JPH0588177A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶表示素子において、基板の汚染、基板上に
形成された各素子等の静電破壊、液晶画像の欠陥等を低
減させ、且つ液晶分子に対する配向均一性を達成するこ
とを目的とする。 【構成】基板１１、２１とこれらを被覆した配向膜１
３、２３とを有する一対の基板部１、２が、配向膜１
３、２３側を対向表面として一定距離を隔て配置されて
いる。両基板部間には液晶３が封入されている。基板部
１、２の夫々において、基板１１、２１の表面および／
または配向膜１３、２３の対向表面には化学的処理によ
って各凹凸の断面形状が非対称である周期的または非周
期的な凹凸パターンが形成されている。各基板部の液晶
と接する対向表面は、前記基板１１、２１の表面および
／または配向膜１３、２３の対向表面の凹凸パターンに
沿った各凹凸の断面形状が非対称である周期的または非
周期的な凹凸パターンを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、液晶表示素子は、一定距離を
隔て対向して配置された一対の基板と、これら夫々の基
板の互いに対向する表面を被覆する配向膜と、前記基板
間にこれら配向膜を介して封入された液晶とにより構成
されている。このような液晶表示素子では、画素部にお
いて前記基板上に透明電極が積層され、更に該透明電極
上に配向膜が形成されており、透明電極によって液晶に
対して電圧の印加がなされる。特に、近年では、アクテ
ィブマトリックス型の表示方式に使用される液晶表示素
子として、前記画素部における一方の基板上に薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ，ThinFilm Transistor ）等の駆動素
子が実装された液晶表示素子が開発され実用化されてい
る。

【０００３】上述したような液晶表示素子の構成部材の
うち、前記配向膜はその液晶と接する表面において液晶
分子を一定方向に配向させる目的で、絶縁性の膜表面に
各種の配向処理がなされたものである。これら配向処理
として、従来よりラビング法と呼ばれる処理が広く行わ
れている。

【０００４】このラビング法とは、基板上に形成された
絶縁性の高分子膜等における液晶と接する表面を、綿、
布等の繊維状物質を用いて一定方向に擦る（ラビングす
る）ことによって、膜表面に液晶に対する配向能を付与
する方法である。該配向能については、ラビングにより
高分子膜表面に形成される微小な凹凸により液晶分子の
チルトアングル（液晶分子が基板に対し傾斜して配向す
る角度）が制御されるという説（形状効果説）、また該
膜表面がラビングされる際に延伸されこれによって膜を
形成する高分子が配向し、この配向に従って液晶分子の
配向の方向性、均一性が制御されるという説（インタラ
クション効果説）が提唱されている。また、ラビング処
理の方向によって、液晶表示画像の最終的な視覚方向が
決定されると考えられている。このラビング法による配
向処理は、簡易で且つ非常に単純な製造装置を使用する
ことができ、短時間で大量の配向膜の形成が可能で、且
つ処理された配向膜の液晶分子に対する配向規制力が極
めて強いという点で、現在の液晶表示素子の製造に最も
頻繁に使用されている。

【０００５】しかしながら、上記ラビング法では、表示
面積が小さな（配向膜の面積が小さい）液晶表示素子に
おいては均一なラビング処理が可能である反面、表示面
積が大きな（配向膜の面積が大きい）素子においては、
基板上の膜表面に対する繊維状物質の接触圧力を均一に
設定することが困難になる。この接触圧力は制御が容易
ではなく、更に使用される繊維状物質の耐久性に起因し
て、部分的、経時的に変化する。以上のことから、形成
される配向膜の性能が膜全体で不均一になり、量産化に
おいても再現性が示され難く、液晶表示素子の表示画像
内における液晶物質の配向均一性が不充分になる。

【０００６】また、ラビング法では、使用される繊維状
物質の構成成分（糸屑等）により基板およびその周辺部
の汚染が引き起こされる。更に、高分子膜のような誘電
体上を布により摩擦する工程が含まれ、配向膜上に大量
の静電気が発生する。このため基板表面が帯電し、ゴミ
が吸着して基板間のギャップが所定の間隔より広がり、
形成された液晶表示素子において不良が発生する。ま
た、基板上の薄膜表面を布により摩擦する工程では基板
表面に不要な傷が発生し、これによっても液晶表示画像
の欠損も生ずる。

【０００７】以上のような、ラビング法による配向処理
の欠点は、特に前記アクティブマトリックス型表示方式
に使用される液晶表示素子においては更に大きな問題と
なる。このような液晶表示素子では、ラビングの際に発
生する静電気によって基板上に設けられている駆動素子
が破壊されるため、これによって当該液晶表示素子の不
良率が更に上昇する。また、当該液晶表示素子におい
て、画素部における駆動素子が実装された基板表面を被
覆する薄膜（配向膜）の表面には、該能動素子の存在に
よって凹凸が存在し平坦化が損われているために、薄膜
全表面に亘って均一にラビングを施すことができない。
この結果、ラビングの際に処理のムラが生じ、形成され
た配向膜の液晶に対する配向能の分布が不均一となり、
液晶表示の画像欠損が発生する。また、ラビング処理方
向に対する規制が生じ易く、これによって液晶表示画像
の視覚方向も規制され、形成される液晶表示素子の応用
範囲が狭くなり、その実用価値が低下する。

【０００８】以上のように、現行のラビング法では液晶
表示素子の品質にとって問題点が多数存在する。従っ
て、前記ラビング法に代わる配向処理方法（配向膜形成
方法）が強く要望されており、この要望に応えるために
幾つかの研究が報告されている。

【０００９】現在研究されている配向膜形成方法は、以
下の事実に基づいている。即ち、等間隔に並んだ直線状
の凹凸溝を有する基板（配向膜）上に液晶分子を置いた
場合、その溝に沿った方向にこれら液晶分子が配向する
という事実である。この事実については、H.V.ケネルら
によるPhysical Review A24(5)2713(1981)、A.Sugiyama
らによるJpn.J.Appl.Phys.20(7)1343(1981) 等に記載さ
れている。例えば、横山和夫らによる特開昭60-60624号
では、レーザー光の２光束干渉縞を基板表面に照射する
ことにより、グレーティング状の凹凸を形成する方法が
開示されている。また、田中らによる特開昭61-11725号
では、ネガ型感光性ＰＶＡ膜にマスクパターンを転写お
よび露光することにより、配向膜を形成する方法が開示
されている。しかし、これらの方法は、いまだ工業的な
実施レベルに至っていない。例えば、上記特開昭61-117
25号の配向膜は、液晶表示素子に使用するための充分な
耐熱性を有していない。

【００１０】また、上述したような配向膜を有する液晶
表示素子では、液晶分子の配向均一性が充分に達成され
ない。これは、前記配向膜の各凹凸の断面形状が矩形等
の対称な形状であることに起因していると推定されてい
る。即ち、各凹凸の断面形状が対称形である場合、特に
凹凸を構成するグルブ方向に対する、液晶分子の配向角
度を任意に制御することが困難であることに起因してい
ると考えられている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みてなされたもので、その課題とするところは、基板
の汚染、基板上に形成された各素子等の静電破壊等が低
減され、液晶画像の欠陥が非常に少なく、且つ液晶分子
に対する配向均一性が達成され得る高性能の液晶表示素
子を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、基板と該基板表面を被覆する高分子材料により形成
された配向膜とを有し、前記配向膜側を対向表面として
一定距離を隔て配置された一対の基板部と、該一対の基
板部間に封入された液晶とを具備し、前記基板部の夫々
において、前記基板表面および／または配向膜の対向表
面には化学的処理によって各凹凸の断面形状が非対称で
ある周期的または非周期的な凹凸パターンが形成されて
いることと、前記各基板部の液晶と接する対向表面が、
前記基板表面および／または配向膜の対向表面の凹凸パ
ターンに沿った、各凹凸の断面形状が非対称である周期
的または非周期的な凹凸パターンを有することとを特徴
とする。以下、本発明の詳細を説明する。

【００１３】本発明の液晶表示素子において、前記基板
部の液晶と接する対向表面の形状は、各凹凸の断面形状
が非対称であるような凹凸形状であり、この凹凸形状が
液晶分子の配向を制御すると推定される。一般的に、基
板部の液晶と接する対向表面は配向膜の液晶と接する表
面に相当するため、直接的にはこの配向膜における液晶
と接する表面の凹凸形状が液晶分子の配向を制御するこ
とになる。

【００１４】本発明において、基板部の対向表面におけ
る各凹凸の断面形状が非対称であるとは、該凹凸におけ
る谷線（凹部）または尾根線（凸部）の方向に対して垂
直方向に沿った断面で、凹凸が非対称な図形であること
を意味する。

【００１５】本発明の液晶表示素子では、上記各基板部
の対向表面における凹凸パターンは、基板部を構成する
基板または配向膜のうち少なくとも一層の形状に因るも
のであればよい。即ち、基板および配向膜のうち、少な
くとも一層の表面が、化学的処理によって形成された各
凹凸の断面形状が非対称である周期的または非周期的な
凹凸パターンを有し、このような凹凸パターンが、最終
的に前記基板部における液晶と接する対向表面に現れて
いればよい。

【００１６】前記基板部を構成する基板は、通常ガラス
等の素材で形成されており、更に表面に銅等の薄膜層を
有してもよい。この表面をイオンビームエッチング等の
化学的処理により掘削することにより、各凹凸の断面形
状が非対称である周期的または非周期的な凹凸パターン
が付与され得る。

【００１７】一方、前記基板部を構成する配向膜には、
感光性（光硬化性）ポリイミド等の感光性高分子によっ
て形成された薄膜が使用され、この表面にフォトリソグ
ラフィ等の化学的処理を施すことにより、各凹凸の断面
形状が非対称である周期的または非周期的な凹凸パター
ンが付与され得る。また、上述したように基板表面が処
理されて凹凸パターンを有する場合、該基板を被覆する
配向膜として、光硬化性ポリイミド、熱硬化性ポリイミ
ド、エポキシ樹脂等が使用され得る。これら樹脂を凹凸
パターンを有する基板上に成膜し、更に硬化させて該基
板上の凹凸パターンを転写する。

【００１８】このように、本発明の液晶表示素子では、
基板および配向膜の何れの場合も、従来のラビング法に
よる処理を用いることなく、各凹凸の断面形状が非対称
である周期的または非周期的な凹凸パターンが形成され
ている。

【００１９】次に、上述したような本発明の液晶表示素
子の画素部における断面構造の具体例を、図１および図
２を参照して説明する。尚、図１に示す液晶表示素子
は、前記基板部における配向膜表面が、各凹凸の断面形
状が非対称である周期的または非周期的な凹凸パターン
を有し、この凹凸パターンが基板部における液晶と接す
る表面に現れたものである。

【００２０】図１において、１および２は基板部であ
る。基板部１は、基板１１とＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）膜等の透明導電膜１２（透明電極）と配向膜１３と
の積層体である。また、基板部２も同様の構造で、基板
２１と透明導電膜２２と配向膜２３との積層体である。
該基板部１および２は、各配向膜１３および２３の側を
対向表面とする形で一定の間隔をおいて対向しており、
この対向表面には液晶３が封入されている。

【００２１】基板部１および２において、配向膜１３、
２３の夫々の表面には、図示の如く各凹凸の断面形状が
非対称である周期的な凹凸パターンが形成されており、
この凹凸パターンが基板部における液晶と接する表面に
現れている。尚、当該凹凸パターンは、非周期的なもの
であってもよい。

【００２２】図２は、図１における配向膜２３の構造を
詳細に示した斜視図である。同図に示す如く、配向膜２
３の各凹凸の断面形状は非対称な三角形状の図形であ
り、これら凹凸は直線状に配列されている。本発明の液
晶表示素子では、この配向膜表面、または基板表面等に
形成される断面形状が非対称の凹凸（基板部表面の凹
凸）は、液晶分子の配向の方向を規制するため、凸部に
複数の角部を有する多角形であることが好ましい。但
し、この凸部における角部は実際の加工技術を考慮して
１〜２点となり、更に、各凹凸において同等の位置に存
在する角部は、原則的に一直線状に存在する。特に、図
２に示す配向膜２３の如く、凸部における角部が１点、
即ち凹凸の断面形状が非対称な三角形である場合が好ま
しく、その形状において下記式（１）〜（４）が満たさ
れる場合が特に好ましい。 ａ＜ｂ …（１） ａ＋ｂ＝ｄ …（２） ｄ＜１．６７×１０^-6 …（３） ｈ／ｄ＞ｔａｎ１３° …（４） （式中、ａ，ｂは各凹凸の傾斜面の水平距離、ｄは凹凸
の一周期、ｈは凹凸の高さを夫々示す。図２参照）

【００２３】尚、基板部の対向表面における凹凸の断面
形状が非対称な三角形状である液晶表示素子では、上記
式（１）〜（４）を満たさない場合、液晶分子の配向均
一性即ち、配向秩序度の低下が生ずる恐れがある。しか
しながら、本発明では、配向膜と液晶材料との相互作用
を考慮することにより、前記式（１）〜（４）を満たさ
ない液晶表示素子でも、液晶分子の配向秩序度を向上さ
せることが充分に可能である。

【００２４】本発明の液晶表示素子は、封入される液晶
分子の種類、分子量に因らず、また、一般的な液晶表示
方式、即ち、単純マトリックス方式、アクティブマトリ
ックス方式の何れの方式においても適用することが可能
である。

【００２５】

【作用】本発明の液晶表示素子では、液晶分子の配向状
態に対する制御が前記基板部の対向表面における凹凸パ
ターンによってなされる。この凹凸パターンは、該基板
部を構成する基板または該基板を被覆する配向膜の化学
的処理によって形成されたものである。即ち、本発明の
液晶表示素子では、従来のラビング法を用いずに液晶分
子に対する配向能が付与されたものであり、基板等の汚
染、および素子の電気的破壊といった問題点が回避さ
れ、基板部の液晶表示画像全面に亘ってムラなく均一に
配向処理がなされ得る。

【００２６】また、本発明の液晶表示素子では、前記基
板部の対向表面における凹凸パターンにおいて、各凹凸
の断面形状が非対称であることに起因して、特に、基板
部の液晶と接する対向表面付近で、液晶分子の配向の方
向を良好に制御することが可能になる。更に、この凹凸
形状を制御することによって、例えば、図２に示す配向
膜における凹凸の一周期（ｄ＝ａ＋ｂ）、凸部の高さ
（ｈ）、非対称性（ａ：ｂ）傾斜角（θ）等を制御する
ことによって、液晶分子の配向方向、即ち、基板部表面
の凹凸溝における谷線（凹部）または尾根線（凸部）に
対する液晶分子長軸方向の角度、およびチルトアング
ル、即ち、基板部表面に対する液晶分子の傾斜角を、夫
々自在に制御することが可能である。こうして、液晶表
示素子における液晶分子の配向均一性が達成され得る。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。尚、これ
ら実施例は、本発明の理解を容易にする目的で記載され
るものであり、本発明を限定するものではない。 実施例１〜５

【００２８】透明基板の各表面上に、感光性ポリイミド
を厚さ 700〜2000Ａ（オングストロム）に成膜し、配向
膜層を形成した。次に、該配向膜層表面を、周期的なパ
ターン形状のスリットを有する露光用マスクを介して、
平行露光機（ＰＬＡ−１０５、ニコン社製）を用いて露
光した。このとき、露光用マスクにおける、ラインおよ
びスペースの間隔を1.67〜 0.9μｍの範囲内で設定し
た。続いて、現像およびリンス処理を行って不要なポリ
イミドを除去し、更に温度 230℃にてアニールを施して
基板上に周期的な断面矩形の凹凸パターンを形成した。
このパターンにおける凹凸部の周期は、前記露光用マス
クのラインおよびスペースの間隔によって決定される。

【００２９】次いで、大型真空チャンバー内で、上記断
面矩形の凹凸パターンを有する配向膜層に対しイオンビ
ームエッチング処理を行い、矩形の凹凸の角部を欠落さ
せ、各凹凸の断面形状が非対称な三角形である凹凸パタ
ーンを形成した。即ち、透明基板上に図２に示す如き断
面三角形の凹凸パターンを有する配向膜を形成した。

【００３０】以上のように得られた凹凸パターンを有す
る一対の基板部を用い、常法に従って液晶を封入し、基
板部の表面において凹凸パターンの周期の異なる５種類
の液晶表示素子（実施例１〜５）を作製した。

【００３１】これら実施例１〜５の液晶表示素子の夫々
において、液晶分子の配向方向、チルトアングル、およ
び配向秩序を測定し、これらと液晶表示素子の基板部表
面における凹凸パターンの周期との関係（周期依存）に
ついて評価した。結果を下記表１に示す。尚、表１にお
ける各実施例の傾斜角とは、図２に示す形状の凹凸にお
ける角θに相当する。

【００３２】また、液晶分子の配向方向と凹凸パターン
の周期との関係については、図３の線図に示す。同図に
おいて、縦軸は液晶分子の配向方向、即ち、基板部表面
の凹凸溝における谷線（凹部）または尾根線（凸部）に
対する液晶分子長軸方向の角度を、横軸は凹凸パターン
の周期を夫々示す。 実施例６〜９

【００３３】イオンビーム・エッチング処理の条件を除
き、実施例１〜５と同様の方法に従って、透明基板上
に、図２に示す如き、各凹凸の断面形状が非対称な三角
形である凹凸パターンを有する配向膜を形成し、更にこ
れを用いて液晶表示素子を作製した。詳しくは、イオン
ビーム・エッチング処理の際に、イオンビーム照射方向
と基板法線との角度を、 0°を超える有限の角度〜76.4
°の範囲内で変化させ、液晶と接する基板部の表面にお
いて凹凸の傾斜角の異なる４種類の液晶表示素子（実施
例６〜９）を作製した。

【００３４】これら実施例６〜９の液晶表示素子の夫々
において、液晶分子の配向方向、チルトアングル、およ
び配向秩序を測定し、これらと液晶表示素子の基板部表
面における凹凸パターンの傾斜角との関係（傾斜角依
存）について評価した。結果を下記表１に併記する。 実施例１０〜１４

【００３５】ガラス基板またはそれに相当する基板上に
フォトレジスト薄膜を、厚さ 1μｍで形成した。次に、
該フォトレジスト薄膜に対し、スリット状マスクを介し
て、またはレーザフォログラフィック技術を用いて露光
を行った。ここで、スリット状マスクとしては実施例１
〜５で使用した露光用マスクと同様のマスクを使用し
た。また、レーザフォログラフィック技術とは、位相が
制御されたレーザ光を投影することにより得られる干渉
パターンを用いて、フォトレジスト薄膜に対する露光を
行うものであり（エシェレット回折格子の製造技術、日
本国特許第1046763 号）、より微細なパターンを必要と
する配向膜、または前記露光用マスクによる露光の施し
難い材料に対して適用される。続いて、露光後のフォト
レジスト薄膜に対して現像およびリンス処理を行い、基
板上に周期的なスリットパターンを有するレジスト薄膜
層を形成した。このパターンにおける凹凸部の周期は、
前記スリット状マスクのラインおよびスペースの間隔、
または前記レーザフォログラフィック技術における干渉
パターンによって決定される。

【００３６】次に、大型真空チャンバー内で、上記スリ
ットパターンを有するレジスト薄膜層を耐エッチングマ
スクとしてイオンビームエッチング処理を行い、ガラス
基板またはそれに相当する基板上を掘削して、各凹凸の
断面形状が非対称な三角形である凹凸パターンを形成し
た。

【００３７】次に、上記のような凹凸パターンを有する
基板の表面に、熱硬化性エポキシ樹脂を厚さ2000〜7000
Ａで成膜し、加熱ベーキングを施して硬化させ、前記基
板上の各凹凸の断面形状が非対称である凹凸パターンに
沿って、同様の凹凸パターン、即ち、図２に示す如き断
面三角形の凹凸パターンが現れた配向膜を形成した。

【００３８】以上のように得られた凹凸パターンを有す
る一対の基板部を用い、常法に従って液晶を封入し、基
板部の表面において凹凸パターンの周期の異なる５種類
の液晶表示素子（実施例１０〜１４）を作製した。

【００３９】これら実施例１０〜１４の液晶表示素子の
夫々において、液晶分子の配向方向、チルトアングル、
および配向秩序を測定し、これらと液晶表示素子の基板
部表面における凹凸パターンの周期との関係（周期依
存）について評価した。結果を下記表１に示す。 実施例１５〜１８

【００４０】イオンビーム・エッチング処理の条件を除
き、実施例１０〜１４と同様の方法に従って、透明基板
上に、各凹凸の断面形状が非対称である三角形状である
凹凸パターンを形成して、この形状が基板部表面に現れ
た液晶表示素子を作製した。詳しくは、イオンビーム・
エッチング処理の際に、イオンビーム照射方向と基板法
線との角度を、 0°を超える有限の角度〜76.4°の範囲
内で変化させ、液晶と接する基板部の表面において凹凸
の傾斜角の異なる４種類の液晶表示素子（実施例１５〜
１８）を作製した。

【００４１】これら実施例１５〜１８の液晶表示素子の
夫々において、液晶分子の配向方向、チルトアングル、
および配向秩序を測定し、これらと液晶表示素子の基板
部表面における凹凸パターンの傾斜角との関係（傾斜角
依存）について評価した。結果を下記表１に併記する。

【００４２】

【表１】

【００４３】表１に示す結果より、本発明の液晶表示素
子では、凹凸パターンの周期および傾斜角等を変化させ
ることにより、液晶分子の配向方向、チルトアングル等
を自在に制御することが可能である。また、何れの場合
も液晶分子の配向秩序が良好であり、充分に液晶分子の
配向均一性が達成される。この他、本発明の液晶表示素
子の光透過特性について、以下の如く評価した。

【００４４】まず、実施例１〜５と同様の方法に従っ
て、表面に各凹凸の断面形状が非対称な三角形状である
凹凸パターンを有し、凹凸の周期が 0.8μｍである基板
部を形成した。該基板部一組を、凹凸溝の方向が互いに
90°となるように対向させ、該基板部帆間に液晶を封入
し、本発明の液晶表示素子に相当する液晶セルを形成し
た。この液晶セルを平行ニコル間に挟み、回転させた場
合の光透過率（光源 570nm）を測定した。

【００４５】同時に、従来のラビング法によって処理さ
れた基板部を具備する液晶セルを形成した。また、表面
に各凹凸の断面形状が対称な三角形状である凹凸パター
ンを有する基板部を具備した液晶セルを形成した。これ
らの液晶セルに関しても、上記同様に光透過特性につい
て評価した。各液晶セルにおける、セル回転角と光透過
率との関係を図４に示す。尚、同図において横軸はセル
回転角（deg ）、縦軸は光透過率（a.u.）を夫々示す。

【００４６】図４の結果より、本発明の液晶表示素子
（セル）は、ラビング法により処理された素子と光透過
性に関して同等の特性を示すことが示唆され、更にラビ
ング法に比べて素子の欠損、表示画像の欠陥等の発生が
低減されることも判る。

【００４７】また、基板部の各凹凸の断面形状が対称な
図形である凹凸パターンを有する液晶表示素子では、位
相のズレと明暗コントラストが低く、液晶分子に対する
配向制御が良好になすことができないことが判る。

【００４８】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、基板の
汚染、基板上に形成された各素子等の静電破壊等が低減
され、液晶画像の欠陥が非常に少なく、且つ液晶分子に
対する配向均一性が容易に達成可能な液晶表示素子を提
供する上で顕著な効果を奏するものである。

【００４９】更に、本発明の液晶表示素子は、製造工程
上で製品事故率が大幅に低減され、Ｖ−Ｔ特性、動画表
示状態等の諸特性においても優れた性能を示すことが予
想され、その工業的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示素子における画素部の構造の
一例を示す断面図。

【図２】本発明の液晶表示素子における配向膜の構造の
一例を示す斜視図。

【図３】本発明の液晶表示素子の一実施例における、液
晶分子の配向方向と凹凸パターンの周期との関係を示す
線図。

【図４】本発明および比較例の液晶表示素子に相当する
セルにおける、セル回転角と光透過率との関係を示す線
図。

【符号の説明】

１，２…基板部、３…液晶、１１，２１…基板、１２，
２２…透明導電膜、１３，２３…配向膜、ａ，ｂ…凹凸
の傾斜面の水平距離、ｄ…凹凸の一周期、ｈ…凹凸の高
さ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と該基板表面を被覆する高分子材料
   により形成された配向膜とを有し、前記配向膜側を対向
   表面として一定距離を隔て配置された一対の基板部と、
   該一対の基板部間に封入された液晶とを具備した液晶表
   示素子であって、 前記基板部の夫々において、前記基板表面および／また
   は配向膜の対向表面には化学的処理によって各凹凸の断
   面形状が非対称である周期的または非周期的な凹凸パタ
   ーンが形成されていることと、 前記各基板部の液晶と接する対向表面が、前記基板表面
   および／または配向膜の対向表面の凹凸パターンに沿っ
   た、各凹凸の断面形状が非対称である周期的または非周
   期的な凹凸パターンを有することとを特徴とする液晶表
   示素子。