JPH07107747B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH07107747B2 JPH07107747B2 JP62031182A JP3118287A JPH07107747B2 JP H07107747 B2 JPH07107747 B2 JP H07107747B2 JP 62031182 A JP62031182 A JP 62031182A JP 3118287 A JP3118287 A JP 3118287A JP H07107747 B2 JPH07107747 B2 JP H07107747B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording medium
- optical recording
- radiation
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 Ｉ 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体がある。
光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi、MnAlGe、MnSb、 MnCuBi、GdFe、TbFe、 GdCo、PtCo、TbCo、 TbFeCO、GdFeCo、 TbFeO3、GdIG、GdTbFe、 GdTbFeCoBi、CoFe2O4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、磁化容易軸が膜面に
垂直方向にあり、さらに、カー効果やファラデー効果が
大きいという点をあげることができる。
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、磁化容易軸が膜面に
垂直方向にあり、さらに、カー効果やファラデー効果が
大きいという点をあげることができる。
この性質を利用して、光磁気記録媒体の記録方法として
は、例えば次の方法がある。
は、例えば次の方法がある。
まず、最初に膜全体を“0"すなわち一様に磁化しておく
（これを消去という）。つぎに、“1"を記録したい部分
にレーザービームを照射する。レーザービームが照射さ
れたところは温度が上昇し、キューリー点に近づいた
時、そしてさらにキューリー点をこえた時には、保持力
Hcに近づく。そして、レーザービームを消し室温にもど
せば、反磁場のエネルギーにより磁化は反転し、さにら
は、レーザービームの照射の際、外部磁場を初期と反対
の方向に与えて室温にもどすと、磁化反転し、“1"なる
信号が記録される。
（これを消去という）。つぎに、“1"を記録したい部分
にレーザービームを照射する。レーザービームが照射さ
れたところは温度が上昇し、キューリー点に近づいた
時、そしてさらにキューリー点をこえた時には、保持力
Hcに近づく。そして、レーザービームを消し室温にもど
せば、反磁場のエネルギーにより磁化は反転し、さにら
は、レーザービームの照射の際、外部磁場を初期と反対
の方向に与えて室温にもどすと、磁化反転し、“1"なる
信号が記録される。
また、記録は初期状態が“0"であるから、レーザービー
ムを照射しない部分に“0"のまま残る。
ムを照射しない部分に“0"のまま残る。
記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光効
果を利用して行われる。
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光効
果を利用して行われる。
このような媒体に要求されることは、第１に、キューリ
ー点が100〜200℃程度で補償点が室温付近であること。
ー点が100〜200℃程度で補償点が室温付近であること。
第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと。
いこと。
第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。
このような要求にこたえ、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。
しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体は、、大気に接したままで保存する
と、基板をとおして侵入する大気中の酸素や水により希
土類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の
記録、再生が不可能となる。
る光磁気記録媒体は、、大気に接したままで保存する
と、基板をとおして侵入する大気中の酸素や水により希
土類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の
記録、再生が不可能となる。
そこで、一般には、前記磁性薄膜層と基板との間に保護
用の中間層を設けた構成を有するものが多く研究されて
いる。
用の中間層を設けた構成を有するものが多く研究されて
いる。
従来、このような防湿性の保護層としては、一酸化ケイ
素、二酸化ケイ素等の無機系の真空蒸着膜等を設ける試
み（特開昭58−80142号等）が開示されている。
素、二酸化ケイ素等の無機系の真空蒸着膜等を設ける試
み（特開昭58−80142号等）が開示されている。
これらの保護層のうち、例えばSiO、などの無機系の保
護層は、スパッタ法および蒸着法等により形成される。
護層は、スパッタ法および蒸着法等により形成される。
しかし、これらの方法によっては、均一かつ緻密で一様
におおわれた成膜が難しく、防湿性が十分な保護層はえ
られない。そのため、光磁気記録媒体の磁性薄膜層の経
時劣化が改善されない。
におおわれた成膜が難しく、防湿性が十分な保護層はえ
られない。そのため、光磁気記録媒体の磁性薄膜層の経
時劣化が改善されない。
また、常温硬化性の樹脂の塗布保護層でも、十分な防湿
性は得られず、保存まだ水分、酸素の透過等の影響があ
り、これが劣化をうながす。
性は得られず、保存まだ水分、酸素の透過等の影響があ
り、これが劣化をうながす。
また、放射線硬化型化合物の塗膜を紫外線などにより硬
化させた保護層が提案されており（特開昭61−133067
号）、その中でオリゴエステルアクリレートと光増感剤
としてメチルベンゾイル フォーメート（ストーファー
ジャパン社製バイキュア55）とを含む塗膜を硬化させた
ものが開示されている。
化させた保護層が提案されており（特開昭61−133067
号）、その中でオリゴエステルアクリレートと光増感剤
としてメチルベンゾイル フォーメート（ストーファー
ジャパン社製バイキュア55）とを含む塗膜を硬化させた
ものが開示されている。
しかし、これらでは保護膜機能および硬化性の点で未だ
十分でない。
十分でない。
具体的には、硬化速度が小さいこと、薄膜にした際の硬
化膜の強度が十分に得られないこと、膜厚を大きくする
必要性があること、などの問題が挙げられる。これらの
問題は主に光重合開始剤ないし光増感剤の光吸収性が十
分でなくラジカル開裂が進行しにくいことに起因する。
化膜の強度が十分に得られないこと、膜厚を大きくする
必要性があること、などの問題が挙げられる。これらの
問題は主に光重合開始剤ないし光増感剤の光吸収性が十
分でなくラジカル開裂が進行しにくいことに起因する。
また、硬化が十分でないと、架橋密度が低くなり、未硬
化のモノマーやオリゴマーが記録層の方に浸透して記録
層に悪影響を及ぼす。このような現象は特に高温高湿の
保存によって顕著となる。
化のモノマーやオリゴマーが記録層の方に浸透して記録
層に悪影響を及ぼす。このような現象は特に高温高湿の
保存によって顕著となる。
このため、このような硬化膜を用いた光記録媒体では信
頼性が十分とはいえない。
頼性が十分とはいえない。
なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。
層を有する光記録媒体でも同様である。
II 発明の目的 本発明の目的は、有機保護コート層を有する光記録媒体
であって、保護層の硬化性が高く、特に高温、高湿下に
おける保存性に優れた光記録媒体を提供することにあ
る。
であって、保護層の硬化性が高く、特に高温、高湿下に
おける保存性に優れた光記録媒体を提供することにあ
る。
III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。
すなわち、本発明は、基板上に記録層を有し、この記録
層の上に保護層を有する光記録媒体において、 保護層が放射線硬化型化合物および下記一般式（Ｉ）で
表わされる化合物を含有する塗膜を放射線によって硬化
させたものであることを特徴とする光記録媒体である。
層の上に保護層を有する光記録媒体において、 保護層が放射線硬化型化合物および下記一般式（Ｉ）で
表わされる化合物を含有する塗膜を放射線によって硬化
させたものであることを特徴とする光記録媒体である。
一般式（Ｉ） ｛上記一般式（Ｉ）においてＲは炭素数１〜４のアルキ
ル基を表わし、Ｌは炭素数１〜３のアルキレン基を表わ
し、Ｙはモルホリノ基を表わす。｝ IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。
ル基を表わし、Ｌは炭素数１〜３のアルキレン基を表わ
し、Ｙはモルホリノ基を表わす。｝ IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、基板上に記録層を有し、この記
録層の上に保護層を有するものであって保護層は放射線
硬化型化合物および下記一般式（Ｉ）で表わされる化合
物を含有する塗膜を放射線によって硬化させたものであ
る。
録層の上に保護層を有するものであって保護層は放射線
硬化型化合物および下記一般式（Ｉ）で表わされる化合
物を含有する塗膜を放射線によって硬化させたものであ
る。
一般式（Ｉ） 上記一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素数１〜４の置換も
しくは非置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基等を表わし、なかでもメチル
基、エチル基等が好ましい。
しくは非置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基等を表わし、なかでもメチル
基、エチル基等が好ましい。
Ｌは炭素数１〜３の置換もしくは非置換のアルキレン
基、例えば−CH2−、 等を表わし、なかでも が好ましい。
基、例えば−CH2−、 等を表わし、なかでも が好ましい。
Ｙは、モルホリノ基を表わす。
RS−は、一般式（Ｉ）中のベンゼン環の置換可能ないず
れの位置でベンゼン環と結合してもよいが、 のｐ位であることが好ましい。
れの位置でベンゼン環と結合してもよいが、 のｐ位であることが好ましい。
本発明において、一般式（Ｉ）で表わされる化合物のう
ちで、最も好ましいものは以下のものである。
ちで、最も好ましいものは以下のものである。
化合物Ａ この化合物Ａは、IRGACURE907（日本チバガイギー社
製）として市販されているものである。
製）として市販されているものである。
一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、放射線硬化の際光
重合開始剤ないし光増感剤として作用するものである。
重合開始剤ないし光増感剤として作用するものである。
このような化合物の保護層における含有量は、0.1〜20w
t％、好ましくは１〜10wt％とするのがよい。
t％、好ましくは１〜10wt％とするのがよい。
0.1wt％未満では光重合開始剤ないし光増感剤としての
作用が十分ではないからであり、20wt％をこえると残存
する光重合開始剤ないし光増感剤が記録層に浸透し、記
録層に悪影響を与えるからである。
作用が十分ではないからであり、20wt％をこえると残存
する光重合開始剤ないし光増感剤が記録層に浸透し、記
録層に悪影響を与えるからである。
本発明の光記録媒体の保護層に含有される放射線硬化型
化合物にオリゴエステルアクリレートが含まれることが
好ましい。
化合物にオリゴエステルアクリレートが含まれることが
好ましい。
オリゴエステルアクリレートは、アクリレート基または
メタクリレート基を複数有するオリゴエステル化合物で
ある。そして好ましいオリゴエステルアクリレートとし
ては、分子量1000〜10000、好ましくは2000〜7000であ
って、重合度２〜10、好ましくは、３〜５のものが挙げ
られる。また、これらのうちアクリレート基またはメタ
クリレート基を２〜６個有する多官能オリゴエステルア
クリレートが好ましい。
メタクリレート基を複数有するオリゴエステル化合物で
ある。そして好ましいオリゴエステルアクリレートとし
ては、分子量1000〜10000、好ましくは2000〜7000であ
って、重合度２〜10、好ましくは、３〜５のものが挙げ
られる。また、これらのうちアクリレート基またはメタ
クリレート基を２〜６個有する多官能オリゴエステルア
クリレートが好ましい。
官能オリゴエステルアクリレートとしてはアロニックス
Ｍ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、
Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−8060、Ｍ−8100等（東亜合成
化学社製として市販されているものを用いることがで
き、これらは下記式（Ａ）、（Ｂ）で示されるものであ
る。
Ｍ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、
Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−8060、Ｍ−8100等（東亜合成
化学社製として市販されているものを用いることがで
き、これらは下記式（Ａ）、（Ｂ）で示されるものであ
る。
（Ｂ） ＡＭ−ＮnM−Ａ A:アクリレート基またはメタクリレート基、 M:2価アルコール（例えば、エチレングリコール、ジエ
チレングリコール、1,6−ヘキサングリコール、ビスフ
ェノールＡ等）残基、 N:2塩基酸（例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ア
ジピン酸、コハク酸等）残基、 n:1〜10、好ましくは２〜５ このようなオリゴエステルアクリレートは単独で使用し
てもよい。
チレングリコール、1,6−ヘキサングリコール、ビスフ
ェノールＡ等）残基、 N:2塩基酸（例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ア
ジピン酸、コハク酸等）残基、 n:1〜10、好ましくは２〜５ このようなオリゴエステルアクリレートは単独で使用し
てもよい。
また、他の放射線硬化型化合物を併用してもよい。その
ような場合、オリゴエステルアクリレートは、放射線硬
化型化合物中20wt％以上存在することが好ましい。
ような場合、オリゴエステルアクリレートは、放射線硬
化型化合物中20wt％以上存在することが好ましい。
上記のオリゴエステルアクリレートには、他の放射線硬
化型化合物を併用することができ、このようなものとし
ては、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル重合性を
示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル
酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル
系二重結合、ジアクリルフタレートのようなアリル系二
重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重
結合等の放射線照射による架橋あるいは重合する基を分
子中に含有または導入したモノマー、オリゴマーおよび
ポリマー等を挙げることができる。
化型化合物を併用することができ、このようなものとし
ては、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル重合性を
示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル
酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル
系二重結合、ジアクリルフタレートのようなアリル系二
重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重
結合等の放射線照射による架橋あるいは重合する基を分
子中に含有または導入したモノマー、オリゴマーおよび
ポリマー等を挙げることができる。
放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化合
物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のものが
用いられる。
物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のものが
用いられる。
それらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアク
リレート（メタクリレート）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOCH2）３−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２） （CH2＝CHCOCH2）３−CCH2OH3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔CH2＝CHOC（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記一般式で示される特殊アクリレート類等が挙
げられる。
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアク
リレート（メタクリレート）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOCH2）３−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２） （CH2＝CHCOCH2）３−CCH2OH3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔CH2＝CHOC（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記一般式で示される特殊アクリレート類等が挙
げられる。
８） CH2＝CHCOO−（CH2CH2O）４−COCH＝CH2 （特殊アクリレートＨ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、ウレタンエラ
ストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのものにCO
OH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
ストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのものにCO
OH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
また、上記化合物に加えて、あるいはこれにかえて熱可
塑性樹脂を放熱線感応変性することによって得られる放
射線硬化型化合物を用いてもよい。
塑性樹脂を放熱線感応変性することによって得られる放
射線硬化型化合物を用いてもよい。
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系重合体、飽和ポリエステル樹脂、ポリ
ビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキシ
系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
は、塩化ビニル系重合体、飽和ポリエステル樹脂、ポリ
ビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキシ
系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多感応ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルプロリドン樹脂および誘導体（PVPオ
レフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
ては、多感応ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルプロリドン樹脂および誘導体（PVPオ
レフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
このような放射線硬化型化合物の保護層の膜厚は0.1〜3
0μｍ、より好ましくは１〜10μｍである。
0μｍ、より好ましくは１〜10μｍである。
この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成でき
ず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、記
録層の耐久性が向上しない。また、30μｍをこえると、
樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反りや保
護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
ず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、記
録層の耐久性が向上しない。また、30μｍをこえると、
樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反りや保
護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。
本発明において塗膜に照射する放射線としては、紫外
線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ましい。
線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ましい。
紫外線を用いる場合には、前述したような放射線硬化型
化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられる。
化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられる。
光重合増感剤としては、必要に応じ前記の一般式（Ｉ）
で表わされる化合物の他に、次のような公知ものが併用
できる。
で表わされる化合物の他に、次のような公知ものが併用
できる。
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。
たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。
球等を用いればよい。
また、場合によっては電子線を用いることもてきる。
本発明の光記録媒体に用いられる基板は、樹脂や各種ガ
ラス等によって形成される。
ラス等によって形成される。
好ましい樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂等があ
げられる。
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂等があ
げられる。
なお、記録は基板をとおして行うので、書き込み光ない
し読み出し光に対する透過率は86％以上とする。
し読み出し光に対する透過率は86％以上とする。
また、基板は、通常ディスク状とし、1.2〜1.5mm程度の
厚さとする。
厚さとする。
このようなディスク状基板の記録層形成面には、トラッ
キング用の溝ないしピットが形成されてもよい。
キング用の溝ないしピットが形成されてもよい。
溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここに、
ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾は、
トラック巾程度とされる。
ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾は、
トラック巾程度とされる。
そして、通常、この溝の凹部に位置する記録層を記録ト
ラック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏
面側から照射することが好ましい。
ラック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏
面側から照射することが好ましい。
このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号は
大きくなる。
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号は
大きくなる。
また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。
してもよい。
本発明における記録層としては磁性薄膜層が挙げられ
る。
る。
磁性薄膜層は、変調された熱ビームあるいは変調された
磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記
録情報は磁気−光変換して再生するものである。
磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記
録情報は磁気−光変換して再生するものである。
このような磁性薄膜層の材質としては、Gd、Tb等の希土
類金属とFe、Co等の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着法
等により、非晶質膜として形成したものであり、しかも
FeとCoを必須含有成分とするものである。
類金属とFe、Co等の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着法
等により、非晶質膜として形成したものであり、しかも
FeとCoを必須含有成分とするものである。
この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であること
が好ましい。
が好ましい。
そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／ま
たはTbである。
たはTbである。
そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTbFe
Co等がある。
Co等がある。
なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でCr、
Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。
Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。
また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、L
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
を含有してもよい。
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
を含有してもよい。
このような磁性薄膜層の膜厚は、0.01〜１μｍが好まし
い。
い。
この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、 Te−Ge、Te−In、Te−Sn、 Te−Ge−Sb−Ｓ、 Te−Ge−As−Si、Te−Si、 Te−Ge−Si−Sb、 Te−Ge−Bi、 Te−Ge−In−Ga、 Te−Si−Bi−Tl、 Te−Ge−Bi−In−Ｓ、 Te−As−Ge−Sb、 Te−Ge−Se−Ｓ、 Te−Ge−Se、 Te−As−Ge−Ga、 Te−Ge−Ｓ−In、 Se−Ge−Tl、Se−Te−As、 Se−Ge−Tl−Sb、 Se−Ge−Bi、Se−Ｓ（以上、特公昭54−41902号、特許
第1004835号など） TeOX（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe酸
化物中に分散されたTe）、 TeOX＋PbOX（特許第974258号）、 TeOX＋VOX（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te−T
l−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNX等のTe、Seを主
体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によって
色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生じ
る合金などがある。
ものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、 Te−Ge、Te−In、Te−Sn、 Te−Ge−Sb−Ｓ、 Te−Ge−As−Si、Te−Si、 Te−Ge−Si−Sb、 Te−Ge−Bi、 Te−Ge−In−Ga、 Te−Si−Bi−Tl、 Te−Ge−Bi−In−Ｓ、 Te−As−Ge−Sb、 Te−Ge−Se−Ｓ、 Te−Ge−Se、 Te−As−Ge−Ga、 Te−Ge−Ｓ−In、 Se−Ge−Tl、Se−Te−As、 Se−Ge−Tl−Sb、 Se−Ge−Bi、Se−Ｓ（以上、特公昭54−41902号、特許
第1004835号など） TeOX（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe酸
化物中に分散されたTe）、 TeOX＋PbOX（特許第974258号）、 TeOX＋VOX（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te−T
l−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNX等のTe、Seを主
体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によって
色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生じ
る合金などがある。
本発明においては基板と記録層との間に中間層を設けて
もよい。
もよい。
中間層の材質としては、酸素、炭素、窒素、硫黄等を含
む化合物、例えば、SiO2、SiO、AlN、Al2O3、Si3N4、Zn
S、BN、TiO2、TiN等ないしこれらの混合物などの各種誘
導体物質；ガラス、名問えばホウケイ酸ガラス、バリウ
ムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウケイ酸ガラス等
あるいはこのものにSi3N4等を含むものなどを用いれば
よい。なかでも、SiO2 40〜80wt％のホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウケイ
酸ガラスや、これらのSiO2の一部をSi3N4等で置換した
ものが好ましい。
む化合物、例えば、SiO2、SiO、AlN、Al2O3、Si3N4、Zn
S、BN、TiO2、TiN等ないしこれらの混合物などの各種誘
導体物質；ガラス、名問えばホウケイ酸ガラス、バリウ
ムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウケイ酸ガラス等
あるいはこのものにSi3N4等を含むものなどを用いれば
よい。なかでも、SiO2 40〜80wt％のホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウケイ
酸ガラスや、これらのSiO2の一部をSi3N4等で置換した
ものが好ましい。
これらのうちで特に好ましいものとしては、下記のもの
が挙げられる。
が挙げられる。
（１）酸化ケイ素40〜90wt％と、 BaO,CaO,SrO,MgO,ZnO,PbO等の２価金属酸化物50wt％以
下および／またはアルカリ金属酸化物10wt％以下と、酸
化ホウ素および／または酸化アルミニウムとを含有する
もの。
下および／またはアルカリ金属酸化物10wt％以下と、酸
化ホウ素および／または酸化アルミニウムとを含有する
もの。
（２）Siと他の金属または半金属元素としてBa,Ca,Sr,M
g,Zn,Pb等の１種以上、Al,Bの１種以上およびアルカリ
金属元素の１種以上のうちの少なくとも１つとを含み、
全金属ないし半金属中のSi原子比が0.3〜0.9であり、さ
らにＯおよびＮを含み、O/（Ｏ＋Ｎ）が0.4〜0.8である
もの。
g,Zn,Pb等の１種以上、Al,Bの１種以上およびアルカリ
金属元素の１種以上のうちの少なくとも１つとを含み、
全金属ないし半金属中のSi原子比が0.3〜0.9であり、さ
らにＯおよびＮを含み、O/（Ｏ＋Ｎ）が0.4〜0.8である
もの。
このような中間層は、500〜3000Å、好ましくは800〜25
00Åの厚さとするのがよい。
00Åの厚さとするのがよい。
500Å未満となると、耐候性が十分でないからであり、1
500Åをこえると、厚すぎて媒体とした場合感度が低下
してしまうからである。
500Åをこえると、厚すぎて媒体とした場合感度が低下
してしまうからである。
なお、これら中間層としては、上記のガラス層を中間層
下地として300〜1000Å程度に設層し、この上にSiO2、S
iO、Si3N4、AlN、Al2O3、ZnS等、あるいはこれらの混合
物などを誘電体物質を誘電体層として500〜1500Å程度
に設層したものが好ましい。
下地として300〜1000Å程度に設層し、この上にSiO2、S
iO、Si3N4、AlN、Al2O3、ZnS等、あるいはこれらの混合
物などを誘電体物質を誘電体層として500〜1500Å程度
に設層したものが好ましい。
この場合、誘電体層800nmにおける屈折率1.8〜3.0のも
のが好ましく、siと希土類金属および／またはAlとを含
み、ＯおよびＮを含むものが好適である。
のが好ましく、siと希土類金属および／またはAlとを含
み、ＯおよびＮを含むものが好適である。
このような中間層と同材質の層は、記録層と前記した保
護層との間に保護中間層として設層してもよい。厚さも
同程度とすればよい。
護層との間に保護中間層として設層してもよい。厚さも
同程度とすればよい。
前記した保護層の上には、通常接着剤層を介して保護板
が設けられる。
が設けられる。
すなわち、前記の基板の裏面（記録層を設けていない側
の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる片面記録
の場合にのみ、この保護板を用いる。
の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる片面記録
の場合にのみ、この保護板を用いる。
このような保護板の樹脂材質は特別に透明性等を要求さ
れることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ
ビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ
塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール、
ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
れることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ
ビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ
塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール、
ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板と
して用いてもよい。
して用いてもよい。
このものの形状、寸法等は上記の基板のそれとほぼ同様
とされる。
とされる。
このような保護板は、前述したように接着剤層を介して
接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂等の
接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度とされ
る。
接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂等の
接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度とされ
る。
他方、上記の保護板を用いる代りに、前記の記録層、保
護層等を有する基板をさらに１セット用いて、両記録層
を内側にして対向させて、接着剤層を用いて貼り合せ
て、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両
面記録タイプとしてもよい。
護層等を有する基板をさらに１セット用いて、両記録層
を内側にして対向させて、接着剤層を用いて貼り合せ
て、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両
面記録タイプとしてもよい。
さらに、これらの基板や保護板の裏面（記録層を設けて
いない側の面）には各種保護膜としてのハードコート層
を設けることが好ましい。
いない側の面）には各種保護膜としてのハードコート層
を設けることが好ましい。
ハードコート層の材質としては、前述した保護層の材質
と同様なものとしてもよい。
と同様なものとしてもよい。
Ｖ 発明の具体的作用効果 本発明によれば、保護層が放射線硬化型化合物および前
記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する塗膜を放
射線によって硬化させたものであるため、保護層の硬化
性が高い。すなわち、硬化速度が大きく、硬化膜の強度
も大きい。また膜厚も小さくすることができる。
記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する塗膜を放
射線によって硬化させたものであるため、保護層の硬化
性が高い。すなわち、硬化速度が大きく、硬化膜の強度
も大きい。また膜厚も小さくすることができる。
このようなことから光記録媒体として用いた場合、架橋
密度が高いため未硬化のモノマーやオリゴマーが記録層
の方に浸透して記録層に悪影響を及ぼすという弊害が除
去できる。また、高温高湿下における保存性に優れる。
密度が高いため未硬化のモノマーやオリゴマーが記録層
の方に浸透して記録層に悪影響を及ぼすという弊害が除
去できる。また、高温高湿下における保存性に優れる。
VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
実施例１ 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系のポリカー
ボネート樹脂（分子量1500）からなる基板上にガラス
（SiO2 48wt％,Al2O3 15wt％,B2O3 14wt％,Na2O 3w
t％,K2O 2wt％,BaO 5wt％,CaO 9wt％,MgO 4wt％）
の中間層を高周波マグネトロンスパッタによって膜厚90
0Åに設層した。
ボネート樹脂（分子量1500）からなる基板上にガラス
（SiO2 48wt％,Al2O3 15wt％,B2O3 14wt％,Na2O 3w
t％,K2O 2wt％,BaO 5wt％,CaO 9wt％,MgO 4wt％）
の中間層を高周波マグネトロンスパッタによって膜厚90
0Åに設層した。
この中間層の上に21at％Tb、68at％Fe、7at％Co、4at％
Cr合金薄膜をスパッタリングによって、厚さ800Åに設
層し、磁性薄膜層とした。
Cr合金薄膜をスパッタリングによって、厚さ800Åに設
層し、磁性薄膜層とした。
なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチップ
をのせたものを用いた。
をのせたものを用いた。
この磁性薄膜層上にガラス（中間層の場合と同じ）の保
護中間層を膜厚1000Åにスパッタリングで設層し、この
保護中間層の上に下記の放射線硬化型化合物および本発
明の化合物Ａを含む塗布組成物を保護層としてスピンナ
ーコートで設層した。
護中間層を膜厚1000Åにスパッタリングで設層し、この
保護中間層の上に下記の放射線硬化型化合物および本発
明の化合物Ａを含む塗布組成物を保護層としてスピンナ
ーコートで設層した。
（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート（商品名アロニック
スＭ−8030;東亜合成社製） 100重量部 化合物Ａ （IRGACURE907;日本チバガイギー社製） ５重量部 このような塗布組成物を設層後、120W/cmの紫外線を15s
ec照射し架橋硬化させ、硬化膜とした。
スＭ−8030;東亜合成社製） 100重量部 化合物Ａ （IRGACURE907;日本チバガイギー社製） ５重量部 このような塗布組成物を設層後、120W/cmの紫外線を15s
ec照射し架橋硬化させ、硬化膜とした。
この時の膜厚は５μｍであった。
これをサンプル１とする。
サンプル１において保護層に含有させる化合物Ａを下記
の化合物B,C,Dにかえる以外は同様にしてサンプル2,3,4
を作製した。
の化合物B,C,Dにかえる以外は同様にしてサンプル2,3,4
を作製した。
また保護層を設層しないサンプル５も同様に作製した。
化合物Ｂ（商品名IRGACURE−651;日本チバガイギー社
製） 化合物Ｃ（商品名IRGACURE−184;日本チバガイギー社
製） 化合物Ｄ（商品名BIQURE−55;ストーファージャパン社
製） これらのサンプルについて下記の特性を調べた。
製） 化合物Ｃ（商品名IRGACURE−184;日本チバガイギー社
製） 化合物Ｄ（商品名BIQURE−55;ストーファージャパン社
製） これらのサンプルについて下記の特性を調べた。
（１）ピンホールの発生 60℃、90％RHにて保存した場合ピンホールが発生するま
での時間を調べた。
での時間を調べた。
（２）硬化度 ガラス基板上に上記サンプルの保護層と同じ組成の塗膜
を形成し、同様に硬化膜を作製した。これを24時間アセ
トンで還流し抽出した。抽出物の量から硬化度を算出し
た。
を形成し、同様に硬化膜を作製した。これを24時間アセ
トンで還流し抽出した。抽出物の量から硬化度を算出し
た。
これらの結果を表１に示す。
以上より本発明の効果は明らかである。
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に記録層を有し、この記録層の上に
保護層を有する光記録媒体において、 保護層が放射線硬化型化合物および下記一般式（Ｉ）で
表わされる化合物を含有する塗膜を放射線によって硬化
させたものであることを特徴とする光記録媒体。 一般式（Ｉ） ｛上記一般式（Ｉ）においてＲは炭素数１〜４のアルキ
ル基を表わし、Ｌは炭素数１〜３のアルキレン基を表わ
し、Ｙはモルホリノ基を表わす。｝ - 【請求項２】放射線硬化型化合物がオリゴエステルアク
リレートを含む特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒
体。 - 【請求項３】保護層中の一般式（Ｉ）で表わされる化合
物の含有量が0.1〜20wt％である特許請求の範囲第１項
または第２項に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】放射線が紫外線である特許請求の範囲第１
項ないし第３項のいずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項５】保護層の厚さが0.1〜30μｍである特許請
求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031182A JPH07107747B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62031182A JPH07107747B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200335A JPS63200335A (ja) | 1988-08-18 |
| JPH07107747B2 true JPH07107747B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=12324301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62031182A Expired - Lifetime JPH07107747B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107747B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156448A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
| TW200401949A (en) * | 2002-07-05 | 2004-02-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Photosensitive resin composition and photosensitive element using the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5977647A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式円盤 |
| EP0138754B1 (de) * | 1983-08-15 | 1988-05-25 | Ciba-Geigy Ag | Photohärtbare Gemische |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP62031182A patent/JPH07107747B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63200335A (ja) | 1988-08-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |