JP2000150944A - 太陽電池モジュール - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発電活性部分と周辺部、ひいては、フレーム
との絶縁を、高い生産性で実現することを可能とした太
陽電池モジュールを提供すること。 【解決手段】 透光性基板上に形成された、透明電極
層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビー
ムによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気
的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
前記透光性基板の周辺部における、前記透明電極層、前
記光半導体層および前記金属層は、機械的に除去されて
いることを特徴とする。
との絶縁を、高い生産性で実現することを可能とした太
陽電池モジュールを提供すること。 【解決手段】 透光性基板上に形成された、透明電極
層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビー
ムによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気
的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
前記透光性基板の周辺部における、前記透明電極層、前
記光半導体層および前記金属層は、機械的に除去されて
いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池モジュー
ルに係り、特に、太陽光発電に用いられる薄膜太陽電池
モジュールに関する。
ルに係り、特に、太陽光発電に用いられる薄膜太陽電池
モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池モジュールに求められる特性の
一つに絶縁耐圧特性がある。太陽電池モジュールの絶縁
耐圧特性は、一般には、太陽電池の端子とフレーム間の
耐電圧を測定することにより把握することが出来る。
一つに絶縁耐圧特性がある。太陽電池モジュールの絶縁
耐圧特性は、一般には、太陽電池の端子とフレーム間の
耐電圧を測定することにより把握することが出来る。
【０００３】薄膜太陽電池は、透明電極層、光半導体
層、金属層などの薄膜を積層することにより形成される
が、これらの層の多くは気相反応によって形成すること
が多く、この気相反応による積層工程において、いわゆ
る太陽電池の活性部分とそれ以外の部分とを分離するこ
とは困難である。場合によっては、これらの層が基板の
裏側まで回り込んでいることがあり、このときはフレー
ムを取り付けたときに、活性部分とフレームとが同電位
になることが多い。そのため、従来の薄膜太陽電池にお
いては、絶縁耐圧特性が劣るという欠点があった。
層、金属層などの薄膜を積層することにより形成される
が、これらの層の多くは気相反応によって形成すること
が多く、この気相反応による積層工程において、いわゆ
る太陽電池の活性部分とそれ以外の部分とを分離するこ
とは困難である。場合によっては、これらの層が基板の
裏側まで回り込んでいることがあり、このときはフレー
ムを取り付けたときに、活性部分とフレームとが同電位
になることが多い。そのため、従来の薄膜太陽電池にお
いては、絶縁耐圧特性が劣るという欠点があった。
【０００４】このような問題をさけるために、集積化の
際にパターニングに用いるレーザー光を用いて、太陽電
池中央部の活性領域とフレームに電気的に接触する可能
性のある周辺部とを電気的に分離する手法が提案されて
いる。しかしながら、この方法は、レーザービームを集
光して用いるため、分離幅が狭く、モジュール全周に渡
って絶縁を維持することが困難になる。そのため、製造
歩留りなどの信頼性が低く、生産性も低いため、工業的
にこの技術を用いることにはできなかった。
際にパターニングに用いるレーザー光を用いて、太陽電
池中央部の活性領域とフレームに電気的に接触する可能
性のある周辺部とを電気的に分離する手法が提案されて
いる。しかしながら、この方法は、レーザービームを集
光して用いるため、分離幅が狭く、モジュール全周に渡
って絶縁を維持することが困難になる。そのため、製造
歩留りなどの信頼性が低く、生産性も低いため、工業的
にこの技術を用いることにはできなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情の
下になされ、発電活性部分と周辺部、ひいては、フレー
ムとの絶縁を、高い生産性で実現することを可能とした
太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
下になされ、発電活性部分と周辺部、ひいては、フレー
ムとの絶縁を、高い生産性で実現することを可能とした
太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
【０００６】本発明の他の目的は、優れた絶縁耐圧特性
を有するだけでなく、封止後の腐食などによる特性低下
を発生させず、ガラス強度を維持し、かつ工程が安定で
高い生産性で製造が可能な太陽電池モジュールを提供す
ることにある。
を有するだけでなく、封止後の腐食などによる特性低下
を発生させず、ガラス強度を維持し、かつ工程が安定で
高い生産性で製造が可能な太陽電池モジュールを提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、透光性基板上に形成された、透明電極
層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビー
ムによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気
的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
前記透光性基板の周辺部における、前記透明電極層、前
記光半導体層および前記金属層は、機械的に除去されて
いることを特徴とする薄膜太陽電池モジュールを提供す
る。
め、本発明は、透光性基板上に形成された、透明電極
層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビー
ムによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気
的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
前記透光性基板の周辺部における、前記透明電極層、前
記光半導体層および前記金属層は、機械的に除去されて
いることを特徴とする薄膜太陽電池モジュールを提供す
る。
【０００８】本発明の薄膜太陽電池モジュールにおい
て、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層
の機械的な除去は、表面研磨法、または微粒子の吹き付
けによる機械的なエッチング法により行うことが出来
る。後者の方法において、使用される微粒子は、１００
μｍ以下の粒径のものであることが好ましい。
て、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層
の機械的な除去は、表面研磨法、または微粒子の吹き付
けによる機械的なエッチング法により行うことが出来
る。後者の方法において、使用される微粒子は、１００
μｍ以下の粒径のものであることが好ましい。
【０００９】機械的な除去は前記透光性基板の表面に対
しても行われ、機械的に除去された前記透光性基板、前
記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の合計
の深さは、５μｍないし１００μｍであることが好まし
く、１０μｍないし２５μｍであることがより好まし
い。
しても行われ、機械的に除去された前記透光性基板、前
記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の合計
の深さは、５μｍないし１００μｍであることが好まし
く、１０μｍないし２５μｍであることがより好まし
い。
【００１０】また、前記透光性基板の周辺の除去される
部分の幅は、絶縁耐圧と有効面積率とから決定される
が、０．５ｍｍ以上、好ましくは０．５ｍｍないし１ｃ
ｍ、より好ましくは１ないし５ｍｍである。
部分の幅は、絶縁耐圧と有効面積率とから決定される
が、０．５ｍｍ以上、好ましくは０．５ｍｍないし１ｃ
ｍ、より好ましくは１ないし５ｍｍである。
【００１１】なお、本発明の薄膜太陽電池モジュールに
おいて、透明電極層としては、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＴ
Ｏ等を用いることが出来る。また、光半導体層として
は、シリコンを主成分とする層、例えばp 型ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ層、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層、およびｎ型微結晶Ｓ
ｉ：Ｈ層の積層構造を用いることが出来る。更に、金属
層としては、銀、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉおよびこれらと金属
酸化物との積層体等を用いることが出来る。
おいて、透明電極層としては、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＴ
Ｏ等を用いることが出来る。また、光半導体層として
は、シリコンを主成分とする層、例えばp 型ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ層、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層、およびｎ型微結晶Ｓ
ｉ：Ｈ層の積層構造を用いることが出来る。更に、金属
層としては、銀、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉおよびこれらと金属
酸化物との積層体等を用いることが出来る。
【００１２】以上のように構成される本発明の薄膜太陽
電池モジュールでは、相互に分離、かつ集積された複数
のセルからなる活性部分の周辺が、機械的に除去されて
いるため、モジュールの全周にわたって、高い絶縁を維
持することが出来、そのため、本発明によると、高い絶
縁耐圧特性のモジュールを高歩留まりで得ることが可能
である。
電池モジュールでは、相互に分離、かつ集積された複数
のセルからなる活性部分の周辺が、機械的に除去されて
いるため、モジュールの全周にわたって、高い絶縁を維
持することが出来、そのため、本発明によると、高い絶
縁耐圧特性のモジュールを高歩留まりで得ることが可能
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
種々の実施例について説明する。
種々の実施例について説明する。
【００１４】実施例1 図１は、本発明の一実施例に係る太陽電池モジュールを
示す断面図である。図１に示す太陽電池モジュールは、
次のように製造される。まず、面積９２ｃｍｘ４６ｃ
ｍ、厚さ４ｍｍのソーダーライムガラスからなるガラス
基板１上に、熱ＣＶＤ法により酸化錫膜（厚さ８０００
オングストローム）２を形成し、複数のセルを集積化す
るため、この酸化錫膜２をレーザースクライバーでパタ
ーニングし、透明電極とした。なお、参照符号３は、透
明電極スクライブ線を示す。
示す断面図である。図１に示す太陽電池モジュールは、
次のように製造される。まず、面積９２ｃｍｘ４６ｃ
ｍ、厚さ４ｍｍのソーダーライムガラスからなるガラス
基板１上に、熱ＣＶＤ法により酸化錫膜（厚さ８０００
オングストローム）２を形成し、複数のセルを集積化す
るため、この酸化錫膜２をレーザースクライバーでパタ
ーニングし、透明電極とした。なお、参照符号３は、透
明電極スクライブ線を示す。
【００１５】パターニング方法としては、基板１をＸ−
Ｙテーブル上にセットし、ＱスイッチＹＡＧレーザーを
用いて、分離加工を行った。レーザーの運転条件は、第
２高調波５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出
力５００ｎｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。分離幅
は５０μｍ、ストリング（個別太陽電池）の幅は約１０
ｍｍである。
Ｙテーブル上にセットし、ＱスイッチＹＡＧレーザーを
用いて、分離加工を行った。レーザーの運転条件は、第
２高調波５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出
力５００ｎｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。分離幅
は５０μｍ、ストリング（個別太陽電池）の幅は約１０
ｍｍである。
【００１６】なお、基板の周囲から５ｍｍの位置に、全
周にわたり周辺部と太陽電池活性部を電気的に分離する
ために、図３に示すように、ストリング分離用の加工部
１２の他に、レーザーによるパターニングを施した。参
照符号１３は、それによって形成されたレーザー絶縁分
離線を示す。
周にわたり周辺部と太陽電池活性部を電気的に分離する
ために、図３に示すように、ストリング分離用の加工部
１２の他に、レーザーによるパターニングを施した。参
照符号１３は、それによって形成されたレーザー絶縁分
離線を示す。
【００１７】また、半田メッキ銅箔を用いて電極取り出
し用の配線を形成するための領域１４を、両端にあるス
トリング１１ａ，１１ｂの外側に、３．５ｍｍの幅で残
した。
し用の配線を形成するための領域１４を、両端にあるス
トリング１１ａ，１１ｂの外側に、３．５ｍｍの幅で残
した。
【００１８】このようにしてパターニングされた酸化錫
膜２の上に、分離形成型装置のプラズマＣＶＤ室内にお
いて、ａ―Ｓｉ層４をプラズマＣＶＤ法により形成し
た。即ち、２００℃で、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ半導体層、
ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ
半導体層を順次堆積して、ＰＩＮ接合を構成する積層ａ
―Ｓｉ層４を形成した。各層を形成するためには、流量
がそれぞれ１００ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍ、１００ｓ
ｃｃｍのＳｉＨ4 を用い、p 型半導体層とn 型半導体層
を形成する場合にはそれぞれ１０００ｐｐｍの水素希釈
のＢ2 Ｈ6 とＰＨ 3 を２０００ｓｃｃｍ混入させた。
膜２の上に、分離形成型装置のプラズマＣＶＤ室内にお
いて、ａ―Ｓｉ層４をプラズマＣＶＤ法により形成し
た。即ち、２００℃で、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ半導体層、
ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ
半導体層を順次堆積して、ＰＩＮ接合を構成する積層ａ
―Ｓｉ層４を形成した。各層を形成するためには、流量
がそれぞれ１００ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍ、１００ｓ
ｃｃｍのＳｉＨ4 を用い、p 型半導体層とn 型半導体層
を形成する場合にはそれぞれ１０００ｐｐｍの水素希釈
のＢ2 Ｈ6 とＰＨ 3 を２０００ｓｃｃｍ混入させた。
【００１９】また、ｐ型半導体層の形成には、３０ｓｃ
ｃｍのＣＨ4 も混入させることにより、炭素合金化を行
った。各層を形成するための投入パワーは、それぞれ２
００Ｗ、５００Ｗ、３ｋＷであり、反応圧力はそれぞれ
１ｔｏｒｒ、０．５ｔｏｒｒ、１ｔｏｒｒであった。形
成した層の膜厚は、製膜時間からそれぞれ１５０オング
ストローム、３２００オングストローム、３００オング
ストロームと推定される。
ｃｍのＣＨ4 も混入させることにより、炭素合金化を行
った。各層を形成するための投入パワーは、それぞれ２
００Ｗ、５００Ｗ、３ｋＷであり、反応圧力はそれぞれ
１ｔｏｒｒ、０．５ｔｏｒｒ、１ｔｏｒｒであった。形
成した層の膜厚は、製膜時間からそれぞれ１５０オング
ストローム、３２００オングストローム、３００オング
ストロームと推定される。
【００２０】このようにして各層の製膜を行った後、基
板１をＸ−Ｙテーブル上にセットして、ＱスイッチＹＡ
Ｇレーザーを用いて、ａ―Ｓｉ層４を、ＳｎＯ2 層２の
パターニング位置から１００μｍづつ左にずらしてパタ
ーニングを行った。レーザーの運転条件は、第２高調波
５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００
ｍｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。なお、焦点位置
をずらすこととで、分離幅を１００μｍにした。参照符
号５は、半導体スクライブ線を示す。
板１をＸ−Ｙテーブル上にセットして、ＱスイッチＹＡ
Ｇレーザーを用いて、ａ―Ｓｉ層４を、ＳｎＯ2 層２の
パターニング位置から１００μｍづつ左にずらしてパタ
ーニングを行った。レーザーの運転条件は、第２高調波
５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００
ｍｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。なお、焦点位置
をずらすこととで、分離幅を１００μｍにした。参照符
号５は、半導体スクライブ線を示す。
【００２１】その後、マグネトロンスパッタ法により、
ＲＦ放電でＺｎＯターゲットを用いて、パターニングさ
れたａ―Ｓｉ層４上に、１０００オングストロームの膜
厚のＺｎＯ層（図示せず）を形成した。スパッタ条件
は、アルゴンガス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００
Ｗ、製膜温度２００℃であった。
ＲＦ放電でＺｎＯターゲットを用いて、パターニングさ
れたａ―Ｓｉ層４上に、１０００オングストロームの膜
厚のＺｎＯ層（図示せず）を形成した。スパッタ条件
は、アルゴンガス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００
Ｗ、製膜温度２００℃であった。
【００２２】次に、ＺｎＯ層上に、同じマグネトロンス
パッタ装置のＡｇターゲットを用いることにより、直流
放電および室温で、２０００オングストロームの膜厚の
金属電極層６を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガ
ス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００Ｗであった。
パッタ装置のＡｇターゲットを用いることにより、直流
放電および室温で、２０００オングストロームの膜厚の
金属電極層６を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガ
ス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００Ｗであった。
【００２３】最後に、マグネトロンスパッタ装置から基
板１を取り出して、Ｘ−Ｙテーブル上にセットして、Ｑ
スイッチＹＡＧレーザーを用いてＡｇ層およびａ―Ｓｉ
層４をパターニングして、半導体スクライブ線５から１
００μｍ離れた位置に裏面電極スクライブ線７を形成し
た。レーザーの運転条件は、ａ―Ｓｉ層４の加工条件と
全く同じであった。分離幅は７０μｍ、ストリング幅は
約１０ｍｍである。
板１を取り出して、Ｘ−Ｙテーブル上にセットして、Ｑ
スイッチＹＡＧレーザーを用いてＡｇ層およびａ―Ｓｉ
層４をパターニングして、半導体スクライブ線５から１
００μｍ離れた位置に裏面電極スクライブ線７を形成し
た。レーザーの運転条件は、ａ―Ｓｉ層４の加工条件と
全く同じであった。分離幅は７０μｍ、ストリング幅は
約１０ｍｍである。
【００２４】また、酸化錫膜２のときと同様に、基板の
周囲から５ｍｍの位置に全周にわたり周辺部と太陽電池
活性部を電気的に分離するために、ストリング分離用の
加工部の他にレーザーによるパターニングを施した。分
割幅は１５０μｍで酸化錫膜２の分離部１３を包括する
ように加工した。
周囲から５ｍｍの位置に全周にわたり周辺部と太陽電池
活性部を電気的に分離するために、ストリング分離用の
加工部の他にレーザーによるパターニングを施した。分
割幅は１５０μｍで酸化錫膜２の分離部１３を包括する
ように加工した。
【００２５】次に、このパターニングラインの外側０．
５ｍｍのさらに外側の部分１５を全周にわたって、Ｘ―
Ｙステージと、独自に開発したZ 軸方向の微小調整が可
能な平面回転歯を有する研磨機を用いて、約２５μｍの
深さで研磨を行った。即ち、金属電極層６、ＺｎＯ層、
ａ−Ｓｉ層４および酸化錫膜２の膜厚全体を除去すると
ともに、ガラス基板１の表面部分を除去した。加工速度
は３．５μｍ／分であった。
５ｍｍのさらに外側の部分１５を全周にわたって、Ｘ―
Ｙステージと、独自に開発したZ 軸方向の微小調整が可
能な平面回転歯を有する研磨機を用いて、約２５μｍの
深さで研磨を行った。即ち、金属電極層６、ＺｎＯ層、
ａ−Ｓｉ層４および酸化錫膜２の膜厚全体を除去すると
ともに、ガラス基板１の表面部分を除去した。加工速度
は３．５μｍ／分であった。
【００２６】その後、前述した配線用の位置１４に半田
メッキ銅箔からなるバスバー電極１６を形成して、電極
取り出しのための配線を行った。この電極１６はストリ
ングに平行となっている。
メッキ銅箔からなるバスバー電極１６を形成して、電極
取り出しのための配線を行った。この電極１６はストリ
ングに平行となっている。
【００２７】以上のように構成されるセルをモジュール
化するために、ＥＶＡシートとフッ素系フィルムからな
る保護フィルム８を真空ラミネータを用いて被覆して封
止し、シリコーン樹脂９を充填し、かつ端子の形成とフ
レーム付けを行った。
化するために、ＥＶＡシートとフッ素系フィルムからな
る保護フィルム８を真空ラミネータを用いて被覆して封
止し、シリコーン樹脂９を充填し、かつ端子の形成とフ
レーム付けを行った。
【００２８】このようにして得た太陽電池モジュールに
ついて、１００ｍＷ／ｃｍ2 のＡＭ１．５ソーラーシミ
ュレーターを用いて、電流電圧特性を測定した。その結
果、測定された太陽電池の特性は、短絡電流１２４０ｍ
Ａ、開放電圧４４．２Ｖ、曲線因子０．６８、最大出力
３７．３Ｗであった。
ついて、１００ｍＷ／ｃｍ2 のＡＭ１．５ソーラーシミ
ュレーターを用いて、電流電圧特性を測定した。その結
果、測定された太陽電池の特性は、短絡電流１２４０ｍ
Ａ、開放電圧４４．２Ｖ、曲線因子０．６８、最大出力
３７．３Ｗであった。
【００２９】次に、取り出し端子のプラスマイナス両極
を電気的に短絡させ、端子とフレーム間に１５００Ｖを
印加して抵抗値を測定し、１００ＭΩ以上であることを
確認した。
を電気的に短絡させ、端子とフレーム間に１５００Ｖを
印加して抵抗値を測定し、１００ＭΩ以上であることを
確認した。
【００３０】最後に、このモジュールを水中に１５分間
浸した後、上述した抵抗値を測定したが、やはり１００
ＭΩ以上であることが確認された。
浸した後、上述した抵抗値を測定したが、やはり１００
ＭΩ以上であることが確認された。
【００３１】実施例2 裏面金属層をレーザーパターニングした後に、研磨機の
代わりにマスクとブラスト洗浄機を用いて、基板周辺の
透明導電膜層、半導体層、裏面金属層、および基板表面
を取り除いた以外は、実施例１と全く同様にして、太陽
電池モジュールを作製し、同様の試験を行った。
代わりにマスクとブラスト洗浄機を用いて、基板周辺の
透明導電膜層、半導体層、裏面金属層、および基板表面
を取り除いた以外は、実施例１と全く同様にして、太陽
電池モジュールを作製し、同様の試験を行った。
【００３２】マスクにはＳＵＳ板を用い、ブラストの平
均粒径は約４０μｍであり、手動で操作して周辺部の機
械的エッチングを行った。得られた特性は、実施例１と
ほぼ同じであり、短絡電流１２４０ｍＡ、開放電圧４
４．２Ｖ、曲線因子０．６８、最大出力３７．３Ｗであ
った。また、取り出し端子とフレーム間の抵抗値は、浸
水前後でいづれも１００ＭΩ以上であった。
均粒径は約４０μｍであり、手動で操作して周辺部の機
械的エッチングを行った。得られた特性は、実施例１と
ほぼ同じであり、短絡電流１２４０ｍＡ、開放電圧４
４．２Ｖ、曲線因子０．６８、最大出力３７．３Ｗであ
った。また、取り出し端子とフレーム間の抵抗値は、浸
水前後でいづれも１００ＭΩ以上であった。
【００３３】比較例 基板周辺の透明導電膜層、半導体層、裏面金属層、およ
び基板表面を取り除かなかった以外は、実施例１と全く
同様にして、図２に示すような太陽電池モジュールを作
製し、同様の試験を行った。
び基板表面を取り除かなかった以外は、実施例１と全く
同様にして、図２に示すような太陽電池モジュールを作
製し、同様の試験を行った。
【００３４】得られた太陽電池の特性は、短絡電流１２
４０ｍＡ、開放電圧４３．１Ｖ、曲線因子０．６８、最
大出力３６．３Ｗであり、実施例１、２とそれほど変ら
なかった。しかし、取り出し端子とフレーム間の抵抗値
は、浸水前で８００ｋΩ、浸水後で１５ｋΩであり、実
施例１、２と比べてかなり低い値であった。
４０ｍＡ、開放電圧４３．１Ｖ、曲線因子０．６８、最
大出力３６．３Ｗであり、実施例１、２とそれほど変ら
なかった。しかし、取り出し端子とフレーム間の抵抗値
は、浸水前で８００ｋΩ、浸水後で１５ｋΩであり、実
施例１、２と比べてかなり低い値であった。
【００３５】本発明における実施例の結果では、フレー
ムと端子間の絶縁抵抗値はいずれも１００ＭΩ以上であ
り、浸水試験によってもこの値をクリヤーしていること
がわかる。一方、本発明によらない比較例では太陽電池
としては十分な電流電圧特性が得られているにもかかわ
らず、絶縁抵抗という意味では、本実施例に大きく見劣
りがする結果となった。
ムと端子間の絶縁抵抗値はいずれも１００ＭΩ以上であ
り、浸水試験によってもこの値をクリヤーしていること
がわかる。一方、本発明によらない比較例では太陽電池
としては十分な電流電圧特性が得られているにもかかわ
らず、絶縁抵抗という意味では、本実施例に大きく見劣
りがする結果となった。
【００３６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よると、絶縁耐圧特性に優れた薄膜太陽電池モジュール
を、極めて簡易なプロセスで、高い歩留まりで得ること
が可能である。
よると、絶縁耐圧特性に優れた薄膜太陽電池モジュール
を、極めて簡易なプロセスで、高い歩留まりで得ること
が可能である。
【図１】実施例１に係る薄膜太陽電池モジュールの断面
図。
図。
【図２】比較例に係る薄膜太陽電池モジュールの断面
図。
図。
【図３】図１及び図２に示す薄膜太陽電池モジュールの
平面図。
平面図。
１…ガラス基板 ２…酸化錫膜 ３…透明電極スクライブ線 ４…ａ―Ｓｉ層 ５…半導体スクライブ線 ６…金属電極層 ７…裏面電極スクライブ線 ８…保護フィルム ９…シリコーン樹脂 １１ａ，１１ｂ…両端のストリング １２…ストリング分離用加工部 １３…レーザー絶縁分離線 １４…配線部 １５…研磨部 １６…バスバー電極
Claims (6)
- 【請求項１】透光性基板上に形成された、透明電極層、
光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビームに
よる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気的に
集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、前記
透光性基板の周辺部における、前記透明電極層、前記光
半導体層および前記金属層は、機械的に除去されている
ことを特徴とする薄膜太陽電池モジュール。 - 【請求項２】前記透明電極層、前記光半導体層および前
記金属層の機械的な除去が、表面研磨法により行われた
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュ
ール。 - 【請求項３】前記透明電極層、前記光半導体層および前
記金属層の機械的な除去が、１００μｍ以下の微粒子の
吹き付けによる機械的なエッチング法により行われたこ
とを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュー
ル。 - 【請求項４】機械的な除去は前記透光性基板の表面に対
しても行われ、機械的に除去された前記透光性基板、前
記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の合計
の深さが、５μｍないし１００μｍであることを特徴と
する請求項２または３に記載の薄膜太陽電池モジュー
ル。 - 【請求項５】機械的に除去された前記透光性基板、前記
透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の合計の
深さが、１０μｍないし２５μｍであることを特徴とす
る請求項２または３に記載の薄膜太陽電池モジュール。 - 【請求項６】前記光半導体層がシリコンを主成分とする
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかの項に記
載の薄膜太陽電池モジュール。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10322201A JP2000150944A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 太陽電池モジュール |
| AU47332/99A AU731869B2 (en) | 1998-11-12 | 1999-09-02 | Solar cell module |
| DE69941207T DE69941207D1 (de) | 1998-11-12 | 1999-09-06 | Herstellungsverfahren für Solarzellenmodul |
| AT99117561T ATE438929T1 (de) | 1998-11-12 | 1999-09-06 | Herstellungsverfahren für solarzellenmodul |
| ES99117561T ES2329203T3 (es) | 1998-11-12 | 1999-09-06 | Procedimiento de fabricacion de un modulo de celulas solares. |
| EP99117561A EP1005096B1 (en) | 1998-11-12 | 1999-09-06 | Method of making a solar cell module |
| US09/392,083 US6300556B1 (en) | 1998-11-12 | 1999-09-08 | Solar cell module |
| US09/927,562 US6384315B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-08-10 | Solar cell module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10322201A JP2000150944A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 太陽電池モジュール |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007159207A Division JP4681581B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | 太陽電池モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150944A true JP2000150944A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18141091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10322201A Pending JP2000150944A (ja) | 1998-11-12 | 1998-11-12 | 太陽電池モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150944A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165531A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池及び太陽電池製造方法 |
| JP2008053303A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池パネル |
| WO2008038553A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell module |
| WO2008050556A1 (fr) | 2006-10-27 | 2008-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Cellule solaire à film mince et son procédé de fabrication |
| JP2008300732A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Kaneka Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| WO2009107517A1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
| WO2009139389A1 (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 株式会社アルバック | 薄膜太陽電池モジュールの製造方法及び薄膜太陽電池モジュール |
| JP2010232692A (ja) * | 2010-07-12 | 2010-10-14 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| WO2011152073A1 (en) | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Sintokogio, Ltd. | Apparatus for treating a plate-like member and method of treating the same |
| JP2012009531A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
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| KR101176131B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2012-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 향상된 절연특성을 구비하는 박막형 태양전지 |
| JP2012209335A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜型太陽電池モジュ−ル用の封止材シート、及び薄膜型太陽電池モジュール |
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| JP2022003661A (ja) * | 2020-06-23 | 2022-01-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
-
1998
- 1998-11-12 JP JP10322201A patent/JP2000150944A/ja active Pending
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