SU1702458A1 - Бипол рный латеральный магнитотранзистор - Google Patents
Бипол рный латеральный магнитотранзистор Download PDFInfo
- Publication number
- SU1702458A1 SU1702458A1 SU847773490A SU7773490A SU1702458A1 SU 1702458 A1 SU1702458 A1 SU 1702458A1 SU 847773490 A SU847773490 A SU 847773490A SU 7773490 A SU7773490 A SU 7773490A SU 1702458 A1 SU1702458 A1 SU 1702458A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- region
- conductivity
- type
- conductivity type
- contact base
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/40—Devices controlled by magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
- H10D10/60—Lateral BJTs
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к бипол рному латеральному магниготранзистору, который используетс в качестве датчика магнитного пол . Цель изобретени - повышение магниточувствительности. Бипол рный латеральный магтпотранзистор включает полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на рассто нии дру( от друга перва контактна базова область первого типа проводимости, инжекторна область второго типа проводимости, коллекторна область второго типа проводимости и втора контактна базова область первого типа проводимости. В приповерхностной области пластины дополнительно сформирована втора инжекторна область второго типа проводимости, расположенна с противоположной сюроны от первой контактной базовой области ча рассто ни,. большем, чем оассю ние между первой контактной базо&ой областью и первой инжекторной областью, Введение дополг-:.- тельной инжекторной области погон ет управл ть коллекторным токлм в зависимо сти от направлени магнитного пол , что позвол ет детектировать г..рнь слабые магнитные пол . 1 ил. С
Description
Изобретение относитс к микроэлектронике , а именно к бипол рным латеральным магнитотранзисторам используемым в качестве датчиков магнитного пол .
Известны бипол рные магнитотранзи- сторы содержащие эмиттер, базу и коллектор с соответствующими контактами
Недостатком такого транзистора вл - е)С невысокое значение магниточувстви- тельностм, обусловленное размерами базовой области и расположением коллекторной области.
Наиболее близким к предлагаемому вл етс бипол рный ла1еральиый магнито- транзистор. содержащий полупроводниковую пластину первого типа ПрОГОЛИМОС И В приповерхностной области которой сфс.- мироеаны последовательно на очссто нии друг от друга перва контактна базова область периоготипа проводимости, игжек- торна область второго типа проводимо тп коллекторна область второго типа проводимости и втора контактна базовач область первого типа проводимости.
Однако известный бипол рный латеральный транзистор характеризуетс низ кой магниточувстви гель н остью г о и коллекторных токах, превышающих 0 5 л л
Цель изобретени - повышение магни- точувствитетьности.
г
kl
Р
И 4
СП СО
Поставленна цель достигаетс тем, что в бипол рном латеральном магнитотран- зисторе, содержащем полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на рассто нии друг от друга перва контактна базова область первого типа проводимости, инжекторна область второго типа проводимости, коллекторна область второго типа проводимости и втора контактна базова область первого типа проводимости, в приповерхностной области пластины дополнительно сформирована втора инжекторна область второго типа проводимости, расположенна с противоположной стороны от первой контактной базовой области на рассто нии большем, чем рассто ние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.
На чертеже приведен бипол рный латеральный магниготранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединени .
Бипол рный латеральный магнитотран- зистор состоит из полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы посл-,:дорэтельно расположенные на рассто нии один от другого перва контактна базова область 2 первого типа проводимости, инжекторна область 3 второго типа проводимости, коллекторна область 4 второго типа проводимости и втора контактна базова область 5 первого типа проводимости. С другой стороны первой контактной базовой области 2 расположена дополнительна инжекторна область 6 второго типа проводимости. Инжекторные области 3 и 6 соединены между собой и подключены в пр мом направлении по отношению к второй контактной базовой области 5 с источником питани Ui. Перва контактна базова область 2 подключена к тому же источнику питани Ui и по отношению к второй контактной базовой области той же пол рности. Коллекторный р-п-пере- ход, образованный област ми 4 и 1, подключен в обратном направлении по отношению к второй контактной базовой области 5 и второму источнику посто нного напр жени U2, в его цепь подсоединено сопротивление нагрузки RK. Внешнее посто нное
или переменное магнитное поле В расположено перпендикул рно со стороны маг- нитотранзистора. Выходной сигнал снимаетс между коллекторной областью 4
и второй контактной базовой областью 5.
Устройство работает следующим образом .
Посредством напр жени питани Ui и регулируемых сопротивлений RI и R2 выбирают режим действи прибора, при котором обе инжекторные области 3 и 6 инжектируют одновременно неосновные носители в пластине 1, при этом инжекторна область 3 работает в режиме отрицательного сопротивлени . Коллекторный ток магнитотран- зистора определ етс током неосновных носителей, инжектированных в пластину 1 инжекторной областью 3. Магнитное поле В воздействует на инжектированные неосновные носители инжекторных областей 3 и 6, и в зависимости от направлени коллекторный ток повышаетс или понижаетс .
Введение дополнительной инжекторной областипозвол ет повысить
магниточувствительность и возможность
детектировани очень слабых магнитных
полей при одновременном повышении
коллекторного тока на два-три пор дка, что
способствует повышению помехозащищеннести .
Claims (1)
- Формула изобретени Бипол рный латеральный магнитотран- зистор, включающий полупроводниковуюпластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на рассто нии одна от другой перва контактна базова область первого типа проводимости, инжек;орна область второго типа проводимости, коллекторна область второго типа проводимости и втора контактна базова область первого типа проводимости, отличающийс тем, что, с целью повышенимагниточувствительности, в приповерхностной области пластины дополнительно сформирована втора инжекторна область второго типа проводимости, расположенна с противоположной стороны от первой контактной базовой области на рассто ниибольшем, чем рассто ние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BG8361655A BG37507A1 (en) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | Bipolar lateral magnetotransistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1702458A1 true SU1702458A1 (ru) | 1991-12-30 |
Family
ID=3912453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU847773490A SU1702458A1 (ru) | 1983-07-08 | 1984-07-05 | Бипол рный латеральный магнитотранзистор |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084883A (ru) |
| BG (1) | BG37507A1 (ru) |
| DE (1) | DE3424631A1 (ru) |
| FR (1) | FR2548834B1 (ru) |
| GB (1) | GB2143085B (ru) |
| IT (1) | IT1199153B (ru) |
| SU (1) | SU1702458A1 (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3733836A1 (de) * | 1987-10-07 | 1989-04-27 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Magnetfeldsonde zur messung der magnetfeldstaerke unter verwendung des halleffektes |
| US5591996A (en) * | 1995-03-24 | 1997-01-07 | Analog Devices, Inc. | Recirculating charge transfer magnetic field sensor |
| DE10105186A1 (de) * | 2001-02-06 | 2002-08-29 | Bosch Gmbh Robert | Halbleiteranordnung, Strommesser und Kraftfahrzeug |
| JP5069776B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2012-11-07 | パナソニック株式会社 | 磁気検出装置 |
| CN107356885B (zh) * | 2017-08-18 | 2023-06-02 | 黑龙江大学 | 一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0099979B1 (de) * | 1982-07-26 | 1987-04-08 | LGZ LANDIS & GYR ZUG AG | Magnetfeldsensor und dessen Verwendung |
-
1983
- 1983-07-08 BG BG8361655A patent/BG37507A1/xx unknown
-
1984
- 1984-07-02 GB GB08416766A patent/GB2143085B/en not_active Expired
- 1984-07-04 DE DE19843424631 patent/DE3424631A1/de active Granted
- 1984-07-05 IT IT48515/84A patent/IT1199153B/it active
- 1984-07-05 JP JP59138056A patent/JPS6084883A/ja active Pending
- 1984-07-05 SU SU847773490A patent/SU1702458A1/ru active
- 1984-07-06 FR FR8410740A patent/FR2548834B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2143085A (en) | 1985-01-30 |
| DE3424631A1 (de) | 1985-01-17 |
| GB8416766D0 (en) | 1984-08-08 |
| GB2143085B (en) | 1986-10-29 |
| DE3424631C2 (ru) | 1989-08-31 |
| IT8448515A0 (it) | 1984-07-05 |
| IT1199153B (it) | 1988-12-30 |
| BG37507A1 (en) | 1985-06-14 |
| FR2548834A1 (fr) | 1985-01-11 |
| FR2548834B1 (fr) | 1989-01-06 |
| JPS6084883A (ja) | 1985-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4607271A (en) | Magnetic field sensor | |
| JPH06296010A (ja) | 位置検出器および位置変換器ー符号器 | |
| US9252355B2 (en) | Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor | |
| US3668439A (en) | Magnetically operated semiconductor device | |
| SU1702458A1 (ru) | Бипол рный латеральный магнитотранзистор | |
| US4286279A (en) | Multilayer semiconductor switching devices | |
| US6744250B2 (en) | Device for measuring the strength of a vector component of a magnetic field, current-measuring device and use of a field-effect transistor | |
| US5099298A (en) | Magnetically sensitive semiconductor device | |
| US4032953A (en) | Sensing circuits | |
| RU2284612C2 (ru) | Полупроводниковый магнитный преобразователь | |
| Zieren et al. | Comment on" Magnetic transistor behavior explained by modulation of emitter injection, not carrier deflection" | |
| US3585462A (en) | Semiconductive magnetic transducer | |
| ES437555A1 (es) | Circuito de deteccion. | |
| RU2387046C1 (ru) | Интегральный токомагнитный датчик на основе биполярного магнитотранзистора | |
| RU2127007C1 (ru) | Магниточувствительный биполярный транзистор | |
| EP0305978A2 (en) | Magnetoelectric element and magnetoelectric apparatus | |
| RU2239916C1 (ru) | Полупроводниковый прибор, чувствительный к магнитному полю | |
| RU2300824C1 (ru) | Интегральный токомагнитный датчик со светодиодным индикатором | |
| SU505219A1 (ru) | Магниточувствительный элемент | |
| RU2055419C1 (ru) | Магниточувствительный биполярный транзистор | |
| RU1452410C (ru) | Магниточувствительный прибор | |
| SU930175A1 (ru) | Датчик магнитного пол | |
| RU2008748C1 (ru) | Магнитотранзистор | |
| EP0040640A1 (en) | Magnetically sensitive semiconductor device | |
| SU892379A1 (ru) | Устройство дл индукции магнитного пол |