JPH0560052B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0560052B2 JPH0560052B2 JP58037788A JP3778883A JPH0560052B2 JP H0560052 B2 JPH0560052 B2 JP H0560052B2 JP 58037788 A JP58037788 A JP 58037788A JP 3778883 A JP3778883 A JP 3778883A JP H0560052 B2 JPH0560052 B2 JP H0560052B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- current
- oxygen
- oxygen sensor
- oxygen concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 97
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 97
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 94
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/4067—Means for heating or controlling the temperature of the solid electrolyte
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/4065—Circuit arrangements specially adapted therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Electrical Control Of Air Or Fuel Supplied To Internal-Combustion Engine (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は媒体中の酸素濃度、例えば内燃機関の
排気ガス中の酸素濃度（つまり空燃比）を検出す
る酸素濃度検出装置に関し、特に限界電流式酸素
センサを用いて理論空燃比以上の任意の空燃比を
良好に検出できる装置に関する。
排気ガス中の酸素濃度（つまり空燃比）を検出す
る酸素濃度検出装置に関し、特に限界電流式酸素
センサを用いて理論空燃比以上の任意の空燃比を
良好に検出できる装置に関する。
この種の装置として、例えば特開昭57−192852
号公報に示されるものが知られている。限界電流
式酸素濃度センサは自身の温度により限界電流特
性が変化するため、このセンサを所定の活性温度
範囲内に制御する必要がある。そこで、上記公報
ではセンサの内部抵抗が温度によつて変化するこ
とを利用し、温度を検出してセンサ温度を一定に
制御するようにしている。その際、内部抵抗の測
定には交流電圧を用い、他方、限界電流（つまり
酸素濃度）の測定には直流電圧を用い、とりわけ
その第１４図に示す実施例では、上記の限界電流
測定と内部抵抗測定とを交互に時分割的に行うよ
うにしている。しかし、本例のように内部抵抗の
測定に交流電圧を用いた場合、複雑な計算式を処
理してセンサ温度を算出する必要があり、その
際、交流電圧の周波数やデユーテイ比にも依存す
るため、高精度の検出を行うには高価な付属装置
を必要とし、高コストになるという不具合があ
る。
号公報に示されるものが知られている。限界電流
式酸素濃度センサは自身の温度により限界電流特
性が変化するため、このセンサを所定の活性温度
範囲内に制御する必要がある。そこで、上記公報
ではセンサの内部抵抗が温度によつて変化するこ
とを利用し、温度を検出してセンサ温度を一定に
制御するようにしている。その際、内部抵抗の測
定には交流電圧を用い、他方、限界電流（つまり
酸素濃度）の測定には直流電圧を用い、とりわけ
その第１４図に示す実施例では、上記の限界電流
測定と内部抵抗測定とを交互に時分割的に行うよ
うにしている。しかし、本例のように内部抵抗の
測定に交流電圧を用いた場合、複雑な計算式を処
理してセンサ温度を算出する必要があり、その
際、交流電圧の周波数やデユーテイ比にも依存す
るため、高精度の検出を行うには高価な付属装置
を必要とし、高コストになるという不具合があ
る。
本発明は、上記点に鑑み、限界電流式酸素セン
サを用い、限界電流測定と内部抵抗測定とを交互
に時分割的に行うようにした装置にあつて、内部
抵抗測定には正バイアスに代えて直流電圧による
負バイアスをセンサに与えるようにし、非常に簡
単な構成で高精度の内部抵抗値制御を可能とし、
安定した酸素濃度検出ができる酸素濃度検出装置
を提供することを目的とする。
サを用い、限界電流測定と内部抵抗測定とを交互
に時分割的に行うようにした装置にあつて、内部
抵抗測定には正バイアスに代えて直流電圧による
負バイアスをセンサに与えるようにし、非常に簡
単な構成で高精度の内部抵抗値制御を可能とし、
安定した酸素濃度検出ができる酸素濃度検出装置
を提供することを目的とする。
そこで本発明の全体構成を第１４図に示す。所
定部位に限界電流式酸素センサ６０１を設けてい
る。
定部位に限界電流式酸素センサ６０１を設けてい
る。
この酸素センサ６０１は、一方が、所定酸素濃
度を有する基準ガスにさらされ、他方が被測定ガ
スにさらされるよう構成されており、正の直流電
圧によりバイアスされた時、酸素濃度に応じた限
界電流を発生し、負の直流電圧によりバイアスさ
れた時、温度に依存した電流を発生するようにな
つている。
度を有する基準ガスにさらされ、他方が被測定ガ
スにさらされるよう構成されており、正の直流電
圧によりバイアスされた時、酸素濃度に応じた限
界電流を発生し、負の直流電圧によりバイアスさ
れた時、温度に依存した電流を発生するようにな
つている。
この酸素センサ６０１の近傍には、酸素センサ
６０１を加熱する加熱手段６０２を設けてある。
そしてバイアス制御手段６０３により、第１の期
間に、前記酸素センサ６０１に対し第１の直流電
圧を正バイアスし、第２の期間に第２の直流電圧
を負バイアスするようにし、そのとき前記酸素セ
ンサ６０１に流れる電流を電流検出手段６０４に
より検出し、そこで酸素濃度検出手段６０５では
第１の期間に検出される電流値に基づいて酸素濃
度を検出する。また、温度制御手段６０６は、第
２の期間に検出される電流値に基いて前記酸素セ
ンサ６０１の内部抵抗を検出し、この内部抵抗が
略一定になるように前記加熱手段６０２を制御す
るように構成したものである。
６０１を加熱する加熱手段６０２を設けてある。
そしてバイアス制御手段６０３により、第１の期
間に、前記酸素センサ６０１に対し第１の直流電
圧を正バイアスし、第２の期間に第２の直流電圧
を負バイアスするようにし、そのとき前記酸素セ
ンサ６０１に流れる電流を電流検出手段６０４に
より検出し、そこで酸素濃度検出手段６０５では
第１の期間に検出される電流値に基づいて酸素濃
度を検出する。また、温度制御手段６０６は、第
２の期間に検出される電流値に基いて前記酸素セ
ンサ６０１の内部抵抗を検出し、この内部抵抗が
略一定になるように前記加熱手段６０２を制御す
るように構成したものである。
以下、本発明を図に示す実施例を用いて説明す
る。第１図は酸素濃度検出装置の全体構成を示す
もので、１はセンサ部、２は制御装置である。セ
ンサ部１は本例の場合、内燃機関の排気管１３内
に取付けられており、ヒータ１２を内蔵した限界
電流式酸素センサ１１及びカバー１４からなる。
カバー１４は小孔１４ａを有し、酸素センサ１１
に対し直接排気ガスが触れることを防ぎ、センサ
１１の保護と保温の役目をもつものである。１
５，１６はリード線である。また、ヒータ１２は
酸素センサ１１を活性化するのに十分な発熱容量
（能力）を有している。
る。第１図は酸素濃度検出装置の全体構成を示す
もので、１はセンサ部、２は制御装置である。セ
ンサ部１は本例の場合、内燃機関の排気管１３内
に取付けられており、ヒータ１２を内蔵した限界
電流式酸素センサ１１及びカバー１４からなる。
カバー１４は小孔１４ａを有し、酸素センサ１１
に対し直接排気ガスが触れることを防ぎ、センサ
１１の保護と保温の役目をもつものである。１
５，１６はリード線である。また、ヒータ１２は
酸素センサ１１を活性化するのに十分な発熱容量
（能力）を有している。
また、制御装置２において、バイアス制御部２
０は正バイアス源２１、負バイアス源２２及び切
換手段２３を含み、酸素センサ１１に対し時分割
的に所定の正バイアスあるいは負バイアスを与え
るものである。電流検出部３０では酸素センサ１
１の出力電流を検出し、これをＡ／Ｄ変換部にて
デジタル値に変換する。また、制御部５０はバイ
アス制御部２０に対し、正負両バイアスの状態を
切換え指示すると共に、その際酸素センサ１１よ
り得られる出力電流値を判定して、限界電流（つ
まり酸素濃度）の測定及びセンサ温度（つまりセ
ンサ内部抵抗）の測定を行う。加熱制御部６０は
制御部５０からの指示を受けてセンサ温度が所定
範囲内に入るように酸素センサ１１内のヒータ１
２の発熱状態を制御するものである。
０は正バイアス源２１、負バイアス源２２及び切
換手段２３を含み、酸素センサ１１に対し時分割
的に所定の正バイアスあるいは負バイアスを与え
るものである。電流検出部３０では酸素センサ１
１の出力電流を検出し、これをＡ／Ｄ変換部にて
デジタル値に変換する。また、制御部５０はバイ
アス制御部２０に対し、正負両バイアスの状態を
切換え指示すると共に、その際酸素センサ１１よ
り得られる出力電流値を判定して、限界電流（つ
まり酸素濃度）の測定及びセンサ温度（つまりセ
ンサ内部抵抗）の測定を行う。加熱制御部６０は
制御部５０からの指示を受けてセンサ温度が所定
範囲内に入るように酸素センサ１１内のヒータ１
２の発熱状態を制御するものである。
次に、このセンサ構造について具体的に説明す
ると、第２図において、１１は酸素センサであ
る。１１ａは個体電解質素子で、一端が開口され
他端が閉塞されたカツプ状をなしている。この素
子１１ａは、酸素イオン伝導電性酸化物焼結体の
カツプの内側を電極１１ｂを介し大気等の基準酸
素に晒し、外側を電極１１ｃ、拡散抵抗層１１ｄ
を介し検出ガスに晒した構造により構成してあ
る。
ると、第２図において、１１は酸素センサであ
る。１１ａは個体電解質素子で、一端が開口され
他端が閉塞されたカツプ状をなしている。この素
子１１ａは、酸素イオン伝導電性酸化物焼結体の
カツプの内側を電極１１ｂを介し大気等の基準酸
素に晒し、外側を電極１１ｃ、拡散抵抗層１１ｄ
を介し検出ガスに晒した構造により構成してあ
る。
ここで、前記センサ１１が理論空燃比点にて濃
淡起電力を発生し、理論空燃比点よりリーン領域
の酸素濃度に応じた限界電流を発生するように、
例えば単一の電極にて検出する場合、検出ガス側
電極１１ｃの面積は10〜100mm2、厚さは0.5〜2.0μ
程度とし、大気側電極１１ｂは面積は10mm2以上、
厚さは0.5〜2.0μ程度であり、共にたとえば白金
等の貴金属を化学メツキ、スパツタリング、ペー
ストスクリーン印刷により、充分ボーラスに形成
してある。拡散抵抗層１１ｄは、たとえばＡ2
O3，Ａ2O3・MgO，ZrO2のプラズマ溶射法等
により形成され、100〜700μ、気孔率７〜15％、
平均細孔径600〜1200Åに形成されている。ここ
で、酸素濃度に対応する限界電流値は電極１１ｃ
の面積、拡散抵抗層１１ｄの厚さ、気孔率、平均
細孔径により決まるため、これらは高精度に管
理・規定されねばならない。１２はヒータであ
る。
淡起電力を発生し、理論空燃比点よりリーン領域
の酸素濃度に応じた限界電流を発生するように、
例えば単一の電極にて検出する場合、検出ガス側
電極１１ｃの面積は10〜100mm2、厚さは0.5〜2.0μ
程度とし、大気側電極１１ｂは面積は10mm2以上、
厚さは0.5〜2.0μ程度であり、共にたとえば白金
等の貴金属を化学メツキ、スパツタリング、ペー
ストスクリーン印刷により、充分ボーラスに形成
してある。拡散抵抗層１１ｄは、たとえばＡ2
O3，Ａ2O3・MgO，ZrO2のプラズマ溶射法等
により形成され、100〜700μ、気孔率７〜15％、
平均細孔径600〜1200Åに形成されている。ここ
で、酸素濃度に対応する限界電流値は電極１１ｃ
の面積、拡散抵抗層１１ｄの厚さ、気孔率、平均
細孔径により決まるため、これらは高精度に管
理・規定されねばならない。１２はヒータであ
る。
この酸素センサ１１は、酸素濃度をリニアに検
出できるものである。しかし、このセンサは活性
化するのに高温（約650℃以上）を必要とし、し
かも活性温度範囲が狭いため、内燃機関の排気ガ
スのみによる加熱では活性領域を制御できない。
出できるものである。しかし、このセンサは活性
化するのに高温（約650℃以上）を必要とし、し
かも活性温度範囲が狭いため、内燃機関の排気ガ
スのみによる加熱では活性領域を制御できない。
第３図に酸素センサ１１の電圧−電流特性を示
す。ａ図はセンサ１１が活性状態にあるときの特
性で、ｂ図は温度が低く、活性化していない時の
特性である。ａ図の状態でセンサにある決められ
た正バイアス電圧V1を加えれば、その電流出力
は酸素分圧に比例した値となる。ｂ図では電圧
V1を与えても出力は酸素分圧に比例したものに
はならない。ここで、センサ１１に負バイアス電
圧V2を加えると、この時の電流は酸素分圧に依
存せず、温度に依存した値になる。この性質を利
用して負バイアス電圧V2を加えてその時のセン
サ電流を読み込み、これがある一定の電流値、あ
るいは所定範囲内の電流値（つまり負バイアス側
の直線部の勾配を略一定にすること）になるよう
にヒータ１２の発熱量を制御すれば、酸素センサ
１１を常に活性化しておくことが可能となる。す
なわち、第３図において負バイアスV2を加えた
時の電流値がI2であれば、ヒータ１２の発熱量を
増加して、一定勾配となる電流値Isあるいは所定
範囲Is1〜Is2になるように制御するのである。こ
れによつてセンサ１１の内部抵抗（V2／I2）を略
一定にできる。
す。ａ図はセンサ１１が活性状態にあるときの特
性で、ｂ図は温度が低く、活性化していない時の
特性である。ａ図の状態でセンサにある決められ
た正バイアス電圧V1を加えれば、その電流出力
は酸素分圧に比例した値となる。ｂ図では電圧
V1を与えても出力は酸素分圧に比例したものに
はならない。ここで、センサ１１に負バイアス電
圧V2を加えると、この時の電流は酸素分圧に依
存せず、温度に依存した値になる。この性質を利
用して負バイアス電圧V2を加えてその時のセン
サ電流を読み込み、これがある一定の電流値、あ
るいは所定範囲内の電流値（つまり負バイアス側
の直線部の勾配を略一定にすること）になるよう
にヒータ１２の発熱量を制御すれば、酸素センサ
１１を常に活性化しておくことが可能となる。す
なわち、第３図において負バイアスV2を加えた
時の電流値がI2であれば、ヒータ１２の発熱量を
増加して、一定勾配となる電流値Isあるいは所定
範囲Is1〜Is2になるように制御するのである。こ
れによつてセンサ１１の内部抵抗（V2／I2）を略
一定にできる。
ここで、酸素センサ１１に対し一定の温度を与
えた場合、その傾きI2／V2は経年変化によつて変
わる。そのため、一定の正バイアス電圧V1を与
えても、酸素分圧の大きい方、あるいは小さい方
が計測できなくなる恐れがでてくる。しかし、本
例では傾きI2／V2自体を検出制御しているため常
に略一定にすることができるため、上記したよう
な経年変化を自動的に補償できることになる。こ
のセンサ温度の制御動作は例えば数秒以内に１回
行ない、その他の時間には正バイアスV1を加え、
排気ガスの酸素分圧を測定して、これを出力する
のが好ましい。ここで、数秒というのはセンサ素
子１１とヒータ１２の熱容量と、素子から流出す
る熱量の最大値と活性温度範囲によつて決まる時
間である。
えた場合、その傾きI2／V2は経年変化によつて変
わる。そのため、一定の正バイアス電圧V1を与
えても、酸素分圧の大きい方、あるいは小さい方
が計測できなくなる恐れがでてくる。しかし、本
例では傾きI2／V2自体を検出制御しているため常
に略一定にすることができるため、上記したよう
な経年変化を自動的に補償できることになる。こ
のセンサ温度の制御動作は例えば数秒以内に１回
行ない、その他の時間には正バイアスV1を加え、
排気ガスの酸素分圧を測定して、これを出力する
のが好ましい。ここで、数秒というのはセンサ素
子１１とヒータ１２の熱容量と、素子から流出す
る熱量の最大値と活性温度範囲によつて決まる時
間である。
次に、第１図中の制御部５０の動作について説
明する。本例の場合、この制御部５０はマイクロ
コンピユータで構成され所定の制御プログラムに
従つて酸素濃度の測定及びセンサ温度の制御を行
うものである。
明する。本例の場合、この制御部５０はマイクロ
コンピユータで構成され所定の制御プログラムに
従つて酸素濃度の測定及びセンサ温度の制御を行
うものである。
第５図ａ，ｂはその制御フローチヤートの一例
を示してある。ａに示す処理(1)はタイマー処理、
あるいはメインルーチンにて起動される酸素濃度
測定処理であり、ステツプ101では、所定の正バ
イアス（例えば0.7V）を酸素センサ１１に印加
するため、バイアス制御部２０の切換手段２３を
操作して正バイアス源２１を酸素センサ１１と接
続する。ステツプ102では電流検出部３０で検出
される酸素センサ１１の限界電流をＡ／Ｄ変換部
４０を介して読込む。ステツプ103では第４図に
示すごとく予め記憶されている限界電流値−酸素
濃度値（または空燃比）の変換マツプを用いて検
出した限界電流値に相当する酸素濃度値を判定
し、この値をメモリ（RAM）に一時記憶する。
このステツプ103における判定処理方法は上記し
た如く限界電流値測定毎に酸素濃度値を判定する
他に、所定期間の限界電流値の平均値を求めた
後、その平均値より酸素濃度値を判定する方法
や、先回までに求めた限界電流値またはその平均
値との偏差を求めて酸素濃度値を修正する方法な
ど種々の方法が考えられ、いずれの方法を用いて
もかまわない。
を示してある。ａに示す処理(1)はタイマー処理、
あるいはメインルーチンにて起動される酸素濃度
測定処理であり、ステツプ101では、所定の正バ
イアス（例えば0.7V）を酸素センサ１１に印加
するため、バイアス制御部２０の切換手段２３を
操作して正バイアス源２１を酸素センサ１１と接
続する。ステツプ102では電流検出部３０で検出
される酸素センサ１１の限界電流をＡ／Ｄ変換部
４０を介して読込む。ステツプ103では第４図に
示すごとく予め記憶されている限界電流値−酸素
濃度値（または空燃比）の変換マツプを用いて検
出した限界電流値に相当する酸素濃度値を判定
し、この値をメモリ（RAM）に一時記憶する。
このステツプ103における判定処理方法は上記し
た如く限界電流値測定毎に酸素濃度値を判定する
他に、所定期間の限界電流値の平均値を求めた
後、その平均値より酸素濃度値を判定する方法
や、先回までに求めた限界電流値またはその平均
値との偏差を求めて酸素濃度値を修正する方法な
ど種々の方法が考えられ、いずれの方法を用いて
もかまわない。
また、ｂに示す処理(2)は、処理(1)に比べて十分
長い時間間隔をもつタイマー処理にて起動される
センサ温度制御処理であり、ステツプ201では所
定の負バイアス（例えば０〜−1V）を酸素セン
サ１１に印加するため、バイアス制御部２０の切
換手段２３を操作して負バイアス源２２を酸素セ
ンサ１１と接続する。ステツプ202では酸素セン
サ１１に流れる電流I2を電流検出部３０よりＡ／
Ｄ変換部４０を介して読込む。ステツプ203，204
では、検出した電流I2の大きさからセンサ温度を
検出して酸素センサ１１の温度が許容の活性温度
範囲（例えば650℃〜800℃）内にあるか否かを判
定し、その範囲内にないときには、センサ１１を
加熱するため、加熱制御部６０を通してヒータ１
１の通電を制御する。
長い時間間隔をもつタイマー処理にて起動される
センサ温度制御処理であり、ステツプ201では所
定の負バイアス（例えば０〜−1V）を酸素セン
サ１１に印加するため、バイアス制御部２０の切
換手段２３を操作して負バイアス源２２を酸素セ
ンサ１１と接続する。ステツプ202では酸素セン
サ１１に流れる電流I2を電流検出部３０よりＡ／
Ｄ変換部４０を介して読込む。ステツプ203，204
では、検出した電流I2の大きさからセンサ温度を
検出して酸素センサ１１の温度が許容の活性温度
範囲（例えば650℃〜800℃）内にあるか否かを判
定し、その範囲内にないときには、センサ１１を
加熱するため、加熱制御部６０を通してヒータ１
１の通電を制御する。
このステツプ203，204におけるヒータの加熱制
御方法には、センサ１２やヒータ１１の熱容量や
発熱容量、排気系における冷却特性、及び温度制
御間隔などを考慮して種々の方法が考えられる。
例えば第６，７図に示す如く、温度制御間隔（タ
イマー処理間隔）T1として、酸素センサ１１の
許容活性温度が上限値Ts2から下限値Ts1まで低
下するに要する冷却時間より短かく設定しておけ
ば、第６図ｂに示す如く時間T1毎に酸素センサ
１１を上限値Ts2にヒータ加熱制御するのみで、
センサ１１の温度Tsを許容温度範囲内（Ts1〜
Ts2）に制御できるようになる。なお、第６図ｃ
は限界電流（または酸素濃度）の測定間隔T2を
示している。
御方法には、センサ１２やヒータ１１の熱容量や
発熱容量、排気系における冷却特性、及び温度制
御間隔などを考慮して種々の方法が考えられる。
例えば第６，７図に示す如く、温度制御間隔（タ
イマー処理間隔）T1として、酸素センサ１１の
許容活性温度が上限値Ts2から下限値Ts1まで低
下するに要する冷却時間より短かく設定しておけ
ば、第６図ｂに示す如く時間T1毎に酸素センサ
１１を上限値Ts2にヒータ加熱制御するのみで、
センサ１１の温度Tsを許容温度範囲内（Ts1〜
Ts2）に制御できるようになる。なお、第６図ｃ
は限界電流（または酸素濃度）の測定間隔T2を
示している。
また、第７図は上記方法を具体化したフローチ
ヤートであり、時間T1毎にタイマー処理を起動
し、ステツプ301〜303では、酸素センサ１１に負
バイアスを印加してそのときの電流I2がセンサ上
限温度Ts2に相当する電流値Is2に達したか否かを
判定し、その電流値Is2に達するまでヒータ加熱
制御を行う（ステツプ305）。一方、その電流値
Is2に達するとステツプ304に進みヒータ加熱制御
を停止するようにしている。
ヤートであり、時間T1毎にタイマー処理を起動
し、ステツプ301〜303では、酸素センサ１１に負
バイアスを印加してそのときの電流I2がセンサ上
限温度Ts2に相当する電流値Is2に達したか否かを
判定し、その電流値Is2に達するまでヒータ加熱
制御を行う（ステツプ305）。一方、その電流値
Is2に達するとステツプ304に進みヒータ加熱制御
を停止するようにしている。
また、第８図〜第１０図は他の加熱制御方法で
あり、特にセンサ温度を一定値Tsに制御する方
法である。つまり、一定時間T1毎にタイマ処理
を行い、ステツプ401〜404に示す如く酸素センサ
１１に負バイアスを印加したときの電流I2を検出
し、目標とする一定値Isとの偏差ΔI＝Is−I2から
ヒータ１２への通電時間（デユーテイ比）を第８
図ｂに示す時点で計算する。この計算は例えば第
１０図に示す如き（ΔI−Ｄ）マツプの補間、ま
たは計算処理により求める。そして求めた通電時
間を出力部にセツトすることにより、その直後か
らのヒータ通電デユーテイ比が第８図ｃに示す如
く変化する。そのためセンサ温度は第８図ｄに示
す如く周期T1で一定値Tsを中心にして変化する。
この振れ幅は少なくとも±20〜30℃以内に制御さ
れる必要がある。この方法の場合、時間T1毎に
１回だけ電流I2を検出するのみでよく、また常時
所定デユーテイ比にてヒータ制御しているため安
定した温度制御ができる。また、上記ヒータ加熱
制御方法の他に、常時酸素センサ１１の温度Ts
を監視し、この温度Tsが下限値Ts1まで落下する
と、発熱容量を考慮した一定時間の間だけヒータ
１１に通電して温度Tsが上限値Ts2の近傍に達す
るまで加熱する方法、あるいはその加熱時にもセ
ンサ温度Tsを検出して上限値Ts2に達するまで加
熱する方法など考えられ、いずれの方法を採用し
てもよい。
あり、特にセンサ温度を一定値Tsに制御する方
法である。つまり、一定時間T1毎にタイマ処理
を行い、ステツプ401〜404に示す如く酸素センサ
１１に負バイアスを印加したときの電流I2を検出
し、目標とする一定値Isとの偏差ΔI＝Is−I2から
ヒータ１２への通電時間（デユーテイ比）を第８
図ｂに示す時点で計算する。この計算は例えば第
１０図に示す如き（ΔI−Ｄ）マツプの補間、ま
たは計算処理により求める。そして求めた通電時
間を出力部にセツトすることにより、その直後か
らのヒータ通電デユーテイ比が第８図ｃに示す如
く変化する。そのためセンサ温度は第８図ｄに示
す如く周期T1で一定値Tsを中心にして変化する。
この振れ幅は少なくとも±20〜30℃以内に制御さ
れる必要がある。この方法の場合、時間T1毎に
１回だけ電流I2を検出するのみでよく、また常時
所定デユーテイ比にてヒータ制御しているため安
定した温度制御ができる。また、上記ヒータ加熱
制御方法の他に、常時酸素センサ１１の温度Ts
を監視し、この温度Tsが下限値Ts1まで落下する
と、発熱容量を考慮した一定時間の間だけヒータ
１１に通電して温度Tsが上限値Ts2の近傍に達す
るまで加熱する方法、あるいはその加熱時にもセ
ンサ温度Tsを検出して上限値Ts2に達するまで加
熱する方法など考えられ、いずれの方法を採用し
てもよい。
また、バイアス制御部２０の切換手段２３とし
て接点式スイツチが示してあるが、アナログスイ
ツチなどの無接点式スイツチでも良い。また正、
負バイアス源２１，２２として電源を２個用いる
ものに限らず、要は酸素センサ１１の電流方向を
逆向きにし、かつセンサ部分の電圧降下が所定の
値になれば良く、単一電源と複数の演算増幅器を
組合せることにより実現できる。
て接点式スイツチが示してあるが、アナログスイ
ツチなどの無接点式スイツチでも良い。また正、
負バイアス源２１，２２として電源を２個用いる
ものに限らず、要は酸素センサ１１の電流方向を
逆向きにし、かつセンサ部分の電圧降下が所定の
値になれば良く、単一電源と複数の演算増幅器を
組合せることにより実現できる。
また、電流検出部３０としては、第１１図ａに
示すように酸素センサ１１の電流を電流検出抵抗
３１により直接検出する構成、あるいは第１１図
ｂに示すように電流検出抵抗３１での電圧降下分
を酸素センサ１１の一端に帰還して、酸素センサ
１１の印加電圧を常に一定にする電圧補償回路３
２を設けた構成など、いずれの構成でも実現でき
る。
示すように酸素センサ１１の電流を電流検出抵抗
３１により直接検出する構成、あるいは第１１図
ｂに示すように電流検出抵抗３１での電圧降下分
を酸素センサ１１の一端に帰還して、酸素センサ
１１の印加電圧を常に一定にする電圧補償回路３
２を設けた構成など、いずれの構成でも実現でき
る。
次に、酸素センサ１１の継時変化や劣化により
−Ｉ特性がずれた場合のセンサ温度の制御方法
について第１２，１３図を用いて説明する。第１
２図に示すように−Ｉ特性の零点がずれた場合
には、異なる負バイアスV21，V22を与えてその
ときのセンサ電流I21，I22を検出して（I21−
I22）／（V21−V22）より直線勾配Ｋを求め、こ
の勾配Ｋが一定または所定範囲内に入るように制
御すれば良い。第１３図はその制御フローチヤー
トの一例であり、ステツプ501〜505で勾配Ｋを求
め、ステツプ506〜508で勾配Ｋが設定値Ksに達
するまではヒータ加熱制御し、勾配Ｋ≒Ksに制
御するようにしている。
−Ｉ特性がずれた場合のセンサ温度の制御方法
について第１２，１３図を用いて説明する。第１
２図に示すように−Ｉ特性の零点がずれた場合
には、異なる負バイアスV21，V22を与えてその
ときのセンサ電流I21，I22を検出して（I21−
I22）／（V21−V22）より直線勾配Ｋを求め、こ
の勾配Ｋが一定または所定範囲内に入るように制
御すれば良い。第１３図はその制御フローチヤー
トの一例であり、ステツプ501〜505で勾配Ｋを求
め、ステツプ506〜508で勾配Ｋが設定値Ksに達
するまではヒータ加熱制御し、勾配Ｋ≒Ksに制
御するようにしている。
以上は酸素濃度検出の制御装置のみを説明した
が、第１図において、制御部５０は内燃機関の吸
入空気量、吸気管内圧力、スロツトル開度、内燃
機関回転数、冷却水温、吸入空気温のうち１つ以
上をパラメータとして用いて、燃料噴射弁あるい
は電子制御のキヤブレータを駆動して空燃比を制
御し、あるいは点火時期を制御するものであつて
もよい。この場合、制御部５０は読み取つた酸素
分圧検出値を出力せず、そのまま制御部５０の中
で計算処理に用いることができる。
が、第１図において、制御部５０は内燃機関の吸
入空気量、吸気管内圧力、スロツトル開度、内燃
機関回転数、冷却水温、吸入空気温のうち１つ以
上をパラメータとして用いて、燃料噴射弁あるい
は電子制御のキヤブレータを駆動して空燃比を制
御し、あるいは点火時期を制御するものであつて
もよい。この場合、制御部５０は読み取つた酸素
分圧検出値を出力せず、そのまま制御部５０の中
で計算処理に用いることができる。
また、本発明は内燃機関を制御することを前提
に説明を行なつてきたが、酸素センサ１１を用
い、これにより酸素分圧を測定しようとするもの
であれば上記の方法を使用できる。
に説明を行なつてきたが、酸素センサ１１を用
い、これにより酸素分圧を測定しようとするもの
であれば上記の方法を使用できる。
また、本発明はヒータを用い、酸素センサ１１
を活性温度領域に制御するものであるが、ヒータ
１２を使用せず、高温ガスを利用して酸素センサ
１１を温め、この時の酸素センサ１１の出力電流
の大きさにより活性領域内にあるかどうかを判断
するようにしてもよい。
を活性温度領域に制御するものであるが、ヒータ
１２を使用せず、高温ガスを利用して酸素センサ
１１を温め、この時の酸素センサ１１の出力電流
の大きさにより活性領域内にあるかどうかを判断
するようにしてもよい。
以上述べた如く、本発明では限界電流式酸素セ
ンサを用い、限界電流（つまり酸素濃度）測定と
内部抵抗（つまりセンサ温度）測定とを交互に行
うようにした装置にあつて、酸素センサに対し、
限界電流測定には正バイアスを印加して限界電流
を検出し、他方、内部抵抗測定には負バイアスを
印加し、そのときのセンサ通電電流より内部抵抗
も求めてこの値が略一定になるように酸素センサ
を加熱しているから、非常に簡単な構成で高精度
の温度制御が可能となり、安定した酸素濃度の検
出ができるようになるという優れた効果がある。
ンサを用い、限界電流（つまり酸素濃度）測定と
内部抵抗（つまりセンサ温度）測定とを交互に行
うようにした装置にあつて、酸素センサに対し、
限界電流測定には正バイアスを印加して限界電流
を検出し、他方、内部抵抗測定には負バイアスを
印加し、そのときのセンサ通電電流より内部抵抗
も求めてこの値が略一定になるように酸素センサ
を加熱しているから、非常に簡単な構成で高精度
の温度制御が可能となり、安定した酸素濃度の検
出ができるようになるという優れた効果がある。
第１図及び第１４図は本発明の全体構成を示す
ブロツク図、第２図は限界電流式酸素センサを示
す断面図、第３図ａ，ｂは酸素センサの−Ｉ特
性を示す図、第４図は酸素センサの限界電流と酸
素濃度との関係を示す図、第５図〜第１０図は本
発明の説明に供するフローチヤート及び信号波形
図、第１１図ａ，ｂは電流検出部３０の一例を示
す回路図、第１２図及び第１３図は本発明の説明
に供する−Ｉ特性図及びフローチヤートであ
る。 １……センサ部、２……制御装置、１１……酸
素センサ、１２……ヒータ、１３……排気管、１
４……カバー、２０……バイアス制御部、３０…
…電流検出部、５０……制御部、６０……加熱制
御部。
ブロツク図、第２図は限界電流式酸素センサを示
す断面図、第３図ａ，ｂは酸素センサの−Ｉ特
性を示す図、第４図は酸素センサの限界電流と酸
素濃度との関係を示す図、第５図〜第１０図は本
発明の説明に供するフローチヤート及び信号波形
図、第１１図ａ，ｂは電流検出部３０の一例を示
す回路図、第１２図及び第１３図は本発明の説明
に供する−Ｉ特性図及びフローチヤートであ
る。 １……センサ部、２……制御装置、１１……酸
素センサ、１２……ヒータ、１３……排気管、１
４……カバー、２０……バイアス制御部、３０…
…電流検出部、５０……制御部、６０……加熱制
御部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一方が、所定酸素濃度を有する基準ガスにさ
らされ、他方が被測定ガスにさらされるように構
成され、 正の直流電圧によりバイアスされた時、酸素濃
度に応じた限界電流を発生し、負の直流電圧によ
りバイアスされた時、温度に依存した電流を発生
する酸素センサと、 この酸素センサを加熱する加熱手段と、 前記酸素センサに対し、第１の期間に第１の直
流電圧を正バイアスし、第２の期間に第２の直流
電圧を負バイアスするバイアス制御手段と、 前記酸素センサに流れる電流を検出する電流検
出手段と、 この電流検出手段により、前記第１の期間に検
出される電流値に基づいて酸素濃度を検出する酸
素濃度検出手段と、 前記電流検出手段により、前記第２の期間に検
出される電流値に基づいて前記酸素センサの内部
抵抗を検出し、この内部抵抗が所定値になるよう
に前記加熱手段を制御する温度制御手段と、 を備えることを特徴とする酸素濃度検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58037788A JPS59163556A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 酸素濃度検出装置 |
| US06/585,861 US4543176A (en) | 1983-03-08 | 1984-03-02 | Oxygen concentration detector under temperature control |
| DE19843408491 DE3408491A1 (de) | 1983-03-08 | 1984-03-08 | Sauerstoffkonzentrations-messfuehler mit temperaturregelung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58037788A JPS59163556A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 酸素濃度検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163556A JPS59163556A (ja) | 1984-09-14 |
| JPH0560052B2 true JPH0560052B2 (ja) | 1993-09-01 |
Family
ID=12507225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58037788A Granted JPS59163556A (ja) | 1983-03-08 | 1983-03-08 | 酸素濃度検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4543176A (ja) |
| JP (1) | JPS59163556A (ja) |
| DE (1) | DE3408491A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62129754A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Honda Motor Co Ltd | 酸素濃度検出装置の制御方法 |
| JPS62182645A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-08-11 | Honda Motor Co Ltd | 酸素濃度センサの制御方法 |
| DE3610363A1 (de) * | 1986-03-27 | 1987-10-01 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zum kontinuierlichen ueberwachen von konzentrationen von gasfoermigen bestandteilen in gasgemischen, ausgenommen o(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts) |
| JPH0697220B2 (ja) * | 1986-05-08 | 1994-11-30 | 株式会社日立製作所 | 空燃比検出装置 |
| JPS6321549A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-29 | Ngk Insulators Ltd | 限界電流測定回路 |
| DE3637304A1 (de) * | 1986-08-23 | 1988-05-05 | Vdo Schindling | Verfahren und schaltungsanordnung zur erkennung der betriebsbereitschaft einer sauerstoffmesssonde |
| JPH07104319B2 (ja) * | 1986-09-10 | 1995-11-13 | 株式会社日立製作所 | 空燃比センサ |
| US4921582A (en) * | 1987-09-04 | 1990-05-01 | Wang Henry Y | Dissolved oxygen measuring method |
| JPH0738844Y2 (ja) * | 1988-10-07 | 1995-09-06 | トヨタ自動車株式会社 | 酸素センサ用ヒータ制御装置 |
| JP3467808B2 (ja) * | 1992-12-02 | 2003-11-17 | 株式会社デンソー | 酸素濃度判定装置 |
| JP3404892B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2003-05-12 | 株式会社デンソー | 酸素濃度判定装置 |
| US5547552A (en) * | 1994-06-20 | 1996-08-20 | Nippondenso Co., Ltd. | Oxygen concentration detecting apparatus |
| JP3486967B2 (ja) * | 1994-08-01 | 2004-01-13 | 株式会社デンソー | 空燃比検出装置 |
| JP3487009B2 (ja) | 1994-08-05 | 2004-01-13 | 株式会社デンソー | 酸素センサのヒータ制御装置 |
| US5781878A (en) * | 1995-06-05 | 1998-07-14 | Nippondenso Co., Ltd. | Apparatus and method for diagnosing degradation or malfunction of oxygen sensor |
| JP3684686B2 (ja) * | 1995-12-18 | 2005-08-17 | 株式会社デンソー | 酸素濃度判定装置 |
| JP3692640B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2005-09-07 | 株式会社デンソー | 酸素濃度センサの素子抵抗検出方法 |
| US6084418A (en) * | 1996-02-28 | 2000-07-04 | Denso Corporation | Method for accurately detecting sensor element resistance |
| US6055972A (en) * | 1996-07-04 | 2000-05-02 | Denso Corporation | Air fuel ratio control apparatus having air-fuel ratio control point switching function |
| US5852228A (en) * | 1996-07-10 | 1998-12-22 | Denso Corporation | Apparatus and method for controlling oxygen sensor heating |
| EP0822326B1 (en) * | 1996-07-31 | 2003-11-05 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Temperature control for a wide range oxygen sensor |
| US5869744A (en) * | 1996-10-18 | 1999-02-09 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Oxygen concentration-detecting device for internal combustion engines |
| US6099717A (en) * | 1996-11-06 | 2000-08-08 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method of and apparatus for detecting a deteriorated condition of a wide range air-fuel ratio sensor |
| DE19651328B4 (de) * | 1996-12-11 | 2007-07-26 | Dittrich, Jürgen | Gassensor |
| JP3796333B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2006-07-12 | 日本碍子株式会社 | ガスセンサ |
| FR2759168B1 (fr) * | 1997-01-31 | 1999-04-02 | Sagem | Dispositif de mesure de la teneur d'un milieu gazeux en oxygene |
| US6228252B1 (en) | 1997-02-13 | 2001-05-08 | Ngk Spark Plug Co. Ltd. | Apparatus for detecting concentration of nitrogen oxide |
| JPH116813A (ja) * | 1997-04-23 | 1999-01-12 | Denso Corp | ガス濃度センサの制御装置 |
| JP3420932B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2003-06-30 | 株式会社デンソー | ガス濃度センサの素子抵抗検出方法 |
| US6082345A (en) * | 1997-12-05 | 2000-07-04 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Air-fuel ratio control system for internal combustion engines |
| JP3983422B2 (ja) * | 1998-09-29 | 2007-09-26 | 株式会社デンソー | ガス濃度検出装置 |
| JP2000130225A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-09 | Sanshin Ind Co Ltd | エンジンおよびエンジンを備えた船外機 |
| JP3843881B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2006-11-08 | 株式会社デンソー | ガス濃度センサのヒータ制御装置 |
| JP4033072B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2008-01-16 | トヨタ自動車株式会社 | ガス濃度センサの制御装置 |
| DE102004027907A1 (de) * | 2004-06-09 | 2005-12-29 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Regelsystem für eine mobile Verbrennungskraftmaschine |
| US8121744B2 (en) * | 2008-06-20 | 2012-02-21 | GM Global Technology Operations LLC | Control system and method for oxygen sensor heater control |
| DE102012101313A1 (de) * | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Contros Systems & Solutions Gmbh | Vorrichtung zur Detektion eines Partialdrucks und Verfahren zum Betreiben derselben |
| JP6011582B2 (ja) * | 2014-06-23 | 2016-10-19 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関の制御装置 |
| US10161899B2 (en) * | 2014-09-30 | 2018-12-25 | Rosemount Inc. | Oxygen sensor with electrochemical protection mode |
| US10563605B2 (en) * | 2018-03-13 | 2020-02-18 | Ford Global Technologies, Llc | Systems and methods for reducing vehicle emissions |
| US12188391B1 (en) * | 2024-01-17 | 2025-01-07 | Fca Us Llc | Vehicle oxygen sensor light off control |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192852A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Limiting current type oxygen concentration detector controlled in temperature |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1071709A (en) * | 1975-12-05 | 1980-02-12 | Arnold O. Isenberg | Gas analysis apparatus |
| DE2711880C2 (de) * | 1977-03-18 | 1985-01-17 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Polarographischer Meßfühler zum Messen der Sauerstoffkonzentration und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE2729475A1 (de) * | 1977-06-30 | 1979-01-11 | Bosch Gmbh Robert | Elektrochemischer messfuehler fuer die bestimmung des sauerstoffgehaltes in abgasen, insbesondere in abgasen von verbrennungsmotoren |
| US4175019A (en) * | 1978-04-03 | 1979-11-20 | General Motors Corporation | Heated solid electrolyte oxygen sensor |
| JPS584985B2 (ja) * | 1978-05-10 | 1983-01-28 | 株式会社日立製作所 | ガス検知素子 |
| JPS6042368Y2 (ja) * | 1979-10-25 | 1985-12-26 | 日産自動車株式会社 | 空燃比制御装置 |
| US4376026A (en) * | 1980-08-01 | 1983-03-08 | The North American Manufacturing Company | Oxygen concentration measurement and control |
| JPS5748648A (en) * | 1980-09-06 | 1982-03-20 | Toyota Motor Corp | Oxygen concentration sensor |
| DE3035608A1 (de) * | 1980-09-20 | 1982-05-06 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Elektrochemischer messfuehler zur bestimmung des sauerstoffgehaltes in gasen |
| US4332225A (en) * | 1980-10-02 | 1982-06-01 | General Motors Corporation | Internal combustion engine with oxygen sensor heater control |
| DE3117790A1 (de) * | 1981-05-06 | 1982-11-25 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren und vorrichtung zur temperaturmessung bei sauerstoffsonden |
| JPS57192849A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Detecting device for limit current system oxygen concentration performing temperature compensation of measuring output |
| JPS57192855A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Ngk Insulators Ltd | Oxygen concentration detector |
-
1983
- 1983-03-08 JP JP58037788A patent/JPS59163556A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-02 US US06/585,861 patent/US4543176A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-03-08 DE DE19843408491 patent/DE3408491A1/de active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192852A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Limiting current type oxygen concentration detector controlled in temperature |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59163556A (ja) | 1984-09-14 |
| US4543176A (en) | 1985-09-24 |
| DE3408491A1 (de) | 1984-10-11 |
| DE3408491C2 (ja) | 1993-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0560052B2 (ja) | ||
| US6214207B1 (en) | Method and apparatus for measuring oxygen concentration and nitrogen oxide concentration | |
| US6635161B2 (en) | NOx sensor control circuit unit and NOx sensor system using the same | |
| US6120677A (en) | Temperature control for all range oxygen sensor | |
| US6258232B1 (en) | Gas component concentration measuring apparatus | |
| JPH0113530B2 (ja) | ||
| JP4415771B2 (ja) | ガス濃度検出装置 | |
| US6712054B2 (en) | Device and method for measuring element temperature of air-fuel ratio sensor, and device and method for controlling heater of air-fuel ratio sensor | |
| JP3800068B2 (ja) | ガス濃度センサのヒータ制御装置 | |
| JPH0113531B2 (ja) | ||
| JP2000081413A (ja) | ガス濃度検出装置 | |
| JP3645665B2 (ja) | 全領域酸素センサの温度制御方法及び装置 | |
| US7776194B2 (en) | Gas concentration measuring apparatus designed to compensate for output error | |
| EP1744154A1 (en) | Gas concentration measuring apparatus designed to establish quick determination of degree of activation of gas sensor | |
| JP4206566B2 (ja) | ガス濃度センサの素子抵抗検出装置 | |
| JPH0778484B2 (ja) | 空燃比センサの温度制御装置 | |
| JPH11344466A (ja) | ガス濃度センサのヒータ制御装置 | |
| US20150083703A1 (en) | Heater control apparatus for gas sensor | |
| JP3869629B2 (ja) | 空燃比センサの活性判定装置 | |
| US20020189942A1 (en) | Gas concentration measuring device | |
| JPH11271264A (ja) | ガス濃度センサの温度制御装置 | |
| JP3845998B2 (ja) | ガス成分濃度測定装置 | |
| JP2002022699A (ja) | 空燃比センサの素子温度推定装置 | |
| JPH10221182A (ja) | 全領域空燃比センサを用いた温度測定方法及び装置 | |
| JP2002303601A (ja) | ガス濃度センサの制御装置 |