JPH06260530A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH06260530A JPH06260530A JP5047743A JP4774393A JPH06260530A JP H06260530 A JPH06260530 A JP H06260530A JP 5047743 A JP5047743 A JP 5047743A JP 4774393 A JP4774393 A JP 4774393A JP H06260530 A JPH06260530 A JP H06260530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting
- wiring
- integrated circuit
- circuit device
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップを実装基板に高密度実装する技
術を提供する。 【構成】 配線2を形成した実装基板1の一部に開孔3
を設けてその内側に配線2の一端を突出させ、開孔3内
に配置した半導体チップ4のボンディングパッド上に配
線2の一端を接続した実装構造である。
術を提供する。 【構成】 配線2を形成した実装基板1の一部に開孔3
を設けてその内側に配線2の一端を突出させ、開孔3内
に配置した半導体チップ4のボンディングパッド上に配
線2の一端を接続した実装構造である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、半導体チップの実装密度の向上に適用して
有効な技術に関するものである。
関し、特に、半導体チップの実装密度の向上に適用して
有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、RAM、ROMなどのメモリLS
Iは、メモリ容量の大規模化に伴って半導体チップの面
積が著しく増大しているため、半導体チップをTSOP
(ThinSmall Outline Package)、TSOJ(Thin Small O
utline J-lead package) のような超薄形の表面実装型
パッケージに封止することで実装密度の向上を図ってい
る。
Iは、メモリ容量の大規模化に伴って半導体チップの面
積が著しく増大しているため、半導体チップをTSOP
(ThinSmall Outline Package)、TSOJ(Thin Small O
utline J-lead package) のような超薄形の表面実装型
パッケージに封止することで実装密度の向上を図ってい
る。
【0003】また、ポータブル形パソコンやラップトッ
プ形パソコンなど、軽量、薄形パーソナルコンピュータ
の普及に伴い、半導体チップを実装基板に薄く実装する
ことのできるテープキャリヤパッケージ(TABともい
う)が注目されている。
プ形パソコンなど、軽量、薄形パーソナルコンピュータ
の普及に伴い、半導体チップを実装基板に薄く実装する
ことのできるテープキャリヤパッケージ(TABともい
う)が注目されている。
【0004】テープキャリヤパッケージは、半導体チッ
プのボンディングパッド上に形成したAuのバンプ電極
とポリイミド樹脂などの絶縁フィルムに形成したCuリ
ードの一端とを電気的に接続し、このCuリードの他端
を実装基板上に半田付けする実装方式である。
プのボンディングパッド上に形成したAuのバンプ電極
とポリイミド樹脂などの絶縁フィルムに形成したCuリ
ードの一端とを電気的に接続し、このCuリードの他端
を実装基板上に半田付けする実装方式である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の実装技術には次のような問題点がある。
た従来の実装技術には次のような問題点がある。
【0006】(1).TSOP、TSOJなどの表面実装型
パッケージは、パッケージの外部に突出したアウターリ
ードを介して半導体チップと実装基板との電気的接続を
取るため、このアウターリードの長さ分だけパッケージ
の実効的な占有面積が大きくなり、その分、実装密度が
低下する。
パッケージは、パッケージの外部に突出したアウターリ
ードを介して半導体チップと実装基板との電気的接続を
取るため、このアウターリードの長さ分だけパッケージ
の実効的な占有面積が大きくなり、その分、実装密度が
低下する。
【0007】また、表面実装形パッケージは、パッケー
ジからのリード抜けを防止するために、パッケージ内の
リード長をある程度確保しなければならないので、その
分、パッケージの面積が大きくなり、これによっても実
装密度が低下する。
ジからのリード抜けを防止するために、パッケージ内の
リード長をある程度確保しなければならないので、その
分、パッケージの面積が大きくなり、これによっても実
装密度が低下する。
【0008】さらに、表面実装形パッケージは、半導体
チップ、リード間をワイヤで接続するワイヤボンディン
グ方式を採用しているため、パッケージの薄形化、小形
化、多ピン化には限界がある。また、パッケージの薄形
化に伴って、リフロー半田付け時のクラックなど、基板
実装時の熱に起因する信頼性の低下も深刻な問題となっ
ている。
チップ、リード間をワイヤで接続するワイヤボンディン
グ方式を採用しているため、パッケージの薄形化、小形
化、多ピン化には限界がある。また、パッケージの薄形
化に伴って、リフロー半田付け時のクラックなど、基板
実装時の熱に起因する信頼性の低下も深刻な問題となっ
ている。
【0009】(2).テープキャリヤパッケージは、半導体
チップを封止したパッケージの外側に絶縁フィルムが存
在し、さらにこの絶縁フィルムの外側にアウターリード
が突出しているため、絶縁フィルムの面積とアウターリ
ードの長さ分だけパッケージの実効的な占有面積が大き
くなり、その分、実装密度が低下する。
チップを封止したパッケージの外側に絶縁フィルムが存
在し、さらにこの絶縁フィルムの外側にアウターリード
が突出しているため、絶縁フィルムの面積とアウターリ
ードの長さ分だけパッケージの実効的な占有面積が大き
くなり、その分、実装密度が低下する。
【0010】そこで、本発明の目的は、半導体チップを
実装基板に高密度実装することのできる技術を提供する
ことにある。
実装基板に高密度実装することのできる技術を提供する
ことにある。
【0011】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】(1).請求項1記載の半導
体集積回路装置は、配線を形成した実装基板の一部に開
孔を設けてその内側に前記配線の一端を突出させ、前記
開孔内に配置した半導体チップのボンディングパッド上
に前記配線の一端を接続した実装構造を備えている。
体集積回路装置は、配線を形成した実装基板の一部に開
孔を設けてその内側に前記配線の一端を突出させ、前記
開孔内に配置した半導体チップのボンディングパッド上
に前記配線の一端を接続した実装構造を備えている。
【0013】(2).請求項2記載の半導体集積回路装置
は、請求項1記載の実装基板に形成した配線の他端を実
装基板の外側に突出させ、さらに実装基板の裏面側に折
り曲げた構造を備えている。
は、請求項1記載の実装基板に形成した配線の他端を実
装基板の外側に突出させ、さらに実装基板の裏面側に折
り曲げた構造を備えている。
【0014】
【作用】上記した手段(1) によれば、実装基板上の配線
に半導体チップを直接接続することにより、表面実装型
パッケージやテープキャリヤパッケージに比べて、半導
体チップの実装密度を向上させることが可能となる。
に半導体チップを直接接続することにより、表面実装型
パッケージやテープキャリヤパッケージに比べて、半導
体チップの実装密度を向上させることが可能となる。
【0015】上記した手段(2) によれば、複数個の実装
基板を積層し、下段の実装基板上の配線と上段の実装基
板の裏面側に折り曲げた配線とを電気的に接続すること
により、多段実装構造を実現することが可能となる。
基板を積層し、下段の実装基板上の配線と上段の実装基
板の裏面側に折り曲げた配線とを電気的に接続すること
により、多段実装構造を実現することが可能となる。
【0016】
【実施例1】図1は、本発明の一実施例である半導体集
積回路装置の平面図、図2は、図1のII−II線における
断面図である。
積回路装置の平面図、図2は、図1のII−II線における
断面図である。
【0017】図1および図2に示すように、ガラス繊維
含浸エポキシ樹脂(ガラエポ)などからなる実装基板1
の一面には、例えばこの実装基板1に接着したCu箔を
エッチングしてパターン形成した多数の配線2が設けら
れている。
含浸エポキシ樹脂(ガラエポ)などからなる実装基板1
の一面には、例えばこの実装基板1に接着したCu箔を
エッチングしてパターン形成した多数の配線2が設けら
れている。
【0018】上記実装基板1の略中央には、矩形の開孔
3が設けられており、上記配線2のそれぞれの一端は、
この開孔3の内側に突出するように配列されている。そ
して、この配線2の一端は、開孔3内に配置した半導体
チップ4の図示しないボンディングパッド上に延在さ
れ、図示しないバンプ電極を介してボンディングパッド
と電気的に接続されている。配線2と半導体チップ4と
の電気的接続は、テープキャリヤパッケージの製法に準
じて、一括ボンディング(ギャングボンディング)によ
り行われる。
3が設けられており、上記配線2のそれぞれの一端は、
この開孔3の内側に突出するように配列されている。そ
して、この配線2の一端は、開孔3内に配置した半導体
チップ4の図示しないボンディングパッド上に延在さ
れ、図示しないバンプ電極を介してボンディングパッド
と電気的に接続されている。配線2と半導体チップ4と
の電気的接続は、テープキャリヤパッケージの製法に準
じて、一括ボンディング(ギャングボンディング)によ
り行われる。
【0019】図2に示すように、上記開孔3内に配置さ
れた半導体チップ4は、例えばエポキシ樹脂系の封止樹
脂5によって気密封止されている。封止樹脂5による半
導体チップ4の気密封止は、テープキャリヤパッケージ
の製法に準じて、ポッティングまたはモールドにより行
われる。
れた半導体チップ4は、例えばエポキシ樹脂系の封止樹
脂5によって気密封止されている。封止樹脂5による半
導体チップ4の気密封止は、テープキャリヤパッケージ
の製法に準じて、ポッティングまたはモールドにより行
われる。
【0020】上記した半導体チップ4の実装構造によれ
ば、実装基板1上に形成した配線2に半導体チップ4を
直接接続することが可能となるので、表面実装型パッケ
ージやテープキャリヤパッケージに比べて、半導体チッ
プ4を実装基板1に高密度に実装することができる。
ば、実装基板1上に形成した配線2に半導体チップ4を
直接接続することが可能となるので、表面実装型パッケ
ージやテープキャリヤパッケージに比べて、半導体チッ
プ4を実装基板1に高密度に実装することができる。
【0021】なお、上記の実装基板1に多数の開孔3を
設けることにより、多数の半導体チップ4の実装が可能
になることはいうまでもない。
設けることにより、多数の半導体チップ4の実装が可能
になることはいうまでもない。
【0022】
【実施例2】図3(a) に示すように、本実施例の実装基
板1上に形成された配線2は、その他端側が実装基板1
の外側に突出され、さらにその先端が実装基板1の裏面
側に折り曲げられている。
板1上に形成された配線2は、その他端側が実装基板1
の外側に突出され、さらにその先端が実装基板1の裏面
側に折り曲げられている。
【0023】このような構造とすることにより、図3
(b) に示すように、複数個の実装基板1を積層し、下段
の実装基板1上の配線2と上段の実装基板1の裏面側に
折り曲げた配線2とを半田などによって電気的に接続す
ることにより、多段実装構造を容易に実現することがで
きる。
(b) に示すように、複数個の実装基板1を積層し、下段
の実装基板1上の配線2と上段の実装基板1の裏面側に
折り曲げた配線2とを半田などによって電気的に接続す
ることにより、多段実装構造を容易に実現することがで
きる。
【0024】この時、図4に示すように、実装基板1上
の配線2の一部にパッド6を設けておくことにより、こ
の実装基板1の上段に他の実装基板1を積層する際、上
段の実装基板1の裏面側の配線2との位置合わせを確実
に行うことが可能となる。
の配線2の一部にパッド6を設けておくことにより、こ
の実装基板1の上段に他の実装基板1を積層する際、上
段の実装基板1の裏面側の配線2との位置合わせを確実
に行うことが可能となる。
【0025】また、複数個の実装基板1を積層する際、
それぞれの実装基板1に異なる品種の半導体チップ4を
実装し、かつそれぞれの実装基板1上の配線2の一部の
パターンを半導体チップ4の品種に応じて変更すること
により、マルチチップモジュールを実現することができ
る。
それぞれの実装基板1に異なる品種の半導体チップ4を
実装し、かつそれぞれの実装基板1上の配線2の一部の
パターンを半導体チップ4の品種に応じて変更すること
により、マルチチップモジュールを実現することができ
る。
【0026】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0027】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【0028】(1).請求項1記載の発明によれば、実装基
板上の配線に半導体チップを直接接続することにより、
半導体チップの高密度実装を実現することができる。
板上の配線に半導体チップを直接接続することにより、
半導体チップの高密度実装を実現することができる。
【0029】(2).請求項2記載の発明によれば、複数個
の実装基板を積層した多段実装構造を実現することが可
能となる。
の実装基板を積層した多段実装構造を実現することが可
能となる。
【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
平面図である。
平面図である。
【図2】図1のII−II線における断面図である。
【図3】(a) は、本発明の他の実施例である半導体集積
回路装置の断面図であり、(b)は、その積層構造を示す
断面図である。
回路装置の断面図であり、(b)は、その積層構造を示す
断面図である。
【図4】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の平面図である。
の平面図である。
1 実装基板 2 配線 3 開孔 4 半導体チップ 5 封止樹脂 6 パッド
Claims (3)
- 【請求項1】 実装基板上に形成した配線の一端を前記
実装基板の一部に設けた開孔の内側に突出させ、前記開
孔内に配置した半導体チップのボンディングパッド上に
前記配線の一端を接続したことを特徴とする半導体集積
回路装置。 - 【請求項2】 前記実装基板の外側に突出させた配線の
他端を前記実装基板の裏面側に折り曲げたことを特徴と
する請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の実装基板を複数個用意し
てそれぞれの実装基板に異種の半導体チップを実装し、
これらの実装基板を積層してマルチチップモジュールを
構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5047743A JPH06260530A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5047743A JPH06260530A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06260530A true JPH06260530A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12783838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5047743A Pending JPH06260530A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06260530A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250896A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-09-27 | Nec Corp | 実装装置 |
US7049687B2 (en) * | 2001-05-16 | 2006-05-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Tape carrier package having stacked semiconductor elements, and short and long leads |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP5047743A patent/JPH06260530A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250896A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-09-27 | Nec Corp | 実装装置 |
US7049687B2 (en) * | 2001-05-16 | 2006-05-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Tape carrier package having stacked semiconductor elements, and short and long leads |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100621991B1 (ko) | 칩 스케일 적층 패키지 | |
US6563217B2 (en) | Module assembly for stacked BGA packages | |
US6080264A (en) | Combination of semiconductor interconnect | |
US6781240B2 (en) | Semiconductor package with semiconductor chips stacked therein and method of making the package | |
US7998792B2 (en) | Semiconductor device assemblies, electronic devices including the same and assembly methods | |
US6414381B1 (en) | Interposer for separating stacked semiconductor chips mounted on a multi-layer printed circuit board | |
KR100260997B1 (ko) | 반도체패키지 | |
US7986032B2 (en) | Semiconductor package system with substrate having different bondable heights at lead finger tips | |
US6445077B1 (en) | Semiconductor chip package | |
JP2002110898A (ja) | 半導体装置 | |
US6791166B1 (en) | Stackable lead frame package using exposed internal lead traces | |
JP2001156251A (ja) | 半導体装置 | |
US5559305A (en) | Semiconductor package having adjacently arranged semiconductor chips | |
JPH0563138A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH06260530A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP3850712B2 (ja) | 積層型半導体装置 | |
KR100650049B1 (ko) | 멀티 칩 패키지를 이용하는 적층 패키지 | |
KR100708050B1 (ko) | 반도체패키지 | |
JP2001085604A (ja) | 半導体装置 | |
KR20030012192A (ko) | 다이 적층형 윈도우 칩 스케일 패키지 | |
KR100788340B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR950003906B1 (ko) | 탭 패키지 | |
KR20050003762A (ko) | 적층 패키지 및 그 제조 방법 | |
KR20030045949A (ko) | 적층패키지 및 그의 제조방법 | |
JP2001085599A (ja) | 半導体装置 |