JPH06296010A

JPH06296010A - 位置検出器および位置変換器ー符号器

Info

Publication number: JPH06296010A
Application number: JP5243107A
Authority: JP
Inventors: Bruno Murari; ブルーノ・ムラリ; Sandro Storti; サンドロ・ストルティ; Flavio Villa; フラヴィオ・ヴィッラ
Original assignee: SGS Thomson Microelectronics SRL; SGS Thomson Microelectronics Inc
Current assignee: STMicroelectronics SRL; STMicroelectronics lnc USA
Priority date: 1992-09-30
Filing date: 1993-09-29
Publication date: 1994-10-21
Anticipated expiration: 2017-09-03
Also published as: EP0591113B1; DE69312619D1; EP0590222A1; US5530345A; EP0591113A1; DE69312619T2; JP3321481B2

Abstract

(57)【要約】【目的】高度の信頼性を有し、周知の製造ステップを
使用して製造するのに簡単で安価な位置検出器を提供す
る。【構成】空間、代表的には平面（β）の少なくとも１
点でゼロの少なくとも１つの成分（Ｂ_Z）を有する磁界
を発生する磁気素子（５）の位置を検出するために、複
数の基本ホール効果検出器（Ｓ_i）が並んで集積されか
つゼロの磁界成分および基本検出器を流れる電流（Ｉ）
に垂直な方向（Ｘ）に配列される。従って、ゼロ出力電
圧を発生する基本検出器（Ｓ_r）は磁界成分のゼロ位
置、従って位置検出器（１）に関連する磁気素子の位置
を示し、そのため、基本検出器の出力は磁気素子の位置
を示す量子化数字コードを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、位置検出器および位
置変換器ー符号器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】目標物の位置を検出するために、種々の
原理に基づく変換器が現在利用でき、そのあるものはホ
ール効果を利用しており、それによって、電流が一方向
に流れる導電材料が電流の流れる方向に垂直に向けられ
た磁界に浸されているならば、電流および磁界に垂直で
かつその点の磁界の強度に比例する電界が検出器を横切
って観察される。

【０００３】従って、周知のホール効果変換器で検出器
にかかる電位の差を測定することによって、その磁界パ
ターンが既知の磁気素子（例えば、永久磁石または磁気
回路）の位置を決定することが可能である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般的に言って、用い
られている永久磁石や磁気回路の磁界は空間で可変でき
るので、磁気素子が単に所定の直線（通常検出器に平行
または垂直な）で移動できるとき、その位置を正確に決
定するために現に使用されている検出器だけを備える。
従って、磁気素子の動きのいかなる予言できない成分も
測定誤差に取り入れ、かくして周知のホール効果変換器
の信頼性低減し、その範囲を制限する。

【０００５】さらに、磁気素子および検出器の任意の誤
配列と、供給電圧および電流のような伝達定数に影響を
及ぼす量と検出器の特性（固体検出器の場合、引き続き
温度によるキャリア移動度）の変化量に対するホール効
果変換器の感度によって制限が提起される。結果とし
て、周知の変換器は機械的配列、電気的較正、および動
作状態の（例えば、温度の）変化量を補償するための非
常に複雑な回路を含むが、しかしながら、この要件は変
換器の所望の精度や信頼性を達成するのに必ずしも成功
しない。

【０００６】上記問題を解決するために、磁界成分のゼ
ロ点を決定し、出力にゼロ点位置を示す数字コードを直
接発生するためホール型の基本検出器のアレイを用いる
ことが知られている（例えば、EP-A-0 427 882参照）。

【０００７】さらに、集積回路内に単一のホール効果セ
ルを集積することが知られている（例えば、ジー・ボッ
シュ（G.Bosch）著“集積回路内のホール素子”固体電
子，第１１巻，第７１２〜７１４頁，１９６８年、ジー
・エス・ランドハワ（G.S.Randhawa）著“シリコン回路
内のモノシリック集積ホール素子”ミクロ電子雑誌，第
１２巻，第２４〜２９頁，１９８１年参照）。よって、
図７に示す基板５０（好ましくは、Ｐ^-型の）と、深さ
ｔを持つＮ型のエピタキシャル層５１と、エピタキシャ
ル層５１内に形成され、能動領域５３の範囲を定めるＰ
⁺型の絶縁領域５２と、集積回路のエミッタ拡散工程中
に形成されるＮ⁺型の接点５４，５５とを含む構造を有
する多数の市販製品が開発されている。このようなセル
のホール電圧は

【０００８】Ｖ_H＝Ｇ・（ＢＩ）／（ｑＮｔ）（１）

【０００９】である。ここで、Ｇはセルの有限寸法によ
る幾何学的補正係数（便宜的にセルの寸法を決めること
によりＧ＝１）、Ｎはエピタキシャル層のドーピング種
の濃度、ｔはエピタキシャル層の深さ、そして、Ｂは電
流Ｉに垂直な磁気誘導の成分である。

【００１０】この発明の目的は、高度の信頼性を有し、
周知の製造工程を使用して製造するのに簡単で安価な位
置検出器を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明によれば、空間
の少なくとも１点でゼロの少なくとも１つの成分
（Ｂ_Z）を有する磁界を発生する磁気素子（５）の位置
を検出する位置検出器（１）であって、この位置検出器
（１）が磁界成分（Ｂ_Z）のゼロ点を検出するための少
なくとも１つの複数（３１，３２）の並んだホール効果
基本検出器（Ｓ_i）を備えるものにおいて、ホール効果
基本検出器が半導体材料の単一のチップ（２）内で相互
に隣接して集積された固体検出器であることを特徴とす
る位置検出器が提供される。この発明の好適な無制限の
実施例を添付図面を参照して説明する。

【００１２】

【実施例】この発明による基本原理をまず図１および図
２と関連して説明する。ここで、参照番号１は半導体材
料（代表的にはシリコン）のチップ２で形成された固体
型位置検出器を示す。図に示すように、位置検出器１は
一方向（以下、Ｘ軸と称する）に並んで配列され、各々
がＹ軸で示される方向（図２の平面に垂直）でＸ軸に垂
直な方向に電流Ｉを供給される複数の基本検出器Ｓ₁，
Ｓ₂，・・・Ｓ_i，Ｓ_i ₊₁，・・・Ｓ_nを備える。各基本検
出器Ｓ_iはまたＸ軸に沿って配列され、それぞれ前の基
本検出器Ｓ_i-1と次の基本検出器Ｓ_i+1で分配される一対
の接点Ｃ_i-1，Ｃ_iを呈する。

【００１３】位置検出器１は延長棒の形の永久磁石５よ
り発生された磁界中に設けられ、永久磁石５の北極Ｎお
よび南極Ｓは位置検出器１の表面７を向いている面６に
形成される（これはＸ，Ｙ面を規定し、その上に基本検
出器Ｓ_iが配列される）。永久磁石５およびＮ極とＳ極
を接合する線はＸ軸に平行に配列され、そのため、永久
磁石５は磁気誘導Ｂで描かれた磁界を発生し、その電流
の流れる方向に垂直な成分および検出器接点が配列され
る成分（Ｚ軸方向）は一平面でゼロである。換言すれ
ば、永久磁石５に対して、磁気誘導成分Ｂ_Zがゼロにな
る平面β（図２）が存在し、平面Ｙ，Ｚに平行なこの平
面は公式Ｘ＝Ｋ（Ｋは定数）で表すことができ、Ｙ軸に
平行な線ｒに沿った表面７を遮る。たとえ平面βの磁気
誘導Ｂが明らかにゼロ以外でも、実際は成分Ｂ_Xは最大
であり、基本検出器Ｓ_iは磁気誘導成分Ｂ_Zに感度がある
だけである。実際、ホール効果の真の本質のために、即
ち

【００１４】Ｅ→＝ｑＶ→×Ｂ→

【００１５】のために（ここで、Ｅ→は電界（ベクトル
表示）、ｑは移動粒子の電荷、Ｖ→は移動粒子の速度
（ベクトル表示）、およびＢ→は磁気誘導（ベクトル表
示）である）、電界Ｅはベクトル積Ｉ→×Ｂ→（Ｉ→＝
ｑＶ→）に比例する。

【００１６】この場合、Ｘ軸に沿って配列される定数Ｃ
_iによって、基本検出器Ｓ_iは電界成分Ｅ_Xに感度がある
だけであり、Ｙ軸に平行に向けられる電流Ｉによって、
電界成分Ｅ_Xは電流Ｉと磁気誘導成分Ｂ_Zの積、即ち

【００１７】Ｅ_X＝Ｋ₁ＩＢ_Z

【００１８】に比例する。図に示した例では、既に述べ
たように、線ｒに沿ってゼロである磁気誘導成分Ｂ
_Z（およびそれ故Ｅ_X）によって、Ｓ_rが線ｒが延在する
検出器であるならば、検出器Ｓ_rの左に対する全ての検
出器Ｓ₁・・・Ｓ_r-1に対して、Ｂ_Z＞０およびＥ_X＞０で
あり、検出器Ｓ_rの右に対する全ての検出器Ｓ_r+1・・・
Ｓ_nに対して、Ｂ_Z＜０およびＥ_X＜０である。

【００１９】従って、各検出器Ｓ_iの定数Ｃ_i-1，Ｃ_i間
の電位ＤＶ_iの差を測定することにより、即ち、

【００２０】ｉ＜ｒのとき，ＤＶ_i＝Ｖ_i−Ｖ_i-1＜０およびｉ＞ｒのとき，ＤＶ_i＝Ｖ_i−Ｖ_i-1＞０

【００２１】を測定することにより、永久磁石５がＸ軸
に平行に動くとき、平面β、従って線ｒはまた永久磁石
５と共に精密に動き、かくして、磁気誘導成分Ｂ_Zの符
号、従って、検出された電位差ＤＶ_iが反転される検出
器Ｓ_iを変更できる。それ故、検出器は各場合に平面β
の位置を規定し、永久磁石５の北極Ｎおよび南極Ｓ間の
交差線、および位置検出器１に関連した永久磁石５の位
置を与えられる。電位差ＤＶ_iの符号が反転する点（即
ち検出器）を検出することにより、それ故永久磁石５の
位置を決定することが可能である。

【００２２】電位差の符号反転が起きる検出器Ｓ_rは種
々の方法で検出してもよく、その１つを図１に一例とし
て示す。ここで、各検出器Ｓ_iは接点Ｃ_i-1，Ｃ_iによっ
てそれぞれの比較器１０に接続され、その出力端子１１
に接地に対して２進信号を発生し、その論理値は比較器
１０が接続された接点間の電位差に依存する。出力端子
１１は符号化回路１２に接続され、この符号化回路１２
は組合わせロジックからなり、出力端子１３に検出器Ｓ
_rの位置に比例した数値信号を発生する。

【００２３】図１はまた各検出器Ｓ_iに対して１個づつ
設けられた電流Ｉを発生する電流源１５を示す。図１に
示すように、基本検出器Ｓ_i、電流源１５、比較器１０
および符号化回路１２は、単一のチップ２、特に図５お
よび図６を参照して後述されるＰ型基板上に成長された
例えばＮ型のエピタキシャル層内に便宜的に集積され
る。

【００２４】図１のデバイスにおいて、ｌが最大位置検
出範囲に対応する（検出器Ｓ_iおよび接点Ｃ_iが配列され
た方向Ｘの）チップ２の長さであり、ｗが同じ方向の各
検出器の幅に対応する、基板検出器間の距離であるなら
ば、ｌ＝ｎｗであり、その結果、永久磁石５の位置はｗ
の絶対分解能と１／ｎの相対分解能を持つｎ工程で直接
決定される。例えばｌ＝４ｍｍそしてｗ＝２００μｍな
らば、ｎ＝２０であり、２００μｍの絶対分解能と５％
の相対分解能を持つ。

【００２５】換言すれば、この検出器は有限数の検出器
による有限数の点でサンプルされた電界Ｂによって前以
て量子化した位置情報を供給する。従って、この検出器
は磁界がオフセットおよびノイズから信号（電位差）を
区別できる最小値を越えるならば、絶対磁界強度（絶対
磁気誘導値）、それ故Ｚ軸に沿った磁気素子の距離に無
感応である。このように、磁界強度ー距離関係のいかな
る非線形ももはや検出器で発生された信号を処理するた
めの複雑なロジックは不要である。

【００２６】さらに、検出器はＸ軸に沿った永久磁石の
いかなる誤配列（永久磁石および基本検出器アレイ間の
平行の欠如）にも無感応であり、この誤配列は一般に磁
気誘導Ｂ→の強度の減衰を生じるが磁気誘導成分Ｂ_Zが
ゼロであるＸ座標に影響を及ばさず、その結果、検出器
はＸ軸に沿った位置の変化量を測定するだけである。

【００２７】検出器はまた供給電圧および電流、半導体
材料内のキャリアの移動度および（上記パラメータに影
響を及ぼす）温度のようなホール効果検出器の伝達定数
に影響を及ぼす量の変化量に無感応であり、そして、位
置および検出された電位差間のホール効果検出器を代表
とするいかなる非線形にも無感応である。

【００２８】従って、機械的配列および電気的較正の必
要性が除去され、そのため、取り付け、製造および周知
のアナログ検出器の信頼性を減ずるか少なくとも減少す
る係数を補償するための（例えば適当な処理ルーチンに
よる）動作を非常に簡単にしかつその費用を低減する。
さらに、この検出器は温度および供給電圧並びにエージ
ングの変化量に関して極めて安定している。

【００２９】前以て量子化されているこの検出器の出力
は変換を要することなく２進ロジックを使用して直ちに
処理することができ、従って、回路および処理時間の点
で利点をもたらす。当業者には、ここで説明し例示した
ような検出器および相対変換器に対する変更を為しうる
ことが明らかである。

【００３０】特に、基本検出器によって発生された電圧
信号を検出しかつ処理するためのロジックはここで述べ
たものと比較してかなり様々である。例えば、図３に示
すように、単一の比較器２５はマルチプレクサ２６を介
して基本検出器Ｓ_iの対をなす接点Ｃ_i-1，Ｃ_iに時分割
多重される２入力を用いてもよく、例えば、比較器２５
の出力の高状態の数をカウントするカウンタ２７は、検
出器アレイの各完了走査の間永久磁石の位置に比例した
カウント値を呈する。この場合、また比較器２５、マル
チプレクサ２６およびカウンタ２７は位置検出器１の同
じチップ内に集積してもよい。

【００３１】基本検出器はまた検出器の電流がＸ軸に沿
った成分を呈しないので、相互に絶縁してもよいし、或
はしなくてもよい。さらに、隣接する基本検出器の隣接
する接点は（特に、上述のように基本検出器が相互に絶
縁されているならば）かなずしも短絡する必要はなく、
この場合、各比較器は単に接点の各対に接続してもよ
く、或は各基本検出器は第１のマルチプレクサの入力端
子に接続された第１の接点および第２のマルチプレクサ
の入力端子に接続された第２の接点を持ってもよく、２
つのマルチプレクサの出力端子は図３の比較器２５と同
様の比較器の２つの入力端子に接続される。この場合、
接続点の数の増加は検出器の大変自由な最適化によって
オフセットされる。

【００３２】絶縁及び非絶縁型の検出器を有する２つの
可能な検出器の実施を図５および図６に示し、後述す
る。図５の検出器はＰ^-型の基板６０と、基板６０の全
頂面を覆うＰ⁺型の底部絶縁領域６１と、Ｎ^-型のエピタ
キシャル層６２と、エピタキシャル層で形成され、各々
その内部に自身の基本ホール検出器を形成する複数の能
動領域６４の横の方への境界を定めるＰ⁺型の頂部絶縁
領域６３と、エピタキシャル層で形成され、能動領域６
４の上の方への境界を定めるＰ^-型のベース拡散領域６
５と、基本検出器Ｓ_iの接点Ｃ_i、Ｃ_i+1第１の接点領域
６６（各基本検出器に対して２つの接点領域６６）と、
電流Ｉを注入するための接点を形成する、各基本検出器
に対して２つのＮ⁺型の第２の接点領域６７とを備え
る。第１および第２の接点領域６６、６７は共にベース
拡散領域６５の端部に形成され、エピタキシャル層６２
に直接接続される。従って、図５の検出器では、各基本
検出器Ｓ_iは絶縁領域６３によって隣接する基本検出器
即ちセルから絶縁され、かつ自身の接点領域６６を有す
る。

【００３３】図６の検出器では、基本検出器は相互から
絶縁されず、接点Ｃ_iは隣接する検出器を共有する。か
くして、図６の検出器はＰ^-型の基板６０と、基板６０
の全頂面を覆うＰ⁺型の底部絶縁領域６１と、Ｎ^-型のエ
ピタキシャル層６２と、単一の能動領域６４′の横の方
への境界を定め、全ての（または一群の）基本検出器Ｓ
_iを形成するＰ⁺型の頂部絶縁領域６３′と、単一のＰ^-
型のベース拡散領域６５と、各々隣接する基本検出器を
共有し、接点Ｃ_iを形成する基本検出器の第１の接点領
域６６′と、各基本検出器Ｓ_i用の一対のＮ⁺型の第２の
接点領域６７とを備える。

【００３４】両方の実施において、ｔで示すエピタキシ
ャル層６２の深さは、下からエピタキシャル層にＰ^-型
の不純物の拡散によって形成された底部絶縁領域６１に
より低減された、図７の周知の実施のエピタキシャル層
５１の深さの約１／２である。従って、式（１）で規定
されるホール効果電圧Ｖ_Hは２倍で、検出器感度を増加
する。さらに、ベース拡散領域６５、６５′は二重関数
を有し、即ちそれらはオフセット電圧Ｖ_OSに影響を及ぼ
す表面効果を除去し、さらにホール効果電圧Ｖ_Hを増加
する。実際、基本検出器Ｓ_iの能動領域は、図５および
図６の検出器構成の上側主表面６８（これは周知のよう
に図示しない酸化層によって覆われている）に形成され
ているＳ_i−Ｓ_iＯ₂界面領域からベース拡散領域６５、
６５′によって完全に絶縁される。その上、ベース拡散
領域６５、６５′はエピタキシャル層６２の深さを低減
し、さらに、ホール効果電圧Ｖ_Hの値を増加する。従っ
て、図５および図６の実施で、ホール効果電圧は非常に
増加する。

【００３５】両方の実施例は、周知の製造方法を使用
し、周知の頂部ー底部絶縁技術（ここでは、能動領域間
の接合絶縁は２つの異なった打ち込み工程で得られ、１
つは後者の絶縁領域の底部部分を形成するためにエピタ
キシャル層の成長の前に行われ、もう１つは成長したエ
ピタキシャル層上に絶縁領域の頂部部分を形成し、底部
部分と併合するために行われる。）を含み、簡単にかつ
安価に実施され得る。さらに、この検出器の製造は付加
的マスクを必要とせず、従って付加的費用を必要としな
い。特に、可能な大要の製造工程シーケンスは以下のご
とくである。即ち、Ｐ^-型の基板６０は後で底部絶縁領
域６１を形成するために高エネルギーＰ型ドーピング種
を打ち込まれ、このような打ち込みは検出器の横絶縁領
域および能動領域が形成されるべき両方の領域で行われ
る。その後、エピタキシャル層６２が成長し、Ｐ型ドー
ピング種が打ち込まれて頂部絶縁領域６３、６３′を形
成し、ベース拡散領域６５、６５′が（例えば図１の構
成要素１０、１２を形成するために）検出器と同じチッ
プで集積される任意のトランジスタベース領域と同じ工
程で形成される。ベース拡散領域６５、６５′は第１の
接点領域６６、６６′が形成されるべき領域のエピタキ
シャル層を覆うマスクを使用して行われ、それによっ
て、かかる領域はＰ型不純物を拡散されず、後で特に図
６の実施例に対して重要な第１の接点領域６６、６６′
および能動領域６４、６４′間の連続性を可能にする。
その後、Ｎ型ドーピング種が打ち込まれまたは拡散され
て６６、６６′、６７を形成し、そして、通常の最終製
造工程が行われる。

【００３６】一般に、基本検出器はチップ２の平面７の
ある任意の平坦面に沿ってかつ永久磁石５の経路例えば
円弧の形の線に平行に配列してもよい。

【００３７】また、検出器は図４に一例として示すよう
に１つ以上の複数の基本検出器を備えてもよく、図４は
ｗ／２だけオフセットされた２つの平行線に配列された
符号３１、３２で表す２つの複数の基本検出器Ｓ₁〜Ｓ_n
を示し、ここではｗは各複数の隣接する基本検出器間の
距離である。この複数の基本検出器は共に同じチップ２
内に集積してもよい。このような実施例は増大した分解
能を備え、電流および検出器を集積するために要する空
間が増大する（２倍になる）にも拘わらず、最大寸法
（各複数の基本検出器が配列される方向）は変わらない
ままである。かかる解決法は明らかにＷ／Ｎの分解能お
よびＮ回の電流を得るためにＮ個の複数の基本検出器に
まで拡大してもよい。丁度どのくらい多くの複数の基本
検出器を設けるかは、２つの異なる複数のものである２
つの基本検出器間で検出された磁界成分の符号の差を安
全に検出する可能性によって理論的に制限される。

【００３８】この発明の部分を形成しない磁気素子に対
してこれは任意の方法で形成してもよいので、それは少
なくとも１点で（好ましくは表面で）ゼロとなる少なく
とも１つの磁界成分を提供し、特に上述したような永久
棒磁石或は適当な磁気回路で構成してもよい。さらに、
有効な磁界成分（Ｂ_Z）、従ってそれがゼロ付近を変化
する範囲は、チップ表面７で規定される平面Ｘ，Ｙに平
行な平面および永久磁石５によって占められる空間に対
向する半分の空間（図に示した例では、チップ２の下）
に非常に透過性の磁気材料のプレートを設けることによ
り増加してもよい。或は、同じことを第２の磁石を使用
し、また第１の磁石の空間に対向する半分の空間に設け
られ、その南極を第１の磁石の北極と配列しまたはその
逆に配列することで達成してもよく、この場合、両方の
磁石は検出器と関連して相互に一体にして動かさなけれ
ばならない。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、高度
の信頼性を有し、周知の製造工程を使用して製造するの
に簡単で安価な位置検出器および変換器ー符号器が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による位置検出器を含む変換器ー符号
器を示す透視図である。

【図２】線IIーIIに沿って切断した図１の位置検出器の
概略断面図である。

【図３】図１の変換器の異なる実施例の詳細を示す図で
ある。

【図４】図２の位置検出器の異なる実施例を示す図であ
る。

【図５】破断透視図内の本検出器の実施の２つの異なる
実施例を示す図である。

【図６】破断透視図内の本検出器の実施の２つの異なる
実施例を示す図である。

【図７】周知の集積されたホールセルの実施を示す図で
ある。

【符号の説明】

１位置検出器２チップ５永久磁石１０比較器１２符号化回路１５電流源Ｓ_i 基本検出器

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年１２月２２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図５

【補正方法】変更

【補正内容】

【図５】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者サンドロ・ストルティイタリア国、20099 セスト・サン・ジョヴァンニ、ヴィア・フラテッリ・バンディエラ 48 (72)発明者フラヴィオ・ヴィッライタリア国、20159 ミラノ、ヴィア・ピ・ランベルテンギ 23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】空間の少なくとも１点でゼロの少なくと
も１つの成分（Ｂ_Z）を有する磁界を発生する磁気素子
（５）の位置を検出する位置検出器（１）であって、こ
の位置検出器（１）が上記磁界成分（Ｂ_Z）のゼロ点を
検出するための少なくとも１つの複数（３１，３２）の
並んだホール効果基本検出器（Ｓ_i）を備えるものにお
いて、上記ホール効果基本検出器が半導体材料の単一の
チップ（２）内で相互に隣接して集積された固体検出器
であることを特徴とする位置検出器。
【請求項２】ホール効果基本検出器（Ｓ_i）に接続さ
れ、位置検出手段を含むゼロ検出手段（１０，１２，２
５〜２７）を備え、上記位置検出手段は２つの隣接する
基本検出器の１つによって発生された電気信号に符号が
反対の電気出力信号を発生する上記ホール効果基本検出
器（Ｓ_i）の１つの位置を示す出力信号を発生する請求
項１記載の位置検出器。
【請求項３】ゼロ検出手段は各々それぞれのホール効
果基本検出器（Ｓ_i）に接続されかつ各々磁界成分
（Ｂ_Z）の符号を示すそれぞれの論理信号を供給する出
力端子（１１）を有する多数の比較器（１０）を備えて
いる請求項２記載の位置検出器。
【請求項４】ゼロ検出手段は比較器（１０）の出力端
子（１１）に接続され、位置検出器（１）に関連して磁
気素子（５）の位置を符号化した量子化位置信号を出力
端子（１３）に発生する符号化回路１２を備えている請
求項３記載の位置検出器。
【請求項５】ゼロ検出手段はホール効果基本検出器
（Ｓ_i）に接続された多数の入力端子および出力端子を
有する多重化要素（２６）と、この多重化要素の出力端
子に接続された入力端子を有する比較器（２５）と、こ
の比較器の出力端子に接続されたカウンタ（２７）を備
えている請求項２記載の位置検出器。
【請求項６】ホール効果基本検出器（Ｓ_i）は平坦線
に配列され、各基本検出器は一対の接点（Ｃ_i-1，Ｃ_i）
を呈する請求項１〜５のいずれか１項に記載の位置検出
器。
【請求項７】１つのホール効果基本検出器（Ｓ_i）の
各接点（Ｃ_i-1，Ｃ_i）は隣接する基本検出器（Ｓ_i-1，
Ｓ_i+1）の接点に接続される請求項６記載の位置検出
器。
【請求項８】少なくとも１つの複数（３１）の基本検
出器に接近しかつ平行に延在し、該基本検出器に関連し
てオフセットされる第２の複数（３２）の基本検出器
（Ｓ₁〜Ｓ_n）を備えた請求項１〜７のいずれか１項に記
載の位置検出器。
【請求項９】各ホール効果基本検出器（Ｓ_i）は第１
の導電型の基板（６０）と、上記基板を覆う上記第１の
導電型の底部絶縁領域（６１）と、この底部絶縁領域を
覆い、上記半導体基体の上側の大きい面（６８）を規定
する第２の反対の導電型のエピタキシアル層（６２）
と、このエピタキシアル層に成長され、該エピタキシア
ル層内に少なくとも１つの能動領域（６４，６４′）の
範囲を横の方に規定する上記第２の反対の導電型の頂部
絶縁領域（６３，６３′）と、上記エピタキシアル層に
成長され、上記半導体基体の上側の大きい面から上記エ
ピタキシアル層の上記能動領域を絶縁する上記第１の導
電型の界面絶縁領域（６５，６５′）と、上記エピタキ
シアル層の上記能動領域と直接接触する上記第２の反対
の導電型の接点領域（６６，６６′，６７）とを備えた
半導体基体（２）に集積されている請求項１〜８のいず
れか１項に記載の位置検出器。
【請求項１０】各ホール効果基本検出器（Ｓ_i）は自
身の能動領域（６４）を備え、隣接する基本検出器の能
動領域は頂部絶縁領域（６３）の部分によって相互から
絶縁される請求項９記載の位置検出器。
【請求項１１】ホール効果基本検出器を形成する単一
の能動領域（６４′）を備えた請求項９記載の位置検出
器。
【請求項１２】少なくとも幾つか（６６，６６′）の
接点領域は界面絶縁領域（６５，６５′）の窓に配列さ
れ、エピタキシアル層（６２）の方へ延在して上記エピ
タキシアル層と直接接触する請求項９記載の位置検出
器。
【請求項１３】空間の少なくとも１点でゼロの少なく
とも１つの成分（Ｂ_Z）を有する磁界を発生する磁気素
子（５）の位置を検出する位置変換器ー符号器であっ
て、この位置変換器ー符号器が上記磁界成分（Ｂ_Z）の
ゼロ点を検出するための少なくとも１つの複数（３１，
３２）の並んだホール効果基本検出器（Ｓ_i）および上
記基本検出器に接続され、上記磁界成分の上記ゼロ点に
対応する上記基本検出器の１つの位置を示す符号化され
た出力位置信号を発生する符号化回路（１２，２７）を
備えるものにおいて、上記ホール効果基本検出器
（Ｓ_i）が半導体材料の単一のチップ（２）内で相互に
隣接して集積された固体検出器であることを特徴とする
位置変換器ー符号器。
【請求項１４】符号化回路は２つの隣接する基本検出
器の１つによって発生された電気信号に符号が反対の電
気出力信号を発生する上記基本検出器の１つの位置を示
す出力信号を発生する位置検出手段を備えた請求項１３
記載の位置変換器ー符号器。