JPH066393B2 - 情報の記録・消去方法 - Google Patents
情報の記録・消去方法Info
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- JPH066393B2 JPH066393B2 JP59042079A JP4207984A JPH066393B2 JP H066393 B2 JPH066393 B2 JP H066393B2 JP 59042079 A JP59042079 A JP 59042079A JP 4207984 A JP4207984 A JP 4207984A JP H066393 B2 JPH066393 B2 JP H066393B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 63
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 50
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 230000008859 change Effects 0.000 description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 7
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 3
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910020632 Co Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020678 Co—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002483 Cu Ka Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 229910011214 Ti—Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008894 U—Mo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002070 thin film alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は新規な情報の記録・消去方法に係り、特に光エ
ネルギにより記録媒体の結晶構造を変化させて、情報を
記録し、又は消去する情報の記録・消去方法に関する。
ネルギにより記録媒体の結晶構造を変化させて、情報を
記録し、又は消去する情報の記録・消去方法に関する。
近年、情報記録の高密度化、デジタル化が進むにつれて
種々の情報記録再生方式の開発が進められている。特に
レーザの光エネルギを情報の記録,消去,再生に利用し
た光ディスクは工業レアメタルNo.80,19838
(光ディスクと材料)に記載されているように磁気ディ
スクに比べ、高い記録密度が可能であり、今後の情報記
録の有力な方式である。このうち、レーザによる再生装
置はコンパクト・ディスク(CD)として実用化されて
いる。一方、記録可能な方式は追記型と書き換え可能型
の大きく2つに分けられる。前者は1回の書き込みのみ
が可能であり、消去はできない。後者はくり返しの記
録、消去が可能な方式である。追記型の記録方法はレー
ザ光により記録部分の媒体を破壊あるいは成形して凹凸
をつけ、再生にはこの凹凸部分でのレーザ光の干渉によ
る光反射量の変化を利用する。この記録媒体にはTeや
その合金を利用して、その溶解、昇華による凹凸の成形
が一般的に知られている。この種の媒体では毒性など若
干の問題を含んでいる。書き換え可能型の記録媒体とし
ては光磁気材料が主流である。この方法は光エネルギを
利用してキャリー点あるいは補償点温度付近で媒体の局
部的な磁気異方性を反転させ記録し、その部分での偏光
入射光の磁気ファラデー効果及び磁気力−効果による偏
光面の回転量にて再生する。この方法は書き換え可能型
の最も有望なものとして数年後の実用化を目指し精力的
な研究開発が進められている。しかし、現在のところ偏
光面の回転量の大きな材料がなく多層膜化などの種々の
工夫をしてもS/N,C/Nなどの出力レベルが小さい
という大きな問題がある。その他の書き換え可能型方式
として記録媒体の非晶質と結晶質の可逆的相変化による
反射率変化を利用したものがある。また、追記型におい
ても結晶質と非晶質との一方向の相変化を利用したもの
も知られている。しかし、この方式は非晶質相の結晶化
温が低く、常温における相の不安定さがディスクの信頼
性に結びつく大きな問題点である。
種々の情報記録再生方式の開発が進められている。特に
レーザの光エネルギを情報の記録,消去,再生に利用し
た光ディスクは工業レアメタルNo.80,19838
(光ディスクと材料)に記載されているように磁気ディ
スクに比べ、高い記録密度が可能であり、今後の情報記
録の有力な方式である。このうち、レーザによる再生装
置はコンパクト・ディスク(CD)として実用化されて
いる。一方、記録可能な方式は追記型と書き換え可能型
の大きく2つに分けられる。前者は1回の書き込みのみ
が可能であり、消去はできない。後者はくり返しの記
録、消去が可能な方式である。追記型の記録方法はレー
ザ光により記録部分の媒体を破壊あるいは成形して凹凸
をつけ、再生にはこの凹凸部分でのレーザ光の干渉によ
る光反射量の変化を利用する。この記録媒体にはTeや
その合金を利用して、その溶解、昇華による凹凸の成形
が一般的に知られている。この種の媒体では毒性など若
干の問題を含んでいる。書き換え可能型の記録媒体とし
ては光磁気材料が主流である。この方法は光エネルギを
利用してキャリー点あるいは補償点温度付近で媒体の局
部的な磁気異方性を反転させ記録し、その部分での偏光
入射光の磁気ファラデー効果及び磁気力−効果による偏
光面の回転量にて再生する。この方法は書き換え可能型
の最も有望なものとして数年後の実用化を目指し精力的
な研究開発が進められている。しかし、現在のところ偏
光面の回転量の大きな材料がなく多層膜化などの種々の
工夫をしてもS/N,C/Nなどの出力レベルが小さい
という大きな問題がある。その他の書き換え可能型方式
として記録媒体の非晶質と結晶質の可逆的相変化による
反射率変化を利用したものがある。また、追記型におい
ても結晶質と非晶質との一方向の相変化を利用したもの
も知られている。しかし、この方式は非晶質相の結晶化
温が低く、常温における相の不安定さがディスクの信頼
性に結びつく大きな問題点である。
本発明の目的は、容易に書き換えができる高密度記録媒
体を用いた情報の記録・消去方法を提供することにあ
る。
体を用いた情報の記録・消去方法を提供することにあ
る。
本発明の情報の記録・消去方法は、記録層を有する光記
録媒体に、光エネルギを照射することによって、情報を
記録し、又は消去するものであって、光エネルギを記録
層に入射し、高温相温度領域内まで加熱し特定温度まで
急冷することによって形成される第一の結晶と、低温相
温度領域内で加熱し特定温度まで冷却することによって
形成され、第一の結晶と異なる第二の結晶との間で記録
層を可逆的に相変化させ、記録層の分光反射率を変化さ
せることによって情報を記録し、又は消去することを特
徴とするものである。
録媒体に、光エネルギを照射することによって、情報を
記録し、又は消去するものであって、光エネルギを記録
層に入射し、高温相温度領域内まで加熱し特定温度まで
急冷することによって形成される第一の結晶と、低温相
温度領域内で加熱し特定温度まで冷却することによって
形成され、第一の結晶と異なる第二の結晶との間で記録
層を可逆的に相変化させ、記録層の分光反射率を変化さ
せることによって情報を記録し、又は消去することを特
徴とするものである。
第1図は、本発明における記録媒体の一例としてCu−
A合金の相変態の可逆的変化による記録、消去及び再
生の原理を媒体の合金の相変態によりモデル的に示した
ものである。図のような状態図を持つA−B二元系合金
でのABx合金を仮想する。この組成におけるCu−A
合金の固相状態での温度領域には3つの相状態があ
る。すなわちb単相,(b+c)相及び(a+c)相が
ある。結晶構造はa,b,cのそれぞれの単相状態で異
なり、従ってこれらの単独では当然であるが、これらの
混合相によってもこれらの光特性に対しても変化すると
考えられる。結晶構造の違いによる光学特性の違いとし
て分光反射率について説明する。第1図においてTe以
上の温度領域を高温相温度領域とし、Te以下の温度領
域を低温相温度領域とし、特定温度T1での平衡状態で
は(a+c)相であるので合金の分光反射率はcに近
い。これを高温相温度領域内のT4まで加熱し、急冷す
るとb相がT1まで過冷され、T1で合金はb相の分光反
射率に変化する。更にこの過冷相をT1より高い低温相
温度領域内のT2で加熱冷却するとb相が(a+c)相
に変化しT1で最初のc相に近い分光反射率に可逆的変
化させることができる。T1以上で加熱すればb相より
(a+c)相に変化させることができ、Te以下の温度
でできるだけ高温の方が相変態の時間が短かくてすむ。
以上のように固体状態での相変態による分光反射率の変
化を利用し、書込み、消去及び再生が可能である。この
ように記録媒体として固体状態で可逆的に変化するもの
であればよく、金属、非金属、化合物等が用いられる。
特に、記録媒体に用いられる金属として、周期律表のI
b,IIb,IIIb,IVb,Vb,VIb,VIIb及びVIII族
の金属あるいはこれらの金属を主成分とする合金は固体
状態での相変化を利用できる。金属として、Cu,A
g,Au,Zn,Cd,B,A,Ga,In,T,
Si,Ge,Sn,Pb,As,Sb,Bi,Se,T
e,Po,Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,O
s,Ir,Ptがあり、これらの金属又は合金が用いら
れる。これらの金属又は合金として前述の如く、固相で
少なくとも2種の相変化を有するものである。記録媒体
として顕著な分光反射率の変化を示すCu基合金が特に
良好である。Cuは他の金属あるいは合金に比べ赤銅色
という特有の色調を示す。Cuは分光反射率においても
約500nmから長波長側に大きな反射率となる特有の
曲線が見られる。しかし、Cuに他の元素を合金化する
とこの赤銅色は合金の相の変化、結晶構造の変化に対応
して他の色に変化する。たとえば、CuにA,Ga,
In,Sn,Si,Sn及びZnの少なくとも1種を合
金化すると合金の色調は赤銅色から黄金色に変化し、そ
れに伴い分光反射率も変化する。Cuはfcc型(α相)
結晶構造を有しているが、このような元素を合金化する
とそれぞれの元素との間に化合物(一般にγ相)を形成
する。このα+γ相の混合領域では黄金色となり、分光
反射率も約500nm付近での顕著な変化は見られなく
なり、長波長側での分光反射率は赤銅色の場合と同様に
ゆるやかに変化する。これら合金の共通した特徴はα+
γ相の混合領域の組成の高温相にbccあるいは規則化し
たbcc型構造を有する相(β相)が存在する。このβ相
は合金組成を選ぶことにより赤銅色となる。すなわち、
加熱急冷によりβ相を室温に過冷させても合金組成によ
っては熱弾性型のマルテンサイト変態を誘起する。この
変態で合金の色調は黄金色となる。この変態点を室温以
下に下げると合金の色調は赤銅色となる。また、合金化
する元素量が多くなりすぎると赤銅色は薄れる。従っ
て、赤銅色はマルテンサイト変態点以上の温度、あるい
は変態点を室温以下に下げる合金組成において達成でき
る。この変態温度の制御にはさらに遷移金属、B,C,
Ge,Ag,Cd,Au,Pb,Be,Mgの添加が有
効である。
A合金の相変態の可逆的変化による記録、消去及び再
生の原理を媒体の合金の相変態によりモデル的に示した
ものである。図のような状態図を持つA−B二元系合金
でのABx合金を仮想する。この組成におけるCu−A
合金の固相状態での温度領域には3つの相状態があ
る。すなわちb単相,(b+c)相及び(a+c)相が
ある。結晶構造はa,b,cのそれぞれの単相状態で異
なり、従ってこれらの単独では当然であるが、これらの
混合相によってもこれらの光特性に対しても変化すると
考えられる。結晶構造の違いによる光学特性の違いとし
て分光反射率について説明する。第1図においてTe以
上の温度領域を高温相温度領域とし、Te以下の温度領
域を低温相温度領域とし、特定温度T1での平衡状態で
は(a+c)相であるので合金の分光反射率はcに近
い。これを高温相温度領域内のT4まで加熱し、急冷す
るとb相がT1まで過冷され、T1で合金はb相の分光反
射率に変化する。更にこの過冷相をT1より高い低温相
温度領域内のT2で加熱冷却するとb相が(a+c)相
に変化しT1で最初のc相に近い分光反射率に可逆的変
化させることができる。T1以上で加熱すればb相より
(a+c)相に変化させることができ、Te以下の温度
でできるだけ高温の方が相変態の時間が短かくてすむ。
以上のように固体状態での相変態による分光反射率の変
化を利用し、書込み、消去及び再生が可能である。この
ように記録媒体として固体状態で可逆的に変化するもの
であればよく、金属、非金属、化合物等が用いられる。
特に、記録媒体に用いられる金属として、周期律表のI
b,IIb,IIIb,IVb,Vb,VIb,VIIb及びVIII族
の金属あるいはこれらの金属を主成分とする合金は固体
状態での相変化を利用できる。金属として、Cu,A
g,Au,Zn,Cd,B,A,Ga,In,T,
Si,Ge,Sn,Pb,As,Sb,Bi,Se,T
e,Po,Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,O
s,Ir,Ptがあり、これらの金属又は合金が用いら
れる。これらの金属又は合金として前述の如く、固相で
少なくとも2種の相変化を有するものである。記録媒体
として顕著な分光反射率の変化を示すCu基合金が特に
良好である。Cuは他の金属あるいは合金に比べ赤銅色
という特有の色調を示す。Cuは分光反射率においても
約500nmから長波長側に大きな反射率となる特有の
曲線が見られる。しかし、Cuに他の元素を合金化する
とこの赤銅色は合金の相の変化、結晶構造の変化に対応
して他の色に変化する。たとえば、CuにA,Ga,
In,Sn,Si,Sn及びZnの少なくとも1種を合
金化すると合金の色調は赤銅色から黄金色に変化し、そ
れに伴い分光反射率も変化する。Cuはfcc型(α相)
結晶構造を有しているが、このような元素を合金化する
とそれぞれの元素との間に化合物(一般にγ相)を形成
する。このα+γ相の混合領域では黄金色となり、分光
反射率も約500nm付近での顕著な変化は見られなく
なり、長波長側での分光反射率は赤銅色の場合と同様に
ゆるやかに変化する。これら合金の共通した特徴はα+
γ相の混合領域の組成の高温相にbccあるいは規則化し
たbcc型構造を有する相(β相)が存在する。このβ相
は合金組成を選ぶことにより赤銅色となる。すなわち、
加熱急冷によりβ相を室温に過冷させても合金組成によ
っては熱弾性型のマルテンサイト変態を誘起する。この
変態で合金の色調は黄金色となる。この変態点を室温以
下に下げると合金の色調は赤銅色となる。また、合金化
する元素量が多くなりすぎると赤銅色は薄れる。従っ
て、赤銅色はマルテンサイト変態点以上の温度、あるい
は変態点を室温以下に下げる合金組成において達成でき
る。この変態温度の制御にはさらに遷移金属、B,C,
Ge,Ag,Cd,Au,Pb,Be,Mgの添加が有
効である。
以上、本発明における記録媒体としてCu基合金はβ相
とα+γ相との相間の加熱急冷による相変態に伴なう赤
銅色と黄金色の2色調間を可逆的に変化し、その変化に
対応して分光反射率が大きく変化することを利用する方
法が好ましい。また、分光反射率の他に照射レーザ光の
透過率、屈折率及び偏光も利用することができる。
とα+γ相との相間の加熱急冷による相変態に伴なう赤
銅色と黄金色の2色調間を可逆的に変化し、その変化に
対応して分光反射率が大きく変化することを利用する方
法が好ましい。また、分光反射率の他に照射レーザ光の
透過率、屈折率及び偏光も利用することができる。
高温状態における相を過冷によって低温状態で保持でき
る合金例として次の例がある。これらの合金はいずれも
固体状態で2種以上の相状態を有するものであり、異な
る相における光学特性の差を利用することができる。
る合金例として次の例がある。これらの合金はいずれも
固体状態で2種以上の相状態を有するものであり、異な
る相における光学特性の差を利用することができる。
合金例として、Ni−Ti系,Cu−A系,Cu−Z
n系、Cu−A−Zn系,Cu−A−Ni系、Ti
−Nb系,Ti−Mn系,Ti−Mo系,Co−Mn
系,Au−Cd系,Mn−Cu系,U−Mo系,Fe−
Mn系,Fe−Cr−Ni系などがある。合金の組成例
として、重量でA0〜10%,Zn10〜40%を含
むCu合金、Sn20〜30%を含むCu合金、A1
0〜20%及びNi0〜10%を含むCu合金、Ti4
0〜50%を含むNi合金等があり、特に好ましい組成
として表に示すものがある。
n系、Cu−A−Zn系,Cu−A−Ni系、Ti
−Nb系,Ti−Mn系,Ti−Mo系,Co−Mn
系,Au−Cd系,Mn−Cu系,U−Mo系,Fe−
Mn系,Fe−Cr−Ni系などがある。合金の組成例
として、重量でA0〜10%,Zn10〜40%を含
むCu合金、Sn20〜30%を含むCu合金、A1
0〜20%及びNi0〜10%を含むCu合金、Ti4
0〜50%を含むNi合金等があり、特に好ましい組成
として表に示すものがある。
加熱急冷によって書込み、消去を効果的に実現されるた
めには記録媒体の熱容量を小さくするとその応答速度が
高まる。そのため、気相あるいは液相から箔あるいは膜
状に直接急冷固化させた薄膜状にすることが有効であ
る。薄膜の形成方法としてPVD(蒸着、スパッタリン
グ法等)、CVD法、溶湯を高速回転する金属ロール表
面上に注湯して急冷凝固させる溶湯急冷法、微粉末を塗
布して焼成する方法電気めっき、化学めっき等がある。
箔、薄膜の結晶粒は分光反射率を局部的に変化させ高い
(S/N)を得るため、できるだけ微細なことが好まし
い。前述の方法は一般に急冷状態で箔あるいは膜が形成
されるため結晶粒は非常に微細であり、記録媒体作製法
として非常に適している。また、熱容量を小さくすると
いう観点から記録媒体の金属あるいは合金を粉末にする
ことも非常に有効である。これをバインダーなどと混ぜ
て塗布し膜状にすればより有効である。以上のような基
板上へ成形された膜の場合、その膜を記録単位の最小程
度の大きさに化学エッチングなどにより区切り、個々の
膜の熱容量を低減することも有効である。
めには記録媒体の熱容量を小さくするとその応答速度が
高まる。そのため、気相あるいは液相から箔あるいは膜
状に直接急冷固化させた薄膜状にすることが有効であ
る。薄膜の形成方法としてPVD(蒸着、スパッタリン
グ法等)、CVD法、溶湯を高速回転する金属ロール表
面上に注湯して急冷凝固させる溶湯急冷法、微粉末を塗
布して焼成する方法電気めっき、化学めっき等がある。
箔、薄膜の結晶粒は分光反射率を局部的に変化させ高い
(S/N)を得るため、できるだけ微細なことが好まし
い。前述の方法は一般に急冷状態で箔あるいは膜が形成
されるため結晶粒は非常に微細であり、記録媒体作製法
として非常に適している。また、熱容量を小さくすると
いう観点から記録媒体の金属あるいは合金を粉末にする
ことも非常に有効である。これをバインダーなどと混ぜ
て塗布し膜状にすればより有効である。以上のような基
板上へ成形された膜の場合、その膜を記録単位の最小程
度の大きさに化学エッチングなどにより区切り、個々の
膜の熱容量を低減することも有効である。
本発明に係る記録媒体はデイジタルオーディオディス
ク,(DAD又はコンパクトディスク)、ビデオディス
ク、メモリディスクなどの光ディスクに使用できる。
ク,(DAD又はコンパクトディスク)、ビデオディス
ク、メモリディスクなどの光ディスクに使用できる。
第2図及び第3図は本発明の情報記録再生装置の一例及
びその光ディスクの記録、再生と消去の光学系構成図で
ある。光学研磨されたガラス基板上に本発明に係る記録
媒体が形成されたディスクを回転させながら記録すべき
信号によってパルス状に変調したアルゴンイオン・レー
ザ光を照射し、基板と異なる色調(色あい、色の濃淡
等)に記録させる。記録される信号はDADの場合はオ
ーディオ信号をPCM変調(パルス符号変調)したも
の、ビデオディスクの場合は、ビデオ信号をFM変調し
た波形の上下をスライスしてパルス状にしたものであ
る。
びその光ディスクの記録、再生と消去の光学系構成図で
ある。光学研磨されたガラス基板上に本発明に係る記録
媒体が形成されたディスクを回転させながら記録すべき
信号によってパルス状に変調したアルゴンイオン・レー
ザ光を照射し、基板と異なる色調(色あい、色の濃淡
等)に記録させる。記録される信号はDADの場合はオ
ーディオ信号をPCM変調(パルス符号変調)したも
の、ビデオディスクの場合は、ビデオ信号をFM変調し
た波形の上下をスライスしてパルス状にしたものであ
る。
第2図においては、光ディスク1はモータ15によって
回転され、タコメータ16及び調速制御18により一回
速度で回転される。記録及び再生にはレーザ光源6によ
るレーザビーム(点線)が集光レンズ5、ビームスプリ
ッタ26及び1/4波長板3、フォーカスレンズ2、フォ
ーカスセンサ13等の光学系を通り光ディスク1に照射
される。フォーカスセンサ13はフォーカス制御14に
よって制御される。再生は光ディスク1からの反射、偏
光、透過等によって行うことができ、受光素子22によ
って検出される。検出された信号は再生信号処理24に
よって処理され出力となる。記録は記録信号処理23に
よって入力される。光ディスク1のトラッキングのトラ
ッキング制御20による可動鏡17の移動によって行わ
れ、モード及び速度等の制御は制御装置25によって行
われる。19は移動ステージである。消去にはレーザ光
源12からのビームの照射によって行われ、スプリッタ
21を通して同様にビームスプリッタ26に入れ、光デ
ィスク1に照射される。
回転され、タコメータ16及び調速制御18により一回
速度で回転される。記録及び再生にはレーザ光源6によ
るレーザビーム(点線)が集光レンズ5、ビームスプリ
ッタ26及び1/4波長板3、フォーカスレンズ2、フォ
ーカスセンサ13等の光学系を通り光ディスク1に照射
される。フォーカスセンサ13はフォーカス制御14に
よって制御される。再生は光ディスク1からの反射、偏
光、透過等によって行うことができ、受光素子22によ
って検出される。検出された信号は再生信号処理24に
よって処理され出力となる。記録は記録信号処理23に
よって入力される。光ディスク1のトラッキングのトラ
ッキング制御20による可動鏡17の移動によって行わ
れ、モード及び速度等の制御は制御装置25によって行
われる。19は移動ステージである。消去にはレーザ光
源12からのビームの照射によって行われ、スプリッタ
21を通して同様にビームスプリッタ26に入れ、光デ
ィスク1に照射される。
第3図において、レーザ発振装置6より照射されたレー
ザ光はカップリングレンズ5によって拡大され、次いで
偏光プリズム4によって光ディスク1に1/4波長板3及
び集光レンズ2を通って照射される。光ディスク1から
の反射光は集光レンズ7を通りトラッキングに利用され
る。トラッキングはトラッキング用ホトダイオード11
によって検出され制御される。
ザ光はカップリングレンズ5によって拡大され、次いで
偏光プリズム4によって光ディスク1に1/4波長板3及
び集光レンズ2を通って照射される。光ディスク1から
の反射光は集光レンズ7を通りトラッキングに利用され
る。トラッキングはトラッキング用ホトダイオード11
によって検出され制御される。
反射光の一部はハーフミラ8によってシリンドカルレン
ズ9を通り、次いで自動焦点合わせ用ホトダイオード1
0に送られ、焦点が制御されるとともに再生信号の検出
が行われる。
ズ9を通り、次いで自動焦点合わせ用ホトダイオード1
0に送られ、焦点が制御されるとともに再生信号の検出
が行われる。
以上のレーザ光の照射・反射によって記載及び再生がで
きる。また消去の場合は他のレーザ光源12が用いら
れ、それからのビームの照射によって同様に行うことが
できる。
きる。また消去の場合は他のレーザ光源12が用いら
れ、それからのビームの照射によって同様に行うことが
できる。
再生には照射ビームに対する分光反射率、透過率、偏光
の変化、屈折率等を検出することによって行うことがで
きる。反射率、偏光の変化及び屈折率は照射ビームに対
する反射ビームの大きさ又は角度の変化を検出するもの
であり、透過率は照射ビームのディスクを透過した後の
ビーム強度を検出するものである。これらの検出には半
導体受光素子(ホトダイオード)が用いられる。
の変化、屈折率等を検出することによって行うことがで
きる。反射率、偏光の変化及び屈折率は照射ビームに対
する反射ビームの大きさ又は角度の変化を検出するもの
であり、透過率は照射ビームのディスクを透過した後の
ビーム強度を検出するものである。これらの検出には半
導体受光素子(ホトダイオード)が用いられる。
本発明に使用される記録媒体は、トラッキング用溝が設
けられた基板上に薄膜が設けられたものであって、前記
薄膜は固体状態で少なくとも2種類の結晶構造を有し、
一方の温度領域での結晶構造を他方の温度領域で保持す
る金属又は合金からなることを特徴とする。トラック幅
は数μm以下が好ましく、1.6μmが好ましい。本発明
における薄膜はそのベースを平衡状態で低温側の結晶構
造(相)にしたものが好ましい。従って、書込みに当っ
ては高温側で有する結晶構造(相)を過冷によって形成
させるものが好ましい。この方法ではより高密度の記録
が可能である。この書込みはスポット状に行うのが好ま
しく、記録媒体の厚さに対してその全深さにわたる書込
みでもよいし、表面より一部の深さにわたる書込みでも
よい。
けられた基板上に薄膜が設けられたものであって、前記
薄膜は固体状態で少なくとも2種類の結晶構造を有し、
一方の温度領域での結晶構造を他方の温度領域で保持す
る金属又は合金からなることを特徴とする。トラック幅
は数μm以下が好ましく、1.6μmが好ましい。本発明
における薄膜はそのベースを平衡状態で低温側の結晶構
造(相)にしたものが好ましい。従って、書込みに当っ
ては高温側で有する結晶構造(相)を過冷によって形成
させるものが好ましい。この方法ではより高密度の記録
が可能である。この書込みはスポット状に行うのが好ま
しく、記録媒体の厚さに対してその全深さにわたる書込
みでもよいし、表面より一部の深さにわたる書込みでも
よい。
消去に当っては高温領域の過冷による書込みの場合は低
温領域での相に変化させる加熱によって行われる。逆
に、書込みを低温領域での相に変化させることにより行
い、その場合の消去は高温領域への加熱後の過冷によっ
て行うことができる。
温領域での相に変化させる加熱によって行われる。逆
に、書込みを低温領域での相に変化させることにより行
い、その場合の消去は高温領域への加熱後の過冷によっ
て行うことができる。
トラッキング用溝はビームの照射側と反対側に設け、そ
の溝に記録媒体を設けるのが好ましい。この場合の基板
には照射ビームに対して透明なものでなければならな
い。記録媒体は金属又は合金が用いられるので、書込み
消去による加熱を受けるので保護膜を設けるのが好まし
い。保護膜は照射ビームに対して透明なものが好まし
い。一例としてSiO2膜が用いられる。トラッキング
用溝の深さは使用されるビーム波長の1/4とするのが好
ましい。
の溝に記録媒体を設けるのが好ましい。この場合の基板
には照射ビームに対して透明なものでなければならな
い。記録媒体は金属又は合金が用いられるので、書込み
消去による加熱を受けるので保護膜を設けるのが好まし
い。保護膜は照射ビームに対して透明なものが好まし
い。一例としてSiO2膜が用いられる。トラッキング
用溝の深さは使用されるビーム波長の1/4とするのが好
ましい。
記録と消去は2種類の照射ビームを使用すれば同時に行
うことができる。書き込まれた情報は消去し、その直後
に書込みを並行して行うことができる。
うことができる。書き込まれた情報は消去し、その直後
に書込みを並行して行うことができる。
前記照射ビームはレーザ光源が好ましく、特に短波長レ
ーザが好ましい。本発明の加熱部分と非加熱部分との反
射率が500nmの波長において最も大きいので、この
ような波長を有するレーザ光を再生に用いるのが好まし
い。記録、再生には同じレーザ源が用いられ、消去に記
録のものよりエネルギー密度を小さくした他のレーザ光
を照射するのが好ましい。
ーザが好ましい。本発明の加熱部分と非加熱部分との反
射率が500nmの波長において最も大きいので、この
ような波長を有するレーザ光を再生に用いるのが好まし
い。記録、再生には同じレーザ源が用いられ、消去に記
録のものよりエネルギー密度を小さくした他のレーザ光
を照射するのが好ましい。
このように、結晶構造(相)の変化によって分光反射
率,偏光,透過率,屈折率等のいずれかの光特性が変化
するので、この変化を利用して光学情報として記憶させ
ることができる。
率,偏光,透過率,屈折率等のいずれかの光特性が変化
するので、この変化を利用して光学情報として記憶させ
ることができる。
(実施例1) 溶湯急冷法によって作製した箔についてその色調及び分
光反射率の可逆的変化を確認した。試料はCu−A−
Ni三元系合金であり、真空高周波誘導炉で溶解しイン
ゴットとした。このインゴットは黄金色であった。この
インゴットを溶融し、その溶湯を高速回転する単ロール
の表面又は多ロールのロール間に注湯急冷することによ
りボン状の箔を製造した。前者は直径300mmのCu製
ロール(表面はCrメッキ)、後者は直径120mmのC
u−Be製ロールであり、ロールを周速10〜20m/
sに設定した。母合金溶解には石英製ノズルを用い、1
チャージ10g前後を溶解、急冷して幅5mm、厚さ0.03
〜0.1mm、長さ数mのリボン状箔を作製した。これらの
リボンの外観は合金組成によって黄金色と赤銅色の2種
類が見られた。それらの箔を種々の温度に加熱急冷し、
その色調と分光反射率の変化を調べた。
光反射率の可逆的変化を確認した。試料はCu−A−
Ni三元系合金であり、真空高周波誘導炉で溶解しイン
ゴットとした。このインゴットは黄金色であった。この
インゴットを溶融し、その溶湯を高速回転する単ロール
の表面又は多ロールのロール間に注湯急冷することによ
りボン状の箔を製造した。前者は直径300mmのCu製
ロール(表面はCrメッキ)、後者は直径120mmのC
u−Be製ロールであり、ロールを周速10〜20m/
sに設定した。母合金溶解には石英製ノズルを用い、1
チャージ10g前後を溶解、急冷して幅5mm、厚さ0.03
〜0.1mm、長さ数mのリボン状箔を作製した。これらの
リボンの外観は合金組成によって黄金色と赤銅色の2種
類が見られた。それらの箔を種々の温度に加熱急冷し、
その色調と分光反射率の変化を調べた。
第4図は上述の方法によって製造したCu−14.2重量%
A−4.01%Ni急冷合金箔を750℃及び600℃で
各2分間加熱処理後水冷した際の各リボンの分光反射率
を示す線図である。リボン表面は熱処理前に#800エ
メリー紙により研摩されている。これらのリボンの外観
は急冷凝固された状態で赤銅色、600℃での熱処理後
が黄金色及び750℃熱処理後が赤銅色となる。図に見
るように赤銅色と黄金色の分光反射率は500nm付近
で大きな差が見られる。この波長における分光反射率は
赤銅色で8.5%,黄金色で23.9%であり、後者の分光反
射率は前者のそれの約3倍である。従って、この波長の
情報処理が可能であることが分った。
A−4.01%Ni急冷合金箔を750℃及び600℃で
各2分間加熱処理後水冷した際の各リボンの分光反射率
を示す線図である。リボン表面は熱処理前に#800エ
メリー紙により研摩されている。これらのリボンの外観
は急冷凝固された状態で赤銅色、600℃での熱処理後
が黄金色及び750℃熱処理後が赤銅色となる。図に見
るように赤銅色と黄金色の分光反射率は500nm付近
で大きな差が見られる。この波長における分光反射率は
赤銅色で8.5%,黄金色で23.9%であり、後者の分光反
射率は前者のそれの約3倍である。従って、この波長の
情報処理が可能であることが分った。
第5図は熱処理後のリボンのX線回折パターン線図であ
る。X線回折には40kV、100mAのCu−Ka線
源を用いた。750℃ではDO3型規則構造であると解
析できβ単相になっているといえる。一方、600℃で
はα相(fcc)とγ相(斜方晶)及びβ相が一部残って
いる。このようにβ→(α+γ)の相変態に対応して色
調及び分光反射率が顕著に変化していることが明らかで
ある。600℃で熱処理したものを再度750℃にて熱
処理すると色調、分光反射率及びX線回折パターンが再
び元の赤銅色及びβ単相のパターンにそれぞれ可逆的に
変化した。
る。X線回折には40kV、100mAのCu−Ka線
源を用いた。750℃ではDO3型規則構造であると解
析できβ単相になっているといえる。一方、600℃で
はα相(fcc)とγ相(斜方晶)及びβ相が一部残って
いる。このようにβ→(α+γ)の相変態に対応して色
調及び分光反射率が顕著に変化していることが明らかで
ある。600℃で熱処理したものを再度750℃にて熱
処理すると色調、分光反射率及びX線回折パターンが再
び元の赤銅色及びβ単相のパターンにそれぞれ可逆的に
変化した。
第6図は600℃で熱処理した黄金色のリボン(a)の半
分をライターの火炎によって加熱し、冷却して加熱部分
を赤銅色に変化させたものの(b)外観の状態を示したも
のである。点線部分の左右で各各色調が赤銅色及び黄金
色になっている。このような局部加熱によって容易に色
調を変えることができる。また、赤銅色と黄金色の境界
が非常に明瞭に現われることも確認された。また、この
赤銅色に変えた部分を同じくライターでやや低温度に加
熱するとこの赤銅色を黄金色に戻すことができた。
分をライターの火炎によって加熱し、冷却して加熱部分
を赤銅色に変化させたものの(b)外観の状態を示したも
のである。点線部分の左右で各各色調が赤銅色及び黄金
色になっている。このような局部加熱によって容易に色
調を変えることができる。また、赤銅色と黄金色の境界
が非常に明瞭に現われることも確認された。また、この
赤銅色に変えた部分を同じくライターでやや低温度に加
熱するとこの赤銅色を黄金色に戻すことができた。
第7図は加熱手段としてYAGレーザ光(ビーム径約0.
5mm)を、リボン箔に照射し、文字を書込んだ例であ
る。リボン箔のマトリックスは黄金色になるように熱処
理されてある。レーザ光はパルス発振(パルス幅、1μ
s)であり、点状に加熱された部分をつないで文字にし
たものである。A,B,Cの文字として加熱された部分
は容易に赤銅色に変化して基地の黄金色とは区別され
る。この文字はリボンを黄金色になるような条件で加熱
すると消去される。このようにレーザ光による所定温度
への加熱によって文字、図形などの書き込み、消去の繰
返し使用が可能である。また、書込みされた情報は上述
の加熱等によらなければ永久に消去されず、保存可能で
ある。
5mm)を、リボン箔に照射し、文字を書込んだ例であ
る。リボン箔のマトリックスは黄金色になるように熱処
理されてある。レーザ光はパルス発振(パルス幅、1μ
s)であり、点状に加熱された部分をつないで文字にし
たものである。A,B,Cの文字として加熱された部分
は容易に赤銅色に変化して基地の黄金色とは区別され
る。この文字はリボンを黄金色になるような条件で加熱
すると消去される。このようにレーザ光による所定温度
への加熱によって文字、図形などの書き込み、消去の繰
返し使用が可能である。また、書込みされた情報は上述
の加熱等によらなければ永久に消去されず、保存可能で
ある。
(実施例2) スパッタ蒸着法により製作した薄膜で色調の可逆的変化
を確認した。実施例1で作製したインゴットから直径1
00mm、厚さ5mmの円板を切り出しスパッタ装置用のタ
ーゲットとした。スパッタ蒸着基板としてはガラス板
(厚さ0.8mm)28を用いた。スパッタ膜を書込み、消
去時での加熱酸化、基板からの剥離などを防止するため
その表面にSiO2の保護膜(厚さ30nm)26を蒸
着によって形成させた。第8図はこの膜の断面を示した
ものである。合金膜27の蒸着にはDC−マグネトロン
型を、SiO2膜にはRF型のスパッタ法をそれぞれ使
用した。スパッタ出力は140〜200W、基板温度は
200℃の条件に設定した。容器内は10-5Torr程
度まで真空排気後、Arガスを5〜30mTorr導入
して薄膜を作製した。膜厚はSiO2膜は30nm程度
とし、合金膜厚を0.05〜10μmの種々の厚さのものを
作製した。第9図は以上のようなスパッタ蒸着条件で作
製した合金膜(膜厚300nm)の透過電子顕微鏡像で
あり、(b)は(a)の拡大像である。結晶粒は超微細であり
(a)程度の倍率では粒が明瞭でない。(b)の倍率で分かる
ように粒径は約30nmと超微細であり、記録、再生、
消去における結晶粒の影響は全くないと考えられる。
を確認した。実施例1で作製したインゴットから直径1
00mm、厚さ5mmの円板を切り出しスパッタ装置用のタ
ーゲットとした。スパッタ蒸着基板としてはガラス板
(厚さ0.8mm)28を用いた。スパッタ膜を書込み、消
去時での加熱酸化、基板からの剥離などを防止するため
その表面にSiO2の保護膜(厚さ30nm)26を蒸
着によって形成させた。第8図はこの膜の断面を示した
ものである。合金膜27の蒸着にはDC−マグネトロン
型を、SiO2膜にはRF型のスパッタ法をそれぞれ使
用した。スパッタ出力は140〜200W、基板温度は
200℃の条件に設定した。容器内は10-5Torr程
度まで真空排気後、Arガスを5〜30mTorr導入
して薄膜を作製した。膜厚はSiO2膜は30nm程度
とし、合金膜厚を0.05〜10μmの種々の厚さのものを
作製した。第9図は以上のようなスパッタ蒸着条件で作
製した合金膜(膜厚300nm)の透過電子顕微鏡像で
あり、(b)は(a)の拡大像である。結晶粒は超微細であり
(a)程度の倍率では粒が明瞭でない。(b)の倍率で分かる
ように粒径は約30nmと超微細であり、記録、再生、
消去における結晶粒の影響は全くないと考えられる。
第10図はスパッタリング法によって作製した合金膜に
ついてArレーザによる加熱・冷却を利用して書込み、
消去を行なった合金膜の色調を示した図である。Arレ
ーザは連続発振である。試料を手動移動ステージの上に
設置し、試料を移動させてレーザ光を膜表面に焦点を合
せ走査させた。レーザ光を照射させた部分は赤銅色に変
化し、斜線のように書込みさせた。点線部分も同様であ
る。書込みは200nWのレーザ光を走査させた跡であ
る。合金膜はあらかじめ基板ごと黄金色になる熱処理を
施してある。次にレーザ光の焦点を膜表面から若干ずら
し、レーザの出力密度を低くして図中の点線部分に図の
上下方向に走査させた。その結果、元の赤銅色は消去さ
れ黄金色に変化した。以上の結果から薄膜状態の合金に
おいても色調変化による記録、消去が可能であることを
確認された。この書込み、消去は何回でも繰返しが可能
であることが確認された。
ついてArレーザによる加熱・冷却を利用して書込み、
消去を行なった合金膜の色調を示した図である。Arレ
ーザは連続発振である。試料を手動移動ステージの上に
設置し、試料を移動させてレーザ光を膜表面に焦点を合
せ走査させた。レーザ光を照射させた部分は赤銅色に変
化し、斜線のように書込みさせた。点線部分も同様であ
る。書込みは200nWのレーザ光を走査させた跡であ
る。合金膜はあらかじめ基板ごと黄金色になる熱処理を
施してある。次にレーザ光の焦点を膜表面から若干ずら
し、レーザの出力密度を低くして図中の点線部分に図の
上下方向に走査させた。その結果、元の赤銅色は消去さ
れ黄金色に変化した。以上の結果から薄膜状態の合金に
おいても色調変化による記録、消去が可能であることを
確認された。この書込み、消去は何回でも繰返しが可能
であることが確認された。
(実施例3) 実施例で製造した合金インゴットを粉末にしてその色調
変化を調べた。インゴットを機械的に切削後、その切り
粉砕した。インゴットは脆いため、切り粉状態でかなり
細かな粉状となるが、これをさらに粉砕し−100メッ
シュ程度とした。粉砕したままの状態では黄金色である
が、これを800℃で1分加熱後水冷すると赤銅色に変
化することが確認された。
変化を調べた。インゴットを機械的に切削後、その切り
粉砕した。インゴットは脆いため、切り粉状態でかなり
細かな粉状となるが、これをさらに粉砕し−100メッ
シュ程度とした。粉砕したままの状態では黄金色である
が、これを800℃で1分加熱後水冷すると赤銅色に変
化することが確認された。
更に、インゴットから粉砕した粉末をボールミルを用い
て粒径数μmの粉末にし、有機物に混合してガラス基板
に塗布し、非酸化性雰囲気中で焼成し、約100μmの
厚さの合金膜を形成した。この合金膜表面に約30nm
の厚さのSiO2皮膜を蒸着によって形成させた。ガラ
ス基板は鏡面研摩したものであり、合金膜を形成後、同
様に鏡面研摩したものである。この合金膜を形成したま
まのものは黄金色を呈しているが、前述と同様にレーザ
光を他の相に変態する温度に照射することにより赤銅色
に変化することが確認された。
て粒径数μmの粉末にし、有機物に混合してガラス基板
に塗布し、非酸化性雰囲気中で焼成し、約100μmの
厚さの合金膜を形成した。この合金膜表面に約30nm
の厚さのSiO2皮膜を蒸着によって形成させた。ガラ
ス基板は鏡面研摩したものであり、合金膜を形成後、同
様に鏡面研摩したものである。この合金膜を形成したま
まのものは黄金色を呈しているが、前述と同様にレーザ
光を他の相に変態する温度に照射することにより赤銅色
に変化することが確認された。
(実施例4) 第11図は実施例1で示したインゴットをスパッタリン
グのターゲットとして用いて、実施例2と同様にガラス
板(直径120mm、厚さ0.8mm)28に合金薄膜からな
る記録媒体27を形成させ、その表面をさらにSiO2
膜26を形成させた光ディスクの断面構成図である。
(b)は(a)の拡大図である。ガラス板28にはトラッキン
グ用の溝29が形成され、トラック幅を0.8μm、トラ
ック間隔を1.6μmに形成させた。この溝29の深さは
レーザ光線の波長の1/4に形成され、本発明に係る合金
薄膜では前述のように500nmでの反射率の差が最も
大きいことからその波長に最も近いArレーザが用いら
れた。従って、溝の深さは約120μmとした。合金薄
膜及びSiO2膜の厚さを実施例2と同様に形成させ
た。スパッタリングによって形成された合金薄膜は黄金
色であった。この光ディスクを使用し、前述の第2図に
示す装置を用い、合金薄膜部分を750℃に加熱させて
ピット状に赤銅色に記録させ、消去ではレーザ光線を連
続発振させて500℃で加熱して黄金色にさせることに
よって行われた。また、前述の赤銅色に記録させた部分
を消去させながら追従させて再び750℃に加熱してピ
ット状に赤銅色に記録させた。
グのターゲットとして用いて、実施例2と同様にガラス
板(直径120mm、厚さ0.8mm)28に合金薄膜からな
る記録媒体27を形成させ、その表面をさらにSiO2
膜26を形成させた光ディスクの断面構成図である。
(b)は(a)の拡大図である。ガラス板28にはトラッキン
グ用の溝29が形成され、トラック幅を0.8μm、トラ
ック間隔を1.6μmに形成させた。この溝29の深さは
レーザ光線の波長の1/4に形成され、本発明に係る合金
薄膜では前述のように500nmでの反射率の差が最も
大きいことからその波長に最も近いArレーザが用いら
れた。従って、溝の深さは約120μmとした。合金薄
膜及びSiO2膜の厚さを実施例2と同様に形成させ
た。スパッタリングによって形成された合金薄膜は黄金
色であった。この光ディスクを使用し、前述の第2図に
示す装置を用い、合金薄膜部分を750℃に加熱させて
ピット状に赤銅色に記録させ、消去ではレーザ光線を連
続発振させて500℃で加熱して黄金色にさせることに
よって行われた。また、前述の赤銅色に記録させた部分
を消去させながら追従させて再び750℃に加熱してピ
ット状に赤銅色に記録させた。
以上の記録及び消去についてくり返し実施した結果何回
でも問題なく初期の特性が維持されることが確認され
た。
でも問題なく初期の特性が維持されることが確認され
た。
本発明によれば、容易に書換ができる情報の記録・消去
方法が得られる。
方法が得られる。
第1図は異種結晶相間の相変化の可逆的変化を説明する
二元合金状態図、第2図は本発明の一例を示す情報記録
再生装置、第3図は本発明の一例を示す情報記録再生装
置の光学系システム図、第4図は本発明の記録媒体に用
いたCu−A−Ni合金箔の分光反射率を示す線図、
第5図は第4図に用いた合金箔のX線回折パターン線
図、第6図及び第7図は第4図に用いた合金箔に加熱に
よって結晶構造を変えた状態又は文字を記録させた状態
を示す平面図、第8図は本発明の光ディスク構造の一例
を示す断面図、第9図はスパッタリングによって形成し
た本発明に係る合金膜の金属組織を示す透過電子顕微鏡
写真、第10図はスパッタリングによって形成した本発
明に係る合金薄膜をArレーザで記録させた膜面の平面
図、第11図は本発明の光ディスクの一例である断面構
成図である。 1…ディスク、6,12…レーザ光源、10…焦点合せ
用ホトダイオード、20…トラッキング制御、23…記
録信号処理、24…再生信号処理。
二元合金状態図、第2図は本発明の一例を示す情報記録
再生装置、第3図は本発明の一例を示す情報記録再生装
置の光学系システム図、第4図は本発明の記録媒体に用
いたCu−A−Ni合金箔の分光反射率を示す線図、
第5図は第4図に用いた合金箔のX線回折パターン線
図、第6図及び第7図は第4図に用いた合金箔に加熱に
よって結晶構造を変えた状態又は文字を記録させた状態
を示す平面図、第8図は本発明の光ディスク構造の一例
を示す断面図、第9図はスパッタリングによって形成し
た本発明に係る合金膜の金属組織を示す透過電子顕微鏡
写真、第10図はスパッタリングによって形成した本発
明に係る合金薄膜をArレーザで記録させた膜面の平面
図、第11図は本発明の光ディスクの一例である断面構
成図である。 1…ディスク、6,12…レーザ光源、10…焦点合せ
用ホトダイオード、20…トラッキング制御、23…記
録信号処理、24…再生信号処理。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北 芳明 茨城県日立市幸町3丁目1番1号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−129945(JP,A) 特開 昭60−179952(JP,A) 特開 昭60−179954(JP,A) 特開 昭60−179953(JP,A) 特開 昭60−177446(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】記録層を有する光記録媒体に、光エネルギ
を照射することによって、情報を記録し、又は消去する
情報の記録・消去方法において、 前記エネルギを前記記録層に入射し、固体状態を保持で
きる高温相温度領域(750〜800℃)内まで加熱
し、特定温度まで急冷することによって形成される第一
の結晶と、低温相温度領域(500〜600℃)内で加
熱し前記特定温度まで冷却することによって形成され、
前記第一の結晶と異なる第二の結晶との間で前記記録層
を可逆的に相変化させ、前記記録層の分光反射率を変化
させることによって情報を記録し、又は消去することを
特徴とする情報の記録・消去方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59042079A JPH066393B2 (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 情報の記録・消去方法 |
CA000475853A CA1231527A (en) | 1984-03-07 | 1985-03-06 | Information recording and reproducing apparatus |
EP85102522A EP0158804B1 (en) | 1984-03-07 | 1985-03-06 | Apparatus for information recording and reproducing |
KR1019850001408A KR850006949A (ko) | 1984-03-07 | 1985-03-06 | 정보기록 재생장치 |
DE8585102522T DE3578246D1 (de) | 1984-03-07 | 1985-03-06 | Vorrichtung zur aufzeichnung und wiedergabe von information. |
US07/142,318 US4773059A (en) | 1984-03-07 | 1987-12-30 | Information recording and reproducing apparatus having recording medium made of alloy which has at least two different crystalline structures in its solid state |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59042079A JPH066393B2 (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 情報の記録・消去方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60186825A JPS60186825A (ja) | 1985-09-24 |
JPH066393B2 true JPH066393B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=12626042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59042079A Expired - Lifetime JPH066393B2 (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 情報の記録・消去方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4773059A (ja) |
EP (1) | EP0158804B1 (ja) |
JP (1) | JPH066393B2 (ja) |
KR (1) | KR850006949A (ja) |
CA (1) | CA1231527A (ja) |
DE (1) | DE3578246D1 (ja) |
Families Citing this family (44)
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JPS61156543A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Fujitsu Ltd | 光記録媒体 |
JPS61227238A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-09 | Fujitsu Ltd | 光学的情報記憶媒体及び方法 |
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-
1984
- 1984-03-07 JP JP59042079A patent/JPH066393B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-03-06 KR KR1019850001408A patent/KR850006949A/ko not_active Application Discontinuation
- 1985-03-06 EP EP85102522A patent/EP0158804B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-06 CA CA000475853A patent/CA1231527A/en not_active Expired
- 1985-03-06 DE DE8585102522T patent/DE3578246D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-12-30 US US07/142,318 patent/US4773059A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1231527A (en) | 1988-01-19 |
JPS60186825A (ja) | 1985-09-24 |
EP0158804A1 (en) | 1985-10-23 |
US4773059A (en) | 1988-09-20 |
KR850006949A (ko) | 1985-10-25 |
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