JPH06100983A - 高ヤング率・高降伏強度を有するｔａｂテープ用金属箔およびその製造方法 - Google Patents
高ヤング率・高降伏強度を有するｔａｂテープ用金属箔およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06100983A JPH06100983A JP4252895A JP25289592A JPH06100983A JP H06100983 A JPH06100983 A JP H06100983A JP 4252895 A JP4252895 A JP 4252895A JP 25289592 A JP25289592 A JP 25289592A JP H06100983 A JPH06100983 A JP H06100983A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- metal foil
- temperature range
- plating
- rolling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＴＡＢ用リード箔として耐リード変形特性お
よび耐熱強度特性に優れた金属箔およびその製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】 Ｃｕ：２０〜９５重量％、Ａｌ：０．３〜１
１重量％、Ｍｎ：０．０５〜３．０重量％、Ｔｉ：０．
００５〜３．５重量％、Ｃｒ：０．５〜１０重量％、Ｍ
ｏ：０．００１〜１．５重量％を含有し、残部が不可避
的不純物およびＦｅよりなる合金を溶解鋳造後７００〜
１０００℃の温度範囲で１．０〜８mm板厚の金属板に熱
間圧延し、該金属板を圧下率５０〜９５％で一次冷間圧
延を行い、次いで８００〜１０００℃の温度範囲で焼鈍
した後、圧下率１〜７０％で二次冷間圧延しさらに７０
０〜１０００℃の温度範囲で溶体化処理後急冷を行い、
続いて３５０〜６５０℃の温度範囲で時効処理を行うこ
とにより、結晶粒度のアスペクト比が２０以下、板厚が
８０μｍ以下である金属箔を製造する。
よび耐熱強度特性に優れた金属箔およびその製造方法を
提供することを目的とする。 【構成】 Ｃｕ：２０〜９５重量％、Ａｌ：０．３〜１
１重量％、Ｍｎ：０．０５〜３．０重量％、Ｔｉ：０．
００５〜３．５重量％、Ｃｒ：０．５〜１０重量％、Ｍ
ｏ：０．００１〜１．５重量％を含有し、残部が不可避
的不純物およびＦｅよりなる合金を溶解鋳造後７００〜
１０００℃の温度範囲で１．０〜８mm板厚の金属板に熱
間圧延し、該金属板を圧下率５０〜９５％で一次冷間圧
延を行い、次いで８００〜１０００℃の温度範囲で焼鈍
した後、圧下率１〜７０％で二次冷間圧延しさらに７０
０〜１０００℃の温度範囲で溶体化処理後急冷を行い、
続いて３５０〜６５０℃の温度範囲で時効処理を行うこ
とにより、結晶粒度のアスペクト比が２０以下、板厚が
８０μｍ以下である金属箔を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路素子の
外部回路への接続用導電箔材料で、ＴＡＢ法などで用い
るテープ状金属箔に関する。
外部回路への接続用導電箔材料で、ＴＡＢ法などで用い
るテープ状金属箔に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体集積回路素子上には外部回路
接続用Ａｌ製電極パッドが設けられ、該電極パッドがリ
ードフレーム・セラミックス基板などの外部回路とＡｕ
線などのワイヤーで接続されているのが一般的であっ
た。しかしながら、今日の高集積化されたＩＣにおいて
は、上記パッドの数を大幅に増加させる必要があるため
従来技術の延長では製造性や加工技術上ならびにワイヤ
ー接続上の抜本的技術革新が必要になり、リードテープ
を用いる同時ボンディング法のＴＡＢ法などが一部で実
用化され、今後ますます増加することが見込まれてい
る。
接続用Ａｌ製電極パッドが設けられ、該電極パッドがリ
ードフレーム・セラミックス基板などの外部回路とＡｕ
線などのワイヤーで接続されているのが一般的であっ
た。しかしながら、今日の高集積化されたＩＣにおいて
は、上記パッドの数を大幅に増加させる必要があるため
従来技術の延長では製造性や加工技術上ならびにワイヤ
ー接続上の抜本的技術革新が必要になり、リードテープ
を用いる同時ボンディング法のＴＡＢ法などが一部で実
用化され、今後ますます増加することが見込まれてい
る。
【０００３】一般には、リード部を予め開口された絶縁
樹脂材（多くはポリイミドフィルム）に電解Ｃｕ箔また
は圧延Ｃｕ箔を接着した後、フォトレジストエッチング
によりリード回路を形成させる。これをＴＡＢに構成し
た２例の断面図を図１（Ａ，Ｂ）に示す。また実装時に
おいてはＳｉチップとＡｕなどのバンプ材と接続用リー
ドの先端が熱圧着されるものであり、前もってＡｕ，Ｓ
ｎ−Ｐｂメッキなどが施され、２５０〜３５０℃に加熱
してからバンプ部と接続結合される。
樹脂材（多くはポリイミドフィルム）に電解Ｃｕ箔また
は圧延Ｃｕ箔を接着した後、フォトレジストエッチング
によりリード回路を形成させる。これをＴＡＢに構成し
た２例の断面図を図１（Ａ，Ｂ）に示す。また実装時に
おいてはＳｉチップとＡｕなどのバンプ材と接続用リー
ドの先端が熱圧着されるものであり、前もってＡｕ，Ｓ
ｎ−Ｐｂメッキなどが施され、２５０〜３５０℃に加熱
してからバンプ部と接続結合される。
【０００４】小型高集積化された半導体集積回路では接
続リードの幅狭化が重要で有り、これらの実現のために
はエッチング処理上リードテープが５０μｍ以下の箔状
であることが必要であり、さらにこのリードテープは製
造時の変形を抑え、高温強度が高くかつ折り曲げ実装型
においてはフレキシビリティも要求される。また圧延方
向と圧延直角方向での特性の差（異方性）が小さいこと
が重要である。既存の圧延Ｃｕ箔は耐変形特性、耐熱強
度ならびに異方性が電解箔より劣っているため、これら
の特性を改善した特開昭６２−１８９７３８号公報に開
示された技術などがあるが、５０μｍ以下の厚みで用い
るＴＡＢ法などの製造上での変形や耐熱変形特性を抑制
するためには、強度のみの向上では本特性への効果が小
さくリードの耐変形特性が不十分であった。
続リードの幅狭化が重要で有り、これらの実現のために
はエッチング処理上リードテープが５０μｍ以下の箔状
であることが必要であり、さらにこのリードテープは製
造時の変形を抑え、高温強度が高くかつ折り曲げ実装型
においてはフレキシビリティも要求される。また圧延方
向と圧延直角方向での特性の差（異方性）が小さいこと
が重要である。既存の圧延Ｃｕ箔は耐変形特性、耐熱強
度ならびに異方性が電解箔より劣っているため、これら
の特性を改善した特開昭６２−１８９７３８号公報に開
示された技術などがあるが、５０μｍ以下の厚みで用い
るＴＡＢ法などの製造上での変形や耐熱変形特性を抑制
するためには、強度のみの向上では本特性への効果が小
さくリードの耐変形特性が不十分であった。
【０００５】本発明者はこれについて種々の実験を行っ
た結果、Ｃｕ中にＦｅを２０〜９５重量％の範囲で添加
することで大幅なヤング率の向上（図２）と降伏強度の
向上により変形を抑制できる（導電性の低下も実用上問
題ない範囲に抑えた状態において）ことが明らかになっ
た。このことはリードの耐変形特性には最大強度のみな
らず耐変形特性に効果的に働くヤング率を向上させるこ
との重要さを意味する。またＣｕ基合金でヤング率を向
上させる手段としてＮｉ添加を行うことにより同様の効
果が得られる（日本伸銅協会「銅および銅合金の基礎と
工業技術」昭和６３年、Ｐ．４７６）ことは知られてい
るが、この場合Ｃｕ中のＮｉは全率固のため、導電性の
低下が大きく（日本伸銅協会「銅および銅合金の基礎と
工業技術」昭和６３年、Ｐ．４２１）ＴＡＢ用箔には適
さない。
た結果、Ｃｕ中にＦｅを２０〜９５重量％の範囲で添加
することで大幅なヤング率の向上（図２）と降伏強度の
向上により変形を抑制できる（導電性の低下も実用上問
題ない範囲に抑えた状態において）ことが明らかになっ
た。このことはリードの耐変形特性には最大強度のみな
らず耐変形特性に効果的に働くヤング率を向上させるこ
との重要さを意味する。またＣｕ基合金でヤング率を向
上させる手段としてＮｉ添加を行うことにより同様の効
果が得られる（日本伸銅協会「銅および銅合金の基礎と
工業技術」昭和６３年、Ｐ．４７６）ことは知られてい
るが、この場合Ｃｕ中のＮｉは全率固のため、導電性の
低下が大きく（日本伸銅協会「銅および銅合金の基礎と
工業技術」昭和６３年、Ｐ．４２１）ＴＡＢ用箔には適
さない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのＴＡＢ用
リード箔として耐リード変形特性および耐熱強度特性に
優れた高ヤング率・高降伏強度を有する金属箔およびこ
の金属箔を低コストで実現できる製造方法を提供するこ
とを目的とする。
リード箔として耐リード変形特性および耐熱強度特性に
優れた高ヤング率・高降伏強度を有する金属箔およびこ
の金属箔を低コストで実現できる製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは、Ｃｕ：２０〜９５重量％、Ａｌ：０．３〜１１重
量％、Ｍｎ：０．０５〜３．０重量％、Ｔｉ：０．００
５〜３．５重量％、Ｍｏ：０．００１〜１．５重量％を
含有し、残部が不可避的不純物およびＦｅよりなる合金
において結晶粒度のアスペクト比が２０以下、板厚８０
μｍ以下であることを特徴とする金属箔にある。
ろは、Ｃｕ：２０〜９５重量％、Ａｌ：０．３〜１１重
量％、Ｍｎ：０．０５〜３．０重量％、Ｔｉ：０．００
５〜３．５重量％、Ｍｏ：０．００１〜１．５重量％を
含有し、残部が不可避的不純物およびＦｅよりなる合金
において結晶粒度のアスペクト比が２０以下、板厚８０
μｍ以下であることを特徴とする金属箔にある。
【０００８】本発明の金属箔は上記の組成を持つインゴ
ット又はスラブを７００〜１０００℃の温度で１．０〜
８mmの板厚の金属板に熱間圧延し、５０〜９５％の一次
冷間圧延を行ったあと引き続き焼鈍を施し、次いで圧下
率１〜１５％の二次冷間圧延を行い、さらに溶体化処理
後急冷を行い続いて時効処理を施すことによって得られ
るもので、アスペクト比が２０以下で特性異方性の小さ
い、かつ高ヤング率と高降伏強度を有する金属箔を得る
ことができる。さらにコイルの状態またテープ状に加工
後Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕなどのメッキまたはそれら合
金メッキおよびＳｎ−ＰｂメッキまたはＳｎメッキを単
層または複層で０．００１〜０．０２μｍ施すことを特
徴とする。
ット又はスラブを７００〜１０００℃の温度で１．０〜
８mmの板厚の金属板に熱間圧延し、５０〜９５％の一次
冷間圧延を行ったあと引き続き焼鈍を施し、次いで圧下
率１〜１５％の二次冷間圧延を行い、さらに溶体化処理
後急冷を行い続いて時効処理を施すことによって得られ
るもので、アスペクト比が２０以下で特性異方性の小さ
い、かつ高ヤング率と高降伏強度を有する金属箔を得る
ことができる。さらにコイルの状態またテープ状に加工
後Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕなどのメッキまたはそれら合
金メッキおよびＳｎ−ＰｂメッキまたはＳｎメッキを単
層または複層で０．００１〜０．０２μｍ施すことを特
徴とする。
【０００９】本発明においては上記金属薄板を得るため
に、化学組成・鋳造条件・一次、二次冷間圧延・焼鈍・
時効処理の各条件の組合せおよびＮｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
ｇまたはそれらの合金メッキおよびＳｎ−Ｐｂ，Ｓｎの
メッキ条件などを規定した。
に、化学組成・鋳造条件・一次、二次冷間圧延・焼鈍・
時効処理の各条件の組合せおよびＮｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａ
ｇまたはそれらの合金メッキおよびＳｎ−Ｐｂ，Ｓｎの
メッキ条件などを規定した。
【００１０】
【作用】以下本発明の構成要件の限定理由を説明する。
まず、合金の化学組成の限定理由は以下の通りである。
本発明のＦｅ−Ｃｕ箔合金組成で高ヤング率と高降伏強
度を得るためにはＣｕ中に多量のＦｅ，ＺｒおよびＣｒ
などを強制固溶させる必要があり、図２に示すようにＦ
ｅ含有量が５％以上で１５０００kg・ｆ／mm2 以上の高
ヤング率が得られるが、５％未満では前記効果が小さく
８０％以上では十分な導電性が得られない。なお、本発
明では０．２％耐力を降伏強度とした。
まず、合金の化学組成の限定理由は以下の通りである。
本発明のＦｅ−Ｃｕ箔合金組成で高ヤング率と高降伏強
度を得るためにはＣｕ中に多量のＦｅ，ＺｒおよびＣｒ
などを強制固溶させる必要があり、図２に示すようにＦ
ｅ含有量が５％以上で１５０００kg・ｆ／mm2 以上の高
ヤング率が得られるが、５％未満では前記効果が小さく
８０％以上では十分な導電性が得られない。なお、本発
明では０．２％耐力を降伏強度とした。
【００１１】つぎにＡｌを０．３〜１１．０重量％に規
定するのは０．３％未満では熱間加工性への向上効果が
少なく、１１．０重量％超では熱間加工性向上効果が飽
和する上にコストが大きくなるからである。さらにＭｎ
はＡｌとの複合効果で熱間加工性を向上させ、０．０５
重量％未満では効果が少なく、３重量％超では効果が飽
和するため、０．０５〜３．０重量％の範囲に規定す
る。またＴｉを０．００５〜３．５重量％に規定するの
は０．００５％未満では導電性向上への効果が少なく、
３．５重量％超では導電性向上への効果が飽和する上に
造塊、冷間加工性などの製造性を阻害するからである。
またＭｏを０．００１〜１．５重量％に規定するのは最
終製品としての耐食性をＳｎ−Ｐｂ・Ａｇメッキ性を劣
化させずにＣｒとの複合効果で向上させるためであり、
Ｍｏの含有量が０．００１重量％未満では隙間腐食性へ
の効果が少なく、１．５重量％超では隙間腐食性への効
果が飽和する上にコストが大きくなる。さらにＣｒをＦ
ｅ相中で５．５〜１３．５重量％に規定するのは、素材
の耐食性を前記Ｍｏとの複合効果で向上させるためであ
り、５．５重量％未満ではその効果が不十分であり、ま
た１３．５重量％を超えても耐食性への効果が飽和する
上にＳｎ−Ｐｂ，Ａｇメッキ性などを劣化させるのでこ
の範囲に限定する。
定するのは０．３％未満では熱間加工性への向上効果が
少なく、１１．０重量％超では熱間加工性向上効果が飽
和する上にコストが大きくなるからである。さらにＭｎ
はＡｌとの複合効果で熱間加工性を向上させ、０．０５
重量％未満では効果が少なく、３重量％超では効果が飽
和するため、０．０５〜３．０重量％の範囲に規定す
る。またＴｉを０．００５〜３．５重量％に規定するの
は０．００５％未満では導電性向上への効果が少なく、
３．５重量％超では導電性向上への効果が飽和する上に
造塊、冷間加工性などの製造性を阻害するからである。
またＭｏを０．００１〜１．５重量％に規定するのは最
終製品としての耐食性をＳｎ−Ｐｂ・Ａｇメッキ性を劣
化させずにＣｒとの複合効果で向上させるためであり、
Ｍｏの含有量が０．００１重量％未満では隙間腐食性へ
の効果が少なく、１．５重量％超では隙間腐食性への効
果が飽和する上にコストが大きくなる。さらにＣｒをＦ
ｅ相中で５．５〜１３．５重量％に規定するのは、素材
の耐食性を前記Ｍｏとの複合効果で向上させるためであ
り、５．５重量％未満ではその効果が不十分であり、ま
た１３．５重量％を超えても耐食性への効果が飽和する
上にＳｎ−Ｐｂ，Ａｇメッキ性などを劣化させるのでこ
の範囲に限定する。
【００１２】さらにＺｒ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎ
ｂ，Ｚｒ，Ｐ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｙ，Ｖ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｍｇ
またはＨｆ，の１種または２種以上を０．００５〜８重
量％、ＣまたはＢの１種または２種を０．００５〜２重
量％の範囲で添加することは特にインゴットやスラブの
組織制御やヤング率，降伏強度および耐熱強度向上、加
工性、各種メッキ性などを改善する場合に必要であるか
らであり、これらの元素を必要に応じて添加する。特に
Ｆｅ中のＣｒ含有量が６重量％、Ｍｏ含有量が０．０１
重量％を超える成分では、均一組織の制御のためにＳ
ｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｙ，Ｈｆ，Ｃ，Ｂなどを
０．００５重量％以上上記範囲内で添加することは、本
発明の特徴を成す組織、すなわちＣｒおよびＭｏを含む
Ｆｅ相とＣｕ相が均一に微細分散して加工・熱処理後板
厚方向で１０μｍ以下の厚さの組織を得る上で重要であ
る。（それ以外は原料および溶製時に不可避的に混入さ
れる不純物元素とする。）
ｂ，Ｚｒ，Ｐ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｙ，Ｖ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｍｇ
またはＨｆ，の１種または２種以上を０．００５〜８重
量％、ＣまたはＢの１種または２種を０．００５〜２重
量％の範囲で添加することは特にインゴットやスラブの
組織制御やヤング率，降伏強度および耐熱強度向上、加
工性、各種メッキ性などを改善する場合に必要であるか
らであり、これらの元素を必要に応じて添加する。特に
Ｆｅ中のＣｒ含有量が６重量％、Ｍｏ含有量が０．０１
重量％を超える成分では、均一組織の制御のためにＳ
ｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｙ，Ｈｆ，Ｃ，Ｂなどを
０．００５重量％以上上記範囲内で添加することは、本
発明の特徴を成す組織、すなわちＣｒおよびＭｏを含む
Ｆｅ相とＣｕ相が均一に微細分散して加工・熱処理後板
厚方向で１０μｍ以下の厚さの組織を得る上で重要であ
る。（それ以外は原料および溶製時に不可避的に混入さ
れる不純物元素とする。）
【００１３】溶解、造塊後所望の板厚に熱間圧延後し、
引続いて一次冷間圧延を行う。これは最終製品として必
要な板厚を得ると共に、圧下率５０〜９５％の一次冷間
圧延を実施することにより、その後の焼鈍処理による加
工性付与を行う。そしてその時の焼鈍は徐加熱・徐冷却
型（ＢＡＦ型）および急速加熱型（連続焼鈍型）のいず
れにおいても一次冷間圧延後蓄積した加工歪みにより回
復再結晶を生じさせるに必要な温度、すなわち８００〜
１０００℃の温度範囲で０．２〜１８０分間保持するこ
とで行う。その後二次冷間圧延を圧下率１〜７０％で行
った後に溶体化処理と急冷を行いその後時効処理を行
う。溶体化処理は添加成分を過飽和状態に固溶するため
に７００〜１０００℃の温度範囲で０．２〜１８０分間
保持することにより行われるが、後工程として０．５〜
５０００℃／分の冷却速度で急冷することにより時効処
理をより効果的に行うことができる。急冷には冷却媒体
として水や不活性ガスが用いられる。以上の処理工程に
よりアスペクト比２０以下の組織（図３にアスペクト比
と降伏強度の圧延方向に平行方向と直角方向の特性につ
いて示した）が得られる。なお、板厚１〜１．５mmの範
囲の金属板に圧下率５０〜９５％の一次冷間圧延を行
い、次いで焼鈍を施し、二次冷間圧延を圧下率１〜１５
％の範囲で行うと特性異方性（ここでは降伏強度と導電
性および加工性の圧延方向に平行方向と直角方向の特性
の差を主に言う）がより小さく、強度、導電性が一層良
好な金属箔を得ることができる。また、上記の焼鈍処理
に上記の急冷工程を付加することにより溶体化処理を焼
鈍処理に兼ねさせてもよい。
引続いて一次冷間圧延を行う。これは最終製品として必
要な板厚を得ると共に、圧下率５０〜９５％の一次冷間
圧延を実施することにより、その後の焼鈍処理による加
工性付与を行う。そしてその時の焼鈍は徐加熱・徐冷却
型（ＢＡＦ型）および急速加熱型（連続焼鈍型）のいず
れにおいても一次冷間圧延後蓄積した加工歪みにより回
復再結晶を生じさせるに必要な温度、すなわち８００〜
１０００℃の温度範囲で０．２〜１８０分間保持するこ
とで行う。その後二次冷間圧延を圧下率１〜７０％で行
った後に溶体化処理と急冷を行いその後時効処理を行
う。溶体化処理は添加成分を過飽和状態に固溶するため
に７００〜１０００℃の温度範囲で０．２〜１８０分間
保持することにより行われるが、後工程として０．５〜
５０００℃／分の冷却速度で急冷することにより時効処
理をより効果的に行うことができる。急冷には冷却媒体
として水や不活性ガスが用いられる。以上の処理工程に
よりアスペクト比２０以下の組織（図３にアスペクト比
と降伏強度の圧延方向に平行方向と直角方向の特性につ
いて示した）が得られる。なお、板厚１〜１．５mmの範
囲の金属板に圧下率５０〜９５％の一次冷間圧延を行
い、次いで焼鈍を施し、二次冷間圧延を圧下率１〜１５
％の範囲で行うと特性異方性（ここでは降伏強度と導電
性および加工性の圧延方向に平行方向と直角方向の特性
の差を主に言う）がより小さく、強度、導電性が一層良
好な金属箔を得ることができる。また、上記の焼鈍処理
に上記の急冷工程を付加することにより溶体化処理を焼
鈍処理に兼ねさせてもよい。
【００１４】なお時効処理はヤング率と降伏強度と導電
性を向上させるために、製造工程上必須のものであり、
化学組成と前工程条件により適正な温度を選定すべきで
ある。その条件としては、加熱温度が低過ぎると析出物
の周りに歪みが生じるため導電性や伸びの低下が生じ、
また目的の導電性を得るために設備制約や製造効率に影
響してコスト増になる。また加熱温度が高過ぎると析出
量が少なくなり充分な降伏強度と耐熱強度が得られなく
なる。このため、３５０〜６５０℃で３０〜５００分の
時効処理が適正条件である。
性を向上させるために、製造工程上必須のものであり、
化学組成と前工程条件により適正な温度を選定すべきで
ある。その条件としては、加熱温度が低過ぎると析出物
の周りに歪みが生じるため導電性や伸びの低下が生じ、
また目的の導電性を得るために設備制約や製造効率に影
響してコスト増になる。また加熱温度が高過ぎると析出
量が少なくなり充分な降伏強度と耐熱強度が得られなく
なる。このため、３５０〜６５０℃で３０〜５００分の
時効処理が適正条件である。
【００１５】本発明のリードテープ箔にＡｕ，Ｃｕ，Ｎ
ｉなどの薄メッキを行い、ＴＡＢなど製品化時の品質安
定性・信頼性の確保を行ってもよい。上記金属箔は、コ
イル状またはスリット状に加工後Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕなどのメッキまたはそれら合金メッキ、またはＳｎ−
Ｐｂ，Ｓｎなどのメッキを施した後または、予めＴＡＢ
品として加工された後に、前記メッキ処理を施す場合で
もメッキは以下の条件で行う。
ｉなどの薄メッキを行い、ＴＡＢなど製品化時の品質安
定性・信頼性の確保を行ってもよい。上記金属箔は、コ
イル状またはスリット状に加工後Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕなどのメッキまたはそれら合金メッキ、またはＳｎ−
Ｐｂ，Ｓｎなどのメッキを施した後または、予めＴＡＢ
品として加工された後に、前記メッキ処理を施す場合で
もメッキは以下の条件で行う。
【００１６】メッキはかかる素板にアルカリ系脱脂剤を
用いて電解また浸漬脱脂を行い、さらに酸洗により表面
を活性化した後に所望の金属浴または合金浴を用いて電
気または浸漬メッキを行う。メッキ層の厚みは通常０．
００１〜０．０２μｍ程度の範囲であるが、密着性、厚
み均一性、ならびに経済性から見て０．００１〜０．０
１μｍの範囲が良好である。０．００１μｍ未満ではピ
ンホールの存在により信頼性が劣化する。また０．０１
μｍを超えると密着性および厚みの均一性が劣化する。
用いて電解また浸漬脱脂を行い、さらに酸洗により表面
を活性化した後に所望の金属浴または合金浴を用いて電
気または浸漬メッキを行う。メッキ層の厚みは通常０．
００１〜０．０２μｍ程度の範囲であるが、密着性、厚
み均一性、ならびに経済性から見て０．００１〜０．０
１μｍの範囲が良好である。０．００１μｍ未満ではピ
ンホールの存在により信頼性が劣化する。また０．０１
μｍを超えると密着性および厚みの均一性が劣化する。
【００１７】
実施例１ 表１，２に本発明の成分範囲の合金Ａ〜ＣとＰ〜ＦＦお
よび比較の成分範囲のＤ〜Ｏの化学組成を示す。
よび比較の成分範囲のＤ〜Ｏの化学組成を示す。
【表１】
【表２】
【００１８】表３，４に得られた合金の材質特性を示
す。高周波誘導加熱装置で溶解真空雰囲気中で表１，２
のＡ〜ＦＦに示される化学組成を有する合金を溶解鋳造
した後、９５０℃で熱間圧延を行い、１．０mm板厚の金
属板を得た後に表面研削で板厚０．８mmに加工後、圧下
率９０％で一次冷間圧延を行った。
す。高周波誘導加熱装置で溶解真空雰囲気中で表１，２
のＡ〜ＦＦに示される化学組成を有する合金を溶解鋳造
した後、９５０℃で熱間圧延を行い、１．０mm板厚の金
属板を得た後に表面研削で板厚０．８mmに加工後、圧下
率９０％で一次冷間圧延を行った。
【００１９】焼鈍は１０００℃で１分間行い、引続き、
二次冷間圧延を圧下率２％で行った後９００℃で３０分
間の溶体化処理を行い、冷却速度３０００℃／分で水冷
後５５０℃で６時間の時効処理を施した。引張特性はＪ
ＩＳ１３Ｂ引張試験片（引張り速度：１０mm／min)によ
り０．２％耐力と最大強度を求め、さらに室温と３５０
℃で５分加熱後の特性を測定した。耐変形特性はスティ
フネス（ＡＳＴＭ−Ｆ１１３−７７に準じて１０ｗ×５
０Ｌ×ｔのサンプルに１５０ｇ・cmの曲げモーメントを
付与）評価法によるたわみ量から求めた。ヤング率は共
振法（サンプルサイズ：１０ｗ×１００Ｌ×ｔ）により
測定して求めた。導電率は４端子法、耐食性はＪＩＳ−
Ｚ２３７１に準じて塩水噴霧試験を９６時間行い、試料
全面での赤錆発生面積率により判定を行った。
二次冷間圧延を圧下率２％で行った後９００℃で３０分
間の溶体化処理を行い、冷却速度３０００℃／分で水冷
後５５０℃で６時間の時効処理を施した。引張特性はＪ
ＩＳ１３Ｂ引張試験片（引張り速度：１０mm／min)によ
り０．２％耐力と最大強度を求め、さらに室温と３５０
℃で５分加熱後の特性を測定した。耐変形特性はスティ
フネス（ＡＳＴＭ−Ｆ１１３−７７に準じて１０ｗ×５
０Ｌ×ｔのサンプルに１５０ｇ・cmの曲げモーメントを
付与）評価法によるたわみ量から求めた。ヤング率は共
振法（サンプルサイズ：１０ｗ×１００Ｌ×ｔ）により
測定して求めた。導電率は４端子法、耐食性はＪＩＳ−
Ｚ２３７１に準じて塩水噴霧試験を９６時間行い、試料
全面での赤錆発生面積率により判定を行った。
【００２０】メッキ性でのＳｎ−Ｐｂについては濡れ面
積率で９５％以上を合格とした。またＡｇメッキ性はＣ
ｕストライクメッキを約０．０１μｍメッキ後、Ａｇを
約０．０１μｍメッキした後大気中４３０℃で３分加熱
後メッキ表面での膨れの発生により判定した。表中には
圧延Ｃｕ箔、電解Ｃｕ箔の特性も比較に加えた。なお、
供試材Ｆ，Ｈは熱間加工割れにより特性評価ができなか
った。
積率で９５％以上を合格とした。またＡｇメッキ性はＣ
ｕストライクメッキを約０．０１μｍメッキ後、Ａｇを
約０．０１μｍメッキした後大気中４３０℃で３分加熱
後メッキ表面での膨れの発生により判定した。表中には
圧延Ｃｕ箔、電解Ｃｕ箔の特性も比較に加えた。なお、
供試材Ｆ，Ｈは熱間加工割れにより特性評価ができなか
った。
【００２１】試料番号４はＣｕ添加量が２０重量％以下
の場合であり、導電率が低い。また試料番号５はＣｕ添
加量が９５重量％以上の場合でヤング率に有効に働くＦ
ｅの添加量が少ないためにヤング率と降伏強度が低く、
試料番号６，７，８はＡｌ，Ｍｎ添加量が多いため導電
性が低い。試料番号９はＴｉ含有量が３．５％以上で冷
間加工性が劣る。試料番号１０はＭｏが低いため隙間腐
食性が不良であり、試料番号１１はコストが高い。また
試料番号１２はＣｒが低いため耐食性が低く、試料番号
１３は半田濡れ性、Ａｇメッキ耐熱性が劣る。
の場合であり、導電率が低い。また試料番号５はＣｕ添
加量が９５重量％以上の場合でヤング率に有効に働くＦ
ｅの添加量が少ないためにヤング率と降伏強度が低く、
試料番号６，７，８はＡｌ，Ｍｎ添加量が多いため導電
性が低い。試料番号９はＴｉ含有量が３．５％以上で冷
間加工性が劣る。試料番号１０はＭｏが低いため隙間腐
食性が不良であり、試料番号１１はコストが高い。また
試料番号１２はＣｒが低いため耐食性が低く、試料番号
１３は半田濡れ性、Ａｇメッキ耐熱性が劣る。
【００２２】本発明は以上の比較例に比べその特性が優
れていることは明らかである。
れていることは明らかである。
【００２３】
【表３】
【表４】
【００２４】実施例２ 表５では表１および２に示す供試材Ｃ，Ｐを次の工程で
加工した後得られた材料の評価を示した。すなわち、熱
間圧延により得た１mm板厚の金属板に表面研削を行った
後圧下率３５〜９６％の範囲で一次冷間圧延を行って板
厚０．０５５mmの薄板とし、この薄板に焼鈍を１０００
℃で６０秒間施し、窒素ガスで１００℃／分の冷却速度
で冷却した後圧延率１〜７５％で二次冷間圧延を行っ
た。このようにしてアスペクト比を１．３〜２３．５ま
で変化させたのち５５０℃で６時間の時効処理を行い、
圧延方向と平行（Ｌ）、圧延方向と直角（Ｃ）における
ヤング率、降伏強度および導電率および加工性（密着曲
げにより判定）の評価を得てこの結果を上記表に示した
ものである。アスペクト比の評価は光学顕微鏡により圧
延方向断面での板厚１／４層での１００倍の組織観察に
よる１０視野での圧延方向と板厚方向での組織長さ比の
平均値を用いた。特性評価は実施例１と同様にヤング率
と降伏強度および導電率について測定を行った。以下の
結果より本法によるアスペクト比２０以下にすること
で、特性異方性の小さく優れたヤング率と降伏強度なら
びに導電性を有する材料が得られることは明らかであ
る。なお、試料Ｎｏ．３１及び３７は一次冷間圧延率が
本発明の条件を充足していないので再結晶せず加工性が
劣化している。
加工した後得られた材料の評価を示した。すなわち、熱
間圧延により得た１mm板厚の金属板に表面研削を行った
後圧下率３５〜９６％の範囲で一次冷間圧延を行って板
厚０．０５５mmの薄板とし、この薄板に焼鈍を１０００
℃で６０秒間施し、窒素ガスで１００℃／分の冷却速度
で冷却した後圧延率１〜７５％で二次冷間圧延を行っ
た。このようにしてアスペクト比を１．３〜２３．５ま
で変化させたのち５５０℃で６時間の時効処理を行い、
圧延方向と平行（Ｌ）、圧延方向と直角（Ｃ）における
ヤング率、降伏強度および導電率および加工性（密着曲
げにより判定）の評価を得てこの結果を上記表に示した
ものである。アスペクト比の評価は光学顕微鏡により圧
延方向断面での板厚１／４層での１００倍の組織観察に
よる１０視野での圧延方向と板厚方向での組織長さ比の
平均値を用いた。特性評価は実施例１と同様にヤング率
と降伏強度および導電率について測定を行った。以下の
結果より本法によるアスペクト比２０以下にすること
で、特性異方性の小さく優れたヤング率と降伏強度なら
びに導電性を有する材料が得られることは明らかであ
る。なお、試料Ｎｏ．３１及び３７は一次冷間圧延率が
本発明の条件を充足していないので再結晶せず加工性が
劣化している。
【００２５】
【表５】
【００２６】
【発明の効果】本発明は、ＴＡＢ用リード箔として耐リ
ード変形特性、耐熱性に優れ、また高ヤング率、高降伏
強度ならびに導電性に優れた金属箔を提供することがで
きるので、その工業的効果は顕著である。
ード変形特性、耐熱性に優れ、また高ヤング率、高降伏
強度ならびに導電性に優れた金属箔を提供することがで
きるので、その工業的効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な二層ＴＡＢテープ２種類の断面図であ
る。
る。
【図２】Ｆｅ相中のＣｕ含有量（％）とヤング率及び導
電性との関係を示す図である。
電性との関係を示す図である。
【図３】アスペクト比と降伏強度の異方性の関係を示す
図である。
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/60 ３１１ Ｗ 6918−4Ｍ (72)発明者 遠藤 道雄 神奈川県川崎市中原区井田1618番地 新日 本製鐵株式会社先端技術研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｃｕ：２０〜９５重量％、Ａｌ：０．３
〜１１重量％、Ｍｎ：０．０５〜３．０重量％、Ｔｉ：
０．００５〜３．５重量％、Ｃｒ：０．５〜１０重量
％、Ｍｏ：０．００１〜１．５重量％を含有し、残部が
不可避的不純物およびＦｅよりなる合金において、結晶
粒度のアスペクト比（結晶粒の圧延方向と圧延直角方向
の長さの比）が２０以下、板厚が８０μｍ以下であるこ
とを特徴とする高ヤング率・高降伏強度を有するＴＡＢ
テープ用金属箔。 - 【請求項２】 Ｆｅ含有量に対するＣｒ含有量の重量比
が５．５〜１３．５％である請求項１記載の金属箔。 - 【請求項３】 合金成分として、さらにＺｒ，Ｓｉ，Ｎ
ｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｐ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｙ，Ｖ，Ｃ
ａ，Ｂｅ，ＭｇまたはＨｆの１種または２種以上を合計
で０．００５〜８重量％、ＣまたはＢの１種または２種
を合計で０．００５〜２重量％含有する請求項１または
２記載の金属箔。 - 【請求項４】 金属箔の表面に、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａ
ｕまたはそれら金属系合金メッキ、Ｓｎ−Ｐｂメッキま
たはＳｎメッキが単層または複層で０．００１〜０．０
２μｍ施された請求項１，２または３記載の金属箔。 - 【請求項５】 有効量の請求項１，２または３に記載の
合金を溶解、造塊後７００〜１０００℃の温度範囲で熱
間圧延し、該金属板を圧下率５０〜９５％で一次冷間圧
延を行い、次いで８００〜１０００℃の温度範囲で焼鈍
した後、圧下率１〜７０％で二次冷間圧延し、さらに７
００〜１０００℃の温度範囲で溶体化処理後急冷し、続
いて３５０〜６５０℃の温度範囲で時効処理を行うこと
を特徴とする特性異方性の小さい、耐リード変形特性と
耐熱強度に優れた高ヤング率・高降伏強度を有するＴＡ
Ｂテープ用金属箔の製造方法。 - 【請求項６】 有効量の請求項１，２または３に記載の
合金を溶解、造塊後、７００〜１０００℃の温度範囲で
熱間圧延し、該熱延板を圧下率５０〜９０％で一次冷却
圧延を行い、次いで８００〜１０００℃の温度範囲で焼
鈍した後急冷し、しかる後圧下率１〜７０％で二次冷間
圧延を行い、続いて３５０〜６５０℃の温度範囲で時効
処理を行うことを特徴とする特性異方性の小さい、耐リ
ード変形特性と耐熱強度に優れた高ヤング率、高降伏強
度を有するＴＡＢテープ用金属箔の製造方法。 - 【請求項７】 二次冷間圧延を圧下率１〜１５％で行う
請求項５または６記載の製造方法。 - 【請求項８】 時効処理後の金属箔に、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ａｕまたはそれらの合金メッキ、Ｓｎ−Ｐｂメッキ
またはＳｎメッキを単相または複相で０．００１〜０．
０２μｍ施す請求項５，６または７に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252895A JPH06100983A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 高ヤング率・高降伏強度を有するｔａｂテープ用金属箔およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252895A JPH06100983A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 高ヤング率・高降伏強度を有するｔａｂテープ用金属箔およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06100983A true JPH06100983A (ja) | 1994-04-12 |
Family
ID=17243666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4252895A Withdrawn JPH06100983A (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 高ヤング率・高降伏強度を有するｔａｂテープ用金属箔およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100983A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0681035A2 (en) * | 1994-04-25 | 1995-11-08 | Olin Corporation | Process for improving the bend formability of copper alloys |
| WO2002008479A1 (fr) * | 2000-07-25 | 2002-01-31 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Materiau en alliage de cuivre destine a des pieces de materiel electronique ou electrique |
| WO2003019655A1 (en) * | 2001-08-23 | 2003-03-06 | Dowa Mining Co., Ltd. | Radiation plate and power semiconductor module, ic package |
| US6893514B2 (en) | 2000-12-15 | 2005-05-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | High-mechanical strength copper alloy |
| US7090732B2 (en) | 2000-12-15 | 2006-08-15 | The Furukawa Electric, Co., Ltd. | High-mechanical strength copper alloy |
| US7727344B2 (en) | 2000-04-28 | 2010-06-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy suitable for an IC lead pin for a pin grid array provided on a plastic substrate |
| WO2012073777A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法及び電子機器用銅合金圧延材 |
| CN103415635A (zh) * | 2011-03-31 | 2013-11-27 | 新日铁住金化学株式会社 | 铜箔、覆铜层叠板、挠性电路基板及覆铜层叠板的制造方法 |
| WO2016013572A1 (ja) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | 新日鐵住金株式会社 | 蓄電デバイス容器用鋼箔、蓄電デバイス用容器及び蓄電デバイス、並びに蓄電デバイス容器用鋼箔の製造方法 |
| CN107254599A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-10-17 | 北京交通大学 | 具有低磁高导电率特性的铁铜合金材料及其制备方法 |
| CN118756078A (zh) * | 2024-09-05 | 2024-10-11 | 东北大学 | 一种具有多尺度析出相的引线框架用铜合金的制备方法 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP4252895A patent/JPH06100983A/ja not_active Withdrawn
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5565045A (en) * | 1992-11-04 | 1996-10-15 | Olin Corporation | Copper base alloys having improved bend formability |
| US5601665A (en) * | 1992-11-04 | 1997-02-11 | Olin Corporation | Process for improving the bend formability of copper alloys |
| EP0681035A2 (en) * | 1994-04-25 | 1995-11-08 | Olin Corporation | Process for improving the bend formability of copper alloys |
| EP0681035A3 (en) * | 1994-04-25 | 1996-03-06 | Olin Corp | Process to improve the bendability of copper alloys. |
| KR100360131B1 (ko) * | 1994-04-25 | 2003-01-14 | 올린 코포레이션 | 구리합금의굽힘성형성향상방법및이로부터제조되는구리합금 |
| US7727344B2 (en) | 2000-04-28 | 2010-06-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy suitable for an IC lead pin for a pin grid array provided on a plastic substrate |
| WO2002008479A1 (fr) * | 2000-07-25 | 2002-01-31 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Materiau en alliage de cuivre destine a des pieces de materiel electronique ou electrique |
| US7172662B2 (en) | 2000-07-25 | 2007-02-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy material for parts of electronic and electric machinery and tools |
| US7090732B2 (en) | 2000-12-15 | 2006-08-15 | The Furukawa Electric, Co., Ltd. | High-mechanical strength copper alloy |
| US6893514B2 (en) | 2000-12-15 | 2005-05-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | High-mechanical strength copper alloy |
| US7180176B2 (en) | 2001-08-23 | 2007-02-20 | Dowa Mining Co., Ltd. | Radiation plate and power semiconductor module IC package |
| WO2003019655A1 (en) * | 2001-08-23 | 2003-03-06 | Dowa Mining Co., Ltd. | Radiation plate and power semiconductor module, ic package |
| WO2012073777A1 (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法及び電子機器用銅合金圧延材 |
| CN103415635A (zh) * | 2011-03-31 | 2013-11-27 | 新日铁住金化学株式会社 | 铜箔、覆铜层叠板、挠性电路基板及覆铜层叠板的制造方法 |
| WO2016013572A1 (ja) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | 新日鐵住金株式会社 | 蓄電デバイス容器用鋼箔、蓄電デバイス用容器及び蓄電デバイス、並びに蓄電デバイス容器用鋼箔の製造方法 |
| JP5909606B1 (ja) * | 2014-07-22 | 2016-04-26 | 新日鐵住金株式会社 | 蓄電デバイス容器用鋼箔、蓄電デバイス用容器及び蓄電デバイス、並びに蓄電デバイス容器用鋼箔の製造方法 |
| US10418601B2 (en) | 2014-07-22 | 2019-09-17 | Nippon Steel Corporation | Steel foil for power storage device container, power storage device container, power storage device, and manufacturing method of steel foil for power storage device container |
| CN107254599A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-10-17 | 北京交通大学 | 具有低磁高导电率特性的铁铜合金材料及其制备方法 |
| CN118756078A (zh) * | 2024-09-05 | 2024-10-11 | 东北大学 | 一种具有多尺度析出相的引线框架用铜合金的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09104956A (ja) | 高強度高導電性銅基合金の製造法 | |
| JP4393663B2 (ja) | 端子用銅基合金条およびその製造方法 | |
| JP7038823B2 (ja) | 曲げ加工性に優れたＣｕ－Ｃｏ－Ｓｉ－Ｆｅ－Ｐ系銅合金及びその製造方法 | |
| JPH06100983A (ja) | 高ヤング率・高降伏強度を有するｔａｂテープ用金属箔およびその製造方法 | |
| JP2002266042A (ja) | 曲げ加工性が優れた銅合金板 | |
| JP4567906B2 (ja) | 電子・電気部品用銅合金板または条およびその製造方法 | |
| JP3511648B2 (ja) | 高強度Ｃｕ合金薄板条の製造方法 | |
| JPS6386838A (ja) | 半導体リ−ド用銅合金 | |
| JP4396874B2 (ja) | 端子用銅基合金条の製造方法 | |
| JP3049137B2 (ja) | 曲げ加工性が優れた高力銅合金及びその製造方法 | |
| JP3374037B2 (ja) | 半導体リードフレーム用銅合金 | |
| JPS6389640A (ja) | 電子電気機器導電部品材料 | |
| JP3459520B2 (ja) | リードフレーム用銅合金 | |
| JPH034613B2 (ja) | ||
| JPH0425339B2 (ja) | ||
| JPS63105943A (ja) | 半導体機器用銅合金とその製造法 | |
| JPH10287939A (ja) | 打抜加工性に優れた電気電子機器用銅合金 | |
| JPH06100984A (ja) | バネ限界値と形状凍結性に優れたバネ用材料及びその製造方法 | |
| JPH034612B2 (ja) | ||
| JPH0681058A (ja) | 高ヤング率・高降伏強度を有するｔａｂテープ用金属箔およびその製造方法 | |
| JP2597773B2 (ja) | 異方性が少ない高強度銅合金の製造方法 | |
| JPH05214489A (ja) | バネ限界値と形状凍結性に優れたバネ用薄板およびその製造方法 | |
| JP3014673B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0424420B2 (ja) | ||
| JP2599526B2 (ja) | 特性異方性の小さいバネ限界値と強度に優れた銅−鉄系金属薄板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |