JPH07114292B2 - 半導体装置及びその製法 - Google Patents
半導体装置及びその製法Info
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- JPH07114292B2 JPH07114292B2 JP61306032A JP30603286A JPH07114292B2 JP H07114292 B2 JPH07114292 B2 JP H07114292B2 JP 61306032 A JP61306032 A JP 61306032A JP 30603286 A JP30603286 A JP 30603286A JP H07114292 B2 JPH07114292 B2 JP H07114292B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、大面積で光電変換特性の優れた多重接合構造
（タンデム）太陽電池及びその製造方法に関する。
（タンデム）太陽電池及びその製造方法に関する。
従来の小面積多重接合構造太陽電池の例として、第３図
に各ａ−Si:H層をSiH4及びその混合ガスのグロー放電分
解法によって形成したGlass/SnO2/pinpina−Si:H/Al構
造のアモルファスシリコン２重接合太陽電池の構造図を
示す。このアモルファスシリコン２重接合太陽電池にお
ける各非晶質シリコン層の膜厚は、例えば基板１側から
それぞれｐ層３が100Å、ｉ層４が600Å、ｎ層５が200
Å、ｐ層６が150Å、ｉ層７が5000Å、ｎ層８が200Åで
製造される。この構造においては、ｎ層５でｐ層６が直
接接するn/p界面が存在し、この接合が逆接続となるた
めに太陽電池の開放電圧、曲線因子の低下をまねき、ひ
いては素子光電変換効率を低下させる原因となってい
た。
に各ａ−Si:H層をSiH4及びその混合ガスのグロー放電分
解法によって形成したGlass/SnO2/pinpina−Si:H/Al構
造のアモルファスシリコン２重接合太陽電池の構造図を
示す。このアモルファスシリコン２重接合太陽電池にお
ける各非晶質シリコン層の膜厚は、例えば基板１側から
それぞれｐ層３が100Å、ｉ層４が600Å、ｎ層５が200
Å、ｐ層６が150Å、ｉ層７が5000Å、ｎ層８が200Åで
製造される。この構造においては、ｎ層５でｐ層６が直
接接するn/p界面が存在し、この接合が逆接続となるた
めに太陽電池の開放電圧、曲線因子の低下をまねき、ひ
いては素子光電変換効率を低下させる原因となってい
た。
このn/p逆接合部の存在に起因する光電変換効率の低下
を抑制する方法として、第４図に示すようにｎ層５とｐ
層６との間に中間層10を介在させる方法が考えられてい
る。この例は、第３図に示した太陽電池を基本構造と
し、n/p界面にNiで50Åの層をEB（Electron Beam）蒸着
法により形成したものである。中間層10は、光吸収量の
小さなMo、Cr、Ti、Ｗ、Zn、Nb、Ta、Ni、Hf等の金属薄
膜やこれらの金属とシリコンの合金薄膜、若しくは、こ
れらの層を含む複層薄膜で形成される。
を抑制する方法として、第４図に示すようにｎ層５とｐ
層６との間に中間層10を介在させる方法が考えられてい
る。この例は、第３図に示した太陽電池を基本構造と
し、n/p界面にNiで50Åの層をEB（Electron Beam）蒸着
法により形成したものである。中間層10は、光吸収量の
小さなMo、Cr、Ti、Ｗ、Zn、Nb、Ta、Ni、Hf等の金属薄
膜やこれらの金属とシリコンの合金薄膜、若しくは、こ
れらの層を含む複層薄膜で形成される。
このように中間層10をn/p界面に形成し、その面積を１c
m2としたタンデム太陽電池では、AM−１、100mW/cm2で
の短絡電流、開放電圧、曲線因子、光電変換効率が、そ
れぞれ7.2mA/cm2、1.66Volt、0.71、8.5％となった。こ
れに対して従来の中間層を含まないタンデム太陽電池に
おける同様の特性値をみると、それぞれは7.4mA/cm2、
1.52Volt、0.64、7.2％となり、両者を比較すると、前
者の方に開放電圧及び曲線因子で大幅な改善が見られ
る。
m2としたタンデム太陽電池では、AM−１、100mW/cm2で
の短絡電流、開放電圧、曲線因子、光電変換効率が、そ
れぞれ7.2mA/cm2、1.66Volt、0.71、8.5％となった。こ
れに対して従来の中間層を含まないタンデム太陽電池に
おける同様の特性値をみると、それぞれは7.4mA/cm2、
1.52Volt、0.64、7.2％となり、両者を比較すると、前
者の方に開放電圧及び曲線因子で大幅な改善が見られ
る。
一方、このような小面積の太陽電池は、例えば屋外電力
用として大面積化すると、透明電極のシート抵抗が無視
できなくなり、また、高電圧を必要とするといった問題
がある。そのため、同一基板上での集積化を行うのが一
般的である。この目的にそって、従来の方法で得られた
集積化後のタンデム太陽電池の断面図の例を示したのが
第２図である。集積化後の構造は他にも類似の構造が多
数存在するが、従来より、例えばこの第２図に示すよう
に同一基板１上に分離して電極２を形成し、さらにその
上に多重接合構造半導体層３〜８を形成すると共に、そ
の一部をレーザースクライビング法により除去して半導
体装置を製造している。
用として大面積化すると、透明電極のシート抵抗が無視
できなくなり、また、高電圧を必要とするといった問題
がある。そのため、同一基板上での集積化を行うのが一
般的である。この目的にそって、従来の方法で得られた
集積化後のタンデム太陽電池の断面図の例を示したのが
第２図である。集積化後の構造は他にも類似の構造が多
数存在するが、従来より、例えばこの第２図に示すよう
に同一基板１上に分離して電極２を形成し、さらにその
上に多重接合構造半導体層３〜８を形成すると共に、そ
の一部をレーザースクライビング法により除去して半導
体装置を製造している。
しかしながら、第２図に代表されるような集積化を行っ
た場合、中間層10を介したリークが発生し、そのために
装置としての光電変換性能を著しく低下させることにな
る。すなわち、中間層10として金属や金属とシリコンの
合金を用いると、この中間層10は半導体層３〜８と比較
して低抵抗であるため、半導体除去端面に比較的近い部
分で発生したキャリヤー（正孔あるいは電子）の一部
は、中間層10を介して裏面電極９に流れ込み、リーク電
流が発生する。そのため、太陽電池として用いた場合、
著しい性能の低下が起こる。
た場合、中間層10を介したリークが発生し、そのために
装置としての光電変換性能を著しく低下させることにな
る。すなわち、中間層10として金属や金属とシリコンの
合金を用いると、この中間層10は半導体層３〜８と比較
して低抵抗であるため、半導体除去端面に比較的近い部
分で発生したキャリヤー（正孔あるいは電子）の一部
は、中間層10を介して裏面電極９に流れ込み、リーク電
流が発生する。そのため、太陽電池として用いた場合、
著しい性能の低下が起こる。
本発明は、中間層を含む多重接合構造半導体層の一部を
レーザースクライビング法により除去する際に、中間層
を介した電流リークの発生に起因して装置の光電変換効
率が低下するという問題を解決することを目的とするも
のである。
レーザースクライビング法により除去する際に、中間層
を介した電流リークの発生に起因して装置の光電変換効
率が低下するという問題を解決することを目的とするも
のである。
そのために本発明の半導体装置は、同一基板上に存在す
る分離された電極上に形成された低抵抗の中間層を含む
多重接合構造半導体の一部を除去して製造された半導体
装置において、除去された端面から100Åまでの幅の中
間層の平均酸素量が0.5〜10原子％以上、さらに好まし
くは20原子％以上にすることを特徴とするものであり、
この半導体装置の製造方法は、同一基板上に存在する分
離された電極上に形成された中間層を含む非晶質多重接
合構造半導体の一部を除去して半導体装置を製造する際
に、酸化性雰囲気中でレーザー光線を用いて半導体層の
一部を除去することを特徴とするものである。
る分離された電極上に形成された低抵抗の中間層を含む
多重接合構造半導体の一部を除去して製造された半導体
装置において、除去された端面から100Åまでの幅の中
間層の平均酸素量が0.5〜10原子％以上、さらに好まし
くは20原子％以上にすることを特徴とするものであり、
この半導体装置の製造方法は、同一基板上に存在する分
離された電極上に形成された中間層を含む非晶質多重接
合構造半導体の一部を除去して半導体装置を製造する際
に、酸化性雰囲気中でレーザー光線を用いて半導体層の
一部を除去することを特徴とするものである。
本発明の半導体装置及びその製法では、除去された端面
近傍における中間層の平均酸素量が高いので中間層を介
した電流リークが抑制される。また、酸化性雰囲気中で
レーザー光線を用いて半導体層の一部を除去するので、
簡便な製法により端面近傍における中間層の平均酸素量
を高めることができる。
近傍における中間層の平均酸素量が高いので中間層を介
した電流リークが抑制される。また、酸化性雰囲気中で
レーザー光線を用いて半導体層の一部を除去するので、
簡便な製法により端面近傍における中間層の平均酸素量
を高めることができる。
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第１図は中間層を含む２層タンデム太陽電池を集積化し
た半導体装置の断面図で本発明の製造方法にて製造した
半導体装置の１実施例を示す図である。
た半導体装置の断面図で本発明の製造方法にて製造した
半導体装置の１実施例を示す図である。
本発明の半導体装置は、第１図に示すように同一のガラ
ス基板１上に分離して電極２を形成し、さらにその上に
低抵抗の中間層10を含む多重接合構造半導体層（３〜
８）を形成すると共に、その一部を除去して製造された
半導体装置であり、さらにその除去された端面から100
Åまでの幅を酸化された中間層11で形成するものであ
る。この場合の酸化された中間層11の平均酸素量は、0.
5〜10原子％以上、好ましくは20原子％以上とする。こ
の多重接合構造半導体層の一部を除去して半導体装置を
製造する場合には、酸化性雰囲気中でレーザー光線を用
いて半導体層の一部を除去することによって酸化された
中間層11を形成せしめる。なお、本発明でいう多重接合
構造半導体装置とは、後述する半導体のうちの一種ある
いは複数種の半導体層を用いて形成され、少なくとも２
つ以上の接合を基板面に実効的に垂直に電気的に接続し
てなる半導体装置である。さらに、本発明の対象とする
半導体装置は、これらに含まれる本来オーミック接触を
必要とする逆接合部に金属あるいは金属とシリコンの合
金からなる中間層10を一層以上形成してなる。
ス基板１上に分離して電極２を形成し、さらにその上に
低抵抗の中間層10を含む多重接合構造半導体層（３〜
８）を形成すると共に、その一部を除去して製造された
半導体装置であり、さらにその除去された端面から100
Åまでの幅を酸化された中間層11で形成するものであ
る。この場合の酸化された中間層11の平均酸素量は、0.
5〜10原子％以上、好ましくは20原子％以上とする。こ
の多重接合構造半導体層の一部を除去して半導体装置を
製造する場合には、酸化性雰囲気中でレーザー光線を用
いて半導体層の一部を除去することによって酸化された
中間層11を形成せしめる。なお、本発明でいう多重接合
構造半導体装置とは、後述する半導体のうちの一種ある
いは複数種の半導体層を用いて形成され、少なくとも２
つ以上の接合を基板面に実効的に垂直に電気的に接続し
てなる半導体装置である。さらに、本発明の対象とする
半導体装置は、これらに含まれる本来オーミック接触を
必要とする逆接合部に金属あるいは金属とシリコンの合
金からなる中間層10を一層以上形成してなる。
次に各構成部について説明する。
本発明に用いる基板１としては、半導体装置の製造に用
いられる一般的な基板、例えばガラス、セラミック、耐
熱性高分子フィルム、耐熱性樹脂等から形成された基板
等があげられる。
いられる一般的な基板、例えばガラス、セラミック、耐
熱性高分子フィルム、耐熱性樹脂等から形成された基板
等があげられる。
基板１上に電気的に分離されて形成される電極２は、具
体例としては、ITO、SnO2のような酸化物導電体があげ
られる。
体例としては、ITO、SnO2のような酸化物導電体があげ
られる。
本発明に用いる半導体層３〜８は、具体例として非晶質
シリコン、非晶質シリコンゲルマン、非晶質シリコンナ
イトランド、又はこれらの水素化物或いはフッ素化物等
の非晶質半導体、微結晶シリコン、多結晶シリコン、カ
ドミウムテルライド、並びにガリウムヒ素等があげられ
る。
シリコン、非晶質シリコンゲルマン、非晶質シリコンナ
イトランド、又はこれらの水素化物或いはフッ素化物等
の非晶質半導体、微結晶シリコン、多結晶シリコン、カ
ドミウムテルライド、並びにガリウムヒ素等があげられ
る。
中間層10を形成する金属としては、Ti、Ｖ、Cr、Mn、
Ｗ、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta等があげられ
るが、ｐ層およびｎ層と障壁を形成せず、熱拡散の比較
的少ない金属、例えば、Mo、Cr、Ti、Ｗ、Zr、Nb、Ta、
Ni、Hfが好ましい。また、この中間層10は、キャリヤー
の発生に寄与しないため光吸収量を小さくする必要があ
る。そのため、膜厚は５〜300Å、好ましくは10〜100
Å、さらに好ましくは10〜50Åが適当である。
Ｗ、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta等があげられ
るが、ｐ層およびｎ層と障壁を形成せず、熱拡散の比較
的少ない金属、例えば、Mo、Cr、Ti、Ｗ、Zr、Nb、Ta、
Ni、Hfが好ましい。また、この中間層10は、キャリヤー
の発生に寄与しないため光吸収量を小さくする必要があ
る。そのため、膜厚は５〜300Å、好ましくは10〜100
Å、さらに好ましくは10〜50Åが適当である。
また、半導体層３〜８の一部を除去させるための装置と
しては、例えばＱスイッチYAGレーザー、炭酸ガスレー
ザー、アルゴンレーザー、エキシマレーザー等があげら
れるが、これらに限定されるものではない。
しては、例えばＱスイッチYAGレーザー、炭酸ガスレー
ザー、アルゴンレーザー、エキシマレーザー等があげら
れるが、これらに限定されるものではない。
本発明の半導体装置においては、半導体層の一部をレー
ザースクライビング法等により除去しているが、この
際、スクライブ部分を酸化性雰囲気にする。これにより
中間層である金属あるいは金属とシリコンの合金が酸化
され、集積化後のリークを著しく低減することができ
る。
ザースクライビング法等により除去しているが、この
際、スクライブ部分を酸化性雰囲気にする。これにより
中間層である金属あるいは金属とシリコンの合金が酸化
され、集積化後のリークを著しく低減することができ
る。
半導体層３〜８の一部を除去する際に酸化性雰囲気にす
る具体的方法としては、半導体層の一部を除去する部分
に、酸素またはオゾン等の酸化性気体を吹きつけたり、
過酸化水素水溶液または過マンガン酸溶液等の酸化性溶
液を該部分に滴下あるいは流したり、半導体層を形成し
た基板を酸化性溶液中に浸漬し、酸化性溶液を該部分に
存在せしめたりする方法があげられる。
る具体的方法としては、半導体層の一部を除去する部分
に、酸素またはオゾン等の酸化性気体を吹きつけたり、
過酸化水素水溶液または過マンガン酸溶液等の酸化性溶
液を該部分に滴下あるいは流したり、半導体層を形成し
た基板を酸化性溶液中に浸漬し、酸化性溶液を該部分に
存在せしめたりする方法があげられる。
（Ａ）次に本発明の半導体装置及びその製法について具
体例を説明する。
体例を説明する。
面積12.7×12.7cm2、厚さ1.1mmのガラスの基板１上にス
パッタ法によりSnO2を4500Åを堆積させ、パターンエッ
チングにより等面積で16個の長方形に分離された電極２
を形成した。その後、SiH4およびその混合ガスのグロー
放電分解法にて基板温度200℃、圧力0.5〜1.0Torr、RF
電力30Wなる条件でpinの非晶質シリコン半導体層３〜５
を形成した。このときのpin各層の膜厚は、それぞれ100
Å、500Å、200Åになるようにした。その後、EB蒸着法
によりMoを50Åを蒸着して中間層10を形成し、さらにそ
の上に前述と同じ条件で新たにpinの非晶質シリコン半
導体層６〜８を形成した。このときのpin各層の膜厚
は、100Å、5000Å、200Åになるようにした。次に該半
導体層を上にしてＸ−Ｙテーブル上にセットし、Ｑスイ
ッチYAGレーザを用いてレーザ光線の加工面に対する光
軸にほぼそって酸素を導入し、吹きつけながら半導体層
の一部を除去した。レーザの運転条件は、第２高調波53
2nmを用い、パルス周波数2kHz、平均出力0.1W、パルス
幅10nsecであった。このようにして半導体層を分離した
あと抵抗加熱法にて5000ÅのAl電極９を蒸着し、化学エ
ッチングによりパターン化し、断面が第４図に示す構造
になるように16個の太陽電池を直列接続した半導体装置
を製造した。
パッタ法によりSnO2を4500Åを堆積させ、パターンエッ
チングにより等面積で16個の長方形に分離された電極２
を形成した。その後、SiH4およびその混合ガスのグロー
放電分解法にて基板温度200℃、圧力0.5〜1.0Torr、RF
電力30Wなる条件でpinの非晶質シリコン半導体層３〜５
を形成した。このときのpin各層の膜厚は、それぞれ100
Å、500Å、200Åになるようにした。その後、EB蒸着法
によりMoを50Åを蒸着して中間層10を形成し、さらにそ
の上に前述と同じ条件で新たにpinの非晶質シリコン半
導体層６〜８を形成した。このときのpin各層の膜厚
は、100Å、5000Å、200Åになるようにした。次に該半
導体層を上にしてＸ−Ｙテーブル上にセットし、Ｑスイ
ッチYAGレーザを用いてレーザ光線の加工面に対する光
軸にほぼそって酸素を導入し、吹きつけながら半導体層
の一部を除去した。レーザの運転条件は、第２高調波53
2nmを用い、パルス周波数2kHz、平均出力0.1W、パルス
幅10nsecであった。このようにして半導体層を分離した
あと抵抗加熱法にて5000ÅのAl電極９を蒸着し、化学エ
ッチングによりパターン化し、断面が第４図に示す構造
になるように16個の太陽電池を直列接続した半導体装置
を製造した。
以上の製造工程により得られた半導体装置をAM−１、10
0mW/cm2の擬似太陽光下で測定したところ、Vocは26.2vo
lt、曲線因子は0.68、最大出力は950mWであった。
0mW/cm2の擬似太陽光下で測定したところ、Vocは26.2vo
lt、曲線因子は0.68、最大出力は950mWであった。
（Ｂ）比較例 酸素ガスを用いなかった他は実施例と同様にして大気中
で半導体層の一部を除去し、第１図に示す構造になるよ
うに16個の太陽電池を直列接続した半導体装置を製造し
た。得られた半導体装置をAM−１、100mW/cm2の擬似太
陽光下で測定したところ、Vocは22.2volt、曲線因子は
0.54、最大出力は669mWであった。
で半導体層の一部を除去し、第１図に示す構造になるよ
うに16個の太陽電池を直列接続した半導体装置を製造し
た。得られた半導体装置をAM−１、100mW/cm2の擬似太
陽光下で測定したところ、Vocは22.2volt、曲線因子は
0.54、最大出力は669mWであった。
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。本発明が関係する集積化
後の構造は、第２図に示した例に限られたものではな
く、除去されたあとの半導体端面近辺に金属等の低抵抗
物質を形成させた構造のものならばすべてに適用できる
ことは勿論である。
く、種々の変形が可能である。本発明が関係する集積化
後の構造は、第２図に示した例に限られたものではな
く、除去されたあとの半導体端面近辺に金属等の低抵抗
物質を形成させた構造のものならばすべてに適用できる
ことは勿論である。
また、多重接合構造としては、３重以上で複数のn/p逆
接合部があるものにも、さらに一方の層間にのみ中間層
を形成しているものにも適用でき、pinpn（アモルファ
スと結晶）構造のものにも適用できることはいうまでも
ない。
接合部があるものにも、さらに一方の層間にのみ中間層
を形成しているものにも適用でき、pinpn（アモルファ
スと結晶）構造のものにも適用できることはいうまでも
ない。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、中間
層を含む多重接合構造半導体層の一部をレーザースクラ
イビング法により除去する際に、酸化性雰囲気中で処理
するので、除去された端面から100Å程度までの幅で酸
化された中間層10が形成され、中間層を介した電流リー
クの発生に起因して装置の光電変換効率が低下するとい
う問題を解決することができる。
層を含む多重接合構造半導体層の一部をレーザースクラ
イビング法により除去する際に、酸化性雰囲気中で処理
するので、除去された端面から100Å程度までの幅で酸
化された中間層10が形成され、中間層を介した電流リー
クの発生に起因して装置の光電変換効率が低下するとい
う問題を解決することができる。
第１図は中間層を含む２段タンデム太陽電池を集積化し
た半導体装置の断面図で本発明の製造方法にて製造した
半導体装置の１実施例を示す図、第２図は中間層を含む
２段タンデム太陽電池を集積化した半導体装置の断面図
で従来の方法にて製造した半導体装置の例を示す図、第
３図は中間層を含まない２段タンデム太陽電池の断面
図、第４図は中間層を含む２段タンデム太陽電池の断面
図である。 １…基板、２…電極、３と６…ｐ層、４と７…ｉ層、５
と８…ｎ層、９…裏面電極、10…中間層、11…酸化され
た中間層。
た半導体装置の断面図で本発明の製造方法にて製造した
半導体装置の１実施例を示す図、第２図は中間層を含む
２段タンデム太陽電池を集積化した半導体装置の断面図
で従来の方法にて製造した半導体装置の例を示す図、第
３図は中間層を含まない２段タンデム太陽電池の断面
図、第４図は中間層を含む２段タンデム太陽電池の断面
図である。 １…基板、２…電極、３と６…ｐ層、４と７…ｉ層、５
と８…ｎ層、９…裏面電極、10…中間層、11…酸化され
た中間層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 健二 兵庫県神戸市垂水区塩屋町６丁目31−17 三青荘 (72)発明者 広江 昭彦 兵庫県神戸市垂水区塩屋町６丁目31−17 三青荘 (72)発明者 西尾 仁 兵庫県神戸市垂水区塩屋町６丁目31−17 三青荘 (72)発明者 水上 誠志郎 兵庫県神戸市須磨区中落合４−１−455− 404 (72)発明者 太和田 善久 兵庫県神戸市北区大池見山台14−39 (56)参考文献 特開 昭60−157270（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−91974（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−198685（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】同一基板上に酸化物導電体により分離して
形成された複数の電極と、該電極上に形成されたオーミ
ック接触を必要とする層間に金属薄膜若しくは金属とシ
リコンの合金薄膜を形成してなる多重接合構造半導体
と、該多重接合構造半導体上に形成された裏面電極と、
前記多重接合構造半導体の一部を除去し該除去された端
面に沿って裏面電極と前記多重接合構造半導体の隣接す
る前記電極とを接続する接続導体とにより構成し、前記
金属薄膜若しくは金属とシリコンの合金薄膜は、前記除
去された端面から100Å程度までの幅で平均酸素量を20
原子％以上にしたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記多重接合半導体を構成する接合の少な
くとも１つが非晶質を含むPIN接合である特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。 - 【請求項３】同一基板上に酸化物導電体により分離され
た複数の電極を形成し、オーミック接触を必要とする層
間に金属薄膜若しくは金属とシリコンの合金薄膜を形成
してなる多重接合構造半導体を前記電極上に形成すると
共に、前記多重接合構造半導体の一部を除去し該除去さ
れた端面に沿って裏面電極と前記多重接合構造半導体の
隣接する前記電極とを接続してなる半導体装置の製造方
法であって、酸化性雰囲気中でレーザー光源を用いて多
重接合構造半導体の一部を除去することによって、除去
された端面から100Å程度までの幅で平均酸素量を20原
子％以上に製造することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】前記多重接合半導体を構成する接合の少な
くとも１つが非晶質を含むPIN接合である特許請求の範
囲第３項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】酸化性雰囲気を酸化性気体又は酸化性溶液
により形成する特許請求の範囲第３項又は４項記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】酸化性気体は、酸素又はオゾンを体積比で
0.5以上含む気体であり、酸化性溶液は、過酸化水素溶
液又は過マンガン酸溶液である特許請求の範囲第５項記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】レーザー光線の照射面に酸化性気体を吹き
付けながら半導体の一部を除去することを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306032A JPH07114292B2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 半導体装置及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306032A JPH07114292B2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 半導体装置及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157482A JPS63157482A (ja) | 1988-06-30 |
| JPH07114292B2 true JPH07114292B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=17952249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61306032A Expired - Lifetime JPH07114292B2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 半導体装置及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114292B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118273A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置 |
| JP5081389B2 (ja) | 2006-02-23 | 2012-11-28 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| JP4703433B2 (ja) * | 2006-02-27 | 2011-06-15 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| KR101128972B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 가네카 | 집적형 박막 광전 변환 장치와 그 제조 방법 |
| JP5022246B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2012-09-12 | 株式会社カネカ | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 |
| CN103022058A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 索尼公司 | 多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157270A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-17 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜受光素子 |
| JPS6191974A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性マルチジヤンクシヨン型半導体素子 |
| JPS61198685A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製法 |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP61306032A patent/JPH07114292B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63157482A (ja) | 1988-06-30 |
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