおける断面図である。
【図10】図7に示すチップ型フィルタの分解斜視図で
ある。
ある。
【図11】図7に示すチップ型フィルタの等価回路図で
ある。
ある。
【図12】図7に示すチップ型フィルタの周波数特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図13】この発明にかかるチップ型フィルタの他の例
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図14】図13に示すチップ型フィルタの周波数特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図15】パターン電極の折り曲げ部の変形例を示す図
解図である。
解図である。
【図16】パターン電極の折り曲げ部の他の変形例を示
す図解図である。
す図解図である。
【図17】従来の共振器の一例を示す斜視図である。
【図18】従来のチップ型フィルタの一例を示す斜視図
である。
である。
【図19】この発明の背景となる共振器の一例を示す分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図20】この発明の背景となるチップ型フィルタの一
例を示す分解斜視図である。
例を示す分解斜視図である。
【図21】図19に示す共振器の周波数特性を示すグラ
フである。
フである。
【図22】図20に示すチップ型フィルタの周波数特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
10 共振器 12 第1の誘電体基板 14 アース電極 16,16a,16b 第1のパターン電極 18,18a,18b 第1の取出し電極 20 絶縁体層 22,22a,22b 第2のパターン電極 24,24a,24b 第2の取出し電極 26,28 保護層 30a〜30f 端子電極 32,32a,32b 取出し端子電極 34 接着剤層 36 第2の誘電体基板 38 シールド電極 50 チップ型フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川 口 正 彦 京都府長岡京市天神2丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 松 田 勝 治 京都府長岡京市天神2丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項1】 パターン電極を有する共振器において、
前記パターン電極は絶縁体層を挟んで2層以上の多層に
形成されたことを特徴とする、共振器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5347461A JPH07193403A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 共振器 |
US08/621,902 US5612656A (en) | 1993-12-24 | 1996-03-26 | Resonator with spiral-shaped pattern electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5347461A JPH07193403A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 共振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07193403A true JPH07193403A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18390388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5347461A Pending JPH07193403A (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 共振器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5612656A (ja) |
JP (1) | JPH07193403A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0797266A3 (en) * | 1996-03-19 | 1998-07-22 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Dielectric filter and method of making same |
JPH10200304A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層フィルタ |
JPWO2009090814A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2011-05-26 | 株式会社村田製作所 | ストリップラインフィルタ |
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---|---|---|---|---|
US5892415A (en) * | 1995-11-20 | 1999-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated resonator and laminated band pass filter using same |
JPH10241996A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層回路 |
EP0877437A1 (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Strip-line resonator and variable resonator |
US6075427A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-13 | Lucent Technologies Inc. | MCM with high Q overlapping resonator |
JP3319377B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2002-08-26 | 株式会社村田製作所 | コプレーナラインフィルタ及びデュプレクサ |
US6294967B1 (en) * | 1998-03-18 | 2001-09-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Laminated type dielectric filter |
JP2002261561A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フィルタ部品 |
US20030146808A1 (en) * | 2002-02-01 | 2003-08-07 | Merrill Jeffrey C. | Apparatus and method of manufacture for time delay signals |
US6998938B2 (en) * | 2004-03-10 | 2006-02-14 | Chi Mei Communication Systems, Inc. | Lumped-element low-pass filter in multi-layered substrate |
US7002434B2 (en) * | 2004-03-16 | 2006-02-21 | Chi Mei Communication Systems, Inc. | Lumped-element transmission line in multi-layered substrate |
DE102006002695A1 (de) * | 2006-01-11 | 2007-08-09 | Siemens Ag | Piezostack mit neuartiger Passivierung |
JP2007235435A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Soshin Electric Co Ltd | モジュール及び受動部品 |
US8269581B2 (en) * | 2007-11-29 | 2012-09-18 | Hitachi Metals, Ltd. | Band-pass filter, high-frequency component, and communication apparatus |
WO2010082384A1 (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-22 | 株式会社村田製作所 | ストリップラインフィルタ |
US9911836B2 (en) | 2011-02-25 | 2018-03-06 | Qorvo Us, Inc. | Vertical ballast technology for power HBT device |
US9897512B2 (en) * | 2011-04-15 | 2018-02-20 | Qorvo Us, Inc. | Laminate variables measured electrically |
KR20130076246A (ko) * | 2011-12-28 | 2013-07-08 | 삼성전기주식회사 | 공통 모드 필터 및 그 제조 방법 |
DE102018107014A1 (de) * | 2017-09-28 | 2019-03-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Bandsperrfilterstrukturen und Verfahren zum Ausbilden und Betreiben derselben |
RU182125U1 (ru) * | 2017-12-26 | 2018-08-03 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Микрополосковый полосно-пропускающий фильтр |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4203961C2 (de) * | 1991-02-15 | 1995-05-24 | Murata Manufacturing Co | Bandpaßfilter |
JPH04299815A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品 |
US5300903A (en) * | 1991-06-27 | 1994-04-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band-pass filter |
EP0566145B1 (en) * | 1992-04-16 | 1998-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency low-pass filter |
US5404118A (en) * | 1992-07-27 | 1995-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band pass filter with resonator having spiral electrodes formed of coil electrodes on plurality of dielectric layers |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP5347461A patent/JPH07193403A/ja active Pending
-
1996
- 1996-03-26 US US08/621,902 patent/US5612656A/en not_active Expired - Lifetime
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JPWO2009090814A1 (ja) * | 2008-01-17 | 2011-05-26 | 株式会社村田製作所 | ストリップラインフィルタ |
JP5278335B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2013-09-04 | 株式会社村田製作所 | ストリップラインフィルタ |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US5612656A (en) | 1997-03-18 |
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