JPH07193205A - 光電変換素子とその駆動方法 - Google Patents
光電変換素子とその駆動方法Info
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- JPH07193205A JPH07193205A JP5330293A JP33029393A JPH07193205A JP H07193205 A JPH07193205 A JP H07193205A JP 5330293 A JP5330293 A JP 5330293A JP 33029393 A JP33029393 A JP 33029393A JP H07193205 A JPH07193205 A JP H07193205A
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- transparent electrode
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/227—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier
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- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/407—Optical elements or arrangements indirectly associated with the devices
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】入射光吸収を最大にする最適な光学特性を達成
しつつ、フォトダイオード容量を増大する光学変換素子
および駆動方法を提供する。 【構成】フォトダイオード（白金シリサイド１−ｐ型シ
リコン基板２のショットキダイオード）−反射板７間に
透明電極１３を形成する。光は裏面り入射し、白金シリ
サイド膜に腹が来るように反射板７が形成され、入射光
を有効に吸収する。透明電極は白金シリサイド膜に対抗
して、反射板よりも近くに形成される。この透明電極−
白金シリサイド膜間容量はフォトダイオード容量として
利用する。入射光の吸収という光学的特性を最適化する
反射板と、フォトダイオード容量を決定する透明電極に
個別に形成しているので、光学的に最適な厚さを確保し
つつフォトダイオード容量を増大する光学変換素子を提
供することができる。
しつつ、フォトダイオード容量を増大する光学変換素子
および駆動方法を提供する。 【構成】フォトダイオード（白金シリサイド１−ｐ型シ
リコン基板２のショットキダイオード）−反射板７間に
透明電極１３を形成する。光は裏面り入射し、白金シリ
サイド膜に腹が来るように反射板７が形成され、入射光
を有効に吸収する。透明電極は白金シリサイド膜に対抗
して、反射板よりも近くに形成される。この透明電極−
白金シリサイド膜間容量はフォトダイオード容量として
利用する。入射光の吸収という光学的特性を最適化する
反射板と、フォトダイオード容量を決定する透明電極に
個別に形成しているので、光学的に最適な厚さを確保し
つつフォトダイオード容量を増大する光学変換素子を提
供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は裏面照射型光電変換素子
とその駆動方法に関する。
とその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光電変換素子とその駆動方法につ
いて例を挙げて説明する。図３（ａ）は従来の裏面照射
型光電変換素子が２次元に配列されたＣＣＤイメージセ
ンサの単位画素の断面図であり、ここではフォトダイオ
ードに白金シリサイド／シリコン・ショントキダイオー
ドを用いた赤外線センサの場合について示している。ｐ
型シリコン基板２上に白金シリサイド膜１がショットキ
接触されフォトダイオードを形成し、その周辺にはリー
ク電流を抑制するためにｎガードリング３が形成され
る。フォトダイオードに蓄積された電荷は隣接されたＣ
ＣＤで転送され外部に出力される。ＣＣＤはｎウェル６
と転送電極１０及びトランスファゲート電極９で構成さ
れる。電荷を読み出すためにトランスファゲート電極に
印加する駆動波形を図３（ｂ）に示す。ｔ1 〜ｔ2 に高
レベルの高圧を印加してトランスファーゲートを導通状
態とし、フォトダイオードの電位をリセットすると同時
にＣＣＤへ蓄積電荷を読み出している。その後はＣＣＤ
で電荷が転送されるがその動作の説明は省略する。ｔ3
でまた電荷を読み出し、ｔ3 −ｔ2 が電荷蓄積時間とな
る。この読み出し動作は、１フィールドまたは１フレー
ムに１回の割合で行なわれる。
いて例を挙げて説明する。図３（ａ）は従来の裏面照射
型光電変換素子が２次元に配列されたＣＣＤイメージセ
ンサの単位画素の断面図であり、ここではフォトダイオ
ードに白金シリサイド／シリコン・ショントキダイオー
ドを用いた赤外線センサの場合について示している。ｐ
型シリコン基板２上に白金シリサイド膜１がショットキ
接触されフォトダイオードを形成し、その周辺にはリー
ク電流を抑制するためにｎガードリング３が形成され
る。フォトダイオードに蓄積された電荷は隣接されたＣ
ＣＤで転送され外部に出力される。ＣＣＤはｎウェル６
と転送電極１０及びトランスファゲート電極９で構成さ
れる。電荷を読み出すためにトランスファゲート電極に
印加する駆動波形を図３（ｂ）に示す。ｔ1 〜ｔ2 に高
レベルの高圧を印加してトランスファーゲートを導通状
態とし、フォトダイオードの電位をリセットすると同時
にＣＣＤへ蓄積電荷を読み出している。その後はＣＣＤ
で電荷が転送されるがその動作の説明は省略する。ｔ3
でまた電荷を読み出し、ｔ3 −ｔ2 が電荷蓄積時間とな
る。この読み出し動作は、１フィールドまたは１フレー
ムに１回の割合で行なわれる。
【０００３】赤外線は裏面より入射し、フォトダイオー
ドでの光吸収を最大にするため、裏面には反射を低減す
る反射防止膜１２が形成され、白金シリサイド膜１に定
在波の腹が来るように白金シリサイド膜１上には絶縁膜
８に隔てられて反射板７が形成される。通常この反射板
にはアルミニウム等の金属が使用されている。このセン
サの場合３〜５μｍの波長の赤外線を検出するのに使用
されるため、白金シリサイド−反射板間の距離は４μｍ
付近に吸収ピークが来るように調整される。その光学距
離は約（２ｎ＋１）／４波長（ｎは０以上の整数）であ
り、一般的に絶縁膜での光吸収を最小とするために約１
／４波長となっている。具体的にはＳＰＩＥのプロシー
ディング１６８５巻２〜１９ページに示されているよう
に、絶縁膜がＳｉＯ2 膜の場合には７５００オングスト
ローム（以下Ａと略す）、ＳｉＯ膜の場合には５６００
Ａである。この２つの絶縁膜の厚さの違いは、屈折率の
違いによる。このように白金シリサイド−反射板間の距
離は、絶縁膜が決まれば最適値が決まってしまう。とこ
ろが図４に示す様に、この白金シリサイド−反射板間は
フォトダイオード容量（フォトダイオードに蓄積される
電子の数として表している。）の一部として働くことが
分かる。図４は反射板を接地し、白金シリサイド−反射
板間を変化させた時のフォトダイオード容量を、リセッ
ト電圧の関数として示したものである。この時の絶縁膜
はＳｉＯ2 である。最適値に近い酸化膜厚が８０００Ａ
の結果とさらに反射板のない場合との比較から、白金シ
リサイド−反射板間容量はフォトダイオード容量の半分
程度を占め大きな成分であることがわかる。赤外線セン
サでは３００Ｋ輻射光等によるバックグランド成分が大
きく、ダイナミックレンズ拡大のためにフォトダイオー
ド容量を増大する必要がある。前述したように白金シリ
サイド−反射板間容量は、フォトダイオード容量の主要
な成分であるのでこの容量を増大することで効果的にフ
ォトダイオード容量を増大できる。しかし、白金シリサ
イド−反射板間の距離は光学的な特性から最適値が存在
するのでフォトダイオード容量を増大させるために絶縁
膜の厚さを減少させることはできない。また従来、図３
に示した光学変換素子の駆動に於ては、反射板を接地す
ることやパルス電圧を印加することは行なわれていな
い。反射板を接地しない場合には、反射板の電位はフォ
トダイオードの電位と等しくなるので、白金シリサイド
−反射板間容量を利用することはできない。
ドでの光吸収を最大にするため、裏面には反射を低減す
る反射防止膜１２が形成され、白金シリサイド膜１に定
在波の腹が来るように白金シリサイド膜１上には絶縁膜
８に隔てられて反射板７が形成される。通常この反射板
にはアルミニウム等の金属が使用されている。このセン
サの場合３〜５μｍの波長の赤外線を検出するのに使用
されるため、白金シリサイド−反射板間の距離は４μｍ
付近に吸収ピークが来るように調整される。その光学距
離は約（２ｎ＋１）／４波長（ｎは０以上の整数）であ
り、一般的に絶縁膜での光吸収を最小とするために約１
／４波長となっている。具体的にはＳＰＩＥのプロシー
ディング１６８５巻２〜１９ページに示されているよう
に、絶縁膜がＳｉＯ2 膜の場合には７５００オングスト
ローム（以下Ａと略す）、ＳｉＯ膜の場合には５６００
Ａである。この２つの絶縁膜の厚さの違いは、屈折率の
違いによる。このように白金シリサイド−反射板間の距
離は、絶縁膜が決まれば最適値が決まってしまう。とこ
ろが図４に示す様に、この白金シリサイド−反射板間は
フォトダイオード容量（フォトダイオードに蓄積される
電子の数として表している。）の一部として働くことが
分かる。図４は反射板を接地し、白金シリサイド−反射
板間を変化させた時のフォトダイオード容量を、リセッ
ト電圧の関数として示したものである。この時の絶縁膜
はＳｉＯ2 である。最適値に近い酸化膜厚が８０００Ａ
の結果とさらに反射板のない場合との比較から、白金シ
リサイド−反射板間容量はフォトダイオード容量の半分
程度を占め大きな成分であることがわかる。赤外線セン
サでは３００Ｋ輻射光等によるバックグランド成分が大
きく、ダイナミックレンズ拡大のためにフォトダイオー
ド容量を増大する必要がある。前述したように白金シリ
サイド−反射板間容量は、フォトダイオード容量の主要
な成分であるのでこの容量を増大することで効果的にフ
ォトダイオード容量を増大できる。しかし、白金シリサ
イド−反射板間の距離は光学的な特性から最適値が存在
するのでフォトダイオード容量を増大させるために絶縁
膜の厚さを減少させることはできない。また従来、図３
に示した光学変換素子の駆動に於ては、反射板を接地す
ることやパルス電圧を印加することは行なわれていな
い。反射板を接地しない場合には、反射板の電位はフォ
トダイオードの電位と等しくなるので、白金シリサイド
−反射板間容量を利用することはできない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の課題
に鑑み、入射光吸収を最大にする最適な光学特性を達成
しつつ、フォトダイオード容量を増大する光電変換素子
および駆動方法を提供することを目的とする。
に鑑み、入射光吸収を最大にする最適な光学特性を達成
しつつ、フォトダイオード容量を増大する光電変換素子
および駆動方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光電変換素子
は、フォトダイオード上に絶縁膜を介して入射光を反射
する反射板が設置された裏面照射型光電変換素子に於
て、フォトダイオード−反射板間に透明電極を形成した
ことを特徴としている。
は、フォトダイオード上に絶縁膜を介して入射光を反射
する反射板が設置された裏面照射型光電変換素子に於
て、フォトダイオード−反射板間に透明電極を形成した
ことを特徴としている。
【０００６】又、本発明の光電変換素子の駆動方法は、
フォトダイオード上に絶縁膜を介して入射光を反射する
反射板が設置された裏面照射型光電変換素子、又はさら
にフォトダイオード−反射板間に透明電極が形成された
光電変換素子に於て、それぞれ反射板および透明電極
に、所定のタイミングでフォトダイオード電位リセット
時の方が電荷蓄積時よりも電位が低いようにパルス電圧
を印加することを特徴としている。
フォトダイオード上に絶縁膜を介して入射光を反射する
反射板が設置された裏面照射型光電変換素子、又はさら
にフォトダイオード−反射板間に透明電極が形成された
光電変換素子に於て、それぞれ反射板および透明電極
に、所定のタイミングでフォトダイオード電位リセット
時の方が電荷蓄積時よりも電位が低いようにパルス電圧
を印加することを特徴としている。
【０００７】第１の発明では入射光の吸収という光学的
特性を最適化する反射板と、フォトダイオード容量を決
定する透明電極を別個に形成しているので、光学的に最
適な厚さを確保しつつフォトダイオード容量を最大する
光学変換素子を提供することができる。
特性を最適化する反射板と、フォトダイオード容量を決
定する透明電極を別個に形成しているので、光学的に最
適な厚さを確保しつつフォトダイオード容量を最大する
光学変換素子を提供することができる。
【０００８】また第２の発明では反射板の位置とは関係
なしに、白金シリサイドに対向する電極にパルス電圧を
印加することによってフォトダイオード容量を増大させ
ているので、光学的特性の最適化とフォトダイオード容
量の増大を独立に行なうことができる。
なしに、白金シリサイドに対向する電極にパルス電圧を
印加することによってフォトダイオード容量を増大させ
ているので、光学的特性の最適化とフォトダイオード容
量の増大を独立に行なうことができる。
【０００９】
（実施例１）まず、第１の発明の実施例について具体的
に説明する。図１は第１の発明の光電変換素子の一実施
例であり、従来例と同様に光学変換素子に蓄積された電
荷をＣＣＤで読み出す素子の断面図を示している。この
実施例が図３（ａ）に示した従来例と異なる点は、白金
シリサイド膜１−反射板７間に透明電極１３が絶縁膜８
中に存在していることである。この透明電極としては１
００Ａ以下の白金シリサイド等の金属薄膜や、光電変換
する波長のエネルギーよりもバンドキャップの大きな半
導体を使用する。本実施例の３〜５μｍ帯の赤外線光電
変換素子の場合そのエネルギーは０．４ｅＶ以下である
ので、それよりバンドキャップの大きなポリクリスタル
シリコン、アモルファスシリコンやＺｎＳｅの等の半導
体を透明電極として使用できる。この場合抵抗値との兼
合から透明電極はある程度の厚さを持つが、白金シリサ
イド−反射板間の最適な光学距離は従来例で述べたよう
に約（２ｎ＋１）／４波長（ｎは０以上の整数）である
ので、整数ｎの値を調整することで最適な光学特性を達
成することができる。また白金シリサイド薄膜は４０Ａ
程度ではその透過率は３〜５μｍで８０％以上であるの
で、透明電極として使用できる。この場合には透明電極
の厚さが十分薄く、最適な光学距離は約１／４波長とな
る。
に説明する。図１は第１の発明の光電変換素子の一実施
例であり、従来例と同様に光学変換素子に蓄積された電
荷をＣＣＤで読み出す素子の断面図を示している。この
実施例が図３（ａ）に示した従来例と異なる点は、白金
シリサイド膜１−反射板７間に透明電極１３が絶縁膜８
中に存在していることである。この透明電極としては１
００Ａ以下の白金シリサイド等の金属薄膜や、光電変換
する波長のエネルギーよりもバンドキャップの大きな半
導体を使用する。本実施例の３〜５μｍ帯の赤外線光電
変換素子の場合そのエネルギーは０．４ｅＶ以下である
ので、それよりバンドキャップの大きなポリクリスタル
シリコン、アモルファスシリコンやＺｎＳｅの等の半導
体を透明電極として使用できる。この場合抵抗値との兼
合から透明電極はある程度の厚さを持つが、白金シリサ
イド−反射板間の最適な光学距離は従来例で述べたよう
に約（２ｎ＋１）／４波長（ｎは０以上の整数）である
ので、整数ｎの値を調整することで最適な光学特性を達
成することができる。また白金シリサイド薄膜は４０Ａ
程度ではその透過率は３〜５μｍで８０％以上であるの
で、透明電極として使用できる。この場合には透明電極
の厚さが十分薄く、最適な光学距離は約１／４波長とな
る。
【００１０】白金シリサイド−透明電極間の容量は誘電
体の挾まれた平行平板コンデンサ容量であるので、間隔
が小さいほどフォトダイオード容量は大きくなる。その
間隔は従来例の図３と比較して、白金シリサイド−反射
板間から白金シリサイド−透明電極間に縮小されるの
で、フォトダイオード容量を増大することができる。つ
まり本発明の光電変換素子によれば入射光吸収を最大に
する最適な光学特性を達成しつつ、フォトダイオード容
量の増大を実現できる。
体の挾まれた平行平板コンデンサ容量であるので、間隔
が小さいほどフォトダイオード容量は大きくなる。その
間隔は従来例の図３と比較して、白金シリサイド−反射
板間から白金シリサイド−透明電極間に縮小されるの
で、フォトダイオード容量を増大することができる。つ
まり本発明の光電変換素子によれば入射光吸収を最大に
する最適な光学特性を達成しつつ、フォトダイオード容
量の増大を実現できる。
【００１１】なお本実施例では読み出し回路としてＣＣ
Ｄを用いた場合について説明したが、本発明は光電変換
部の特性を向上するものであるので、当然ＭＯＳやＣＳ
Ｄなど他の読み出し回路を利用したセンサにも適用可能
である。さらに単体センサおよび１次元または２次元の
アレイセンサの何れにも適用できる。 （実施例２）次に第２の発明である光電変換素子の駆動
方法の実施例について具体的に説明する。この場合の光
電変換素子としては、図１に示すように透明電極を持つ
構造でも従来例の様に反射板しか持たない構造の何れで
も実施可能である。図２は本発明の一実施例の、トラン
スファゲート電極及び白金シリサイドに対向する電極
（反射板又は透明電極）に印加するパルス電圧のタイミ
ングを示している。この図が従来例を示す図３（ｂ）と
異なる点は白金シリサイドに対向する電極にパルス電圧
を印加していることである。ｔ1 〜ｔ3 でトランスファ
ゲートに高レベルの電圧を印加することで、フォトダイ
オードの電位をＶrst にリセットすると同時にＣＣＤに
読みだす。フォトダイオードをリセット中のｔ2 で対向
電極の電圧をＶAl,strからＶAl,rstとし、リセット後ｔ
4 でＶAl,strとする。
Ｄを用いた場合について説明したが、本発明は光電変換
部の特性を向上するものであるので、当然ＭＯＳやＣＳ
Ｄなど他の読み出し回路を利用したセンサにも適用可能
である。さらに単体センサおよび１次元または２次元の
アレイセンサの何れにも適用できる。 （実施例２）次に第２の発明である光電変換素子の駆動
方法の実施例について具体的に説明する。この場合の光
電変換素子としては、図１に示すように透明電極を持つ
構造でも従来例の様に反射板しか持たない構造の何れで
も実施可能である。図２は本発明の一実施例の、トラン
スファゲート電極及び白金シリサイドに対向する電極
（反射板又は透明電極）に印加するパルス電圧のタイミ
ングを示している。この図が従来例を示す図３（ｂ）と
異なる点は白金シリサイドに対向する電極にパルス電圧
を印加していることである。ｔ1 〜ｔ3 でトランスファ
ゲートに高レベルの電圧を印加することで、フォトダイ
オードの電位をＶrst にリセットすると同時にＣＣＤに
読みだす。フォトダイオードをリセット中のｔ2 で対向
電極の電圧をＶAl,strからＶAl,rstとし、リセット後ｔ
4 でＶAl,strとする。
【００１２】フォトダイオードの電位はＶrst にリセッ
トされたのち、電荷が蓄積されるにしたがって電位が下
がり０Ｖになるまで電荷が蓄積される。電位がＶPDのと
きにフォトダイオードに蓄積されている電子の数をＮ
（ＶPD）とすると、Ｎ（ＶPD＝０）は読みだされないの
でＣＣＤへ読みだされる実効的な電荷量ＮPDは次式で与
えられる。
トされたのち、電荷が蓄積されるにしたがって電位が下
がり０Ｖになるまで電荷が蓄積される。電位がＶPDのと
きにフォトダイオードに蓄積されている電子の数をＮ
（ＶPD）とすると、Ｎ（ＶPD＝０）は読みだされないの
でＣＣＤへ読みだされる実効的な電荷量ＮPDは次式で与
えられる。
【００１３】 ＮPD＝Ｎ（ＶPD＝Ｖrst ）−Ｎ（ＶPD＝０） ＮPDの一部である白金シリサイドとその対向電極間の容
量に蓄積される電子数はεdi（ＶPD−ＶAl）Ｓ／ｑｄdi
で与えられるので、図２に示すようなパルス電圧を印加
した場合には、実効的に電荷量Ｎdiは次式で与えられ
る。ここでεdi, ｄdiはそれぞれ絶縁体の誘電率、厚さ
であり、ＶAlは対向電極の電圧、Ｓはフォトダイオード
面積、ｑは素電荷である。 Ｎdi＝εdi（Ｖrst −ＶAl,rst）Ｓ／ｑｄdi−εdi（０
−ＶAl,str) Ｓ／ｑｄdi＝εdiＶrst Ｓ／ｑｄdi＋εdi
（ＶAl,str−ＶAl,rst）Ｓ／ｑｄdi 対向電極の電位が一定の場合にはＶAl,str＝ＶAl,rstで
第２項が０であるのに対し、ＶAl,str〉ＶAl,rstであれ
ば第２項分だけフォトダイオード容量を増加させること
ができる。
量に蓄積される電子数はεdi（ＶPD−ＶAl）Ｓ／ｑｄdi
で与えられるので、図２に示すようなパルス電圧を印加
した場合には、実効的に電荷量Ｎdiは次式で与えられ
る。ここでεdi, ｄdiはそれぞれ絶縁体の誘電率、厚さ
であり、ＶAlは対向電極の電圧、Ｓはフォトダイオード
面積、ｑは素電荷である。 Ｎdi＝εdi（Ｖrst −ＶAl,rst）Ｓ／ｑｄdi−εdi（０
−ＶAl,str) Ｓ／ｑｄdi＝εdiＶrst Ｓ／ｑｄdi＋εdi
（ＶAl,str−ＶAl,rst）Ｓ／ｑｄdi 対向電極の電位が一定の場合にはＶAl,str＝ＶAl,rstで
第２項が０であるのに対し、ＶAl,str〉ＶAl,rstであれ
ば第２項分だけフォトダイオード容量を増加させること
ができる。
【００１４】なお第１および第２の発明の実施例では、
トランスファゲートをトランスファゲート電極で制御す
る場合について示したが、転送電極をトランスファゲー
ト領域まで伸ばし転送電極に３値パルスを印加する場合
にも、本発明は同様に適用できる。
トランスファゲートをトランスファゲート電極で制御す
る場合について示したが、転送電極をトランスファゲー
ト領域まで伸ばし転送電極に３値パルスを印加する場合
にも、本発明は同様に適用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上に説明したように本発明による光電
変換素子またはその駆動方法によれば、入射光吸収を最
大にする最適な光学特性を達成しつつ、フォトダイオー
ド容量を増大することができる。
変換素子またはその駆動方法によれば、入射光吸収を最
大にする最適な光学特性を達成しつつ、フォトダイオー
ド容量を増大することができる。
【図１】第１の発明の一実施例を示す図。
【図２】第２の発明の実施例を示す図である。
【図３】従来例を示す図である。
【図４】白金シリサイド−反射板間の距離を変化させた
時の、ＣＣＤへ読み出し可能な電子数で表わしたフォト
ダイオード容量をフォトダイオードリセット電圧の関数
として示した図である。
時の、ＣＣＤへ読み出し可能な電子数で表わしたフォト
ダイオード容量をフォトダイオードリセット電圧の関数
として示した図である。
１ 白金シリサイド ２ ｐ型Ｓｉ基板 ３ ｎガードリング ４ ｎ+ 領域 ５ ｐ+ チャネルストップ ６ ｎウェル ７ 反射板 ８ 絶縁膜 ９ トランスファゲート電極 １０ 転送電極 １１ 熱酸化膜 １２ 反射防止膜 １３ 透明電極
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトダイオード上に絶縁膜を介して入
射光を反射する反射板が設置された裏面照射型光電変換
素子に於て、フォトダイオード−反射板間に透明電極を
形成したことを特徴とする光電変換素子。 - 【請求項２】 フォトダイオード上に絶縁膜を介して入
射光を反射する反射板が設置された裏面照射型光電変換
素子、又はさらにフォトダイオード−反射板間に透明電
極が形成された光電変換素子に於て、それぞれ反射板お
よび透明電極に、所定のダイミングでフォトダイオード
電位リセット時の方が電荷蓄積時よりも電位が低いよう
にパルス電圧を印加することを特徴とする光電変換素子
の駆動方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5330293A JP2797941B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 光電変換素子とその駆動方法 |
| US08/358,015 US5598016A (en) | 1993-12-27 | 1994-12-16 | Back-illuminated type photoelectric conversion device |
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