JPH0543306B2 - - Google Patents
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- JPH0543306B2 JPH0543306B2 JP61306033A JP30603386A JPH0543306B2 JP H0543306 B2 JPH0543306 B2 JP H0543306B2 JP 61306033 A JP61306033 A JP 61306033A JP 30603386 A JP30603386 A JP 30603386A JP H0543306 B2 JPH0543306 B2 JP H0543306B2
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- semiconductor device
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- semiconductor
- silicon
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- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、大面積で光電変換特性の優れた多重
接合構造（タンデム）太陽電池を直列接続した半
導体装置に関する。
接合構造（タンデム）太陽電池を直列接続した半
導体装置に関する。
従来の小面積多重接合構造太陽電池の例とし
て、第２図に各ａ−Si：Ｈ層をSiH4及びその混
合ガスのグロー放電分解法によつて形成した
Glass／SnO2／pinpina−Si：Ｈ／Al構造のアル
フアスシリコン２重接合太陽電池の構造図を示
す。このアモルフアスシリコン２重接合太陽電池
における各非晶質シリコン層の膜厚は、例えば基
板１側からそれぞれｐ層３が100Å、ｉ層４が600
Å、ｎ層５が200Å、ｐ層６が150Å、ｉ層７が
5000Å、ｎ層８が200Åで製造される。この製造
においては、ｎ層５でｐ層６が直接接するｎ／ｐ
界面が存在し、この接合が逆接続となるために太
陽電池の開放電圧、曲線因子の低下をまねき、ひ
いては素子光電変換効率を低下させる原因となつ
ていた。
て、第２図に各ａ−Si：Ｈ層をSiH4及びその混
合ガスのグロー放電分解法によつて形成した
Glass／SnO2／pinpina−Si：Ｈ／Al構造のアル
フアスシリコン２重接合太陽電池の構造図を示
す。このアモルフアスシリコン２重接合太陽電池
における各非晶質シリコン層の膜厚は、例えば基
板１側からそれぞれｐ層３が100Å、ｉ層４が600
Å、ｎ層５が200Å、ｐ層６が150Å、ｉ層７が
5000Å、ｎ層８が200Åで製造される。この製造
においては、ｎ層５でｐ層６が直接接するｎ／ｐ
界面が存在し、この接合が逆接続となるために太
陽電池の開放電圧、曲線因子の低下をまねき、ひ
いては素子光電変換効率を低下させる原因となつ
ていた。
このｎ／ｐ逆接合部の存在に起因する光電変換
効率の低下を抑制する方法として、第３図に示す
ようにｎ層５とｐ層６との間に中間層１０を介在
させる方法が考えられている。この例は、第２図
に示した太陽電池を基本構造とし、ｎ／ｐ界面に
Niで50Åの層をEB（Electron Beam）蒸着法に
より形成したものである。中間層１０は、光吸収
量の小さなMo、Cr、Ti、Ｗ、Zn、Nb、Ta、
Ni、Hf等の金属薄膜やこれらの金属とシリコン
の合金薄膜、若しくは、これらの層を含む複層薄
膜等の導電性薄膜中間層で形成される。
効率の低下を抑制する方法として、第３図に示す
ようにｎ層５とｐ層６との間に中間層１０を介在
させる方法が考えられている。この例は、第２図
に示した太陽電池を基本構造とし、ｎ／ｐ界面に
Niで50Åの層をEB（Electron Beam）蒸着法に
より形成したものである。中間層１０は、光吸収
量の小さなMo、Cr、Ti、Ｗ、Zn、Nb、Ta、
Ni、Hf等の金属薄膜やこれらの金属とシリコン
の合金薄膜、若しくは、これらの層を含む複層薄
膜等の導電性薄膜中間層で形成される。
このように中間層１０をｎ／ｐ界面に形成し、
その面積を１cm2としたタンデム太陽電池では、
AM−１、100ｍＷ／cm2での短絡電流、開放電圧、
曲線因子、光電変換効率が、それぞれ7.2ｍＡ／
cm2、1.66Volt、0.71、8.5％となつた。これに対し
て従来の中間層を含まないタンデム太陽電池にお
ける同様の特性値をみると、それぞれは7.4ｍ
Ａ／cm2、1.52Volt、0.64、7.2％となり、両者を比
較すると、前者の方に開放電圧及び曲線因子で大
幅な改善が見られる。
その面積を１cm2としたタンデム太陽電池では、
AM−１、100ｍＷ／cm2での短絡電流、開放電圧、
曲線因子、光電変換効率が、それぞれ7.2ｍＡ／
cm2、1.66Volt、0.71、8.5％となつた。これに対し
て従来の中間層を含まないタンデム太陽電池にお
ける同様の特性値をみると、それぞれは7.4ｍ
Ａ／cm2、1.52Volt、0.64、7.2％となり、両者を比
較すると、前者の方に開放電圧及び曲線因子で大
幅な改善が見られる。
一方、このような小面積の太陽電池は、例えば
屋外電力用として大面積化すると、透明電極のシ
ート抵抗が無視できなくなり、また、高電圧を必
要とするといつた問題がある。そのため、同一基
板上での集積化を行うのが一般的である。この目
的で従来より同一基板１上に分離して電極２を形
成し、さらにその上に多重接合構造半導体層３〜
８を形成すると共に、その一部をレーザースクラ
イビング法などにより除去して半導体装置を製造
している。集積化後の構造は類似の構造が多数存
在するが、そのうち代表的な例として、集積化後
のタンデム太陽電池の断面図を示したのが第１図
である。このような方法で複数個の太陽電池を直
列接続（集積化）した場合、その基本構造となる
太陽電池が単一接合太陽電池や中間層を含まない
多重接合太陽電池であつても、若干の接続による
光電変換効率の低下がみられることは周知であ
る。
屋外電力用として大面積化すると、透明電極のシ
ート抵抗が無視できなくなり、また、高電圧を必
要とするといつた問題がある。そのため、同一基
板上での集積化を行うのが一般的である。この目
的で従来より同一基板１上に分離して電極２を形
成し、さらにその上に多重接合構造半導体層３〜
８を形成すると共に、その一部をレーザースクラ
イビング法などにより除去して半導体装置を製造
している。集積化後の構造は類似の構造が多数存
在するが、そのうち代表的な例として、集積化後
のタンデム太陽電池の断面図を示したのが第１図
である。このような方法で複数個の太陽電池を直
列接続（集積化）した場合、その基本構造となる
太陽電池が単一接合太陽電池や中間層を含まない
多重接合太陽電池であつても、若干の接続による
光電変換効率の低下がみられることは周知であ
る。
本発明者らは、中間層を含む積層構造太陽電池
を用い同様の集積化研究を行つた結果、この装置
の接続による効率低下が単一接合太陽電池や中間
層を含まない多重構造太陽電池を用いた場合の効
率低下と比べ著しく大きいことを見出し本発明を
活性するに至つた。
を用い同様の集積化研究を行つた結果、この装置
の接続による効率低下が単一接合太陽電池や中間
層を含まない多重構造太陽電池を用いた場合の効
率低下と比べ著しく大きいことを見出し本発明を
活性するに至つた。
本発明者らの考察では、中間層を含む多重接合
構造太陽電池を用い、第１図に代表されるような
集積化を行つた場合、中間層１０を介したリーク
が発生するため、装置としての光電変換性能を著
しく低下させることになる。すなわち、中間層１
０として通常の金属や金属とシコリンの合金を用
いると、この中間層１０は半導体層３〜８と比較
して低抵抗であるため、半導体除去端面に比較的
近い部分で発生したキヤリヤー（正孔あるいは電
子）の一部は、中間層１０を介して裏面電極９に
流れ込みリーク電流が発生する。そのため、太陽
電池として用いた場合、著しい性能の低下が起こ
る。
構造太陽電池を用い、第１図に代表されるような
集積化を行つた場合、中間層１０を介したリーク
が発生するため、装置としての光電変換性能を著
しく低下させることになる。すなわち、中間層１
０として通常の金属や金属とシコリンの合金を用
いると、この中間層１０は半導体層３〜８と比較
して低抵抗であるため、半導体除去端面に比較的
近い部分で発生したキヤリヤー（正孔あるいは電
子）の一部は、中間層１０を介して裏面電極９に
流れ込みリーク電流が発生する。そのため、太陽
電池として用いた場合、著しい性能の低下が起こ
る。
本発明は、中間層を含む多重接合構造半導体層
の一部をレーザースクライビング法により除去し
て集積化を行つた場合、中間層を介した電流リー
クの発生に起因して装置の光電変換効率が低下す
るという問題を解決することを目的とするもので
ある。
の一部をレーザースクライビング法により除去し
て集積化を行つた場合、中間層を介した電流リー
クの発生に起因して装置の光電変換効率が低下す
るという問題を解決することを目的とするもので
ある。
そのために本発明は、同一基板上に分離された
電極を形成し、該電極上に多重接合構造半導体を
形成して電気的に直列に接続してなる半導体装置
において、少なくとも一つ以上のオーミツク接触
を必要とする層間に全体に占めるシリコンの含有
割合を2/3以上にしてシリコンと金属シリコンの
合金の２相構造の薄膜を介在させ、該薄膜の露出
した多重接合構造半導体の端面に直列接続用の電
極が直接接触してなることを特徴とするものであ
る。
電極を形成し、該電極上に多重接合構造半導体を
形成して電気的に直列に接続してなる半導体装置
において、少なくとも一つ以上のオーミツク接触
を必要とする層間に全体に占めるシリコンの含有
割合を2/3以上にしてシリコンと金属シリコンの
合金の２相構造の薄膜を介在させ、該薄膜の露出
した多重接合構造半導体の端面に直列接続用の電
極が直接接触してなることを特徴とするものであ
る。
本発明の半導体装置では、本来オーミツク接触
を必要とする逆接合部の中間層に比較的高抵抗で
ある全体に占めるシリコの含有割合を2/3以上に
してシリコンと金属シリコンの合金の２相構造の
薄膜を介在させるので、中間層を含む多重接合構
造半導体層の一部をレーザースクライビング法に
より除去して集積化を行つた場合にも中間層を介
して流れるリーク電流が小さくなる。
を必要とする逆接合部の中間層に比較的高抵抗で
ある全体に占めるシリコの含有割合を2/3以上に
してシリコンと金属シリコンの合金の２相構造の
薄膜を介在させるので、中間層を含む多重接合構
造半導体層の一部をレーザースクライビング法に
より除去して集積化を行つた場合にも中間層を介
して流れるリーク電流が小さくなる。
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第１図は中間層を含む２段タンデム太陽電池を
集積化した半導体装置の断面図で本発明の１実施
例を説明するための図である。
集積化した半導体装置の断面図で本発明の１実施
例を説明するための図である。
本発明の半導体装置は、第１図に示すように同
一のガラス基板１上に分離して電極２を形成し、
オーミツク接触を必要とする層間に導電性薄膜中
間層１０を配置してなる多重接合構造半導体３〜
８の複数個を前記電極２上に形成すると共に、そ
の一部を除去して低抵抗材料（斜線で示す裏面電
極９の一部）で直列接続した半導体装置である。
特に、本発明でいう多重接合構造半導体装置と
は、後述する半導体のうちの一種あるいは複数種
の半導体層を用いて形成され、少なくとも２つ以
上の接合を基板面に実効的に垂直に電気的に接続
してなる半導体装置である。さらに、本発明の対
象とする半導体装置は、これらに含まれる本来オ
ーミツク接触を必要とする逆接合部にシリコンお
よび金属とシリコンの合金の複相構造物質からな
る中間層１０を一層以上形成してなる。
一のガラス基板１上に分離して電極２を形成し、
オーミツク接触を必要とする層間に導電性薄膜中
間層１０を配置してなる多重接合構造半導体３〜
８の複数個を前記電極２上に形成すると共に、そ
の一部を除去して低抵抗材料（斜線で示す裏面電
極９の一部）で直列接続した半導体装置である。
特に、本発明でいう多重接合構造半導体装置と
は、後述する半導体のうちの一種あるいは複数種
の半導体層を用いて形成され、少なくとも２つ以
上の接合を基板面に実効的に垂直に電気的に接続
してなる半導体装置である。さらに、本発明の対
象とする半導体装置は、これらに含まれる本来オ
ーミツク接触を必要とする逆接合部にシリコンお
よび金属とシリコンの合金の複相構造物質からな
る中間層１０を一層以上形成してなる。
次に各構成部について説明する。
本発明に用いる基板１としては、半導体装置の
構造に用いられる一般的な基板、例えばガラス、
セラミツク、耐熱生高分子フイルム、耐熱性樹脂
等から形成された基板等があげられる。
構造に用いられる一般的な基板、例えばガラス、
セラミツク、耐熱生高分子フイルム、耐熱性樹脂
等から形成された基板等があげられる。
基板１上に電気的に分離されて形成される電極
２は、一般の金属電極であつても透明電極であつ
ても良い。具体例としては、Al、Cr、Ag、
ITO、SnO2、Ｗ、Ti等があげられる。
２は、一般の金属電極であつても透明電極であつ
ても良い。具体例としては、Al、Cr、Ag、
ITO、SnO2、Ｗ、Ti等があげられる。
本発明に用いる半導体層３〜８は、具体例とし
て非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマン、非
晶質シリコンナイトライド、又はこれらの水素化
物或いはフツ素化物等の非晶質半導体、微結晶シ
リコン、多結晶シリコン、カドミウムテルライ
ド、並びにガリウムヒ素等があげられる。
て非晶質シリコン、非晶質シリコンゲルマン、非
晶質シリコンナイトライド、又はこれらの水素化
物或いはフツ素化物等の非晶質半導体、微結晶シ
リコン、多結晶シリコン、カドミウムテルライ
ド、並びにガリウムヒ素等があげられる。
中間層１０を形成する金属としては、Ti、Ｖ、
Cr、Ni、Mo、Ta等があげられる。ｐ層および
ｎ層と障壁を形成せず、熱拡散の比較的少なくシ
リコンとシリサイドを形成する金属が好ましい。
また、これらの金属のみ、あるいは金属の含有割
合が比較的高い合金を用いた場合、これらの層の
抵抗値が小さすぎ前述したように集積化の際の電
流リークが大きくなる。本発明ではｎ／ｐ逆接合
部のオーミツク接触を可能とし、しかも、比較的
高抵抗であるシリコンと金属シリコンの合金の２
相構造の薄膜を用いることに特徴がある。例えば
Crの場合、CrSi2とSiの２相構造の薄膜とする。
この場合のCrは33原子パーセント以下となる。
また、この中間相は、キヤリヤの発生に寄与しな
いため光吸収量を小さくする必要があり、５〜
300Å、好ましくは20〜100Åの膜厚が適当であ
り、Siと金属をターゲツトとするコスパツタ等に
よつて形成することができる。
Cr、Ni、Mo、Ta等があげられる。ｐ層および
ｎ層と障壁を形成せず、熱拡散の比較的少なくシ
リコンとシリサイドを形成する金属が好ましい。
また、これらの金属のみ、あるいは金属の含有割
合が比較的高い合金を用いた場合、これらの層の
抵抗値が小さすぎ前述したように集積化の際の電
流リークが大きくなる。本発明ではｎ／ｐ逆接合
部のオーミツク接触を可能とし、しかも、比較的
高抵抗であるシリコンと金属シリコンの合金の２
相構造の薄膜を用いることに特徴がある。例えば
Crの場合、CrSi2とSiの２相構造の薄膜とする。
この場合のCrは33原子パーセント以下となる。
また、この中間相は、キヤリヤの発生に寄与しな
いため光吸収量を小さくする必要があり、５〜
300Å、好ましくは20〜100Åの膜厚が適当であ
り、Siと金属をターゲツトとするコスパツタ等に
よつて形成することができる。
また、半導体層３〜８の一部を除去させるため
の装置としては、例えばＱスイツチYAGレーザ
ー、炭酸ガスレーザー、アルゴンレーザー、エキ
シマレーザー等があげられるが、これらに限定さ
れるものではない。
の装置としては、例えばＱスイツチYAGレーザ
ー、炭酸ガスレーザー、アルゴンレーザー、エキ
シマレーザー等があげられるが、これらに限定さ
れるものではない。
次に本発明の半導体装置及びその製法の具体例
を説明する。
を説明する。
(A) 本発明の具体例
面積12.7×12.7cm2、厚さ1.1mmのガラスの基板
１上にスパツタ法によりSnO2を4500Åを堆積
させ、パターンエツチングにより等面積で16個
の長方形に分離された電極２を形成した。その
後、SiH4およびその混合ガスのグロー放電分
解法にて基板温度200℃、圧力0.5〜1.0Torr、
RF電力30Wなる条件でpinの非晶質シリコン半
導体層３〜５を形成した。このときのpin各層
の膜厚は、それぞれ100Å、500Å、200Åにな
るようにした。その後、SiとCrのコスパツタ
により、SiとCrのスパツタ率を1.3、0.5として
膜中のSiが70原子パーセントになるように合金
薄膜を中間層として50Å形成し、さらにその上
に前述の条件で新たにpin各層の膜厚が150Å、
5000Å、200Åになるように非晶質シリコン半
導体層６〜８を形成した。次に該半導体層を上
にしてＸ−Ｙテーブル上にセツトし、Ｑスイツ
チYAGレーザを用いてレーザ光線の加工面に
対する光軸にほぼそつてMo層のない半導体層
の一部を除去した。レーザの運転条件は、第２
高調波532nｍを用い、パルス周波数3kHz、平
均出力0.1W、パルス幅10nsecであつた。この
ようにして半導体層を分離したあと抵抗加熱法
にて5000ÅのA1電極９を蒸着し、化学エツチ
ングによりパターン化し、断面が第３図に示す
構造になるように16個の太陽電池を直列接続し
た半導体装置を製造した。
１上にスパツタ法によりSnO2を4500Åを堆積
させ、パターンエツチングにより等面積で16個
の長方形に分離された電極２を形成した。その
後、SiH4およびその混合ガスのグロー放電分
解法にて基板温度200℃、圧力0.5〜1.0Torr、
RF電力30Wなる条件でpinの非晶質シリコン半
導体層３〜５を形成した。このときのpin各層
の膜厚は、それぞれ100Å、500Å、200Åにな
るようにした。その後、SiとCrのコスパツタ
により、SiとCrのスパツタ率を1.3、0.5として
膜中のSiが70原子パーセントになるように合金
薄膜を中間層として50Å形成し、さらにその上
に前述の条件で新たにpin各層の膜厚が150Å、
5000Å、200Åになるように非晶質シリコン半
導体層６〜８を形成した。次に該半導体層を上
にしてＸ−Ｙテーブル上にセツトし、Ｑスイツ
チYAGレーザを用いてレーザ光線の加工面に
対する光軸にほぼそつてMo層のない半導体層
の一部を除去した。レーザの運転条件は、第２
高調波532nｍを用い、パルス周波数3kHz、平
均出力0.1W、パルス幅10nsecであつた。この
ようにして半導体層を分離したあと抵抗加熱法
にて5000ÅのA1電極９を蒸着し、化学エツチ
ングによりパターン化し、断面が第３図に示す
構造になるように16個の太陽電池を直列接続し
た半導体装置を製造した。
以上の製造工程により得られた半導体装置を
AM−１、100ｍＷ／cm2の擬似太陽光下で測定
したところ、Vocは26.2volt、曲線因子は0.67、
最大出力は940ｍＷであつた。
AM−１、100ｍＷ／cm2の擬似太陽光下で測定
したところ、Vocは26.2volt、曲線因子は0.67、
最大出力は940ｍＷであつた。
(B) 比較例
(1) 中間層を膜中のSiが30原子パーセントにな
るように形成した以外は実施例と同様にして
第２図に示す構造になるように16個の太陽電
池を直列に接続した半導体装置を製造した。
得られた半導体装置をAM−１、100ｍＷ／
cm2の擬似太陽光下で測定したところ、Vocは
23.5volt、曲線因子は0.58、最大出力は720ｍ
Ｗであつた。
るように形成した以外は実施例と同様にして
第２図に示す構造になるように16個の太陽電
池を直列に接続した半導体装置を製造した。
得られた半導体装置をAM−１、100ｍＷ／
cm2の擬似太陽光下で測定したところ、Vocは
23.5volt、曲線因子は0.58、最大出力は720ｍ
Ｗであつた。
(2) 中間層をCr単独ターゲツトで形成した以
外は実施例と同様にして第２図に示す構造に
なるように16個の太陽電池を直列接続した半
導体装置を製造した。得られた半導体装置を
AM−１、100ｍＷ／cm2の擬似太陽光下で測
定したところ、Vocは22.0volt、曲線因子は
0.52、最大出力は654ｍＷであつた。
外は実施例と同様にして第２図に示す構造に
なるように16個の太陽電池を直列接続した半
導体装置を製造した。得られた半導体装置を
AM−１、100ｍＷ／cm2の擬似太陽光下で測
定したところ、Vocは22.0volt、曲線因子は
0.52、最大出力は654ｍＷであつた。
なお、本発明は、上記の実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。本発明が
関係する集積化後の構造は、第１図に示した例に
限られたものではなく、除去されたあとの半導体
端面近辺に金属の抵抗部分を形成させた構造のも
のならばすべてに適用できることは勿論である。
また、本発明の半導体装置は、レーザー等により
半導体層の一部を除去し金属等におきかえるだけ
ではなく、それ以外の方法で直列接続する場合に
も適用可能である。例えば、レーザーで半導体層
を結晶化あるいは金属との合金化を行う場合や機
械的に半導体層をおしつけたりして半導体層をは
さむ金属同士を接触させる場合にも適用すること
ができる。多重接合構造としては、３重以上で複
数のｎ／ｐ逆接合部があるものにも、さらに一方
の層間にのみ中間層を形成しているものにも適用
でかき、pinpn（アルモフアスと結晶）構造のも
のにも適用できることはいうまでもない。
のではなく、種々の変形が可能である。本発明が
関係する集積化後の構造は、第１図に示した例に
限られたものではなく、除去されたあとの半導体
端面近辺に金属の抵抗部分を形成させた構造のも
のならばすべてに適用できることは勿論である。
また、本発明の半導体装置は、レーザー等により
半導体層の一部を除去し金属等におきかえるだけ
ではなく、それ以外の方法で直列接続する場合に
も適用可能である。例えば、レーザーで半導体層
を結晶化あるいは金属との合金化を行う場合や機
械的に半導体層をおしつけたりして半導体層をは
さむ金属同士を接触させる場合にも適用すること
ができる。多重接合構造としては、３重以上で複
数のｎ／ｐ逆接合部があるものにも、さらに一方
の層間にのみ中間層を形成しているものにも適用
でかき、pinpn（アルモフアスと結晶）構造のも
のにも適用できることはいうまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、中間層に比較的高抵抗であるSiと金属の合金
を用いるので、中間層を含む多重接合構造半導体
層の一部をレーザースクライビング法により除去
して集積化を行つた場合にも中間層を介して流れ
るリーク電流が小さくなり、中間層を介した電流
リークの発生に起因して装置の光電変換効率が低
下するという問題を解決することができる。
ば、中間層に比較的高抵抗であるSiと金属の合金
を用いるので、中間層を含む多重接合構造半導体
層の一部をレーザースクライビング法により除去
して集積化を行つた場合にも中間層を介して流れ
るリーク電流が小さくなり、中間層を介した電流
リークの発生に起因して装置の光電変換効率が低
下するという問題を解決することができる。
第１図は中間層を含む２段タンデム太陽電池を
集積化した半導体装置の断面図で本発明の１実施
例を説明するための図、第２図は中間層を含まな
い２段タンデム太陽電池の断面図、第３図は中間
層を含む２段タンデム太陽電池の断面図である。 １……基板、２……電極、３と６……ｐ層、４
と７……ｉ層、５と８……ｎ層、９……裏面電
極、１０……中間層。
集積化した半導体装置の断面図で本発明の１実施
例を説明するための図、第２図は中間層を含まな
い２段タンデム太陽電池の断面図、第３図は中間
層を含む２段タンデム太陽電池の断面図である。 １……基板、２……電極、３と６……ｐ層、４
と７……ｉ層、５と８……ｎ層、９……裏面電
極、１０……中間層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 同一基板上に分離された電極を形成し、該電
極上に多重接合構造半導体を形成して電気的に直
列に接続してなる半導体装置において、少なくと
も一つ以上のオーミツク接触を必要とする層間に
全体に占めるシリコンの含有割合を2/3以上にし
てシリコンと金属シリコンの合金の２相構造の薄
膜を介在させ、該薄膜の露出した多重接合構造半
導体の端面に直列接続用の電極が直接接触してな
ることを特徴とする半導体装置。 ２ 多重接合構造を構成する接合の少なくとも一
つが非晶質pin接合である特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。 ３ 薄膜を構成する金属がTi、Ｖ、Cr、Ni、
Mo、Taのうちの一つである特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306033A JPS63157483A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61306033A JPS63157483A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157483A JPS63157483A (ja) | 1988-06-30 |
| JPH0543306B2 true JPH0543306B2 (ja) | 1993-07-01 |
Family
ID=17952261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61306033A Granted JPS63157483A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63157483A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2804839B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1998-09-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4568531B2 (ja) * | 2004-05-07 | 2010-10-27 | 三菱重工業株式会社 | 集積型太陽電池及び集積型太陽電池の製造方法 |
| JP2006310694A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Kaneka Corp | 集積化多接合薄膜光電変換装置 |
| TWI452703B (zh) | 2007-11-16 | 2014-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 光電轉換裝置及其製造方法 |
| FR3047350B1 (fr) | 2016-02-03 | 2018-03-09 | Soitec | Substrat avance a miroir integre |
| CN110311014B (zh) * | 2019-07-08 | 2020-11-24 | 绵阳金能移动能源有限公司 | 一种降低柔性铜铟镓硒太阳电池串联电阻的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108779A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
| JPS5633889A (en) * | 1979-08-28 | 1981-04-04 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
| JPS6191973A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 |
| JPS6191974A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性マルチジヤンクシヨン型半導体素子 |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP61306033A patent/JPS63157483A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55108779A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
| JPS5633889A (en) * | 1979-08-28 | 1981-04-04 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
| JPS6191973A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 |
| JPS6191974A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性マルチジヤンクシヨン型半導体素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63157483A (ja) | 1988-06-30 |
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