JPH0613759B2 - メッキ装置およびクリーニング装置 - Google Patents
メッキ装置およびクリーニング装置Info
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- JPH0613759B2 JPH0613759B2 JP15629489A JP15629489A JPH0613759B2 JP H0613759 B2 JPH0613759 B2 JP H0613759B2 JP 15629489 A JP15629489 A JP 15629489A JP 15629489 A JP15629489 A JP 15629489A JP H0613759 B2 JPH0613759 B2 JP H0613759B2
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- plating
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明はストリップのメッキおよびクリーニング装置に
関するものである。
関するものである。
「従来の技術」 メッキ鋼板の増産、生産性向上には不溶性アノードによ
る高電流密度メッキの実施が不可欠である。このために
は次の設備技術上の問題を解決する必要がある。
る高電流密度メッキの実施が不可欠である。このために
は次の設備技術上の問題を解決する必要がある。
(1)ストリップとアノードの極間の短縮 (2)ストリップとアノードの極間内のメッキ液の撹拌 (3)ストリップとアノードの極間へのイオンの供給 従来の極間は３０〜４０mmであったが上記(1)のように
極間を短縮するとアノードタッチという重大事故を起す
危険がある。又上記(2)の撹拌のためアノードの内面に
邪魔板を設ける装置（特開昭５５−１４８７９８号、特
開昭６２−２１１３９９号）が考案されているが邪魔板
とメッキ面との接触によるメッキ面損傷が生じるおそれ
がある。さらに上記(3)のイオンの供給装置にはメッキ
液をストリップの走向と向流方向に供給するもの（特開
昭４０−５６０９２号、特開昭６２−２１１３９９号）
が考えられたが、この方法では大量のメッキ液の吹き込
み量が必要で、そのための装置が膨大になり、かつこの
方法では低速（５０m/min）では有効であるが、速度が
１００〜５００m/minと速くなると効果が少なくなるこ
とが明らかである。又圧延工程を経たストリップの表面
の圧延油などの汚物をアルカリ液中で電気分解によって
洗浄するクリーニング装置も上記メッキ装置と同様の上
記条件(1)(2)(3)を解決する必要がある。
極間を短縮するとアノードタッチという重大事故を起す
危険がある。又上記(2)の撹拌のためアノードの内面に
邪魔板を設ける装置（特開昭５５−１４８７９８号、特
開昭６２−２１１３９９号）が考案されているが邪魔板
とメッキ面との接触によるメッキ面損傷が生じるおそれ
がある。さらに上記(3)のイオンの供給装置にはメッキ
液をストリップの走向と向流方向に供給するもの（特開
昭４０−５６０９２号、特開昭６２−２１１３９９号）
が考えられたが、この方法では大量のメッキ液の吹き込
み量が必要で、そのための装置が膨大になり、かつこの
方法では低速（５０m/min）では有効であるが、速度が
１００〜５００m/minと速くなると効果が少なくなるこ
とが明らかである。又圧延工程を経たストリップの表面
の圧延油などの汚物をアルカリ液中で電気分解によって
洗浄するクリーニング装置も上記メッキ装置と同様の上
記条件(1)(2)(3)を解決する必要がある。
「発明が解決しようとする課題」 本発明は上記(1)(2)(3)の課題を解決し、安全迅速にス
トリップの高電流密度メッキ又はクリーニングを実施す
る装置を得ることを目的とする。
トリップの高電流密度メッキ又はクリーニングを実施す
る装置を得ることを目的とする。
「課題を解決するための手段」 上記の目的を達成するため本発明は 液槽内にアノードを対向配置し、該アノード間にストリ
ップを走行させるストリップ処理装置において、上記ア
ノードの内面に対向位置に絶縁体を突設し、該絶縁体に
ストリップの走行方向に向ってアノード側からストリッ
プ側に向って傾斜するテーパ面を形成してなるメッキ装
置、 対向位置に代えて千鳥位置である上記発明記載のメッキ
装置、 絶縁体の間隔部アノードの内外面に連通する透孔を穿設
し、該アノードの内外に処理液を流通させる上記第１又
は第２発明記載のメッキ装置、 ストリップの走行方向が上下方向である上記第１、第２
又は第３発明にそれぞれ記載のメッキ装置、 液槽の液面より高い位置にあるアノード上部に上記絶縁
体を対向位置に設けた上記第４発明記載のメッキ装置、 ストリップの走行方向が横向である上記第１、第２又は
第３発明記載のメッキ装置、 絶縁体の間隔部に処理液強制供給装置を接続した上記第
１、第２、第３、第４、第５又は第６発明にそれぞれ記
載したメッキ装置、 アノードに代えてカソードを対向配置し、かつメッキ装
置に代えて上記第１、第２、第３、第４、第５、第６又
は第７発明にそれぞれ記載のクリーニング装置によって
達成される。
ップを走行させるストリップ処理装置において、上記ア
ノードの内面に対向位置に絶縁体を突設し、該絶縁体に
ストリップの走行方向に向ってアノード側からストリッ
プ側に向って傾斜するテーパ面を形成してなるメッキ装
置、 対向位置に代えて千鳥位置である上記発明記載のメッキ
装置、 絶縁体の間隔部アノードの内外面に連通する透孔を穿設
し、該アノードの内外に処理液を流通させる上記第１又
は第２発明記載のメッキ装置、 ストリップの走行方向が上下方向である上記第１、第２
又は第３発明にそれぞれ記載のメッキ装置、 液槽の液面より高い位置にあるアノード上部に上記絶縁
体を対向位置に設けた上記第４発明記載のメッキ装置、 ストリップの走行方向が横向である上記第１、第２又は
第３発明記載のメッキ装置、 絶縁体の間隔部に処理液強制供給装置を接続した上記第
１、第２、第３、第４、第５又は第６発明にそれぞれ記
載したメッキ装置、 アノードに代えてカソードを対向配置し、かつメッキ装
置に代えて上記第１、第２、第３、第４、第５、第６又
は第７発明にそれぞれ記載のクリーニング装置によって
達成される。
「作用」 従ってアノード２，２間のストリップ３と絶縁体４のテ
ーパ面５との間にはストリップ３の走行に伴ってメッキ
液９が引込まれ（連行され）、それによってストリップ
３とテーパ面５との間に液膜が形成される。該液膜には
テーパ面５の作用で揚力を発生するからストリップ３と
絶縁体４とは接触しない。そのためストリップ３とアノ
ード２とが接触することは勿論ないし、形状の良くない
ストリップ３即ち走行方向と直角方向の反り、両耳部の
蛇行襞などを有するストリップ３であっても上記揚力を
受けて上記絶縁体４に接触することはない。
ーパ面５との間にはストリップ３の走行に伴ってメッキ
液９が引込まれ（連行され）、それによってストリップ
３とテーパ面５との間に液膜が形成される。該液膜には
テーパ面５の作用で揚力を発生するからストリップ３と
絶縁体４とは接触しない。そのためストリップ３とアノ
ード２とが接触することは勿論ないし、形状の良くない
ストリップ３即ち走行方向と直角方向の反り、両耳部の
蛇行襞などを有するストリップ３であっても上記揚力を
受けて上記絶縁体４に接触することはない。
対向位置に代えて千鳥位置に絶縁体４を突設した場合は
第５図に示すように上記揚力によってストリップ３は絶
縁体４を避けて蛇行し、絶縁体４に接触することはな
い。
第５図に示すように上記揚力によってストリップ３は絶
縁体４を避けて蛇行し、絶縁体４に接触することはな
い。
即ち上記絶縁体４を設けることによってアノード２とス
トリップ３との極間を小さくしてもストリップ３とアノ
ード２との接触は防止される。
トリップ３との極間を小さくしてもストリップ３とアノ
ード２との接触は防止される。
又絶縁体４はアノード２の内面に突出しているためスト
リップ３に連行されるメッキ液９は第２図、第３図に示
すように該絶縁体４に当って逆流ｂし、テーパ面５内に
引込まれる直前にアノード２とストリップ３との間にお
いて回動し連行流ｃと逆流ｂとの間に剪断力（第３図）
を生じて撹拌される。
リップ３に連行されるメッキ液９は第２図、第３図に示
すように該絶縁体４に当って逆流ｂし、テーパ面５内に
引込まれる直前にアノード２とストリップ３との間にお
いて回動し連行流ｃと逆流ｂとの間に剪断力（第３図）
を生じて撹拌される。
上記絶縁体４は千鳥位置（第５図）に突設することによ
ってアノード２，２の極間をさらに小となすことができ
る。
ってアノード２，２の極間をさらに小となすことができ
る。
メッキ液９は透孔６，６からアノード２の内外側に流通
しアノード２の外側のメッキ液９をアノード２とストリ
ップ３間に取込むことができアノード２内に外側のイオ
ンを撹拌供給することができる。
しアノード２の外側のメッキ液９をアノード２とストリ
ップ３間に取込むことができアノード２内に外側のイオ
ンを撹拌供給することができる。
第６図に示すように液面７の上位にあるアノード２，２
の対向絶縁体４，４のテーパ面５，５間にストリップ３
によって連行上昇するメッキ液９は対向絶縁体４，４に
よって上昇を阻止される。
の対向絶縁体４，４のテーパ面５，５間にストリップ３
によって連行上昇するメッキ液９は対向絶縁体４，４に
よって上昇を阻止される。
強制供給装置８によって絶縁体４の間隔部にメッキ液９
を外部から供給しイオン濃度を増すことができる。
を外部から供給しイオン濃度を増すことができる。
上記の作用はストリップ表面の汚物をアルカリもしくは
酸液で電気分解するクリーニング装置においても同様で
ある。この場合は、ストリップ３をアノード側に、前述
のアノード２をカソードとする電極切換えを行う。
酸液で電気分解するクリーニング装置においても同様で
ある。この場合は、ストリップ３をアノード側に、前述
のアノード２をカソードとする電極切換えを行う。
「実施例」 メッキ液９の液槽１内に板状アノード２，２を上下方向
に対向して配置し、該アノード２，２の上部を液面７の
上位に保持し、かつこの対向板状アノード２，２を２組
宛各液槽１内に保持する（第６図）。一方の対向板状ア
ノード２，２間にはストリップ３を下向に走行させ、誘
導ローラ１０を迂回させて他方の上記アノード２，２間
を上向に走行させる。この状態において、上記アノード
２，２に陽極を接続し、ストリップ３に向って電流を流
すとメッキ液９内の金属イオンがストリップ３に析出し
てメッキ処理を行うことができる。上記板状アノード
２，２の対向面（内面）には第１図、第２図、第４図に
示すように互に対向位置に複数のセラミックス製絶縁体
４，４を突設し、又は第５図に示すように千鳥位置に突
設する。この絶縁体４の走行方向の長さは第４図に示す
ように可及的に短くすることによってアノード２の電極
面積を広く保持することができる。このようにした絶縁
体４にはストリップ３に対面する部分にテーパ面５を形
成し、該テーパ面５は走行方向に向ってアノード２側か
らストリップ３側に向って傾斜させる。この絶縁体４，
４の走行方向間隔部にあるアノード２には内面（対向
面）と外側面とを連通する透孔６，６を突設するもので
あって第２図に示すようにストリップ３に連行されるメ
ッキ液９は絶縁体４に当って透孔６から外側面に排出さ
れ（矢印ｄ）、他方の透孔６から内面側に流入するよう
になっている。板状アノード２，２は上下方向のみなら
ず横向（水平方向）に配置されたものであっても差支え
ない。又第２図に示すように透孔６′に配管１１を接続
し、ポンプ１２によって貯槽内のメッキ液９を外部から
強制的に供給する強制供給装置８を設け、それによって
新しいメッキ液９を極間に供給しイオン濃度を向上させ
ることができる。本発明は、ストリップ３の走行速度が
高速（および３００〜１０００m/min）になる程効果的
であるが、アノード２，２の極間を約５mm程度とし、走
行速度を３０〜３００m/minの低速までに設計すること
ができる。ストリップ３の速度が低速の場合には、アノ
ード２と絶縁体４とを貫通する別の透孔を適当な配置と
なるよう設け、この透孔から液９を強制的に吹出すこと
により、この時の動圧あるいは静圧でストリップ３に及
ぼす揚力を助勢することもできる。又ストリップの両エ
ッジは揚力の発生が減少するため、ごく低速では絶縁体
に接触することもありうる。しかし電気的には短絡しな
いし又ストリップのエッジにスリ疵が発生しても後工程
で切り落すため製品には影響しない。
に対向して配置し、該アノード２，２の上部を液面７の
上位に保持し、かつこの対向板状アノード２，２を２組
宛各液槽１内に保持する（第６図）。一方の対向板状ア
ノード２，２間にはストリップ３を下向に走行させ、誘
導ローラ１０を迂回させて他方の上記アノード２，２間
を上向に走行させる。この状態において、上記アノード
２，２に陽極を接続し、ストリップ３に向って電流を流
すとメッキ液９内の金属イオンがストリップ３に析出し
てメッキ処理を行うことができる。上記板状アノード
２，２の対向面（内面）には第１図、第２図、第４図に
示すように互に対向位置に複数のセラミックス製絶縁体
４，４を突設し、又は第５図に示すように千鳥位置に突
設する。この絶縁体４の走行方向の長さは第４図に示す
ように可及的に短くすることによってアノード２の電極
面積を広く保持することができる。このようにした絶縁
体４にはストリップ３に対面する部分にテーパ面５を形
成し、該テーパ面５は走行方向に向ってアノード２側か
らストリップ３側に向って傾斜させる。この絶縁体４，
４の走行方向間隔部にあるアノード２には内面（対向
面）と外側面とを連通する透孔６，６を突設するもので
あって第２図に示すようにストリップ３に連行されるメ
ッキ液９は絶縁体４に当って透孔６から外側面に排出さ
れ（矢印ｄ）、他方の透孔６から内面側に流入するよう
になっている。板状アノード２，２は上下方向のみなら
ず横向（水平方向）に配置されたものであっても差支え
ない。又第２図に示すように透孔６′に配管１１を接続
し、ポンプ１２によって貯槽内のメッキ液９を外部から
強制的に供給する強制供給装置８を設け、それによって
新しいメッキ液９を極間に供給しイオン濃度を向上させ
ることができる。本発明は、ストリップ３の走行速度が
高速（および３００〜１０００m/min）になる程効果的
であるが、アノード２，２の極間を約５mm程度とし、走
行速度を３０〜３００m/minの低速までに設計すること
ができる。ストリップ３の速度が低速の場合には、アノ
ード２と絶縁体４とを貫通する別の透孔を適当な配置と
なるよう設け、この透孔から液９を強制的に吹出すこと
により、この時の動圧あるいは静圧でストリップ３に及
ぼす揚力を助勢することもできる。又ストリップの両エ
ッジは揚力の発生が減少するため、ごく低速では絶縁体
に接触することもありうる。しかし電気的には短絡しな
いし又ストリップのエッジにスリ疵が発生しても後工程
で切り落すため製品には影響しない。
上記はメッキ装置について述べたが、ストリップ３の表
面附着汚物のアルカリ処理液中における電気分解による
クリーニング装置にも適用することができる。尚図中１
２で示すものはストリップ３の上部誘導ローラ、第３図
及び第９図中１３は速度分布曲線である。
面附着汚物のアルカリ処理液中における電気分解による
クリーニング装置にも適用することができる。尚図中１
２で示すものはストリップ３の上部誘導ローラ、第３図
及び第９図中１３は速度分布曲線である。
「発明の効果」 本発明は上述のように構成したので対向配置されるアノ
ード又はカソード２，２の極間を著しく短縮し得るばか
りでなくストリップ３とアノード又はカソード２，２と
の接触のおそれがなく安全に高電流密度メッキ又はクリ
ーニングを実施し得るし、ストリップ３の走行速度を著
しく向上し得る。
ード又はカソード２，２の極間を著しく短縮し得るばか
りでなくストリップ３とアノード又はカソード２，２と
の接触のおそれがなく安全に高電流密度メッキ又はクリ
ーニングを実施し得るし、ストリップ３の走行速度を著
しく向上し得る。
さらに極間内の液撹拌及び極間へのイオン供給を充分行
い得てメッキ又はクリーニング処理能率を著しく向上す
ることができる。
い得てメッキ又はクリーニング処理能率を著しく向上す
ることができる。
又液面７の上位にある対向絶縁体４，４がストリップ３
に連行される処理液を阻止するため上部のストリップ誘
導ローラ１２，１２の水準を液面７に向って低下せしめ
得て設備を小形化し得る効果がある。
に連行される処理液を阻止するため上部のストリップ誘
導ローラ１２，１２の水準を液面７に向って低下せしめ
得て設備を小形化し得る効果がある。
第１図は本発明のメッキ装置を示す斜視図、第２図は対
向アノードの拡大縦断正面図、第３図はメッキ液の流速
曲線図、第４図はアノードの他の実施例の正面図、第５
図はアノードの千鳥配置状態の正面図、第６図は往復走
行ストリップの正面図、第７図は従来のメッキ装置の斜
視図、第８図は第７図示のアノード、ストリップの正面
図、第９図は第８図のアノード間処理液の速度分布曲線
である。 １……液槽、２……アノード又はカソード、３……スト
リップ、４……絶縁体、ａ……走行方向、５……テーパ
面、６……透孔、７……液面、８……処理液強制供給装
置。
向アノードの拡大縦断正面図、第３図はメッキ液の流速
曲線図、第４図はアノードの他の実施例の正面図、第５
図はアノードの千鳥配置状態の正面図、第６図は往復走
行ストリップの正面図、第７図は従来のメッキ装置の斜
視図、第８図は第７図示のアノード、ストリップの正面
図、第９図は第８図のアノード間処理液の速度分布曲線
である。 １……液槽、２……アノード又はカソード、３……スト
リップ、４……絶縁体、ａ……走行方向、５……テーパ
面、６……透孔、７……液面、８……処理液強制供給装
置。
Claims (8)
- 【請求項１】液槽内にアノードを対向配置し、該アノー
ド間にストリップを走行させるストリップ処理装置にお
いて、上記アノードの内面に対向位置に絶縁体を突設
し、該絶縁体にストリップの走行方向に向ってアノード
側からストリップ側に向って傾斜するテーパ面を形成し
てなるメッキ装置。 - 【請求項２】対向位置に代えて千鳥位置である請求項
(1)記載のメッキ装置。 - 【請求項３】絶縁体の間隔部アノードの内外面に連通す
る透孔を穿設し、該アノードの内外に処理液を流通させ
る請求項(1)又は(2)記載のメッキ装置。 - 【請求項４】ストリップの走行方向が上下方向である請
求項(1)(2)又は(3)にそれぞれ記載のメッキ装置。 - 【請求項５】液槽の液面より高い位置にあるアノード上
部に上記絶縁体を対向位置に設けた請求項(4)記載のメ
ッキ装置。 - 【請求項６】ストリップの走行方向が横向である請求項
(1)(2)又は(3)にそれぞれ記載のメッキ装置。 - 【請求項７】絶縁体の間隔部に処理液強制供給装置を接
続した請求項(1)(2)(3)(4)(5)又は(6)にそれぞれ記載の
メッキ装置。 - 【請求項８】アノードに代えてカソードを対向配置し、
かつメッキ装置に代えて請求項(1)(2)(3)(4)(5)(6)又は
(7)にそれぞれ記載のクリーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15629489A JPH0613759B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | メッキ装置およびクリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15629489A JPH0613759B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | メッキ装置およびクリーニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320494A JPH0320494A (ja) | 1991-01-29 |
| JPH0613759B2 true JPH0613759B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=15624671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15629489A Expired - Fee Related JPH0613759B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | メッキ装置およびクリーニング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613759B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014108447B4 (de) * | 2014-06-16 | 2023-05-04 | Plasotec Gmbh | Anlage zum selektiven Plasmapolieren und/oder Reinigen der elektrisch leitenden Oberfläche von Bauteilen |
| CN113481561B (zh) * | 2021-08-02 | 2023-08-11 | 浙江米皇新材股份有限公司 | 一种铝型材氧化设备 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15629489A patent/JPH0613759B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320494A (ja) | 1991-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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