JPH06338489A - 金属膜の製造方法 - Google Patents
金属膜の製造方法Info
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- JPH06338489A JPH06338489A JP14830293A JP14830293A JPH06338489A JP H06338489 A JPH06338489 A JP H06338489A JP 14830293 A JP14830293 A JP 14830293A JP 14830293 A JP14830293 A JP 14830293A JP H06338489 A JPH06338489 A JP H06338489A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング精度が良くしかも安定した特性の
金属膜を提供する。 【構成】 薄膜トランジスタのソ−ス電極７ａ及びドレ
イン電極７ｂは、Ｔｉからなるものであって、その製造
の際には、フッ酸を含んでその濃度が異なる２つのエッ
チング液を用いたエッチングにより形成される。すなわ
ち、初めに比較的濃度の濃いエッチング液でエッチング
を行うことによってＴｉ表面の酸化膜を除去し、その後
に他方のエッチング液でＴｉ自体のエッチングを行うこ
とによって、エッチング精度が良いＴｉからなる金属膜
を得る。
金属膜を提供する。 【構成】 薄膜トランジスタのソ−ス電極７ａ及びドレ
イン電極７ｂは、Ｔｉからなるものであって、その製造
の際には、フッ酸を含んでその濃度が異なる２つのエッ
チング液を用いたエッチングにより形成される。すなわ
ち、初めに比較的濃度の濃いエッチング液でエッチング
を行うことによってＴｉ表面の酸化膜を除去し、その後
に他方のエッチング液でＴｉ自体のエッチングを行うこ
とによって、エッチング精度が良いＴｉからなる金属膜
を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属膜の製造方法に係
り、特に、例えば半導体装置における電極や配線として
用いられる金属膜を精度良く製造する方法に関する。
り、特に、例えば半導体装置における電極や配線として
用いられる金属膜を精度良く製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置における金属電極或いは金属
配線として、例えばＴｉを含んでなる金属膜が用いられ
ている。このような金属膜を所望の形状に形成する手段
としては、ウエットエッチングを用いる方法がある。Ｔ
ｉを含んでなる金属膜をウエットエッチングする際に用
いられるエッチング液には、フッ酸を含んでなるエッチ
ング液が好適であり、例えば、特開昭５９−１２４７２
６号公報には、このフッ酸系エッチング液として５％程
度のフッ酸溶液を用いることが示されている。また、Th
in Film Processes （Vessen.J.L,Kern.W著、Academic
Press刊（1978））には、Ｔｉ膜のエッチング液として
５％程度のフッ酸を含んだフッ硝酸溶液を用いることが
示されている。
配線として、例えばＴｉを含んでなる金属膜が用いられ
ている。このような金属膜を所望の形状に形成する手段
としては、ウエットエッチングを用いる方法がある。Ｔ
ｉを含んでなる金属膜をウエットエッチングする際に用
いられるエッチング液には、フッ酸を含んでなるエッチ
ング液が好適であり、例えば、特開昭５９−１２４７２
６号公報には、このフッ酸系エッチング液として５％程
度のフッ酸溶液を用いることが示されている。また、Th
in Film Processes （Vessen.J.L,Kern.W著、Academic
Press刊（1978））には、Ｔｉ膜のエッチング液として
５％程度のフッ酸を含んだフッ硝酸溶液を用いることが
示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｔｉか
らなる金属膜のエッチングには次述するような問題があ
る。すなわち、Ｔｉを蒸着法により着膜してＴｉからな
る金属膜を形成する場合、その表面に酸化膜が生成され
てしまい、これを回避するのは現状では困難である。ま
た、Ｔｉをスパッタリング法により着膜する際には、Ｔ
ｉ膜の安定性を確保するために、通常、Ｔｉに窒素を混
合させたものをスパッタリングするが、この場合には、
Ｔｉ膜の表面に酸化窒化膜が形成されてしまう。したが
って、エッチングの際には、Ｔｉの表面に形成されたこ
れら酸化膜或いは酸化窒化膜と、その下層のＴｉ膜とを
エッチングすることとなるが、酸化膜及び酸化窒化膜
は、Ｔｉに比してエッチングレ−トが小さくまた、その
膜厚は不均一なために、精度良く均一なエッチングがで
きない。すなわち、酸化膜或いは酸化窒化膜の膜厚の比
較的薄い部分が他の部分より先にエッチング液により除
去されることによって、その下側に位置するＴｉ膜のエ
ッチングもその周囲のＴｉに比して進行することとな
る。そのため、Ｔｉ膜においてサイドエッチングが生じ
ると共に、エッチング後、Ｔｉ膜の側部端面に凹凸が生
じてしまい、エッチング精度のよい金属膜が得られなく
なる。
らなる金属膜のエッチングには次述するような問題があ
る。すなわち、Ｔｉを蒸着法により着膜してＴｉからな
る金属膜を形成する場合、その表面に酸化膜が生成され
てしまい、これを回避するのは現状では困難である。ま
た、Ｔｉをスパッタリング法により着膜する際には、Ｔ
ｉ膜の安定性を確保するために、通常、Ｔｉに窒素を混
合させたものをスパッタリングするが、この場合には、
Ｔｉ膜の表面に酸化窒化膜が形成されてしまう。したが
って、エッチングの際には、Ｔｉの表面に形成されたこ
れら酸化膜或いは酸化窒化膜と、その下層のＴｉ膜とを
エッチングすることとなるが、酸化膜及び酸化窒化膜
は、Ｔｉに比してエッチングレ−トが小さくまた、その
膜厚は不均一なために、精度良く均一なエッチングがで
きない。すなわち、酸化膜或いは酸化窒化膜の膜厚の比
較的薄い部分が他の部分より先にエッチング液により除
去されることによって、その下側に位置するＴｉ膜のエ
ッチングもその周囲のＴｉに比して進行することとな
る。そのため、Ｔｉ膜においてサイドエッチングが生じ
ると共に、エッチング後、Ｔｉ膜の側部端面に凹凸が生
じてしまい、エッチング精度のよい金属膜が得られなく
なる。
【０００４】一方、Ｔｉにはこのようなエッチング処理
における難点があるものの、膜ストレス、耐腐食性に優
れるという長所があり、上述したエッチング処理上の問
題があるにも拘らず他の部材をもって代え難く、Ｔｉの
安定性を生かしつつしかもエッチング精度のよいＴｉか
らなる金属膜を得ることは互いに相反する要求であると
いう問題があった。
における難点があるものの、膜ストレス、耐腐食性に優
れるという長所があり、上述したエッチング処理上の問
題があるにも拘らず他の部材をもって代え難く、Ｔｉの
安定性を生かしつつしかもエッチング精度のよいＴｉか
らなる金属膜を得ることは互いに相反する要求であると
いう問題があった。
【０００５】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、エッチング精度がよくしかも安定した特性の金属膜
を得ることのできる金属膜の製造方法を提供するもので
ある。
で、エッチング精度がよくしかも安定した特性の金属膜
を得ることのできる金属膜の製造方法を提供するもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】Ｔｉを主としてなる金属
膜の表面に保護マスクを施した後にウエットエッチング
を施すことによって所望の形状の金属膜を得る金属膜の
製造方法において、フッ酸を含んでなる濃度の異なる２
種類のエッチング液の内、濃度の高い一方のエッチング
液で前記金属膜をエッチングし、その後他方のエッチン
グ液で前記金属膜をエッチングすることからなるもので
ある。
膜の表面に保護マスクを施した後にウエットエッチング
を施すことによって所望の形状の金属膜を得る金属膜の
製造方法において、フッ酸を含んでなる濃度の異なる２
種類のエッチング液の内、濃度の高い一方のエッチング
液で前記金属膜をエッチングし、その後他方のエッチン
グ液で前記金属膜をエッチングすることからなるもので
ある。
【０００７】
【作用】最初にフッ酸の含有濃度の高いエッチング液で
エッチングすることにより、Ｔｉの表面を覆う酸化膜或
いは酸化窒化膜が比較的短い時間で除去され、その後、
最初に用いたエッチング液よりフッ酸の含有濃度の低い
エッチング液によりエッチングすることにより、サイド
エッチングを生ずることなくＴｉが略均一にエッチング
されることとなる。
エッチングすることにより、Ｔｉの表面を覆う酸化膜或
いは酸化窒化膜が比較的短い時間で除去され、その後、
最初に用いたエッチング液よりフッ酸の含有濃度の低い
エッチング液によりエッチングすることにより、サイド
エッチングを生ずることなくＴｉが略均一にエッチング
されることとなる。
【０００８】
【実施例】以下、図１乃至図４を参照しつつ、本発明に
係る金属膜の製造方法について説明する。ここで、図１
は本発明に係る金属膜を用いた薄膜トランジスタの縦断
面図、図２及び図４は図１に示された薄膜トランジスタ
の製造過程を説明するための説明図である。先ず、本実
施例においては、薄膜トランジスタにおける電極を本発
明に係る金属膜の製造方法により製造する場合を例に説
明する。最初に、図１を参照しつつ薄膜トランジスタの
構造について説明する。この薄膜トランジスタの基本的
構造は、既に公知となっているものであり、ここでの構
造の説明は概略に止めるものとする。尚、従来のものと
異なるのは、後述するように一部の電極が本発明に係る
製造法方により形成される点にある。
係る金属膜の製造方法について説明する。ここで、図１
は本発明に係る金属膜を用いた薄膜トランジスタの縦断
面図、図２及び図４は図１に示された薄膜トランジスタ
の製造過程を説明するための説明図である。先ず、本実
施例においては、薄膜トランジスタにおける電極を本発
明に係る金属膜の製造方法により製造する場合を例に説
明する。最初に、図１を参照しつつ薄膜トランジスタの
構造について説明する。この薄膜トランジスタの基本的
構造は、既に公知となっているものであり、ここでの構
造の説明は概略に止めるものとする。尚、従来のものと
異なるのは、後述するように一部の電極が本発明に係る
製造法方により形成される点にある。
【０００９】薄膜トランジスタは、ガラス等の絶縁部材
からなる絶縁基板１上に、例えば、Ｔｉからなるゲ−ト
電極２、ＳｉＮｘからなるゲ−ト絶縁層３、ａ−Ｓｉ：
Ｈからなる半導体活性層４、ＳｉＮｘからなるチャンネ
ル保護層５、ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈからなるオ−ミックコン
タクト層６ａ，６ｂ、Ｔｉからなるソ−ス電極７ａ及び
ドレイン電極７ｂが順次積層及びパタ−ニングされて構
成されている。さらに、薄膜トランジスタは、ポリイミ
ドからなる絶縁層８が積層されると共に、この絶縁層８
にコンタクト孔９ａ，９ｂが形成され、このコンタクト
孔９ａ，９ｂを介して絶縁層８上に設けられた配線部１
０ａ，１０ｂが、先のソ−ス・ドレイン電極７ａ，７ｂ
に接続されてなるものである。尚、絶縁層８の上であっ
て且つチャンネル保護層５の上には、アルミニウムを用
いて遮光部１１が形成されている。
からなる絶縁基板１上に、例えば、Ｔｉからなるゲ−ト
電極２、ＳｉＮｘからなるゲ−ト絶縁層３、ａ−Ｓｉ：
Ｈからなる半導体活性層４、ＳｉＮｘからなるチャンネ
ル保護層５、ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈからなるオ−ミックコン
タクト層６ａ，６ｂ、Ｔｉからなるソ−ス電極７ａ及び
ドレイン電極７ｂが順次積層及びパタ−ニングされて構
成されている。さらに、薄膜トランジスタは、ポリイミ
ドからなる絶縁層８が積層されると共に、この絶縁層８
にコンタクト孔９ａ，９ｂが形成され、このコンタクト
孔９ａ，９ｂを介して絶縁層８上に設けられた配線部１
０ａ，１０ｂが、先のソ−ス・ドレイン電極７ａ，７ｂ
に接続されてなるものである。尚、絶縁層８の上であっ
て且つチャンネル保護層５の上には、アルミニウムを用
いて遮光部１１が形成されている。
【００１０】次に、上述の構成における薄膜トランジス
タの製造プロセスについて図２乃至図４を参照しつつ説
明する。先ず、絶縁基板１上に、例えば、Ｔａ（この
他、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏなども好適である。）からな
る金属膜１２を蒸着法又はスパッタリング法により１０
００オングストロ−ム程度全面着膜する（図２（ａ）参
照）。次いで、この金属膜１２上にフォトレジストパタ
−ン（図示せず）を形成し、ドライエッチングによりゲ
−ト電極２を形成する（図２（ｂ）参照）。このドライ
エッチングには、例えば、ＳＦ6 をエッチングガスとし
て用いる。
タの製造プロセスについて図２乃至図４を参照しつつ説
明する。先ず、絶縁基板１上に、例えば、Ｔａ（この
他、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏなども好適である。）からな
る金属膜１２を蒸着法又はスパッタリング法により１０
００オングストロ−ム程度全面着膜する（図２（ａ）参
照）。次いで、この金属膜１２上にフォトレジストパタ
−ン（図示せず）を形成し、ドライエッチングによりゲ
−ト電極２を形成する（図２（ｂ）参照）。このドライ
エッチングには、例えば、ＳＦ6 をエッチングガスとし
て用いる。
【００１１】次に、Ｐ−ＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＮｘ
からなるゲ−ト絶縁層３、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体
活性層用膜１３及びＳｉＮｘからなるチャンネル保護層
用膜１４を、それぞれ３０００オングストロ−ム、５０
０オングストロ−ム、１５００オングストロ−ム程度全
面に着膜し（図２（ｂ）参照）、その後、半導体層用膜
１３及びチャンネル保護層用膜１３にフォトリソ法を施
して、所望の形状の半導体活性層４及びチャンネル保護
層５を得る（図３（ａ）参照）。
からなるゲ−ト絶縁層３、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる半導体
活性層用膜１３及びＳｉＮｘからなるチャンネル保護層
用膜１４を、それぞれ３０００オングストロ−ム、５０
０オングストロ−ム、１５００オングストロ−ム程度全
面に着膜し（図２（ｂ）参照）、その後、半導体層用膜
１３及びチャンネル保護層用膜１３にフォトリソ法を施
して、所望の形状の半導体活性層４及びチャンネル保護
層５を得る（図３（ａ）参照）。
【００１２】続いて、ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈからなるオ−ミ
ックコンタクト層用膜１５を１０００オングストロ−ム
程度全面着膜し（図３（ｂ）参照）、さらに、Ｔｉから
なる電極用金属膜１６を蒸着法又はスパッタリング法に
より２０００オングストロ−ム程度全面着膜する（図３
（ｂ）参照）。そして、フォトリソ法によりソ−ス電極
７ａ及びドレイン電極７ｂを形成する（図３（ｃ）参
照）。ここで、Ｔｉからなる電極用金属膜１６のエッチ
ングは、ＨＦ−ＮＨ4 Ｆ−ＨＮＯ3 −Ｈ2 Ｏからなる濃
度の異なる２種類のエッチング液を用いて連続的なエッ
チングを行なう。この濃度の異なる２種類のエッチング
液としては、例えば、表１に示されるような組成比のも
のが好適である。
ックコンタクト層用膜１５を１０００オングストロ−ム
程度全面着膜し（図３（ｂ）参照）、さらに、Ｔｉから
なる電極用金属膜１６を蒸着法又はスパッタリング法に
より２０００オングストロ−ム程度全面着膜する（図３
（ｂ）参照）。そして、フォトリソ法によりソ−ス電極
７ａ及びドレイン電極７ｂを形成する（図３（ｃ）参
照）。ここで、Ｔｉからなる電極用金属膜１６のエッチ
ングは、ＨＦ−ＮＨ4 Ｆ−ＨＮＯ3 −Ｈ2 Ｏからなる濃
度の異なる２種類のエッチング液を用いて連続的なエッ
チングを行なう。この濃度の異なる２種類のエッチング
液としては、例えば、表１に示されるような組成比のも
のが好適である。
【００１３】この表１に示されたエッチング液を用いる
場合、先ず、エッチング液１で電極金属膜１６の表面を
エッチングする。エッチング液１の濃度は、エッチング
液２よりかなり高濃度となっており、このような高濃度
のエッチング液１を用いることによって主に電極用金属
膜１６表面に形成された酸化膜又は酸化窒化膜（図示せ
ず）が除去されることとなる。その後、先のエッチング
液１より低濃度のエッチング液２でエッチングすること
によって電極金属膜１６自体のエッチングが行われ、ソ
−ス・ドレイン電極７ａ，７ｂが形成される。この後、
オ−ミックコンタクト層用膜１５をパタ−ニングするこ
とによってオ−ミックコンタクト層６ａ，６ｂの形成が
行われることとなる。
場合、先ず、エッチング液１で電極金属膜１６の表面を
エッチングする。エッチング液１の濃度は、エッチング
液２よりかなり高濃度となっており、このような高濃度
のエッチング液１を用いることによって主に電極用金属
膜１６表面に形成された酸化膜又は酸化窒化膜（図示せ
ず）が除去されることとなる。その後、先のエッチング
液１より低濃度のエッチング液２でエッチングすること
によって電極金属膜１６自体のエッチングが行われ、ソ
−ス・ドレイン電極７ａ，７ｂが形成される。この後、
オ−ミックコンタクト層用膜１５をパタ−ニングするこ
とによってオ−ミックコンタクト層６ａ，６ｂの形成が
行われることとなる。
【００１４】
【表１】
【００１５】次に、ポリイミドをロ−ルコ−ト又はスピ
ンコ−トによって１μｍ程度塗布し、絶縁層８を形成す
る（図４（ａ）参照）。そして、この絶縁層８の上で且
つ先のソ−ス電極７ａ及びドレイン電極７ｂに位置する
部位に、コンタクト孔９ａ，９ｂを形成する（図４
（ａ）参照）。最後に、例えば、アルミニウム等の導電
材料を蒸着法又はスパッタリング法により１μｍ程度着
膜し、配線部１０ａ，１０ｂ及びチャンネル遮光膜１１
を、それぞれ形成することによって薄膜トランジスタが
完成されることとなる（図４（ｂ）参照）。
ンコ−トによって１μｍ程度塗布し、絶縁層８を形成す
る（図４（ａ）参照）。そして、この絶縁層８の上で且
つ先のソ−ス電極７ａ及びドレイン電極７ｂに位置する
部位に、コンタクト孔９ａ，９ｂを形成する（図４
（ａ）参照）。最後に、例えば、アルミニウム等の導電
材料を蒸着法又はスパッタリング法により１μｍ程度着
膜し、配線部１０ａ，１０ｂ及びチャンネル遮光膜１１
を、それぞれ形成することによって薄膜トランジスタが
完成されることとなる（図４（ｂ）参照）。
【００１６】本実施例においては、ソ−ス電極７ａ及び
ドレイン電極７ｂをエッチングするに際して、表１に示
された濃度の異なるエッチング液を用いたが、エッチン
グ液の濃度はこの表１に示されたものに限られるもので
はなく、酸化膜或いは酸化窒化膜の膜厚の程度に応じて
適宜変え得るものであり、要は初めに比較的濃度の濃い
エッチング液で酸化膜或いは酸化窒化膜を除去した後
に、この最初に用いたエッチング液よりも濃度の薄いエ
ッチング液によってＴｉ自体をエッチングできればよい
ものである。
ドレイン電極７ｂをエッチングするに際して、表１に示
された濃度の異なるエッチング液を用いたが、エッチン
グ液の濃度はこの表１に示されたものに限られるもので
はなく、酸化膜或いは酸化窒化膜の膜厚の程度に応じて
適宜変え得るものであり、要は初めに比較的濃度の濃い
エッチング液で酸化膜或いは酸化窒化膜を除去した後
に、この最初に用いたエッチング液よりも濃度の薄いエ
ッチング液によってＴｉ自体をエッチングできればよい
ものである。
【００１７】また、本実施例による金属膜の製造方法に
よりソ−ス・ドレイン電極７ａ，７ｂが形成されること
により、ソ−ス・ドレイン電極７ａ，７ｂの端部、特
に、チャンネル保護層５上に位置した部位の端部イの側
面部分ロ（図１参照）に、エッチング後に凹凸が生じる
という従来のようなことがなくり、精度良く金属膜が形
成されることとなる。また、ソ−ス・ドレイン電極７
ａ，７ｂの端部イ（図１参照）がチャンネル保護層５の
上で、このチャンネル保護層５と確実に接合することと
なり、そのため、従来と異なり薄膜トランジスタの導通
時の電流にばらつくようなことがなくなることとなる。
よりソ−ス・ドレイン電極７ａ，７ｂが形成されること
により、ソ−ス・ドレイン電極７ａ，７ｂの端部、特
に、チャンネル保護層５上に位置した部位の端部イの側
面部分ロ（図１参照）に、エッチング後に凹凸が生じる
という従来のようなことがなくり、精度良く金属膜が形
成されることとなる。また、ソ−ス・ドレイン電極７
ａ，７ｂの端部イ（図１参照）がチャンネル保護層５の
上で、このチャンネル保護層５と確実に接合することと
なり、そのため、従来と異なり薄膜トランジスタの導通
時の電流にばらつくようなことがなくなることとなる。
【００１８】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
Ｔｉからなる金属膜をエッチングする際、Ｔｉの表面に
形成された酸化膜或いは酸化窒化膜を一気に除去した後
にＴｉ自体をエッチングするように構成することによ
り、Ｔｉ表面の酸化膜或いは酸化窒化膜が部分的にエッ
チングされるようなことがなくなるので、サイドエッチ
ングのないエッチング精度のよい金属膜を提供すること
ができるという効果を奏するものである。
Ｔｉからなる金属膜をエッチングする際、Ｔｉの表面に
形成された酸化膜或いは酸化窒化膜を一気に除去した後
にＴｉ自体をエッチングするように構成することによ
り、Ｔｉ表面の酸化膜或いは酸化窒化膜が部分的にエッ
チングされるようなことがなくなるので、サイドエッチ
ングのないエッチング精度のよい金属膜を提供すること
ができるという効果を奏するものである。
【図１】 本発明に係る金属膜の製造方法が用いて形成
された電極を用いた薄膜トランジスタの一実施例におけ
る縦断面図である。である。
された電極を用いた薄膜トランジスタの一実施例におけ
る縦断面図である。である。
【図２】 本発明に係る金属膜の製造方法による製造過
程を説明するための説明図である。
程を説明するための説明図である。
【図３】 本発明に係る金属膜の製造方法による製造過
程を説明するための説明図である。
程を説明するための説明図である。
【図４】 本発明に係る金属膜の製造方法による製造過
程を説明するための説明図である。
程を説明するための説明図である。
４…半導体活性層、 ５…チャンネル保護層、 ６ａ，
６ｂ…オ−ミックコンタクト層、 ７ａ…ソ−ス電極、
７ｂ…ドレイン電極
６ｂ…オ−ミックコンタクト層、 ７ａ…ソ−ス電極、
７ｂ…ドレイン電極
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｔｉを主としてなる金属膜の表面に保護
マスクを施した後にウエットエッチングを施すことによ
って所望の形状の金属膜を得る金属膜の製造方法におい
て、フッ酸を含んでなる濃度の異なる２種類のエッチン
グ液の内、濃度の高い一方のエッチング液で前記金属膜
をエッチングし、その後他方のエッチング液で前記金属
膜をエッチングすることを特徴とする金属膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14830293A JPH06338489A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 金属膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14830293A JPH06338489A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 金属膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338489A true JPH06338489A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15449751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14830293A Pending JPH06338489A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 金属膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338489A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1840948A4 (en) * | 2004-12-20 | 2009-01-14 | Stella Chemifa Corp | FINE TREATMENT AGENT AND THIS USE FINE TREATMENT METHOD |
| CN102157616A (zh) * | 2011-01-29 | 2011-08-17 | 常州天合光能有限公司 | 去激光损伤层洗液 |
| JP2014107453A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Fujifilm Corp | 酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、表示装置及びイメージセンサ |
| WO2017090524A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | シャープ株式会社 | ウェットエッチング方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP14830293A patent/JPH06338489A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7727415B2 (en) | 2004-12-20 | 2010-06-01 | Stella Chemifa Corporation | Fine treatment agent and fine treatment method using same |
| CN102157616A (zh) * | 2011-01-29 | 2011-08-17 | 常州天合光能有限公司 | 去激光损伤层洗液 |
| CN102157616B (zh) | 2011-01-29 | 2013-03-27 | 常州天合光能有限公司 | 去激光损伤层洗液 |
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| CN108352315A (zh) * | 2015-11-27 | 2018-07-31 | 夏普株式会社 | 湿蚀刻方法及半导体装置的制造方法 |
| JPWO2017090524A1 (ja) * | 2015-11-27 | 2018-08-30 | シャープ株式会社 | ウェットエッチング方法、及び半導体装置の製造方法 |
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