JPH07147207A - チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 安価にチップ抵抗器を製造することを目的と
する。 【構成】 分割溝２を有する絶縁基板１の表面上に、一
対の第一次薄膜上面電極層３を形成する工程Ｂと、抵抗
体層４を形成する工程Ｃと、一対の第二次厚膜上面電極
層６を形成する工程Ｅと、抵抗体層４の抵抗値を修正す
る工程Ｆと、この抵抗体層４をオーバーコートガラス層
８で覆う工程Ｇと、絶縁基板１を一次分割する工程Ｈ
と、端面電極層９を形成する工程Ｉと、一次分割した基
板を個片１ｂに分割する工程とＪと、電極部にめっき層
１０を形成する工程Ｋとからなり、抵抗値が安定し信頼
性に優れた安価なチップ抵抗器を製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般的に電子回路に用
いられるチップ抵抗器の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハイブリッドＩＣの小形・軽量・
薄形化が進むにつれ、電子部品の高密度実装化、省資源
化、信頼性の向上等をねらった新製品開発が進んできて
いる。電子部品の一つとしてのチップ抵抗器において
も、従来にも増して小形で高精度であり、しかも低コス
トのものが需要者側から広く要望されてきている。

【０００３】以下、従来のチップ抵抗器の製造方法の一
例を図３の工程図に基づいて説明する。

【０００４】すなわち、まず、工程ａにおいて高純度の
アルミナ基板等からなる耐熱性の絶縁基板２１の受け入
れを行う。この絶縁基板２１には短冊状及び個片状に分
割するための分割溝２２が形成されている。次に、工程
ｂで絶縁基板２１上の各個片状部の両側部にＡｕ系の上
面電極層２３を形成する。そして工程ｃにおいてこの上
面電極層２３の一部に重なるように抵抗体層２４を形成
する。次に、工程ｄでこの抵抗体層２４の抵抗値を所定
の値に修正するために、レーザートリミング法等によっ
て抵抗体層２４にトリミング溝２５を形成する抵抗値修
正の工程を実行する。

【０００５】次に、工程ｅでは工程ｄで形成した抵抗体
層２４を保護するために、その表面にオーバーコート用
のガラス層２６を形成する。次の工程ｆは絶縁基板２１
を短冊状基板２１ａに分割する一次基板分割工程であ
り、この工程は次の工程ｇにて短冊状基板２１ａの端面
に端面電極層２７を形成するための準備工程である。

【０００６】また次の工程ｈは短冊状基板２１ａを個片
状基板２１ｂに分割する二次基板分割工程であり、次工
程ｉで露出している電極面をめっきを施す準備工程とな
るもので、工程ｉにおいてはんだ付け時の信頼性の確保
のための電極めっき層２８を電極面に形成するように
し、これらの工程ａ〜ｉによってチップ抵抗器を形成し
ていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のチップ
抵抗器は抵抗温度係数を±５０ｐｐｍ／℃以内とするた
め、一般的に上面電極層２３にＡｕ系のペーストを使用
するが、厚膜のＡｕは高価なため生産コストの増大につ
ながるものであった。このために、上面電極層２３にＡ
ｕ系の金属有機物ペースト（レジネートペースト）を使
用すれば、薄膜による上面電極層が形成でき、安価にチ
ップ抵抗器を製造することはできる。しかしながら、上
面電極層が薄膜のために工程ｄの抵抗値修正工程におい
て、絶縁基板２１の表面粗さの影響を受けやすくなり、
測定端子との接触不良を生じて抵抗値不良が多発すると
いう課題を有していた。

【０００８】本発明は上記課題を解決するもので、上面
電極層に厚膜のＡｕペーストを使用した場合と同等の優
れた信頼性を有し、しかも抵抗値修正工程において測定
端子との接触不良をなくすことで、抵抗値不良による歩
留悪化を低減させ、安価にチップ抵抗器を提供できるよ
うにすることを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のチップ抵抗器の製造方法は、表裏面の少なく
とも一方に互いに相対するように設けた縦方向及び横方
向の分割溝を有する絶縁基板の表面上に、Ａｕ系の金属
有機物からなる電極材料を印刷し焼成して一対の第一次
薄膜上面電極層を形成する工程と、この一対の第一次薄
膜上面電極層に重なるように抵抗体層を形成する工程
と、この抵抗体層に掛からないようにし、かつ前記第一
次薄膜上面電極層上に一対の第二次厚膜上面電極層を形
成する工程と、前記抵抗体層の抵抗値を修正する工程
と、この抵抗体層を完全に覆うようにオーバーコートガ
ラス層を形成する工程と、前記絶縁基板に端面電極層を
形成するために前記絶縁基板を一次分割する工程と、こ
の一次分割した基板の端面部に電極層の形成を行う工程
と、電極用めっき層を形成するために前記一次分割した
基板を個片に二次分割する工程と、二次分割後露出した
電極部にめっき層を形成する工程とを備えたものであ
る。

【００１０】

【作用】上記した構成により、第一次薄膜上面電極層に
は金属有機物ペーストを使用しているので材料コストを
下げることができるとともに、第一次薄膜上面電極層の
上に第二次厚膜上面電極層として厚膜電極層を抵抗体に
掛からないように重ねて形成しているので、抵抗値を修
正する工程において測定端子がこの第二次厚膜上面電極
層と接触するため、薄膜上面電極層のみ形成した場合と
は異なり、基板の表面粗さの影響を受けず、測定端子結
合時の接触不良による抵抗値不良を低減できる。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の一実施例について、図１，図
２を用いて説明する。

【００１２】図１はチップ抵抗器の製造方法の一例を示
す工程図で、図２はその工程によって製造した製品の断
面図である。図において、Ａは受け入れ工程であり、ま
ず、工程Ａで耐熱性及び絶縁性に優れた例えばアルミナ
９６からなる絶縁基板１を受け入れる。この絶縁基板１
の表裏面には、絶縁基板１を短冊状及び個片状に分割で
きるように、両面に互いに相対するように設けた縦方向
及び横方向の分割溝２がグリーンシート時の金型成形等
によって形成されている。

【００１３】次に、工程Ｂでは、絶縁基板１の表面に形
成した各個片状部の両側部にＡｕを主成分とした金属有
機物からなる電極ペーストをスクリーン印刷し、かつベ
ルト式連続焼成炉によって８５０℃の温度で、ピーク時
間６分、ＩＮ−ＯＵＴ（保持）時間４５分のプロファイ
ル（設定条件）によって焼成して第一次薄膜上面電極層
３を形成する。

【００１４】次に、工程Ｃでは、第一次薄膜上面電極層
３の一部に重なるようにＲｕＯ₂系からなる抵抗ペース
トをスクリーン印刷し、かつベルト式連続焼成炉によっ
て８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時
間４５分のプロファイルにより焼成して抵抗体層４を各
個片部に形成する。

【００１５】次に、工程Ｄでは、工程Ｃで形成した抵抗
体層４を保護し、後工程でのレーザートリミング性を向
上させるために、抵抗体層４を完全に覆うようにプリコ
ート用のガラスペーストをスクリーン印刷し、かつベル
ト式連続焼成炉によって６００℃の温度で、ピーク時間
６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルにより焼
成してプリコートガラス層５を形成する。

【００１６】次に、工程Ｅでは、後工程Ｆの抵抗値修正
工程において測定端子結合時の接触不良による抵抗値不
良をなくすために、第一次薄膜上面電極層３の上に５５
０〜６５０℃の軟化点を有するＡｇ系のペーストをスク
リーン印刷し、かつベルト式連続焼成炉によって６００
℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分
のプロファイルにより焼成して第二次厚膜上面電極層６
を形成する。そして、抵抗体層４の抵抗値を所定の値に
修正するために、レーザー光によって抵抗体層４にトリ
ミング溝７を形成する抵抗値修正の工程Ｆを実行する。

【００１７】次に、工程Ｇで前工程までに得た抵抗体層
４の保護のために、プリコートガラス層５を完全に覆う
ようにオーバーコート用のガラスペーストをスクリーン
印刷し、かつベルト式連続焼成炉によって６００℃の温
度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロ
ファイルにより焼成してオーバーコートガラス層８を形
成する。

【００１８】次の工程Ｈは絶縁基板１を短冊状に分割し
て短冊状基板１ａを得る基板一次分割工程であり、この
工程Ｈは次工程Ｉで端面電極層９を形成するための準備
工程となり、端面電極を露出させる工程である。

【００１９】工程Ｉでは、短冊状基板１ａの側面に、第
二次厚膜上面電極層６の一部と重なるように厚膜のＡｇ
ペーストをローラーによって塗布し、かつベルト式連続
焼成炉によって６００℃の温度で、ピーク時間６分、Ｉ
Ｎ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルにて焼成して端面
電極層９を形成する。

【００２０】次に、端面電極層９にめっきを施すための
準備工程として、端面電極層９が形成済みとなった短冊
状基板１ａを、個片状基板１ｂに分割する基板二次分割
の工程Ｊを実行する。

【００２１】そして最後に、露出している第二次厚膜上
面電極層６と端面電極層９のはんだ付け時の電極喰われ
（消失）の防止及びはんだ付け時の信頼性の確保のた
め、電解めっきによってＮｉ，Ｓｎ−Ｐｂのめっき層１
０を形成する工程Ｋを実行する。

【００２２】以上の工程Ａ〜Ｋの実行により、図２に示
すようなチップ抵抗器１１を試作した。

【００２３】このように本発明のチップ抵抗器の製造方
法により、抵抗値修正工程における測定端子結合時の接
触不良による抵抗値不良率を、上面電極層に金属有機物
ペーストを使用した従来のチップ抵抗器の１０％からほ
ぼ０％にまで低減させることができた。

【００２４】なお、本発明の実施例では、抵抗体層４を
保護するためにプリコート用ガラスペーストを印刷・焼
成する工程Ｄを加えているが、この工程Ｄを削除しても
よい。

【００２５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
チップ抵抗器の製造方法によれば、次のような効果が得
られる。 （１） Ａｕ系の金属有機物ペーストを焼成して、第一
次薄膜上面電極層を形成するので、重なり合った抵抗膜
層との間の反応拡散を低減させることができ、厚膜Ａｕ
系ペーストを上面電極層に使用した従来のチップ抵抗器
と同等の特性を有するチップ抵抗器を安価に提供でき
る。 （２） プリコートガラス層と端面電極層に囲まれた第
一次薄膜上面電極層の全面を厚膜Ａｇペーストによる第
二次厚膜上面電極層で被覆すれば、抵抗値修正工程にお
いて測定端子がこの第二次厚膜上面電極層と接触するた
め、絶縁基板の表面粗さの影響を受けず、測定端子結合
時の接触不良による抵抗値不良をなくすることができ
る。また、第二次厚膜上面電極層を形成するために導電
性樹脂ペーストを使用する場合も考えられるが、その場
合よりも厚膜グレーズペーストを使用して高温（６００
℃）で形成することにより、上面電極強度を強くするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例のチップ抵抗器の製造方法を
示す工程図

【図２】同製造方法で得たチップ抵抗器の断面図

【図３】従来のチップ抵抗器の製造方法を示す工程図

【符号の説明】

１ 絶縁基板 １ｂ 個片状基板（個片） ２ 分割溝 ３ 第一次薄膜上面電極層 ４ 抵抗体層 ６ 第二次厚膜上面電極層 ８ オーバーコートガラス層 ９ 端面電極層 １０ めっき層 １１ チップ抵抗器

フロントページの続き (72)発明者 福岡 章夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表裏面の少なくとも一方に互いに相対す
   るように設けた縦方向及び横方向の分割溝を有する絶縁
   基板の表面上に、Ａｕ系の金属有機物からなる電極材料
   を印刷し焼成して一対の第一次薄膜上面電極層を形成す
   る工程と、この一対の第一次薄膜上面電極層に重なるよ
   うに抵抗体層を形成する工程と、この抵抗体層に掛から
   ないようにし、かつ前記第一次薄膜上面電極層上に一対
   の第二次厚膜上面電極層を形成する工程と、前記抵抗体
   層の抵抗値を修正する工程と、この抵抗体層を完全に覆
   うようにオーバーコートガラス層を形成する工程と、前
   記絶縁基板に端面電極層を形成するために前記絶縁基板
   を一次分割する工程と、この一次分割した基板の端面部
   に電極層の形成を行う工程と、電極用めっき層を形成す
   るために前記一次分割した基板を個片に二次分割する工
   程と、二次分割後露出した電極部にめっき層を形成する
   工程とを備えたことを特徴とするチップ抵抗器の製造方
   法。
2. 【請求項２】 第二次厚膜上面電極層は、５５０〜６５
   ０℃の軟化点を有するＡｇ系の厚膜グレーズペーストを
   印刷・焼成して形成することを特徴とする請求項１記載
   のチップ抵抗器の製造方法。