JPH0645617A - 単結晶薄膜部材の製造方法 - Google Patents
単結晶薄膜部材の製造方法Info
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- JPH0645617A JPH0645617A JP4193999A JP19399992A JPH0645617A JP H0645617 A JPH0645617 A JP H0645617A JP 4193999 A JP4193999 A JP 4193999A JP 19399992 A JP19399992 A JP 19399992A JP H0645617 A JPH0645617 A JP H0645617A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜部の寸法のバラツキをなくすと共に、シ
リコン基板外周部への不必要なエッチングを防ぎ、また
金属薄膜の蒸着を不要とした単結晶薄膜部材を得る。 【構成】 単結晶薄膜部材の製造方法において、ｐ型シ
リコン基板１０にｎ型不純物を高濃度で導入した領域１
１を形成し、その領域１１に高濃度で深く導入される高
濃度ｎ型シリコン層１４と、その高濃度ｎ型シリコン層
１４に接続されるｎ型高濃度層１８とを順に成長させる
工程と、そのｎ型高濃度層１８を電極として所定領域を
エレクトロケミカルエッチングを行う工程とを施す。
リコン基板外周部への不必要なエッチングを防ぎ、また
金属薄膜の蒸着を不要とした単結晶薄膜部材を得る。 【構成】 単結晶薄膜部材の製造方法において、ｐ型シ
リコン基板１０にｎ型不純物を高濃度で導入した領域１
１を形成し、その領域１１に高濃度で深く導入される高
濃度ｎ型シリコン層１４と、その高濃度ｎ型シリコン層
１４に接続されるｎ型高濃度層１８とを順に成長させる
工程と、そのｎ型高濃度層１８を電極として所定領域を
エレクトロケミカルエッチングを行う工程とを施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイアフラム型シリコ
ン圧力センサ等の単結晶薄膜部材の製造方法に関するも
のである。
ン圧力センサ等の単結晶薄膜部材の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば特開平２−２０３５７０号公報に記載されるよう
なものがあった。図３はかかる従来の単結晶薄膜部材の
製造工程断面図、図４は従来の他の単結晶薄膜部材の製
造方法を示す図である。
例えば特開平２−２０３５７０号公報に記載されるよう
なものがあった。図３はかかる従来の単結晶薄膜部材の
製造工程断面図、図４は従来の他の単結晶薄膜部材の製
造方法を示す図である。
【０００３】まず、図３（ａ）に示すように、ｎ型シリ
コン基板１の表面全面にＳｉＯ2 膜等のマスク２を形成
し、ｎ型シリコン基板１の裏面の所定領域を同様のマス
ク３により選択的に被覆する。次いで、このｎ型シリコ
ン基板１をＫＯＨ又はＥＰＷ（エチレンジアミンピロカ
テコール水）等のエッチャント内に浸漬する。
コン基板１の表面全面にＳｉＯ2 膜等のマスク２を形成
し、ｎ型シリコン基板１の裏面の所定領域を同様のマス
ク３により選択的に被覆する。次いで、このｎ型シリコ
ン基板１をＫＯＨ又はＥＰＷ（エチレンジアミンピロカ
テコール水）等のエッチャント内に浸漬する。
【０００４】すると、図３（ｂ）に示すように、ｎ型シ
リコン基板１の裏面におけるマスク３により覆われてい
ない領域がエッチングされ、所定時間経過した後、ｎ型
シリコン基板１をエッチャントから取り出して洗浄する
ことにより、この領域ｘにｎ型シリコン薄膜４が形成さ
れる。なお、ｎ型シリコン基板１は数百μｍの厚さを有
する。そして、例えば、結晶方位が（１００）の場合の
エッチング速度は通常６μｍ／分であり、結晶方位が
（１１０）の場合のエッチング速度は通常１１μｍ／分
である。
リコン基板１の裏面におけるマスク３により覆われてい
ない領域がエッチングされ、所定時間経過した後、ｎ型
シリコン基板１をエッチャントから取り出して洗浄する
ことにより、この領域ｘにｎ型シリコン薄膜４が形成さ
れる。なお、ｎ型シリコン基板１は数百μｍの厚さを有
する。そして、例えば、結晶方位が（１００）の場合の
エッチング速度は通常６μｍ／分であり、結晶方位が
（１１０）の場合のエッチング速度は通常１１μｍ／分
である。
【０００５】したがって、１０及至２０分間のエッチン
グで１００及至２００μｍの深さ部分がエッチングで除
去される。この場合に、所定の膜厚のシリコン薄膜４を
形成するためには、エッチャントの組成が、例えば５０
％ＫＯＨになるように比重計で濃度管理すると共に、エ
ッチャントの液温を、例えば１１０及至１２０℃内の所
定の温度に高精度で制御することにより、エッチング速
度を一定にする必要がある。
グで１００及至２００μｍの深さ部分がエッチングで除
去される。この場合に、所定の膜厚のシリコン薄膜４を
形成するためには、エッチャントの組成が、例えば５０
％ＫＯＨになるように比重計で濃度管理すると共に、エ
ッチャントの液温を、例えば１１０及至１２０℃内の所
定の温度に高精度で制御することにより、エッチング速
度を一定にする必要がある。
【０００６】しかしながら、このような濃度管理及び温
度管理を行っても、シリコンのエッチング速度の安定性
は十分でない。また、通常シリコン基板の厚さには局部
的に又はロット間で、例えば、±１０及至１５μｍのバ
ラツキがある。このため、数百μｍの厚さを有する基板
の殆どの部分をエッチング除去して、数μｍの厚さの薄
膜を均一に、かつ高歩留まりで形成することは、シリコ
ンのエッチング速度の安定性及びシリコン基板の厚さの
バラツキを考慮すると極めて困難である。
度管理を行っても、シリコンのエッチング速度の安定性
は十分でない。また、通常シリコン基板の厚さには局部
的に又はロット間で、例えば、±１０及至１５μｍのバ
ラツキがある。このため、数百μｍの厚さを有する基板
の殆どの部分をエッチング除去して、数μｍの厚さの薄
膜を均一に、かつ高歩留まりで形成することは、シリコ
ンのエッチング速度の安定性及びシリコン基板の厚さの
バラツキを考慮すると極めて困難である。
【０００７】このようなウェットエッチングによる薄膜
形成方法の欠点を解消し、高精度の薄膜を形成できる方
法として、エレクトロケミカルエッチングにより、シリ
コン薄膜を形成する方法がある。このエレクトロケミカ
ルエッチング方法においては、図４に示すように、ｐ型
シリコン基板５の表面にｎ型エピタキシャルシリコン層
６を形成し、更にｎ型シリコン層６上にＳｉＯ2 膜等の
マスク７を形成するとともに、ｐ型シリコン基板５の裏
面に同様のマスク８を選択的に形成する。そして、ｎ型
シリコン層６に電極９を設け、基板をエッチャント内に
浸漬して、電極９を介してｎ型シリコン層６に正電圧を
印加し、エッチャント側に負電圧を印加する。これによ
り、マスク８に覆われていない部分のｐ型シリコン基板
５がエッチングされる。この場合に、上記電圧条件下で
はｐ型シリコン基板５のみがエッチングされ、ｎ型シリ
コン層６はエッチングされないので、所定の膜厚のｎ型
シリコン層６からなるｎ型シリコン薄膜が形成される。
形成方法の欠点を解消し、高精度の薄膜を形成できる方
法として、エレクトロケミカルエッチングにより、シリ
コン薄膜を形成する方法がある。このエレクトロケミカ
ルエッチング方法においては、図４に示すように、ｐ型
シリコン基板５の表面にｎ型エピタキシャルシリコン層
６を形成し、更にｎ型シリコン層６上にＳｉＯ2 膜等の
マスク７を形成するとともに、ｐ型シリコン基板５の裏
面に同様のマスク８を選択的に形成する。そして、ｎ型
シリコン層６に電極９を設け、基板をエッチャント内に
浸漬して、電極９を介してｎ型シリコン層６に正電圧を
印加し、エッチャント側に負電圧を印加する。これによ
り、マスク８に覆われていない部分のｐ型シリコン基板
５がエッチングされる。この場合に、上記電圧条件下で
はｐ型シリコン基板５のみがエッチングされ、ｎ型シリ
コン層６はエッチングされないので、所定の膜厚のｎ型
シリコン層６からなるｎ型シリコン薄膜が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方法では、薄膜の厚さは所定の厚さに制御する
ことはできても、シリコン基板の厚さバラツキから生じ
る薄膜部寸法ｘのバラツキまでは制御することができな
かった。また、エレクトロケミカルエッチングは長時間
にわたってシリコン基板をエッチングするため、シリコ
ン基板外周部にまでエッチングが及び、外周形状を崩し
てしまい、プロセス上に必要なオリフラ検出ができなく
なる、電極コンタクトの形成のために、金属膜の蒸着が
必要となる等の問題点があった。
た従来の方法では、薄膜の厚さは所定の厚さに制御する
ことはできても、シリコン基板の厚さバラツキから生じ
る薄膜部寸法ｘのバラツキまでは制御することができな
かった。また、エレクトロケミカルエッチングは長時間
にわたってシリコン基板をエッチングするため、シリコ
ン基板外周部にまでエッチングが及び、外周形状を崩し
てしまい、プロセス上に必要なオリフラ検出ができなく
なる、電極コンタクトの形成のために、金属膜の蒸着が
必要となる等の問題点があった。
【０００９】本発明は、上記問題点を解決するために、
以上述べた薄膜部の寸法のバラツキをなくすと共に、シ
リコン基板外周部への不必要なエッチングを防ぎ、また
金属薄膜の蒸着を不要とした単結晶薄膜部材の製造方法
を提供することを目的とする。
以上述べた薄膜部の寸法のバラツキをなくすと共に、シ
リコン基板外周部への不必要なエッチングを防ぎ、また
金属薄膜の蒸着を不要とした単結晶薄膜部材の製造方法
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、単結晶薄膜部材の製造方法において、第
１導電型半導体基板に第２導電型半導体層を高濃度で深
く導入する工程と、該第２導電型半導体層に接続される
第２導電型の高濃度のエピタキシャル層を形成する工程
と、該エピタキシャル層を電極として所定領域をエレク
トロケミカルエッチングを行う工程とを施すようにした
ものである。
成するために、単結晶薄膜部材の製造方法において、第
１導電型半導体基板に第２導電型半導体層を高濃度で深
く導入する工程と、該第２導電型半導体層に接続される
第２導電型の高濃度のエピタキシャル層を形成する工程
と、該エピタキシャル層を電極として所定領域をエレク
トロケミカルエッチングを行う工程とを施すようにした
ものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、上記のように構成したので、
ｎ型不純物を高濃度に導入した領域が電極として使用で
きるため、エレクトロケミカルエッチングの際に金属膜
を形成することなく、シリコン基板に電流を供給するこ
とができる。更には、ｎ型不純物を高濃度に導入する領
域を、選択して形成することによって、エレクトロケミ
カルエッチングによるエッチングを所定領域だけで停止
できるようにしたので、ダイアフラム型シリコン圧力セ
ンサ等を製造する際に、そのダイアフラム部の膜厚、薄
膜寸法を所定の値に精度よく仕上げることができる。
ｎ型不純物を高濃度に導入した領域が電極として使用で
きるため、エレクトロケミカルエッチングの際に金属膜
を形成することなく、シリコン基板に電流を供給するこ
とができる。更には、ｎ型不純物を高濃度に導入する領
域を、選択して形成することによって、エレクトロケミ
カルエッチングによるエッチングを所定領域だけで停止
できるようにしたので、ダイアフラム型シリコン圧力セ
ンサ等を製造する際に、そのダイアフラム部の膜厚、薄
膜寸法を所定の値に精度よく仕上げることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す単
結晶薄膜部材の要部製造工程断面図、図２は本発明の実
施例を示す単結晶薄膜部材の第１の製造工程を示す図
で、図２（ａ）はその表面図、図２（ｂ）はその断面
図、図２（ｃ）はその裏面図である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す単
結晶薄膜部材の要部製造工程断面図、図２は本発明の実
施例を示す単結晶薄膜部材の第１の製造工程を示す図
で、図２（ａ）はその表面図、図２（ｂ）はその断面
図、図２（ｃ）はその裏面図である。
【００１３】まず、図２（ｂ）に示すように、例えば、
２００〜５００μｍの厚さを有するｐ型シリコン基板１
０を用いて選択的にｎ型不純物を高濃度で導入し、領域
１１を深く（１５〜２０μｍ）形成する。その際には、
図２（ａ）に示すように、シリコン基板１０の表面に
は、薄膜部寸法を決定する非導入部分１２が形成されて
いる。同様に、図２（ｃ）に示すように、Ｐ型シリコン
基板１０の裏面には、薄膜部形成用エッチング開口部１
３が形成されている。
２００〜５００μｍの厚さを有するｐ型シリコン基板１
０を用いて選択的にｎ型不純物を高濃度で導入し、領域
１１を深く（１５〜２０μｍ）形成する。その際には、
図２（ａ）に示すように、シリコン基板１０の表面に
は、薄膜部寸法を決定する非導入部分１２が形成されて
いる。同様に、図２（ｃ）に示すように、Ｐ型シリコン
基板１０の裏面には、薄膜部形成用エッチング開口部１
３が形成されている。
【００１４】このエッチング開口部１３の寸法は、ウェ
ットエッチングの特徴から非導入部分１２の寸法によっ
て決まるが、ここでは合わせずれを見込み、エッチング
開口部１３の寸法は大きく取る。そのｎ型不純物を高濃
度で導入した領域１１はエレクトロケミカルエッチング
の際のエッチングストッパーの役割を果たす。ｎ型不純
物を高濃度で導入した領域１１は、ｐ型シリコン基板１
０の側面にまで及んでいるため、ｐ型シリコン基板１０
の外周部の形状保護の役割を果たす。
ットエッチングの特徴から非導入部分１２の寸法によっ
て決まるが、ここでは合わせずれを見込み、エッチング
開口部１３の寸法は大きく取る。そのｎ型不純物を高濃
度で導入した領域１１はエレクトロケミカルエッチング
の際のエッチングストッパーの役割を果たす。ｎ型不純
物を高濃度で導入した領域１１は、ｐ型シリコン基板１
０の側面にまで及んでいるため、ｐ型シリコン基板１０
の外周部の形状保護の役割を果たす。
【００１５】そして、図１（ａ）に示すように、このｎ
型不純物を高濃度で導入したシリコン基板表面上に、高
濃度ｎ型シリコン層１４とｎ型シリコン層１５をエピタ
キシャル成長させる。高濃度ｎ型シリコン層１４は、エ
ッチングストップのため、ｎ型シリコン層１５は半導体
回路の形成を可能にするためのものである。その高濃度
ｎ型シリコン層１４の厚さと、ｎ型シリコン層１５の厚
さの和は、そのまま薄膜部の厚さとなる。
型不純物を高濃度で導入したシリコン基板表面上に、高
濃度ｎ型シリコン層１４とｎ型シリコン層１５をエピタ
キシャル成長させる。高濃度ｎ型シリコン層１４は、エ
ッチングストップのため、ｎ型シリコン層１５は半導体
回路の形成を可能にするためのものである。その高濃度
ｎ型シリコン層１４の厚さと、ｎ型シリコン層１５の厚
さの和は、そのまま薄膜部の厚さとなる。
【００１６】次に、図１（ｂ）に示すように、エレクト
ロケミカルエッチングの際のマスク膜１７として、Ｓｉ
Ｎ／ＳｉＯ2 膜等を選択的に形成する。ｐ型シリコン基
板１０、ｎ型シリコン層の外周部分には、マスク膜１７
には覆われていない領域を形成し、この部分には更にｎ
型不純物を高濃度で導入し、ｎ型高濃度層１８を形成す
る。このｎ型高濃度層１８は低抵抗の電極領域として用
いる。その後に、エレクトロケミカルエッチング用の開
口部２０をマスク膜１７に設ける。ｎ型高濃度層１８の
形成の後に、開口部２０を設ける理由は、ｐ型シリコン
基板１０へのｎ型不純物の導入を防ぐためである。
ロケミカルエッチングの際のマスク膜１７として、Ｓｉ
Ｎ／ＳｉＯ2 膜等を選択的に形成する。ｐ型シリコン基
板１０、ｎ型シリコン層の外周部分には、マスク膜１７
には覆われていない領域を形成し、この部分には更にｎ
型不純物を高濃度で導入し、ｎ型高濃度層１８を形成す
る。このｎ型高濃度層１８は低抵抗の電極領域として用
いる。その後に、エレクトロケミカルエッチング用の開
口部２０をマスク膜１７に設ける。ｎ型高濃度層１８の
形成の後に、開口部２０を設ける理由は、ｐ型シリコン
基板１０へのｎ型不純物の導入を防ぐためである。
【００１７】エレクトロケミカルエッチングを行なう際
には、このｎ型高濃度層１８を電極としてリード線を導
出し、正極性端子に接続すると共に、基板をエッチャン
ト内に浸漬するエレクトロケミカルエッチングによっ
て、マスク膜１７に覆われていない領域からｐ型シリコ
ン基板１０が、一定の規則性を持ってエッチングされて
いく。このエレクトロケミカルエッチングにおいては、
シリコンのエッチングはｐ型シリコン基板１０のみで進
行し、高濃度ｎ型シリコン層１４、ｎ型不純物を高濃度
で導入した領域１１が露出するとこのエッチングは停止
する。
には、このｎ型高濃度層１８を電極としてリード線を導
出し、正極性端子に接続すると共に、基板をエッチャン
ト内に浸漬するエレクトロケミカルエッチングによっ
て、マスク膜１７に覆われていない領域からｐ型シリコ
ン基板１０が、一定の規則性を持ってエッチングされて
いく。このエレクトロケミカルエッチングにおいては、
シリコンのエッチングはｐ型シリコン基板１０のみで進
行し、高濃度ｎ型シリコン層１４、ｎ型不純物を高濃度
で導入した領域１１が露出するとこのエッチングは停止
する。
【００１８】したがって、エレクトロケミカルエッチン
グ工程においては、高濃度ｎ型シリコン層１４と、ｎ型
シリコン層１５がエッチング前の厚さを有して残存し、
図１（ｂ）に示すように、薄膜部１９を形成することが
できる。薄膜部の寸法について述べると、ｎ型不純物を
高濃度で導入した領域１１においては、エッチングは進
行しないので、ｎ型不純物の非導入部分であるエッチン
グ開口部１３からのみエッチングは進行する。ｎ型不純
物の非導入部分であるエッチング開口部１３は、計算値
より大きく取ってあるために、ｎ型不純物を高濃度で導
入した領域１１にエッチングが達した時には、薄膜部寸
法を決定する非導入部分１２より広くエッチングされて
いることになる。
グ工程においては、高濃度ｎ型シリコン層１４と、ｎ型
シリコン層１５がエッチング前の厚さを有して残存し、
図１（ｂ）に示すように、薄膜部１９を形成することが
できる。薄膜部の寸法について述べると、ｎ型不純物を
高濃度で導入した領域１１においては、エッチングは進
行しないので、ｎ型不純物の非導入部分であるエッチン
グ開口部１３からのみエッチングは進行する。ｎ型不純
物の非導入部分であるエッチング開口部１３は、計算値
より大きく取ってあるために、ｎ型不純物を高濃度で導
入した領域１１にエッチングが達した時には、薄膜部寸
法を決定する非導入部分１２より広くエッチングされて
いることになる。
【００１９】その後、図１（ｃ）に示すように、更にエ
ッチングを進めていくと、ｎ型不純物を高濃度で導入し
た領域１１では、エッチングが進行しないので、薄膜部
寸法を決定する非導入部１２のみがエッチングされる。
この時、ｎ型不純物を高濃度で導入した領域１１によっ
て段差１６が形成されるが、この部分はｎ型不純物導入
時に深く（１５〜２０μｍ）導入することによって必要
十分な厚さを得ているため、薄膜部への影響はない。
ッチングを進めていくと、ｎ型不純物を高濃度で導入し
た領域１１では、エッチングが進行しないので、薄膜部
寸法を決定する非導入部１２のみがエッチングされる。
この時、ｎ型不純物を高濃度で導入した領域１１によっ
て段差１６が形成されるが、この部分はｎ型不純物導入
時に深く（１５〜２０μｍ）導入することによって必要
十分な厚さを得ているため、薄膜部への影響はない。
【００２０】このようにして、薄膜部の厚さと寸法を所
定の値に仕上げることができる。なお、図１（ｃ）にお
いて、２１はエッチングのために負電位が印加される電
極である。また、ｐ型シリコン基板１０の側面部分につ
いても同様で、ｎ型不純物を高濃度で導入した領域１１
が形成されているため、エッチングは停止する。
定の値に仕上げることができる。なお、図１（ｃ）にお
いて、２１はエッチングのために負電位が印加される電
極である。また、ｐ型シリコン基板１０の側面部分につ
いても同様で、ｎ型不純物を高濃度で導入した領域１１
が形成されているため、エッチングは停止する。
【００２１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、ｎ型不純物を高濃度に導入した領域が電極とし
て使用できるため、エレクトロケミカルエッチングの際
に金属膜を形成することなく、シリコン基板に電流を供
給することができる。更には、ｎ型不純物を高濃度に導
入する領域を、選択して形成することによって、エレク
トロケミカルエッチングによるエッチングを、所定領域
だけで停止できるようにしたので、ダイアフラム型シリ
コン圧力センサ等を製造する際に、そのダイアフラム部
の膜厚、薄膜寸法を所定の値に精度よく仕上げることが
できる。同時にｎ型不純物を高濃度に導入した領域は、
長時間にわたるエレクトロケミカルエッチングに対し
て、シリコン基板外周部の形状くずれ防止の効果も果た
す。
よれば、ｎ型不純物を高濃度に導入した領域が電極とし
て使用できるため、エレクトロケミカルエッチングの際
に金属膜を形成することなく、シリコン基板に電流を供
給することができる。更には、ｎ型不純物を高濃度に導
入する領域を、選択して形成することによって、エレク
トロケミカルエッチングによるエッチングを、所定領域
だけで停止できるようにしたので、ダイアフラム型シリ
コン圧力センサ等を製造する際に、そのダイアフラム部
の膜厚、薄膜寸法を所定の値に精度よく仕上げることが
できる。同時にｎ型不純物を高濃度に導入した領域は、
長時間にわたるエレクトロケミカルエッチングに対し
て、シリコン基板外周部の形状くずれ防止の効果も果た
す。
【００２３】また、エピタキシャル形成時には、エッチ
ングストップ用のｎ型高濃度エピタキシャル層と、通常
のｎ型エピタキシャル層を二層で形成させているため、
表面上には容易に半導体回路を形成することができる。
ングストップ用のｎ型高濃度エピタキシャル層と、通常
のｎ型エピタキシャル層を二層で形成させているため、
表面上には容易に半導体回路を形成することができる。
【図１】本発明の実施例を示す単結晶薄膜部材の要部製
造工程断面図である。
造工程断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す単結晶薄膜部材の第１の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図３】従来の単結晶薄膜部材の製造工程断面図であ
る。
る。
【図４】従来の他の単結晶薄膜部材の製造方法を示す図
である。
である。
１０ Ｐ型シリコン基板 １１ ｎ型不純物を高濃度で導入した領域 １２ 非導入部分 １３ 薄膜部形成用エッチング開口部 １４ 高濃度ｎ型シリコン層 １５ ｎ型シリコン層 １６ 段差 １７ マスク膜 １８ ｎ型高濃度層 １９ 薄膜部 ２０ エレクトロケミカルエッチング用の開口部 ２１ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）第１導電型半導体基板に第２導電型
半導体層を高濃度で深く導入する工程と、 （ｂ）該第２導電型半導体層に接続される第２導電型の
高濃度のエピタキシャル層を形成する工程と、 （ｃ）該エピタキシャル層を電極として所定領域をエレ
クトロケミカルエッチングを行う工程とを施すことを特
徴とする単結晶薄膜部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193999A JPH0645617A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 単結晶薄膜部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4193999A JPH0645617A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 単結晶薄膜部材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645617A true JPH0645617A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16317292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4193999A Withdrawn JPH0645617A (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 単結晶薄膜部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645617A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2316018A (en) * | 1995-06-27 | 1998-02-18 | Komatsu Mfg Co Ltd | Exhaust emission control device for diesel engines |
| JP2009130297A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | トランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサ |
| JP2009130295A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | トランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサ |
| WO2011013290A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | 信越半導体株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP4193999A patent/JPH0645617A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2316018A (en) * | 1995-06-27 | 1998-02-18 | Komatsu Mfg Co Ltd | Exhaust emission control device for diesel engines |
| US5894728A (en) * | 1995-06-27 | 1999-04-20 | Komatsu Ltd. | Exhaust emission control device for diesel engines |
| JP2009130297A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | トランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサ |
| JP2009130295A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | トランスデューサ用基板の製造方法およびトランスデューサ用基板、並びにトランスデューサ |
| WO2011013290A1 (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-03 | 信越半導体株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011035069A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |